KR101188185B1 - 정전흡착기능을 갖는 가열장치 - Google Patents

정전흡착기능을 갖는 가열장치 Download PDF

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Abstract

내열충격성에 뛰어나고, 박리의 문제가 없으며, 500～800℃의 중고온영역에 있어서도 저항치가 적당해서 충분한 정전흡착력을 갖는 동시에, 리크전류에 의한 디바이스 파손의 발생이 없고, 급속한 승고온에서도 안정되게 사용할 수 있는 정전흡착기능을 갖는 가열장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
적어도, 지지기재(2)와, 상기 지지기재상에 형성된 정전흡착용 전극(4) 및 발열층(5)과, 상기 정전흡착용 전극 및 발열층 위에 형성된 절연체층(6)을 포함하는 정전흡착기능을 갖는 가열장치로서, 상기 정전흡착용 전극 및/또는 발열층이, 붕소 및/또는 탄화붕소를, 붕소농도로 해서 0.001～30중량％의 범위로 함유하는 열분해 흑연으로 이루어지고, 또한 상기 절연체층이, 1×106～1×1015Ω㎝의 전기저항률을 갖는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전흡착기능을 갖는 가열장치.

Description

정전흡착기능을 갖는 가열장치{A HEATING APPARATUS HAVING ELECTROSTATIC ADSORPTION FUNCTION}
도 1은 본 발명의 정전흡착기능을 갖는 가열장치의 일례를 나타내는 개략 종단면도,
도 2는 본 발명의 정전흡착기능을 갖는 가열장치의 다른 예를 나타내는 개략 종단면도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
1, 11 : 정전흡착기능을 갖는 가열장치 2 : 지지기재
3 : 보호층 4 :정전흡착용 전극
5 : 발열층 6 : 절연체층
본 발명은, 정전흡착기능을 갖는 가열장치에 관한 것이고, 구체적으로는 승온공정을 포함하는 반도체 디바이스의 제조공정에 있어서의 반도체 웨이퍼의 가열 프로세스에 바람직하게 사용되는 정전흡착기능을 갖는 웨이퍼 가열장치에 관한 것이다.
종래, 반도체 디바이스의 제조공정에 있어서의 반도체 웨이퍼의 가열에는, 금속선을 감은 히터가 사용되고 있었다. 그러나, 이 히터를 사용했을 경우에는, 반도체 웨이퍼에의 금속오염의 문제가 있었기 때문에, 최근, 세라믹 박막을 발열층으로서 사용한 세라믹 일체형 웨이퍼 가열장치의 사용이 제안되고 있다 (예를 들면, 일본 특허공개 평4-124076호 공보 참조).
또한, 반도체 웨이퍼의 가열에 있어서는, 히터상에 반도체 웨이퍼를 고정하기 위해서 감압분위기에서는 정전흡착장치가 사용되고 있고, 프로세스의 고온화에 따라 그 재질은 수지에서 세라믹으로 이행하고 있다(일본 특허공개 소52-67353호, 일본 특허공개 소59-124140호 공보 참조).
또 최근에는, 이들 세라믹 일체형 웨이퍼 가열장치와 정전흡착장치를 합체한 정전흡착기능을 갖는 웨이퍼 가열장치가 제안되고 있다. 예를 들면, 에칭공정 등의 저온영역에서는 정전흡착장치의 절연체층에 알루미나를 사용한 것(뉴세라믹(7), p49～53, 1994참조), CVD공정 등의 고온영역에 있어서는 정전흡착장치의 절연체층에 열분해 질화붕소를 사용한 것(일본 특허공개 평4-358074호, 특허공개 평5-109876호, 특허공개 평5-129210호 공보, 특허공개 평7-10665호 참조)이 사용되고 있다.
한편, 상기 문헌(뉴세라믹(7), p49～53, 1994)에 기재되어 있는 바와 같이, 정전흡착력은 절연체층의 체적저항률(전기저항률)이 낮아지면 강해지지만, 너무 낮으면 리크전류에 의한 디바이스의 파손이 생기기 때문에, 정전흡착장치의 절연체층 의 체적저항률은 1×1010～1×1013Ω㎝인 것이 바람직하다고 여겨지고 있다.
그러나, 상기 정전흡착기능을 갖는 웨이퍼 가열장치의 절연체층에 알루미나를 사용했을 경우에는, 500℃에서 800℃까지의 중고온영역에 있어서, 저항치가 지나치게 낮아져서 리크전류에 의한 디바이스의 파손이 발생해 버린다고 하는 문제가 있다. 또한, 열분해 질화붕소를 사용했을 경우에는, 상기 중고온영역에서 저항치가 지나치게 높아지기 때문에, 충분한 정전흡착력을 얻을 수 없다고 하는 문제가 있었다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 정전흡착장치의 절연체층에 1～20중량％의 탄소를 함유하는 열분해 질화붕소를 사용해(일본 특허공개 평9-278527호 공보 참조), 500～800℃의 중고온영역에 있어서도 저항치가 적당하고 충분한 정전흡착력을 갖는 것이 제안되어 있다.
그런데, 상기 정전흡착기능을 갖는 가열장치는, 열분해 흑연의 발열층 및 정전흡착용 전극의 위에 열분해 질화붕소의 절연체층을 접합하고 있기 때문에, 접합이 반데르발스력(Van der Waals Forces)에 의한 약한 결합이며, 반복의 승강온으로 접합 경계부분에서 박리가 발생하여 버린다는 문제가 있다.
한편, 웨이퍼의 처리매수를 늘리기 위해서는, 급속한 승강온 속도가 필수로 되어 있어, 열충격에 강한 것이 요구되고 있다.
따라서, 내열충격성이 우수하고, 박리의 문제가 없으며, 500～800℃의 중고 온영역에 있어서도 저항치가 적당해서 충분한 정전흡착력을 갖는 신뢰성이 높은 웨이퍼 가열장치의 개발이 요구되고 있다.
그래서 본 발명은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 즉, 내열충격성이 우수하고, 박리의 문제가 없으며, 500～800℃의 중고온영역에 있어서도 저항치가 적당해서 충분한 정전흡착력을 갖는 동시에, 리크전류에 의한 디바이스 파손의 발생이 없고, 급속한 승강온에서도 안정되게 사용할 수 있는 정전흡착기능을 갖는 가열장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는, 상기 목적을 달성하기 위해서, 정전흡착기능을 갖는 가열장치의 중고온영역에 있어서의 정전흡착력의 저하와 열충격에 의한 접합 경계부분의 박리를 방지하여, 중고온영역에 있어서의 정전흡착력이 높고, 내열충격성이 뛰어난 가열장치에 대해서 여러가지 검토를 행했다. 그 결과, 지지기재상에 붕소 및/또는 탄화붕소를, 붕소농도로 하여 0.001～30중량％의 범위로 함유하는 열분해 흑연으로 이루어지는 정전흡착용 전극과 발열층을 형성하고, 또한 그 위에, 전기저항률이 1×106～1×1015Ω㎝를 갖는 절연체층을 형성하는 것에 의해, 내열충격성이 우수함과 아울러, 중고온영역에서의 정전흡착력의 저하가 일어나지 않아 충분한 정전흡착력을 얻을 수 있고, 또한 발열층의 저항률 온도의존성이 작기 때문에 온도제어성이 양호하며, 장기에 걸쳐 안정되게 사용할 수 있다고 하는 유리성을 얻을 수 있는 것을 알아내고, 본 발명을 이루기에 이르렀다.
즉, 본 발명에 의하면, 적어도, 지지기재와, 상기 지지기재상에 형성된 정전흡착용 전극 및 발열층과, 상기 정전흡착용 전극 및 발열층 위에 형성된 절연체층을 포함하는 정전흡착기능을 갖는 가열장치로서, 상기 정전흡착용 전극 및/또는 발열층이, 붕소 및/또는 탄화붕소를, 붕소농도로 해서 0.001～30중량％의 범위로 함유하는 열분해 흑연으로 이루어지고, 또한 상기 절연체층이 1×106～1×1015Ω㎝의 전기저항률을 갖는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전흡착기능을 갖는 가열장치가 제공된다(청구항1).
이와 같이, 지지기재상에 붕소 및/또는 탄화붕소를, 붕소농도로 해서 0.001～30중량％의 범위로 함유하는 열분해 흑연으로 이루어지는 정전흡착용 전극 및/또는 발열층이 형성되고, 또한 그 위에 전기저항률이 1×106～1×1015Ω㎝인 절연체층이 형성된 것으로 함으로써, 정전흡착용 전극 및 발열층의 앵커효과가 좋고, 또한, 정전흡착용 전극 및 발열층에 첨가한 붕소와, 보호층 및 절연체층 중의 질소가 화학적으로 결합해서 결합이 강해져 절연체층의 박리의 문제가 없고, 500～800℃의 중고온영역에 있어서도 저항치가 적당해서 충분한 정전흡착력을 갖는 동시에, 리크전류에 의한 디바이스 파손의 발생이 없는 정전흡착기능을 갖는 가열장치로 할 수 있다.
정전흡착용 전극 및 발열층은, 지지기재상에 형성된 보호층을 개재해서 형성되어 있는 것이 바람직하다(청구항2).
이와 같이 지지기재상의 보호층을 개재해서 정전흡착용 전극 및 발열층이 형 성되어 있으면, 지지기재에 포함되는 불순물, 가스 등에 의한 오염 등을 방지할 수 있다.
지지기재로서는, 질화규소 소결체, 질화붕소 소결체, 질화붕소와 질화알루미늄의 혼합소결체, 알루미나 소결체, 질화알루미늄 소결체, 및 흑연 중 어느 하나로 이루어지는 것이 바람직하다(청구항3).
이러한 재질로 이루어지는 지지기재이면, 500～800℃의 중고온영역에 있어서도 물성이 안정되어 있기 때문에 바람직하다.
또한, 보호층은, 질화규소, 질화붕소, 질화알루미늄 및 열분해 질화붕소 중 어느 하나로 이루어지는 것이 바람직하다(청구항4).
이러한 재질로 이루어지는 보호층이 지지기재상에 형성되어 있으면, 고온이라도 안정되고, 박리되는 일도 거의 없다.
또한, 절연체층은, 질화알루미늄, 질화붕소, 질화알루미늄과 질화붕소의 혼합체, 열분해 질화붕소, 카본이 첨가되어서 이루어지는 열분해 질화붕소, 및 카본과 실리콘이 첨가되어서 이루어지는 열분해 질화붕소 중 어느 하나로 이루어지는 것이 바람직하다(청구항5).
이러한 재질로 이루어지는 절연체층이면, 정전흡착용 전극 및 발열층상에 앵커효과에 의해 강하게 밀착, 접합하여, 승강온의 반복에 의해서도 절연체층이 벗겨지는 일은 거의 없고, 긴 수명의 정전흡착기능을 갖는 가열장치로 할 수 있다.
또한, 보호층, 정전흡착용 전극, 발열층, 및 절연체층 중 하나 이상이, 화학기상증착법에 의해 형성된 것임이 바람직하다(청구항6).
이와 같이 화학기상증착법에 의해 각각 형성하면, 소정 두께로 균일하게 형성시킬 수 있고, 박리나 파티클의 발생을 막을 수 있다. 특히, 정전흡착용 전극 및 발열층에 관해서는, 화학기상증착법에 의해 붕소농도로 해서 0.001～30중량％의 범위로 함유하는 열분해 흑연층을 유리하게 형성할 수 있고, 이것을 가공해서 앵커효과가 우수한 정전흡착용 전극과 발열층으로 할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 사용해서 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 정전흡착기능을 갖는 가열장치의 일례를 나타내고 있다. 정전흡착기능을 갖는 가열장치(1)는, 원판상의 지지기재(2)상에 형성된 보호층(3)을 개재해서 정전흡착용 전극(4) 및 발열층(5)이 형성되고, 또한, 상기 정전흡착용 전극(4) 및 발열층(5)상에 절연체층(6)이 형성되어 있다. 또, 도시되어 있지 않지만, 외부전원과 접속된 정전흡착용 급전단자와 발열층 급전단자가, 각각 정전흡착용 전극(4)과 발열층(5)에 설치되고, 이들을 통해서 각각 전기가 공급된다.
그리고, 반도체 웨이퍼를 가열할 경우는, 웨이퍼는 지지기재(2)의 표면측의 절연체층(6) 위에 정전흡착용 전극(4)에 의해 흡착 고정되고, 지지기재(2)의 이면측의 도전성 발열층(5)에 의해 가열되게 되어 있다.
이하, 가열장치(1)의 각 구성에 대해서 구체적으로 설명한다.
지지기재(2)는 특별히 한정되는 것이 아니지만, 질화규소 소결체, 질화붕소 소결체, 질화붕소와 질화알루미늄의 혼합소결체, 알루미나 소결체, 질화알루미늄 소결체, 및 흑연 중 어느 하나로 이루어지는 것이면, 500～800℃의 중고온영역에 있어서도 물성이 안정되어 있고, 특히 흑연은 2000℃이상의 고온까지 안정되어 있 기 때문에 바람직하다.
지지기재(2)의 형상은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 원반상, 원통상, 볼록부나 오목부가 있는 원반 또는 원통상 등이어도 좋다.
지지기재(2)상에 형성되는 보호층(3)은, 기재(2)에 포함되는 불순물, 가스 등이 그 후의 제작 프로세스에 영향을 끼치는 것을 방지한다. 이러한 보호층(3)은, 지지기재(2)가 예를 들면 흑연으로 이루어질 경우는 절연성을 확보하기 위해서 필수적이고, 산화를 방지하기 위해서도 필요하다. 한편, 지지기재(2)가 절연체이라면, 보호층은 반드시 형성되어 있지 않아도 좋지만, 보호층(3)을 형성해 두면 상기 와 같은 불순물 등에 의한 오염 등을 막을 수 있으므로 바람직하다.
보호층(3)의 재질로서는, 고온까지 안정되어 있는 것이 바람직하고, 질화규소, 질화붕소, 열분해 질화붕소, 질화알루미늄 등을 들 수 있다.
또한, 보호층(3)의 두께에 관해서는, 지나치게 두꺼우면 지지기재와의 열팽창의 차이에 의해 박리되기 쉬워지고, 지나치게 얇으면 불순물, 가스 등이 핀홀로부터 투과되어 그 후의 제작 프로세스에 악영향을 끼칠 우려가 있으므로, 10～300㎛, 특히 30～150㎛로 하는 것이 바람직하다.
정전흡착용 전극(4) 및 발열층(5)은, 붕소 및/또는 탄화붕소를, 붕소농도로 해서 0.001～30중량％의 범위로 함유하는 열분해 흑연으로 형성되어 있다.
이렇게 형성된 정전흡착용 전극(4)과 발열층(5)은, 앵커효과를 갖는 것으로 된다. 따라서, 그 위에 형성된 절연체층은 양호하게 밀착, 접합하여, 승강온의 반복에 의해서도 절연체층의 박리를 방지할 수 있다.
또한, 붕소 및/또는 탄화붕소를 상기 범위로 함유하는 열분해 흑연은, 저항률의 온도의존성을 작게 하는 성질을 갖고 있다. 그 때문에, 발열층에 이것을 사용함으로써 온도제어성이 좋아진다고 하는 이점도 있다.
또한, 붕소농도로 해서 0.001중량％미만이면 앵커효과를 얻을 수 없고, 한편, 30중량％를 초과하면 입자성장이 지나치게 크기 때문에 막으로 되지 않고 정전흡착용 전극이나 발열층으로서의 기능을 발휘할 수 없는 등의 문제가 있다.
정전흡착용 전극(4) 및 발열층(5)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 10～300㎛, 특히 30～150㎛로 하는 것이 바람직하고, 이 정도 두께의 정전흡착용 전극과 발열층으로 하면, 웨이퍼 등의 피가열물을 바람직하게 정전흡착해서 가열할 수 있다.
또한, 정전흡착용 전극(4) 및 발열층(5) 위에 형성되는 절연체층(6)은, 1×106～1×1015Ω㎝의 전기저항률을 갖는 것으로 한다. 이 범위의 전기저항률을 갖는 절연체층이 형성되어 있으면, 500℃에서 800℃까지의 중고온영역에 있어서 저항치가 적당하게 되어 리크전류에 의한 디바이스의 파손이 발생하지 않고, 충분한 정전흡착력을 얻을 수 있다.
이러한 절연체층(6)은, 바람직하게는, 질화알루미늄, 질화붕소, 질화알루미늄과 질화붕소의 혼합체, 열분해 질화붕소, 카본이 첨가되어서 이루어지는 열분해 질화붕소, 및 카본과 실리콘이 첨가되어서 이루어지는 열분해 질화붕소 중 어느 하나로 이루어지는 것으로 할 수 있다.
절연체층(6)의 두께도 특별히 한정되지 않지만, 50～500㎛, 특히 70～150㎛로 하는 것이 바람직하다.
또, 일반적으로 두께가 50～500㎛의 절연체층을 형성시켰을 경우, 정전흡착용 전극 혹은 발열층의 접합면이 평활하면 열팽창률의 차이에 의해 용이하게 박리해 버리지만, 본 발명에서는, 강한 앵커효과를 갖는 정전흡착용 전극(4) 및 발열층(5)이 형성되어 있기 때문에, 반복 승강온을 행하여도 절연체층(6)의 박리가 방지된다.
또, 상기 두께의 절연체층으로 함으로써, 충분한 절연력을 갖는 동시에 500～800℃의 중고온영역에 있어서도 전기저항률이 적당한 크기가 되고, 충분한 정전흡착력을 유지할 수 있다.
본 발명에 관한 정전흡착기능을 갖는 가열장치의 제조방법은 특별히 한정되지 않지만, 화학기상증착법에 의해 바람직하게 제조할 수 있다.
예를 들면, 정전흡착용 전극과 발열층을 형성시킬 경우는, 메탄가스를 1000～2500℃, 1～10Torr의 조건하에서 반응시켜, 동일 반응실 내에 할로겐화 붕소를 붕소농도로서 0.001～30중량％의 범위로 도입해서 예를 들면 표면에 보호층을 갖는 흑연으로 이루어지는 지지기재상에 열분해 흑연층을 형성하고, 이어서 이 열분해 흑연층을 기재의 표면측은 정전흡착용 전극(4)의 패턴으로, 이면측은 발열층(5)의 패턴으로 가공하면 된다. 이렇게 붕소 및/또는 탄화붕소를, 붕소농도로 해서 0.001～30중량％의 범위로 함유하는 열분해 흑연으로 이루어지는 정전흡착용 전극(4)과 발열층(5)을 화학기상증착법에 의해 형성하면, 표면에 미소한 요철이 형성되어, 매 우 뛰어난 앵커효과를 발휘할 수 있고, 그 위에 형성된 절연체층의 박리를 효과적으로 막을 수 있다.
보호층 및 절연체층에 대해서도 화학기상증착법에 의해 마찬가지로 형성시킬 수 있고, 이렇게 형성된 각 층은, 순도가 높고, 박리나 파티클의 발생이 억제된 것으로 된다.
또, 상기한 바와 같이 지지기재에 따라서는 보호층은 필수가 아니기 때문에, 이 경우는 도 2와 같이 지지기재(2)상에 직접, 정전흡착용 전극(4) 및 발열층(5)을 형성시켜도 좋고, 그 밖의 구성은 도 1과 같게 한 정전흡착기능을 갖는 가열장치(11)로 할 수 있다.
(실시예)
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것이 아니다.
(실시예 1)
직경 200㎜, 두께 15㎜의 흑연 기재를 준비하고, 암모니아와 3염화붕소를 1800℃, 100Torr의 조건하에서 반응시켜서 기재상에 열분해 질화붕소로 이루어지는 보호층을 형성했다. 다음에, 이 위에 메탄가스를 2200℃, 5Torr의 조건하에서 열분해하고, 동일 반응실 내에 할로겐화 붕소를 붕소농도로서 0.001～30중량％의 범위로 도입함으로써 붕소와 탄화붕소가 혼재된 두께 100㎛의 열분해 흑연층을 형성했다. 이 열분해 흑연층의 표면측을 전극패턴으로 가공해서 정전흡착용 전극으로 하고, 이면측을 히터패턴으로 가공해서 발열층으로 했다. 또한, 이 양면상에, 암모니 아와 3염화붕소와 메탄을 1600℃, 5Torr의 조건하에서 반응시켜서, 두께 200㎛의 탄소함유 열분해 질화붕소 절연체층을 형성하고, 정전흡착기능을 갖는 웨이퍼 가열장치를 제작했다. 이 절연체층의 전기저항률은, 1×108～1×1013Ω㎝이었다.
이것을 100℃에서 1000℃까지 1분, 1000℃에서 100℃까지 5분의 승강온 속도로 승강온을 10000회 반복하여 시험(승강온 시험)을 행했지만, 전극 및 발열층과 절연체층의 접합부에서 박리는 관찰되지 않고, 500℃에 있어서의 웨이퍼상의 온도분포는 ±4℃로 변화되지 않았다.
(비교예 1)
비교를 위하여 메탄가스를 2200℃, 5Torr의 조건하에서 열분해하고, 동일 반응실 내에 할로겐화 붕소를 도입하지 않고 두께 100㎛ 열분해 흑연을 전극 및 발열층으로서 형성한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 정전흡착기능을 갖는 웨이퍼 가열장치를 제작했다. 얻어진 가열장치에 대해서 같은 시험을 행하였더니, 시험전 500℃에 있어서의 웨이퍼상의 온도분포는 ±4℃이었지만, 승강온 시험에서는, 대략 500회에서 박리가 발생하고, 표면이 부풀어올라 버려서 웨이퍼흡착이 불가능해져 버렸다.
또, 본 발명은, 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는, 예시이며, 본 발명의 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 같은 작용 효과를 갖는 것은, 어떠한 것이여도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
예를 들면, 지지기재 외에, 정전흡착용 전극이나 발열층의 형상은 도 1 및 도 2의 것에 한정되지 않는다.
본 발명의 정전흡착기능을 갖는 가열장치는, 정전흡착용 전극 및 발열층을 붕소 및/또는 탄화붕소가 붕소농도로 해서 0.001～30중량％의 범위로 함유된 열분해 흑연으로 이루어지는 것을 형성함으로써, 강한 앵커효과를 발휘하고, 그 위에 형성되는 절연체층이 박리되는 일이 없다.
또한, 발열층의 저항률 온도의존성이 적기 때문에 온도제어성이 양호하다고 하는 효과도 아울러 갖는다.
따라서, 내열충격성이 우수하고, 반복된 승강온을 하여도 박리가 생기지 않고, 500～800℃의 중고온영역에 있어서도 저항치가 적당해서 충분한 정전흡착력을 갖는 동시에, 리크전류에 의한 디바이스의 파손의 발생이 없고, 급속한 승강온에도 안정되게 사용할 수 있는 정전흡착기능을 갖는 가열장치로 된다. 그 때문에, 디바이스의 제조공정 등에 있어서, 이 가열장치를 사용해서 웨이퍼의 가열을 행하면, 디바이스 가공의 수율이 향상하고, 또한, 장기에 걸쳐 안정되게 사용할 수 있다.

Claims (7)

  1. 적어도, 지지기재와, 상기 지지기재상에 각각 형성된 정전흡착용 전극 및 발열층과, 상기 정전흡착용 전극 및 발열층 위에 형성된 절연체층을 포함하는 정전흡착기능을 갖는 가열장치로서, 상기 정전흡착용 전극 및 발열층 중 하나 또는 양자는, 붕소 및 탄화붕소 중 하나 또는 둘다를 붕소농도로 해서 0.001～30중량％의 범위로 함유하는 열분해 흑연으로 이루어지고, 또한 상기 절연체층이 1×106～1×1015Ω㎝의 전기저항률을 갖는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전흡착기능을 갖는 가열장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정전흡착용 전극 및 발열층이, 상기 지지기재상에 형성된 보호층을 개재해서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 정전흡착기능을 갖는 가열장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지지기재가, 질화규소 소결체, 질화붕소 소결체, 질화붕소와 질화알루미늄의 혼합소결체, 알루미나 소결체, 질화알루미늄 소결체, 및 흑연 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전흡착기능을 갖는 가열장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 보호층이, 질화규소, 질화붕소, 질화알루미늄 및 열분해 질화붕소 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전흡착기능을 갖는 가열장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연체층이, 질화알루미늄, 질화붕소, 질화알루미늄과 질화붕소의 혼합체, 열분해 질화붕소, 카본이 첨가되어서 이루어지는 열분해 질화붕소, 및 카본과 실리콘이 첨가되어서 이루어지는 열분해 질화붕소 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전흡착기능을 갖는 가열장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 보호층, 정전흡착용 전극, 발열층, 및 절연체층 중 하나 이상이, 화학기상증착법에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 정전흡착기능을 갖는 가열장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 정전흡착용 전극, 발열층, 및 절연체층 중 하나 이상이, 화학기상증착법에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 정전흡착기능을 갖는 가열장치.
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