ITMI20071001A1 - Apparecchiatura di mandrino elettrostatico - Google Patents
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Description
“APPARECCHIATURA DI MANDRINO ELETTROSTATICO”
DESCRIZIONE
Campo dell’invenzione
La presente invenzione si riferisce a un’apparecchiatura avente funzione di attrazione elettrostatica, comunemente indicata come mandrino elettrostatico (ESC), utilizzata nelle fasi di lavorazione e ispezione durante la fabbricazione di dispositivi semiconduttori, pannelli a cristalli liquidi e simili.
Background dell’invenzione
Nel processo di fabbricazione di dispositivi semiconduttori, convenzionalmente sono utilizzati riscaldatori a filo metallico avvolto per scaldare wafer semiconduttori. Tuttavia i riscaldatori di questo tipo presentano il problema della contaminazione metallica dei wafer semiconduttori. Recentemente è stato proposto l’utilizzo di riscaldatori di wafer monolitici ceramici aventi un film sottile ceramico come elemento riscaldante, come descritto in JP-A 4-124076.
Per il riscaldamento di wafer durante epitassia a fascio molecolare, CVD, sputtering e processi simili, si ritiene efficace l’utilizzo di un riscaldatore ceramico composito di nitruro di boro pirolitico (PBN) e grafite pirolitica (PG) che non produce degassaggio dall’interno del substrato di supporto e presenta purezza e resistenza a shock termico elevate, come descritto in JP-A 63-241921. Rispetto ai riscaldatori a filo di tantalio della tecnica antecedente, il riscaldatore ceramico composito presenta molti vantaggi, tra cui la semplicità di montaggio e di utilizzo, grazie al fatto che sono evitabili problemi quali deformazione termica, rotture e corto circuiti. Inoltre si tratta di un riscaldatore a film, che rende possibile ottenere una distribuzione di calore relativamente uniforme.
Per riscaldare un wafer semiconduttore, è utilizzata un’apparecchiatura di mandrino elettrostatico in un’atmosfera a bassa pressione per trattenere il wafer semiconduttore sul riscaldatore. Con l’aumento della temperatura di processo, il materiale dell’apparecchiatura si trasforma da resina a ceramica. Vedere JP-A 52-67353 e JP-A 59-124140.
Una proposta recente riguarda un’apparecchiatura di mandrino elettrostatico avente un riscaldatore di wafer monolitico ceramico abbinato a un mandrino elettrostatico. Ad esempio, un’apparecchiatura utilizzante allumina come strato isolante nel mandrino elettrostatico è descritta in New Ceramics, 7, pagg. 49-53, 1994. È stata sviluppata anche un’altra apparecchiatura esemplare utilizzante nitruro di alluminio come strato isolante per aumentare la resistenza al gas di pulizia.
Nelle suddette apparecchiature di mandrino elettrostatico, la forza di attrazione elettrostatica aumenta quanto più diminuisce la resistività volumetrica dello strato isolante, come descritto in New Ceramics, 7, pagg. 49-53, 1994. Una resistività volumetrica troppo bassa può provocare un guasto del dispositivo a causa della corrente di fuga. È quindi auspicabile che lo strato isolante dell’apparecchiatura di mandrino elettrostatico abbia resistività volumetrica compresa tra 10<8>e 10<18>Ω-cm e preferibilmente tra 10<9>e 10<13>Ω-cm.
I mandrini elettrostatici sono suddivisi in tre tipi, in base alla forma dell’elettrodo a cui è applicata tensione. In mandrini di tipo monopolare aventi un elettrodo interno singolo, il pezzo in lavorazione deve essere collegato a massa. Invece, in mandrini di tipo bipolare aventi una coppia di elettrodi interni e in mandrini di tipo a elettrodo a nido d’ape aventi una coppia di elettrodi a nido d’ape, non è necessario collegare a massa il pezzo in lavorazione in quanto tensioni positiva e negativa sono applicate agli elettrodi accoppiati. Mandrini di quest’ultimo tipo sono utilizzati spesso nelle applicazioni di semiconduttori.
Nei sistemi moderni di epitassia a fascio molecolare, CVD e sputtering, è montata apparecchiatura di mandrino elettrostatico. Il processo di fabbricazione del dispositivo semiconduttore prevede spesso fasi che richiedono temperature elevate superiori a 500°C. Mentre il pezzo, ad esempio un wafer di silicio, è trattenuto dall’apparecchiatura di mandrino elettrostatico, è scaldato in modo che avvenga espansione termica. L’espansione termica produce un fenomeno per cui si formano evidenti sfregamenti tra la superficie attratta del pezzo e la superficie di attrazione o di supporto dell’apparecchiatura di mandrino elettrostatico.
In genere i wafer di silicio hanno durezza Vickers Hv di circa 1100. L’allumina e il nitruro di alluminio di cui è composto generalmente lo strato isolante ceramico hanno durezza Vickers Hv, rispettivamente di 1500 e 1400. L’apparecchiatura di mandrino elettrostatico utilizzante nello strato isolante allumina e nitruro di alluminio, che sono più duri dei wafer di silicio, presenta il problema per cui la superficie di un wafer di silicio può essere abrasa dallo strato isolante durante il riscaldamento e raffreddamento del wafer di silicio, producendo particelle. La superficie attratta del wafer presenta irregolarità.
Sarebbe auspicabile un’apparecchiatura di mandrino elettrostatico che trattenga un pezzo attraverso forza di attrazione elettrostatica in un ambiente ad alta temperatura e che allo stesso tempo eviti le irregolarità sulla superficie attratta del pezzo in lavorazione. Per risolvere questo difficile problema, JP-A 2005-072066 propone un gruppo riscaldatore/mandrino con funzione di attrazione elettrostatica, comprendente uno strato isolante avente rugosità superficiale Ra ≤ 0,05 µm e Rmax ≤ 0,6 µm e durezza Vickers Hv superficiale fino a 1000. Questo strato isolante presenta scarsa resistenza all’ossigeno, cosicché è consumato dall’ossidazione con l’ossigeno rimanente nella camera di processo del semiconduttore. Inoltre, quando il pezzo è pulito con un gas di pulizia a base di fluoro nella camera di processo, l’isolante può essere attaccato con il gas di pulizia. A questo punto, con l’aumento del numero di wafer lavorati, l’isolante è sottoposto ad ossidazione e attacco chimico in gran misura, rendendo possibile l’eventualità di rottura dielettrica.
Descrizione dell’invenzione
Uno scopo dell’invenzione è quello di provvedere un’apparecchiatura di mandrino elettrostatico che trattenga un pezzo in lavorazione, quale un wafer o un substrato di vetro, attraverso forza di attrazione elettrostatica e che al tempo stesso eviti la formazione di irregolarità sulla superficie attratta del pezzo o sulla superficie di supporto dell’apparecchiatura, e che abbia una vita di servizio lunga grazie a una totale resistenza all’attacco con gas di pulizia del semiconduttore a base di fluoro.
Secondo l’invenzione, è provvista un’apparecchiatura di mandrino elettrostatico per trattenere un pezzo, quale un wafer semiconduttore o un substrato di vetro, comprendente un substrato di supporto, un elettrodo formato sulla superficie del substrato di supporto per produrre attrazione elettrostatica, e uno strato isolante ricoprente l’elettrodo e avente una superficie di supporto per il pezzo. Lo strato isolante comprende nitruro di boro pirolitico contenente carbonio e almeno un elemento selezionato tra silicio, alluminio, ittrio e titanio, e ha durezza Vickers Hv compresa tra 50 e 1000.
Lo strato isolante non è soggetto a irregolarità, presenta migliorate resistenza all’ossidazione e resistenza all’attacco con gas di pulizia a base di fluoro, e impedisce la formazione di particelle e il guasto dell’apparecchiatura per rottura dielettrica. Di conseguenza, la vita di servizio dell’apparecchiatura è prolungata.
Vantaggi dell’invenzione
L’apparecchiatura di mandrino elettrostatico secondo l’invenzione include uno strato isolante ricoprente un elettrodo di attrazione elettrostatica e avente una superficie di supporto in attestatura con un pezzo in lavorazione, dove lo strato isolante ha durezza di Vickers Hv compresa tra 50 e 1000 nella superficie di supporto ed è composto di nitruro di boro pirolitico contenente carbonio e almeno un elemento selezionato tra silicio, alluminio, ittrio e titanio. Anche nel caso in cui un pezzo quale un wafer di silicio o un substrato di vetro subisca cicli termici mentre è trattenuto sulla superficie di supporto dell’apparecchiatura di mandrino elettrostatico dalla forza di attrazione elettrostatica, né sulla superficie attratta del pezzo né sulla superficie di supporto dell’apparecchiatura risultano irregolarità. Lo strato isolante presenta migliorata resistenza all’attacco con gas di pulizia del semiconduttore a base di fluoro. L’apparecchiatura acquista di conseguenza una vita di servizio prolungata.
Breve descrizione dei disegni
L’unica figura, la figura 1, è una vista in sezione di un’apparecchiatura di mandrino elettrostatico secondo l’invenzione.
Descrizione delle forme di attuazione preferite
Le forme singolari “un”, una” e “il/la” includono referenti plurali, salvo quanto diversamente suggerito dal contesto.
Il termine “pezzo in lavorazione” indica un elemento che deve essere trattenuto o bloccato dal mandrino, tipicamente un wafer di silicio o un substrato di vetro utilizzati nell’industria dei semiconduttori.
L’apparecchiatura di mandrino elettrostatico secondo l’invenzione include uno specifico strato isolante avente una superficie di supporto su cui è trattenuto un pezzo in lavorazione attraverso forza di attrazione elettrostatica. Una forma di attuazione dell’apparecchiatura di mandrino elettrostatico è un’apparecchiatura di riscaldamento/tenuta di wafer avente funzioni di riscaldamento e di attrazione elettrostatica come illustrato nella figura 1, ma ciò non costituisce una limitazione all’invenzione.
L’apparecchiatura di mandrino elettrostatico è rappresentata in figura 1 come un gruppo riscaldatore-supporto 1 avente funzione di attrazione elettrostatica, che include un substrato di supporto 2, elettrodi 3a, 3b di tipo ad attrazione elettrostatica bipolare, uno strato riscaldante 4 e uno strato isolante 5.
In particolare, l’apparecchiatura di mandrino elettrostatico include un substrato di supporto di un composito sinterizzato costituito da nitruro di boro e nitruro di alluminio, uno strato riscaldante di grafite pirolitica unito a una superficie (posteriore) del substrato, uno strato isolante di nitruro di boro pirolitico ricoprente lo strato riscaldante, elettrodi di attrazione elettrostatica di grafite pirolitica uniti all’altra superficie (superiore) del substrato, e uno strato isolante ricoprente gli elettrodi e costituito da nitruro di boro pirolitico contenente carbonio e almeno un elemento selezionato tra silicio, alluminio, ittrio e titanio.
Il substrato di supporto può essere composto di qualsiasi materiale purché presenti resistenza a calore e proprietà isolanti. Ad esempio, una miscela di nitruro di boro e nitruro di alluminio è sinterizzata mediante una tecnica nota. La proporzione di miscelazione del nitruro di boro e del nitruro di alluminio può essere compresa tra 1:0,05 e 1:1 in rapporto in peso, poiché una proporzione troppo alta di nitruro di alluminio comporta un coefficiente più alto di espansione lineare e una proporzione troppo bassa comporta un coefficiente più basso di espansione lineare (vedere JP-A 8-227933). È accettabile anche una struttura in cui uno strato isolante comprendente un materiale selezionato tra nitruro di boro pirolitico, ossido di silicio, nitruro di alluminio, allumina e nitruro di silicio è unito a carbonio, come descritto nel brevetto giapponese n. 3.647.064.
La grafite pirolitica di cui sono costituiti lo strato riscaldante e gli elettrodi può essere prodotta, ad esempio, pirolizzando gas metano a 2200°C e 5 Torr. Lo spessore può variare tra 10 e 300 µm poiché uno strato troppo sottile presenterebbe bassa resistenza e uno strato troppo spesso presenterebbe il problema della sfogliatura.
L’invenzione è caratterizzata dallo strato isolante. L’apparecchiatura di mandrino elettrostatico per trattenere un pezzo in lavorazione attraverso forza di attrazione elettrostatica, comprendente uno strato riscaldante elettroconduttivo formato su una superficie di un substrato di supporto, elettrodi elettroconduttivi per attrazione elettrostatica formati sull’altra superficie del substrato di supporto, e uno strato isolante ricoprente lo strato riscaldante e gli elettrodi, è caratterizzata dal fatto che lo strato isolante ha durezza Vickers HV compresa tra 50 e 1000 e comprende nitruro di boro pirolitico contenente carbonio e almeno un elemento selezionato tra silicio, alluminio, ittrio e titanio. In questo contesto, la “durezza Vickers” è misurata da un tester di durezza HV-114, AT-301 prodotto da Akashi Mfg. Co., Ltd.
Nel caso in cui lo strato isolante abbia durezza Vickers inferiore a 50, la superficie attratta del pezzo in lavorazione non presenta irregolarità, ma la superficie di supporto dell’apparecchiatura presenta spesso irregolarità e nello strato isolante avviene una rottura dielettrica con conseguente guasto dell’apparecchiatura. Inoltre, la superficie di supporto dell’apparecchiatura è molto consumata da sfregamenti, il che comporta una riduzione della vita di servizio. Tali sfregamenti inoltre producono la formazione di particelle, rendendo spesso il dispositivo semiconduttore o il pannello a cristalli liquidi difettoso.
Nel caso in cui lo strato isolante abbia durezza Vickers superiore a 1000, la superficie di supporto dell’apparecchiatura non presenta irregolarità, ma la superficie attratta del pezzo in lavorazione presenta spesso irregolarità. Ciò comporta una fonte di polvere che spesso produce difetti nel dispositivo semiconduttore. Nella peggiore delle ipotesi, il dispositivo semiconduttore può venire sollecitato termicamente durante il successivo trattamento termico, tanto che nel punto iniziale il wafer si distacca dalle irregolarità comportando un danno tale che alla fine la linea produttiva deve essere interrotta.
Preferibilmente, il contenuto di carbonio del nitruro di boro pirolitico è compreso tra lo 0,01 e il 10% in peso, più preferibilmente tra lo 0,1 e il 5% in peso. Un contenuto di carbonio entro questo intervallo garantisce che lo strato isolante abbia durezza Vickers Hv compresa tra 50 e 1000. Un contenuto di carbonio inferiore allo 0,01% in peso può spesso comportare un Hv inferiore a 50, mentre un contenuto di carbonio superiore al 10% in peso può spesso comportare un Hv superiore a 1000.
Preferibilmente, il contenuto di silicio, alluminio, ittrio e titanio del nitruro di boro pirolitico è compreso tra lo 0,01 e il 20% in peso. Tale intervallo garantisce che lo strato isolante abbia durezza Vickers Hv compresa tra 50 e 1000. Un contenuto di silicio, alluminio, ittrio e titanio inferiore allo 0,01% in peso può spesso comportare un Hv inferiore a 50, mentre un contenuto superiore al 20% in peso può spesso comportare un Hv superiore a 1000.
Preferibilmente lo strato isolante ha rugosità superficiale Ra inferiore a 1 µm e Rmax inferiore a 3 µm. Una rugosità superficiale oltre questi limiti comporta una superficie più ampia di porzioni rugose, con il rischio che lo strato sia sostanzialmente consumato.
Lo strato isolante può essere formato attraverso deposizione chimica da fase vapore (CVD). La CVD garantisce la deposizione di uno strato isolante avente elevata purezza, elevata densità e precisione dimensionale. Ciò vale a dire che lo strato presenta resistenza a calore, stabilità chimica, forte adesione alla parte sottostante, e scarsa possibilità di guasto dielettrico o sfogliatura. Lo strato CVD comporta poche irregolarità nel pezzo in lavorazione, mentre lo strato stesso non è soggetto a irregolarità. Quindi l’apparecchiatura ha una vita di servizio lunga.
In virtù del fatto che il silicio ha durezza Vickers Hv di 1100, lo strato isolante dell’invenzione ha durezza Vickers Hv fino a 1000, risultando più morbido del silicio. Lo strato isolante è composto di nitruro di boro pirolitico contenente carbonio e almeno un elemento selezionato tra silicio, alluminio, ittrio e titanio. Lo strato isolante avente questa composizione può essere formato su elettrodi attraverso CVD, il che consente il semplice controllo dello spessore dello strato isolante. Preferibilmente lo strato isolante ha spessore compreso tra 20 e 300 µm, poiché uno strato troppo sottile presenterebbe scarsa resistenza e uno strato troppo spesso potrebbe ridurre la forza di attrazione elettrostatica.
Uno strato isolante di nitruro di boro pirolitico contenente carbonio e silicio potrebbe essere prodotto, ad esempio, mettendo un substrato in una camera a vuoto, scaldando a 2000°C, alimentando una miscela di gas di ammoniaca, tricloruro di boro, metano e tetracloruro di silicio in un rapporto di volume di 8:1:1:1, e effettuando la pirolisi sotto 5 Torr. Uno strato isolante siffatto potrebbe avere spessore compreso tra 50 e 300 µm, poiché uno strato troppo sottile sarebbe soggetto a rottura dielettrica e uno strato troppo spesso potrebbe ridurre la forza di attrazione elettrostatica.
Esempio
Qui di seguito sono riportati esempi dell’invenzione a scopo illustrativo e non limitativo. Esempio 1 ed Esempio comparativo 1
Un disco di carbonio avente diametro di 200 mm e spessore di 10 mm è stato posto in una camera, dove una miscela di ammoniaca e tricloruro di boro con rapporto di volume di 8:1 è stata fatta reagire a 2000°C per depositare nitruro di boro pirolitico sopra l’intera superficie del disco, producendo un substrato di supporto a forma di disco con rivestimento spesso 0,5 mm.
Successivamente è stato pirolizzato gas metano a 2200°C e 5 Torr, depositando uno strato di grafite pirolitica dello spessore di 100 µm sul substrato di supporto. Lo strato di grafite pirolitica sulla superficie anteriore è stato trattato in un modello per elettrodi, mentre lo strato di grafite pirolitica sulla superficie posteriore è stato trattato in un modello per riscaldatore. In tal modo sono stati formati gli elettrodi di attrazione elettrostatica e uno strato riscaldatore. Sulle superfici opposte, una miscela di ammoniaca, tricloruro di boro, metano e tetracloruro di silicio con rapporto di volume di 8:1:1:1 è stata fatta reagire a una pressione di 5 Torr e a una temperatura di 1600°C, 1700°C, 1800°C, 1900°C o 2000°C per depositare uno strato isolante di nitruro di boro pirolitico contenente carbonio e silicio ad uno spessore di 200 µm, formando un’apparecchiatura di mandrino elettrostatico. Lo strato depositato in queste condizioni conteneva il 5% in peso di carbonio e il 15% in peso di silicio e aveva durezza Vickers Hv compresa tra 10 e 1500.
L’apparecchiatura di mandrino elettrostatico così formata è stata scaldata a 300°C. Un wafer è stato condotto sopra e lasciato sull’apparecchiatura. Dopo 10 secondi è stata applicata una tensione di ±200 V agli elettrodi per trattenere il wafer attraverso forza di attrazione elettrostatica e per scaldarlo. Successivamente, gas CF4come agente di attacco è stato alimentato nella camera, la tensione è stata staccata dopo 1 minuto circa e spine di sollevamento sono state sollevate per rilasciare il wafer. Il wafer è stato lasciato in posa continuando l’alimentazione del gas CF4. La procedura ciclica di attrazione, rilascio e posa del wafer è stata ripetuta 100 volte. Successivamente il sistema è stato completamente raffreddato, dopodiché la superficie attratta del wafer e la superficie di supporto dell’apparecchiatura sono state esaminate per verificare l’eventuale presenza di irregolarità e cavità causate dall’attacco chimico. Quando lo strato isolante aveva durezza Vickers Hv compresa tra 50 e 1000, sono state riscontrate poche irregolarità o cavità sulla superficie attratta del wafer e sulla superficie di supporto dell’apparecchiatura, e lo strato isolante mostrava scarsa riduzione di spessore.
Quando lo strato isolante aveva durezza Vickers Hv inferiore a 50, sono state riscontrate irregolarità o cavità sulla superficie di supporto dell’apparecchiatura. Quando lo strato isolante aveva durezza Vickers Hv superiore a 1000, sono state riscontrate irregolarità sulla superficie attratta del wafer.
Esempio 2 ed Esempio comparativo 2
Cinque apparecchiature di mandrino elettrostatico sono state fabbricate e valutate con la stessa procedura dell’Esempio 1 e dell’Esempio comparativo 1, con la differenza che uno strato isolante di nitruro di boro pirolitico contenente carbonio e silicio avente spessore di 200 µm è stato depositato variando la quantità di metano alimentato in modo da ottenere una miscela di ammoniaca, tricloruro di boro, metano e tetracloruro di silicio con rapporto di volume tra 8:1:0,1:1 e 8:1:5:1 e effettuando la reazione a 1800°C e 5 Torr. Gli strati depositati in queste condizioni avevano un contenuto di carbonio dello 0,001%, 0,01%, 1%, 10% e 20% in peso e un contenuto di silicio del 15% in peso.
I risultati delle prove hanno dimostrato che quando il contenuto di carbonio era compreso nell’intervallo tra 0,01 e 10% in peso, non si sono riscontrate irregolarità sulla superficie attratta del wafer e sulla superficie di supporto dell’apparecchiatura, e lo strato isolante mostrava scarsa riduzione di spessore.
Quando il contenuto di carbonio era inferiore allo 0,01% in peso, si sono riscontrate irregolarità e cavità sulla superficie di supporto dell’apparecchiatura, Quando il contenuto di carbonio era superiore al 10% in peso, si sono riscontrate irregolarità sulla superficie attratta del wafer. Uno strato con un contenuto di carbonio inferiore allo 0,01% in peso presentava durezza Vickers Hv inferiore a 50 e uno strato con un contenuto di carbonio superiore al 10% in peso presentava durezza Vickers Hv superiore a 1000.
Esempio 3 ed Esempio comparativo 3
Cinque apparecchiature di mandrino elettrostatico sono state fabbricate e valutate con la stessa procedura dell’Esempio 1 e dell’Esempio comparativo 1, con la differenza che uno strato isolante di nitruro di boro pirolitico contenente carbonio e silicio avente spessore di 200 µm è stato depositato variando la quantità di tetracloruro di silicio alimentato, in modo da ottenere una miscela di ammoniaca, tricloruro di boro, metano e tetracloruro di silicio con rapporto di volume tra 8:1:1:0,1 e 8:1:1:10 e effettuando la reazione a 1800°C e 5 Torr. Gli strati depositati in queste condizioni avevano contenuto di carbonio dell’1% in peso e contenuto di silicio dello 0,001%, 0,01%, 5%, 20% e 30% in peso.
I risultati delle prove hanno dimostrato che quando il contenuto di silicio era compreso nell’intervallo tra 0,01 e 20% in peso, non si sono riscontrate irregolarità o cavità sulla superficie attratta del wafer e sulla superficie di supporto dell’apparecchiatura, e lo strato isolante non mostrava alcuna riduzione di spessore.
Quando il contenuto di silicio era inferiore allo 0,01% in peso, si sono riscontrate irregolarità e cavità sulla superficie di supporto dell’apparecchiatura, Quando il contenuto di carbonio era superiore al 20% in peso, si sono riscontrate irregolarità sulla superficie attratta del wafer. Uno strato con un contenuto di silicio inferiore allo 0,01% in peso presentava durezza Vickers Hv inferiore a 50 e uno strato con un contenuto di silicio superiore al 20% in peso presentava durezza Vickers Hv superiore a 1000.
L’invenzione è stata descritta in riferimento a forme di attuazione preferite, che tuttavia non la limitano in alcun modo. Le forme di attuazione hanno scopo puramente illustrativo dell’invenzione. Tutte le forme di attuazione che hanno sostanzialmente la stessa struttura del concetto tecnico dell’invenzione e che ottengono sostanzialmente lo stesso effetto rientrano nell’ambito delle rivendicazioni annesse.
Claims (5)
- RIVENDICAZIONI 1. Apparecchiatura di mandrino elettrostatico per trattenere un pezzo in lavorazione, comprendente un substrato di supporto, un elettrodo formato su una superficie del substrato di supporto per generare attrazione elettrostatica e uno strato isolante ricoprente l’elettrodo e avente una superficie di supporto per il pezzo in lavorazione, detto strato isolante comprendente nitruro di boro pirolitico contenente carbonio e almeno un elemento scelto tra silicio, alluminio, ittrio e titanio, e avente durezza Vickers Hv compresa tra 50 e 1000.
- 2. Apparecchiatura di mandrino elettrostatico secondo la rivendicazione 1, in cui il nitruro di boro pirolitico contiene dallo 0,01 al 10% in peso di carbonio.
- 3. Apparecchiatura di mandrino elettrostatico secondo la rivendicazione 1 o 2, in cui il nitruro di boro pirolitico contiene dallo 0,01 al 20% in peso di almeno un elemento scelto tra silicio, alluminio, ittrio e titanio.
- 4. Apparecchiatura di mandrino elettrostatico secondo la rivendicazione 1, 2 o 3, in cui detto strato isolante ha rugosità superficiale Ra inferiore a 1 µm e Rmax inferiore a 3 µm.
- 5. Apparecchiatura di mandrino elettrostatico secondo una qualsiasi delle rivendicazione dalla 1 alla 4, in cui detto strato isolante è formato attraverso deposizione chimica da fase vapore.
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