JP2007254190A - 窒化アルミニウム焼結体、窒化アルミニウム焼結体の製造方法、及び部材 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】粒界強度を向上させると共に、且つ、焼結処理中に窒化アルミニウムと固溶することにより粒界相として存在しなくなるSiO2又はMgOを窒化アルミニウム粉末に微量添加し、1600[℃]以上1750[℃]以下の低温で窒化アルミニウム粉末を焼結することにより、研磨による平坦性に優れた窒化アルミニウム焼結体を製造できることを知見した。
【選択図】図1
Description
実施例1では、始めに、平均粒径0.7[μm]の窒化アルミニウム粉末100重量部にMgOを0.5重量部添加し、ポットミルやボールミルを用いて混合することにより実施例1の混合粉末を調製する。なお、混合方式は湿式及び乾式のどちらの方式であってもよく、湿式により混合した場合には、混合後乾燥処理を行うことにより混合粉末を調製する。混合粉末の調製が完了すると、次に、混合粉末をそのまま又はバインダを加えて造粒したものを用いて成形し、円盤状の成形体を得る。なお、成形方法は特に限定されることはなく、金型成形法,CIP(Cold Isostatic Pressing)法,スリップキャスト法等の種々の方法を用いることができる。そして、ホットプレス法又は常圧焼結法等の方法により成形体を1650[℃]で4時間焼結することにより、実施例1の窒化アルミニウム焼結体を得た。なお、実施例1の窒化アルミニウム焼結体中の窒化アルミニウム粒子の平均粒径を確認した所、平均粒径は0.7[μm]であった。また、X線回折装置によって得られた実施例1の窒化アルミニウム焼結体の結晶相を確認した所、窒化アルミニウム焼結体はAlN相とAlON相により構成されていた。
実施例2では、始めに、平均粒径0.7[μm]の窒化アルミニウム粉末100重量部にSiO2を0.1重量部添加し、ポットミルやボールミルを用いて混合することにより実施例2の混合粉末を調製する。そして以後、実施例1と同様の処理を行うことにより、実施例2の窒化アルミニウム焼結体を得た。なお、実施例2の窒化アルミニウム焼結体中の窒化アルミニウム粒子の平均粒径を確認した所、平均粒径は1.0[μm]であった。また、X線回折装置によって得られた実施例2の窒化アルミニウム焼結体の結晶相を確認した所、窒化アルミニウム焼結体はAlN相とAlON相により構成されていた。
実施例3では、始めに、平均粒径0.7[μm]の窒化アルミニウム粉末100重量部にSiO2を0.5重量部添加し、ポットミルやボールミルを用いて混合することにより実施例3の混合粉末を調製する。そして以後、実施例1と同様の処理を行うことにより、実施例3の窒化アルミニウム焼結体を得た。なお、実施例3の窒化アルミニウム焼結体中の窒化アルミニウム粒子の平均粒径を確認した所、平均粒径は0.7[μm]であった。また、X線回折装置によって得られた実施例3の窒化アルミニウム焼結体の結晶相を確認した所、窒化アルミニウム焼結体はAlN相とAlON相により構成されていた。
実施例4では、焼成温度を1650[℃]から1700[℃]に変更する以外は実施例1と同様の処理を行うことにより、実施例4の窒化アルミニウム焼結体を得た。なお、実施例4の窒化アルミニウム焼結体中の窒化アルミニウム粒子の平均粒径を確認した所、平均粒径は1.2[μm]であった。また、X線回折装置によって得られた実施例4の窒化アルミニウム焼結体の結晶相を確認した所、窒化アルミニウム焼結体はAlN相とAlON相により構成されていた。
実施例5では、焼成温度を1650[℃]から1700[℃]に変更する以外は実施例2と同様の処理を行うことにより、実施例5の窒化アルミニウム焼結体を得た。なお、実施例5の窒化アルミニウム焼結体中の窒化アルミニウム粒子の平均粒径を確認した所、平均粒径は1.4[μm]であった。また、X線回折装置によって得られた実施例5の窒化アルミニウム焼結体の結晶相を確認した所、窒化アルミニウム焼結体はAlN相とAlON相により構成されていた。
実施例6では、焼成温度を1650[℃]から1700[℃]に変更する以外は実施例3と同様の処理を行うことにより、実施例6の窒化アルミニウム焼結体を得た。なお、実施例6の窒化アルミニウム焼結体中の窒化アルミニウム粒子の平均粒径を確認した所、平均粒径は1.4[μm]であった。また、X線回折装置によって得られた実施例6の窒化アルミニウム焼結体の結晶相を確認した所、窒化アルミニウム焼結体はAlN相とAlON相により構成されていた。
比較例1では、窒化アルミニウム粉末をそのまま又はバインダを加えて造粒したものを用いて成形し、円盤状の成形体を得る。そして、ホットプレス法又は常圧焼結法等の方法により成形体を1700[℃]で4時間焼結することにより、比較例1の窒化アルミニウム焼結体を得た。なお、比較例1の窒化アルミニウム焼結体中の窒化アルミニウム粒子の平均粒径を確認した所、平均粒径は1.1[μm]であった。また、X線回折装置によって得られた比較例1の窒化アルミニウム焼結体の結晶相を確認した所、窒化アルミニウム焼結体はAlN相とAlON相により構成されていた。
比較例2では、始めに、平均0.7[μm]の窒化アルミニウム粉末100重量部にY2O3を0.5重量部添加し、ポットミルやボールミルを用いて混合することにより比較例2の混合粉末を調製する。そして以後、実施例1と同様の処理を行うことにより、比較例2の窒化アルミニウム焼結体を得た。なお、比較例2の窒化アルミニウム焼結体中の窒化アルミニウム粒子の平均粒径を確認した所、平均粒径は1.6[μm]であった。また、X線回折装置によって得られた比較例2の窒化アルミニウム焼結体の結晶相を確認した所、窒化アルミニウム焼結体はAlN相,AlON相,及びYAG(Y3Al5O12)相により構成されていた。
比較例3では、焼成温度を1650[℃]から1700[℃]に変更した以外は比較例2と同様の処理を行うことにより、比較例3の窒化アルミニウム焼結体を得た。なお、比較例3の窒化アルミニウム焼結体中の窒化アルミニウム粒子の平均粒径を確認した所、平均粒径は2.2[μm]であった。また、X線回折装置によって得られた比較例3の窒化アルミニウム焼結体の結晶相を確認した所、窒化アルミニウム焼結体はAlN相,AlON相,及びYAG相により構成されていた。
比較例4では、始めに、平均粒径0.7[μm]の窒化アルミニウム粉末100重量部にSiO2を2.0重量部添加し、ポットミルやボールミルを用いて混合することにより比較例4の混合粉末を調製する。そして以後、比較例3と同様の処理を行うことにより、比較例4の窒化アルミニウム焼結体を得た。なお、比較例4の窒化アルミニウム焼結体中の窒化アルミニウム粒子の平均粒径を確認した所、平均粒径は1.0[μm]であった。また、X線回折装置によって得られた比較例4の窒化アルミニウム焼結体の結晶相を確認した所、窒化アルミニウム焼結体はAlN相とSiAl7O2N7相により構成されていた。
比較例5では、始めに、平均粒径0.7[μm]の窒化アルミニウム粉末100重量部にY2O3を5.0重量部添加し、ポットミルやボールミルを用いて混合することにより比較例5の混合粉末を調製する。そして以後、比較例5と同様の処理を行うことにより、比較例5の窒化アルミニウム焼結体を得た。なお、比較例5の窒化アルミニウム焼結体中の窒化アルミニウム粒子の平均粒径を確認した所、平均粒径は4.0[μm]であった。また、X線回折装置によって得られた比較例5の窒化アルミニウム焼結体の結晶相を確認した所、窒化アルミニウム焼結体はAlN相,YAL(YAlO3)相,及びYAM(Y4Al2O9)相により構成されていた。
上記実施例及び比較例の窒化アルミニウム焼結体それぞれについて、研磨後脱粒数[個/mm2],表面粗さ[Rt,nm],及び50[mm2]あたりのパーティクル数[個]を測定することにより、窒化アルミニウム焼結体の研磨による平坦性を評価した。なお、研磨後脱粒数[個/mm2],表面粗さ[Rt,nm],及び50[mm2]あたりのパーティクル数[個]は以下に示す方法により測定した。
上記実施例及び比較例の窒化アルミニウム焼結体の片面を♯400のダイヤモンド砥石で研削した後、粒径が9[μm]及び3[μm]のダイヤモンド砥粒を含むスラリーを滴下した銅製ラッピング盤により窒化アルミニウム焼結体の表面を研磨する。そして、研磨面の中心及び端部の2箇所それぞれについて4[mm2]の範囲をSEMで観察することにより研磨面から脱落している窒化アルミニウム粒子数を計測し、計測された粒子数を4[mm2]で除算することにより研磨後脱粒数を算出する。
上記実施例及び比較例の窒化アルミニウム焼結体の片面を♯400のダイヤモンド砥石で研削した、粒径が9[μm]及び3[μm]のダイヤモンド砥粒を含むスラリーを滴下した銅製ラッピング盤により研磨し、粒径が1[μm]のダイヤモンド砥粒を含むスラリーを滴下したバフ盤で270分間研磨した後の表面粗さを測定した。
パーティクル数は、上記実施例及び比較例の窒化アルミニウム焼結体を静電チャックとして用いてSiウェハを吸着し、Siウェハ上に脱落した窒化アルミニウム粒子数を測定することにより測定する。具体的には、測定試験用の密閉可能なチャンバー内に図1に示すような温度調整用の板状セラミックスヒータ40を設置し、その上にスペーサ30を介してSiウェハ20を載置する。また、上記実施例及び比較例の窒化アルミニウム焼結体である静電チャック10の裏面に導電ペースト50からなる吸着印加用電極を形成し、吸着面を下方に向けて静電チャック10をSiウェハ20上に載置する。そして、室温の状態でチャンバー内の排気を開始し、セラミックスヒータ40を用いて静電チャック10を徐々に加熱し、真空状態で400[℃]まで昇温する。次に、400[℃],吸着電圧250[V],1[min]の条件でSiウエハ20を静電チャック10の吸着面に吸着させた後、静電チャック10を室温まで降温し、チャンバー内の圧力を大気圧まで戻し、静電チャック10を取り除き、Siウエハ20上に脱落している窒化アルミニウムの粒子数を数えた。なお、窒化アルミニウム粒子であるか否かの判断は、全ての粒子についてEDS分析を行うことにより行った。また、50[mm2]あたりのパーティクル数は、Siウエハ20の中心及び端部の2箇所それぞれについて4[mm2]の範囲をSEMで観察し、観察結果から50[mm2]あたりのパーティクル数を計算することにより測定した。
20:Siウエハ
30:スペーサ
40:ヒータ
50:導電ペースト
60:端子
Claims (5)
- 平均結晶粒径が2.0[μm]以下であり、X線回折装置によって検出される結晶相がAlN相のみ又はAlN相とAlON相のみであり、SiO2又はMgOを0.05[wt%]以上1[wt%]以下含有することを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。
- 請求項1に記載の窒化アルミニウム焼結体の製造方法であって、窒化アルミニウム粉末を1600[℃]以上1750[℃]以下の温度範囲で焼結することにより窒化アルミニウム焼結体を製造することを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
- 請求項2に記載の窒化アルミニウム焼結体の製造方法であって、前記窒化アルミニウム粉末の平均結晶粒径が0.5[μm]以上1.0[μm]以下の範囲内にあることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
- 請求項1に記載の窒化アルミニウム焼結体によって少なくとも一部が形成されていることを特徴とする部材。
- 表面粗さが100[nm]以下の平滑面を有する窒化アルミニウム焼結体によって少なくとも一部が形成されていることを特徴とする部材。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220053935A (ko) * | 2020-10-23 | 2022-05-02 | 한국세라믹기술원 | 중고온에서 높은 비저항을 갖는 정전척용 AlN-MgO계 소결체 및 이의 제조방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112374896B (zh) * | 2020-11-12 | 2022-05-27 | 广东工业大学 | 一种高性能氮化铝陶瓷基板的浆料和制备方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06247772A (ja) * | 1993-02-19 | 1994-09-06 | Olympus Optical Co Ltd | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
JPH0948668A (ja) * | 1995-08-03 | 1997-02-18 | Ngk Insulators Ltd | 窒化アルミニウム焼結体、その製造方法および半導体製造用装置 |
JPH11209182A (ja) * | 1998-01-22 | 1999-08-03 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ耐食部材 |
JPH11214491A (ja) * | 1998-01-22 | 1999-08-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ウエハ保持装置及びその製造方法 |
JPH11317441A (ja) * | 1998-05-06 | 1999-11-16 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 静電チャック及びその評価方法 |
JP2000044345A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-15 | Ngk Insulators Ltd | 窒化アルミニウム質焼結体、耐蝕性部材、金属埋設品および半導体保持装置 |
JP2003081676A (ja) * | 2000-12-04 | 2003-03-19 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム基板およびそれを用いた薄膜基板とその製造方法 |
JP2005029458A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-02-03 | Ngk Insulators Ltd | 窒化アルミニウム焼結体、窒化アルミニウムの製造方法、及び窒化アルミニウムの評価方法 |
JP2005179167A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-07-07 | Kenichiro Miyahara | 薄膜形成用基板、薄膜基板及び発光素子 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3100871B2 (ja) * | 1995-07-11 | 2000-10-23 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体 |
JP4987238B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2012-07-25 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体、半導体製造用部材及び窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
-
2006
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06247772A (ja) * | 1993-02-19 | 1994-09-06 | Olympus Optical Co Ltd | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
JPH0948668A (ja) * | 1995-08-03 | 1997-02-18 | Ngk Insulators Ltd | 窒化アルミニウム焼結体、その製造方法および半導体製造用装置 |
JPH11209182A (ja) * | 1998-01-22 | 1999-08-03 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ耐食部材 |
JPH11214491A (ja) * | 1998-01-22 | 1999-08-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | ウエハ保持装置及びその製造方法 |
JPH11317441A (ja) * | 1998-05-06 | 1999-11-16 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 静電チャック及びその評価方法 |
JP2000044345A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-15 | Ngk Insulators Ltd | 窒化アルミニウム質焼結体、耐蝕性部材、金属埋設品および半導体保持装置 |
JP2003081676A (ja) * | 2000-12-04 | 2003-03-19 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム基板およびそれを用いた薄膜基板とその製造方法 |
JP2005029458A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-02-03 | Ngk Insulators Ltd | 窒化アルミニウム焼結体、窒化アルミニウムの製造方法、及び窒化アルミニウムの評価方法 |
JP2005179167A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-07-07 | Kenichiro Miyahara | 薄膜形成用基板、薄膜基板及び発光素子 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220053935A (ko) * | 2020-10-23 | 2022-05-02 | 한국세라믹기술원 | 중고온에서 높은 비저항을 갖는 정전척용 AlN-MgO계 소결체 및 이의 제조방법 |
KR102536630B1 (ko) * | 2020-10-23 | 2023-05-26 | 한국세라믹기술원 | 중고온에서 높은 비저항을 갖는 정전척용 AlN-MgO계 소결체 및 이의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070225152A1 (en) | 2007-09-27 |
US7592280B2 (en) | 2009-09-22 |
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