KR20190142384A - 웨이퍼 지지대 - Google Patents

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KR20190142384A
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엔지케이 인슐레이터 엘티디
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Abstract

세라믹 히터(10)는, 상면에 웨이퍼 W를 적재하는 웨이퍼 적재면(22)을 갖는 세라믹 기판(10)과, 세라믹 기판(10)의 내부에 매설된 히터 전극(26)을 구비한다. 세라믹 기판(20)은, 코어부(20a)와 코어부(20a)의 표면에 마련된 표층부(20b)를 갖는다. 표층부(20b)의 체적 저항률은, 코어부(20a)의 체적 저항률보다도 높고, 코어부(20a)의 열전도율은, 표층부(20b)의 열전도율보다도 높다. 표층부(20b)는, 코어부(20a)의 측면(20a2)과 코어부(20a)의 상면(20a1) 중 적어도 웨이퍼 W에 의해 피복되지 않는 영역에 마련되어 있다.

Description

웨이퍼 지지대
본 발명은, 웨이퍼 지지대에 관한 것이다.
반도체 제조 장치용 부재로서, 플라스마 처리를 실시하기 위한 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지대가 알려져 있다. 이러한 웨이퍼 지지대로서는, 상면에 웨이퍼를 적재하는 웨이퍼 적재부를 갖는 세라믹 기판과, 세라믹 기판의 내부에 매설된 히터 전극을 구비한 것이 알려져 있다. 또한, 세라믹 기판의 재료로서는, 열전도성 및 내식성이 우수한 질화알루미늄 소결체가 바람직하다는 것도 알려져 있다. 그러나, 질화알루미늄 소결체는, 고온 영역에서는 체적 저항률이 크게 저하되기 때문에, 히터 전극으로부터의 누설 전류가 커져 웨이퍼 처리의 장해가 되는 경우가 있다. 이 점을 감안하여, 특허문헌 1에서는, 질화알루미늄 소결체의 평균 입경을 4㎛ 이하, 이트륨 산화물의 첨가량을 0.3 내지 10질량％로 함으로써, 고온 영역에서도 체적 저항률이 높은 것으로 하고 있다.
일본 특허 공개 제2003-313078호 공보
그러나, 특허문헌 1의 세라믹 기판 측면에는 고저항층이 없으므로, 전극과의 플라스마 커플링이 발생한다. 또한 고온 영역에서의 체적 저항률을 높게 할 수가 있기는 하지만 열전도율은 낮아지기 때문에, 웨이퍼의 균열성(균일 가열성)이 충분히 얻어지지 않는 경우가 있었다.
본 발명은, 상술한 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 히터 전극과 플라스마의 커플링을 방지함과 함께 웨이퍼의 균열성을 향상시키는 것을 주목적으로 한다.
본 발명의 웨이퍼 지지대는,
상면에 웨이퍼를 적재하는 웨이퍼 적재부를 갖는 세라믹 기판과,
상기 세라믹 기판의 내부에 매설된 히터 전극
을 구비한 웨이퍼 지지대이며,
상기 세라믹 기판은, 코어부와 상기 코어부의 표면에 마련된 표층부를 갖고,
상기 표층부의 체적 저항률은, 상기 코어부의 체적 저항률보다도 높고,
상기 코어부의 열전도율은, 상기 표층부의 열전도율보다도 높고,
상기 표층부는, 상기 코어부의 측면과 상기 코어부의 상면 중 적어도 상기 웨이퍼에 의해 피복되지 않는 영역에 마련되어 있는 것이다.
이 웨이퍼 지지대에서는, 세라믹 기판은, 코어부와 코어부의 표면에 마련된 표층부를 갖고, 표층부는, 코어부의 측면과 코어부의 상면 중 적어도 웨이퍼에 의해 피복되지 않는 영역에 마련되어 있다. 여기서, 표층부의 체적 저항률은, 코어부의 체적 저항률보다도 높다. 그 때문에, 웨이퍼에 플라스마 처리를 실시할 때, 웨이퍼의 플라스마 처리에 장해가 되는, 히터 전극과 플라스마의 커플링이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 한편, 코어부의 열전도율은, 표층부의 열전도율보다도 높다. 그 때문에, 세라믹 기판 전체로 보면 열전도율은 비교적 높아지기 때문에, 웨이퍼의 균열성이 향상된다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「상」 「하」는, 절대적인 위치 관계를 나타내는 것이 아니라, 상대적인 위치 관계를 나타내는 것이다. 그 때문에, 세라믹 히터의 방향에 따라 「상」 「하」는 「좌」 「우」가 되거나 「전」 「후」가 되거나 「하」 「상」이 되거나 한다.
본 발명의 웨이퍼 지지대에 있어서, 상기 표층부는, 추가로, 상기 코어부의 하면에도 마련되어 있어도 된다. 이렇게 하면, 세라믹 기판의 이면을 통해 플라스마와의 커플링이 발생하는 것을 보다 억제할 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 지지대에 있어서, 상기 표층부는, 추가로, 상기 코어부의 상면 중 상기 웨이퍼에 의해 피복되는 영역에도 마련되어 있어도 된다. 즉, 표층부는, 코어부의 상면 전체면에 마련되어 있어도 된다. 이렇게 하면, 히터 전극으로부터 웨이퍼로의 누설 전류를 억제할 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 지지대에 있어서, 상기 표층부는, 상기 코어부의 전체 표면을 둘러싸도록 마련되어 있어도 된다. 이렇게 하면, 히터 전극과 플라스마의 커플링이나 히터 전극으로부터의 누설 전류가 발생하는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 지지대에 있어서, 상기 세라믹 기판의 내부에는, 상기 히터 전극 이외의 전극으로서 정전 전극 및 RF 전극 중 적어도 한쪽이 매설되어 있어도 된다. 세라믹 기판의 내부에 정전 전극이나 RF 전극을 매설하면, 이러한 전극으로부터 누설 전류가 흐르는 경우가 있다. 그러나, 본 발명의 웨이퍼 지지대에서는, 그러한 누설 전류를 저감할 수 있다.
이러한 웨이퍼 지지대에 있어서, 히터 전극 이외의 전극은, 상기 세라믹 기판의 상면과 상기 히터 전극 사이에 매설되어 있어도 된다. 이 경우, 히터 전극 이외의 전극과 세라믹 기판의 상면의 간격이 작아져, 누설 전류가 발생하기 쉬워지기 때문에, 본 발명을 적용하는 의의가 높다.
본 발명의 웨이퍼 지지대에 있어서, 상기 코어부 및 상기 표층부는, 주성분이 질화알루미늄인 것이 바람직하다. 질화알루미늄은, 열전도성 및 내식성이 우수하기 때문이다.
본 발명의 웨이퍼 지지대를 구성하는 세라믹 기판을 제조하기 위해서는, 예를 들어, (1) 코어부의 원료 분말을 성형한 후 소성하여 코어부를 제작하고, 계속해서 코어부의 소정의 표면에 표층부의 원료 분말을 공급하여 성형하고, 그것을 소성해도 되고, 혹은, (2) 몰드 캐스트 성형으로 코어부의 원료 분말의 성형체와 표층부의 원료 분말의 성형체를 따로따로 제작하고, 그것들을 일체화한 것을 소성해도 된다.
도 1은 세라믹 히터(10)의 사시도.
도 2는 도 1의 A-A 단면도.
도 3은 세라믹 기판(20)의 제조 공정도.
도 4는 세라믹 기판(20)의 다른 예의 단면도.
도 5는 세라믹 기판(20)의 다른 예의 단면도.
도 6은 세라믹 기판(20)의 다른 예의 단면도.
도 7은 세라믹 기판(20)의 다른 예의 단면도.
본 발명의 적합한 실시 형태를, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 1은 세라믹 히터(10)의 사시도, 도 2는 도 1의 A-A 단면도, 도 3은 세라믹 기판(20)의 제조 공정도이다.
세라믹 히터(10)는, 본 발명의 웨이퍼 적재대의 일례이며, 세라믹 기판(20)과, 통형 샤프트(30)를 구비한다.
세라믹 기판(20)은, 상면(21)에 웨이퍼 W를 적재하는 웨이퍼 적재면(22)을 갖는다. 세라믹 기판(20)의 직경은, 예를 들어 300㎜ 정도이고, 두께는, 예를 들어 20㎜ 정도이다. 웨이퍼 적재면(22)은, 세라믹 기판(20)의 상면(21)의 중앙에 마련된 오목부이다. 상면(21)에는, 웨이퍼 적재면(22)을 둘러싸며 웨이퍼 적재면(22)보다도 한층 높은 환형면(23)이 마련되고, 웨이퍼 적재면(22)과 환형면(23) 사이에는 경사면으로 이루어지는 뱅크(24)가 마련되어 있다. 즉, 상면(21)은, 웨이퍼 적재면(22)과 환형면(23)과 뱅크(24)를 갖고 있다.
세라믹 기판(20)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 세라믹 기판(20)과 거의 동일 형상의 코어부(20a)와, 세라믹 기판(20)의 표면에 마련된 표층부(20b)를 갖는다. 코어부(20a)는, 세라믹 기판(20)의 중심을 이루는 것이다. 표층부(20b)는, 코어부(20a)의 전체 표면, 즉 코어부(20a)의 상면(20a1), 측면(20a2) 및 하면(20a3)을 둘러싸도록 마련되어 있다. 표층부(20b)의 체적 저항률은, 코어부(20a)의 체적 저항률보다도 높고, 코어부(20a)의 열전도율은, 표층부(20b)의 열전도율보다도 높다. 코어부(20a) 및 표층부(20b)는, 모두 주성분이 질화알루미늄이다. 체적 저항률이 낮고 열전도율이 높은 코어부(20a)의 재료로서는, 예를 들어 입경이 큰 질화알루미늄 소결체를 들 수 있다. 체적 저항률이 높고 열전도율이 낮은 표층부(20b)의 재료로서는, 예를 들어 입경이 작은 질화알루미늄 소결체 등을 들 수 있다. 코어부(20a) 및 표층부(20b)의 재료의 일례를 표 1에 나타낸다. 표층부(20b)의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 1 내지 5㎜로 해도 된다.
Figure pct00001
세라믹 기판(20)의 코어부(20a)에는, 히터 전극(26)과 RF 전극(28)이 매설되어 있다. 히터 전극(26)은, Mo를 주성분으로 하는 코일을 세라믹 기판(20)의 전체면에 걸쳐 끊김 없이 한번에 깔아놓는 요령으로 배선한 것이다. 히터 전극(26)의 양단에는, 각각 급전 부재(도시하지 않음)가 접속되어 있다. 급전 부재는, 통형 샤프트(30)의 중공 내부를 통해 외부 전원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. RF 전극(28)은, 세라믹 기판(20)보다도 약간 소직경의 원반형 박층 전극이며, Mo를 주성분으로 하는 가는 금속선을 그물형으로 엮어 시트형으로 한 메쉬로 형성되어 있다. 이 RF 전극(28)은, 세라믹 기판(20) 중 히터 전극(26)과 웨이퍼 적재면(22) 사이에 매설되어 있다. 또한, 히터 전극(26)이나 RF 전극(28)의 재질을 Mo로 한 것은, 세라믹 기판(20)을 구성하는 질화알루미늄과 열팽창 계수가 가까워, 세라믹 기판(20)의 제조 시나 열 사이클을 반복하였을 때 등에 크랙이 발생하기 어렵기 때문이다. RF 전극(28)의 중앙 부근에는, 급전 부재(도시하지 않음)가 접속되어 있다. RF 전극(28)은, 플라스마를 발생시킬 때 사용된다.
통형 샤프트(30)는, 질화알루미늄을 주성분으로 하는 세라믹제 원통 부재이며, 상부 개구의 주위에 제1 플랜지(31), 하부 개구의 주위에 제2 플랜지(32)를 갖고 있다. 제1 플랜지(31)의 단부면은, 세라믹 기판(20)의 하면(25)에 고상 접합 또는 확산 접합되어 있다.
다음에, 세라믹 히터(10)의 사용예에 대하여 설명한다. 도시하지 않은 챔버 내에 세라믹 히터(10)를 배치하고, 웨이퍼 적재면(22)에 웨이퍼 W를 적재한다. 그리고, RF 전극(28)에 교류 고주파 전압을 인가함으로써, 챔버 내의 상방에 설치된 도시하지 않은 대향 수평 전극과 세라믹 기판(20)에 매설된 RF 전극(28)을 포함하는 평행 평판 전극간에 플라스마를 발생시키고, 그 플라스마를 이용하여 웨이퍼 W에 CVD 성막을 실시하거나 에칭을 실시하거나 한다. 또한, 도시하지 않은 열전대의 검출 신호에 기초하여 웨이퍼 W의 온도를 구하고, 그 온도가 미리 정해진 설정 온도가 되도록 히터 전극(26)에 인가하는 전압을 제어한다.
다음에, 세라믹 히터(10)를 구성하는 세라믹 기판(20)의 제조예에 대하여 설명한다. 도 3은 세라믹 기판(20)의 제조 공정도이다. 먼저, 세라믹 기판(20)의 코어부(20a)를 제작하기 위한 제1 성형체(50a)를 몰드 캐스트 성형으로 제작한다(도 3의 (A) 참조). 제1 성형체(50a)는, 히터 전극(26)과 RF 전극(28)을 내장하고 있다. 제1 성형체(50a)의 제작에는, 티타니아나 마그네시아 등의 첨가물을 포함하지 않는 질화알루미늄 분말을 사용한다. 몰드 캐스트 성형이란, 겔 캐스트 성형이라 불리는 경우도 있는 주지의 방법이며, 그 상세는 예를 들어 일본 특허 제5458050호 공보 등에 개시되어 있다. 이 공보에는, 세라믹 성형체의 내부에 2층의 전극을 매설한 세라믹 성형체의 제작 방법이 기재되어 있기 때문에, 그 방법에 준하여 제1 성형체(50a)를 제작하고, 탈지한다. 계속해서, 세라믹 기판(20)의 표층부(20b)를 제작하기 위한 제2 성형체(50b)의 하부 반할체(50b1)와 상부 반할체(50b2)를 몰드 캐스트 성형으로 제작하고, 탈지한다(도 3의 (B) 참조). 이들 반할체(50b1, 50b2)의 제작에는, 질화알루미늄 분말에 티타니아나 마그네시아 등을 소량(예를 들어 1질량％ 이하) 첨가한 것을 사용한다. 계속해서, 이들 반할체(50b1, 50b2)와 제1 성형체(50a)를 일체화하여 통합 성형체(50)로 한다(도 3의 (C) 참조). 이 통합 성형체(50)를 핫 프레스 소성함으로써, 제1 성형체(50a)가 코어부(20a), 제2 성형체(50b)가 표층부(20b)가 되어, 세라믹 기판(20)이 얻어진다(도 3의 (D) 참조). 코어부(20a)는, 첨가물을 포함하지 않는 질화알루미늄 분말의 성형체를 소결시킨 것인 데 반해, 표층부(20b)는, 티타니아나 마그네시아를 포함하는 질화알루미늄 분말을 소결시킨 것이기 때문에 입성장하기 어렵다. 그 때문에, 표층부(20b)의 질화알루미늄 소결체는, 코어부(20a)의 질화알루미늄 소결체에 비해, 입경이 작아진다. 질화알루미늄 소결체는, 입경이 작을수록, 체적 저항률이 높아지지만 열전도율이 낮아진다. 그 때문에, 체적 저항률은, 표층부(20b)쪽이 코어부(20a)의 보다도 높아지고, 열전도율은, 코어부(20a)쪽이 표층부(20b)보다도 높아진다.
이상 상세히 설명한 세라믹 히터(10)에서는, 체적 저항률이 높은 표층부(20b)가, 체적 저항률이 낮은 코어부(20a)의 상면(20a1), 측면(20a2) 및 하면(20a3)에 마련되어 있다. 즉, 표층부(20b)가 코어부(20a)의 전체 표면을 둘러싸도록 마련되어 있다. 그 때문에, 웨이퍼 W에 플라스마 처리를 실시할 때, 웨이퍼 W의 플라스마 처리에 장해가 되는, 히터 전극(26)과 플라스마의 커플링이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 한편, 세라믹 기판(20)의 중심에 있는 코어부(20a)의 열전도율은, 세라믹 기판(20)의 표층부(20b)의 열전도율보다도 높다. 그 때문에, 세라믹 기판(20)의 전체로 보면 열전도율은 비교적 높아지기 때문에, 웨이퍼 W의 균열성이 향상된다.
특히, 표층부(20b)는, 세라믹 기판(20)의 상면(21)의 전체면에 마련되어 있다. 즉, 표층부(20b)는, 세라믹 기판(20)의 상면(21) 중 웨이퍼 W에 의해 피복되지 않는 영역(환형면(23) 및 뱅크(24))뿐만 아니라 웨이퍼 W에 의해 피복되는 영역(웨이퍼 적재면(22))에도 마련되어 있다. 그 때문에, 히터 전극(26)이나 RF 전극(28)으로부터 웨이퍼 W로의 누설 전류를 억제할 수 있다. 또한, 표층부(20b)는, 세라믹 기판(20)의 하면(25)의 전체면에도 마련되어 있다. 그 때문에, 세라믹 기판(20)의 이면을 통해 플라스마와의 커플링이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또한, RF 전극(28)은, 세라믹 기판(20)의 상면(21)과 히터 전극(26) 사이에 매설되어 있다. 그 때문에, RF 전극(28)과 세라믹 기판(20)의 웨이퍼 적재면(22)의 거리(즉 유전체층의 두께)가 작아진다. RF 전극(28)에는 고전압이 인가되기 때문에, 유전체층의 두께가 얇을수록, 누설 전류가 발생하기 쉬워진다. 이러한 점에서, 본 발명을 적용하는 의의가 높다.
또한, 세라믹 기판(20)의 코어부(20a) 및 표층부(20b)는, 주성분이 질화알루미늄이기 때문에, 열전도성 및 내식성이 우수하다.
또한, 본 발명은 상술한 실시 형태에 전혀 한정되는 일은 없으며, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 다양한 양태로 실시할 수 있음은 물론이다.
예를 들어, 상술한 실시 형태에서는, 세라믹 기판(20)의 코어부(20a)의 상면(20a1), 측면(20a2) 및 하면(20a3)에 체적 저항률이 높고 열전도율이 낮은 표층부(20b)를 마련하였지만, 도 4에 도시한 바와 같이, 코어부(20a)의 하면(20a3)에 표층부(20b)를 마련하지 않도록 해도 된다. 하면(20a3)을 통해 히터 전극(26)과 플라스마의 커플링이 발생할 우려가 비교적 낮기 때문이다. 혹은, 도 5에 도시한 바와 같이, 상면(20a1) 중 웨이퍼 W에 의해 덮이지 않는 영역(환형면(23) 및 뱅크(24))에 표층부(20b)를 마련하고, 웨이퍼 W에 의해 덮이는 영역(웨이퍼 적재면(22))에 표층부(20b)를 마련하지 않도록 해도 된다. 웨이퍼 적재면(22)은 웨이퍼 W에 의해 덮이므로 웨이퍼 W에 플라스마 처리를 실시할 때 플라스마에 노출되지 않기 때문이다. 또한, 도 5의 웨이퍼 적재면(22)은 뱅크(24)의 내주연보다 약간 높게 되어 있다. 도 4 및 도 5에서는 상술한 실시 형태와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하였다. 도 5에 있어서, 도 4와 같이 코어부(20a)의 하면(20a3)에 표층부(20b)를 마련하지 않도록 해도 된다.
상술한 실시 형태에서는, 세라믹 기판(20)의 상면(21)의 중앙에 마련한 오목부를 웨이퍼 적재면(22)으로 하였지만, 도 6에 도시한 바와 같이, 상면(21)에 오목부를 마련하지 않고 웨이퍼 적재면(22)과 환형면(23)을 동일 평면으로 해도 된다. 혹은, 도 7에 도시한 바와 같이, 상면(21)에 오목부를 마련하지 않고 웨이퍼 적재면(22)을 상면(21)의 전체면으로 해도 된다. 도 6 및 도 7에서는 상술한 실시 형태와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하였다.
상술한 실시 형태에서는, 세라믹 기판(20)의 코어부(20a)에 RF 전극(28)을 매설하였지만, RF 전극(28)을 생략해도 되고, RF 전극(28) 대신에 또는 추가로 정전 전극을 코어부(20a)에 매설해도 된다. 정전 전극을 매설한 경우, 웨이퍼 적재면(22)에 웨이퍼 W를 적재한 후 정전 전극에 전압을 인가함으로써 웨이퍼 W를 웨이퍼 적재면(22)에 정전 흡착시킬 수 있다. 정전 전극은, 웨이퍼 적재면(22)과 히터 전극(26) 사이에 매설해도 된다.
상술한 실시 형태에서는, 스트레이트 형상의 통형 샤프트(30)를 예시하였지만, 특히 통형 샤프트(30)의 형상은 스트레이트 형상에 한정되지 않는다. 예를 들어, 통형 샤프트의 하단으로부터 소정 높이까지는 스트레이트부로 하고, 소정 높이로부터 상단까지는 스트레이트부의 직경보다도 큰 확관부로 해도 된다. 확관부의 일부 또는 전부는, 상단에 접근할수록 직경이 커지도록 해도 된다.
상술한 실시 형태에서는, 히터 전극(26)을 세라믹 기판(20)의 전체면에 걸쳐 끊김 없이 한번에 깔아놓는 요령으로 배선하였지만, 세라믹 기판(20)을 복수의 존으로 나누어 존별로 히터 전극을 배선해도 된다.
상술한 실시 형태에서는, 세라믹 기판(20)의 코어부(20a)와 표층부(20b)는 질화알루미늄을 주성분으로 하는 세라믹제로 하였지만, 주성분을 질화알루미늄 이외의 성분, 예를 들어 알루미나나 질화규소, 탄화규소, 코디어라이트 등으로 해도 된다.
상술한 실시 형태에서는, 히터 전극(26)으로서 코일을 사용하였지만, 코일 대신에 리본(편평한 평)을 사용해도 된다. 히터 전극(26)으로서 리본을 사용하는 경우, 금속 페이스트(예를 들어 Mo 페이스트)를 인쇄함으로써 히터 전극(26)을 제작할 수 있다.
상술한 실시 형태에서는, 히터 전극(26) 및 RF 전극(28)은 Mo를 주성분으로 하는 재료로 제작하였지만, 특별히 이것에 한정되는 것은 아니고, 다른 고융점 금속(예를 들어 W 등)을 주성분으로 하는 재료로 제작해도 된다.
본 출원은, 2018년 3월 26일에 출원된 미국 가출원 제62/647,970호를 우선권 주장의 기초로 하고 있으며, 인용에 의해 그 내용 모두가 본 명세서에 포함된다.
본 발명은, 예를 들어 반도체 제조 장치의 구성 부품으로서 이용 가능하다.
10 : 세라믹 히터
20 : 세라믹 기판
20a : 코어부
20a1 : 상면
20a2 : 측면
20a3 : 하면
20b : 표층부
21 : 상면
22 : 웨이퍼 적재면
23 : 환형면
24 : 뱅크
25 : 하면
26 : 히터 전극
28 : RF 전극
30 : 통형 샤프트
31, 32 : 플랜지
50 : 통합 성형체
50a : 제1 성형체
50b : 제2 성형체
50b1 : 하부 반할체
50b2 : 상부 반할체

Claims (7)

  1. 상면에 웨이퍼를 적재하는 웨이퍼 적재부를 갖는 세라믹 기판과,
    상기 세라믹 기판의 내부에 매설된 히터 전극
    을 구비한 웨이퍼 지지대이며,
    상기 세라믹 기판은, 코어부와 상기 코어부의 표면에 마련된 표층부를 갖고,
    상기 표층부의 체적 저항률은, 상기 코어부의 체적 저항률보다도 높고,
    상기 코어부의 열전도율은, 상기 표층부의 열전도율보다도 높고,
    상기 표층부는, 상기 코어부의 측면과 상기 코어부의 상면 중 적어도 상기 웨이퍼에 의해 피복되지 않는 영역에 마련되어 있는
    웨이퍼 지지대.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 표층부는, 추가로, 상기 코어부의 하면에도 마련되어 있는 웨이퍼 지지대.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 표층부는, 추가로, 상기 코어부의 상면 중 상기 웨이퍼에 의해 피복되는 영역에도 마련되어 있는 웨이퍼 지지대.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 표층부는, 상기 코어부의 전체 표면을 둘러싸도록 마련되어 있는 웨이퍼 지지대.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세라믹 기판의 내부에는, 상기 히터 전극 이외의 전극으로서 정전 전극 및 RF 전극 중 적어도 한쪽이 매설되어 있는 웨이퍼 지지대.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 히터 전극 이외의 전극은, 상기 세라믹 기판의 상면과 상기 히터 전극 사이에 매설되어 있는 웨이퍼 지지대.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 코어부 및 상기 표층부는, 주성분이 질화알루미늄인 웨이퍼 지지대.
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