JP2007258608A - 加熱装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】セラミックス基体11の加熱面11aの近傍で加熱面11aにほぼ平行に埋設された高周波電極12を備える。この高周波電極12に向かう導通孔11cがセラミックス基体11の裏面に形成されている。この高周波電極11は、導通孔11cと対向する領域にて導通孔11に向かう円錐台形状の凹部12aを有している。
【選択図】図1
Description
11 セラミックス基体
11a 加熱面
11b 裏面
11c 導通孔
12 高周波電極
12a 電極凹部
Claims (3)
- 被加熱物を加熱する加熱面を有するセラミックス基体の内部で、前記加熱面にほぼ平行に埋設された高周波電極を備え、この高周波電極に向かう導通孔が前記セラミックス基体の裏面に形成された加熱装置であって、
前記高周波電極は、前記導通孔と対向する領域にて当該導通孔に向かう円錐台形状の凹部を有することを特徴とする加熱装置。 - 前記高周波電極の前記円錐台形状の凹部以外の部分と前記加熱面との間の距離が1.2mm以下であることを特徴とする請求項1に記載の加熱装置。
- 前記円錐台形状の凹部の底面直径が3mm以上、5mm以下であり、凹部の深さが1mm以上3mm以下であり、凹部の最大径7mm以下であり、凹部の側壁の傾斜角が30°より大きく75°未満であることを特徴とする請求項1又は2に記載の加熱装置。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008182129A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用ウェハ保持体、その製造方法およびそれを搭載した半導体製造装置 |
JP2009188390A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-08-20 | Ngk Insulators Ltd | 接合構造及び半導体製造装置 |
JP2016122724A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 京セラ株式会社 | 半導体製造装置用部品 |
JP2020155448A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
JP2021057526A (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
CN114303224A (zh) * | 2019-08-26 | 2022-04-08 | 应用材料公司 | 具有改进的均匀性的半导体处理设备 |
JP2022091120A (ja) * | 2020-12-08 | 2022-06-20 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び基板支持ユニット |
JP2022534687A (ja) * | 2019-05-24 | 2022-08-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 改善された基板処理のための基板ペデスタル |
US11984305B2 (en) | 2023-01-02 | 2024-05-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate pedestal for improved substrate processing |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI450353B (zh) * | 2008-01-08 | 2014-08-21 | Ngk Insulators Ltd | A bonding structure and a semiconductor manufacturing apparatus |
US11127620B2 (en) * | 2017-06-19 | 2021-09-21 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck for high temperature processing chamber |
US11560913B2 (en) * | 2018-01-19 | 2023-01-24 | Applied Materials, Inc. | Brazed joint and semiconductor processing chamber component having the same |
JP7125299B2 (ja) | 2018-07-30 | 2022-08-24 | 日本特殊陶業株式会社 | 電極埋設部材及びその製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002016005A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用電極端子接合セラミックス部材及びその製造方法 |
JP2002509989A (ja) * | 1998-03-27 | 2002-04-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 高周波能力を有する高温セラミックヒータ組立体 |
JP2003178937A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-06-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置およびそれに使用される給電用電極部材 |
JP2005056881A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用サセプタおよびそれを搭載した半導体製造装置 |
JP2005116608A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Ibiden Co Ltd | プラズマ発生装置用電極埋設部材 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2572441B2 (ja) * | 1989-04-19 | 1997-01-16 | 富士通株式会社 | 帳票固有図形作成装置 |
JP3813654B2 (ja) | 1995-02-09 | 2006-08-23 | 日本碍子株式会社 | セラミックスの接合構造およびその製造方法 |
JP4156788B2 (ja) | 2000-10-23 | 2008-09-24 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用サセプター |
-
2006
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-
2007
- 2007-03-19 US US11/687,900 patent/US7800029B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002509989A (ja) * | 1998-03-27 | 2002-04-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 高周波能力を有する高温セラミックヒータ組立体 |
JP2002016005A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用電極端子接合セラミックス部材及びその製造方法 |
JP2003178937A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-06-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置およびそれに使用される給電用電極部材 |
JP2005056881A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用サセプタおよびそれを搭載した半導体製造装置 |
JP2005116608A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Ibiden Co Ltd | プラズマ発生装置用電極埋設部材 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008182129A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用ウェハ保持体、その製造方法およびそれを搭載した半導体製造装置 |
JP2009188390A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-08-20 | Ngk Insulators Ltd | 接合構造及び半導体製造装置 |
JP2016122724A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 京セラ株式会社 | 半導体製造装置用部品 |
JP2020155448A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
JP7227806B2 (ja) | 2019-03-18 | 2023-02-22 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
JP2022534687A (ja) * | 2019-05-24 | 2022-08-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 改善された基板処理のための基板ペデスタル |
JP7334270B2 (ja) | 2019-05-24 | 2023-08-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 改善された基板処理のための基板ペデスタル |
CN114303224A (zh) * | 2019-08-26 | 2022-04-08 | 应用材料公司 | 具有改进的均匀性的半导体处理设备 |
JP7401654B2 (ja) | 2019-08-26 | 2023-12-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 均一性が改善される半導体処理装置 |
JP7362400B2 (ja) | 2019-10-01 | 2023-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
JP2021057526A (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
JP2022091120A (ja) * | 2020-12-08 | 2022-06-20 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び基板支持ユニット |
JP7264976B2 (ja) | 2020-12-08 | 2023-04-25 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び基板支持ユニット |
US11984305B2 (en) | 2023-01-02 | 2024-05-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate pedestal for improved substrate processing |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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