JP2009188390A - 接合構造及び半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】孔14aが設けられたセラミックス部材14と、セラミックス部材14に埋設され孔14aの底部において露出する端子3と、端子3の露出面に接するロウ接合層6と、孔14aに挿入されロウ接合層6を介して端子3に接続される接続部材5と、を備え、端子3と接続部材5は、セラミックス部材と熱膨張係数がほぼ同一の高融点金属からなり、孔14aの内径は、接続部材5を挿入した際に接続部材5との間にクリアランス14bが形成されるように、接続部材5の外径よりも大きく、断面形状が略半円形状のロウ溜空間14dがセラミックス部材14の孔14aの側壁の一部に設けられ、ロウ接合層6がロウ溜空間14dの一部を充填している接合構造。
【選択図】図1
Description
(半導体用サセプタ(接合構造))
図1(a)は、実施形態にかかる半導体用サセプタのセラミックス部材の主面に垂直な断面概略図を示し、図1(b)は、実施形態にかかる半導体用サセプタのセラミックス部材の主面に平行な断面概略図を示す。尚、実施形態にかかる半導体用サセプタ11の説明をすることで、接合構造や接合構造を有する半導体装置についても説明することとなる。
(イ)図2に示すようなセラミックス部材14の主面に平行にヒーター抵抗体2が埋設され、ヒーター抵抗体2に電気的に接するように端子3が埋設されたセラミックス部材14を用意する。
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。具体的には、ねじり破断強度を増加させるためには、以下のような構成としても構わない。
実施形態の記載に従い、表1に示す条件で、図1、図7〜図11に示す半導体用サセプタを製造した。そして、トルクレンチで接続部材5をねじり、0.1N・mづつトルクを上昇させていき、ねじり破断トルクを測定した。その後、各半導体用サセプタについて200℃での加熱と700℃での加熱を100サイクル行なった。そして上記と同様にしてねじり破断トルクを測定した。得られた結果をまとめて表1に示す。
2:ヒーター抵抗体
3:端子
4:孔
5:接続部材
5a:溝
5b:凸部
5c:切り欠き部
6:ロウ接合層
Claims (7)
- 孔が設けられたセラミックス部材と、
前記セラミックス部材に埋設され、前記孔の底部において露出する露出面を有しており、前記セラミックス部材と熱膨張係数がほぼ同一の高融点金属からなる端子と、
前記端子の前記露出面に接するロウ接合層と、
前記孔に挿入され、前記ロウ接合層を介して前記端子に接続されており、前記セラミックス部材と熱膨張係数がほぼ同一の高融点金属からなる接続部材とを備え、
前記孔の内径は、前記接続部材の外径よりも大きく、
前記接続部材を挿入した際に、前記孔の側壁と前記接続部材との間にクリアランスが形成され
前記孔の側壁には、ロウ溜空間が形成されており、
前記ロウ溜空間は、前記セラミックス部材の主面に平行な断面において、略半円形状を有しており、
前記ロウ溜空間の少なくとも一部には、ロウ材が充填されていることを特徴とする接合構造。 - 前記接続部材は、前記ロウ溜空間内に配置される凸部を有しており、
前記凸部は、前記セラミックス部材の主面に平行な断面において、略半円形状を有しおり、
前記ロウ溜空間及び前記凸部は、嵌合によってカギ部を形成することを特徴とする請求項1に記載の接合構造。 - 前記接続部材の外周表面の一部には、前記接続部材の内側に窪む切り欠き部が形成されており、
前記切り欠き部の少なくとも一部には、ロウ材が充填されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の接合構造。 - 前記端子の前記露出面には、ロウ材が充填される溝が形成されており、
前記溝に充填されたロウ材は、アンカーを構成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の接合構造。 - 前記孔の側壁には、前記ロウ溜空間として、2個〜4個のロウ溜空間が形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の接合構造。
- 前記孔の側壁には、前記ロウ溜空間として、互いに対向する1組もしくは2組のロウ溜空間が形成されていることを特徴とする請求項5に記載の接合構造。
- 前記セラミックス部材が、窒化アルミニウムからなり、前記セラミックス部材と熱膨張係数がほぼ同一の高融点金属が、モリブデンであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の接合構造を有することを特徴とする半導体製造装置。
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