JP2006210173A

JP2006210173A - 気密端子

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Publication number: JP2006210173A
Application number: JP2005021185A
Authority: JP
Inventors: Michio Sawai; 道男沢井
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2005-01-28
Filing date: 2005-01-28
Publication date: 2006-08-10
Anticipated expiration: 2025-01-28
Also published as: JP4476129B2

Abstract

【課題】量産に適するとともに、より狭い間隔で複数本配置できる気密信頼性の高い気密端子を提供すること。
【解決手段】気密端子は、内面の上部に下方に向けてテーパ状とされたテーパ部３ｄを有する貫通孔３ａが形成されたセラミック板３と、貫通孔３ａに挿通され、メタライズ層３ｂにロウ付けされたピン１とから成り、メタライズ層３が貫通孔３ａのテーパ部３ｄにのみ環状に被着されている。テーパ部３ｄのテーパ角度によってロウ材２のメニスカスをコントロールでき、ロウ材２を介して良好な接合を得ることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体製造装置，電子機器，半導体装置等の電気装置に使用される気密端子に関する。

従来、半導体製造装置等の内部雰囲気を外部雰囲気と遮断させて使用する電気装置には、内外で電気信号を送受信するために気密端子が取着されている。

このような気密端子の一例を図３（ａ），（ｂ）に示す。図３（ａ）は従来の気密端子の一例を示す断面図、図３（ｂ）は従来の気密端子の他の例を示す断面図である。11はピン、12はロウ材、13はセラミック板であり、主にこれらにより気密端子が構成される。

図３（ａ）の気密端子は、円柱状の金属製のピン11と、ピン11を挿通させるための貫通孔13ａが設けられ、かつ貫通孔13ａの内面の全面にメタライズ層13ｂが設けられるとともに外周部に側部メタライズ層13ｃが形成されたセラミック板13とから成り、ピン11がロウ材12によってメタライズ層13ｂにロウ付けされている。

ピン11は鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金等の金属から成る円柱状であり、セラミック板13の貫通孔13ａ内に挿通されてロウ付けされ、電気装置内外を電気的に接続するための端子として作用する。ピン11は必要に応じて複数本設けられ、セラミック板13内に適当な配置や間隔でもって配設される。

セラミック板13の貫通孔13ａ内にピン11をロウ付けするには、例えばセラミック板13の貫通孔13ａの内面にタングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）等の高融点金属から成るメタライズ層13ｂを被着させておくとともに、このメタライズ層13ｂとピン11とが銀（Ａｇ）ロウ等のロウ材12によってロウ付け接合される（下記の特許文献１参照）。

この構成により、ピン11をセラミック板13により気密かつ強固にロウ付け接合することができる。

また、図３（ｂ）の気密端子は、円柱状の金属製のピン11と、ピン11を挿通させるための貫通孔13ａが設けられ、かつ貫通孔13ａの一方の開口部周囲にメタライズ層13ｂが設けられるとともに外周部に側部メタライズ層13ｃが形成されたセラミック板13と、メタライズ層13ｂ上面に載置されるとともに内側にピン11が挿通されロウ材12によってピン11とメタライズ層13ｂにロウ付けされる金属製の環状部材14とから構成されている。

図３（ｂ）において、ピン11とセラミック板12は図３（ａ）と同様の材質から成り、環状部材14はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る。そして、セラミック板13の貫通孔13ａの一方の開口部周囲にＷやＭｏ，Ｍｎ等から成るメタライズ層13ｂを被着させておき、ピン11とセラミック板13はピン11の外周部に挿通されメタライズ層13ｂ上面に載置される環状部材14を介してＡｇロウ等のロウ材12によってロウ付け接合されている（下記の特許文献２参照）。

この構成により、ピン11とセラミック板13とを接合するためのロウ材12のメニスカスを良好に形成することができ、ピン11をセラミック板13に、より気密かつ強固にロウ付け接合することができる。また、図３（ａ）に示すように、ピン11とセラミック板13とが直接接合されることがないので、セラミック板13に作用するピン11との熱膨張差による応力を低減させることが可能となる。

なお、図３（ａ），（ｂ）の構成において、メタライズ層13ｂにはＮｉ等から成る金属層をめっき法によって施しておく場合もある。この構成により、メタライズ層13ｂの表面にロウ材12が濡れ拡がり易くなって、メタライズ層13ｂの全体にロウ材12を均一に行き渡らせることができるとともに、メタライズ層13ｂの表面を保護し、メタライズ層13ｂが腐食するのを防止でき、接合部の気密信頼性を向上させることが可能となる。

また、図３（ａ），（ｂ）の構成において、セラミック板13を電気装置にロウ付けするには、例えばセラミック板13の外周面にＷやＭｏ，Ｍｎ等の高融点金属から成る側部メタライズ層13ｃを被着させておくとともにこれにＮｉめっきを施し、このＮｉめっきが施された側部メタライズ層13ｃと電気装置とをＡｇロウ等のロウ材を介してロウ付けする方法が採用される。または、側部メタライズ層13ｃに予め筒状の金属スリーブ（図示せず）がＡｇロウ等のロウ材によってロウ付けされ、この金属スリーブと電気装置とを溶接する方法が採用される。
特開昭53−92489号公報特開平10−189091号公報

しかしながら、図３（ａ）に示した上記従来の気密端子において、ピン11がセラミック板13にロウ材12によって直接接合され、しかもセラミック板13の厚み寸法と同じ長さでピン11とセラミック板13とがロウ材12を介して接合されることから、セラミック板13にはピン11との熱膨張差による応力が大きく加わり易いという欠点があった。

従って、ピン11の直径が大きくされたり、セラミック板13が厚いものとされたりすると、ピン11が複数本狭い間隔でロウ付けされたりする場合には、セラミック板13の厚み方向に大きな応力が加わり、セラミック板13にクラック等の破損を生じさせてしまう場合があった。その結果、気密端子の気密性を損なってしまうという問題点が発生していた。

また、図３（ａ）に示した上記従来の気密端子において、メタライズ層13ｂにＮｉ等から成る金属層をめっき法によって施す場合、貫通孔13ａにめっき液が溜まり、メタライズ層13ｂに必要以上の厚さの金属層が施されてしまい易く、ピン11を貫通孔13ａに挿通させることができなくなったり、ロウ材12の厚みを管理できなくなったりする場合があった。その結果、気密端子を精度よく製造することができないという問題点が発生していた。

また、図３（ｂ）に示した上記従来の気密端子においては、図３（ａ）に示した気密端子の問題点は解決可能であるが、ピン11を狭い間隔でセラミック板13に複数本配置する場合、隣接するメタライズ層13ｂ同士の距離が非常に近接したものとなって、メタライズ層13ｂ同士の電気的絶縁を保つための沿面距離を確保できなくなることがあり、その結果、それぞれのピン11を伝送する電気信号がそれぞれのメタライズ層13ｂの間で電気的短絡を起こしてしまい、ピン11を介して電気信号を正常に伝送できなくなるという虞があり、ピン11を狭い間隔で複数本配置することができないという問題点があった。特にこの問題点は、ピン11を伝送する電気信号が高電圧である場合に顕著になる。

従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、ピン同士をより狭い間隔で複数本配置できる気密端子を提供することにある。

本発明の気密端子は、内面の上部に下方に向けてテーパ状とされたテーパ部を有する貫通孔が形成されたセラミック板と、前記貫通孔に挿通され、前記セラミック板に形成されたメタライズ層にロウ付けされたピンとから成り、前記メタライズ層が前記貫通孔の前記テーパ部にのみ環状に被着されていることを特徴とする。

また、本発明の気密端子は、上記構成において好ましくは、前記テーパ部と主面との間にテーパ部の上端と同じ径の大径部が形成されていることを特徴とする。

また、本発明の気密端子は、上記構成の気密端子において好ましくは、前記ピンは一端側が小径部とされており、該小径部で前記メタライズ層にロウ付けされていることを特徴とする。

本発明の気密端子は、内面の上部に下方に向けてテーパ状とされたテーパ部を有する貫通孔が形成されたセラミック板と、貫通孔に挿通され、セラミック板に形成されたメタライズ層にロウ付けされたピンとから成り、メタライズ層が貫通孔のテーパ部にのみ環状に被着されていることから、貫通孔のテーパ部の内面に被着されたメタライズ層とピンとの間にロウ材の良好なメニスカスを形成することができる。

さらに、セラミック板とピンとの接合長さを短くできるとともにテーパ部の内面に形成されたロウ材のメニスカスでセラミック板とピンとの熱膨張差を吸収でき、セラミック板に加わるピンとの熱膨張差による応力を最小限に抑え、セラミック板にクラック等の破損が生ずるのを有効に防止することができる。

これらの結果、ピンをセラミック板に強固かつ気密に接合することが可能となる。

またメタライズ層とピンとの間にロウ材の良好なメニスカスを形成することができることから、従来の図３（ｂ）に示した構成のように環状部材を設けるという必要がなくなり、円環状のメタライズ層の大きさを環状部材の直径に合わせて環状部材の直径より大きくする必要がなくなる。従って、メタライズ層の大きさを小さくすることが可能となり、ピンを狭い間隔でセラミック板に複数本配置しても、メタライズ層の端とこれに隣接するテーパ部のメタライズ層の端との沿面距離を確保できるようになる。その結果、それぞれのピン同士を狭い間隔で複数本配置できる気密端子とできる。

好ましくは、本発明の気密端子は、テーパ部と主面との間にテーパ部の上端と同じ径の大径部が形成されていることから、上記の構成と同様に、ピンをセラミック板に強固かつ気密に接合することが可能となるとともに、ピン同士を狭い間隔で複数本配置できる気密端子とできる上に、メタライズ層は大径部の底面のテーパ部の内面に形成されることから、大径部によって、隣接するメタライズ層同士の沿面距離をさらに大きく確保でき、ピンを伝送する電気信号を高電圧のものとすることが可能となる。また、ロウ材を大径部の内側に収容することができ、セラミック板の主面に突出させない構造とできる。

また、テーパ部は、セラミック板を先端が尖ったドリルの先端部で切削加工することによって容易に設けられるのであるが、テーパ部の上方に大径部が設けられるので、セラミック板の厚さ寸法に焼成時の収縮バラツキによる寸法バラツキが生じたとしても、確実にテーパ部を形成することが可能となる。すなわち、テーパ部を形成するための加工機の加工条件を所定の条件に設定して、複数のセラミック板に対し連続的にテーパ部を形成する場合においても、大径部を設けることにより、テーパ部がドリルの先端部の全てで切削加工されることとなり、セラミック板の厚さ寸法に寸法バラツキが生じたとしても、所定の大きさのテーパ部を確実に形成することが可能となる。

その結果、所定の大きさの円環状のメタライズ層を形成することができ、ピンを強固かつ気密にメタライズ層に接合できるようになる。また、テーパ部を形成する際、加工機の加工条件を所定の条件に設定して、複数のセラミック板に対し連続的にテーパ部を形成できるので、量産に適したものとすることができる。

また上記構成の気密端子において好ましくは、ピンは一端側が小径部とされており、小径部でメタライズ層にロウ付けされていることから、セラミック板のピンとの接合部において、セラミック板に加わるピンとの熱膨張差による応力を小さく抑え、セラミック板にクラック等の破損が生じにくくすることができる。

その結果、セラミック板の両主面間、すなわち電気装置の外部雰囲気側と内部雰囲気側との間を確実に気密に遮断でき、気密端子として良好に機能し得るものとなる。

本発明の気密端子について以下に詳細に説明する。図１は本発明の気密端子の実施の形態の一例を示す断面図であり、図２は本発明の気密端子の実施の形態の他の例を示す断面図である。同図において、１はピン、２はロウ材、３はセラミック板であり、これらにより気密端子が構成される。

本発明の気密端子は、図１の実施の形態例に示すように、内面の上部に下方に向けて先細りとなるテーパ状とされたテーパ部３ｄを有する貫通孔３ａが形成されるとともに、テーパ部３ｄの内面にのみ全周にわたって環状にメタライズ層３ｂが被着されているセラミック板３と、貫通孔３ａに挿通され、メタライズ層３ｂにロウ材２を介してロウ付けされたピン１とから成る構成である。

または、本発明の気密端子は、図２の他の実施の形態例に示すように、テーパ部３ｄとセラミック板３の主面との間にテーパ部３ｄの上端と同じ径の大径部３ｅが形成されており、テーパ部３ｄの内面にのみ全周にわたって環状に被着されたメタライズ層３ｂと、このメタライズ層３ｂにロウ材２を介してロウ付けされたピン１とから成る構成である。

図１，図２において、電気装置へ取り付けるための取付部としてセラミック板３の外周面に側部メタライズ層３ｃが形成された構成を示す。そして、半導体製造装置，電子機器，半導体装置等の電気装置の気密容器部分を構成する壁部に貫通穴が開けられており、この内周面または貫通穴の開口の周囲に形成された金属部材に気密端子の側部メタライズ層３ｃがロウ材により接合されることにより、電気装置を密閉することができる。

本発明の気密端子において、ピン１はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円柱状や円筒状であり、電気装置内外を電気的に接続するための端子として作用する。ピン１は角柱状であってもよいが、ピン１が円柱状であることにより、セラミック板３にクラック等の破損が発生するのをより有効に防止できる。従って、少なくともピン１のロウ材２が接合される部分は円柱状、または円筒状とするのがよい。

ピン１が円筒状である場合、円筒の内周面にリード線等を挿通させ、必要であればピン１の上端を半田等で封止することによって端子として機能する。そして、リード線等を銅や銀等の電気伝導性に優れる金属とし、円筒部をセラミック板３の熱膨張係数と近似した金属とすることによって、セラミック板３にクラックが入りにくく、電気信号の伝導特性にも優れる気密端子とすることができる。

ピン１は、必要に応じてセラミック板３内に適当な配置や間隔でもって複数本配設され、これにより、１つの気密端子で複数の電気信号を入出力できるようになる。

このピン１は、好ましくは、その熱膨張係数がセラミック板３の熱膨張係数と近似した材質とするのがよく、この構成によって、ピン１とセラミック板３とがロウ付けされる際の両者の熱膨張差を最小限に抑えることができ、ピン１をセラミック板３に気密性高く強固に接合することができるようになる。さらに、ピン１を構成する金属として硬度がビッカース硬度でＨｖ＝200以上のものであると、比較的固く容易に曲がりにくいことからピン１の外部雰囲気側にコネクターソケットを嵌合する際等にピン１に曲がりを発生させにくいので好ましい。従って、セラミック板３がＡｌ_２Ｏ_３質セラミックスから成る場合、ピン１としては、熱膨張係数がＡｌ_２Ｏ_３質セラミックスと近似するとともに硬度の高いＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成るのがよい。

また、ピン１は、その表面にＮｉから成るめっき金属層を１〜10μｍの厚みに被着させておくとピン１が酸化腐食することを有効に防止することができる。従って、ピン１の表面にはＮｉから成るめっき金属層を１〜10μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。

セラミック板３は、例えばＡｌ_２Ｏ_３質セラミックス等から成る絶縁性のものであり、電気装置との電気的絶縁を保ってピン１を保持する作用をなし、例えばＡｌ_２Ｏ_３質セラミックスから成る場合、酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）および酸化カルシウム（ＣａＯ）等のＡｌ_２Ｏ_３質セラミック原料粉末にポリビニルアルコール等のバインダを添加混合するとともに、これを所定形状のプレス型内に充填し、所定の圧力でプレスすることにより貫通孔３ａが設けられた平板状のプレス成形体を得、しかる後、このプレス成形体を約1600℃の温度で焼成する。焼成後、ドリル加工によってテーパ部３ｄを形成する。さらに、テーパ部３ｄの内面にメタライズ層３ｂとなるＷやＭｏ，Ｍｎ等の金属粉末を主成分とする金属ペーストを塗布し、約1300℃の温度で焼成することによって製作される。

または、Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２，ＭｇＯ，ＣａＯ等の原料粉末に適当な有機バインダ，溶剤等を添加混合してスラリーと成す。このスラリーをドクターブレード法やカレンダーロール法によってセラミックグリーンシートと成し、所要の大きさに切断する。次に、複数のセラミックグリーンシートにおいて貫通孔３ａ等を形成するために適当な打抜き加工を施す。次いでセラミックグリーンシートを積層し、約1600℃の温度で焼成する。焼成後、ドリル加工によってテーパ部３ｄを形成する。さらに、テーパ部３ｄの内面にメタライズ層３ｂとなるＷやＭｏ，Ｍｎ等の金属粉末を主成分とする金属ペーストを塗布し、約1600℃の温度で焼成することによって製作される。

なお、セラミック板３を電気装置にロウ付けするには、例えばセラミック板３の外周面にＷやＭｏ，Ｍｎ等の高融点金属から成る側部メタライズ層３ｃを被着させておくとともにこれにＮｉめっきを施し、このＮｉめっきが施された側部メタライズ層３ｃと電気装置とをＡｇロウ等のロウ材を介してロウ付けする方法が採用される。

テーパ部３ｄの形成は、例えば図１に示すように、セラミック板３に形成されたピン１の直径よりも直径寸法が大きな貫通孔３ａの一方の開口部に貫通孔３ａの直径よりも直径寸法の大きなドリルの先端部で切削加工することによって形成される。

また、メタライズ層３ｄの形成は、テーパ部３ｄの内面に全周にわたってテーパ部３ｂの少なくともピンと近接する側の一部（メタライズ層３ｄの幅が少なくとも0.1ｍｍ以上）に、ＷやＭｏ，Ｍｎ等の高融点金属等を主成分とする金属ペーストを塗布し、約1300℃で焼成することによって行なわれる。しかる後、その表面にＮｉめっきを施し、このＮｉめっきが施されたメタライズ層３ｂとピン１とを、Ａｇロウ等のロウ材２によってロウ付けすることによって、セラミック板３とピン１とが接合される。なお、テーパ部３ｄの下端の下方に設けられる貫通孔３ａの残部にはメタライズ層３ｂは被着されない。

この構成により、貫通孔３ａのテーパ部３ｂの内面にのみ被着されたメタライズ層３ｂとピンとの間に、テーパ部３ｂがそのテーパ角度によってピン1と対向することとなるので、ロウ材２の適度なメニスカスを形成することができる。そして、ピン１とのロウ材２との接合長さをテーパ角度によってコントロールすることができる。

さらに、テーパ角度によってセラミック板３とピン１との間のロウ材のメニスカスをコントロールし、ロウ材２とピン１との接合長さを適度にできるとともに、テーパ部３ｄの内面に形成された縦弾性係数の大きいロウ材２でセラミック板３とピン１との間の熱膨張差を吸収でき、セラミック板３に加わるピン１との熱膨張差による応力を最小限に抑え、セラミック板３にクラック等の破損が生ずるのを有効に防止することができる。

これらの結果、ピン１をセラミック板３に強固かつ気密に接合することが可能となる。

またメタライズ層３ｂとピン１との間にロウ材２の良好なメニスカスを形成して接合することができ、従来の図３（ｂ）に示した構成のように環状部材14を設けるという必要がなくなることから、円環状のメタライズ層３ｂの大きさを環状部材14の直径より大きくする必要がなくなる。従って、メタライズ層３ｂの大きさを小さくすることが可能となり、ピン１を狭い間隔でセラミック板３に複数本配置しても、メタライズ層３ｂの端とこれに隣接するテーパ部３ｂのメタライズ層３ｂの端との沿面距離を確保できるようになる。その結果、それぞれのピン１同士を狭い間隔で複数本配置できる気密端子とできる。

なお、上記したように、貫通孔３ａのテーパ部３ｄを除く残部にはメタライズ層３ｂは被着されていない。その理由としては、貫通孔３ａのテーパ部３ｄを除く残部にもメタライズ層３ｂを被着させた場合、ピン１とセラミック板３との接合長さが必要以上に長くなり、セラミック板３に加わるピン１との熱膨張差による応力が大きくなるためである。そして、セラミック板３に加わるピン１との熱膨張差による応力が大きくなると、セラミック板３がクラック等によって破損し易くなり、気密端子としての気密信頼性が低下してしまうためである。

テーパ部３ｄの垂直面断面形状は、直線状や円弧状であり、好ましくは直線状とされるのがよく、これによりメタライズ層３ｂの全面に均一にロウ材２を流すことができる。そしてテーパ部３ｄは、底面がセラミック板３の主面と平行となる、断面が四角形状の座繰り形状ではないので、テーパ部３ｄの内面に全周にわたって円環状のメタライズ層３ｂが形成され、ピン１の側面との間にロウ材２の良好なメニスカスを形成することができ、ピン１をメタライズ層３ｂに強固かつ気密にロウ付けすることができる。断面が四角形状となる座繰り形状であると、底面に形成されるメタライズ層３ｂとピン１の側面との間にロウ材２の良好なメニスカスを形成することができないので不適である。

テーパ部３ｄは、断面形状が三角形状とされたＣ面カット状の直線である場合、セラミック板３の主面とテーパ部３ｄの内面との間の傾斜角の大きさは30〜60°程度であるのが好ましく、この構成により、テーパ部３ｄに形成されるロウ材のメニスカス形状を良好なものとすることができる。

また、テーパ部３ｄはセラミック板３を先端が尖ったドリルの先端部で切削加工することによってすり鉢状に設けられる。これにより、テーパ部３ｄを容易かつ効率よく形成することができる。

好ましくは、テーパ部３ｄとセラミック板３の主面との間にテーパ部３ｄの上端と同じ径の大径部３ｅを有した貫通孔３ａが形成されているのがよい。この構成により、大径部３ｅによって、隣接するメタライズ層３ｂ同士の沿面距離をさらに長く確保でき、ピン１を伝送する電気信号を高電圧のものとすることが可能となる。

また、テーパ部３ｄの上方に大径部３ｅをドリルで形成する際に、ドリルを深く入れることによって容易に形成することが可能となり、セラミック板３の厚さ寸法に焼成時の収縮バラツキによる寸法バラツキが生じたとしても、確実に所定のテーパ部３ｄを形成することが可能となる。すなわち、テーパ部３ｄを形成するための加工機の加工条件を所定の条件に設定して、複数のセラミック板３に対し連続的にテーパ部３ｄを形成する場合においても、大径部３ｅを設けることにより、テーパ部３ｄがドリルの先端部の全てで切削加工されるとともに、テーパ部３ｄの上端の内径はドリルの直径で容易に管理することができることとなり、セラミック板３の厚さ寸法に寸法バラツキが生じたとしても、所定の大きさのテーパ部３ｄを確実に形成することが可能となり、テーパ部３ｄが小さく形成されてしまうのを防止することができる。

その結果、所定の大きさの環状のメタライズ層３ｂを形成することができ、ピン１を強固かつ気密にメタライズ層３ｂに接合できるようになる。また、加工条件を所定の条件に設定して、複数のセラミック板３に対し連続的にテーパ部３ｄを形成できるので、量産に適したものとすることができる。

なお、テーパ部３ｄが小さくなると、メタライズ層３ｂを大きく形成することができず、ピン１とメタライズ層３ｂとを強固かつ気密に接合するのが困難となる。

また、ピン１は、好ましくは、図１（ｂ）および図２（ｂ）に示すように、ピン１は一端側が小径部１ａとされており、この小径部１ａでメタライズ層３ｂにロウ付けされているのがよい。この構成により、セラミック板３のピン１との接合部において、セラミック板３に加わるピン１との熱膨張差による応力を小さく抑え、セラミック板３にクラック等の破損が生じにくくすることができる。その結果、セラミック板３の両主面間、すなわち電気装置の外部雰囲気側と内部雰囲気側との間を確実に気密に遮断でき、気密端子として良好に機能し得るものとなる。

また図１（ｂ）および図２（ｂ）に示すように、小径部１ａと小径部１ａを除くピン１との間には段差が形成されているのがよく、この段差により、ロウ材２が段差より上側に這い上がるのを有効に防止し、ロウ材２のメニスカス形状を良好なものとできるとともに、残部にコネクター等を接続させる際にロウ材２が這い上がってしまって接続の障害となるのを防止できる。

なお、小径部１ａを有するピン１は、ピン１となる棒材に旋盤を用いた切削加工や金型を用いたプレス加工等の従来周知の金属加工を施すことによって形成される。

またセラミック板３の電気装置への取着構造としては、側部メタライズ層３ｃに予めＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等から成る筒状の金属スリーブをＡｇロウ等のロウ材によってロウ付けし、この金属スリーブと電気装置とを溶接してもよく、また、側部メタライズ層３ｃがセラミック板３の主面の外周部に形成され、セラミック板３の主面と電気装置とがロウ付け接合されていてもよい。

なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。例えば、ピン１は銅（Ｃｕ），Ａｇ等の電気抵抗値の小さい金属で形成してもよく、この構成により、ピン１を伝送する電気信号がピン１で損なわれるのを有効に防止できる。特にピン１に大電流が流れる場合において、ピン１で発熱するのを防止できる構成となる。

（ａ）は本発明の気密端子の実施の形態の一例を示す断面図であり、（ｂ）は本発明の気密端子の実施の形態の他の例を示す断面図である。（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の気密端子の実施の形態の他の例を示す断面図である。（ａ）は従来の気密端子の一例を示す断面図であり、（ｂ）は従来の気密端子の他の例を示す断面図である。

符号の説明

１：ピン
１ａ：小径部
２：ロウ材
３：セラミック板
３ａ：貫通孔
３ｂ：メタライズ層
３ｃ：側部メタライズ層
３ｄ：テーパ部
３ｅ：大径部

Claims

内面の上部に下方に向けてテーパ状とされたテーパ部を有する貫通孔が形成されたセラミック板と、前記貫通孔に挿通され、前記セラミック板に形成されたメタライズ層にロウ付けされたピンとから成り、前記メタライズ層が前記貫通孔の前記テーパ部にのみ環状に被着されていることを特徴とする気密端子。
前記テーパ部と主面との間にテーパ部の上端と同じ径の大径部が形成されていることを特徴とする請求項１記載の気密端子。
前記ピンは一端側が小径部とされており、該小径部で前記メタライズ層にロウ付けされていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の気密端子。