JPH075304A - ダイヤモンドをコーティングした構造体の製造方法 - Google Patents
ダイヤモンドをコーティングした構造体の製造方法Info
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- JPH075304A JPH075304A JP9095894A JP9095894A JPH075304A JP H075304 A JPH075304 A JP H075304A JP 9095894 A JP9095894 A JP 9095894A JP 9095894 A JP9095894 A JP 9095894A JP H075304 A JPH075304 A JP H075304A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイヤモンド層と光学選択層の両層を含む光
学窓を安定した品質で製造できる方法を提供する。 【構成】 凹面を有するマンドレルを提供し、化学蒸着
によって該凹面上にダイヤモンド皮膜を堆積させ、該ダ
イヤモンド皮膜上に光学選択性物質を堆積させ、その上
に光学選択性物質を有するダイヤモンド皮膜を該マンド
レルから取り外してダイヤモンドをコーティングした光
学窓を製造する。好ましくは、化学蒸着によってダイヤ
モンド皮膜を堆積させる該過程は少なくとも８５０℃の
堆積表面温度の比較的高温のプロセスであり、光学選択
性物質を堆積させる該過程は８００℃未満の堆積表面温
度の比較的低温のプロセスである。また、好ましくはダ
イヤモンド皮膜を堆積させる前に該凹面上に中間層を堆
積させる過程をさらに含み、光学選択性物質は硫化亜鉛
やセレン化亜鉛を使用する。
学窓を安定した品質で製造できる方法を提供する。 【構成】 凹面を有するマンドレルを提供し、化学蒸着
によって該凹面上にダイヤモンド皮膜を堆積させ、該ダ
イヤモンド皮膜上に光学選択性物質を堆積させ、その上
に光学選択性物質を有するダイヤモンド皮膜を該マンド
レルから取り外してダイヤモンドをコーティングした光
学窓を製造する。好ましくは、化学蒸着によってダイヤ
モンド皮膜を堆積させる該過程は少なくとも８５０℃の
堆積表面温度の比較的高温のプロセスであり、光学選択
性物質を堆積させる該過程は８００℃未満の堆積表面温
度の比較的低温のプロセスである。また、好ましくはダ
イヤモンド皮膜を堆積させる前に該凹面上に中間層を堆
積させる過程をさらに含み、光学選択性物質は硫化亜鉛
やセレン化亜鉛を使用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はダイヤモンド被覆構造体
の製造方法、より詳しくは、非平面のダイヤモンドでコ
ーティングした光学窓の製造方法に関する。
の製造方法、より詳しくは、非平面のダイヤモンドでコ
ーティングした光学窓の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】ダイヤ
モンドは窓材料やコーティングに使用するに好適な特性
を有する。これらの特性には極めて大きい硬度、熱安定
性、不活性、特定の電磁波に対する優れた透過性があ
る。最近になって、種々の形状の表面に合成ダイヤモン
ドを堆積させ、ダイヤモンド皮膜又はコーティングを形
成するための多くの技術が開発されている。これらの技
術にはいわゆる化学蒸着法があり、例えば炭化水素と水
素のプラズマを使用し、ダイヤモンド皮膜を堆積させ
る。
モンドは窓材料やコーティングに使用するに好適な特性
を有する。これらの特性には極めて大きい硬度、熱安定
性、不活性、特定の電磁波に対する優れた透過性があ
る。最近になって、種々の形状の表面に合成ダイヤモン
ドを堆積させ、ダイヤモンド皮膜又はコーティングを形
成するための多くの技術が開発されている。これらの技
術にはいわゆる化学蒸着法があり、例えば炭化水素と水
素のプラズマを使用し、ダイヤモンド皮膜を堆積させ
る。
【０００３】硫化亜鉛やセレン化亜鉛のような物質をダ
イヤモンドと共にコーティングし、凹凸のある赤外（Ｉ
Ｒ）窓を形成できることが知られている。しかしなが
ら、硫化亜鉛とセレン化亜鉛は反応性の高い物質であ
り、蒸気相からダイヤモンド皮膜を堆積させるために用
いる高温において反応性イオンから攻撃される。シリコ
ンのような保護中間層が、ダイヤモンドの保護層を適用
するために充分な時間まで反応性物質を充分保護するこ
とがあり、また保護しないこともあるが、追加の加工を
含み、理想的ではない。
イヤモンドと共にコーティングし、凹凸のある赤外（Ｉ
Ｒ）窓を形成できることが知られている。しかしなが
ら、硫化亜鉛とセレン化亜鉛は反応性の高い物質であ
り、蒸気相からダイヤモンド皮膜を堆積させるために用
いる高温において反応性イオンから攻撃される。シリコ
ンのような保護中間層が、ダイヤモンドの保護層を適用
するために充分な時間まで反応性物質を充分保護するこ
とがあり、また保護しないこともあるが、追加の加工を
含み、理想的ではない。
【０００４】本発明の目的は、反応性物質の上のダイヤ
モンドをコーティングし、例えば非平面の光学窓又はド
ームを形成するための改良された技術を提案することで
ある。
モンドをコーティングし、例えば非平面の光学窓又はド
ームを形成するための改良された技術を提案することで
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、逆の順序で構
造体を作成し、最終的に凸形状の光学窓又はドームを得
るための凹形状の型又はマンドレルの上に最初にダイヤ
モンドを堆積させることによって、ダイヤモンドの堆積
に伴う高温及び堆積プロセスに伴う特に反応性イオンに
光学選択性物質を暴露する問題を解決する。
造体を作成し、最終的に凸形状の光学窓又はドームを得
るための凹形状の型又はマンドレルの上に最初にダイヤ
モンドを堆積させることによって、ダイヤモンドの堆積
に伴う高温及び堆積プロセスに伴う特に反応性イオンに
光学選択性物質を暴露する問題を解決する。
【０００６】本発明の１つの態様にしたがうと、次の過
程、即ち、凹面を有するマンドレルを提供し、化学蒸着
によって凹面上にダイヤモンド皮膜を堆積させ、ダイヤ
モンド皮膜上に光学選択性物質を堆積させ、マンドレル
からダイヤモンドをその上の光学選択性物質と一緒に取
り外すといった過程を含む、ダイヤモンドをコーティン
グした光学窓又はドームの作成方法が提供される。
程、即ち、凹面を有するマンドレルを提供し、化学蒸着
によって凹面上にダイヤモンド皮膜を堆積させ、ダイヤ
モンド皮膜上に光学選択性物質を堆積させ、マンドレル
からダイヤモンドをその上の光学選択性物質と一緒に取
り外すといった過程を含む、ダイヤモンドをコーティン
グした光学窓又はドームの作成方法が提供される。
【０００７】本発明の開示の態様において、化学蒸着に
よってダイヤモンドを堆積する過程は比較的高い温度の
プロセスであり、堆積表面の温度は少なくとも８５０℃
であり、光学選択性のコーティングを堆積する温度は比
較的低い温度のプロセスであり、堆積表面の温度は８０
０℃未満である。（採用する温度にかかわらず、最初の
ダイヤモンド層の堆積は、ダイヤモンドの堆積に伴う水
素イオンのような反応性イオンに光学選択性コーティン
グを暴露する問題を回避する）。
よってダイヤモンドを堆積する過程は比較的高い温度の
プロセスであり、堆積表面の温度は少なくとも８５０℃
であり、光学選択性のコーティングを堆積する温度は比
較的低い温度のプロセスであり、堆積表面の温度は８０
０℃未満である。（採用する温度にかかわらず、最初の
ダイヤモンド層の堆積は、ダイヤモンドの堆積に伴う水
素イオンのような反応性イオンに光学選択性コーティン
グを暴露する問題を回避する）。
【０００８】本発明の開示の態様において、マンドレル
はモリブデン、タングステン、グラファイトからなる群
より選択された材料で形成する。ダイヤモンド皮膜をそ
の上に堆積させる前に、マンドレルの凹面上に所望とす
る中間層を堆積させる。またこの態様において、光学選
択性物質を堆積させる過程は、硫化亜鉛とセレン化亜鉛
からなる群より選択された化合物の堆積を含む。或いは
他の光学選択性物質を採用することもできる。
はモリブデン、タングステン、グラファイトからなる群
より選択された材料で形成する。ダイヤモンド皮膜をそ
の上に堆積させる前に、マンドレルの凹面上に所望とす
る中間層を堆積させる。またこの態様において、光学選
択性物質を堆積させる過程は、硫化亜鉛とセレン化亜鉛
からなる群より選択された化合物の堆積を含む。或いは
他の光学選択性物質を採用することもできる。
【０００９】本発明のこの他の特徴と長所は、次の実施
例と添付の図面より容易に明らかになるであろう。
例と添付の図面より容易に明らかになるであろう。
【００１０】
【実施例及び作用効果】図１に関して、本発明の１つの
態様にしたがう方法の作業流れ系統図を示す。ブロック
110 は所望の窓形状の凹面を有するマンドレル又は型
（以降はマンドレルとまとめて称す）の提供を表す。こ
のようなマンドレル又は型の例を図２Ａに示す。各種の
材料をマンドレルに使用することができる。例えば、モ
リブデン、タングステン、グラファイトで形成可能であ
る。金属のマンドレルは、例えば機械加工、研削、ポリ
シング、又は適切な形状の基材の上に所望の金属層を堆
積させることによって形成することができる。グラファ
イトのマンドレルは例えば機械加工によって作成するこ
とができ、所望とする曲率に容易に成形することができ
る長所がある。マンドレルの表面は、完成品のダイヤモ
ンド窓のなめらかな外面を容易に得るためにかなりなめ
らかな仕上げまで研磨することができる。マンドレルの
例は図２Ａの261 に示しており、例示のマンドレルは凹
の球形を有する。例えば楕円や放物線のような他の曲率
の凹形状も使用可能であることが理解されるであろう。
態様にしたがう方法の作業流れ系統図を示す。ブロック
110 は所望の窓形状の凹面を有するマンドレル又は型
（以降はマンドレルとまとめて称す）の提供を表す。こ
のようなマンドレル又は型の例を図２Ａに示す。各種の
材料をマンドレルに使用することができる。例えば、モ
リブデン、タングステン、グラファイトで形成可能であ
る。金属のマンドレルは、例えば機械加工、研削、ポリ
シング、又は適切な形状の基材の上に所望の金属層を堆
積させることによって形成することができる。グラファ
イトのマンドレルは例えば機械加工によって作成するこ
とができ、所望とする曲率に容易に成形することができ
る長所がある。マンドレルの表面は、完成品のダイヤモ
ンド窓のなめらかな外面を容易に得るためにかなりなめ
らかな仕上げまで研磨することができる。マンドレルの
例は図２Ａの261 に示しており、例示のマンドレルは凹
の球形を有する。例えば楕円や放物線のような他の曲率
の凹形状も使用可能であることが理解されるであろう。
【００１１】ブロック115 はマンドレルの表面上の中間
層の堆積を表す。使用するマンドレル材料の種類によ
り、以降のダイヤモンドの堆積及び／又はマンドレルか
らのダイヤモンドの最終的な剥離又は取り出しを容易に
するために、随意の中間層を提供することができる。例
えば、モリブデン又はタングステンのマンドレルの場
合、窒化チタンの例えば厚さ３〜５ミクロンの薄い層
を、例えば物理蒸着（ＰＶＤ）によってマンドレルの表
面に適用することができる。例えば本出願人の米国特許
出願第973994号を参考にすることができる。モリブデン
のマンドレルを使用した場合の他の可能性のある中間層
の例としては、炭化チタン、窒化ハフニウム、窒化ジル
コニウム、窒化アルミニウム、これらの混合物、及びこ
れらの物質の化合物がある。グラファイトのマンドレル
を使用した場合、モリブデン中間層を採用できる。必要
により又は所望により、複数の中間層を採用することも
できる。図２Ｂにマンドレル261 とその上に堆積した中
間層263 を示す。
層の堆積を表す。使用するマンドレル材料の種類によ
り、以降のダイヤモンドの堆積及び／又はマンドレルか
らのダイヤモンドの最終的な剥離又は取り出しを容易に
するために、随意の中間層を提供することができる。例
えば、モリブデン又はタングステンのマンドレルの場
合、窒化チタンの例えば厚さ３〜５ミクロンの薄い層
を、例えば物理蒸着（ＰＶＤ）によってマンドレルの表
面に適用することができる。例えば本出願人の米国特許
出願第973994号を参考にすることができる。モリブデン
のマンドレルを使用した場合の他の可能性のある中間層
の例としては、炭化チタン、窒化ハフニウム、窒化ジル
コニウム、窒化アルミニウム、これらの混合物、及びこ
れらの物質の化合物がある。グラファイトのマンドレル
を使用した場合、モリブデン中間層を採用できる。必要
により又は所望により、複数の中間層を採用することも
できる。図２Ｂにマンドレル261 とその上に堆積した中
間層263 を示す。
【００１２】再度図１に関して、ブロック120 は、例え
ば炭化水素と水素のプラズマビーム又はマイクロ波プラ
ズマを用いた化学蒸着（ＣＶＤ）によるダイヤモンド皮
膜の堆積を表す。得られる多結晶ダイヤモンド層の厚さ
は作成される光学窓の用途に依存し、したがって堆積時
間が選択されるであろう。図３は本発明の態様のダイヤ
モンド層の堆積に使用することができる型式のプラズマ
ジェット堆積装置200 の略図を示す。装置200 は真空容
器211 の中に収められ、円筒状のアノード291 、ロッド
状のカソード292 を含むアーク形成部分215 、及び注入
された流体がカソード292 を越えて流れることを可能に
するようにカソードに隣接して装着されたインジェクタ
ー295 を含む。例示の装置において、注入する流体は水
素とメタンの混合物でよい。アノード291 とカソード29
2 は例えば直流電位の電源（図示せず）によって励起す
る。参照番号217 の円筒状マグネットはアーク形成部分
で発生したプラズマを制御するために使用する。マグネ
ットはプラズマが堆積領域60に到達するまでプラズマを
狭いカラムの中に保持する。中に水又は液体窒素が循環
する冷却コイル234 はマグネットの中に配置し、収束さ
れたプラズマを囲む。
ば炭化水素と水素のプラズマビーム又はマイクロ波プラ
ズマを用いた化学蒸着（ＣＶＤ）によるダイヤモンド皮
膜の堆積を表す。得られる多結晶ダイヤモンド層の厚さ
は作成される光学窓の用途に依存し、したがって堆積時
間が選択されるであろう。図３は本発明の態様のダイヤ
モンド層の堆積に使用することができる型式のプラズマ
ジェット堆積装置200 の略図を示す。装置200 は真空容
器211 の中に収められ、円筒状のアノード291 、ロッド
状のカソード292 を含むアーク形成部分215 、及び注入
された流体がカソード292 を越えて流れることを可能に
するようにカソードに隣接して装着されたインジェクタ
ー295 を含む。例示の装置において、注入する流体は水
素とメタンの混合物でよい。アノード291 とカソード29
2 は例えば直流電位の電源（図示せず）によって励起す
る。参照番号217 の円筒状マグネットはアーク形成部分
で発生したプラズマを制御するために使用する。マグネ
ットはプラズマが堆積領域60に到達するまでプラズマを
狭いカラムの中に保持する。中に水又は液体窒素が循環
する冷却コイル234 はマグネットの中に配置し、収束さ
れたプラズマを囲む。
【００１３】操作において、水素とメタンの混合物をイ
ンジェクター295 に供給し、アーク形成部分の前方でプ
ラズマを形成し、堆積領域の方向に加速・収束させる。
プラズマ形成領域の温度と圧力は、典型的にそれぞれ約
１５００〜１００００℃と１００〜７００トールであ
り、堆積領域はそれぞれ約５００〜１１００℃と０．１
〜２００トールである。従来技術で知られているよう
に、メタン中の炭素がダイヤモンドとして選択的に堆積
しながら前記のプラズマより合成多結晶ダイヤモンドを
形成させることができ、グラファイトの生成はガス化を
促進する水素によって抑制される。チャンバーの底部分
105Aには、その上にマンドレル261 を装着することがで
き、また所望により合成ダイヤモンドを堆積させるの中
間層（図示せず）基材106 がある。基材は温度調節器を
含むことができる。
ンジェクター295 に供給し、アーク形成部分の前方でプ
ラズマを形成し、堆積領域の方向に加速・収束させる。
プラズマ形成領域の温度と圧力は、典型的にそれぞれ約
１５００〜１００００℃と１００〜７００トールであ
り、堆積領域はそれぞれ約５００〜１１００℃と０．１
〜２００トールである。従来技術で知られているよう
に、メタン中の炭素がダイヤモンドとして選択的に堆積
しながら前記のプラズマより合成多結晶ダイヤモンドを
形成させることができ、グラファイトの生成はガス化を
促進する水素によって抑制される。チャンバーの底部分
105Aには、その上にマンドレル261 を装着することがで
き、また所望により合成ダイヤモンドを堆積させるの中
間層（図示せず）基材106 がある。基材は温度調節器を
含むことができる。
【００１４】図２Ｃは中間層263 の上に堆積させた多結
晶ダイヤモンド層265 を有するマンドレル261 を示す。
ダイヤモンド層265 を堆積させた後、随意の中間層（図
示せず）を適用することができる。次に、ブロック130
(図１）は特定範囲の波長の光をフィルターし、又は透
過する光学選択層の堆積を表す。例示の態様における光
学選択層は、例えば赤外の光学窓又はドームに一般的に
使用される物質である硫化亜鉛又はセレン化亜鉛の層で
あることができる。この層は、例えば典型的に８００℃
未満の低い温度で行われるＣＶＤプロセスによって適用
することができる。
晶ダイヤモンド層265 を有するマンドレル261 を示す。
ダイヤモンド層265 を堆積させた後、随意の中間層（図
示せず）を適用することができる。次に、ブロック130
(図１）は特定範囲の波長の光をフィルターし、又は透
過する光学選択層の堆積を表す。例示の態様における光
学選択層は、例えば赤外の光学窓又はドームに一般的に
使用される物質である硫化亜鉛又はセレン化亜鉛の層で
あることができる。この層は、例えば典型的に８００℃
未満の低い温度で行われるＣＶＤプロセスによって適用
することができる。
【００１５】図２Ｄは層267 を堆積させた後のマンドレ
ル261 、中間層263 、ダイヤモンド層265 、光学選択層
267 を示す。次いで堆積した構造体を、図１のブロック
135 で示すように、マンドレルから取り出すことができ
る。例えばマンドレルがグラファイト製であってモリブ
デン中間層を有する場合、グラファイトを切削・研削し
て除去することができ、モリブデン中間層はエッチング
で除くことができる。例えばマンドレルがモリブデンや
タングステンのような金属製の場合、堆積した構造体を
化学的溶解によって取り出すことができ、表面仕上げす
ることができる。ダイヤモンドコーティング265 をその
上に有する光学選択性ドーム267 を図２Ｅに示す。
ル261 、中間層263 、ダイヤモンド層265 、光学選択層
267 を示す。次いで堆積した構造体を、図１のブロック
135 で示すように、マンドレルから取り出すことができ
る。例えばマンドレルがグラファイト製であってモリブ
デン中間層を有する場合、グラファイトを切削・研削し
て除去することができ、モリブデン中間層はエッチング
で除くことができる。例えばマンドレルがモリブデンや
タングステンのような金属製の場合、堆積した構造体を
化学的溶解によって取り出すことができ、表面仕上げす
ることができる。ダイヤモンドコーティング265 をその
上に有する光学選択性ドーム267 を図２Ｅに示す。
【００１６】別な態様においては、光学選択性物質をダ
イヤモンド皮膜の凹面に堆積させる前に、例えば前記の
方法を用いてマンドレルからダイヤモンド皮膜を取り外
すことができる。
イヤモンド皮膜の凹面に堆積させる前に、例えば前記の
方法を用いてマンドレルからダイヤモンド皮膜を取り外
すことができる。
【図１】本発明による１つの態様の方法を示す作業流れ
系統図である。
系統図である。
【図２】図２Ａ〜２Ｄは製造過程の各段階を示し、図２
Ｅは完成した構造体を示す。
Ｅは完成した構造体を示す。
【図３】本発明の１つの態様に用いるダイヤモンド層を
堆積させるために使用することができる型式のプラズマ
ジェット堆積装置を示す。
堆積させるために使用することができる型式のプラズマ
ジェット堆積装置を示す。
１１０…所望の窓形状の凹面を有するマンドレルの提供 １２０…中間層の上にダイヤモンド皮膜を堆積 ２６１…マンドレル ２６３…中間層 ２６５…ダイヤモンド層 ２６７…光学選択層
Claims (22)
- 【請求項１】 次の各過程を含んでなるダイヤモンドを
コーティングした光学窓の製造方法： ・凹面を有するマンドレルを提供し、 ・化学蒸着によって該凹面上にダイヤモンド皮膜を堆積
させ、 ・該ダイヤモンド皮膜上に光学選択性物質を堆積させ、 ・その上に光学選択性物質を有するダイヤモンド皮膜を
該マンドレルから取り外す。 - 【請求項２】 化学蒸着によってダイヤモンド皮膜を堆
積させる該過程が少なくとも８５０℃の堆積表面温度の
比較的高温のプロセスであり、光学選択性物質を堆積さ
せる該過程が８００℃未満の堆積表面温度の比較的低温
のプロセスである請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 ダイヤモンド皮膜をその上に堆積させる
前に、該凹面上に中間層を堆積させる過程をさらに含む
請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 ダイヤモンド皮膜をその上に堆積させる
前に、該凹面上に中間層を堆積させる過程をさらに含む
請求項２に記載の方法。 - 【請求項５】 光学選択性物質を堆積させる該過程が、
硫化亜鉛とセレン化亜鉛からなる群より選択された層の
堆積を含む請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】 光学選択性物質を堆積させる該過程が、
硫化亜鉛とセレン化亜鉛からなる群より選択された層の
堆積を含む請求項２に記載の方法。 - 【請求項７】 光学選択性物質を堆積させる該過程が、
硫化亜鉛とセレン化亜鉛からなる群より選択された層の
堆積を含む請求項４に記載の方法。 - 【請求項８】 マンドレルを提供する該過程がモリブデ
ン、タングステン、グラファイトからなる群より選択さ
れた材料で形成したマンドレルの提供を含む請求項１に
記載の方法。 - 【請求項９】 マンドレルを提供する該過程がモリブデ
ン、タングステン、グラファイトからなる群より選択さ
れた材料で形成したマンドレルの提供を含む請求項２に
記載の方法。 - 【請求項１０】 マンドレルを提供する該過程がモリブ
デン、タングステン、グラファイトからなる群より選択
された材料で形成したマンドレルの提供を含む請求項６
に記載の方法。 - 【請求項１１】 マンドレルを提供する該過程がモリブ
デンのマンドレルの提供を含み、中間層を堆積させる該
過程が窒化チタンの堆積を含む請求項３に記載の方法。 - 【請求項１２】 マンドレルを提供する該過程がモリブ
デンのマンドレルの提供を含み、中間層を堆積させる該
過程が窒化チタンの堆積を含む請求項４に記載の方法。 - 【請求項１３】 マンドレルを提供する該過程がグラフ
ァイトのマンドレルの提供を含み、中間層を堆積させる
該過程がモリブデンの中間層の堆積を含む請求項３に記
載の方法。 - 【請求項１４】 マンドレルを提供する該過程がグラフ
ァイトのマンドレルの提供を含み、中間層を堆積させる
該過程がモリブデンの中間層の堆積を含む請求項４に記
載の方法。 - 【請求項１５】 次の各過程を含んでなる赤外線用光学
ドームの作成方法：・凹面を有するマンドレルを提供
し、 ・少なくとも８５０℃の堆積表面温度の比較的高い温度
のプロセスを用いて化学蒸着によって該凹面上にダイヤ
モンド皮膜を堆積させ、 ・８００℃未満の堆積表面温度の比較的低い温度のプロ
セスを用いて該ダイヤモンド皮膜上に硫化亜鉛又はセレ
ン化亜鉛を堆積させ、 ・その上に硫化亜鉛又はセレン化亜鉛を有するダイヤモ
ンド皮膜を該マンドレルから取り外す。 - 【請求項１６】 ダイヤモンド皮膜をその上に堆積させ
る前に、該凹面上に中間層を堆積させる過程をさらに含
む請求項１５に記載の方法。 - 【請求項１７】 マンドレルを提供する該過程がモリブ
デン、タングステン、グラファイトからなる群より選択
された材料で形成したマンドレルの提供を含む請求項１
５に記載の方法。 - 【請求項１８】 マンドレルを提供する該過程がモリブ
デン、タングステン、グラファイトからなる群より選択
された材料で形成したマンドレルの提供を含む請求項１
６に記載の方法。 - 【請求項１９】 マンドレルを提供する該過程がモリブ
デンのマンドレルの提供を含み、中間層を堆積させる該
過程が窒化チタンの中間層の堆積を含む請求項１６に記
載の方法。 - 【請求項２０】 マンドレルを提供する該過程がグラフ
ァイトのマンドレルの提供を含み、中間層を堆積させる
該過程がモリブデンの中間層の堆積を含む請求項１６に
記載の方法。 - 【請求項２１】 次の各過程を含んでなるダイヤモンド
をコーティングした光学窓の作成方法： ・凹面を有するマンドレルを提供し、 ・化学蒸着によって該凹面上にダイヤモンド皮膜を堆積
させ、 ・マンドレルからダイヤモンド皮膜を取り外し、 ・該ダイヤモンド皮膜の凹上に光学選択性物質を堆積さ
せる。 - 【請求項２２】 化学蒸着によってダイヤモンド皮膜を
堆積させる該過程が少なくとも８５０℃の堆積表面温度
の比較的高温のプロセスであり、光学選択性物質を堆積
させる該過程が８００℃未満の堆積表面温度の比較的低
温のプロセスである請求項２１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US5476393A | 1993-04-29 | 1993-04-29 | |
| US054763 | 1993-04-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH075304A true JPH075304A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=21993369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9095894A Pending JPH075304A (ja) | 1993-04-29 | 1994-04-28 | ダイヤモンドをコーティングした構造体の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0622473A1 (ja) |
| JP (1) | JPH075304A (ja) |
| CA (1) | CA2120175A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11335840A (ja) * | 1998-05-05 | 1999-12-07 | Cvd Inc | 化学蒸着による精密な再現法 |
| JP2001247965A (ja) * | 2000-01-06 | 2001-09-14 | Saint Gobain Ceramics & Plastics Inc | 保護被膜、半導体ウェーハの処理装置、及び薄フィルムダイヤモンド被膜の生成方法 |
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| JP2018501176A (ja) * | 2014-11-06 | 2018-01-18 | ツーシックス、インコーポレイテッドＩｉ−Ｖｉ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 高双晶化配向多結晶ダイヤモンド膜及びその製造方法 |
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| DE102022205081A1 (de) * | 2022-05-20 | 2023-11-23 | Universität Augsburg, Körperschaft des öffentlichen Rechts | Verfahren, Substrat, Vorrichtung und deren Verwendung zur Synthese von ebenen einkristallinen Diamanten |
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-
1994
- 1994-03-29 CA CA 2120175 patent/CA2120175A1/en not_active Abandoned
- 1994-04-19 EP EP94201073A patent/EP0622473A1/en not_active Withdrawn
- 1994-04-28 JP JP9095894A patent/JPH075304A/ja active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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