JPH01282999A - 音響用振動板及びその製造法 - Google Patents
音響用振動板及びその製造法Info
- Publication number
- JPH01282999A JPH01282999A JP63110510A JP11051088A JPH01282999A JP H01282999 A JPH01282999 A JP H01282999A JP 63110510 A JP63110510 A JP 63110510A JP 11051088 A JP11051088 A JP 11051088A JP H01282999 A JPH01282999 A JP H01282999A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm
- base material
- diamond film
- acoustic
- hydrocarbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 105
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 93
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 92
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 20
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 15
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 11
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 210000000936 intestine Anatomy 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
- C23C16/276—Diamond only using plasma jets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
- H04R31/003—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor for diaphragms or their outer suspension
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
- H04R7/02—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones characterised by the construction
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2307/00—Details of diaphragms or cones for electromechanical transducers, their suspension or their manufacture covered by H04R7/00 or H04R31/003, not provided for in any of its subgroups
- H04R2307/023—Diaphragms comprising ceramic-like materials, e.g. pure ceramic, glass, boride, nitride, carbide, mica and carbon materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は音響用振動板とその製造法に関するものであ
る。
る。
[従来の技術]
音響用振動板、特に高音用スピーカ及び中音用スピーカ
に使用される振動板として、その材質や振動板基材の表
面を処理するための数多くの方法が従来より提案されて
きたが、このうち、振動板基材の表面にアモルファス(
非結晶)が少ないダイヤモンド皮膜を形成する方法とし
ては、第14図(A)〜(C)に示すように、熱フイラ
メント法、電子衝撃化学輸送法(EACVD法)及びマ
イクロ波化学輸送法(MCVD法)があり、更に1図に
は示さないが、プラズマジェット法やDCプラズマ法等
がある。
に使用される振動板として、その材質や振動板基材の表
面を処理するための数多くの方法が従来より提案されて
きたが、このうち、振動板基材の表面にアモルファス(
非結晶)が少ないダイヤモンド皮膜を形成する方法とし
ては、第14図(A)〜(C)に示すように、熱フイラ
メント法、電子衝撃化学輸送法(EACVD法)及びマ
イクロ波化学輸送法(MCVD法)があり、更に1図に
は示さないが、プラズマジェット法やDCプラズマ法等
がある。
また、ダイヤモンド膜だけで振動板を得る方法としては
特開昭81−128700号公報が知られており、第1
5図(A)に示すように、振動板形状に形成した単結晶
硅素40の上にメタン(CH4)と水素(H2)の混合
ガスを上記した2、45GHzのMCVD法によりダイ
ヤモンド膜41を堆積させたのち、単結晶硅素を溶解し
て、第15図(B)に示すようなダイヤモンド振動板4
2を製造する方法である。
特開昭81−128700号公報が知られており、第1
5図(A)に示すように、振動板形状に形成した単結晶
硅素40の上にメタン(CH4)と水素(H2)の混合
ガスを上記した2、45GHzのMCVD法によりダイ
ヤモンド膜41を堆積させたのち、単結晶硅素を溶解し
て、第15図(B)に示すようなダイヤモンド振動板4
2を製造する方法である。
[発明が解決しようとする課題]
ところが上記した従来の音響用振動板及びその製造法に
は次のような問題点がある。
は次のような問題点がある。
第1に、熱フイラメント法及びEACVD法は皮膜を得
る面積が小さく、被着物である振動板基材との距離が短
いこと及び膜厚分布も悪い、また、MCVD法はその被
着面積が導波管と反応する石英管とプラズマのサイズで
決定されることが知られており、いずれの方法によって
も被着面の直径は3〜l0cmであるため、直径1イン
チの振動板が1〜5枚程度処理できる能力しかない、ま
た、時間当りの付着膜厚はl−10g/ cm’のレー
トであって高価格となって量産性に乏しい、という欠点
がある。
る面積が小さく、被着物である振動板基材との距離が短
いこと及び膜厚分布も悪い、また、MCVD法はその被
着面積が導波管と反応する石英管とプラズマのサイズで
決定されることが知られており、いずれの方法によって
も被着面の直径は3〜l0cmであるため、直径1イン
チの振動板が1〜5枚程度処理できる能力しかない、ま
た、時間当りの付着膜厚はl−10g/ cm’のレー
トであって高価格となって量産性に乏しい、という欠点
がある。
第2に、上記したいずれの方法も、フィラメントの加熱
、直流放電又は高周波のマイクロ波の放電によりダイヤ
モンド膜を得る方法であるため、振動板基材には100
0度におよぶ熱が加わり、基材の変形や損壊が生じるこ
とからその放熱を改善する必要がある。
、直流放電又は高周波のマイクロ波の放電によりダイヤ
モンド膜を得る方法であるため、振動板基材には100
0度におよぶ熱が加わり、基材の変形や損壊が生じるこ
とからその放熱を改善する必要がある。
第3に、ダヤモンド膜だけの振動板を製造する方法にお
いて、上記した特開昭81−128700号公報記載の
方法では単結晶硅素40を目的形状にするための加工が
困難であると共に堆積面の直径が3〜10c+sであり
、しかも時間当りの堆積速度が1用以下であるから、数
十ミクロンのダイヤモンド膜による振動板を得るために
は数十時間を要し、量産性に欠ける難点がある。
いて、上記した特開昭81−128700号公報記載の
方法では単結晶硅素40を目的形状にするための加工が
困難であると共に堆積面の直径が3〜10c+sであり
、しかも時間当りの堆積速度が1用以下であるから、数
十ミクロンのダイヤモンド膜による振動板を得るために
は数十時間を要し、量産性に欠ける難点がある。
この発明の第1の目的は、振動板基材の表面にダイヤモ
ンド膜を形成した低床な、しかも、径の大きな振動板で
あってもダイヤモンド膜厚を均一に形成した音響用振動
板を提供することにある。
ンド膜を形成した低床な、しかも、径の大きな振動板で
あってもダイヤモンド膜厚を均一に形成した音響用振動
板を提供することにある。
この発明の第2の目的は、振動板基材の表面にダイヤモ
ンド膜を形成するに際し、短時間で確実に皮膜を形成す
ることができ、量産性に富むのは勿論、振動板の大きさ
に制限を受けることがない音響用振動板の製造法を提供
することにある。
ンド膜を形成するに際し、短時間で確実に皮膜を形成す
ることができ、量産性に富むのは勿論、振動板の大きさ
に制限を受けることがない音響用振動板の製造法を提供
することにある。
この発明の第3の目的は、ダイヤモンド膜だけの音響用
振動板を製造するに際し、短時間で製造できて量産性に
富み、しかも振動板の大きさに制限を受けることがない
音響用振動板の製造法を提供することにある。
振動板を製造するに際し、短時間で製造できて量産性に
富み、しかも振動板の大きさに制限を受けることがない
音響用振動板の製造法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するため、この発明に係る音響用振動板
においては、振動板形状に形成したセラミックスによる
振動板基材の少なくとも片面に、アルゴン、炭化水素及
び水素の混合したガスを熱プラズマ放射することにより
結晶質ダイヤモンド膜を形成したものである。
においては、振動板形状に形成したセラミックスによる
振動板基材の少なくとも片面に、アルゴン、炭化水素及
び水素の混合したガスを熱プラズマ放射することにより
結晶質ダイヤモンド膜を形成したものである。
この場合、振動板基材としては、炭化硅素などの炭化物
系セラミックスとしたり、酸化アルミニウム又は酸化ジ
ルコニウムなどの酸化物系セラミックス、或いは、窒化
チタン又は窒化硼素などの窒化物系セラミックスで形成
することができる。
系セラミックスとしたり、酸化アルミニウム又は酸化ジ
ルコニウムなどの酸化物系セラミックス、或いは、窒化
チタン又は窒化硼素などの窒化物系セラミックスで形成
することができる。
更には、上記振動板基材を金属振動板基材とすることが
でき、また、この金属振動板基材をチタニウムとし、ア
ルゴンと炭化水素ガスを熱プラズマ放射することにより
振動板基材面に炭化チタン層を形成して該炭化チタン層
の上に、上記アルゴンと炭化水素ガスに水素を加えて熱
プラズマ放射して結晶質ダイヤモンド膜を形成して、チ
タニウム、炭化チタン及びダイヤモンドの三層の素材層
を形成したものとすることができる。
でき、また、この金属振動板基材をチタニウムとし、ア
ルゴンと炭化水素ガスを熱プラズマ放射することにより
振動板基材面に炭化チタン層を形成して該炭化チタン層
の上に、上記アルゴンと炭化水素ガスに水素を加えて熱
プラズマ放射して結晶質ダイヤモンド膜を形成して、チ
タニウム、炭化チタン及びダイヤモンドの三層の素材層
を形成したものとすることができる。
この発明に係る音響用振動板の製造法において、振動板
形状に形成した金属基材の表面にダイヤモンド膜を形成
したのち金属基材を溶解させて、ダイヤモンド膜だけで
形成された音響用振動板を製造するに際しては、チタニ
ウム、タンタル又はモリブデンで振動板形状に形成した
金属基材に、アルゴン、炭化水素及び水素の混合ガスを
熱プラズマ放射することにより結晶質のダイヤモンドを
堆積させてダヤモンド膜を形成し、上記金属基材を溶解
させる。
形状に形成した金属基材の表面にダイヤモンド膜を形成
したのち金属基材を溶解させて、ダイヤモンド膜だけで
形成された音響用振動板を製造するに際しては、チタニ
ウム、タンタル又はモリブデンで振動板形状に形成した
金属基材に、アルゴン、炭化水素及び水素の混合ガスを
熱プラズマ放射することにより結晶質のダイヤモンドを
堆積させてダヤモンド膜を形成し、上記金属基材を溶解
させる。
また、この場合、金属基材の表面に硅素又は炭化チタン
を蒸着し、その上に上記手段によって結晶質ダイヤモン
ド膜を形成したのち、金属基材を溶解せしめることもで
きる。
を蒸着し、その上に上記手段によって結晶質ダイヤモン
ド膜を形成したのち、金属基材を溶解せしめることもで
きる。
一方、振動根基村上にダイヤモンド膜を形成して99用
振動板を製造する方法においては、振動板基材と該振動
板基材をセットすべき放熱器との間にセラミックパウダ
ーを充填して振動板を冷却しながら、この振動根基村上
に、アルゴン、炭化水素及び水素の混合ガスを熱プラズ
マ放射して結晶質ダイヤモンド膜を形成する。
振動板を製造する方法においては、振動板基材と該振動
板基材をセットすべき放熱器との間にセラミックパウダ
ーを充填して振動板を冷却しながら、この振動根基村上
に、アルゴン、炭化水素及び水素の混合ガスを熱プラズ
マ放射して結晶質ダイヤモンド膜を形成する。
この場合、充填されるべきセラミックパウダーとしては
、ダイヤモンド、立方晶窒化硼素及び炭化硅素によるセ
ラミックスとすることができる。
、ダイヤモンド、立方晶窒化硼素及び炭化硅素によるセ
ラミックスとすることができる。
また、振動板基材を該振動板基材の形状に対応する形状
のセット部を備えた放熱器にセットして水冷しながら、
上記振動根基村上に、アルゴン、炭化水素及び水素の混
合ガスを熱プラズマ放射して結晶質ダイヤモンド膜を形
成する方法を採ることができる。
のセット部を備えた放熱器にセットして水冷しながら、
上記振動根基村上に、アルゴン、炭化水素及び水素の混
合ガスを熱プラズマ放射して結晶質ダイヤモンド膜を形
成する方法を採ることができる。
この場合、放熱器のセット部の表面に、ダイヤモンド、
立方晶窒化硼素及び炭化硅素を蒸着してセラミックス膜
を形成して振動板基材の冷却効果を高めることができる
。
立方晶窒化硼素及び炭化硅素を蒸着してセラミックス膜
を形成して振動板基材の冷却効果を高めることができる
。
[作用]
この発明に係る音響用振動板のうち、振動板基材上に結
晶質のダイヤモンド膜を形成してなる振動板においては
、後に詳述するように、音速に優れており、また、ダイ
ヤモンド特有の高硬度、高剛性の特長によって分割振動
が低減され、優れた振動板とすることができる。
晶質のダイヤモンド膜を形成してなる振動板においては
、後に詳述するように、音速に優れており、また、ダイ
ヤモンド特有の高硬度、高剛性の特長によって分割振動
が低減され、優れた振動板とすることができる。
結晶質ダイヤモンド膜だけで形成された振動板において
は膜厚が均一となっており、また、音速は更に優れてい
る。
は膜厚が均一となっており、また、音速は更に優れてい
る。
この発明に係る音響用振動板の製造法においては、基材
上にダヤモンド膜を形成するに際し、混合ガスを大量に
供給する熱プラズマ化学輸送法(熱プラズマCVD法)
が用いられ、混合ガスとしては、アルゴン、炭化水素及
び水素が使用される。この方法では高温のプラズマを発
生させることができ、直流放電の電極はプラズマトーチ
内にあるため被着物である基材との間隔に自由度がある
。また、基材をプラズマトーチを中心として移動させる
ことにより数多く処理することができ、しかも時間あた
りの付着速度にも優れている。
上にダヤモンド膜を形成するに際し、混合ガスを大量に
供給する熱プラズマ化学輸送法(熱プラズマCVD法)
が用いられ、混合ガスとしては、アルゴン、炭化水素及
び水素が使用される。この方法では高温のプラズマを発
生させることができ、直流放電の電極はプラズマトーチ
内にあるため被着物である基材との間隔に自由度がある
。また、基材をプラズマトーチを中心として移動させる
ことにより数多く処理することができ、しかも時間あた
りの付着速度にも優れている。
従って、基材上には均一な膜厚の結晶質ダイヤモンド膜
を迅速に形成することができ、また、被着物である基材
の大きさに制限を受けることがない。
を迅速に形成することができ、また、被着物である基材
の大きさに制限を受けることがない。
このため、金属基村上にダイヤモンド膜を形成した後こ
の金属基材を溶解させてダイヤモンド膜だけの振動板を
製造する方法においても、所定厚さの結晶質ダイヤモン
ド振動板を量産することができる。
の金属基材を溶解させてダイヤモンド膜だけの振動板を
製造する方法においても、所定厚さの結晶質ダイヤモン
ド振動板を量産することができる。
熱プラズマCVD法は上記のように高温のプラズマを発
生させるものであるから、振動板基材の溶融や極度の変
形が生じ、或いは炭素化が促進されてダイヤモンド膜が
生成されないおそれがるが、この振動板基材を冷却しな
がら結晶質ダイヤモンド膜を形成することにより所期の
目的を達することができる。
生させるものであるから、振動板基材の溶融や極度の変
形が生じ、或いは炭素化が促進されてダイヤモンド膜が
生成されないおそれがるが、この振動板基材を冷却しな
がら結晶質ダイヤモンド膜を形成することにより所期の
目的を達することができる。
[実施例]
この発明に係る音響用振動板及びその製造法の実施例を
第1図乃至第13図に基づいて説明すると、第1図は熱
プラズマCVD法の実施に使用される機構図であり、熱
プラズマを発生するプラズマトーチ(ガン)1及びチャ
ンバー2内は真空排気5によって真空状態におかれてお
り、原料ガス3が供給される。被着物である振動板基材
4は実施例ではドーム型に形成され、冷却水6がwI環
する放熱器7上にセットされる。この放熱器7は回転す
るようになっている。
第1図乃至第13図に基づいて説明すると、第1図は熱
プラズマCVD法の実施に使用される機構図であり、熱
プラズマを発生するプラズマトーチ(ガン)1及びチャ
ンバー2内は真空排気5によって真空状態におかれてお
り、原料ガス3が供給される。被着物である振動板基材
4は実施例ではドーム型に形成され、冷却水6がwI環
する放熱器7上にセットされる。この放熱器7は回転す
るようになっている。
プラズマトーチ1はアノード(陽極)8とカソード(陰
極)9で構成した電極間の直流放電によって炭化水素ガ
スのメタンと水素が分解したプラズマをトーチから放出
し、化学輸送法(CVD)によって振動板基材4上に結
晶粒のダイヤモンド膜が堆植する。
極)9で構成した電極間の直流放電によって炭化水素ガ
スのメタンと水素が分解したプラズマをトーチから放出
し、化学輸送法(CVD)によって振動板基材4上に結
晶粒のダイヤモンド膜が堆植する。
この方式においてはプラズマトーチ1に混合ガスを大量
に供給し、高温のプラズマを発生させることができ、直
流放電の電極はプラズマトーチ内にあるため被着物たる
上記振動板基材4との間隔に自由度がある。また、プラ
ズマトーチを中心として振動板基材4を移動させること
により数多く処理することができ、従来法にない利点が
ある。
に供給し、高温のプラズマを発生させることができ、直
流放電の電極はプラズマトーチ内にあるため被着物たる
上記振動板基材4との間隔に自由度がある。また、プラ
ズマトーチを中心として振動板基材4を移動させること
により数多く処理することができ、従来法にない利点が
ある。
更に、この熱プラズマCVD法ではダイヤモンド膜の生
成に大量のガスを供給する方式であるため、従来の10
〜50倍の付着速度が得られ、量産性に適している。
成に大量のガスを供給する方式であるため、従来の10
〜50倍の付着速度が得られ、量産性に適している。
第2図は上記した熱プラズマCVD法によるプラズマジ
ェット温度分布図であるが、アーク放電電流によって生
じる誘導磁場でアーク柱が搾られるためプラズマトーチ
lの出口では10000度乃至20000度に達する。
ェット温度分布図であるが、アーク放電電流によって生
じる誘導磁場でアーク柱が搾られるためプラズマトーチ
lの出口では10000度乃至20000度に達する。
放熱器7にセットされた振動板基材4はこの高温にさら
されるからこの振動板基材4を効率的に冷却する必要が
ある。
されるからこの振動板基材4を効率的に冷却する必要が
ある。
実験例として、供給すべき原料ガス(混合ガス)の混合
比を アルゴン 100% メタン 0.1% 水 素 7 % とし、その他の条件を、 真空度 20 Torr振動板基材
炭化硅素(Sin) 40JL 蒸着基材の大き
さ 2.5cm として、支持面が平坦な従来の支持装置に上記ドーム型
の振動板基材をセットして冷却しないで熱プラズマ放射
したところ、振動板基材の表面の温度が2000〜30
00度に達し、振動板基材が熔融したり極度の変形が生
じた。また、高温であるため炭素化が促進され、ダイヤ
モンド膜が生成されなかった。
比を アルゴン 100% メタン 0.1% 水 素 7 % とし、その他の条件を、 真空度 20 Torr振動板基材
炭化硅素(Sin) 40JL 蒸着基材の大き
さ 2.5cm として、支持面が平坦な従来の支持装置に上記ドーム型
の振動板基材をセットして冷却しないで熱プラズマ放射
したところ、振動板基材の表面の温度が2000〜30
00度に達し、振動板基材が熔融したり極度の変形が生
じた。また、高温であるため炭素化が促進され、ダイヤ
モンド膜が生成されなかった。
そこで第3図及び第4図に示すような放熱器7を設けた
ものである。
ものである。
銅製の放熱器7には振動板基材4のヒンジ部を固定する
押え治具10が設けられており、内部の通水路11を介
して冷却水6が循環することにより冷却されるようにな
っている。第3図(A)においては振動板基材4のドー
ム径よりもやや小径の半球状のセット部12を形成し、
このセット部12に振動板基材4をセットするが、振動
板基材4との間にセラミックパウダー13を充填する。
押え治具10が設けられており、内部の通水路11を介
して冷却水6が循環することにより冷却されるようにな
っている。第3図(A)においては振動板基材4のドー
ム径よりもやや小径の半球状のセット部12を形成し、
このセット部12に振動板基材4をセットするが、振動
板基材4との間にセラミックパウダー13を充填する。
第3図(A)の冷却手段で振動板基材を冷却しなから熱
プラズマ放射すると、振動板基材の表面温度は800〜
1000度に保つことができた。
プラズマ放射すると、振動板基材の表面温度は800〜
1000度に保つことができた。
第3図(B)に示すものにおいては、載設部が平坦な放
熱器にドーム型の振動板基材4をセットする場合に、載
設部と振動板基材との間にセラミックスパウダー14を
充填したものである。このセラミックスパウダーとして
は、ダイヤモンド、立方晶窒化硼素(CBN)、炭化硅
素(Sin)のパウダーである。いずれのパウダーも1
500度以上の融点をもち、且つ、熱伝導率が放熱器7
の素材である銅と同等又はそれ以上である素材が好まし
い、これらの素材の熱伝導率は次の通りである。
熱器にドーム型の振動板基材4をセットする場合に、載
設部と振動板基材との間にセラミックスパウダー14を
充填したものである。このセラミックスパウダーとして
は、ダイヤモンド、立方晶窒化硼素(CBN)、炭化硅
素(Sin)のパウダーである。いずれのパウダーも1
500度以上の融点をもち、且つ、熱伝導率が放熱器7
の素材である銅と同等又はそれ以上である素材が好まし
い、これらの素材の熱伝導率は次の通りである。
銅 3.85 W/ cra *℃ダ
イヤモンド 20.0 立方晶窒化硼素 8.0 炭化硅素 2.7 セラミック粒径 0.5〜2座 上記第3図(B)における冷却でも第3図(A)と同様
、振動板基材の表面温度を800〜1000度に保つこ
とができた。
イヤモンド 20.0 立方晶窒化硼素 8.0 炭化硅素 2.7 セラミック粒径 0.5〜2座 上記第3図(B)における冷却でも第3図(A)と同様
、振動板基材の表面温度を800〜1000度に保つこ
とができた。
上記のような第3図(A)、(B)に示す冷却手段を用
いて振動板基材を冷却すると振動板基材の表面温度を3
分の一〜4分の−に冷却することができ、これによって
放熱器表面の耐熱性を向上させることができて振動板基
材との熱融着による変形がなくなり、また、ガスの発生
によるダイヤモンド膜の品質低下を防止することができ
る。
いて振動板基材を冷却すると振動板基材の表面温度を3
分の一〜4分の−に冷却することができ、これによって
放熱器表面の耐熱性を向上させることができて振動板基
材との熱融着による変形がなくなり、また、ガスの発生
によるダイヤモンド膜の品質低下を防止することができ
る。
第4図(A)の放熱器7は振動板基材4のドーム形状に
対応する半球状のセット部15を形成し、振動板基材を
これに嵌合してセットし、水冷するものである。これに
よっても振動板基材の表面温度を800〜1000度に
保つことができた。
対応する半球状のセット部15を形成し、振動板基材を
これに嵌合してセットし、水冷するものである。これに
よっても振動板基材の表面温度を800〜1000度に
保つことができた。
第4図(B)に示すものにおいては、上記セット部15
の表面に1.S)プラズマCVD法を用いてダイヤモン
ド、立方晶窒化硼素、炭化硅素のセラミック膜16を2
〜4延厚で形成したものである。従って振動板基材4は
セラミック膜16を介してセット部15にセットされる
こととなり、これによっても振動板表面温度を800〜
1000度に下げることができた。
の表面に1.S)プラズマCVD法を用いてダイヤモン
ド、立方晶窒化硼素、炭化硅素のセラミック膜16を2
〜4延厚で形成したものである。従って振動板基材4は
セラミック膜16を介してセット部15にセットされる
こととなり、これによっても振動板表面温度を800〜
1000度に下げることができた。
次に、具体的実施例について説明すると、実施例におい
て、供給すべき原料ガス(混合ガス)の混合比は次の通
りであり、上記した実験例と同様である。
て、供給すべき原料ガス(混合ガス)の混合比は次の通
りであり、上記した実験例と同様である。
アルゴン 100%
メタン 0.1%
水 素 7 %
その他の条件としては次の通りである。
実施例1
真空度 20 Tarr振動板基材
炭化硅素(Sin) 40μ 蒸着基材表面温度
800〜1000度基材の大きさ 2.
5cm 形成されたダイヤモンド膜厚 2牌 なお、実施例1においては時間あたりの付着膜厚は、5
0〜100 g /crrr′であった。
炭化硅素(Sin) 40μ 蒸着基材表面温度
800〜1000度基材の大きさ 2.
5cm 形成されたダイヤモンド膜厚 2牌 なお、実施例1においては時間あたりの付着膜厚は、5
0〜100 g /crrr′であった。
この実施例1によって得られたドーム型振動板21は第
5図(A)に示されており、振動板基材4上に結晶質の
ダイヤモンド膜22が形成されている。
5図(A)に示されており、振動板基材4上に結晶質の
ダイヤモンド膜22が形成されている。
このダイヤモンド膜22の分析をラマン分光及びX線回
折で行なったところ、第8図のラマン分光特性図に示す
ように、1333 c m”にダイヤモンド特有のピー
クが得られると共にX線も同様にダイヤモンドの回折を
示し、同定される。
折で行なったところ、第8図のラマン分光特性図に示す
ように、1333 c m”にダイヤモンド特有のピー
クが得られると共にX線も同様にダイヤモンドの回折を
示し、同定される。
また、実施例1において、振動板基材4として、酸化物
系又は窒化物系であって、低密度、高弾性であり、音速
が10000+s/s以上のセラミックスを使用するこ
とができ、これによって製造されたドーム型振動板を第
5図(B) 、 (C)にそれぞれ示す。
系又は窒化物系であって、低密度、高弾性であり、音速
が10000+s/s以上のセラミックスを使用するこ
とができ、これによって製造されたドーム型振動板を第
5図(B) 、 (C)にそれぞれ示す。
これらのドーム型振動板21において、実施例1により
得られた第5図(A)の振動板においては、音速が10
000〜12000+1/3であり、第5図(B)の振
動板では9000〜11000腸/g 、第5図(C)
の振動板では8000〜10000m/sが得られ、従
来のスピーカの周波数特性に対して約り、S〜2.4倍
の高域再生が可能なスピーカとすることができる。
得られた第5図(A)の振動板においては、音速が10
000〜12000+1/3であり、第5図(B)の振
動板では9000〜11000腸/g 、第5図(C)
の振動板では8000〜10000m/sが得られ、従
来のスピーカの周波数特性に対して約り、S〜2.4倍
の高域再生が可能なスピーカとすることができる。
第11図は実施例1によって得られた上記第5図(A)
のドーム型振動板の周波数特性A(実線で示す)とチタ
ニウムだけによるドーム型振動板の周波数特性B(破線
で示す)を比較した周波数特性図であり、第5図(A)
のものAは特に高域において著しく改善されていること
が判明する。
のドーム型振動板の周波数特性A(実線で示す)とチタ
ニウムだけによるドーム型振動板の周波数特性B(破線
で示す)を比較した周波数特性図であり、第5図(A)
のものAは特に高域において著しく改善されていること
が判明する。
実施例2
実施例1において、振動板基材4として金属基材を用い
たものであり、実施例1の条件中、基材表面温度は60
0〜1000度である。その他は実施例1と同様である
。
たものであり、実施例1の条件中、基材表面温度は60
0〜1000度である。その他は実施例1と同様である
。
この実施例2によって得られたドーム型振動板21は第
6図(A)に示されており、ダイヤモンド膜22の分析
を実施例1と同様に行なった。ラマン分光特性は第9図
に示されており、この分光特性図から明らかなように、
実施例1と同様、1333cm’にダイヤモンド特有の
ピークが得られ、また、X線回折でも同定された。
6図(A)に示されており、ダイヤモンド膜22の分析
を実施例1と同様に行なった。ラマン分光特性は第9図
に示されており、この分光特性図から明らかなように、
実施例1と同様、1333cm’にダイヤモンド特有の
ピークが得られ、また、X線回折でも同定された。
実施例2において、金属振動板基材4としてチタンを用
いてその表面にアルゴンと炭化水素ガスの熱プラズマ放
射をして炭化チタン層を形成し、次に上記アルゴンと炭
化水素に水素を加えて上記炭化チタン層の表面に結晶質
ダイヤモンド膜を形成することにより、第6図(B)に
示すように、チタニウム基材4、炭化チタン層23、ダ
イヤモンド膜22の三層からなるドーム型振動板21と
することができる。
いてその表面にアルゴンと炭化水素ガスの熱プラズマ放
射をして炭化チタン層を形成し、次に上記アルゴンと炭
化水素に水素を加えて上記炭化チタン層の表面に結晶質
ダイヤモンド膜を形成することにより、第6図(B)に
示すように、チタニウム基材4、炭化チタン層23、ダ
イヤモンド膜22の三層からなるドーム型振動板21と
することができる。
実施例2によって得られた第6図(A)に示すドーム型
振動板21においては、音速が8000〜100001
1/Sであり、第6図(B)に示すものにおl、%ては
9000〜11000m/sが得られる。
振動板21においては、音速が8000〜100001
1/Sであり、第6図(B)に示すものにおl、%ては
9000〜11000m/sが得られる。
第12図は実施例2によって得られた上記第6図(A)
のドーム型振動板の周波数特性Aとチタニウムだけによ
るドーム型振動板の周波数特性Bを比較した周波数特性
図である。
のドーム型振動板の周波数特性Aとチタニウムだけによ
るドーム型振動板の周波数特性Bを比較した周波数特性
図である。
実施例3
実施例1において、基材4としてチタニウム(Ti)で
ドーム型振動板形状に形成した金属基材20(第7図(
A))を用い、その表面に結晶質ダイヤモンド膜を形成
した。この場合の条件は次の通りである。
ドーム型振動板形状に形成した金属基材20(第7図(
A))を用い、その表面に結晶質ダイヤモンド膜を形成
した。この場合の条件は次の通りである。
真空度 100 Torr基 材
チタニウム 3(14を基材表面温度
800〜1000度基材の大きさ 2.5cm 堆積時間 45分 形成されたダイヤモンド膜厚 40弘 上記のようにして金属基材20上に結晶質ダイヤモンド
膜22を形成したものにおいてはダイヤモンドは1〜5
戸の結晶粒が堆積し、ポール状の結晶面をもった膜が得
られた。これを実施例1と同様のラマン分光及びX線回
折をしたところ、このラマン分光特性は第1O図(A)
に示すように、実施例1と同様、1333cs″′Iに
ダイヤモンド特有のピークが得られ、また、X線回折に
よっても同定された。
チタニウム 3(14を基材表面温度
800〜1000度基材の大きさ 2.5cm 堆積時間 45分 形成されたダイヤモンド膜厚 40弘 上記のようにして金属基材20上に結晶質ダイヤモンド
膜22を形成したものにおいてはダイヤモンドは1〜5
戸の結晶粒が堆積し、ポール状の結晶面をもった膜が得
られた。これを実施例1と同様のラマン分光及びX線回
折をしたところ、このラマン分光特性は第1O図(A)
に示すように、実施例1と同様、1333cs″′Iに
ダイヤモンド特有のピークが得られ、また、X線回折に
よっても同定された。
上記のようにしてダイヤモンド膜22が形成された金属
基材20を弗化水素(HF)と硝酸の1 : li合液
を用いて溶解し、厚さ40.のダイヤモンド膜だけのド
ーム型振動板21を得た。
基材20を弗化水素(HF)と硝酸の1 : li合液
を用いて溶解し、厚さ40.のダイヤモンド膜だけのド
ーム型振動板21を得た。
上記実施例3において、第7図(B)に示すように、金
属基材20の表面に硅素(Si)を蒸着して蒸着膜24
を形成し、その上にダイヤモンド膜22を形成した。こ
の場合硅素の蒸着膜24は金属基材20との反応を防ぐ
役目をし、ダイヤモンド膜22の品質が向上する。また
、この蒸着膜は上例の混合液で溶解させることができる
特徴がある。ダイヤモンドは1〜5ルの結晶粒が堆積し
ていることは上例と同様であるが、100配向の結晶面
をもった膜が得られた。ダイヤモンドI]I222の分
析は上例と同様であり、ラマン分光特性は第10図(B
)に示す通りである。
属基材20の表面に硅素(Si)を蒸着して蒸着膜24
を形成し、その上にダイヤモンド膜22を形成した。こ
の場合硅素の蒸着膜24は金属基材20との反応を防ぐ
役目をし、ダイヤモンド膜22の品質が向上する。また
、この蒸着膜は上例の混合液で溶解させることができる
特徴がある。ダイヤモンドは1〜5ルの結晶粒が堆積し
ていることは上例と同様であるが、100配向の結晶面
をもった膜が得られた。ダイヤモンドI]I222の分
析は上例と同様であり、ラマン分光特性は第10図(B
)に示す通りである。
第7図(B)に示すように、上例と同様の手段で金属基
材20及び蒸着膜24を溶解させてダイヤモンド膜22
だけのドーム型振動板21を得た。
材20及び蒸着膜24を溶解させてダイヤモンド膜22
だけのドーム型振動板21を得た。
なお、実施例3においては金属基材としてチタニウムを
用いたが、タンタル(Ta)でも可能であり、更には、
タングステン、ニオブ等の高融点の素材を使用すること
ができる。また、M着膜24を炭化硅素とすることもで
きる。
用いたが、タンタル(Ta)でも可能であり、更には、
タングステン、ニオブ等の高融点の素材を使用すること
ができる。また、M着膜24を炭化硅素とすることもで
きる。
実施例3によって得られた第7図(A) 、(B)に示
すダイヤモンドドーム振動板21の音響定数は、密度3
〜3.4 (g/crn”) 、ヤング率5.9〜8.
2 x 1011(Pa)が得られ、音速は、第7図(
A)のものにおいては13000〜15000 tag
s 、第7図(B)に示すものにおいては14000〜
1θ000 tagsが得られる。この特性は従来のス
ピーカの周波数特性に対して約2゜6〜3.2倍にあた
る100KHzまで高域再生が可能なスピーカを得るこ
とができる。
すダイヤモンドドーム振動板21の音響定数は、密度3
〜3.4 (g/crn”) 、ヤング率5.9〜8.
2 x 1011(Pa)が得られ、音速は、第7図(
A)のものにおいては13000〜15000 tag
s 、第7図(B)に示すものにおいては14000〜
1θ000 tagsが得られる。この特性は従来のス
ピーカの周波数特性に対して約2゜6〜3.2倍にあた
る100KHzまで高域再生が可能なスピーカを得るこ
とができる。
[発明の効果]
この発明に係る音響用振動板によれば、音響定数に優れ
ており、特に高域における周波数特性を大幅に改善する
ことができて、高音用、中音用のスピーカに最適である
。また、ダイヤモンド特有の高強度、高剛性の特長によ
って分割振動を低減することができ、歪の少ないスピー
カとすることができる。
ており、特に高域における周波数特性を大幅に改善する
ことができて、高音用、中音用のスピーカに最適である
。また、ダイヤモンド特有の高強度、高剛性の特長によ
って分割振動を低減することができ、歪の少ないスピー
カとすることができる。
この発明に係る音響用振動板の製造法によれば、ダイヤ
モンド膜の生成に大量のガスを供給する熱プラズマCV
D法が用いられ、振動板基材を冷却しながらプラズマ放
射を行なうものであるから、振動板基材を溶融したり変
形したりすることなく振動根基村上に所定膜圧のダイヤ
モンド膜を形成することができ、また、その生成速度は
従来の10〜50倍の付着速度を得ることができると共
に振動板基材を移動させることにより多数枚処理するこ
とができるから量産性に優れ、特性的に優れた音響用振
動板を安価に製造することができる。
モンド膜の生成に大量のガスを供給する熱プラズマCV
D法が用いられ、振動板基材を冷却しながらプラズマ放
射を行なうものであるから、振動板基材を溶融したり変
形したりすることなく振動根基村上に所定膜圧のダイヤ
モンド膜を形成することができ、また、その生成速度は
従来の10〜50倍の付着速度を得ることができると共
に振動板基材を移動させることにより多数枚処理するこ
とができるから量産性に優れ、特性的に優れた音響用振
動板を安価に製造することができる。
また、このように基材上に所定膜圧のダイヤモンド膜を
迅速に形成することができることから、基材を金属材と
してダイヤモンド膜を形成したのちこの金属基材を溶解
させてダイヤモンド膜だけの振動板を得る場合において
も砥産が可能であり、この種の音響用振動板の製造法と
して最適である。
迅速に形成することができることから、基材を金属材と
してダイヤモンド膜を形成したのちこの金属基材を溶解
させてダイヤモンド膜だけの振動板を得る場合において
も砥産が可能であり、この種の音響用振動板の製造法と
して最適である。
第1図乃至第13図はこの発明に係る音響用振動板及び
その製造法の実施例を示し、第1図は熱プラズマCVD
法の実施に使用される機構図、第2図はプラズマジェッ
ト温度分布図、第3図及び第4図は放熱器の断面図、第
5図及び第6図は音響用振動板の断面図、第7図はダイ
ヤモンド膜だけの音響用振動板を製造する過程における
基材とダイヤモンド膜を示す断面図、第8図乃至第10
図はラマン分光特性図、第11図乃至第13図は音響用
振動板を組み込んだスピーカの周波数特性図である。 第14図は従来のダイヤモンド膜形成法の機構図、第1
5図は従来のダイヤモンド膜だけによる音響用振動板の
製造法における基材とダイヤモンド膜を示す断面図であ
る。 ■=プラズマトーチ、2:チャンバー、3:混合ガス4
:振動板基材、5:真空排気、6:冷却水、7:放熱器
8ニアノード、9:カソード、10:押え治具11:通
水路、12:セット部、15:セット部13: セラミ
ックパウダー 14:セラミックスパウダー、18:セラミック膜20
:金属基材、21: ドーム型振動板22:ダイヤモ
ンド膜、23:炭化チタン層24:蒸着膜 特許出願人 株式会社 ケンウッド第1図 第2図 mバY−― 第5図 第6図 第9図 +800 1600 1400 120
0 1000シ皮畏 (Cm−I) 12 酋 第10図 (A) 温長(cm−1) (B) 液長(cm−’) 第11図 B 第12図 B 第13図 B °[ ロ 裏
その製造法の実施例を示し、第1図は熱プラズマCVD
法の実施に使用される機構図、第2図はプラズマジェッ
ト温度分布図、第3図及び第4図は放熱器の断面図、第
5図及び第6図は音響用振動板の断面図、第7図はダイ
ヤモンド膜だけの音響用振動板を製造する過程における
基材とダイヤモンド膜を示す断面図、第8図乃至第10
図はラマン分光特性図、第11図乃至第13図は音響用
振動板を組み込んだスピーカの周波数特性図である。 第14図は従来のダイヤモンド膜形成法の機構図、第1
5図は従来のダイヤモンド膜だけによる音響用振動板の
製造法における基材とダイヤモンド膜を示す断面図であ
る。 ■=プラズマトーチ、2:チャンバー、3:混合ガス4
:振動板基材、5:真空排気、6:冷却水、7:放熱器
8ニアノード、9:カソード、10:押え治具11:通
水路、12:セット部、15:セット部13: セラミ
ックパウダー 14:セラミックスパウダー、18:セラミック膜20
:金属基材、21: ドーム型振動板22:ダイヤモ
ンド膜、23:炭化チタン層24:蒸着膜 特許出願人 株式会社 ケンウッド第1図 第2図 mバY−― 第5図 第6図 第9図 +800 1600 1400 120
0 1000シ皮畏 (Cm−I) 12 酋 第10図 (A) 温長(cm−1) (B) 液長(cm−’) 第11図 B 第12図 B 第13図 B °[ ロ 裏
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、振動板形状に形成したセラミックスの振動板基材の
少なくとも片面に、アルゴン、炭化水素及び水素の混合
したガスを熱プラズマ放射することにより結晶質ダイヤ
モンド膜を形成したことを特徴とする音響用振動板。 2、振動板基材が炭化硅素などの炭化物系セラミックス
であることを特徴とする請求項1記載の音響用振動板。 3、振動板基材が酸化アルミニウム又は酸化ジルコニウ
ムなどの酸化物系セラミックスであることを特徴とする
請求項1記載の音響用振動板。 4、振動板基材が窒化チタン又は窒化硼素などの窒化物
系セラミックスであることを特徴とする請求項1記載の
音響用振動板。 5、振動板形状に形成した金属振動板基材の少なくとも
片面に、アルゴン、炭化水素及び水素を混合したガスを
熱プラズマ放射することにより結晶質ダイヤモンド膜を
形成したことを特徴とする音響用振動板。 5、金属振動板基材をチタニウムとし、アルゴンと炭化
水素ガスを熱プラズマ放射することにより振動板基材面
に炭化チタン層を形成し、該炭化チタン層の上に、上記
アルゴンと炭化水素ガスに水素を加えて熱プラズマ放射
して結晶質ダイヤモンド膜を形成して、チタニウム、炭
化チタン及びダイヤモンドの三層の素材層からなること
を特徴とする請求項5記載の音響用振動板。 7、チタニウム、タンタル又はモリブデンで振動板形状
に形成した金属基材に、アルゴン、炭化水素及び水素の
混合ガスを熱プラズマ放射することにより結晶質のダイ
ヤモンドを堆積させてダヤモンド膜を形成したのち、金
属基材を溶解せしめてダイヤモンド膜で振動板形状とし
たことを特徴とする音響用振動板。 8、金属基材の表面に硅素又は炭化チタンを蒸着し、そ
の上にダイヤモンド膜を形成したのち、金属基材を溶解
せしめたことを特徴とする請求項7記載の音響用振動板
。 9、振動板形状に形成した金属基材の表面にダイヤモン
ド膜を形成したのち金属基材を溶解させて、ダイヤモン
ド膜だけで形成された振動板を得る音響用振動板の製造
法において、 チタニウム、タンタル又はモリブデンで振動板形状に形
成した金属基材に、アルゴン、炭化水素及び水素の混合
ガスを熱プラズマ放射することにより結晶質のダイヤモ
ンドを堆積させてダヤモンド膜を形成し、金属基材を溶
解させることを特徴とする音響用振動板の製造法。 10、金属基材の表面に硅素又は炭化チタンを蒸着し、
その上に結晶質ダイヤモンド膜を形成したのち、金属基
材を溶解せしめることを特徴とする請求項9記載の音響
用振動板の製造法。 11、振動板基材上に、アルゴン、炭化水素及び水素の
混合ガスを熱プラズマ放射して結晶質ダイヤモンド膜を
形成する音響用振動板の製造法において、 振動板基材と該振動板基材をセットすべき放熱器との間
にセラミックパウダーを充填すると共に放熱器を水冷し
て振動板を冷却することを特徴とする音響用振動板の製
造法。 12、充填されるべきセラミックパウダーが、ダイヤモ
ンド、立方晶窒化硼素及び炭化硅素によるセラミックス
であることを特徴とする請求項11記載の音響用振動板
の製造法。13、振動板基材上に、アルゴン、炭化水素
及び水素の混合ガスを熱プラズマ放射して結晶質ダイヤ
モンド膜を形成する音響用振動板の製造法において、 振動板基材を該振動板基材の形状に対応する形状のセッ
ト部を備えた放熱器にセットし、該放熱器を水冷するこ
とにより振動板基材を冷却することを特徴とする音響用
振動板の製造法。 14、放熱器のセット部の表面に、ダイヤモンド、立方
晶窒化硼素及び炭化硅素を蒸着してセラミックス膜を形
成して振動板基材の冷却効果を高めることを特徴とする
請求項13記載の音響用振動板の製造法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63110510A JPH0757039B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 音響用振動板及びその製造法 |
US07/347,027 US4987002A (en) | 1988-05-09 | 1989-05-04 | Process for forming a crystalline diamond film |
EP89108111A EP0341589B1 (en) | 1988-05-09 | 1989-05-05 | Method of and apparatus for manufacturing a crystalline diamond film for use as an acoustic diaphragm |
DE68923815T DE68923815T2 (de) | 1988-05-09 | 1989-05-05 | Verfahren und Gerät zur Herstellung einer kristaliner Diamantfilm zur Anwendung als Akustisches Diaphragm. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63110510A JPH0757039B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 音響用振動板及びその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01282999A true JPH01282999A (ja) | 1989-11-14 |
JPH0757039B2 JPH0757039B2 (ja) | 1995-06-14 |
Family
ID=14537613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63110510A Expired - Lifetime JPH0757039B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 音響用振動板及びその製造法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4987002A (ja) |
EP (1) | EP0341589B1 (ja) |
JP (1) | JPH0757039B2 (ja) |
DE (1) | DE68923815T2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0385099A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-10 | Kenwood Corp | スピーカ用振動板及びその製造法 |
JPH0471098U (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-23 | ||
EP0632675A1 (en) * | 1993-06-28 | 1995-01-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Diaphragm-edge integral moldings for speakers, acoustic transducers comprising same and method for fabricating same |
JP2006290687A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Univ Of Electro-Communications | 成型ダイヤモンド膜の製造方法 |
JP2007243279A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スピーカ用振動板およびこの振動板を用いたスピーカおよび電子機器 |
JP4861993B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2012-01-25 | エレメント シックス リミテッド | 被覆された剛い3次元構成部材 |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5413772A (en) * | 1987-03-30 | 1995-05-09 | Crystallume | Diamond film and solid particle composite structure and methods for fabricating same |
GB8912498D0 (en) * | 1989-05-31 | 1989-07-19 | De Beers Ind Diamond | Diamond growth |
US5190823A (en) * | 1989-07-31 | 1993-03-02 | General Electric Company | Method for improving adhesion of synthetic diamond coatings to substrates |
JPH0396200A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-22 | Kobe Steel Ltd | スピーカ用振動板 |
US5356672A (en) * | 1990-05-09 | 1994-10-18 | Jet Process Corporation | Method for microwave plasma assisted supersonic gas jet deposition of thin films |
US5492770A (en) * | 1990-08-03 | 1996-02-20 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for vapor deposition of diamond film |
US5260106A (en) * | 1990-08-03 | 1993-11-09 | Fujitsu Limited | Method for forming diamond films by plasma jet CVD |
US5310512A (en) * | 1990-11-15 | 1994-05-10 | Norton Company | Method for producing synthetic diamond structures |
CA2054050C (en) * | 1990-11-16 | 1998-07-07 | Louis K. Bigelow | Method and apparatus for making grit and abrasive media |
US5204145A (en) * | 1991-03-04 | 1993-04-20 | General Electric Company | Apparatus for producing diamonds by chemical vapor deposition and articles produced therefrom |
US5204144A (en) * | 1991-05-10 | 1993-04-20 | Celestech, Inc. | Method for plasma deposition on apertured substrates |
US5342660A (en) * | 1991-05-10 | 1994-08-30 | Celestech, Inc. | Method for plasma jet deposition |
US5411758A (en) * | 1991-10-09 | 1995-05-02 | Norton Company | Method of making synthetic diamond wear component |
US5270077A (en) * | 1991-12-13 | 1993-12-14 | General Electric Company | Method for producing flat CVD diamond film |
US5213248A (en) * | 1992-01-10 | 1993-05-25 | Norton Company | Bonding tool and its fabrication |
US5175929A (en) * | 1992-03-04 | 1993-01-05 | General Electric Company | Method for producing articles by chemical vapor deposition |
GB9214479D0 (en) * | 1992-07-08 | 1992-08-19 | Atomic Energy Authority Uk | Pressure transducers |
JPH0638295A (ja) * | 1992-07-15 | 1994-02-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | スピ−カ−用振動板及びその製造方法 |
US5337844A (en) * | 1992-07-16 | 1994-08-16 | Baker Hughes, Incorporated | Drill bit having diamond film cutting elements |
US5236545A (en) * | 1992-10-05 | 1993-08-17 | The Board Of Governors Of Wayne State University | Method for heteroepitaxial diamond film development |
US5314652A (en) * | 1992-11-10 | 1994-05-24 | Norton Company | Method for making free-standing diamond film |
CA2112308C (en) * | 1993-01-22 | 2000-08-15 | Louis K. Bigelow | Method of making white diamond film |
US5514242A (en) * | 1993-12-30 | 1996-05-07 | Saint Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Method of forming a heat-sinked electronic component |
JP3774904B2 (ja) * | 1994-01-27 | 2006-05-17 | 住友電気工業株式会社 | 平坦なダイヤモンド膜の合成法とダイヤモンド自立膜及びダイヤモンド膜の研磨方法 |
US5507987A (en) * | 1994-04-28 | 1996-04-16 | Saint Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. | Method of making a free-standing diamond film with reduced bowing |
US5587124A (en) * | 1994-07-05 | 1996-12-24 | Meroth; John | Method of making synthetic diamond film with reduced bowing |
US5527559A (en) * | 1994-07-18 | 1996-06-18 | Saint Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. | Method of depositing a diamond film on a graphite substrate |
US5551983A (en) * | 1994-11-01 | 1996-09-03 | Celestech, Inc. | Method and apparatus for depositing a substance with temperature control |
US5571332A (en) * | 1995-02-10 | 1996-11-05 | Jet Process Corporation | Electron jet vapor deposition system |
US5976206A (en) * | 1995-05-19 | 1999-11-02 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Method of making white diamond film |
US5679404A (en) * | 1995-06-07 | 1997-10-21 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Method for depositing a substance with temperature control |
US5620745A (en) * | 1995-12-19 | 1997-04-15 | Saint Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. | Method for coating a substrate with diamond film |
DE69722598T2 (de) * | 1996-03-18 | 2004-04-29 | Celestech, Inc., Irvine | Ablagerung von diamantfilm |
CA2173676A1 (en) * | 1996-03-18 | 1997-09-19 | Gregory Bak-Boychuk | Diamond film deposition |
US6406760B1 (en) | 1996-06-10 | 2002-06-18 | Celestech, Inc. | Diamond film deposition on substrate arrays |
US6173672B1 (en) | 1997-06-06 | 2001-01-16 | Celestech, Inc. | Diamond film deposition on substrate arrays |
JPH11355895A (ja) | 1998-06-12 | 1999-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スピーカ用振動板の製造方法 |
US7309446B1 (en) | 2004-02-25 | 2007-12-18 | Metadigm Llc | Methods of manufacturing diamond capsules |
GB0426143D0 (en) * | 2004-11-26 | 2004-12-29 | Element Six Ltd | Rigid three-dimensional components |
TW200708478A (en) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Kinik Co | Diamond vibrating membrane |
CN1925696B (zh) * | 2005-09-01 | 2010-10-13 | 中国砂轮企业股份有限公司 | 钻石振动膜 |
TWI452912B (zh) * | 2010-02-26 | 2014-09-11 | Usher Audio Thecnology Co Ltd | Acoustic horn diaphragm device |
GB201102547D0 (en) * | 2011-02-14 | 2011-03-30 | Element Six Ltd | Coated speaker dome and coated diamond products |
GB201911086D0 (en) * | 2019-08-02 | 2019-09-18 | Element Six Tech Ltd | Non-planar diomand body |
CN110784810B (zh) * | 2019-09-29 | 2021-03-30 | 歌尔科技有限公司 | 一种用于发声装置的导电膜以及发声装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4115721A (en) * | 1977-01-07 | 1978-09-19 | Louis E. Hay | Traveling wave device with unific composite metal dielectric helix and method for forming |
US4470479A (en) * | 1977-03-24 | 1984-09-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of making metal coated foil speaker diaphragm |
US4344503A (en) * | 1980-02-01 | 1982-08-17 | Nippon Gakki Seizo Kabushiki Kaisha | Diaphragm for electro-acoustic transducer |
JPS5711598A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-21 | Sony Corp | Acoustic diaphragm |
JPS60109998A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | スピ−カ用振動板の製造方法 |
US4772395A (en) * | 1984-04-11 | 1988-09-20 | Olin Corporation | Silicon carbide coated porous filters |
KR890003345B1 (ko) * | 1984-11-26 | 1989-09-18 | 삼성전자 주식회사 | 전기 저항용 비정질 닉켈 합금 |
JPS61128700A (ja) * | 1984-11-28 | 1986-06-16 | Showa Denko Kk | スピ−カ−用振動板 |
US4725345A (en) * | 1985-04-22 | 1988-02-16 | Kabushiki Kaisha Kenwood | Method for forming a hard carbon thin film on article and applications thereof |
EP0221531A3 (en) * | 1985-11-06 | 1992-02-19 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | High heat conductive insulated substrate and method of manufacturing the same |
JPS63107898A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-12 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | プラズマを用いるダイヤモンドの合成法 |
US4870672A (en) * | 1987-08-26 | 1989-09-26 | General Electric Company | Thermal emittance coating for x-ray tube target |
-
1988
- 1988-05-09 JP JP63110510A patent/JPH0757039B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-05-04 US US07/347,027 patent/US4987002A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-05 DE DE68923815T patent/DE68923815T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-05 EP EP89108111A patent/EP0341589B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0385099A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-10 | Kenwood Corp | スピーカ用振動板及びその製造法 |
JPH0471098U (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-23 | ||
EP0632675A1 (en) * | 1993-06-28 | 1995-01-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Diaphragm-edge integral moldings for speakers, acoustic transducers comprising same and method for fabricating same |
US5744761A (en) * | 1993-06-28 | 1998-04-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Diaphragm-edge integral moldings for speakers and acoustic transducers comprising same |
US6039145A (en) * | 1993-06-28 | 2000-03-21 | Matsushita Electric Industial Co., Ltd. | Diaphragm-edge integral moldings for speakers, acoustic transducers comprising same and method for fabricating same |
JP4861993B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2012-01-25 | エレメント シックス リミテッド | 被覆された剛い3次元構成部材 |
JP2006290687A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Univ Of Electro-Communications | 成型ダイヤモンド膜の製造方法 |
JP2007243279A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スピーカ用振動板およびこの振動板を用いたスピーカおよび電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4987002A (en) | 1991-01-22 |
DE68923815T2 (de) | 1996-04-18 |
DE68923815D1 (de) | 1995-09-21 |
EP0341589A2 (en) | 1989-11-15 |
EP0341589A3 (en) | 1991-11-21 |
EP0341589B1 (en) | 1995-08-16 |
JPH0757039B2 (ja) | 1995-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH01282999A (ja) | 音響用振動板及びその製造法 | |
US5186973A (en) | HFCVD method for producing thick, adherent and coherent polycrystalline diamonds films | |
JPH08151296A (ja) | 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法 | |
WO2002099879A1 (en) | Heat sink and its manufacturing method | |
JPH0948693A (ja) | 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法 | |
JPH08151295A (ja) | 単結晶ダイヤモンド膜気相合成用基板の製造方法 | |
JP2978023B2 (ja) | 合成ダイヤモンドフィルムの製造方法 | |
JPH03141193A (ja) | ダイヤモンド膜の被覆方法 | |
JPH0423480B2 (ja) | ||
JPH04139091A (ja) | ダイヤモンドの製造方法 | |
JPH089519B2 (ja) | 高圧相窒化ホウ素の気相合成法 | |
JPS5915983B2 (ja) | ホウ素被膜の形成方法 | |
JPH0649637B2 (ja) | 高硬度窒化ホウ素の合成法 | |
JPS63128179A (ja) | 硬質窒化硼素の合成方法および合成装置 | |
JPH0361369A (ja) | ダイヤモンド状炭素膜の製造方法 | |
JP3189833B2 (ja) | 硬質炭素膜および表面弾性波素子用基板 | |
JPH0385099A (ja) | スピーカ用振動板及びその製造法 | |
JPH07243044A (ja) | ダイヤモンドの気相合成法 | |
JPH01201098A (ja) | ダイヤモンドの合成方法 | |
JPH0524986A (ja) | ダイヤモンドの気相合成法 | |
JPS63199871A (ja) | 高硬度窒化ホウ素の合成法 | |
JPH0869974A (ja) | 半導体被膜の製造方法 | |
JPS6369973A (ja) | 立方晶系窒化ホウ素膜の製造方法 | |
JPH10259482A (ja) | 硬質炭素被膜の形成方法 | |
JPH11246299A (ja) | ダイヤモンド膜の形成方法 |