JPS63210276A - ミラー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はＣＶＤによるβ−ＳｉＣ被膜を有する部材に係
り、特にミラーとして好適なＳｉＣ被膜を有する部材に
関する。

［従来の技術］ 近年、高温高強度材料として、窒化珪素、炭化珪素、サ
イアロン等の非酸化物セラミックス、あるいは酸化アル
ミニウム、酸化ジルコニウム等、いわゆるニューセラミ
ックスが急速にクローズアップされ、多くの研究や開発
がなされている。

これらセラミックスのうち、炭化珪素（以下「ＳｉＣ」
と略記する。）は、 ■　軽い材料である。

■　常温から高温まで機械的強度が高く安定している。

■　熱膨張が小さく熱伝導性が良いため耐スポーリング
性に優れる。

■　耐食性が極めて大きい。

■　硬度が高く、耐摩耗性に優れる。

■　導電性があり電気素子としても使用できる。

などの特徴を有し、極めて重要な工業材料として注目さ
れている。

とりわけ、ＣＶＤ法等の気相法によって製造されるＳｉ
Ｃは、緻密で高純度であることから、これらの特性が著
しく高いため、気相法ＳｉＣ膜で被覆することにより、
各種部材の特性を改良する方法が従来より提案されてい
る。そして、例えば特開昭５９−９９４０１にはＣＶＤ
によりβ−ＳｉＣ被膜を形成したミラーか記載されてい
る。

［発明が解決しようとする問題点コ ＣＶＤによるＳｉＣ被膜を有する部材をミラーとして用
いる場合、基材表面に形成されたＳｉＣ被膜を研磨仕上
げしなければならないのであるが、ＳｉＣは極めて硬度
が高いので、従来のＳｉＣ被膜を有する部材では、良好
な反射率、散乱比を得るのが極めて困難であった。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は、理論反射率が高く、光学的特性に優れたＣＶ
Ｄ−３ｉＣ被膜を有する部材を提供するものであって、 基材上にＣＶＤによるβ−ＳｉＣ被膜が形成された部材
であって、該ＳｉＣのＣｕ　Ｋ　（１による（１１１１
面のＸ線回折線積分強度Ｉ　Ｎ１１１　　とその他の任
意の格子面のＸ線回折線積分強度ｌｘとの比Ｉ３，１目
／　Ｚ　Ｘか３０以上であることを特徴とするＳｉＣ被
膜を有する部材、 を要旨とするものである。

［作用］ 本発明の部材のＳｉＣ被膜は、結晶成長方向が（１１１
）方向にそろっているところから、高い屈折率が得られ
る。このため理論反射率が高く、光学的特性に優れた部
材が提供される。

［実施例コ 以下に図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。

第１図は本発明の実施例に係るＳｉＣ被月莫を有する部
材の部分断面図である。図示の如く、本発明のＳｉＣ被
膜を有する部材は、基材１上にＳｉＣ被膜２が形成され
た部材であって、該ＳｉＣのＣｕ　Ｋ　（１による（１
１１）面のＸ線回折線積分文強度Ｉ　ｃｌｌｌｌ　　と
その他の任意の格子面のＸ線回折線積分強度ＩＸとの比
Ｉ　（１１１１／　Ｉ　Ｘが３０以上であるものである
。

このように結晶方位がそろっていると屈折率が高く、高
い理論反射率が得られる。しかも、結晶成長方向がそろ
っているため、極めて研磨か容易であり、最終的な仕上
りが良くなり、良好な反射率、散乱比が得られる。

本発明において、基材１としては金属、セラミンク、合
成樹脂等各種のものが採用できる。

また、この基材１上に（１１１）方向に結晶成長方向が
配向したＳｉＣ被膜は、ＣＶＤ法によって形成される。

このＣＶＤ法の基本反応は良く知られてるところであり
、例えばＳ　ｉ　Ｃｆ１４等のハロゲン化珪素とＣ：＋
　Ｈａ等の炭化水素とをＮ２をキャリアガスとして流し
、ＳｉＣを析出させるものである。

なお、本発明では珪素原料ガス及び炭素原料ガスとして
、上記以外の各種のものを用い得る。

このＳｉＣ被膜を研磨する方法は特に限定されるもので
はなく、ホーニング、超仕上げ、研磨布加工、ラッピン
グ、ボリシング、バレル加工、超音波加工、ＥＥＭ（エ
ラスティックエミッションマシニング）、メカノケミカ
ルボリジング、フロートポリジングなど各種の方法が採
用できる。

以下、具体例について説明する。

本発明例として、反応焼結ＳｉＣ製基材に、温度：１５
００℃、原料ガス：　Ｓ　ｉＣＩｔ　４　、及び、Ｃ２
Ｈａ　ｓキャリアガス：Ｎ２、ガス流量：０．７．Ｑ／
ｍｉｎなる条件の下でβ−３ｉＣ被膜を形成した。

この被膜のＣｕＫａによるＸ線回折チャートは第２図の
通りであり、（１１１）面の反射強度とその他の反射強
度との比は第１表の通りである。

比較例として、Ｉ　＋１１１１　／　Ｉ　Ｘが３０未満
のＣＶＤ被膜を基材上に形成した。この被膜のＸ線回折
チャートを第３図に示す。この比較例の被膜の（１１１
）面の反射強度とその他の反射強度との比は第１表の通
りいずれも３０未満である。

第　　１　　表 各々の部材について、反射特性を調べたところ、本発明
の部材は、屈折率が高く、理論反射率か著しく高いため
、ミラーとして極めて優れた特性を有することが判明し
た。

なお、本発明例の被膜を回転研磨法で研磨したところ、
反射率９５％以上、散乱の信号と雑音の強度比が１００
００以上となった。

また、比較例の被膜を前記と同様に研磨したところ、反
射率は９０％以下であり、散乱の信号と雑音の強度比は
１０００以下となった。

このように本発明の部材は、極めて研磨し易い被膜を有
することが詔められた。

［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明のＳｉＣ被膜を有する部材は
、結晶方位が揃っているため屈折率が高く、理論反射率
が著しく高い。しかも、極めて研磨し易く、良好な反射
率、散乱比が得られる。また、表面はＳｉＣ層であるた
め、ＳｉＣの優れた耐食性、耐摩耗性を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＳｉＣ被膜を有する部材の部分断面図
、第２図は本発明に係るＳｉＣ被膜のＸ線回折チャート
、第３図は従来のＳｉＣ被膜のＸ線回折チャートである
。 工・・・基材、　　　　　　　２・・・被膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基材上にＣＶＤによるβ−ＳｉＣ被膜が形成され
   た部材であって、該ＳｉＣのＣｕＫ＿αによる（１１１
   ）面のＸ線回折線積分強度Ｉ＿（＿１＿１＿１＿）とそ
   の他の任意の格子面のＸ線回折線積分強度Ｉ＿Ｘとの比
   Ｉ＿（＿１＿１＿１＿）／Ｉ＿Ｘが３０以上であること
   を特徴とするＳｉＣ被膜を有する部材。