JPS63210276A - ミラー - Google Patents
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- JPS63210276A JPS63210276A JP4395787A JP4395787A JPS63210276A JP S63210276 A JPS63210276 A JP S63210276A JP 4395787 A JP4395787 A JP 4395787A JP 4395787 A JP4395787 A JP 4395787A JP S63210276 A JPS63210276 A JP S63210276A
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Landscapes
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はCVDによるβ−SiC被膜を有する部材に係
り、特にミラーとして好適なSiC被膜を有する部材に
関する。
り、特にミラーとして好適なSiC被膜を有する部材に
関する。
[従来の技術]
近年、高温高強度材料として、窒化珪素、炭化珪素、サ
イアロン等の非酸化物セラミックス、あるいは酸化アル
ミニウム、酸化ジルコニウム等、いわゆるニューセラミ
ックスが急速にクローズアップされ、多くの研究や開発
がなされている。
イアロン等の非酸化物セラミックス、あるいは酸化アル
ミニウム、酸化ジルコニウム等、いわゆるニューセラミ
ックスが急速にクローズアップされ、多くの研究や開発
がなされている。
これらセラミックスのうち、炭化珪素(以下「SiC」
と略記する。)は、 ■ 軽い材料である。
と略記する。)は、 ■ 軽い材料である。
■ 常温から高温まで機械的強度が高く安定している。
■ 熱膨張が小さく熱伝導性が良いため耐スポーリング
性に優れる。
性に優れる。
■ 耐食性が極めて大きい。
■ 硬度が高く、耐摩耗性に優れる。
■ 導電性があり電気素子としても使用できる。
などの特徴を有し、極めて重要な工業材料として注目さ
れている。
れている。
とりわけ、CVD法等の気相法によって製造されるSi
Cは、緻密で高純度であることから、これらの特性が著
しく高いため、気相法SiC膜で被覆することにより、
各種部材の特性を改良する方法が従来より提案されてい
る。そして、例えば特開昭59−99401にはCVD
によりβ−SiC被膜を形成したミラーか記載されてい
る。
Cは、緻密で高純度であることから、これらの特性が著
しく高いため、気相法SiC膜で被覆することにより、
各種部材の特性を改良する方法が従来より提案されてい
る。そして、例えば特開昭59−99401にはCVD
によりβ−SiC被膜を形成したミラーか記載されてい
る。
[発明が解決しようとする問題点コ
CVDによるSiC被膜を有する部材をミラーとして用
いる場合、基材表面に形成されたSiC被膜を研磨仕上
げしなければならないのであるが、SiCは極めて硬度
が高いので、従来のSiC被膜を有する部材では、良好
な反射率、散乱比を得るのが極めて困難であった。
いる場合、基材表面に形成されたSiC被膜を研磨仕上
げしなければならないのであるが、SiCは極めて硬度
が高いので、従来のSiC被膜を有する部材では、良好
な反射率、散乱比を得るのが極めて困難であった。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、理論反射率が高く、光学的特性に優れたCV
D−3iC被膜を有する部材を提供するものであって、 基材上にCVDによるβ−SiC被膜が形成された部材
であって、該SiCのCu K (1による(1111
面のX線回折線積分強度I N111 とその他の任
意の格子面のX線回折線積分強度lxとの比I3,1目
/ Z Xか30以上であることを特徴とするSiC被
膜を有する部材、 を要旨とするものである。
D−3iC被膜を有する部材を提供するものであって、 基材上にCVDによるβ−SiC被膜が形成された部材
であって、該SiCのCu K (1による(1111
面のX線回折線積分強度I N111 とその他の任
意の格子面のX線回折線積分強度lxとの比I3,1目
/ Z Xか30以上であることを特徴とするSiC被
膜を有する部材、 を要旨とするものである。
[作用]
本発明の部材のSiC被膜は、結晶成長方向が(111
)方向にそろっているところから、高い屈折率が得られ
る。このため理論反射率が高く、光学的特性に優れた部
材が提供される。
)方向にそろっているところから、高い屈折率が得られ
る。このため理論反射率が高く、光学的特性に優れた部
材が提供される。
[実施例コ
以下に図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第1図は本発明の実施例に係るSiC被月莫を有する部
材の部分断面図である。図示の如く、本発明のSiC被
膜を有する部材は、基材1上にSiC被膜2が形成され
た部材であって、該SiCのCu K (1による(1
11)面のX線回折線積分文強度I cllll と
その他の任意の格子面のX線回折線積分強度IXとの比
I (1111/ I Xが30以上であるものである
。
材の部分断面図である。図示の如く、本発明のSiC被
膜を有する部材は、基材1上にSiC被膜2が形成され
た部材であって、該SiCのCu K (1による(1
11)面のX線回折線積分文強度I cllll と
その他の任意の格子面のX線回折線積分強度IXとの比
I (1111/ I Xが30以上であるものである
。
このように結晶方位がそろっていると屈折率が高く、高
い理論反射率が得られる。しかも、結晶成長方向がそろ
っているため、極めて研磨か容易であり、最終的な仕上
りが良くなり、良好な反射率、散乱比が得られる。
い理論反射率が得られる。しかも、結晶成長方向がそろ
っているため、極めて研磨か容易であり、最終的な仕上
りが良くなり、良好な反射率、散乱比が得られる。
本発明において、基材1としては金属、セラミンク、合
成樹脂等各種のものが採用できる。
成樹脂等各種のものが採用できる。
また、この基材1上に(111)方向に結晶成長方向が
配向したSiC被膜は、CVD法によって形成される。
配向したSiC被膜は、CVD法によって形成される。
このCVD法の基本反応は良く知られてるところであり
、例えばS i Cf14等のハロゲン化珪素とC:+
Ha等の炭化水素とをN2をキャリアガスとして流し
、SiCを析出させるものである。
、例えばS i Cf14等のハロゲン化珪素とC:+
Ha等の炭化水素とをN2をキャリアガスとして流し
、SiCを析出させるものである。
なお、本発明では珪素原料ガス及び炭素原料ガスとして
、上記以外の各種のものを用い得る。
、上記以外の各種のものを用い得る。
このSiC被膜を研磨する方法は特に限定されるもので
はなく、ホーニング、超仕上げ、研磨布加工、ラッピン
グ、ボリシング、バレル加工、超音波加工、EEM(エ
ラスティックエミッションマシニング)、メカノケミカ
ルボリジング、フロートポリジングなど各種の方法が採
用できる。
はなく、ホーニング、超仕上げ、研磨布加工、ラッピン
グ、ボリシング、バレル加工、超音波加工、EEM(エ
ラスティックエミッションマシニング)、メカノケミカ
ルボリジング、フロートポリジングなど各種の方法が採
用できる。
以下、具体例について説明する。
本発明例として、反応焼結SiC製基材に、温度:15
00℃、原料ガス: S iCIt 4 、及び、C2
Ha sキャリアガス:N2、ガス流量:0.7.Q/
minなる条件の下でβ−3iC被膜を形成した。
00℃、原料ガス: S iCIt 4 、及び、C2
Ha sキャリアガス:N2、ガス流量:0.7.Q/
minなる条件の下でβ−3iC被膜を形成した。
この被膜のCuKaによるX線回折チャートは第2図の
通りであり、(111)面の反射強度とその他の反射強
度との比は第1表の通りである。
通りであり、(111)面の反射強度とその他の反射強
度との比は第1表の通りである。
比較例として、I +1111 / I Xが30未満
のCVD被膜を基材上に形成した。この被膜のX線回折
チャートを第3図に示す。この比較例の被膜の(111
)面の反射強度とその他の反射強度との比は第1表の通
りいずれも30未満である。
のCVD被膜を基材上に形成した。この被膜のX線回折
チャートを第3図に示す。この比較例の被膜の(111
)面の反射強度とその他の反射強度との比は第1表の通
りいずれも30未満である。
第 1 表
各々の部材について、反射特性を調べたところ、本発明
の部材は、屈折率が高く、理論反射率か著しく高いため
、ミラーとして極めて優れた特性を有することが判明し
た。
の部材は、屈折率が高く、理論反射率か著しく高いため
、ミラーとして極めて優れた特性を有することが判明し
た。
なお、本発明例の被膜を回転研磨法で研磨したところ、
反射率95%以上、散乱の信号と雑音の強度比が100
00以上となった。
反射率95%以上、散乱の信号と雑音の強度比が100
00以上となった。
また、比較例の被膜を前記と同様に研磨したところ、反
射率は90%以下であり、散乱の信号と雑音の強度比は
1000以下となった。
射率は90%以下であり、散乱の信号と雑音の強度比は
1000以下となった。
このように本発明の部材は、極めて研磨し易い被膜を有
することが詔められた。
することが詔められた。
[発明の効果]
以上詳述した通り、本発明のSiC被膜を有する部材は
、結晶方位が揃っているため屈折率が高く、理論反射率
が著しく高い。しかも、極めて研磨し易く、良好な反射
率、散乱比が得られる。また、表面はSiC層であるた
め、SiCの優れた耐食性、耐摩耗性を有する。
、結晶方位が揃っているため屈折率が高く、理論反射率
が著しく高い。しかも、極めて研磨し易く、良好な反射
率、散乱比が得られる。また、表面はSiC層であるた
め、SiCの優れた耐食性、耐摩耗性を有する。
第1図は本発明のSiC被膜を有する部材の部分断面図
、第2図は本発明に係るSiC被膜のX線回折チャート
、第3図は従来のSiC被膜のX線回折チャートである
。 工・・・基材、 2・・・被膜。
、第2図は本発明に係るSiC被膜のX線回折チャート
、第3図は従来のSiC被膜のX線回折チャートである
。 工・・・基材、 2・・・被膜。
Claims (1)
- (1)基材上にCVDによるβ−SiC被膜が形成され
た部材であって、該SiCのCuK_αによる(111
)面のX線回折線積分強度I_(_1_1_1_)とそ
の他の任意の格子面のX線回折線積分強度I_Xとの比
I_(_1_1_1_)/I_Xが30以上であること
を特徴とするSiC被膜を有する部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62043957A JPH0692634B2 (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | ミラー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62043957A JPH0692634B2 (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | ミラー |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63210276A true JPS63210276A (ja) | 1988-08-31 |
JPH0692634B2 JPH0692634B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=12678183
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62043957A Expired - Lifetime JPH0692634B2 (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | ミラー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0692634B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03126671A (ja) * | 1989-10-11 | 1991-05-29 | Nippon Pillar Packing Co Ltd | 複合材 |
JPH03162593A (ja) * | 1989-11-21 | 1991-07-12 | Hitachi Chem Co Ltd | プラズマエツチング用電極板及びその製造法 |
JPH04114971A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-15 | Nippon Pillar Packing Co Ltd | 複合材 |
JP2003114313A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Kiyousera Opt Kk | 反射鏡およびこれを用いた映像プロジェクタ装置 |
WO2014148149A1 (ja) * | 2013-03-22 | 2014-09-25 | イビデン株式会社 | ミラーおよびその製造方法 |
WO2015033806A1 (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-12 | イビデン株式会社 | 反射ミラー |
WO2016010151A1 (ja) * | 2014-07-18 | 2016-01-21 | イビデン株式会社 | ミラー |
CN110965123A (zh) * | 2019-12-03 | 2020-04-07 | 巩义市泛锐熠辉复合材料有限公司 | 一种致密单晶型SiC涂层的制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61251528A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Hoya Corp | ガラスレンズ成形のための金型及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-02-26 JP JP62043957A patent/JPH0692634B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61251528A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Hoya Corp | ガラスレンズ成形のための金型及びその製造方法 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0692634B2 (ja) | 1994-11-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |