KR20030031403A

KR20030031403A - 연마가공판

Info

Publication number: KR20030031403A
Application number: KR1020020030601A
Authority: KR
Inventors: 노구치히토시
Original assignee: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date: 2001-10-15
Filing date: 2002-05-31
Publication date: 2003-04-21
Also published as: JP2003117833A; US20030073393A1; US6860803B2; TWI256333B

Abstract

제조비용이 낮고, DLC, SiC, SiN, Si 등의 고경도 재료로 이루어지는 피가공물의 표면을 효율적으로 연마가공할 수 있음과 동시에, 매우 평활하게 할 수 있는 연마가공판을 제공한다.

피연마가공물과 미끄럼접촉시켜서 연마를 행하기 위한 연마가공판으로서, 적어도 기재와 연마재로 이루어지고, 상기 연마재는 상기 기재(2)의 피가공물과 미끄럼접촉되는 표면에 퇴적된 화학기상합성 다결정 다이아몬드막(3)인 것을 특징으로 하는 연마가공판(1).

Description

연마가공판{AN ABRASIVE MACHINING PLATE}

본 발명은 피연마가공물에 미끄럼접촉시켜서 연마를 행하기 위한 연마가공판에 관한 것으로, 구체적으로는 다이아몬드형상 카본 등의 경질의 재료를 평활화하기 위한 연마가공판에 관한 것이다.

전자재료로서 다이아몬드형상 카본(DLC), 탄화규소(SiC), 질화규소(SiN), 규소(Si) 등이 많이 사용되고 있다. 특히 DLC는 다이아몬드에 가까운 특성을 갖는데다가, 다이아몬드에 비하여 치밀하고 또한 대면적의 박막이 얻어지기 때문에, 기능성 재료로서 폭넓은 용도가 기대되고 있다. 구체적인 용도로서는, 예를 들면 자기디스크의 보호막, 광학부품의 보호막 등이 검토되고 있다.

이들 전자재료는, 누프경도(kgf/m㎡)로 각각, DLC : 2000∼5000, SiC : 3000∼4000, SiN : 1800, Si : 1200정도이고, 상당히 경질이다.

예를 들면 자기디스크 표면에 막형성된 DLC는 실용상 평활화가 필요하고, 종래, 합성다이아몬드, SiC, SiN, SiO₂등의 입자나 분산매를 포함하는 연마제를 함유시킨 수지패드에 피연마면을 대고 미끄럼접촉시킴으로써 평활화를 행하였다.

그러나, 이 방법에서는 연마제의 배출이 발생하기 쉽고, 피연마면에 균일하게 접촉되지 않기 때문에, 가공의 면내 균일성이 낮은 것, 또한 가공효율이 낮은 것도 문제로 되고 있었다.

다른 방법으로서, 기재에 합성다이아몬드 입자를 접착제로 접착한 것이나, 전해법으로 접착한 연마공구로 연마하는 방법도 제안되어 있지만, 피연마면의 표면조도를 Ra로 50㎚이하로 평활화 할 수 있는 미세한 입경의 합성다이아몬드를 기재에 균일하게 접착하는 것은 곤란하고, 더구나 대면적의 재료의 연마에 대응할 수 있는 50㎚지름 이상의 공구사이즈를 얻는 것은 불가능하다. 또한, 재료로 이루어지는 합성다이아몬드 미세지름입자 자체의 가격이 고가이고, 또한 접착공정도 복잡하기 때문에 공구의 제조비용면에서도 문제가 있었다.

본 발명은 이와 같은 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 제조비용이 낮고, DLC, SiC, SiN, Si 등의 고경도 재료로 이루어지는 피가공물의 표면을 효율적으로 연마가공할 수 있음과 동시에, 매우 평활하게 할 수 있는 연마가공판을 제공하는 것을 목적으로 한다.

도 1은 본 발명에 관한 연마가공판의 일예의 개략도,

도 2는 기재표면에 형성되는 홈 패턴의 일예를 나타낸 도면,

도 3은 기재표면에 형성되는 홈 패턴의 다른 예를 나타낸 도면,

도 4는 기재(웨이퍼)표면에 화학기상합성 다결정 다이아몬드막을 퇴적시키기 위한 마이크로파 CVD장치의 개략도이다.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >

1 : 연마가공판 2 : 기재

3 : 연마재(화학기상합성 다결정 다이아몬드막)

10 : 가스도입관 11 : 가스배출관

12 : 챔버 13 : 기재

14 : 마이크로파 전원 16 : 도파관

17 : 기대 18 : 마이크로파 CVD장치

20, 30 : 홈(홈 패턴) 21, 31 : 피연마가공면과의 접촉면

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의하면 피연마가공물과 미끄럼접촉시켜서 연마를 행하기 위한 연마가공판으로서, 적어도 기재와 연마재로 이루어지고, 상기 연마재는 상기 기재의 피가공물과 미끄럼접촉되는 표면에 퇴적된 화학기상합성 다결정 다이아몬드막인 것을 특징으로 하는 연마가공판이 제공된다.

이와 같이 기재 표면에 연마재로서 화학기상합성 다결정 다이아몬드막을 퇴적한 것이라면, 제조비용이 낮고, 여러 가지 형상의 기재 표면에 물질중 최고경도의 다이아몬드(누프경도 : 10000)가 소정 면조도 및 두께로, 균일하고 대면적으로 형성된 연마가공판으로 된다. 그리로 이와 같은 연마가공판이라면, 경질의 재료를 연마하는 경우에 있어서도 효율적으로 연마를 행할 수 있는데다가, 피연마면을 매우 평활하게 할 수 있다.

상기 연마재인 화학기상합성 다결정 다이아몬드막의 표면조도는 Ra로 0.1㎚∼500㎚인 것이 바람직하다.

화학기상합성 다결정 다이아몬드막의 표면조도에 관해서는 피가공물의 마무리면 조도에 대응한 것으로 하면 좋지만, 상기 범위의 표면조도이면, 예컨대 매우 높은 평탄도가 요구되는 식의 전자재료의 표면이어도 매우 평활하게 마무리할 수 있고, 목적에 따라서 적당히 조도가 다른 것을 사용하도록 할 수 있다.

또, 화학기상합성 다결정 다이아몬드막의 두께는 0.5㎛∼100㎛인 것이 바람직하다.

연마재인 다이아몬드막의 두께는 연마가공판의 수명과 관계하므로 요구되는 용도나 수명에 따라서 결정하면 되지만, 상기 범위의 두께의 다이아몬드막이면, 경질재료의 연마에 사용하여도 장기에 걸쳐서 우수한 연마효과를 발휘할 수 있다.

기재로서는, 원판형의 웨이퍼, 또는 상기 원판형의 웨이퍼에 노치 혹은 오리엔테이션 플랫이 형성된 것이 바람직하다.

본 발명에 관한 기재의 형상 등은 특히 한정되지 않지만, 원판형의 웨이퍼 등은 입수가 용이하므로 제조비용을 보다 낮게 억제할 수 있다. 또, 예를 들면 반도체 웨이퍼라면 적당한 경도를 가짐과 동시에 표면이 매우 평탄하기 때문에, 이것에 화학기상합성 다결정 다이아몬드막을 토적시킨 연마가공판을 사용하여 연마를 행하면, 피연마가공물을 매우 평활하게 마무리할 수 있다.

또, 기재는, 규소, 산화규소, 질화규소, 탄화규소, 또는 규소를 산화규소, 질화규소 혹은 탄호규소로 피복한 것으로 이루어지는 것이 바람직하다.

기재의 재질은, 피가공물의 재질이나 연마시에 사용되는 연마액의 종류 등에 따라서 적절히 선택하면 되지만, 상기 재질로 이루어지는 기재라면 기계적 특성 등이 우수함과 동시에, 기재 표면에 밀착성이 높은 화학기상합성 다결정 다이아몬드막이 비교적 용이하게 퇴적되어 연마가공판으로 할 수 있다.

또한 기재는, 적어도 상기 피가공물과 미끄럼접촉되는 표면에 홈 패턴이 형성된 것이고, 특히 5㎛이상의 깊이를 갖는 홈 패턴이 형성된 것이 바람직하다.

이와 같이 기재에 홈 패턴이 형성된 것이면, 이것에 다이아몬드막이 퇴적된 연마가공판도 홈 패턴이 반영된 것으로 된다. 이와 같은 연마가공판을 사용하여 연마를 행하면, 연마가루 및 연마제 또는 알칼리용액 등의 연마액이 효율적으로 홈을 통하여 연마면으로부터 제거되기 때문에, 연마얼룩 등이 발생하지 않고 피연마면을 매우 평활하게 마무리할 수 있음과 동시에, 연마가공의 효율을 향상시킬 수 있다.

이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

도 1은 본 발명에 관한 연마가공판의 일례의 개략을 나타낸 것이다. 연마가공판(1)은, 실리콘웨이퍼의 기재(2)와 연마재(3)로 이루어지고, 기재(2)의 피가공물과 미끄럼접촉되는 표면에 연마재로서의 화학기상합성 다결정 다이아몬드막이 균일하게 퇴적되어 있다.

본 발명의 연마가공판(다이아몬드 연마판)의 제조방법은 특히 한정되지 않지만, 화학기상합성 다이아몬드의 막형성 방법에는 예를 들면, DC아크방전, DC글로방전, 연소염, 고주파(R.F.), 마이크로파, 열필라멘트 등을 사용한 방법이 알려져 있고, 특히 마이크로파 CVD법 및 열필라멘트 CVD법에 의해, 대면적이고 또한 결정성이 좋은 경질의 다결정 다이아몬드막을 퇴적시킬 수 있다.

도 4는 기재상에 화학기상합성 다결정 다이아몬드막을 퇴적시킬 때에 사용되는 대표적인 마이크로파 CVD법에 의한 장치(18)의 개략을 나타내고 있다.

가스도입관(10)과 가스배출관(11)을 구비한 챔버(12) 내의 기대(17) 위에 웨이퍼 등의 기재(13)를 세트하고, 챔버(12) 내를 진공펌프로 10^-3Torr이하로 감압한다. 다음에 원료가스, 예를 들면 수소희석 메탄가스를 가스도입관(10)으로부터 챔버(12) 내로 도입한다. 다음에, 가스배출관(11)의 밸브를 조절하여 챔버(12) 내를 예를 들면 30Torr정도로 한 후, 마이크로파 전원(14) 및 도파관(16)으로부터 마이크로파를 인가하여 기재(13)상에 플라즈마를 발생시킨다. 이것에 의해 미세한 입경의 합성다이아몬드가 기재 표면에 균일하게 형성되어 다이아몬드막이 성장한다.

또, 다이아몬드의 막형성 전에, 기재 표면에 다이아몬드 현탁액을 도포하거나, 다이아몬드 현탁액에서의 초음파처리, 다이아몬드입자에서의 스크래치처리, 다이아몬드입자의 유동층에서의 처리 등을 실시함으로써 다이아몬드입자를 성장시키는 전처리를 하여 두면, 다이아몬드의 핵발생밀도가 향상되어 막두께가 얇고도 입경이 균일한 연속막을 대면적으로 바람직하게 형성시킬 수 있다. 이와 같이 기재상에 다이아몬드막을 성장시킴으로써 종래에 없는 50㎜지름 이상의 공구사이즈를 얻을 수 있다.

본 발명의 연마가공판에서는, 연마가공의 용도, 즉 피가공물의 재질이나 마무리면 조도에 따라서 필요로 하는 다이아몬드막을 최적인 조건으로 형성하면 되지만, 여러 가지 검토의 결과, 연마재인 화학기상합성 다결정 다이아몬드막의 표면조도를, Ra가 0.1㎚∼500㎚로 하면 자기디스크 보호막의 DLC를 연마하는 경우에도 면조도 Ra가 50㎚이하로 되도록 마무리할 수 있다. 또, 다이아몬드막의 두께는 주로 연마가공판의 수명과 관계되지만, 0.5㎛∼100㎛의 두께로 하면 제조비용을 낮게 억제할 수 있음과 동시에, 장기에 걸쳐서 우수한 연마효과를 발휘하여 DLC 등의 딱딱한 재질이라도 매우 평활하게 마무리할 수 있다.

상기와 같은 표면조도나 막두께의 화학기상합성 다결정 다이아몬드막을 얻는데는, 상기한 바와 같은 방법에 의한 다이아몬드의 막형성에 있어서, 원료가스 조성이나 압력, 인가전압, 막형성 시간 등을 제어함으로써 표면조도나 막두께를 소정의 것으로 할 수 있다.

기재의 형상이나 재질에 관해서는 표면에 화학기상합성 다결정 다이아몬드막을 퇴적시킬 수 있고, 이것을 연마가공판으로서 사용할 수 있는 것이면 특히 한정되지 않고, 피가공물의 형상이나 재질에 따라서 적절히 선택하면 된다.

예를 들면, 형상에 관해서는 원판형의 웨이퍼, 또는 상기 원판형의 웨이퍼에 노치 혹은 오리엔테이션 플랫이 형성된 형상이 바람직하다. 예를 들면, 원판형의 실리콘웨이퍼이면 반도체산업에서 입수가 용이하여 제조비용을 낮게 억제할 수 있다. 또, 실리콘웨이퍼는 표면이 매우 평탄하기 때문에 이것에 퇴적된 화학기상합성 다결정 다이아몬드막도 매우 평탄한 것으로 된다. 따라서, 이와 같은 연마가공판을 사용하여 연마를 행하면 피가공물을 매우 평활하게 마무리할 수 있다.

또, 기재의 재질에 관해서도 피가공물의 재질이나 연마시에 사용되는 연마액의 종류 등에 따라서, 즉 필요로 되는 기계적, 전기적 및 화학적 특성에 따라서 적절히 선택하면 되지만, 규소, 산화규소, 질화규소, 탄화규소, 또는 규소를 산화규소, 질화규소 또는 탄화규소로 피복한 것이라면, 기계적 특성 등이 우수함과 동시에, 기재 표면에 화학기상합성 다결정 다이아몬드막을 비교적 용이하게 퇴적시킬 수 있고, 밀착성도 좋다. 또한, 상기 재질이 조합된 기재로 하여도 좋다.

또한, 기재의 피가공물과 미끄럼접촉되는 표면에 소정의 홈 패턴이 형성되어 있는 것이라면, 홈 패턴은 연마가공판에 반영되어 연마중에 연마가루의 배출을 촉진하여 연마 균일성이나 연마효과를 향상시키는데 유효하게 된다.

도 2 및 도 3은 각각 피가공물과 미끄럼접촉되는 표면에 형성되는 홈 패턴의 일례를 나타낸 것이다.

도 2에서는, 중심으로부터 방사상으로 홈 패턴(20)이 형성되어 있고, 연마중에 공급되는 연마액은 홈(20)에 의해 균일하게 분산됨과 동시에, 여분의 연마가루는 홈(20)을 따라 이동하여 외측으로 배출되기 쉽게 되어 있다. 이와 같은 홈 패턴(20)이 형성된 연마가공판을 시계방향으로 회전시킴과 동시에 연마액을 공급하면서 피연마가공물과 미끄럼접촉시켜서 연마를 행하면, 피연마면에 연마얼룩 등이 발생하지 않고 매우 평활하게 마무리할 수 있다.

한편, 도 3의 홈 패턴(30)은 이른바 체크무늬이고, 이와 같은 홈 패턴(30)을 갖는 연마가공판도 홈(30)에 의해 연마액을 균일하게 분산하여, 연마가루 및 연마제 또는 연마액을 제거하는 효과가 있어, 피가공면에 연마얼룩을 발생하지 않고 연마가공을 효율적으로 행할 수 있다.

또한, 홈 패턴의 형상은 상기의 것에 한정되지 않고 적절히 결정하면 되지만, 실험의 결과, 피연마가공면과 연마가공판의 접촉면(21, 31), 즉 연마판의 최고 볼록부로부터 배출홈 최저 깊은곳 까지의 깊이(홈의 깊이)가 5㎛이상이고, 또한 연마가루 및 연마제 또는 연마액이 배출되기 쉬운 패턴으로 하면, 매우 균일한 연마를 행할 수 있는 것을 알았다.

이상과 같은 구조의 연마가공판은, 제조비용이 낮은 것으로 되고, 또 이것을 사용함으로써 고경도 재료의 표면연마가공을 효율적으로 행할 수 있는데다가, 피연마면을 매우 평활하게 마무리할 수 있다.

이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 들어서 구체적으로 설명한다.

(실시예 1)

기재로서, 직경 100㎜, 두께 2㎜, 방위 <100>의 양면연마 단결정 실리콘웨이퍼를 준비하고, 합성다이아몬드의 핵발생밀도를 향상시키기 위하여 다이아몬드입자의 유동층(평균입경 400㎛) 내에서 전처리를 행하였다.

상기 처리를 실시한 후, 도 4로 표시되는 바와 같은 마이크로파 CVD장치(18)의 챔버(12) 내 기대(17)상에 기재(웨이퍼)를 세트하였다. 다음에, 회전펌프로 10^-3Torr이하의 감압상태로 배기한 후, 메탄가스와 수소가스로 이루어지는 혼합가스를 가스도입관으로부터 공급하였다. 각 가스는 메탄가스를 20sccm, 수소가스를 980sccm으로 하고, 체적비율을 메탄가스/수소가스=2/98로 하였다. 그 후, 가스배출관의 밸브를 조절하여 챔버 내를 30Torr로 하고, 3000W의 마이크로파를 인가하여 플라즈마를 발생시켜, 기재상에 다이아몬드막의 막형성을 10시간 행하였다. 막형성시에 기재는 마이크로파 흡수로 발열하여 표면온도는 850℃에 도달하였다.

얻어진 다이아몬드막은 막두께가 약 5.0㎛의 연속막이고, 표면조도가 Ra로 21.1㎚이며, 전체적으로 균일성이 매우 양호하였다.

상기와 같이 제조된 연마가공판을, 연마장치의 연마판 부착축에 왁스로 고정하였다. 한편, 피연마가공물로서 최표면에 DLC가 0.2㎛의 두께로 막형성된 자기디스크(DLC피복 자기디스크)를 준비하고, 그 편면을 진공흡착하여 유지하였다. 연마가공에 있어서는, 연마가공판과 자기디스크를 가볍게 미끄럼접촉시킴과 동시에, 연마가공판과 자기디스크 사이에 알칼리 수용액을 공급하면서 연마를 행하였다.

그 결과, 연마전의 표면조도(Ra)가 거의 100㎚이었던 DLC표면을 10분의 연마가공으로 Ra가 3㎚로 되는 표면조도까지 평활화 할 수 있었다. 또, 면조도의 면내분포는 50㎜지름 내에서 평균값에 대하여 ±20%이었다.

즉, 상기 연마가공판을 사용하여 연마를 행함으로써 DLC표면을 매우 평활화 할 수 있고, 또 연마균일성도 매우 높았다.

(실시예 2)

기재로서, 직경 100㎜, 두께 2㎜, 방위 <100>의 양면연마 단결정 실리콘웨이퍼로서, 그 한쪽 표면에 도 2에 표시되는 깊이 0.5㎜의 홈 패턴을 형성한 것을 준비하였다. 그 기재상에 실시예 1과 같이 다이아몬드막을 퇴적시켜서 연마가공판을 제조하였다.

이 연마가공판을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여 DLC피복 자기디스크 표면의 연마가공을 행하였더니, 연마전 Ra가 100㎚이었던 DLC표면을, 5분의 연마가공으로 Ra가 3㎚로 되기까지 평활화 할 수 있었다. 또, 면조도의 면내분포는 50㎜지름 내에서 평균값에 대하여 ±5%이었다.

(실시예 3)

기재로서, 직경 100㎜, 두께 2㎜, 방위 <100>의 양면연마 단결정 실리콘웨이퍼로서, 그 한쪽 표면에 도 3에 나타낸 깊이 0.5㎜의 홈 패턴을 형성한 것을 준비하였다. 그후 기재상에 실시예 1과 같이 다이아몬드막을 퇴적시켜서 연마가공판을 제조하였다.

이 연마가공판을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여 DLC피복 자기디스크 표면의 연마가공을 행하였더니, 연마전 Ra가 100㎚이었던 DLC표면을, 역시 5분의 연마가공으로 Ra가 3㎚로 되기까지 평활화 할 수 있었다. 또, 면조도의 면내분포는 50㎜지름 내에서 평균값에 대하여 ±6%이었다.

(비교예)

DLC피복 자기디스크 표면의 연마가공을 화학적 기계적 연마(CMP)법에 의해 행하였다. 구체적으로는 평균입경 50㎚의 클러스터 다이아몬드를 pH=10의 알칼리액에 분산한 연마제를 함유시킨 수지패드에 접촉시킴으로써 평활화를 행하였다.

그 결과, 연마전 Ra가 100㎚이었던 DLC표면을, 240분의 연마가공으로도 Ra가 60㎚까지밖에 평활화 할 수 없었다. 또, 면조도의 면내분포는 50㎜지름 내에서 평균값에 대하여 ±26%이었다.

(기타 실시예)

기타 실시예에서 제조한 연마가공판과, 그것을 사용하여 연마를 행하였을 때의 연마가공조건 및 그 결과(연마후의 피연마가공물의 표면조도 및 면조도 분포)를 정리하여 표 1에 나타낸다. 또, 피연마가공물은 상기 실시예 1∼3과 같이 DLC피복 자기디스크이다.

다이아몬드막표면조도 Ra	21㎚	550㎚
홈 패턴	없음(평탄)	A	B	없음(평탄)	A	B
홈 깊이	0㎛	5㎛미만	5㎛이상	5㎛미만	5㎛이상	0㎛	5㎛미만	5㎛이상	5㎛미만	5㎛이상
10분 연마후의 DLC막의 표면조도 Ra50㎜지름 내의 면조도 분포	3㎚±20%	3㎚±20%	1㎚±5%	3㎚±20%	1㎚±6%	49㎚±22%	49㎚±22%	45㎚±5%	49㎚±22%	45㎚±6%

홈 패턴 A : 도 2에 대응 홈 패턴 B : 도 3에 대응

상기 실시예 1∼3 및 표 1의 결과로부터 명백한 바와 같이, 기재의 피가공물과 미끄럼접촉되는 표면에 화학기상합성 다결정 다이아몬드막이 퇴적된 연마가공판을 사용하여 연마를 행한 경우, 비교예로서 화학적 기계적 연마(CMP)법에 의해 연마가공을 행한 경우보다도 단시간의 연마에도 불구하고, DLC막의 표면조도는 대폭으로 개선되고, 또 면조도의 면내분포에 관해서도 모두 비교예에서 얻어진 것보다 작았다. 특히, 피연마면의 표면조도는 모두 Ra로 50㎚이하로 평활화할 수 있었다.

또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시이고, 본 발명의 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한구성을 가지며 동일한 작용효과를 이루는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

예를 들면, 상기에서는 연마재로서의 화학기상합성 다결정 다이아몬드막은 기재의 편면에만 형성시킨 경우를 예로 하여 설명하였지만, 본 발명은 이것에는 한정되지 않고, 기재의 양면 또는 전표면에 화학기상합성 다결정 다이아몬드를 형성한 연마가공판으로 하여도 좋다.

본 발명의 연마가공판은, 대면적의 다이아몬드막을 갖는 저비용의 연나가공판이기 때문에, 이 연마가공판을 사용하여 연마를 행하면, DLC, SiC, SiN, Si 등의 고경도 재료로 이루어지는 피연마가공물이라도 저비용으로 효율적으로 연마를 행할 수 있음과 동시에, 표면을 매우 평활하게 마무리할 수 있다.

Claims

피연마가공물과 미끄럼접촉시켜서 연마를 행하기 위한 연마가공판으로서, 적어도 기재와 연마재로 이루어지고, 상기 연마재는 상기 기재의 피가공물과 미끄럼접촉되는 표면에 퇴적된 화학기상합성 다결정 다이아몬드막인 것을 특징으로 하는 연마가공판.
제1항에 있어서, 상기 연마재인 화학기상합성 다결정 다이아몬드막의 표면조도는 Ra로 0.1㎚∼500㎚인 것을 특징으로 하는 연마가공판.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 연마재인 화학기상합성 다결정 다이아몬드막의 두께는 0.5㎛∼100㎛인 것을 특징으로 하는 연마가공판.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기재는 원판형의 웨이퍼, 또는 상기 원판형의 웨이퍼에 노치 또는 오리엔테이션 플랫이 형성된 것임을 특징으로 하는 연마가공판.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기재는 규소, 산화규소, 질화규소, 탄화규소, 또는 규소를 산화규소, 질화규소 혹은 탄화규소로 피복한 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연마가공판.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기재는 적어도 상기 피가공물과 미끄럼접촉되는 표면에 홈 패턴이 형성된 것임을 특징으로 하는 연마가공판.
제6항에 있어서, 상기 홈 패턴은 5㎛이상의 깊이를 갖는 것임을 특징으로 하는 연마가공판.