KR20090106214A - 일체형 다이아몬드 컨디셔너 및 그 제조방법 - Google Patents

일체형 다이아몬드 컨디셔너 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20090106214A
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송민석
정기정
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신한다이아몬드공업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 제조공정 중 웨이퍼를 연마하기 위한 화학기계적 연마장치에서 이용되는 다이아몬드 컨디셔너에 있어서, 일정간격으로 위치한 패턴을 포함하는 금속재질의 샹크; 상기 샹크 상에 상기 패턴을 따라 위치하는 세라믹 버퍼층; 및 상기 세라믹 버퍼층 상에 상기 패턴을 따라 위치하는 나노 다이아몬드층을 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 다이아몬드 컨디셔너 및 그 제조방법에 관한 것이다.
샹크, 세라믹 버퍼층, 다이아몬드층, CVD

Description

일체형 다이아몬드 컨디셔너 및 그 제조방법{An integrated diamond conditioner and fabrication method thereof}
본 발명은 일체형 다이아몬드 컨디셔너 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 일정간격으로 위치한 패턴을 포함하는 샹크 상에 세라믹 버퍼층이 위치하고 세라믹 버퍼층 상에 나노 다이아몬드층이 위치하는 일체형 다이아몬드 컨디셔너 및 그 제조방법에 관한 것이다.
고도의 표면 평탄성이 요구되는 재료의 대표적인 것으로는 반도체 집적회로(IC, LSI)를 제조하는 실리콘 웨이퍼를 들 수 있다. IC, LSI 등의 제조 공정에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼는 회로형성에 사용하는 각종 박막의 신뢰할 수 있는 반도체 접합을 구현해야 한다. 이를 위해서, 상기 실리콘 웨이퍼에 산화물층 또는 금속층을 형성하는 각 공정에서는, 표면을 높은 정밀도로 평탄하게 마무리하기 위한 연마공정을 수행한다. 이와 같은 연마공정에서는, 일반적으로 연마패드(polishing pad)가 플래튼(platen)이라 지칭되는 회전 가능한 지지 원반에 고착 되고, 실리콘 웨이퍼 등의 가공물은 웨이퍼 캐리어에 고착된다. 그리고, 쌍방의 운동에 의해 플래튼과 연마 헤드 사이에 상대 속도를 발생시키고, 연마용 입자를 포함하는 연마 슬러리를 연마패드 상에 연속적으로 공급함으로써, 연마 조작이 실행된다.
이러한 연마공정에 이용되는 CMP 장치에 관한 기술은 여러 특허에 이미 공지되어 있다.
대한민국 공개특허 1999-0064738에서는, 스테인레스 강판 평면 상에 감광 물질을 도포한 후 표면적에 1㎜ 이내의 규칙적인 점 형태 배열로 노광을 한다. 상기 노광된 면에 다이아몬드 입자를 살포한 다음 니켈도금으로 다이아몬드 입자를 전착한 후 감광물질이 도포된 부분을 제거한다. 그리고 니켈도금을 다시 수행하여 다이아몬드 입자층과 스테인리스 평면층의 높낮이 차로 균일한 형태의 니켈층으로 형성된 골 형상을 만든다. 이렇게 형성된 니켈층을 GC자석으로 드레싱 또는 샌딩을 하여 다이아몬드 입자의 노출을 일정하게 고른 다음 크롬도금으로 2 내지 3㎛ 크롬층을 형성하고 그 위에 CVD공법을 이용하여 5㎛의 다이아몬드 코팅 처리한 형상의 구조를 갖는 씨엠피 패드 드레싱 공구를 제공한다.
일본 공개특허 2003-094332　에서는 숫돌 기체(基?) 표면에 연마 입자층이 형성되고，이들 숫돌 기체 및 연마 입자층 상에，탄소를 주체로서 규소，불소，질소 중 적어도 한 종류 이상이 첨가되고 이러한 원소가 주로 하고 무정형 구조를 하고 일부에 결정질을 석출시키고 있는 보호 피막이 형성되고 있는 것을 특징으로 한 CMP 컨디셔너를 제공한다.
한편, 도 1은 종래의 다이아몬드 컨디셔너를 나타낸 부분단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 다이아몬드 컨디셔너(1)는 화학기계적 연마장치(미도시)에 결합되는 샹크(10), 상기 샹크(10) 상에 결합재(11)로 부착되고, 연마패드(13)를 연마하는 다이아몬드 입자(12)를 포함한다.
그러나, 이러한 종래의 다이아몬드 컨디셔너들은 샹크 상에 부착된 다이아몬드 입자의 사이즈 차이로 인해 화학기계적 연마장치의 연마패드의 표면이 불균일하게 연마되는 문제점이 발생한다. 그리고 샹크 상에 다이아몬드 입자가 연마공정 중 탈락되어 웨이퍼 표면에 스크래치를 남기는 문제점이 발생한다. 그리고 연마공정 중 발생하는 강산성 슬러리에 의해 다이아몬드 컨디셔너의 표면이 손상되는 문제점이 발생한다. 또한, 샹크가 세라믹 기판인 경우 가공비용이 너무 많이 소요되어 제조원가가 상승하는 문제점이 발생한다.
본 발명의 목적은 반도체 제조공정 중 웨이퍼 연마공정 시 이용되는 연마패드를 균일하게 연마할 수 있어, 연마패드의 상태가 최적으로 유지시켜 화학기계적 연마공정에 의한 웨이퍼 평탄화가 원활히 진행되게 하는 일체형 다이아몬드 컨디셔너를 제공하는 것이다. 강산성 슬러리에 대한 보호성 코팅이 필요없는 일체형 다이아몬드 컨디셔너를 제공하는 것이다. 또한, 다이아몬드 입자 탈락으로 인한 웨이퍼 스크래치를 방지할 수 있는 다이아몬드 컨디셔너를 제공하는 것이다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 반도체 제조공정 중 웨이퍼를 연마하기 위한 화학기계적 연마장치에서 이용되는 다이아몬드 컨디셔너에 있어서, 일정간격으로 위치한 패턴을 포함하는 금속재질의 샹크; 상기 샹크 상에 상기 패턴을 따라 위치하는 세라믹 버퍼층; 및 상기 세라믹 버퍼층 상에 상기 패턴을 따라 위치하는 나노 다이아몬드층을 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 다이아몬드 컨디셔너를 제공한다.
또한, 본 발명은 반도체 제조공정 중 웨이퍼를 연마하기 위한 화학기계적 연마장치에서 이용되는 다이아몬드 컨디셔너의 제조방법에 있어서, 샹크 물질로 금속재질을 제공하고, 상기 금속재질에 일정간격으로 패턴을 형성하여 샹크를 형성하고, 상기 샹크 상에 세라믹 버퍼층을 형성하고, 상기 샹크 상에 나노 다이아몬드층 을 화학기상증착법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 일체형 다이아몬드 컨디셔너의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 일체형 다이아몬드 컨디셔너를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마장치를 제공한다.
본 발명의 일체형 다이아몬드 컨디셔너는 일정간격의 패턴을 포함하므로, 반도체 제조공정 시 연마패드의 표면을 균일하게 연마할 수 있다. 균일한 연마로 인해 연마패드의 상태가 최적으로 유지되어 화학기계적 연마공정에 의한 웨이퍼 평탄화가 원활히 진행될 수 있고, 연마 패드의 재사용이 가능하다. 본 발명의 일체형 다이아몬드 컨디셔너는 강산성 슬러리에 대한 보호성 코팅을 하지 않아도 무방하므로, 공정 단가를 낮출 수 있고, 공정 시간을 단축할 수 있다. 그리고 세라믹 버퍼층과 다이아몬드층을 화학기상증착법으로 형성하므로, 제조비용을 절감시킬 수 있고, 다이아몬드 입자의 탈락을 방지할 수 있고, 입자가 탈락한다 하여도 나노사이즈이므로, 웨이퍼 표면의 스크래치도 방지할 수 있다. 또한 샹크를 저렴한 비용의 금속으로 형성할 수 있고, 세라믹 버퍼층에 의해 금속 샹크와 나노 다이아몬드층의 접착력을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면들에 있어서, 층이 다른 층 또는 기판 ‘상’있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 또한 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 일실시예를 따른 일체형 다이아몬드 컨디셔너를 나타낸 사시도이다.
도 2를 참조하면, 일체형 다이아몬드 컨디셔너(100)는 샹크(shank: 110), 샹크(110) 상에 위치하는 세라믹 버퍼층(120) 및 세라믹 버퍼층(120) 상에 위치하는 나노 다이아몬드층(130)을 포함한다.
샹크(110)는 화학기계적 연마장치의 모터 회전축에 일체형 다이아몬드 컨디셔너(100)를 연결시키는 기능을 수행하고, 일정간격으로 위치한 패턴을 포함한다. 일정간격은 300 내지 600㎛인 것이 바람직하고, 패턴이 상술한 간격으로 위치하면, 연마패드를 균일하게 연마할 수 있는 이점이 있다. 패턴은 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 정면에서는 사각형 또는 마름모꼴이나 도 5에서 도시된 바와 같이 단면에서는 사각형인 다면체일 수도 있고, 도 7에 도시된 바와 같이 각뿔형상일 수 있다. 하지만. 형상이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 샹크(110)의 형상은 특별히 한정하지 않으나, 컵형 또는 각진 도넛형인 것이 바람직하다. 샹크(110)는 금속재질이고, 바람직하게는 스테인레스 강, 탄소강 및 금형강 등의 철계 합금이다.
세라믹 버퍼층(120)은 샹크(110) 상에 패턴을 따라 균일한 두께로 위치하며, 나노 다아이몬드층(130)이 샹크(110) 상에 잘 접착될 수 있도록 보조해주는 역할을 한다. 한편, 일반적으로 샹크 물질을 금속재질로 하는 경우, 샹크층 상에 나노 다이아몬드층 증착이 어렵다. 그 원인은 여러 가지가 있으나, 그 중 하나는 스테인레스 등의 철계 합금의 경우, 합금 성분 중의 Fe이 탄소와 결합하여 탄소가 다이아몬드가 되는 것을 방해하는 것이다. 즉, 스테인레스 등의 철계 합금인 샹크(110) 상에 나노 다이아몬드층(130)을 직접 형성한다면, 나노 다이아몬드층(130)이 형성되지 않고, Fe이 나노 다이아몬드층(130)의 구성원소인 탄소와 결합하여 FeC가 형성된다. 이러한 문제를 방지하고자, 금속재질의 샹크(110)와 나노 다이아몬드(130) 사이에 세라믹 버퍼층(120)을 위치시킨다.
세라믹 버퍼층(120)의 두께는 0.1 내지 3㎛인 것이 바람직하고, 상술한 두께를 만족하면, 제조원가의 현저한 상승 없이도 나노 다이아몬드층(130)이 샹크(110) 상에 잘 접착할 수 있게 한다. 세라믹 버퍼층(120)은 Si, Si3N4, CrN, SiC 및 SiO2 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
나노 다이아몬드층(130)은 세라믹 버퍼층(120) 상에 패턴을 따라 균일한 두께로 위치하고, 고경도를 갖고 내마모성이 우수하므로 화학기계적 연마장치에서 연마 패드를 컨디셔닝하는 역할을 수행한다. 나노 다이아몬드층(130)의 두께는 1 내지 30㎛인 것이 바람직하다. 상술한 두께를 만족하면, 연마패드를 균일하게 연마할 수 있고 강산성 슬러리에 의해 표면이 손상되지 않는 이점이 있다.
이하, 본 발명의 일실시예를 따른 일체형 다이아몬드 컨디셔너의 제조방법을 설명한다.
우선, 샹크 물질을 제공하고, 원하는 형상을 갖도록 사출 성형한다. 상기 사출 성형된 샹크 물질에 패턴을 형성하여 샹크(110)을 제공한다. 이때, 패턴은 기계가공법 또는 식각법으로 형성하는 것이 바람직하고, 기계가공법으로 형성하는 것이 더 바람직하다. 여기서, 기계가공법은 여러 개의 절삭 날을 가진 커터가 다양한 방향으로 회전운동을 하며 공작물을 가공하는 것을 말한다. 기계가공법은 공작기계 또는 압연기ㆍ프레스 등의 기계를 사용하며, 이때 가공의 정도를 바꿈으로써 가공품의 성질을 조정할 수도 있다. 또한 가공 전후에 그 물품에 적당한 열을 가함으로써 가공정도를 더 높일 수가 있다. 가공 시 물품을 고온에서 가공하는 것을 열간가공(熱間加工), 가열하지 않고 실내온도 상태에서 가공하는 것을 냉간가공(冷間加工)이라 한다. 또한 식각법은 포토레지스트를 노광 및 현상하여 샹크 물질 상에 원하는 패턴을 형성한 후 식각액을 이용하여 샹크 물질을 식각한 후 포토레지스트 패턴을 제거하는 것을 말한다.
이어서, 샹크(110) 상의 패턴을 따라 균일한 두께로 세라믹 버퍼층(120)을 형성한다. 이때, 세라믹 버퍼층(120)은 화학기상증착법 또는 물리기상증착법으로 형성되는 것이 바람직하다.
세라믹 버퍼층(120)이 화학기상증착법으로 형성될 경우, 열분해법(pyrolysis driven by heat alone), 산화환원법 및 질화법 중에서 어느 하나에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 더 구체적으로 설명하면, Si인 세라믹 버퍼층은 SiH4를 열분해법에 의해 Si + 2H2으로 분해하여 형성하거나, SiCl4를 환원반응에 의해 Si + 4HCl으로 분해하여 형성할 수 있고, SiO2인 세라믹 버퍼층은 SiH4를 산화반응에 의해 SiO2 + 2H2으로 분해하여 형성할 수 있다.
세라믹 버퍼층(120)이 물리기상증착법으로 형성될 경우에는 하기의 조건에서 수행된다. 더 구체적으로 설명하면, CrN인 세라믹 버퍼층은 타겟이 Cr이고, 기판온도가 400 내지 440℃, 공정압력 1.5×10-2mbar, 질소유량 130 내지 170sccm인 조건에서 수행된다. 또한, Si3N4인 세라믹 버퍼층은 타겟은 Si이고, 기판온도 455 내지 495℃, 공정압력 1.3×10-2 mbar, 질소유량 180 내지 220sccm인 조건에서 수행된다. 상기 조건은 당업자 수준에서 변경 가능하므로, 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 세라믹 버퍼층(120) 상에 패턴을 따라 균일한 두께로 화학기상증착법에 의해 상기 나노 다이아몬드층(130)을 형성한다. 이때, 나노 다이아몬드층(130)은 화학기상증착법은 고온필라멘트 화학기상증착법, 고주파플라즈마 화학기상증착법, 마이크로파 플라즈마 화학기상증착법, DC 플라즈마 화학기상증착법, DC ARC JET 화학기상증착법, 산소-아세틸렌 불꽃 화학기상증착법 및 전자공명 플라즈마 화학기상증착법 중에서 선택되는 어느 하나인 화학기상증착법에 의해 형성되는 것이 바람직하다.
나노 다이아몬드층(130)을 고온필라멘트 화학기상증착법으로 형성할 경우, 필라멘트와 기판 사이의 거리가 4 내지 15㎜이고, 필라멘트 온도가 1900 내지 2300℃이고, 기판온도가 700 내지 1100℃이고, 메탄(CH4) 1% + 수소(H2) 99%의 혼합가스를 유량 30 내지 1000sccm으로 공급하고, 공정압력 2.5 내지 300Torr로 유지하는 조건에서 증착을 수행한다. 이때, 실란(SiH4)가스를 첨가할 수 있는데 이 경우, 가스의 유량은 1 내지 3sccm있으며, 바람직하게는 2sccm일 수 있다. 또한, 실란가스의 유량은 전체주입가스의 2.5 내지 20%일 수 있다. 여기서, 실란가스는 다이아몬드의 미세조직이 증가시키는 역할을 수행한다. 또한, 탄화수소(메탄)의 농도를 증가시키면, 필라멘트 표면에 흑연이 도포되어, 텅스텐 필라멘트의 기상 활성화 효과가 감소하고, 이로 인해 박막 내의 비정질 탄소나 흑연 같은 불순물이 게재되어 다이아몬드층의 품질이 저하된다.
도 7은 본 발명의 일실시예를 따른 화학기계적 연마장치의 사시도이고, 도 8은 도 7의 단면도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 화학기계적 연마장치는 일체형 다이아몬드 컨디셔너(100), 플래튼(platen)부(200), 연마헤드부(300) 및 슬러리 공급장치(500)를 포함한다.
일체형 다이아몬드 컨디셔너(100)는 샹크(110), 세라믹 버퍼층(120) 및 나노 다이아몬드층(130)을 포함한다. 일체형 다이아몬드 컨디셔너(100)에 대한 설명은 도 2에 대한 설명에서 기재하였으므로 생락한다.
플래튼부(200)는 일방향으로 회전 가능한 제 1 스핀들(spindle: 210), 상기 제 1 스핀들(210)과 연결된 원반형태의 플래튼(220) 및 상기 플래튼(220) 상에 부착된 연마패드(220)를 포함한다.
연마헤드부(300)는 플래튼부(200) 상부에 위치한다. 또한, 연마헤드부(300)는 플래튼부(200)의 회전방향과 반대방향으로 회전가능한 제 2 스핀들(310), 제 2 스핀들(310)과 연결되고 웨이퍼(400)을 지지하기 위한 웨이퍼 캐리어(wafer carrier: 320), 웨이퍼 캐리어(320) 하부에 위치하고 반도체 웨이퍼의 휨(warpage)의 영향을 축소시키기 위한 웨이퍼 쿠션(wafer cushion: 330)를 포함한다.
슬러리 공급장치(500)는 연마패드(130) 상에 위치하고, 연마패드(130)에 슬러리(500a)를 공급한다. 슬러리(500a)는 웨이퍼(400) 표면과 상기 연마패드(130) 사이에 유입되어, 연마 속도를 조절한다.
화학기계적 연마장치를 이용한 연마공정은 다음과 같다.
우선, 플래튼(220)과 연마헤드부(300)의 회전 및 요동 운동에 의해 웨이퍼(400)의 요철부분을 평탄화시키고, 그 후 웨이퍼(400)를 일정의 위치로 이송한다. 다음, 다이아몬드 컨디셔너(100)가 연마패드(230)의 상부로 이동하여 연마패 드(230)의 컨디셔닝을 시작하다. 컨디셔닝 종료 후 다이아몬드 컨디셔너(100)의 표면을 탈이온수에 의해 세척함으로써, 컨디셔닝 과정 중에 다이아몬드 컨디셔너(100)에 흡착된 연마액 또는 연마 부산물을 제거한다.
본 발명의 일체형 다이아몬드 컨디셔너는 일정간격의 패턴을 포함하므로, 반도체 제조공정 시 연마패드의 표면을 균일하게 연마할 수 있다. 균일한 연마로 인해 연마패드의 상태가 최적으로 유지되어 화학기계적 연마공정에 의한 웨이퍼 평탄화가 원활히 진행될 수 있고, 연마 패드의 재사용이 가능하다. 본 발명의 일체형 다이아몬드 컨디셔너는 강산성 슬러리에 대한 보호성 코팅을 하지 않아도 무방하므로, 공정 단가를 낮출 수 있고, 공정 시간을 단축할 수 있다. 그리고 세라믹 버퍼층과 다이아몬드층을 화학기상증착법으로 형성하므로, 제조비용을 절감시킬 수 있고, 다이아몬드 입자의 탈락을 방지할 수 있고, 입자가 탈락한다 하여도 나노사이즈이므로, 웨이퍼 표면의 스크래치도 방지할 수 있다. 또한 샹크를 저렴한 비용의 금속으로 형성할 수 있고, 세라믹 버퍼층에 의해 금속 샹크와 나노 다이아몬드층의 접착력을 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래의 다이아몬드 컨디셔너를 나타낸 부분단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예를 따른 일체형 다이아몬드 컨디셔너를 나타낸 사시도이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일실시예를 따른 일체형 다이아몬드 컨디셔너의 패턴 형상을 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일실시예를 따른 화학기계적 연마장치를 도시한 사시도이고, 도 8는 도 7의 단면도이다.

Claims (12)

  1. 반도체 제조공정 중 웨이퍼를 연마하기 위한 화학기계적 연마장치에서 이용되는 다이아몬드 컨디셔너에 있어서,
    일정간격으로 위치한 패턴을 포함하는 금속재질의 샹크;
    상기 샹크 상에 상기 패턴을 따라 위치하는 세라믹 버퍼층; 및
    상기 세라믹 버퍼층 상에 상기 패턴을 따라 위치하는 나노 다이아몬드층을 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 다이아몬드 컨디셔너.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 샹크는 철계 합금인 것을 특징으로 하는 일체형 다이아몬드 컨디셔너.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 일정간격은 300 내지 600㎛인 것을 특징으로 하는 일체형 다이아몬드 컨디셔너.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 나노 다이아몬드층의 두께는 1 내지 30㎛인 것을 특징으로 하는 일체형 다이아몬드 컨디셔너.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 세라믹 버퍼층의 두께는 0.1 내지 3㎛인 것을 특징으로 하는 일체형 다이아몬드 컨디셔너.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 세라믹 버퍼층은 Si, Si3N4, CrN, SiC 및 SiO2 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 다이아몬드 컨디셔너.
  7. 반도체 제조공정 중 웨이퍼를 연마하기 위한 화학기계적 연마장치에서 이용되는 다이아몬드 컨디셔너의 제조방법에 있어서,
    샹크 물질로 금속재질을 제공하고,
    상기 금속재질에 일정간격으로 패턴을 형성하여 샹크를 형성하고,
    상기 샹크 상에 세라믹 버퍼층을 형성하고,
    상기 샹크 상에 나노 다이아몬드층을 화학기상증착법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 일체형 다이아몬드 컨디셔너의 제조방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 패턴은 기계가공법 또는 식각법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 일체형 다이아몬드 컨디셔너의 제조방법.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 세라믹 버퍼층은 화학기상증착법 또는 물리기상증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 일체형 다이아몬드 컨디셔너의 제조방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 세라믹 버퍼층은 열분해법, 산화환원반응 및 질화법 중에서 선택되는 어느 하나인 화학기상증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 일체형 다이아몬드 컨디셔너의 제조방법.
  11. 청구항 7에 있어서,
    상기 나노다이아몬드층은 고온필라멘트 화학기상증착법, 고주파플라즈마 화학기상증착법, 마이크로파 플라즈마 화학기상증착법, DC 플라즈마 화학기상증착법, DC ARC JET 화학기상증착법, 산소-아세틸렌 불꽃 화학기상증착법 및 전자공명 플라즈마 화학기상증착법 중에서 선택되는 어느 하나인 화학기상증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 일체형 다이아몬드 컨디셔너의 제조방법.
  12. 청구항 1의 일체형 다이아몬드 컨디셔너를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2013166516A1 (en) * 2012-05-04 2013-11-07 Entegris, Inc. Cmp conditioner pads with superabrasive grit enhancement

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