JP2007002268A - 研磨用部材の表面処理方法及びその物品 - Google Patents
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Abstract
本発明は半導体LSIデバイス表面の超平滑化や、それらを加工するための精密仕上げ加工仕上げに用いられる研磨用設備、特に各部品を超平滑化するための研磨用部材の耐摩耗性、耐食性、耐汚染性など性能を高品質化するために提供されたもので、研磨用部材を減圧下において、負の高周波パルス電圧を印加して、カーボン+ケイ素イオン注入と傾斜構造を持った高品位な炭素膜膜を被覆した物品を提供するものである。
【解決手段】
プラズマベースイオン注入・成膜法を用いて、2種類以上の材質の異なる部材に対して、真空中で少なくとも一原子以上のカーボンとケイ素を含有する炭化水素系/ケイ素系混合ガスを導入してプラズマを発生させ、負の高周波パルス電圧を印加して、カーボン+ケイ素イオン注入と傾斜構造を持った高品位な炭素膜膜を形成した研磨用部材及びその表面処理方法を提供する。
【選択図】 図1
Description
本発明の炭素膜を成膜した研磨用部材では、カーボン+ケイ素イオン注入効果により、金属の溶出も低減効果に有用であることも判り、さらに均一な炭素膜の成膜により不純物の溶出が全く検出されない研磨用部材を得ることが可能となった。本発明の被処理物の表層より10nm以上のカーボンイオン注入層が形成され、元のカーボン元素濃度より数10at%以上高めた表面層の上に炭素膜を成膜することにより、イオン注入された基材は原子間距離を縮め、金属溶出を押さえているものと推察される。
まず、本発明の各種基材への表面処理方法に用いるプラズマベースイオン注入・成膜装置の概略構成を図1に基づいて説明する。この装置は、研磨用部材1をセットする架台2を内蔵する真空チャンバー3を具えている。セット架台は負電圧印加のための電極を兼ねている。真空チャンバー3は、排気装置4により内部を所定の真空度に保持することができる。この装置は、所定の炭化水素系ガスを、導入口5を通して導入され、炭化水素系ガスプラズマを形成させ、またケイ素系元素をイオン注入するための有機金属ガス導入源6も設けられている。
以下実施例に基づき説明する。
図1のようなプラズマベースイオン注入・成膜装置を用いて、図中のA展開図に示すように研磨用部材1に設けられたステンレス基材部に、分析用テストピースc、dを多数貼り付け、分析評価用に用いた。実験は次の条件でプラズマを発生させ、カーボンイオン注入+炭素膜の成膜を行い性能評価した。
注入使用ガス種:アセチレン/テトラメチルシラン混合ガス
注入ガス混合比:アセチレン50/テトラメチルシラン50
炭素膜使用ガス種:アセチレン/トルエン混合ガス
炭素膜ガス混合比:アセチレン40/トルエン60
注入・成膜時圧力:0.5Pa〜1.0Pa
注入エネルギー:15keV、20keV
成膜エネルギー:10keV→5keV
注入時間:30分
炭素膜成膜時間:180分
印加周波数:2000Hz
さらに、炭素膜厚の均一性をシリコンウエハー面で各3点づつ測定した結果、平均3μm弱の膜厚に対して、±0.3μmの誤差範囲で炭素膜成膜が出来ることが判った。
図1のようなプラズマベースイオン注入・成膜装置を用いて、図中のA展開図に示すように研磨用部材1に設けられたステンレス基材部に、分析用テストピースc、dを多数貼り付け、分析評価用に用いた。実験は次の条件でプラズマを発生させ、カーボンイオン注入+炭素膜の成膜を行い性能評価した。
注入使用ガス種:アセチレン/トルエン/テトラメチルシラン混合ガス
注入ガス混合比:アセチレン30/トルエン40/テトラメチルシラン30
炭素膜使用ガス種:アセチレン/トルエン混合ガス
炭素膜ガス混合比:アセチレン70/トルエン30
注入・成膜時圧力:0.5Pa〜1.0Pa
注入エネルギー:20keV、30keV
成膜エネルギー:10keV→3keV
注入時間:30分
炭素膜成膜時間:180分
印加周波数:3000Hz
さらに、炭素膜厚の均一性を各3点づつ測定した結果、平均3μmの膜厚に対して、±0.3μmの誤差範囲で炭素膜成膜が出来ることが判った。
2 架台
3 真空チャンバー
4 排気装置
5 炭化水素ガス導入口
6 有機金属ガス導入口
7 高電圧負パルス電源
8 高周波(RF)電源
9 高電圧用フィードスルー
10 絶縁碍子
11 重畳装置
12 シールドカバー
13 ICP外部電源
Claims (10)
- 0.1〜10Paの真空中でカーボンガスプラズマを発生させ、この中にステンレス鋼、チタン合金、純ニッケル、ニッケル・クロム合金、ニッケル・コバルト合金、ダイヤモンド、炭化珪素等の材料からなる研磨用部材をさらし、研磨用部材に1〜50keV、100〜5000サイクルの高電圧負パルスを印加して、カーボンイオンを研磨用部材表面に注入することを特徴とする研磨用部材の表面処理方法。
- 非処理物である研磨用部材を0.1〜10Paの真空中にセットし、ここに炭化水素系ガスとケイ素系ガスの混合ガスを導入して高周波電力の供給によりプラズマを発生させ、研磨用部材に1〜30keV、500〜5000サイクルの高圧負パルスを印加して、カーボンとケイ素イオンを研磨用部材に同時イオン注入し、その後カーボンを主体とする硬質炭素膜層を表層に堆積することを特徴とする研磨用部材の表面処理方法。
- 非処理物である研磨用部材を0.1〜10Paの真空中にセットし、ここに炭化水素系ガスとケイ素系ガスを混合して導入して高周波電力の供給によりプラズマを発生させ、研磨用部材に1〜30keV、500〜5000サイクルの高圧負パルスを印加して、カーボンとケイ素イオンを研磨用部材に同時イオン注入し、その後ケイ素を含有する硬質炭素膜層を表層に堆積することを特徴とする研磨用部材の表面処理方法。
- 炭化水素系ガスとして、メタン、アセチレン、ベンゼン、トルエン及びシクロヘキサノン、クロロベンゼン、二フッ化炭素、四フッ化炭素等のガスから選択される、少なくとも1種類以上と、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラメチルシラン、ヘキサメチルジシロキサン等のガスから選択される、少なくとも1種類以上を主成分としたガスを混合して使用し、カーボンイオンとケイ素イオンを同時に注入した後、ケイ素を含有する硬質炭素膜層を形成したことを特徴とする請求項3に記載の研磨用部材の表面処理方法。
- 少なくとも研磨用部材への印加電圧が10keV以上で、カーボンイオン注入時間が20〜120分であることを特徴とする請求項2に記載の研磨用部材の表面処理方法。
- 研磨用部材が主としてステンレス鋼、チタン合金をベースにして、ダイヤモンド微粒子あるいは炭化珪素微粒子を純ニッケル、ニッケルクロム合金、ニッケルコバルト合金等で電気めっきにより固定化された複合部材からなることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の研磨用部材の表面処理方法。
- 金属および研磨砥粒を固定したニッケル系部材に、カーボンイオン注入層を部材表層より10nm以上イオン注入したことを特徴とする請求項6に記載の研磨用部材の表面処理方法。
- 金属および研磨砥粒を固定したニッケル系部材に、カーボンイオン注入層を部材表層より内部のカーボン濃度が10at%以上であることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の研磨用部材の表面処理方法。
- 研磨用部材表面にカーボンイオンとケイ素イオンを注入後、継続してケイ素を含有する硬質炭素膜層を少なくとも1μm以上と、カーボンを主体とする炭素膜層を少なくとも1μm以上成膜して、金属の溶出を低減したことを特徴とする請求項1に記載の研磨用部材の表面処理方法。
- 請求項1から9のいずれかに記載の方法を用いて製造した研磨用部材からなる物品。
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JP2005180027A JP2007002268A (ja) | 2005-06-21 | 2005-06-21 | 研磨用部材の表面処理方法及びその物品 |
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