JP2001203190A - 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置用部品及び半導体製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウェハを汚染することなく長期にわ
たって安定して使用することができる半導体製造装置用
部品及びこれを用いた半導体製造装置を提供すること。 【解決手段】 プラズマを利用した半導体製造装置に使
用される半導体製造装置用部品１において，半導体製造
装置用部品１は，ＣＶＤ法により形成された炭化珪素よ
りなる炭化珪素体からなる。かつ，炭化珪素体は，Ｘ線
回折パターンにおける，（１１１）面のピーク強度を
Ａ，（２２０）面のピーク強度をＢとした場合，Ａ／Ｂ
が１以上である。
たって安定して使用することができる半導体製造装置用
部品及びこれを用いた半導体製造装置を提供すること。 【解決手段】 プラズマを利用した半導体製造装置に使
用される半導体製造装置用部品１において，半導体製造
装置用部品１は，ＣＶＤ法により形成された炭化珪素よ
りなる炭化珪素体からなる。かつ，炭化珪素体は，Ｘ線
回折パターンにおける，（１１１）面のピーク強度を
Ａ，（２２０）面のピーク強度をＢとした場合，Ａ／Ｂ
が１以上である。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は，プラズマを利用した半導体製造
装置に使用される部品に関する。
装置に使用される部品に関する。
【０００２】
【従来技術】半導体の製造工程においては，プラズマを
利用した半導体製造装置が用いられる。例えば，プラズ
マエッチング装置は，露光・現像工程を経たシリコンウ
ェハをガスプラズマにさらすことにより，感光膜におけ
る感光領域のみを選択的に除去してシリコン面を露出さ
せる処理を行う。プラズマエッチング装置は，後述する
図３に示すごとく，そのチャンバ５１内に配設された上
下一対の電極５２，５３を備えてなり，上部電極５２か
ら下部電極５３へ向けてガスプラズマが供給されるよう
構成されている。そして，下部電極５３の上面に被処理
材としてのシリコンウェハ８を載置してガスプラズマの
照射を行うことにより，上記のシリコン面の露出処理を
行うことができる。
利用した半導体製造装置が用いられる。例えば，プラズ
マエッチング装置は，露光・現像工程を経たシリコンウ
ェハをガスプラズマにさらすことにより，感光膜におけ
る感光領域のみを選択的に除去してシリコン面を露出さ
せる処理を行う。プラズマエッチング装置は，後述する
図３に示すごとく，そのチャンバ５１内に配設された上
下一対の電極５２，５３を備えてなり，上部電極５２か
ら下部電極５３へ向けてガスプラズマが供給されるよう
構成されている。そして，下部電極５３の上面に被処理
材としてのシリコンウェハ８を載置してガスプラズマの
照射を行うことにより，上記のシリコン面の露出処理を
行うことができる。
【０００３】シリコンウェハ８の外周部の周りには，ダ
ミーリングを配置する必要がある。このダミーリング
は，ガスプラズマがシリコンウェハの外周部においても
均一に照射されるようにし，シリコンウェハのプラズマ
による削れ量の面内バラツキを抑え均一なエッチングを
行えるようにするためのものである。
ミーリングを配置する必要がある。このダミーリング
は，ガスプラズマがシリコンウェハの外周部においても
均一に照射されるようにし，シリコンウェハのプラズマ
による削れ量の面内バラツキを抑え均一なエッチングを
行えるようにするためのものである。
【０００４】
【解決しようとする課題】ところで，従来のダミーリン
グをはじめとして，半導体製造装置用部品は，プラズマ
処理時にプラズマの照射を受けることにより，徐々に劣
化していく。具体的には，プラズマが照射された部分が
例えば粉状に分離されて飛散したり，ガス化し，徐々に
消耗していく。また，反応生成物や飛散した粒子は，パ
ーティクルとしてシリコンウェハに付着し，これを不良
にしてしまう場合がある。
グをはじめとして，半導体製造装置用部品は，プラズマ
処理時にプラズマの照射を受けることにより，徐々に劣
化していく。具体的には，プラズマが照射された部分が
例えば粉状に分離されて飛散したり，ガス化し，徐々に
消耗していく。また，反応生成物や飛散した粒子は，パ
ーティクルとしてシリコンウェハに付着し，これを不良
にしてしまう場合がある。
【０００５】従って，この種の装置に用いられる部品に
ついては，近年，パーティクル等が発生しやすいアルミ
ニウムやカーボン等の材料からパーティクルが発生しに
くい別の材料への転換が図られつつある。
ついては，近年，パーティクル等が発生しやすいアルミ
ニウムやカーボン等の材料からパーティクルが発生しに
くい別の材料への転換が図られつつある。
【０００６】このような新たな材料としては，高純度炭
化珪素焼結体やシリコン材料等が提案されている。しか
しながら，これらの材料は，アルミニウムやカーボン材
料に比べると確かにパーティクルの発生は少ないが，長
期にわたり使用していると，ガスプラズマの照射によっ
て表層の結晶粒子が脱落し，それがパーティクルの発生
原因となる。
化珪素焼結体やシリコン材料等が提案されている。しか
しながら，これらの材料は，アルミニウムやカーボン材
料に比べると確かにパーティクルの発生は少ないが，長
期にわたり使用していると，ガスプラズマの照射によっ
て表層の結晶粒子が脱落し，それがパーティクルの発生
原因となる。
【０００７】以上のように，従来の半導体製造装置用部
品は，長期にわたって安定して使用することができなか
った。本発明は，かかる従来の問題点に鑑みてなされた
もので，シリコンウェハを汚染することなく長期にわた
って安定して使用することができる半導体製造装置用部
品及びこれを用いた半導体製造装置を提供しようとする
ものである。
品は，長期にわたって安定して使用することができなか
った。本発明は，かかる従来の問題点に鑑みてなされた
もので，シリコンウェハを汚染することなく長期にわた
って安定して使用することができる半導体製造装置用部
品及びこれを用いた半導体製造装置を提供しようとする
ものである。
【０００８】
【課題の解決手段】請求項１の発明は，プラズマを利用
した半導体製造装置に使用される半導体製造装置用部品
において，該半導体製造装置用部品は，ＣＶＤ法により
形成された炭化珪素よりなる炭化珪素体からなり，か
つ，該炭化珪素体は，Ｘ線回折パターンにおける，（１
１１）面のピーク強度をＡ，（２２０）面のピーク強度
をＢとした場合，Ａ／Ｂが１以上であることを特徴とす
る半導体製造装置用部品にある。
した半導体製造装置に使用される半導体製造装置用部品
において，該半導体製造装置用部品は，ＣＶＤ法により
形成された炭化珪素よりなる炭化珪素体からなり，か
つ，該炭化珪素体は，Ｘ線回折パターンにおける，（１
１１）面のピーク強度をＡ，（２２０）面のピーク強度
をＢとした場合，Ａ／Ｂが１以上であることを特徴とす
る半導体製造装置用部品にある。
【０００９】本発明において最も注目すべきことは，上
記半導体製造装置用部品は，ＣＶＤ法により形成された
炭化珪素体（ＣＶＤ−ＳｉＣ体という）よりなり，か
つ，そのＸ線回折パターンにおける上記Ａ／Ｂを１以上
としたことである。
記半導体製造装置用部品は，ＣＶＤ法により形成された
炭化珪素体（ＣＶＤ−ＳｉＣ体という）よりなり，か
つ，そのＸ線回折パターンにおける上記Ａ／Ｂを１以上
としたことである。
【００１０】上記ＣＶＤ−ＳｉＣ体は，例えば，基板上
にＣＶＤ法により炭化珪素を生成させ，これを上記半導
体製造装置用部品の必要厚みまで成長させ，その後上記
基板から分離することにより得ることができる。もちろ
ん，形成後に切削等により形状を仕上げることができ
る。
にＣＶＤ法により炭化珪素を生成させ，これを上記半導
体製造装置用部品の必要厚みまで成長させ，その後上記
基板から分離することにより得ることができる。もちろ
ん，形成後に切削等により形状を仕上げることができ
る。
【００１１】また，上記ＣＶＤ−ＳｉＣ体におけるＸ線
回折パターンは，（１１１）面のピーク強度をＡ，（２
２０）面のピーク強度をＢとした場合，Ａ／Ｂが１以上
である。即ち，（１１１）面で配向した結晶が（２２
０）面で配向した結晶よりも多くなっている。
回折パターンは，（１１１）面のピーク強度をＡ，（２
２０）面のピーク強度をＢとした場合，Ａ／Ｂが１以上
である。即ち，（１１１）面で配向した結晶が（２２
０）面で配向した結晶よりも多くなっている。
【００１２】次に，本発明の作用効果につき説明する。
本発明の半導体製造装置用部品は，ＣＶＤ法により形成
した炭化珪素体（ＣＶＤ−ＳｉＣ体）よりなる。このＣ
ＶＤ−ＳｉＣ体は，従来用いられていた高純度炭化珪素
焼結体と比べると，高純度性，緻密性の点で優れたＳｉ
Ｃとすることができる。そのため，このＣＶＤ−ＳｉＣ
体よりなる半導体製造装置用部品は，プラズマが照射さ
れた際の結晶粒子の脱落を従来よりも抑制することがで
き，パーティクルの発生を従来よりも低減することがで
きる。また消耗による劣化が従来よりも抑制されるの
で，その耐久性が大幅に向上する。特にβ−ＳｉＣの結
晶構造を持つと，硬度が増し，高温強度もα型に比べて
増加する。
本発明の半導体製造装置用部品は，ＣＶＤ法により形成
した炭化珪素体（ＣＶＤ−ＳｉＣ体）よりなる。このＣ
ＶＤ−ＳｉＣ体は，従来用いられていた高純度炭化珪素
焼結体と比べると，高純度性，緻密性の点で優れたＳｉ
Ｃとすることができる。そのため，このＣＶＤ−ＳｉＣ
体よりなる半導体製造装置用部品は，プラズマが照射さ
れた際の結晶粒子の脱落を従来よりも抑制することがで
き，パーティクルの発生を従来よりも低減することがで
きる。また消耗による劣化が従来よりも抑制されるの
で，その耐久性が大幅に向上する。特にβ−ＳｉＣの結
晶構造を持つと，硬度が増し，高温強度もα型に比べて
増加する。
【００１３】さらに，上記ＣＶＤ−ＳｉＣ体は，上記の
ごとく，Ｘ線回折パターンの上記ピーク強度Ａ，ＢがＡ
／Ｂが１以上となるような結晶構造を有している。（１
１１）面に配向した結晶は（２２０）面に配向した結晶
と比べて結晶粒が小さく緻密であるという特徴を有して
いる。そのため，（１１１）面に配向した結晶を（２２
０）面に配向した結晶よりも多くすることにより，全体
の結晶構造を緻密化することができ，また，万一パーテ
ィクルとして飛散した場合においてもその大きさを小さ
くすることができる。
ごとく，Ｘ線回折パターンの上記ピーク強度Ａ，ＢがＡ
／Ｂが１以上となるような結晶構造を有している。（１
１１）面に配向した結晶は（２２０）面に配向した結晶
と比べて結晶粒が小さく緻密であるという特徴を有して
いる。そのため，（１１１）面に配向した結晶を（２２
０）面に配向した結晶よりも多くすることにより，全体
の結晶構造を緻密化することができ，また，万一パーテ
ィクルとして飛散した場合においてもその大きさを小さ
くすることができる。
【００１４】さらに，本発明の半導体製造装置用部品
は，その全体をＣＶＤ−ＳｉＣ体により構成してある。
そのため，上記半導体製造装置用部品においては，交換
時期を判断する場合において，例えばその厚みのみを管
理するだけでよく，管理を容易にすることができる。
は，その全体をＣＶＤ−ＳｉＣ体により構成してある。
そのため，上記半導体製造装置用部品においては，交換
時期を判断する場合において，例えばその厚みのみを管
理するだけでよく，管理を容易にすることができる。
【００１５】また，請求項２の発明のように，上記Ａ／
Ｂは９以上であることが好ましい。これにより，上述し
た結晶の微細化およびパーティクルの微細化という効果
をさらに高めることができる。
Ｂは９以上であることが好ましい。これにより，上述し
た結晶の微細化およびパーティクルの微細化という効果
をさらに高めることができる。
【００１６】次に，請求項３の発明は，プラズマを利用
した半導体製造装置に使用される半導体製造装置用部品
において，該半導体製造装置用部品は，ＣＶＤ法により
形成された炭化珪素よりなる炭化珪素体からなり，か
つ，該炭化珪素体は，Ｘ線回折パターンにおける，（１
１１）面のピーク強度をＡ，（２２０）面のピーク強度
をＢとした場合，Ａ／Ｂが１未満であることを特徴とす
る半導体製造装置用部品にある。
した半導体製造装置に使用される半導体製造装置用部品
において，該半導体製造装置用部品は，ＣＶＤ法により
形成された炭化珪素よりなる炭化珪素体からなり，か
つ，該炭化珪素体は，Ｘ線回折パターンにおける，（１
１１）面のピーク強度をＡ，（２２０）面のピーク強度
をＢとした場合，Ａ／Ｂが１未満であることを特徴とす
る半導体製造装置用部品にある。
【００１７】本発明において最も注目すべきことは，上
記半導体製造装置用部品はＣＶＤ法により形成された炭
化珪素体（ＣＶＤ−ＳｉＣ体）よりなり，かつ，そのＸ
線回折パターンにおける上記Ａ／Ｂを１未満としたこと
である。即ち，（１１１）面で配向した結晶よりも，
（２２０）面で配向した結晶の割合が多くなっている。
記半導体製造装置用部品はＣＶＤ法により形成された炭
化珪素体（ＣＶＤ−ＳｉＣ体）よりなり，かつ，そのＸ
線回折パターンにおける上記Ａ／Ｂを１未満としたこと
である。即ち，（１１１）面で配向した結晶よりも，
（２２０）面で配向した結晶の割合が多くなっている。
【００１８】次に，本発明の作用効果につき説明する。
本発明の半導体製造装置用部品は，上記のごとく，Ｘ線
回折パターンの上記ピーク強度Ａ，ＢがＡ／Ｂが１未満
となるような結晶構造のＣＶＤ−ＳｉＣ体よりなる。
（２２０）面に配向した結晶は（１１１）面に配向した
結晶と比べて結晶粒が大きく丸みがあり，耐消耗性が高
いという特徴を有している。そのため，（２２０）面に
配向した結晶を（１１１）面に配向した結晶よりも多く
することにより，全体の耐消耗性をさらに向上させるこ
とができる。特にβ−ＳｉＣの結晶構造を持つと，硬度
が増し，高温強度もα型に比べて増加する。その他は上
述した請求項１の発明と同様の作用効果が得られる。
本発明の半導体製造装置用部品は，上記のごとく，Ｘ線
回折パターンの上記ピーク強度Ａ，ＢがＡ／Ｂが１未満
となるような結晶構造のＣＶＤ−ＳｉＣ体よりなる。
（２２０）面に配向した結晶は（１１１）面に配向した
結晶と比べて結晶粒が大きく丸みがあり，耐消耗性が高
いという特徴を有している。そのため，（２２０）面に
配向した結晶を（１１１）面に配向した結晶よりも多く
することにより，全体の耐消耗性をさらに向上させるこ
とができる。特にβ−ＳｉＣの結晶構造を持つと，硬度
が増し，高温強度もα型に比べて増加する。その他は上
述した請求項１の発明と同様の作用効果が得られる。
【００１９】また，請求項４の発明のように，上記Ａ／
Ｂは０．１未満であることが好ましい。即ち，上記（２
２０）面に配向した結晶の割合を（１１１）面に配向し
た場合よりも上記Ｘ線回折パターンピーク強度の評価に
おいて１０倍を超えるようにすることが好ましい。これ
により，上述した耐消耗性の向上効果をさらに高めるこ
とができる。
Ｂは０．１未満であることが好ましい。即ち，上記（２
２０）面に配向した結晶の割合を（１１１）面に配向し
た場合よりも上記Ｘ線回折パターンピーク強度の評価に
おいて１０倍を超えるようにすることが好ましい。これ
により，上述した耐消耗性の向上効果をさらに高めるこ
とができる。
【００２０】また，請求項５の発明のように，上記半導
体製造装置用部品は，上記半導体製造装置においてシリ
コンウェハの外周に配置されるダミーリングとすること
ができる。この場合には，非常に耐久性に優れたダミー
リングを得ることができ，これを用いることにより，品
質に優れたシリコンウェハを製造することができる。
体製造装置用部品は，上記半導体製造装置においてシリ
コンウェハの外周に配置されるダミーリングとすること
ができる。この場合には，非常に耐久性に優れたダミー
リングを得ることができ，これを用いることにより，品
質に優れたシリコンウェハを製造することができる。
【００２１】また，請求項６の発明は，請求項１〜５の
いずれか一項に記載の半導体製造装置用部品を用いたこ
とを特徴とする半導体製造装置にある。本発明の半導体
製造装置は，上記の優れた半導体製造装置用部品を用い
ているので，品質に優れたシリコンウェハを長期間安定
して作製することができる。
いずれか一項に記載の半導体製造装置用部品を用いたこ
とを特徴とする半導体製造装置にある。本発明の半導体
製造装置は，上記の優れた半導体製造装置用部品を用い
ているので，品質に優れたシリコンウェハを長期間安定
して作製することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】実施形態例１ 本発明の実施形態例にかかる半導体製造装置用部品につ
き，図１〜図３を用いて説明する。本例では，図３に示
すごとく，半導体の製造工程において，露光・現像工程
を経たシリコンウェハ８をガスプラズマにさらすことに
より，感光膜における感光領域のみを選択的に除去して
シリコン面を露出させる処理を行うためのプラズマエッ
チング装置５に用いる半導体製造装置用部品であるダミ
ーリング１の例を示す。
き，図１〜図３を用いて説明する。本例では，図３に示
すごとく，半導体の製造工程において，露光・現像工程
を経たシリコンウェハ８をガスプラズマにさらすことに
より，感光膜における感光領域のみを選択的に除去して
シリコン面を露出させる処理を行うためのプラズマエッ
チング装置５に用いる半導体製造装置用部品であるダミ
ーリング１の例を示す。
【００２３】本例のダミーリング１は，図１，図２に示
すごとく，ＣＶＤ法により形成された炭化珪素よりなる
炭化珪素体（ＣＶＤ−ＳｉＣ体）からなる。かつ，この
炭化珪素体は，Ｘ線回折パターンにおける，（１１１）
面のピーク強度をＡ，（２２０）面のピーク強度をＢと
した場合，Ａ／Ｂが９以上となるようにした。ダミーリ
ング１の全体形状は，リング形状を有していると共に，
その内周部上面にシリコンウェハ８を保持するための凹
部１９を有している。
すごとく，ＣＶＤ法により形成された炭化珪素よりなる
炭化珪素体（ＣＶＤ−ＳｉＣ体）からなる。かつ，この
炭化珪素体は，Ｘ線回折パターンにおける，（１１１）
面のピーク強度をＡ，（２２０）面のピーク強度をＢと
した場合，Ａ／Ｂが９以上となるようにした。ダミーリ
ング１の全体形状は，リング形状を有していると共に，
その内周部上面にシリコンウェハ８を保持するための凹
部１９を有している。
【００２４】このダミーリング１を製造するに当たって
は，まず，等方性黒鉛材料（イビデン株式会社製，商品
名Ｔ−４）を，外径φ２６０ｍｍ，厚み５ｍｍに旋盤加
工し，次いで２０００℃ハロゲンガス雰囲気にて高純度
化処理し，黒鉛よりなる基材を作製した。この基材の表
面に，ＣＶＤ法により，温度１３５０℃，真空度１５０
Ｔｏｒｒの条件下，反応ガスとしてメチルクロロシラン
（濃度１５％），キャリアガスとして水素を供給し，熱
分解させることにより，厚み４ｍｍのβ−ＳｉＣの結晶
構造を持つＣＶＤ−ＳｉＣ層を形成した。
は，まず，等方性黒鉛材料（イビデン株式会社製，商品
名Ｔ−４）を，外径φ２６０ｍｍ，厚み５ｍｍに旋盤加
工し，次いで２０００℃ハロゲンガス雰囲気にて高純度
化処理し，黒鉛よりなる基材を作製した。この基材の表
面に，ＣＶＤ法により，温度１３５０℃，真空度１５０
Ｔｏｒｒの条件下，反応ガスとしてメチルクロロシラン
（濃度１５％），キャリアガスとして水素を供給し，熱
分解させることにより，厚み４ｍｍのβ−ＳｉＣの結晶
構造を持つＣＶＤ−ＳｉＣ層を形成した。
【００２５】このＣＶＤ−ＳｉＣ層を上記基板より分離
し，ＣＶＤ−ＳｉＣ体とした。次に，これを機械加工す
ることにより，外径φ２５０ｍｍ，内径φ１９０ｍｍ，
厚み３ｍｍのダミーリング１を得た。
し，ＣＶＤ−ＳｉＣ体とした。次に，これを機械加工す
ることにより，外径φ２５０ｍｍ，内径φ１９０ｍｍ，
厚み３ｍｍのダミーリング１を得た。
【００２６】また，本例では，得られたＣＶＤ−ＳｉＣ
体のＸ線回折を行った。その結果を図４に示す。同図は
横軸に２θ（°）を，縦軸に強度をとったものである。
同図に示すごとく，本例のダミーリング１を構成するＣ
ＶＤ−ＳｉＣ体は，（１１１）面のピーク強度をＡ，
（２２０）面のピーク強度をＢとした場合，Ａ／Ｂが９
以上となっていた。
体のＸ線回折を行った。その結果を図４に示す。同図は
横軸に２θ（°）を，縦軸に強度をとったものである。
同図に示すごとく，本例のダミーリング１を構成するＣ
ＶＤ−ＳｉＣ体は，（１１１）面のピーク強度をＡ，
（２２０）面のピーク強度をＢとした場合，Ａ／Ｂが９
以上となっていた。
【００２７】さらに，本例では上記ＣＶＤ−ＳｉＣ体の
結晶構造をＳＥＭにより観察し，その表面像を撮影し
た。そのＳＥＭ写真（倍率１０００倍）を図面代用写真
として図５に示す。同図より知られるごとく，上記ＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ体ｔは（１１１）面に配向した結晶構造を示
しており，微細な結晶構造を有していることがわかる。
結晶構造をＳＥＭにより観察し，その表面像を撮影し
た。そのＳＥＭ写真（倍率１０００倍）を図面代用写真
として図５に示す。同図より知られるごとく，上記ＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ体ｔは（１１１）面に配向した結晶構造を示
しており，微細な結晶構造を有していることがわかる。
【００２８】次に，このダミーリング１を用いるプラズ
マエッチング装置５につき，図３を用いて簡単に説明す
る。本例のプラズマエッチング装置５は，同図に示すご
とく，円筒状のチャンバ５１内に配設された上下一対の
電極５２，５３を備えてなり，上部電極５２から下部電
極５３へ向けてガスプラズマが供給されるよう構成され
ている。また，チャンバー５１の側面には，内部を真空
引きするための排気口５１４を設けてある。
マエッチング装置５につき，図３を用いて簡単に説明す
る。本例のプラズマエッチング装置５は，同図に示すご
とく，円筒状のチャンバ５１内に配設された上下一対の
電極５２，５３を備えてなり，上部電極５２から下部電
極５３へ向けてガスプラズマが供給されるよう構成され
ている。また，チャンバー５１の側面には，内部を真空
引きするための排気口５１４を設けてある。
【００２９】上電極５２は，導電性のＳｉＣ，シリコ
ン，アルミニウム，カーボン等の材料よりなり構成され
ており，上方から供給されるガスを電極間に導くための
貫通穴５２１を多数設けてなる。また，上電極５２は，
チャンバー５１から内方へ突出させた支持リング５１２
に係合させて配置してある。
ン，アルミニウム，カーボン等の材料よりなり構成され
ており，上方から供給されるガスを電極間に導くための
貫通穴５２１を多数設けてなる。また，上電極５２は，
チャンバー５１から内方へ突出させた支持リング５１２
に係合させて配置してある。
【００３０】下電極５３は，ステージ５４の上方に配設
されており，中央に凸部５３１を設け，その周囲に上記
ダミーリング１を配置するための窪み部５３２をリング
状に設けてある。そして，上記ダミーリング１は，上記
凸部５３１を囲うように上記窪み部５３２にセットして
使用する。また，シリコンウェハ８は，図２，図３に示
すごとく，ダミーリング１の凹部１９に保持される。
されており，中央に凸部５３１を設け，その周囲に上記
ダミーリング１を配置するための窪み部５３２をリング
状に設けてある。そして，上記ダミーリング１は，上記
凸部５３１を囲うように上記窪み部５３２にセットして
使用する。また，シリコンウェハ８は，図２，図３に示
すごとく，ダミーリング１の凹部１９に保持される。
【００３１】次に，上記プラズマエッチング装置５を用
いて，実際にシリコンウェハ８を処理し，ダミーリング
１の耐久性および得られたシリコンウェハ８の品質につ
いて評価した。その結果，従来と同様の条件でプラズマ
エッチング処理を行ったところ，ダミーリング１の消耗
の進行は遅く，優れた耐久性を示し，かつ，得られるシ
リコンウェハ８の品質も，パーティクル等のない優れた
ものであった。
いて，実際にシリコンウェハ８を処理し，ダミーリング
１の耐久性および得られたシリコンウェハ８の品質につ
いて評価した。その結果，従来と同様の条件でプラズマ
エッチング処理を行ったところ，ダミーリング１の消耗
の進行は遅く，優れた耐久性を示し，かつ，得られるシ
リコンウェハ８の品質も，パーティクル等のない優れた
ものであった。
【００３２】実施形態例２ 本例では，実施形態例１におけるＣＶＤ−ＳｉＣ体に代
えて，（２２０）面に強く配向したＣＶＤ−ＳｉＣ体を
用いた例である。具体的には，本例のＣＶＤ−ＳｉＣ体
の結晶構造は，Ｘ線回折パターンにおける，（１１１）
面のピーク強度をＡ，（２２０）面のピーク強度をＢと
した場合，Ａ／Ｂが０．１未満となるようにした。
えて，（２２０）面に強く配向したＣＶＤ−ＳｉＣ体を
用いた例である。具体的には，本例のＣＶＤ−ＳｉＣ体
の結晶構造は，Ｘ線回折パターンにおける，（１１１）
面のピーク強度をＡ，（２２０）面のピーク強度をＢと
した場合，Ａ／Ｂが０．１未満となるようにした。
【００３３】このＣＶＤ−ＳｉＣ体よりなるダミーリン
グを作製するあたっては，実施形態例１と同様にＣＶＤ
法により行った。ただし，処理条件は，温度１３００
℃，真空度２００Ｔｏｒｒの条件下，反応ガスとしてメ
チルクロロシラン（濃度９％），キャリアガスとして水
素を供給し，熱分解させることにより，β−ＳｉＣの結
晶構造を持つＣＶＤ−ＳｉＣ層を形成した。その他は実
施形態例１と同様とした。
グを作製するあたっては，実施形態例１と同様にＣＶＤ
法により行った。ただし，処理条件は，温度１３００
℃，真空度２００Ｔｏｒｒの条件下，反応ガスとしてメ
チルクロロシラン（濃度９％），キャリアガスとして水
素を供給し，熱分解させることにより，β−ＳｉＣの結
晶構造を持つＣＶＤ−ＳｉＣ層を形成した。その他は実
施形態例１と同様とした。
【００３４】本例でも，得られたＣＶＤ−ＳｉＣ体のＸ
線回折を行った。その結果を図６に示す。同図の横軸と
縦軸は図４と同様である。同図に示すごとく，本例のＣ
ＶＤ−ＳｉＣ体は，（１１１）面のピーク強度をＡ，
（２２０）面のピーク強度をＢとした場合，Ａ／Ｂが
０．１未満となっていた。
線回折を行った。その結果を図６に示す。同図の横軸と
縦軸は図４と同様である。同図に示すごとく，本例のＣ
ＶＤ−ＳｉＣ体は，（１１１）面のピーク強度をＡ，
（２２０）面のピーク強度をＢとした場合，Ａ／Ｂが
０．１未満となっていた。
【００３５】さらに，本例でも，ＣＶＤ−ＳｉＣ体の結
晶構造をＳＥＭにより観察し，その表面像を撮影した。
そのＳＥＭ写真（倍率１０００倍）を図面代用写真とし
て図７に示す。図７より知られるごとく，本例のＣＶＤ
−ＳｉＣ体は（２２０）面に強く配向した結晶構造を示
しており，丸みを帯びた結晶構造を有していることがわ
かる。
晶構造をＳＥＭにより観察し，その表面像を撮影した。
そのＳＥＭ写真（倍率１０００倍）を図面代用写真とし
て図７に示す。図７より知られるごとく，本例のＣＶＤ
−ＳｉＣ体は（２２０）面に強く配向した結晶構造を示
しており，丸みを帯びた結晶構造を有していることがわ
かる。
【００３６】次に，実施形態例１と同様に，上記プラズ
マエッチング装置５を用いて，実際にシリコンウェハ８
を処理し，ダミーリング１の耐久性および得られたシリ
コンウェハ８の品質について評価した。その結果，従来
と同様の条件でプラズマエッチング処理を行ったとこ
ろ，ダミーリング１の消耗の進行は遅く，優れた耐久性
を示し，かつ，得られるシリコンウェハ８の品質も，パ
ーティクル等のない優れたものであった。
マエッチング装置５を用いて，実際にシリコンウェハ８
を処理し，ダミーリング１の耐久性および得られたシリ
コンウェハ８の品質について評価した。その結果，従来
と同様の条件でプラズマエッチング処理を行ったとこ
ろ，ダミーリング１の消耗の進行は遅く，優れた耐久性
を示し，かつ，得られるシリコンウェハ８の品質も，パ
ーティクル等のない優れたものであった。
【００３７】実施形態例３ 本例では，実施形態例１のダミーリング（実施例Ｅ１と
する）と実施形態例２のダミーリング（実施例Ｅ２とす
る）の特徴を明確にすべく，耐消耗性および発生するパ
ーティクルの大きさを測定する試験を行った。また，比
較のために，全体が高純度炭化珪素焼結体よりなるダミ
ーリング（比較例Ｃ１）を準備し，同様に試験を行っ
た。
する）と実施形態例２のダミーリング（実施例Ｅ２とす
る）の特徴を明確にすべく，耐消耗性および発生するパ
ーティクルの大きさを測定する試験を行った。また，比
較のために，全体が高純度炭化珪素焼結体よりなるダミ
ーリング（比較例Ｃ１）を準備し，同様に試験を行っ
た。
【００３８】試験は，上述したプラズマエッチング装置
５を用いて，減圧下，１５００Ｗの出力，ガスとしてＣ
4Ｆ8，Ａｒ，Ｏ2，ＣＯを所定条件にて導入し，５０時
間プラズマを照射して行った。そして，ダミーリングの
消耗量を測定すると共に，ダミーリング２０から飛散し
たパーティクルの大きさをシリコンウェハ上で測定し
た。
５を用いて，減圧下，１５００Ｗの出力，ガスとしてＣ
4Ｆ8，Ａｒ，Ｏ2，ＣＯを所定条件にて導入し，５０時
間プラズマを照射して行った。そして，ダミーリングの
消耗量を測定すると共に，ダミーリング２０から飛散し
たパーティクルの大きさをシリコンウェハ上で測定し
た。
【００３９】上記試験を行った結果，まず消耗量は，実
施例Ｅ２が最も少なく，次に実施例Ｅ１が少なく，比較
例Ｃ１が最も多いという結果が得られた。比較例Ｃ１と
の差は，構成材料がＣＶＤ−ＳｉＣ体であることによる
効果が明確に現れた結果と考えられる。また，実施例Ｅ
１とＥ２との差は，結晶構造の違いによるものと考えら
れる。そして，耐消耗性の点では，Ｘ線回折パターンに
おける，（１１１）面のピーク強度Ａと（２２０）面の
ピーク強度をＢの関係が，Ａ／Ｂが１未満（０．１未
満）にある方が有利であることがわかる。
施例Ｅ２が最も少なく，次に実施例Ｅ１が少なく，比較
例Ｃ１が最も多いという結果が得られた。比較例Ｃ１と
の差は，構成材料がＣＶＤ−ＳｉＣ体であることによる
効果が明確に現れた結果と考えられる。また，実施例Ｅ
１とＥ２との差は，結晶構造の違いによるものと考えら
れる。そして，耐消耗性の点では，Ｘ線回折パターンに
おける，（１１１）面のピーク強度Ａと（２２０）面の
ピーク強度をＢの関係が，Ａ／Ｂが１未満（０．１未
満）にある方が有利であることがわかる。
【００４０】また，パーティクルの大きさは，実施例Ｅ
１が最も小さく，次に，Ｅ２が小さく，Ｃ１が最も大き
い結果となった。ここで実施例Ｅ１とＥ２との差は，結
晶構造の違いによるものと考えられる。そして，パーテ
ィクルの大きさを小さくする点では，Ｘ線回折パターン
における，（１１１）面のピーク強度Ａと（２２０）面
のピーク強度をＢの関係が，Ａ／Ｂが１以上（９以上）
にある方が有利であることがわかる。
１が最も小さく，次に，Ｅ２が小さく，Ｃ１が最も大き
い結果となった。ここで実施例Ｅ１とＥ２との差は，結
晶構造の違いによるものと考えられる。そして，パーテ
ィクルの大きさを小さくする点では，Ｘ線回折パターン
における，（１１１）面のピーク強度Ａと（２２０）面
のピーク強度をＢの関係が，Ａ／Ｂが１以上（９以上）
にある方が有利であることがわかる。
【００４１】以上の結果から，まず，耐消耗性を向上さ
せ，パーティクルの発生量を抑制する点においては，実
施例Ｅ１，Ｅ２は，比較例Ｃ１に対して優れた効果を発
揮する。そして，さらに，耐消耗性を重視ししたい場合
には実施例Ｅ２を使用し，一方，パーティクルの大きさ
を小さくする点を重視したい場合には実施例Ｅ１を使用
することがより有効であることがわかる。
せ，パーティクルの発生量を抑制する点においては，実
施例Ｅ１，Ｅ２は，比較例Ｃ１に対して優れた効果を発
揮する。そして，さらに，耐消耗性を重視ししたい場合
には実施例Ｅ２を使用し，一方，パーティクルの大きさ
を小さくする点を重視したい場合には実施例Ｅ１を使用
することがより有効であることがわかる。
【００４２】
【発明の効果】上述のごとく，本発明によれば，シリコ
ンウェハを汚染することなく長期にわたって安定して使
用することができる半導体製造装置用部品及びこれを用
いた半導体製造装置を提供することができる。
ンウェハを汚染することなく長期にわたって安定して使
用することができる半導体製造装置用部品及びこれを用
いた半導体製造装置を提供することができる。
【図１】実施形態例１における，半導体製造装置用部品
（ダミーリング）の断面図。
（ダミーリング）の断面図。
【図２】実施形態例１における，半導体製造装置用部品
（ダミーリング）およびシリコンウェハの斜視図。
（ダミーリング）およびシリコンウェハの斜視図。
【図３】実施形態例１における，プラズマエッチング装
置の構成を示す説明図。
置の構成を示す説明図。
【図４】実施形態例１における，ＣＶＤ−ＳｉＣ体のＸ
線回折パターンを示す説明図。
線回折パターンを示す説明図。
【図５】実施形態例１における，ＣＶＤ−ＳｉＣ体の結
晶構造を示す図面代用ＳＥＭ写真。
晶構造を示す図面代用ＳＥＭ写真。
【図６】実施形態例２における，ＣＶＤ−ＳｉＣ体のＸ
線回折パターンを示す説明図。
線回折パターンを示す説明図。
【図７】実施形態例２における，ＣＶＤ−ＳｉＣ体表面
の結晶構造を示す図面代用ＳＥＭ写真。
の結晶構造を示す図面代用ＳＥＭ写真。
１．．．半導体製造装置用部品（ダミーリング）， ５．．．プラズマエッチング装置， ８．．．シリコンウェハ，
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阪下 敬一 岐阜県大垣市青柳町300番地 イビデン株 式会社青柳工場内 Ｆターム(参考） 2G001 AA01 BA18 CA01 GA01 GA13 HA01 KA08 LA11 MA05 5F004 AA14 BA04 BB18 BB30 BC08 DA00 DA23 DA26 DB00 EA38 5F045 BB15 EH13 EM09
Claims (6)
- 【請求項１】 プラズマを利用した半導体製造装置に使
用される半導体製造装置用部品において，該半導体製造
装置用部品は，ＣＶＤ法により形成された炭化珪素より
なる炭化珪素体からなり，かつ，該炭化珪素体は，Ｘ線
回折パターンにおける，（１１１）面のピーク強度を
Ａ，（２２０）面のピーク強度をＢとした場合，Ａ／Ｂ
が１以上であることを特徴とする半導体製造装置用部
品。 - 【請求項２】 請求項１において，上記Ａ／Ｂは９以上
であることを特徴とする半導体製造装置用部品。 - 【請求項３】 プラズマを利用した半導体製造装置に使
用される半導体製造装置用部品において，該半導体製造
装置用部品は，ＣＶＤ法により形成された炭化珪素より
なる炭化珪素体からなり，かつ，該炭化珪素体は，Ｘ線
回折パターンにおける，（１１１）面のピーク強度を
Ａ，（２２０）面のピーク強度をＢとした場合，Ａ／Ｂ
が１未満であることを特徴とする半導体製造装置用部
品。 - 【請求項４】 請求項３において，上記Ａ／Ｂは０．１
未満であることを特徴とする半導体製造装置用部品。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか一項において，
上記半導体製造装置用部品は，上記半導体製造装置にお
いてシリコンウェハの外周に配置されるダミーリングで
あることを特徴とする半導体製造装置用部品。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか一項に記載の半
導体製造装置用部品を用いたことを特徴とする半導体製
造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000012180A JP2001203190A (ja) | 2000-01-20 | 2000-01-20 | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000012180A JP2001203190A (ja) | 2000-01-20 | 2000-01-20 | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001203190A true JP2001203190A (ja) | 2001-07-27 |
Family
ID=18539933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000012180A Pending JP2001203190A (ja) | 2000-01-20 | 2000-01-20 | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001203190A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10235455A1 (de) * | 2002-08-02 | 2004-02-12 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Teilchenoptische Vorrichtung und Verfahren zum Betrieb derselben |
| JP2007081382A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-29 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング装置用シリコンリング |
| JP2007266094A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄによる半導体薄膜の成膜方法 |
Citations (12)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5999401A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-08 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 炭化ケイ素質ミラ− |
| JPS6236089A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-17 | 東芝セラミツクス株式会社 | セラミツクス製品の製造方法 |
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| JPH04114971A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-15 | Nippon Pillar Packing Co Ltd | 複合材 |
| JPH06191972A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-12 | Kyocera Corp | 複合部材 |
| JPH10139547A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-05-26 | Applied Materials Inc | プラズマリアクタに特に有用な炭化珪素複合品 |
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| JPH11238690A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-08-31 | Asahi Glass Co Ltd | ダミーウエハ及びその製造法 |
| WO1999050886A1 (en) * | 1998-03-31 | 1999-10-07 | Lam Research Corporation | Contamination controlling method and plasma processing chamber |
-
2000
- 2000-01-20 JP JP2000012180A patent/JP2001203190A/ja active Pending
Patent Citations (13)
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