JP2002510858A - 汚染制御方法およびプラズマ処理チャンバ - Google Patents
汚染制御方法およびプラズマ処理チャンバInfo
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Abstract
(57)【要約】
プラズマ処理チャンバが、基板保持具と、ライナ、焦点リング、穿孔されたバッフル、ガス分配板などの炭化ケイ素部材とを含んでいて、部材が基板保持具に隣接する露出表面を有しており、露出表面が基板処理中の汚染を最小限にするのに効果的である。チャンバが、ガス分配板を通してＲＦエネルギーを誘導結合させて処理ガスをプラズマ状態に励起するアンテナを含むことができる。
Description
【０００１】 （発明の分野） 本発明は、プラズマ処理チャンバの改良、および半導体ウェーハ上の酸化物層
をプラズマ・エッチングすることなどによってプラズマ処理チャンバ内で基板を
処理する方法に関する。
をプラズマ・エッチングすることなどによってプラズマ処理チャンバ内で基板を
処理する方法に関する。
【０００２】 （発明の背景） 真空処理チャンバは、一般に、真空チャンバに処理ガスを供給し、ガスにＲＦ
場を印加することによって、基板上に物質を化学気相成長（ＣＶＤ）させるため
、および、基板上の物質をエッチングするために使用される。平行平板トランス
フォーマー・カップルド・プラズマ（ＴＣＰＴＭ、またはＩＣＰと呼ばれている
）、および電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）反応器の例が、本願の所有者が所
有する米国特許第４，３４０，４６２号、第４，９４８，４５８号、第５，２０
０，２３２号に開示されている。基板は、処理中は真空チャンバ内の所定の位置
に基板保持具によって保持される。
場を印加することによって、基板上に物質を化学気相成長（ＣＶＤ）させるため
、および、基板上の物質をエッチングするために使用される。平行平板トランス
フォーマー・カップルド・プラズマ（ＴＣＰＴＭ、またはＩＣＰと呼ばれている
）、および電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）反応器の例が、本願の所有者が所
有する米国特許第４，３４０，４６２号、第４，９４８，４５８号、第５，２０
０，２３２号に開示されている。基板は、処理中は真空チャンバ内の所定の位置
に基板保持具によって保持される。
【０００３】 従来の基板保持具は、機械式クランプと静電クランプ（ＥＳＣ）とを含んでい
る。機械式クランプおよびＥＳＣ基板保持具の例が、本願の所有者が所有する米
国特許第５，２６２，０２９号、および本願の所有者が所有する１９９５年３月
１０日出願の米国特許出願第０８／４０１，５２４号で提供されている。米国特
許第４，５７９，６１８号に開示されているように、電極の形態をした基板保持
具はチャンバに高周波（ＲＦ）電力を供給することができる。米国特許第５，２
９２，３９９号によれば、ウェーハ支持体およびクランプ・リング機構の金属表
面を絶縁材料で覆ってプラズマによる腐食を防止することができ、かかる絶縁表
面上に電荷が蓄積することによるアーク発生を低減させるために導電性材料を使
用することができる。
る。機械式クランプおよびＥＳＣ基板保持具の例が、本願の所有者が所有する米
国特許第５，２６２，０２９号、および本願の所有者が所有する１９９５年３月
１０日出願の米国特許出願第０８／４０１，５２４号で提供されている。米国特
許第４，５７９，６１８号に開示されているように、電極の形態をした基板保持
具はチャンバに高周波（ＲＦ）電力を供給することができる。米国特許第５，２
９２，３９９号によれば、ウェーハ支持体およびクランプ・リング機構の金属表
面を絶縁材料で覆ってプラズマによる腐食を防止することができ、かかる絶縁表
面上に電荷が蓄積することによるアーク発生を低減させるために導電性材料を使
用することができる。
【０００４】 高周波（ＲＦ）供給源に結合されたアンテナが処理チャンバ内でガスをプラズ
マ状態に励起するプラズマ処理システムは、米国特許第４，９４８，４５８号、
第５，１９８，７１８号、第５，２４１，２４５号、第５，３０４，２７９号、
第５，４０１，３５０号に開示されている。かかるシステムでは、アンテナは処
理チャンバの外側に位置し、ＲＦエネルギーは誘電体窓を通してチャンバ内に供
給される。かかる処理システムを、エッチング、堆積、レジスト剥離などのさま
ざまな半導体処理応用分野に使用することができる。
マ状態に励起するプラズマ処理システムは、米国特許第４，９４８，４５８号、
第５，１９８，７１８号、第５，２４１，２４５号、第５，３０４，２７９号、
第５，４０１，３５０号に開示されている。かかるシステムでは、アンテナは処
理チャンバの外側に位置し、ＲＦエネルギーは誘電体窓を通してチャンバ内に供
給される。かかる処理システムを、エッチング、堆積、レジスト剥離などのさま
ざまな半導体処理応用分野に使用することができる。
【０００５】 （発明の概要） 本発明の目的は、基板保持具を取り囲むチャンバ・ライナ、基板を取り囲む焦
点リング、ライナと基板保持具との間のバッフル、および／または、基板に面し
ているガス分配板などの１つまたは複数の反応器表面の材料として炭化ケイ素を
使用することによって基板が連続して処理される際に、プラズマ処理基板の金属
および／またはパーティクルの汚染を低減することである。
点リング、ライナと基板保持具との間のバッフル、および／または、基板に面し
ているガス分配板などの１つまたは複数の反応器表面の材料として炭化ケイ素を
使用することによって基板が連続して処理される際に、プラズマ処理基板の金属
および／またはパーティクルの汚染を低減することである。
【０００６】 本発明の一態様によれば、基板を処理する方法およびその汚染を低減させる方
法は、処理チャンバ内の基板保持具に基板を配置することを含み、前記処理チャ
ンバではライナ、ガス分配板、バッフル板、および／または、焦点リングなどの
部材が、基板保持具に隣接する領域で処理チャンバ内に露出表面を形成し、その
部材は炭化ケイ素をベースとした材料を含み、また、その部材は、炭化ケイ素部
材上のプラズマ電位を低減させ、および／または、非炭化ケイ素チャンバ内側表
面のスパッタリングを低減させ、その結果として、処理ステップの間における基
板のパーティクルおよび／または金属の汚染を最小限にするのに効果的である。
この方法は、処理チャンバへ処理ガスを供給し、ガス分配板を通して処理チャン
バにＲＦエネルギーを誘導結合させることなどにより処理ガスをプラズマ状態に
励起し、基板をプラズマ・ガスと接触させることにより処理チャンバ内で連続的
に基板を処理することによって基板を処理することを含んでいる。処理チャンバ
はほぼ平坦なアンテナを含むことができ、アンテナにＲＦ電力を供給することに
よって処理ガスをプラズマ状態に励起することができる。基板にＲＦバイアスを
かけている間、プラズマは高密度プラズマを含むことができ、基板上の酸化物層
を高密度プラズマでエッチングすることによって基板を処理することができる。
部材は、本質的にホット・プレス、燒結、ＣＶＤ、または、反応結合ＳｉＣから
なるのが好ましい。
法は、処理チャンバ内の基板保持具に基板を配置することを含み、前記処理チャ
ンバではライナ、ガス分配板、バッフル板、および／または、焦点リングなどの
部材が、基板保持具に隣接する領域で処理チャンバ内に露出表面を形成し、その
部材は炭化ケイ素をベースとした材料を含み、また、その部材は、炭化ケイ素部
材上のプラズマ電位を低減させ、および／または、非炭化ケイ素チャンバ内側表
面のスパッタリングを低減させ、その結果として、処理ステップの間における基
板のパーティクルおよび／または金属の汚染を最小限にするのに効果的である。
この方法は、処理チャンバへ処理ガスを供給し、ガス分配板を通して処理チャン
バにＲＦエネルギーを誘導結合させることなどにより処理ガスをプラズマ状態に
励起し、基板をプラズマ・ガスと接触させることにより処理チャンバ内で連続的
に基板を処理することによって基板を処理することを含んでいる。処理チャンバ
はほぼ平坦なアンテナを含むことができ、アンテナにＲＦ電力を供給することに
よって処理ガスをプラズマ状態に励起することができる。基板にＲＦバイアスを
かけている間、プラズマは高密度プラズマを含むことができ、基板上の酸化物層
を高密度プラズマでエッチングすることによって基板を処理することができる。
部材は、本質的にホット・プレス、燒結、ＣＶＤ、または、反応結合ＳｉＣから
なるのが好ましい。
【０００７】 本発明の他の態様によれば、プラズマ処理チャンバは炭化ケイ素をベースにし
た材料を含む部材を含み、その部材はチャンバ・ライナ、焦点リング、バッフル
板、および／または、ガス分配板を備えている。処理チャンバは、処理チャンバ
内で基板を支持するための基板保持具と、チャンバ内側に処理ガスを供給するガ
ス源と、チャンバにＲＦエネルギーを供給して処理ガスをプラズマ状態に励起す
るＲＦエネルギー源などのエネルギー源とをさらに含んでいる。チャンバはガス
分配板に隣接する誘電体窓をさらに含むことができ、ＲＦエネルギー源は窓に隣
接するほぼ平坦なアンテナを備えることができ、そのアンテナは窓を通してＲＦ
電力を供給して処理チャンバ内の処理ガスをプラズマ状態に励起する。アンテナ
はガス分配板のガス出口が基板保持具とアンテナとの間に直接的に位置しないよ
うに配置されてもよい。誘電体窓はほぼ均一な厚さおよびほぼ平坦な形態を有す
ることができ、ガス分配板はほぼ均一な厚さおよびほぼ平坦な形態を有すること
ができる。
た材料を含む部材を含み、その部材はチャンバ・ライナ、焦点リング、バッフル
板、および／または、ガス分配板を備えている。処理チャンバは、処理チャンバ
内で基板を支持するための基板保持具と、チャンバ内側に処理ガスを供給するガ
ス源と、チャンバにＲＦエネルギーを供給して処理ガスをプラズマ状態に励起す
るＲＦエネルギー源などのエネルギー源とをさらに含んでいる。チャンバはガス
分配板に隣接する誘電体窓をさらに含むことができ、ＲＦエネルギー源は窓に隣
接するほぼ平坦なアンテナを備えることができ、そのアンテナは窓を通してＲＦ
電力を供給して処理チャンバ内の処理ガスをプラズマ状態に励起する。アンテナ
はガス分配板のガス出口が基板保持具とアンテナとの間に直接的に位置しないよ
うに配置されてもよい。誘電体窓はほぼ均一な厚さおよびほぼ平坦な形態を有す
ることができ、ガス分配板はほぼ均一な厚さおよびほぼ平坦な形態を有すること
ができる。
【０００８】 同様な要素が同じ参照符号で記載されている添付図面参照しながら本発明を詳
細に説明する。
細に説明する。
【０００９】 （好ましい実施形態の詳細な説明） シリコン・ウェーハなどの半導体基板のプラズマ・ガス処理では、一般に、物
理的および／または化学的スパッタリングのために高密度プラズマが接触してい
るチャンバ内側表面の比較的高い腐食速度は、該高密度プラズマにより引き起こ
される。ウェーハ上のデバイスは、ニッケルや鉄などのシリコン中の深不純物で
ある金属、デバイスのゲート酸化物中を移動するイオンであって不安定なスレッ
ショルド電圧を引き起こすナトリウムやカリウムなどのアルカリ金属、デバイス
の接合部に漏れ電流を引き起こして、例えばＤＲＡＭのメモリ・セルに短いリフ
レッシュ・タイムをもたらすアルミニウムなどの金属による汚染に対して敏感で
あり、これは半導体業界のウェーハ処理の応用分野における重大な問題である。
このため、かかるウェーハ処理ツール内で高密度プラズマに晒されるチャンバの
表面は、通常はアルミナまたは石英などの非金属材料で覆われている。
理的および／または化学的スパッタリングのために高密度プラズマが接触してい
るチャンバ内側表面の比較的高い腐食速度は、該高密度プラズマにより引き起こ
される。ウェーハ上のデバイスは、ニッケルや鉄などのシリコン中の深不純物で
ある金属、デバイスのゲート酸化物中を移動するイオンであって不安定なスレッ
ショルド電圧を引き起こすナトリウムやカリウムなどのアルカリ金属、デバイス
の接合部に漏れ電流を引き起こして、例えばＤＲＡＭのメモリ・セルに短いリフ
レッシュ・タイムをもたらすアルミニウムなどの金属による汚染に対して敏感で
あり、これは半導体業界のウェーハ処理の応用分野における重大な問題である。
このため、かかるウェーハ処理ツール内で高密度プラズマに晒されるチャンバの
表面は、通常はアルミナまたは石英などの非金属材料で覆われている。
【００１０】 アルミナおよび石英は、プラズマを持続させるために使用されるＲＦ電流およ
びウェーハにバイアス電圧を誘導するために使用されるＲＦ電流に対して高イン
ピーダンスを提供する誘電体材料である。この結果、プラズマを経たＲＦ電流は
良好な接地経路を有さず、不安定になる可能性があり、再現性のないエッチング
結果をもたらす。さらに、誘電体材料上の電荷の蓄積がアークを発生させ、誘電
体材料の局部的なスパッタリングを引き起こす可能性がある。
びウェーハにバイアス電圧を誘導するために使用されるＲＦ電流に対して高イン
ピーダンスを提供する誘電体材料である。この結果、プラズマを経たＲＦ電流は
良好な接地経路を有さず、不安定になる可能性があり、再現性のないエッチング
結果をもたらす。さらに、誘電体材料上の電荷の蓄積がアークを発生させ、誘電
体材料の局部的なスパッタリングを引き起こす可能性がある。
【００１１】 本発明では、処理された基板の金属および／またはパーティクルの汚染を低減
させる消耗チャンバ表面材料(consumable chamber surface material)として炭
化ケイ素（ＳｉＣ）を使用する。ＳｉＣがプラズマと接しているときにＲＦ電流
のための良好な接地経路を提供するために、ＳｉＣは導電性であることが好まし
い。ＳｉＣはまた、プラズマによってゆっくりした速度でエッチングされ、これ
がＳｉＣをコストに有効な消耗部品(consumablepart)とする。そのうえ、ＳｉＣ
は高純度であるので、プラズマによるＳｉＣの化学スパッタリングに起因するウ
ェーハの汚染を最小限にすることができる。さらに、接地されたＳｉＣはチャン
バの他の表面のスパッタリングを低減させることができる。というのは、接地さ
れたＳｉＣはプラズマ電位を低減させ、これらの非炭化ケイ素表面に対するイオ
ン衝撃エネルギーを低減させるからである。ＳｉＣ構成要素は、チャンバ表面と
してアルミナに取って代わるほどまでに、ウェーハのアルミニウム汚染を低減さ
せることができる。最終的に、ＳｉＣ構成要素は非常に安定したプラズマ電位を
与えるので、個々のチャンバ内およびチャンバごとのエッチング結果の再現性が
よくなる。
させる消耗チャンバ表面材料(consumable chamber surface material)として炭
化ケイ素（ＳｉＣ）を使用する。ＳｉＣがプラズマと接しているときにＲＦ電流
のための良好な接地経路を提供するために、ＳｉＣは導電性であることが好まし
い。ＳｉＣはまた、プラズマによってゆっくりした速度でエッチングされ、これ
がＳｉＣをコストに有効な消耗部品(consumablepart)とする。そのうえ、ＳｉＣ
は高純度であるので、プラズマによるＳｉＣの化学スパッタリングに起因するウ
ェーハの汚染を最小限にすることができる。さらに、接地されたＳｉＣはチャン
バの他の表面のスパッタリングを低減させることができる。というのは、接地さ
れたＳｉＣはプラズマ電位を低減させ、これらの非炭化ケイ素表面に対するイオ
ン衝撃エネルギーを低減させるからである。ＳｉＣ構成要素は、チャンバ表面と
してアルミナに取って代わるほどまでに、ウェーハのアルミニウム汚染を低減さ
せることができる。最終的に、ＳｉＣ構成要素は非常に安定したプラズマ電位を
与えるので、個々のチャンバ内およびチャンバごとのエッチング結果の再現性が
よくなる。
【００１２】 本発明は、半導体ウェーハ、フラット・パネル・ディスプレイ基板などの基板
の汚染低減の改良を提供する。チャンバ内で処理される基板に隣接する部材のた
めの材料として炭化ケイ素を利用することによって汚染の低減を達成することが
できる。かかる部材は、ライナ、焦点リング、ガス分配板、バッフル板などの電
気的に駆動されないチャンバ部品を含んでいる。一例として、ウェーハ支持体に
おける電力が供給される電極（底部電極）に対してより良好なＲＦリターン・パ
スを提供するためにＳｉＣライナを使用することができる。ＳｉＣライナはイオ
ン衝撃からの腐食に耐える接地表面を提供する。挿入物は、まるまるＳｉＣから
なってもよいし、ＳｉＣで被覆された黒鉛などのＳｉＣ被覆材料であってもよい
し、または、反応結合ＳｉＣの孔を充填するように１０から２０％のＳｉを添加
したＳｉＣを主成分としてもよい。
の汚染低減の改良を提供する。チャンバ内で処理される基板に隣接する部材のた
めの材料として炭化ケイ素を利用することによって汚染の低減を達成することが
できる。かかる部材は、ライナ、焦点リング、ガス分配板、バッフル板などの電
気的に駆動されないチャンバ部品を含んでいる。一例として、ウェーハ支持体に
おける電力が供給される電極（底部電極）に対してより良好なＲＦリターン・パ
スを提供するためにＳｉＣライナを使用することができる。ＳｉＣライナはイオ
ン衝撃からの腐食に耐える接地表面を提供する。挿入物は、まるまるＳｉＣから
なってもよいし、ＳｉＣで被覆された黒鉛などのＳｉＣ被覆材料であってもよい
し、または、反応結合ＳｉＣの孔を充填するように１０から２０％のＳｉを添加
したＳｉＣを主成分としてもよい。
【００１３】 プラズマ・エッチングでは、シリコン・ウェーハなどの基板上のさまざまな材
料の層に特徴（features）をエッチングで作成することができる。かかるエッチ
ング処理では、反応器におけるウェーハ面の上方の空間中のガス流れの空間分布
を制御するようにガス分配板を使用することができる。ＬＡＭ Ｒｅｓｅａｒｃ
ｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手できるＴＣＰ９１００ＴＭプラズマ・エッ
チング反応器では、ガス分配板はＴＣＰＴＭ窓の下方に直接位置する環状板であ
り、前記ＴＣＰＴＭ窓はまた反応器の上部にある真空密封面であってウェーハに
対して上方かつ平行な面である。ガス分配板は、ガス分配板の周囲に位置するガ
ス分配リングに対してＯリングを使ってシールされる。ガス分配リングは供給源
からのガスを、ガス分配板と、反応器にＲＦエネルギーを供給するコイルの下に
横たわっている窓の内側表面と、ガス分配リングとによって規定される空間中に
供給する。ガス分配板は、ガス分配板を貫通する特定の半径をもった孔のアレイ
を含んでいる。例えばフォトレジスト層、二酸化ケイ素層、ウェーハ上の下層材
料などのエッチングされるべき層のエッチング均一性を最適化するようにガス分
配板を通る孔の空間分布を変えることができる。反応器中のプラズマへのＲＦ電
力の分配を操作するようにガス分配板の断面形状を変えることができる。ガス分
配板を通って反応器に入るこのＲＦ電力の結合を可能にするように、ガス分配板
の材料は誘電体でなければならない。さらに、ガス分配板の材料は、破壊および
これに関連して結果として生じるパーティクルの生成を避けるために、酸素また
はフッ化炭化水素ガス・プラズマなどの環境での化学的スパッタ・エッチングに
対して高い耐性がなければならない。そのうえ、ガス分配板の材料は、通常はウ
ェーハ上のデバイスの性能に影響を及ぼす可能性がある汚染物質の程度を低くす
るべきである。本発明によれば、ガス分配板を、高い抵抗率を有する特別に調製
された炭化ケイ素製にすることができる。
料の層に特徴（features）をエッチングで作成することができる。かかるエッチ
ング処理では、反応器におけるウェーハ面の上方の空間中のガス流れの空間分布
を制御するようにガス分配板を使用することができる。ＬＡＭ Ｒｅｓｅａｒｃ
ｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手できるＴＣＰ９１００ＴＭプラズマ・エッ
チング反応器では、ガス分配板はＴＣＰＴＭ窓の下方に直接位置する環状板であ
り、前記ＴＣＰＴＭ窓はまた反応器の上部にある真空密封面であってウェーハに
対して上方かつ平行な面である。ガス分配板は、ガス分配板の周囲に位置するガ
ス分配リングに対してＯリングを使ってシールされる。ガス分配リングは供給源
からのガスを、ガス分配板と、反応器にＲＦエネルギーを供給するコイルの下に
横たわっている窓の内側表面と、ガス分配リングとによって規定される空間中に
供給する。ガス分配板は、ガス分配板を貫通する特定の半径をもった孔のアレイ
を含んでいる。例えばフォトレジスト層、二酸化ケイ素層、ウェーハ上の下層材
料などのエッチングされるべき層のエッチング均一性を最適化するようにガス分
配板を通る孔の空間分布を変えることができる。反応器中のプラズマへのＲＦ電
力の分配を操作するようにガス分配板の断面形状を変えることができる。ガス分
配板を通って反応器に入るこのＲＦ電力の結合を可能にするように、ガス分配板
の材料は誘電体でなければならない。さらに、ガス分配板の材料は、破壊および
これに関連して結果として生じるパーティクルの生成を避けるために、酸素また
はフッ化炭化水素ガス・プラズマなどの環境での化学的スパッタ・エッチングに
対して高い耐性がなければならない。そのうえ、ガス分配板の材料は、通常はウ
ェーハ上のデバイスの性能に影響を及ぼす可能性がある汚染物質の程度を低くす
るべきである。本発明によれば、ガス分配板を、高い抵抗率を有する特別に調製
された炭化ケイ素製にすることができる。
【００１４】 本発明の他の態様によれば、チャンバの内側表面用に炭化ケイ素を使用するこ
とによって、驚いたことに、窒化アルミニウムやアルミナなどの他の材料をはる
かに凌駕する性能結果がもたらされることが判明した。炭化ケイ素材料は電気的
に接地され、それによってチャンバ内の表面上のプラズマ電位が低減されること
が好ましい。
とによって、驚いたことに、窒化アルミニウムやアルミナなどの他の材料をはる
かに凌駕する性能結果がもたらされることが判明した。炭化ケイ素材料は電気的
に接地され、それによってチャンバ内の表面上のプラズマ電位が低減されること
が好ましい。
【００１５】 本発明の一実施形態による真空処理チャンバを図１に例示する。真空処理チャ
ンバ１０は、基板１３に静電クランプ力を提供すると共に、Ｈｅによって背面冷
却されている基板にＲＦバイアスをかける基板保持具１２を含んでいる。誘電体
外側リング１４ａおよびＳｉＣ内側リング１４ｂを備える焦点リング１４は、基
板の上方の領域にプラズマを閉じ込める。適切なＲＦ供給源および適切なＲＦイ
ンピーダンス整合回路によって電力を供給されるアンテナ１８などの、チャンバ
の中に高密度（例えば１０１１〜１０１２イオン／ｃｍ３）プラズマを維持する
ためのエネルギー源は、高密度プラズマを形成するようにチャンバ１０にＲＦエ
ネルギーを誘導結合させる。チャンバは、チャンバの内側を所望の圧力（例えば
５０ｍトル未満、典型的には１〜２０ｍトル）に維持するための適切な真空ポン
プ装置を含んでいる。アンテナ１８と処理チャンバ１０の内側との間に設けられ
た厚さが均一のほぼ平坦な誘電体窓２０が、処理チャンバ１０の上部に真空壁を
形成している。ガス分配板２２は、窓２０の真下に設けられ、ガス源２３からチ
ャンバ１０に処理ガスを分配するための円形孔などの開口を含んでいる。円錐形
ライナ３０はガス分配板から延びており、基板保持具１２を取り囲んでいる。ア
ンテナ１８は、温度制御流体が入口導管２５および出口導管２６を経由して通さ
れる流路２４を備えることができる。しかしながら、アンテナ１８および窓２０
の上方から空気を吹き付けること、窓および／またはガス分配板を通して冷却媒
体を送ること、または窓および／またはガス分配板との熱伝達接触部に冷却媒体
を送ることなどの他の技術によってアンテナおよび／または窓を冷却することが
できる。
ンバ１０は、基板１３に静電クランプ力を提供すると共に、Ｈｅによって背面冷
却されている基板にＲＦバイアスをかける基板保持具１２を含んでいる。誘電体
外側リング１４ａおよびＳｉＣ内側リング１４ｂを備える焦点リング１４は、基
板の上方の領域にプラズマを閉じ込める。適切なＲＦ供給源および適切なＲＦイ
ンピーダンス整合回路によって電力を供給されるアンテナ１８などの、チャンバ
の中に高密度（例えば１０１１〜１０１２イオン／ｃｍ３）プラズマを維持する
ためのエネルギー源は、高密度プラズマを形成するようにチャンバ１０にＲＦエ
ネルギーを誘導結合させる。チャンバは、チャンバの内側を所望の圧力（例えば
５０ｍトル未満、典型的には１〜２０ｍトル）に維持するための適切な真空ポン
プ装置を含んでいる。アンテナ１８と処理チャンバ１０の内側との間に設けられ
た厚さが均一のほぼ平坦な誘電体窓２０が、処理チャンバ１０の上部に真空壁を
形成している。ガス分配板２２は、窓２０の真下に設けられ、ガス源２３からチ
ャンバ１０に処理ガスを分配するための円形孔などの開口を含んでいる。円錐形
ライナ３０はガス分配板から延びており、基板保持具１２を取り囲んでいる。ア
ンテナ１８は、温度制御流体が入口導管２５および出口導管２６を経由して通さ
れる流路２４を備えることができる。しかしながら、アンテナ１８および窓２０
の上方から空気を吹き付けること、窓および／またはガス分配板を通して冷却媒
体を送ること、または窓および／またはガス分配板との熱伝達接触部に冷却媒体
を送ることなどの他の技術によってアンテナおよび／または窓を冷却することが
できる。
【００１６】 運転中は、Ｈｅによる背面冷却が用いられた場合、ウェーハは基板保持具１２
に位置決めされ、一般に静電クランプ、機械式クランプ、他のクランプ機構によ
って所定の位置に保持される。次いで、窓２０とガス分配板２２との間の間隙を
経て処理ガスを通すことによって処理ガスは真空処理チャンバ１０に供給される
。適切なガス分配板構成（すなわちシャワーヘッド）は、本願の所有者が所有す
る米国特許出願第０８／５０９，０８０号、第０８／６５８，２５８号、第０８
／６５８，２５９号に開示されており、前記米国特許出願の開示は参照により本
明細書に組み込まれている。例えば、図１の窓とガス分配板の構成は平坦でかつ
厚さが均一であるが、非平坦および／または厚さ不均一の幾何学的形状を窓およ
び／またはガス分配板用に用いることができる。アンテナ１８に適切なＲＦ電力
を供給することによって基板と窓の間の空間で高密度プラズマを発生させる。温
度制御流体をまたアンテナ１８内の流路２４に通過させて、アンテナ１８、窓２
０、ガス分配板２２を１２０℃未満、好ましくは９０℃未満、より好ましくは８
０℃未満などの限界温度未満の温度に維持することができる。
に位置決めされ、一般に静電クランプ、機械式クランプ、他のクランプ機構によ
って所定の位置に保持される。次いで、窓２０とガス分配板２２との間の間隙を
経て処理ガスを通すことによって処理ガスは真空処理チャンバ１０に供給される
。適切なガス分配板構成（すなわちシャワーヘッド）は、本願の所有者が所有す
る米国特許出願第０８／５０９，０８０号、第０８／６５８，２５８号、第０８
／６５８，２５９号に開示されており、前記米国特許出願の開示は参照により本
明細書に組み込まれている。例えば、図１の窓とガス分配板の構成は平坦でかつ
厚さが均一であるが、非平坦および／または厚さ不均一の幾何学的形状を窓およ
び／またはガス分配板用に用いることができる。アンテナ１８に適切なＲＦ電力
を供給することによって基板と窓の間の空間で高密度プラズマを発生させる。温
度制御流体をまたアンテナ１８内の流路２４に通過させて、アンテナ１８、窓２
０、ガス分配板２２を１２０℃未満、好ましくは９０℃未満、より好ましくは８
０℃未満などの限界温度未満の温度に維持することができる。
【００１７】 本発明の他の実施形態による真空処理チャンバを図２に例示する。真空処理チ
ャンバ４０は基板保持具４２を含み、前記基板保持具４２は基板４３に静電クラ
ンプ力を、ならびにその上に支持される基板にＲＦバイアスをかける。外側誘電
体部４４ａおよび内側ＳｉＣ部４４ｂを有する焦点リング４４は、Ｈｅにより背
面冷却されながら、基板の上方の領域にプラズマを限定する。適切なＲＦ供給源
および適切なＲＦインピーダンス整合回路によって電力を供給されるアンテナ（
図示せず）などの、チャンバの中に高密度（例えば１０１１〜１０１２イオン／
ｃｍ３）プラズマを維持するためのエネルギー源は、高密度プラズマを形成する
ようにチャンバ４０にＲＦエネルギーを誘導結合させる。チャンバは、チャンバ
の内側を所望の圧力（例えば５０ｍトル未満、一般的に言って１〜２０ｍトル）
に維持するための適切な真空ポンプ装置を含んでいる。厚さが均一のほぼ平坦な
誘電体窓を、アンテナと処理チャンバ４０の内側の間に設けることができて、処
理チャンバ４０の上部に真空壁を形成する。通例シャワーヘッド５０と呼ばれる
ガス分配板は、窓の真下に設けられ、適切なガス源によって処理チャンバ４０に
供給される処理ガスを排出するための円形孔（図示せず）などの複数の開口を含
んでいる。円筒形ライナ６０はガス分配板から延びており、基板保持具４２を取
り囲んでいる。バッフル・リング７０は基板保持具４２とライナ６０の間に延び
ている。ライナ６０および／またはバッフル・リング７０を、抵抗加熱、加熱さ
れた液体などの適切なあらゆる技術によって加熱することができる加熱部材６１
によって加熱することができる。バッフル・リング７０の細部を図４に示すが、
同図ではバッフル板リング７０が、チャンバの底部に接続された真空ポンプへの
計測器および副生成物の通路用に小さい孔７２と大きい孔７４を含んでいること
が理解できる。
ャンバ４０は基板保持具４２を含み、前記基板保持具４２は基板４３に静電クラ
ンプ力を、ならびにその上に支持される基板にＲＦバイアスをかける。外側誘電
体部４４ａおよび内側ＳｉＣ部４４ｂを有する焦点リング４４は、Ｈｅにより背
面冷却されながら、基板の上方の領域にプラズマを限定する。適切なＲＦ供給源
および適切なＲＦインピーダンス整合回路によって電力を供給されるアンテナ（
図示せず）などの、チャンバの中に高密度（例えば１０１１〜１０１２イオン／
ｃｍ３）プラズマを維持するためのエネルギー源は、高密度プラズマを形成する
ようにチャンバ４０にＲＦエネルギーを誘導結合させる。チャンバは、チャンバ
の内側を所望の圧力（例えば５０ｍトル未満、一般的に言って１〜２０ｍトル）
に維持するための適切な真空ポンプ装置を含んでいる。厚さが均一のほぼ平坦な
誘電体窓を、アンテナと処理チャンバ４０の内側の間に設けることができて、処
理チャンバ４０の上部に真空壁を形成する。通例シャワーヘッド５０と呼ばれる
ガス分配板は、窓の真下に設けられ、適切なガス源によって処理チャンバ４０に
供給される処理ガスを排出するための円形孔（図示せず）などの複数の開口を含
んでいる。円筒形ライナ６０はガス分配板から延びており、基板保持具４２を取
り囲んでいる。バッフル・リング７０は基板保持具４２とライナ６０の間に延び
ている。ライナ６０および／またはバッフル・リング７０を、抵抗加熱、加熱さ
れた液体などの適切なあらゆる技術によって加熱することができる加熱部材６１
によって加熱することができる。バッフル・リング７０の細部を図４に示すが、
同図ではバッフル板リング７０が、チャンバの底部に接続された真空ポンプへの
計測器および副生成物の通路用に小さい孔７２と大きい孔７４を含んでいること
が理解できる。
【００１８】 他の実施形態では、図３に示すように、改良されたライナ６２は円筒形部６４
および円錐形部６６を含むことができる。この実施形態では、加熱器６８は、部
分６４および／または部分６６を所望の温度に維持するために使用される抵抗素
子（図示せず）を含んでいる。
および円錐形部６６を含むことができる。この実施形態では、加熱器６８は、部
分６４および／または部分６６を所望の温度に維持するために使用される抵抗素
子（図示せず）を含んでいる。
【００１９】 酸化物エッチング処理でエッチングされる基板は、一般に下層と、エッチング
されるべき酸化物層と、酸化物層の上に形成されるフォトレジスト層とを含んで
いる。酸化物層は、ＳｉＯ２、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、または他の酸化物材料のうち
の１つにすることができる。下層は、Ｓｉ、ＴｉＮ、ケイ化物、下に横たわって
いる他の層または基板材料とすることができる。フォトレジスト・エッチング速
度と比較したエッチングされるべき層のエッチング速度であるエッチング選択性
は約４：１以上であることが好ましい。下層と比較した酸化物層のエッチング選
択性は、酸化物：フォトレジストのエッチング選択性よりも大きいことが好まし
く、例えば４０：１である。
されるべき酸化物層と、酸化物層の上に形成されるフォトレジスト層とを含んで
いる。酸化物層は、ＳｉＯ２、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、または他の酸化物材料のうち
の１つにすることができる。下層は、Ｓｉ、ＴｉＮ、ケイ化物、下に横たわって
いる他の層または基板材料とすることができる。フォトレジスト・エッチング速
度と比較したエッチングされるべき層のエッチング速度であるエッチング選択性
は約４：１以上であることが好ましい。下層と比較した酸化物層のエッチング選
択性は、酸化物：フォトレジストのエッチング選択性よりも大きいことが好まし
く、例えば４０：１である。
【００２０】 本発明によれば、炭化ケイ素チャンバ・ライナ、焦点リング、バッフル・リン
グおよび／またはガス分配板は、ケイ素、ポリシリコン、ケイ化物、窒化チタン
、アルミニウムなどの導電性層、または窒化ケイ素などの非導電性材料の上に一
般に横たわっている二酸化ケイ素（例えば、ドープを施した、または、無ドープ
のＴＥＯＳ、ＢＰＳＧ、ＵＳＧ（無ドープ・スピン・オン・ガラス（ｕｎｄｏｐ
ｅｄ ｓｐｉｎ−ｏｎ−ｇｌａｓｓ））、熱酸化物（ｔｈｅｒｍａｌ ｏｘｉｄ
ｅ）、プラズマ酸化物（ｐｌａｓｍａ ｏｘｉｄｅ）など）などの誘電体材料の
エッチングなどの処理中の基板の金属および／またはパーティクルの汚染を低減
させる。本発明によれば、ウェーハのパーティクル汚染を許容レベル未満に維持
している間、半導体ウェーハ（例えば、２５以上の連続するウェーハ）などの基
板の逐次バッチ処理中に、０．５μｍ以下の寸法を有する特徴（コンタクトホー
ル、ビア、トレンチなど）を形成することができ、基板ごとに２：１から７：１
の範囲のアスペクト比をエッチングで得ることができる。
グおよび／またはガス分配板は、ケイ素、ポリシリコン、ケイ化物、窒化チタン
、アルミニウムなどの導電性層、または窒化ケイ素などの非導電性材料の上に一
般に横たわっている二酸化ケイ素（例えば、ドープを施した、または、無ドープ
のＴＥＯＳ、ＢＰＳＧ、ＵＳＧ（無ドープ・スピン・オン・ガラス（ｕｎｄｏｐ
ｅｄ ｓｐｉｎ−ｏｎ−ｇｌａｓｓ））、熱酸化物（ｔｈｅｒｍａｌ ｏｘｉｄ
ｅ）、プラズマ酸化物（ｐｌａｓｍａ ｏｘｉｄｅ）など）などの誘電体材料の
エッチングなどの処理中の基板の金属および／またはパーティクルの汚染を低減
させる。本発明によれば、ウェーハのパーティクル汚染を許容レベル未満に維持
している間、半導体ウェーハ（例えば、２５以上の連続するウェーハ）などの基
板の逐次バッチ処理中に、０．５μｍ以下の寸法を有する特徴（コンタクトホー
ル、ビア、トレンチなど）を形成することができ、基板ごとに２：１から７：１
の範囲のアスペクト比をエッチングで得ることができる。
【００２１】 酸化物エッチング中、チャンバ圧力は一般に３００ｍトル未満、好ましくは１
〜４０ｍトルであり、アンテナは２００〜５０００ワット、好ましくは３００〜
２５００ワットの電力を供給され、ＲＦバイアスは６０００ワット以下、好まし
くは１０００〜２５００ワットであって、Ｈｅ背圧は５〜４０トル、好ましくは
７〜２０トルである。処理ガスは、１０〜２００ｓｃｃｍのＣＨＦ３と、１０〜
１００ｓｃｃｍのＣ２ＨＦ５および／または１０〜１００ｓｃｃｍのＣ２Ｆ６と
を含むことができる。
〜４０ｍトルであり、アンテナは２００〜５０００ワット、好ましくは３００〜
２５００ワットの電力を供給され、ＲＦバイアスは６０００ワット以下、好まし
くは１０００〜２５００ワットであって、Ｈｅ背圧は５〜４０トル、好ましくは
７〜２０トルである。処理ガスは、１０〜２００ｓｃｃｍのＣＨＦ３と、１０〜
１００ｓｃｃｍのＣ２ＨＦ５および／または１０〜１００ｓｃｃｍのＣ２Ｆ６と
を含むことができる。
【００２２】 炭化ケイ素部材は、適切なあらゆる技術によって反応チャンバに装着できる別
個の部品として形成されるのが好ましい。例えば、炭化ケイ素ライナをチャンバ
の電気的に接地された部分にボルトで止めることができ、それによってライナの
接地を実現する。別法として、炭化ケイ素をチャンバの金属部および／またはセ
ラミック部上に被覆することができる。炭化ケイ素部材がガス分配板である場合
、炭化ケイ素は、ＲＦアンテナがチャンバにＲＦエネルギーを結合させることが
可能となるに十分に高い抵抗率を有することが好ましい。例えば、炭化ケイ素は
ホット・プレスされて約５×１０４Ω・ｃｍ程度の抵抗率値を得ることができる
。さらに高い抵抗率を求めて、ＳｉＣ粉を適切な添加剤でドープしたり、または
窒素雰囲気で燒結して、炭化ケイ素の結晶粒界にＳｉ３Ｎ４を形成することがで
き、したがって抵抗率を１×１０８Ω・ｃｍなどの値に上げることができる。ガ
ス分配板の作製時に、適切なガス通路および出口孔を、後で燒結されて単体の板
を形成する未燒結セラミック材料に設けることができる。通路および／または孔
内でプラズマに達するのを防止するため、通路および孔の寸法は、処理ガスが流
れている間およびアンテナへ電力を供給している間にプラズマが形成される条件
を回避するに十分に小さいことが好ましい。
個の部品として形成されるのが好ましい。例えば、炭化ケイ素ライナをチャンバ
の電気的に接地された部分にボルトで止めることができ、それによってライナの
接地を実現する。別法として、炭化ケイ素をチャンバの金属部および／またはセ
ラミック部上に被覆することができる。炭化ケイ素部材がガス分配板である場合
、炭化ケイ素は、ＲＦアンテナがチャンバにＲＦエネルギーを結合させることが
可能となるに十分に高い抵抗率を有することが好ましい。例えば、炭化ケイ素は
ホット・プレスされて約５×１０４Ω・ｃｍ程度の抵抗率値を得ることができる
。さらに高い抵抗率を求めて、ＳｉＣ粉を適切な添加剤でドープしたり、または
窒素雰囲気で燒結して、炭化ケイ素の結晶粒界にＳｉ３Ｎ４を形成することがで
き、したがって抵抗率を１×１０８Ω・ｃｍなどの値に上げることができる。ガ
ス分配板の作製時に、適切なガス通路および出口孔を、後で燒結されて単体の板
を形成する未燒結セラミック材料に設けることができる。通路および／または孔
内でプラズマに達するのを防止するため、通路および孔の寸法は、処理ガスが流
れている間およびアンテナへ電力を供給している間にプラズマが形成される条件
を回避するに十分に小さいことが好ましい。
【００２３】 ライナ、焦点リング、バッフル板および／またはガス分配板を、炭化ケイ素が
最も多量な、炭化ケイ素をベースにした粉材のさまざまな混合物で作製すること
ができる。例えば、ケイ素および炭素の総量は、一般には少なくとも９０ｗｔ％
、好ましくは９５ｗｔ％以上、より好ましくは９９ｗｔ％以上である。例えば、
ＳｉＣ部材に約０．５％までＢを含ませてＳｉＣ粉の燒結を助けることができる
。ＳｉＣ部材は、約３５ｗｔ％までの遊離Ｓｉおよび／またはＳｉ３Ｎ４などの
過剰なＳｉを含むことができる。炭化ケイ素材料を、ホット・プレス、燒結、反
応結合（例えば、ＳｉＣは溶融Ｓｉで溶侵される）などの適切なあらゆる方法に
よって作製することができる。ライナ、焦点リングおよび／またはバッフル板な
どに使用するため、炭化ケイ素は２００Ω・ｃｍ未満などの低い抵抗率を有する
ことが好ましい。しかしながら、ＳｉＣ部材が、ＲＦアンテナと共に使用される
窓および／またはガス分配板用に使われる時、抵抗率は非常に高い。異なるＲＦ
供給源が使用される場合、窓／ガス分配板を低抵抗率ＳｉＣ部材と取り替えるこ
とができる。半導体基板の処理中に金属汚染を回避するために、ＳｉＣ部材を、
ＳｉＣ部材中のかかる金属が存在することを回避する方法によって作製すること
が好ましい。ケイ素および炭素は、名目上のＳｉＣ化学量論を達成するに十分な
量が存在することが好ましい。かかる混合物を所望の形状に形成し、燒結し、所
望の許容誤差および／または真空密封面などの表面を所望の表面仕上げに機械加
工することができる。ＳｉＣ部材は、例えば３．１ｇ／ｃｍ３を超える密度を有
するように、高密度であることが好ましい。
最も多量な、炭化ケイ素をベースにした粉材のさまざまな混合物で作製すること
ができる。例えば、ケイ素および炭素の総量は、一般には少なくとも９０ｗｔ％
、好ましくは９５ｗｔ％以上、より好ましくは９９ｗｔ％以上である。例えば、
ＳｉＣ部材に約０．５％までＢを含ませてＳｉＣ粉の燒結を助けることができる
。ＳｉＣ部材は、約３５ｗｔ％までの遊離Ｓｉおよび／またはＳｉ３Ｎ４などの
過剰なＳｉを含むことができる。炭化ケイ素材料を、ホット・プレス、燒結、反
応結合（例えば、ＳｉＣは溶融Ｓｉで溶侵される）などの適切なあらゆる方法に
よって作製することができる。ライナ、焦点リングおよび／またはバッフル板な
どに使用するため、炭化ケイ素は２００Ω・ｃｍ未満などの低い抵抗率を有する
ことが好ましい。しかしながら、ＳｉＣ部材が、ＲＦアンテナと共に使用される
窓および／またはガス分配板用に使われる時、抵抗率は非常に高い。異なるＲＦ
供給源が使用される場合、窓／ガス分配板を低抵抗率ＳｉＣ部材と取り替えるこ
とができる。半導体基板の処理中に金属汚染を回避するために、ＳｉＣ部材を、
ＳｉＣ部材中のかかる金属が存在することを回避する方法によって作製すること
が好ましい。ケイ素および炭素は、名目上のＳｉＣ化学量論を達成するに十分な
量が存在することが好ましい。かかる混合物を所望の形状に形成し、燒結し、所
望の許容誤差および／または真空密封面などの表面を所望の表面仕上げに機械加
工することができる。ＳｉＣ部材は、例えば３．１ｇ／ｃｍ３を超える密度を有
するように、高密度であることが好ましい。
【００２４】 ＳｉＣ部材がＣＶＤによって形成される場合、バルク部材を形成するに十分な
ＳｉＣを堆積することが好ましい。例えば、ＳｉＣを黒鉛マンドレルに堆積させ
ることができ、所望の厚さのＳｉＣが達成された時、黒鉛マンドレルをエッチン
グ除去して高純度かつ高密度ＳｉＣ部材を残すことができる。
ＳｉＣを堆積することが好ましい。例えば、ＳｉＣを黒鉛マンドレルに堆積させ
ることができ、所望の厚さのＳｉＣが達成された時、黒鉛マンドレルをエッチン
グ除去して高純度かつ高密度ＳｉＣ部材を残すことができる。
【００２５】 本発明による炭化ケイ素部材は、酸化物エッチングおよび酸素清浄ステップ中
に処理されるウェーハ上のパーティクル数の劇的な低減を実現する。炭化ケイ素
部材はまた、ＴＣＰＴＭ電力を６５０Ｗに、底部電極を７５０Ｗに、圧力を１０
ｍトルにして、７５０ｓｃｃｍの酸素ガスを１０秒間流すことのできるアッシン
グ・プロセス中のパーティクル汚染を低減する。エッチングおよび酸素清浄ステ
ップ中に腐食し、かつウェーハを汚染するであろうアルミニウムを遊離させる可
能性のあるアルミナ・ライナと比較して、炭化ケイ素材料中にＡｌは好ましくは
２００ｐｐｍ未満しかないので、炭化ケイ素ライナはより良好な汚染性能を実現
する。そのうえ、プラズマ・エッチングなどの処理中に、ＳｉＣの腐食の結果と
して生成される副生成物は揮発性であって、したがってウェーハ上へのパーティ
クルの付加の一因にはならず、遊離元素ＳｉおよびＣはウェーハ処理にとって有
害ではない。
に処理されるウェーハ上のパーティクル数の劇的な低減を実現する。炭化ケイ素
部材はまた、ＴＣＰＴＭ電力を６５０Ｗに、底部電極を７５０Ｗに、圧力を１０
ｍトルにして、７５０ｓｃｃｍの酸素ガスを１０秒間流すことのできるアッシン
グ・プロセス中のパーティクル汚染を低減する。エッチングおよび酸素清浄ステ
ップ中に腐食し、かつウェーハを汚染するであろうアルミニウムを遊離させる可
能性のあるアルミナ・ライナと比較して、炭化ケイ素材料中にＡｌは好ましくは
２００ｐｐｍ未満しかないので、炭化ケイ素ライナはより良好な汚染性能を実現
する。そのうえ、プラズマ・エッチングなどの処理中に、ＳｉＣの腐食の結果と
して生成される副生成物は揮発性であって、したがってウェーハ上へのパーティ
クルの付加の一因にはならず、遊離元素ＳｉおよびＣはウェーハ処理にとって有
害ではない。
【００２６】 前に述べたことは、本発明の原理、好ましい実施形態、操作モードを記述して
いる。しかしながら、本発明を、論じられた個々の実施形態に限定されるものと
して解釈するべきではない。したがって、上述の実施形態は限定的というよりも
例示的としてみなされるべきであって、以下の特許請求の範囲によって定義され
るような本発明の範囲から逸脱することなく当業者によってこれらの実施形態に
変形を加えることが可能であることを理解されたい。
いる。しかしながら、本発明を、論じられた個々の実施形態に限定されるものと
して解釈するべきではない。したがって、上述の実施形態は限定的というよりも
例示的としてみなされるべきであって、以下の特許請求の範囲によって定義され
るような本発明の範囲から逸脱することなく当業者によってこれらの実施形態に
変形を加えることが可能であることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明によるライナ、焦点リング、バッフルおよび／またはガス分配板を有す
る真空処理チャンバの横断面図である。
る真空処理チャンバの横断面図である。
【図２】 ライナが円筒形の形状をしている本発明に係る改良された真空処理チャンバの
横断面図である。
横断面図である。
【図３】 ライナが円筒形部と円錐形部を含んでいる、本発明に係る改良された真空処理
チャンバの一部分の横断面図である。
チャンバの一部分の横断面図である。
【図４】 本発明によるバッフル・リングの上面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウィッカー， トーマス， イー． アメリカ合衆国 ネバダ州 89511， レ ノ， フェアヴュー ロード 4430 (72)発明者 マラシュチン， ロバート， エー． アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95014， クパティーノ， エドワード ウェイ 21629 Ｆターム(参考） 4K030 BA37 FA04 GA02 KA08 KA20 KA26 KA30 KA46 KA47 LA15 LA18 5F004 AA16 BA20 BB11 BB29 DA00 DA16 DB03 5F045 AA08 BB14 EB03 EC05 EH11 EM09
Claims (20)
- 【請求項１】 基板を処理し、その金属および／またはパーティクルの汚染
を低減させる方法であって、 （ａ）処理チャンバの中の基板保持具上に基板を配置するステップであって、
前記処理チャンバが前記基板に隣接する露出表面を有する少なくとも１つの部材
を含み、前記部材が炭化ケイ素(silicon carbide)をベースにした材料を含むス
テップと、 （ｂ）処理ガスを前記処理チャンバへ供給し前記処理チャンバ内で前記処理ガ
スをプラズマ状態に励起することとによって前記基板を処理するステップであっ
て、前記炭化ケイ素部材がプラズマと接してプラズマを持続させるＲＦ電流用の
接地経路を与えるステップと、 （ｃ）さらに、前記処理チャンバから前記基板を取り出すステップと、 （ｄ）前記炭化ケイ素部材上のプラズマ電位の低減および／または非炭化ケイ
素チャンバ内側表面のスパッタリングの低減の結果として前記の処理ステップ中
における追加の基板のパーティクル汚染を最小限にしながら、ステップ（ａ）〜
（ｃ）を繰り返すことによって前記処理チャンバ内で前記追加の基板を連続して
処理するステップと を含む方法。 - 【請求項２】 前記炭化ケイ素部材が、前記処理チャンバの側壁を形成する
ライナを備え、前記処理チャンバがほぼ平坦なアンテナを含み、前記アンテナが
、前記アンテナにＲＦ電力を供給することによって前記処理ガスをプラズマ状態
に励起し、前記処理ガスが１つまたは複数のフッ化炭化水素(hydrofluorocarbon
ガスを含む、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記プラズマが高密度プラズマを含み、前記基板にＲＦバイ
アスをかけながら、該高密度プラズマで基板上の酸化物層をエッチングすること
によって前記基板が処理される、請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 前記炭化ケイ素部材が、前記処理チャンバの側壁を形成する
ライナ、前記処理チャンバに前記処理ガスを供給するガス分配板、前記基板保持
具と前記処理チャンバの内壁との間に延びている穿孔されたバッフル、および／
または、前記基板を取り囲む焦点リングとを備えている、請求項１に記載の方法
。 - 【請求項５】 前記炭化ケイ素部材が、前記処理チャンバの側壁を形成する
ライナを備え、前記ライナを所望の温度に維持する加熱された部材によって前記
ライナが取り囲まれている、請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】 前記炭化ケイ素部材が本質的に、ホット・プレス、燒結、Ｃ
ＶＤ、反応結合ＳｉＣ、または、ＳｉＣの被覆が前記炭化ケイ素部材の露出表面
を形成している複合体からなる、請求項１に記載の方法。 - 【請求項７】 前記炭化ケイ素部材が加熱されたライナとバッフルとを備え
、前記ライナが前記基板保持具を取り囲み、前記バッフルが前記ライナと前記基
板保持具の間に延びている有孔リングを備え、前記処理ステップ中に前記ライナ
が室温より高い温度に加熱される、請求項１に記載の方法。 - 【請求項８】 前記炭化ケイ素部材が、前記炭化ケイ素部材を絶縁材料にす
るのに十分に高い抵抗率を有するガス分配板を備え、前記処理ガスが、前記ガス
分配板を通して前記チャンバにＲＦエネルギーを結合させるアンテナによって励
起される、請求項１に記載の方法。 - 【請求項９】 前記炭化ケイ素部材が、２００Ω・ｃｍ未満の抵抗率を有す
るライナをさらに含む、請求項８に記載の方法。 - 【請求項１０】 プラズマ処理チャンバであって、 処理チャンバの内側に基板を支持するための基板保持具と、 前記基板に隣接する露出表面を有する少なくとも１つの部材であって、炭化ケ
イ素をベースにした材料を含む部材と、 前記処理チャンバの内側に処理ガスを供給するガス源と、 前記処理チャンバの内側にエネルギーを供給し、前記基板を処理するために前
記処理ガスをプラズマ状態に励起するエネルギー源とを備え、前記炭化ケイ素部
材が、前記炭化ケイ素部材上のプラズマ電位の低減および／または非炭化ケイ素
チャンバ内側表面のスパッタリングの低減の結果としてそのプラズマ処理中にお
ける前記基板のパーティクル汚染を最小限にする、 プラズマ処理チャンバ。 - 【請求項１１】 前記炭化ケイ素部材が、前記処理チャンバの側壁を形成す
るライナを備え、前記ライナが、前記ライナを所望の温度に維持する過熱された
部材によって取り囲まれている、請求項１０に記載のプラズマ処理チャンバ。 - 【請求項１２】 前記処理チャンバが誘電体窓を含み、前記エネルギー源が
、前記窓に隣接するほぼ平坦なアンテナの形態をしたＲＦエネルギー源を備え、
前記アンテナが前記窓を通してＲＦ電力を供給して、前記処理チャンバの中の処
理ガスをプラズマ状態に励起する、請求項１０に記載のプラズマ処理チャンバ。 - 【請求項１３】 前記炭化ケイ素部材が、ガス分配板、焦点リング、前記基
板保持具と処理チャンバとの内壁との間にある穿孔されたバッフル、および／ま
たは、チャンバ・ライナを備えている、請求項１０に記載のプラズマ処理チャン
バ。 - 【請求項１４】 前記炭化ケイ素部材が、前記処理チャンバの側壁を形成す
る円筒形および／または円錐形ライナを備えている、請求項１０に記載のプラズ
マ処理チャンバ。 - 【請求項１５】 前記少なくとも１つの炭化ケイ素部材がＳｉＣライナとＳ
ｉＣバッフル・リングとを備えている、請求項１０に記載のプラズマ処理チャン
バ。 - 【請求項１６】 前記少なくとも１つの炭化ケイ素部材が、前記ライナおよ
び／または前記加熱された部材に接触しているＳｉＣバッフル・リングをさらに
備える、請求項１１に記載のプラズマ処理チャンバ。 - 【請求項１７】 前記炭化ケイ素部材が少なくとも約５×１０４Ω・ｃｍの
抵抗率を有している、請求項１０に記載のプラズマ処理チャンバ。 - 【請求項１８】 前記炭化ケイ素部材が本質的に、ホット・プレス、燒結、
ＣＶＤ、反応結合ＳｉＣ、または、ＳｉＣの被覆が前記炭化ケイ素部材の露出表
面を形成している複合体からなる、請求項１０に記載のプラズマ処理チャンバ。 - 【請求項１９】 前記少なくとも１つの炭化ケイ素部材がＳｉＣライナとＳ
ｉＣガス分配板を備え、前記ガス分配板が、前記ガス分配板を絶縁材料にするの
に十分に高い抵抗率を有し、前記ライナが、前記ライナを導電性にするに十分に
低い抵抗率を有している、請求項１０に記載のプラズマ処理チャンバ。 - 【請求項２０】 前記炭化ケイ素部材が、少なくとも３．１ｇ／ｃｍ３の密
度を有し、少なくとも９９ｗｔ％の炭素とケイ素を含んでいる、請求項１０に記
載のプラズマ処理チャンバ。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001203188A (ja) * | 2000-01-19 | 2001-07-27 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
| JP2001203190A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
| JP2006501608A (ja) * | 2002-09-30 | 2006-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システムにおける改良された堆積シールドのための方法及び装置 |
| JP2020004534A (ja) * | 2018-06-26 | 2020-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| KR20200130739A (ko) * | 2018-03-30 | 2020-11-19 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 이온 소스 및 호일 라이너 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6129808A (en) * | 1998-03-31 | 2000-10-10 | Lam Research Corporation | Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same |
| KR100751740B1 (ko) * | 1999-11-15 | 2007-08-24 | 램 리써치 코포레이션 | 공정 시스템들을 위한 재료들과 기체 화학성분들 |
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| KR100719804B1 (ko) * | 2005-08-08 | 2007-05-18 | 주식회사 아이피에스 | 다중 안테나 구조 |
| KR100694796B1 (ko) * | 2005-09-26 | 2007-03-14 | 세메스 주식회사 | 평면표시패널 처리챔버의 기액 분리장치 |
| KR100855323B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-09-04 | 세메스 주식회사 | 공정 챔버 및 플라즈마 처리 장치 |
| US20090151870A1 (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-18 | Tokyo Electron Limited | Silicon carbide focus ring for plasma etching system |
| KR101398585B1 (ko) * | 2012-10-08 | 2014-06-27 | 주식회사 코디에스 | 플라즈마 에칭 장치 및 배플 |
| US10074887B2 (en) | 2016-06-29 | 2018-09-11 | Google Llc | Antenna chamber with heat venting |
| US11239060B2 (en) | 2018-05-29 | 2022-02-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Ion beam etching chamber with etching by-product redistributor |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0464883A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | 冷凍・冷蔵庫の霜取装置 |
| JPH08115903A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法およびプラズマエッチング装置 |
| JPH09120898A (ja) * | 1995-07-26 | 1997-05-06 | Applied Materials Inc | 電子的に可変な密度プロファイルを有するプラズマ源 |
| JPH1064882A (ja) * | 1996-05-13 | 1998-03-06 | Applied Materials Inc | ポリマ硬化前駆体材料の熱源を有するプラズマリアクタ |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0741153Y2 (ja) * | 1987-10-26 | 1995-09-20 | 東京応化工業株式会社 | 試料処理用電極 |
| US5182059A (en) * | 1989-01-17 | 1993-01-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Process for producing high density SiC sintered bodies |
| GB8905073D0 (en) * | 1989-03-06 | 1989-04-19 | Nordiko Ltd | Ion gun |
| US5556501A (en) * | 1989-10-03 | 1996-09-17 | Applied Materials, Inc. | Silicon scavenger in an inductively coupled RF plasma reactor |
| US5292399A (en) * | 1990-04-19 | 1994-03-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching apparatus with conductive means for inhibiting arcing |
| US5085727A (en) * | 1990-05-21 | 1992-02-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch apparatus with conductive coating on inner metal surfaces of chamber to provide protection from chemical corrosion |
| US5304279A (en) * | 1990-08-10 | 1994-04-19 | International Business Machines Corporation | Radio frequency induction/multipole plasma processing tool |
| US5441568A (en) * | 1994-07-15 | 1995-08-15 | Applied Materials, Inc. | Exhaust baffle for uniform gas flow pattern |
| US6156663A (en) * | 1995-10-03 | 2000-12-05 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for plasma processing |
| US5904778A (en) * | 1996-07-26 | 1999-05-18 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide composite article particularly useful for plasma reactors |
| US5942454A (en) * | 1996-08-27 | 1999-08-24 | Asahi Glass Company Ltd. | Highly corrosion-resistant silicon carbide product |
-
1999
- 1999-03-26 AT AT99915049T patent/ATE345577T1/de not_active IP Right Cessation
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- 1999-03-31 TW TW88105064A patent/TW575676B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0464883A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | 冷凍・冷蔵庫の霜取装置 |
| JPH08115903A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法およびプラズマエッチング装置 |
| JPH09120898A (ja) * | 1995-07-26 | 1997-05-06 | Applied Materials Inc | 電子的に可変な密度プロファイルを有するプラズマ源 |
| JPH1064882A (ja) * | 1996-05-13 | 1998-03-06 | Applied Materials Inc | ポリマ硬化前駆体材料の熱源を有するプラズマリアクタ |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001203188A (ja) * | 2000-01-19 | 2001-07-27 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
| JP2001203190A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
| JP2006501608A (ja) * | 2002-09-30 | 2006-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システムにおける改良された堆積シールドのための方法及び装置 |
| JP2011049173A (ja) * | 2002-09-30 | 2011-03-10 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理システムにおける改良された堆積シールド |
| KR20200130739A (ko) * | 2018-03-30 | 2020-11-19 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 이온 소스 및 호일 라이너 |
| KR102513986B1 (ko) * | 2018-03-30 | 2023-03-24 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 이온 소스 및 호일 라이너 |
| JP2020004534A (ja) * | 2018-06-26 | 2020-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
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| Publication number | Publication date |
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