JP2002510858A5

JP2002510858A5 -

Info

Publication number: JP2002510858A5
Application number: JP2000541718A
Authority: JP
Filing date: 1999-03-26
Publication date: 2006-05-18
Anticipated expiration: 2019-03-26

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】基板を処理し、その金属またはパーティクルの汚染を低減させる方法であって、
（ａ）処理チャンバの中の基板保持具上に基板を配置するステップであって、前記処理チャンバが前記基板に隣接する露出表面を有する少なくとも１つの部材を含み、前記部材が炭化ケイ素(silicon carbide)をベースにした材料を含むステップと、
（ｂ）処理ガスを前記処理チャンバへ供給し前記処理チャンバ内で前記処理ガスをプラズマ状態に励起することとによって前記基板を処理するステップであって、前記炭化ケイ素部材がプラズマに晒されて、プラズマを持続させるＲＦ電流用の接地経路を与えるステップと、
（ｃ）前記処理チャンバから前記基板を取り出すステップと、
（ｄ）前記炭化ケイ素部材上のプラズマ電位の低減および／または非炭化ケイ素チャンバ内側表面のスパッタリングの低減の結果として前記の処理ステップ中における追加の基板のパーティクル汚染を最小限にしながら、ステップ（ａ）〜（ｃ）を繰り返すことによって前記処理チャンバ内で前記追加の基板を連続して処理するステップとを含み、
前記炭化ケイ素部材が前記処理チャンバの内側にライナを備えて前記処理チャンバの壁を形成し、前記ライナが、前記処理チャンバの電気的に接地された部分であって前記ライナに電気的な接地を提供する部分に結合される別個の部品であり、前記ライナが、全体的にＣＶＤで形成されたＳｉＣである、ことを特徴とする方法。
【請求項２】前記処理チャンバがほぼ平坦なアンテナを含み、前記アンテナが、前記アンテナにＲＦ電力を供給することによって前記処理ガスをプラズマ状態に励起し、前記処理ガスが１つまたは複数のフッ化炭化水素(hydrofluorocarbon)ガスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記プラズマが高密度プラズマを含み、前記基板にＲＦバイアスをかけながら、該高密度プラズマで基板上の酸化物層をエッチングすることによって前記基板が処理される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】前記炭化ケイ素部材が、前記処理チャンバに前記処理ガスを供給するガス分配板、前記基板保持具と前記ライナとの間に延びている穿孔されたバッフル、および／または、前記基板を取り囲む焦点リングとを更に備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項５】前記ライナは、所望の温度に前記ライナを維持する加熱された部材によって取り囲まれている、請求項１に記載の方法。
【請求項６】前記炭化ケイ素部材が加熱されたライナとバッフルとを備え、前記ライナが前記基板保持具を取り囲み、前記バッフルが前記ライナと前記基板保持具との間に延びている有孔リングを備え、前記処理ステップ中に前記ライナが室温より高い温度に加熱される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】前記炭化ケイ素部材を絶縁材料にするのに十分に高い抵抗率を有するＳｉＣガス分配板を更に備え、前記処理ガスが、前記ガス分配板を通して前記チャンバにＲＦエネルギーを結合させるアンテナによって励起される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】前記ライナが、２００Ω・ｃｍ未満の抵抗率を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】プラズマ処理チャンバであって、
処理チャンバの内側に基板を支持するための基板保持具と、
前記基板に隣接する露出表面を有し、炭化ケイ素をベースにした材料を含む少なくとも１つの部材と、
前記処理チャンバの内側に処理ガスを供給するガス源とを備え、
前記部材が、前記処理チャンバの内側にライナを備えて前記処理チャンバの壁を形成し、前記ライナが、前記処理チャンバの電気的に接地された部分であって前記ライナに電気的な接地を提供する部分に結合される別個の部品であり、前記ライナが、全体的にＣＶＤで形成されたＳｉＣである、
ことを特徴とするプラズマ処理チャンバ。
【請求項１０】前記ライナが、前記ライナを所望の温度に維持する過熱された部材によって取り囲まれている、請求項９に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１１】前記処理チャンバが誘電体窓を含み、前記エネルギー源が、前記窓に隣接するほぼ平坦なアンテナの形態をしたＲＦエネルギー源を備え、前記アンテナが前記窓を通してＲＦ電力を供給して、前記処理チャンバの中の処理ガスをプラズマ状態に励起する、請求項９に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１２】前記炭化ケイ素部材が、ガス分配板、焦点リング、および／または、前記基板保持具と処理チャンバの内壁との間にある穿孔されたバッフルをを更に含む、請求項９に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１３】前記炭化ケイ素部材が、前記処理チャンバの側壁を形成する円筒形および／または円錐形ライナを含む、請求項９に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１４】前記少なくとも１つの炭化ケイ素部材がＳｉＣバッフル・リングを更に含む、請求項９に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１５】前記少なくとも１つの炭化ケイ素部材が、前記ライナおよび／または前記加熱された部材に接触しているＳｉＣバッフル・リングをさらに含む、請求項１０に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１６】前記炭化ケイ素部材が５×１０^４Ω・ｃｍ〜１×１０ ^８ Ω・ｃｍの範囲内の抵抗率を有するガス分配板を更に含む、請求項１２に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１７】ＳｉＣガス分配板を更に備え、前記ガス分配板が、前記ガス分配板を絶縁材料にするのに十分に高い抵抗率を有し、前記ライナが、前記ライナを導電性にするに十分に低い抵抗率を有している、請求項９に記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１８】前記炭化ケイ素部材が、少なくとも３．１ｇ／ｃｍ^３の密度を有し、少なくとも９９ｗｔ％の炭素とケイ素を含んでいる、請求項９に記載のプラズマ処理チャンバ。