CN101495670A - 具有减少聚合物沉积特性的等离子约束环组件 - Google Patents

具有减少聚合物沉积特性的等离子约束环组件 Download PDF

Info

Publication number
CN101495670A
CN101495670A CNA200680008850XA CN200680008850A CN101495670A CN 101495670 A CN101495670 A CN 101495670A CN A200680008850X A CNA200680008850X A CN A200680008850XA CN 200680008850 A CN200680008850 A CN 200680008850A CN 101495670 A CN101495670 A CN 101495670A
Authority
CN
China
Prior art keywords
confinement ring
plasma confinement
plasma
exposed
assemblies according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA200680008850XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN101495670B (zh
Inventor
R·丁德萨
F·科扎克维奇
J·H·罗杰斯
D·特拉塞尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Priority to CN201210276251.3A priority Critical patent/CN102867726B/zh
Publication of CN101495670A publication Critical patent/CN101495670A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101495670B publication Critical patent/CN101495670B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32522—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/914—Differential etching apparatus including particular materials of construction
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/915—Differential etching apparatus including focus ring surrounding a wafer for plasma apparatus

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

提供了包括约束环的等离子约束环组件，这些约束环适于在环的暴露到等离子的表面上达到足够高的温度来避免这些表面上的聚合物沉积。等离子约束环包括适于将加热局限在环的包括暴露到等离子的表面的所选部分处的热阻器。热阻器减少从这些部分到环的其它部分的热传导，这使得这些环的所选部分在等离子处理期间达到期望的温度。

Description

具有减少聚合物沉积特性的等离子约束环组件
背景技术
等离子处理室可以包括上电极和下电极。上电极通常面对衬底支承件，该支承件适于在等离子处理期间支承半导体衬底。在等离子处理期间，向电极之一或两者供电以激活处理气体并产生等离子来处理衬底。
可以在等离子处理室中进行等离子刻蚀来刻蚀作为层设置在半导体衬底上的所选材料。选择处理条件，使得等离子在这些层的所选部分中刻蚀出所期望的特征。
发明内容
一个优选实施例的用于等离子处理室的等离子约束环组件包括多个等离子约束环。每个等离子约束环都包括具有暴露到等离子的内径表面的内部、从所述内部沿径向向外布置的外部、以及至少一个热阻器(thermal choke)。当所述内径表面暴露到所述等离子处理室中的等离子时，所述热阻器适于减少从所述内部到所述外部的热传导。结果，所述内径表面达到足够高的温度来基本上防止其上的聚合物沉积。
另一优选实施例的用于等离子处理室的等离子约束环组件，包括安装环和适于悬挂在所述安装环下方的多个等离子约束环。所述等离子约束环包括一个上等离子约束环和多个下等离子约束环。所述上等离子约束环包括面对所述安装环的顶表面和从所述下等离子约束环沿径向向内布置的暴露到等离子的底表面。所述上等离子约束环的顶表面的至少一部分对IR辐射不透明，以增强对所述上等离子约束环的加热。结果，当所述底表面暴露到等离子时，所述底表面达到足够高的温度来基本上防止其上的聚合物沉积。
一个优选实施例的在等离子处理室中处理半导体衬底的方法包括：将处理气体供应到包括多个等离子约束环的等离子处理室中，所述多个等离子约束环每个都包括暴露到等离子的表面；以及从所述处理气体产生等离子并在所述等离子处理室中刻蚀半导体衬底。在刻蚀期间，所述等离子约束环的暴露到等离子的表面达到足够高的温度以基本上防止其上的聚合物沉积。
附图说明
图1示出等离子约束环组件的一个优选实施例的一部分。
图2示出该等离子约束环组件的等离子约束环的一个优选实施例的一部分的俯视图，其中该环包括热阻器。
图3是图2所示等离子约束环的放大局部俯视图。
图4示出等离子约束环组件的等离子约束环的另一优选实施例的侧视图，该等离子约束环具有两件式结构。
图5示出包括等离子约束环组件的一个优选实施例的等离子处理室。
图6示出没有示例1和2中所使用热阻器的等离子约束环组件的一个实施例。
图7示出包括示例3中所使用热阻器的等离子约束环组件的一个实施例。
具体实施方式
诸如电容耦合室之类的平行板等离子处理室包括上电极(例如莲蓬头式电极)和下电极。上电极通常面对待处理的半导体衬底。在等离子处理期间，向电极之一或两者供电以激活处理气体并产生等离子来处理衬底。
这种等离子处理室的内表面可以是带电表面(例如“RF热表面”)、接地表面或悬浮表面(由绝缘材料构成)。在等离子处理期间不同的能量供应或冲击在这些不同类型的表面上。具体地，在平行板等离子处理室中对室部分的加热取决于供应到该部分的暴露表面的离子能量和离子通量，并取决于该部分的红外(IR)能量吸收特性。待加热的接地(回路)表面和带电表面从等离子接收大量离子能量，这使得这些表面比悬浮部分或表面受到更多的加热，从而也达到明显不同的温度。
可以使用高聚合化的处理气体化学物，例如含碳氟化合物、氢氟烃的处理气体或者这些气体的前驱体，以刻蚀介电材料如二氧化硅。在这些等离子刻蚀处理期间，聚合物倾向于沉积在等离子处理室的一些内表面上。聚合物沉积是不期望的，因为它们可能会从表面剥落而污染处理过的衬底(例如处理过的晶片)以及室。但是，随着器件特征的持续缩小，越来越期望使各个晶片保持暴露到等离子的室表面清洁，以实现可重复的处理结果。所以，期望减少且优选避免室部分的内表面上的这种聚合物沉积。
一般地，在等离子处理操作期间，聚合物沉积更可能在等离子处理室的较冷的暴露到等离子的表面上形成。悬浮表面易于成为较冷的表面，并由此与带电或接地表面相比一般更易在其上形成聚合物聚集。等离子处理期间暴露到等离子的部分或表面的温升ΔT按照以下关系依赖于增加到该部分或表面的热量Q、以及该部分的质量m和比热c：Q＝mcΔT。所以，对于增加到一个部分的给定热量，增大该部分质量会降低该部分的温升。结果，具有高质量的部分在等离子处理期间不会到达足够高的温度来避免该部分的暴露到等离子的表面上的聚合物沉积。对于增加到一个部分的给定热量，增大一个部分的热容量也会降低该部分所到达的温度。
此外，在等离子处理期间，热可以通过热传导(当一个部分与另一表面物理接触时)、辐射(当电磁波携带热量到该部分和/或从该部分带走时)和对流(当室中的运动流体携带热时)从该部分传递到其它室表面和/或从其它室表面传递到该部分。各部分的对流热损失随着室压的增大而增加。
等离子处理室中一些部分的暴露到等离子的表面上的聚合物沉积的问题可以通过主动加热(多个)部分解决。例如，可以加热室壁来将其暴露到等离子的(多个)内表面保持在足够高的温度，以避免这些表面上的聚合物沉积。还可以使用对莲蓬头式电极组件和静电卡盘的主动温度控制。但是，当这些表面被供电或接地从而经受高离子能量时，即使在没有对这些表面的主动加热的情况下这些表面上发生聚合物沉积的可能性也比悬浮表面小。
或者，聚合物沉积问题可以通过从表面去除所形成的聚合物沉积物来解决。例如，可以通过采用侵蚀性的等离子化学物来去除聚合物沉积物。或者，可以打开等离子室并使用湿法清洁技术从室表面去除聚合物沉积物。但是，这些清洁技术降低了处理产量。
为了实现期望的处理效率和刻蚀均匀性，可以将等离子约束在平行板等离子处理室的上下电极之间限定形成的等离子约束区域内。可以使用等离子约束环组件来提供这种等离子约束。示例性的等离子约束环组件在由相同申请人拥有的美国专利Nos.5,534,751、5,998,932、6,019,060、6,178,919和6,527,911中公开，这些专利每个都通过引用而整体结合于此。如美国专利No.5,534,751所述，等离子约束环组件可以包括多个等离子约束环，这些等离子约束环布置成堆叠以限定形成从内表面到外表面径向延伸穿过环的多个气体通道。在等离子中的充电粒子穿过这些通道时，这些粒子被中和，由此使在等离子约束区域外放电(即等离子的“脱离约束”)的趋向最小化。
同样如美国专利No.5,534,751所述，等离子约束环组件可以在等离子刻蚀处理期间将聚合物沉积约束到仅仅等离子约束环自身。但是，期望避免约束环上的这种聚合物沉积，以避免可能的室和衬底污染问题以及避免附加的从等离子约束环去除所形成的聚合物沉积物的室清洁步骤。
考虑到上述聚合物沉积问题，已经确定可以提供包括以下约束环的等离子约束环组件，这些约束环适于在不对表面进行主动加热的情况下在环的暴露到等离子的表面上到达足够高的温度以避免这些表面上的聚合物沉积。更具体地，等离子约束环适于将加热局限在环的包括暴露到等离子的表面的所选部分处。通过在各个环中的所选位置处设置一个或多个热阻器而将加热局限在这些所选部分处，以由此减少从这些部分到环的其它部分的热传导，否则所述其它部分在没有热阻器的约束环中会作为热沉。
图1示出等离子约束环组件10的一个优选实施例。等离子约束环组件10成同心布置地包括安装环12以及从安装环12悬挂的等离子约束环14、16、18和20。安装环12与等离子约束环14、16、18和20可竖直运动以提供调节。该组件的等离子约束环的数量并不限于如图所示的4个环；可替代的，可以有少于4个环，例如3个环，或者多于4个环，例如5、6或更多个环。
安装环12与等离子约束环14、16、18和20是由合适的电绝缘材料(介电)构成的悬浮部件。绝缘材料可以是例如石英、熔融石英、氮化硅、氧化铝或塑料材料。作为介电材料，高纯度石英是在刻蚀处理中使用的优选材料。在该实施例中，安装环12与各个等离子约束环14、16、18和20是由绝缘材料构成的单件。
如图1所示，等离子约束环14、16、18和20通过吊架22连接到安装环12，该吊架22构造成延伸穿过各个等离子约束环14、16、18和20中的孔24。优选在每个孔24中设置一个嵌入件26以防止吊架22与等离子约束环14、16、18和20之间的直接接触。优选在吊架22的内轴30上设置弹簧28，以将吊架22相对于吊架22上的装配件32弹性偏压。
为了刻蚀圆的半导体衬底例如晶片，等离子约束环14、16、18和20分别包括内径表面34、36、38和40以及外径表面42、44、46和48。内径表面34、36、38和40是暴露到等离子的表面。如图1所示，最上方的等离子约束环14比等离子约束环16、18和20具有更大的径向上的宽度。同样如图所示，相应等离子约束环16、18和20的内径表面36、38和40优选竖直对齐。
等离子约束环14的内径表面34优选与安装环12的内径表面50竖直对齐。通过这种布置，等离子约束环14叠置在安装环12的底表面52上。已经确定由于安装环12的相对较大的热质量，在没有等离子约束环14的情况下，安装环12的底表面52在等离子处理期间不会达到足够高的温度来防止底表面52上的聚合物沉积。通过结合与底表面52分离的等离子约束环14，保护底表面52不暴露到等离子并优选使底表面52上的聚合物沉积最少。
在该实施例中，等离子约束环14、16、18和20分别包括热阻器54、56、68和60。在等离子刻蚀处理期间通过等离子和其它加热效应将热供应到等离子约束环14、16、18和20。热阻器54、56、68和60减少从热阻器54、56、68和60的位置在径向向外的方向上的热传导，由此提高分别在热阻器54、56、68和60与内径表面34、36、38和40之间限定的相应等离子约束环14、16、18和20的内部的加热。结果，各个内径表面34、36、38和40优选达到足够高的温度，以在等离子处理期间基本上防止这些表面上的聚合物沉积。
图2和3示出一个优选实施例的包括热阻器160的等离子约束环120的一部分。在该实施例中，等离子约束环组件的安装环和/或一个或多个其它等离子约束环也可以包括如图2和3所示构造的热阻器。
所示热阻器160包括布置成不连续第一圆形图案的多个内槽161、以及从内槽向外间隔开并布置成同心的不连续第二圆形图案的多个外槽163。相邻的内槽161由内部区域165隔开，而相邻的外槽163由外部区域167隔开。如图2所示，内部区域165和外部区域167绕等离子约束环120彼此偏移。内槽161和外槽163优选完全延伸穿过等离子约束环120的厚度。热阻器160的此构造和布置减少了到等离子约束环120的外部169的径向热传递，使得内径表面140达到足够高的温度以在等离子处理期间基本上防止此表面上的聚合物沉积。
内槽161和外槽163优选具有从约0.005英寸到约0.020英寸的宽度。在一个优选实施例中，内槽161和外槽163通过激光切除技术形成。
在另一优选实施例中，等离子约束环组件10的等离子约束环中的一个或多个具有多件式结构。例如，图4所示实施例的等离子约束环220具有两件式结构，并包括内环部221和外环部223。内环部221包括暴露到等离子的内径表面240。内环部221和外环部223优选由相同的绝缘材料构成。
在等离子约束环220中，内环部221和外环部223构造成使内环部221和外环部223在区域227处的表面之间的接触(该接触由于重力产生)最小。在内环部221和外环部223的相对表面之间限定至少一个间隙。在该实施例中，间隙225用作热阻器。通过等离子约束环220的此结构，当内环部221的内径表面240暴露到等离子时，从内环部221到外环部223的热传导仅仅在有表面接触的区域227处发生。结果，内径表面240可以达到足够高的温度以基本上防止该表面上的聚合物沉积。
在一个优选实施例中，等离子约束环组件10的一个或多个等离子约束环的至少一个表面可以是粗糙的和/或涂有对IR(红外)辐射不透明且能阻挡IR辐射透射的材料。在该实施例中，入射到约束环上的IR辐射通过约束环的主体传输，但被粗糙和/或涂层表面阻挡。例如，约束环可以由石英或另一IR透明绝缘材料构成。通过阻挡IR辐射，增强由粗糙和/或涂层表面部分限定的约束环的所选部分的加热。
等离子约束环的所选表面可以通过合适技术粗糙化，例如喷丸处理或者使用产生凹坑表面的金刚石工具机加工表面。这些表面可以涂有合适的IR不透明材料。不暴露到等离子的表面可以涂有氧化铝。
例如，如图1所示，等离子约束环14的上表面62可以在内径表面34和热阻器54之间的区域中粗糙化和/或涂有IR不透明材料。结果，入射在等离子约束环14的下表面64和/或内径表面34上的IR辐射被粗糙化和/或涂层的上表面62阻挡，由此提高了对等离子约束环14的位于内径表面34和热阻器54之间的部分的加热。由于表面64不直接暴露到等离子，IR不透明材料可以是并不优选由于等离子约束表面上的材料，例如氧化铝。
在另一优选实施例中，限定在等离子约束环中形成的槽的所选表面可以粗糙化和/或涂有对IR辐射不透明的材料。例如，在图2和3所示等离子约束环120的实施例中，表面169和171中至少一个可以粗糙化和/或涂有阻挡IR辐射透射的IR不透明材料，以影响内径表面140的进一步加热。
图5示出电容耦合等离子处理室300的一个示例性实施例，在该处理室中安装有等离子约束环组件10。等离子处理室300包括具有底表面304的上电极302。在该实施例中，底表面302包括适于控制与上电极302的暴露表面相邻形成的等离子的局部密度的台阶306，如美国专利No.6,391,787中所述，该专利通过引用而整体结合于此。在该实施例中，上电极302是莲蓬头式电极，其包括布置用于将处理其它分布到等离子处理室300中的气体通道308。上电极302可以由硅(例如单晶硅或多晶硅)或者碳化硅构成。
在该实施例中，上电极302是单件式电极(例如用于200mm晶片处理)。上电极302优选安装(例如弹性体接合)到由合适材料如石墨或碳化硅构成的背衬构件310。背衬构件310包括与上电极302中的气体通道308流体连通的气体通道312。
在另一实施例中，上电极可以具有两件式结构(例如用于300mm晶片处理)，并包括单件式内电极构件和围绕该内电极构件的外电极构件，例如由相同申请人拥有的美国专利申请No.10/743,062中所描述的，该专利申请通过引用而整体结合于此。在该实施例中，背衬构件优选包括与内电极构件共同延伸的背衬板和与外电极构件共同延伸的背衬环，如美国专利申请No.10/743,062中所描述的。
在图5所示等离子处理室300的实施例中，热控制板314优选设置在背衬构件310上。热控制板314优选包括适于控制上电极302温度的一个或多个加热器，如美国专利申请No.10/743,062中所描述的。
等离子处理室300包括用于向上电极302供应气体的气体源(未示出)。处理气体由上电极302中的气体通道308分布在室中。上电极302可以通过RF功率源316经由匹配网络供电。在另一实施例中，上电极302可以电接地，以对由等离子处理室300的衬底支承件320的底电极供应的功率提供回路。
在该实施例中，处理气体在上电极302和支承于衬底支承件320上的半导体衬底322(例如半导体晶片)之间的空间中的等离子产生区域处供应到等离子处理室300中。衬底支承件320优选包括通过静电夹持力将半导体衬底322固定在衬底支承件上的静电卡盘324。静电卡盘324用作底电极，并优选由RF功率源326、327中至少一个(通常经由匹配网络)偏压。
在半导体衬底322的等离子处理期间，等离子约束环组件10将等离子约束在上电极302和半导体衬底322之间的等离子约束区域中。边缘环326、328优选布置成对半导体衬底322围绕的关系，以聚集等离子来提高刻蚀均匀性。
真空泵(未示出)适于保持等离子处理室300内的期望真空压力。
可以使用的示例性平行板等离子反应器是双频等离子刻蚀反应器(参见例如由相同申请人拥有的美国专利No.6,090,304，该专利通过引用而整体结合于此)。在这些反应器中，刻蚀气体可以从气体供应器供应到莲蓬头式电极，并可以通过从两个RF源在不同频率下供应RF能量到莲蓬头式电极和/或底电极，而在反应器中产生等离子。或者，莲蓬头式电极可以电接地，并可以将两个不同频率下的RF能量供应到底电极。
示例1
在示例1中，在平行板、电容耦合等离子处理室中使用如图6所示的等离子约束环组件400。如图所示，等离子约束环组件400一般具有与图1所示组件10相同的结构；但是，等离子约束环414、416、418和420不包括热阻器。等离子约束环由石英制成。
在示例1中，使用以下介电刻蚀处理条件来处理85个晶片：45mT的室压力/在2MHz的频率下施加到底电极的1100W功率/在60MHz的频率下施加到底电极的800W功率/300sccm的氩/15sccm的C4F8/10sccm的O2/140℃的上电极温度/20℃的底电极温度。在刻蚀各晶片后使用以下处理条件进行氧清洁步骤：500mT的室压力/在27MHz的频率下施加到底电极的200W功率/在60MHz的频率下施加到底电极的300W功率/2000sccm的O2/40秒。
如图6所示，使用在安装环412的底表面452上的位置A处、约束环414的顶表面上的位置B、约束环416的顶表面上的位置C和约束环420的顶表面上的位置D处附装的热电偶测量温度。
在等离子处理期间在这些位置处测得以下温度：位置A-约66℃/位置B-约110℃/位置C-约82℃/位置D-约82℃到约104℃。在刻蚀晶片之后，打开等离子处理室并用视觉检查约束环组件400上是否有聚合物沉积。在等离子约束环414上没有观察到聚合物沉积。但是，在等离子约束环416、418和420的暴露到等离子的内径表面436、438和440上观察到聚合物沉积，表明这些表面未达到足够高的温度来防止聚合物沉积。
示例2
示例2在平行板、电容耦合等离子处理室中使用如图6所示的等离子约束环组件400，以使用以下介电刻蚀处理条件来刻蚀100个晶片：45mT的室压力/在2MHz的频率下施加到底电极的1100W功率/在60MHz的频率下施加到底电极的800W功率/300sccm的氩/28sccm的C4F8/13sccm的O2/140℃的上电极温度/20℃的底电极温度。在刻蚀各晶片后使用以下处理条件进行氧清洁步骤：500mT的室压力/在27MHz的频率下施加到底电极的250W功率/在60MHz的频率下施加到底电极的125W功率/2000sccm的O2/40秒。
在刻蚀晶片之后，打开等离子处理室并用视觉检查约束环组件400上是否有聚合物沉积。在等离子约束环414上没有观察到聚合物沉积。但是，在等离子约束环416、418和420的暴露到等离子的内径表面436、438和440上观察到聚合物沉积，表明这些表面未达到足够高的温度来防止聚合物沉积。
示例3
在示例3中，在平行板、电容耦合等离子处理室中使用如图7所示的等离子约束环组件500。如图所示，等离子约束环组件500具有与图1所示组件10相同的结构，并在相应等离子约束环514、516、518和520上包括热阻器554、556、558和560。热阻器554、556、558和560是成同心的不连续圆形布置形成的槽，例如图2所示的。这些槽具有从约0.010英寸到约0.015英寸的宽度，并延伸穿过等离子约束环514、516、518和520的厚度。
在示例3中，使用示例2中所用的相同刻蚀处理条件来处理100个晶片。
如图7所示，使用在安装环512的底表面552上的位置A处、约束环514的顶表面上从热阻器554向内的位置B、约束环514的顶表面上从热阻器554向外的位置C、约束环516的顶表面上从热阻器556向内的位置D、约束环516的顶表面上从热阻器556向外的位置E。在这些位置处测得以下温度：位置A-约71℃到约77℃/位置B-约127℃到约132℃/位置C-约71℃到约77℃/位置D-约116℃到约143℃/位置E-约77℃到约82℃。
在刻蚀晶片之后，打开等离子处理室并用视觉检查约束环组件500上是否有聚合物沉积。在等离子约束环514上或者等离子约束环516、518和520的暴露到等离子的内径表面536、538和540上都没有观察到聚合物沉积，表明这些表面达到了足够高的温度来防止聚合物沉积。
参照图1，上述测试结果表明通过在等离子约束环组件中结合在最上方延伸的等离子约束环14，可以优选防止厚的安装环12上的聚合物沉积。此外，通过在等离子约束环14、16、18和20中设置一个或多个热阻器，可以优选防止这些环的暴露到等离子的表面上的聚合物沉积。
上面已经描述了本发明的原理、优选实施例和操作模式。但本发明不应理解为限于所讨论的具体实施例。于是，上述实施例应认为解释性而非限制性的，并且应认识到本领域技术人员在这些实施例中可以作出各种变化，而不偏离由以下权利要求所限定的本发明的范围。

Claims (32)

1.一种用于等离子处理室的等离子约束环组件，包括多个等离子约束环，每个等离子约束环都包括具有暴露到等离子的内径表面的内部、从所述内部沿径向向外布置的外部、以及至少一个热阻器，当所述内径表面暴露到所述等离子处理室中的等离子时，所述热阻器适于减少从所述内部到所述外部的热传导，使得所述内径表面达到足够高的温度来基本上防止其上的聚合物沉积。
2.根据权利要求1所述的等离子约束环组件，其中所述等离子约束环中的一个或多个具有一件式结构。
3.根据权利要求1所述的等离子约束环组件，其中所述等离子约束环中的一个或多个包括作为分离部件的内部和外部。
4.根据权利要求3所述的等离子约束环组件，其中所述内部是包括所述内径表面的内环，所述外部是外环，并且在所述内环和外环之间限定形成至少一个间隙。
5.根据权利要求3所述的等离子约束环组件，其中所述内部和外部由相同介电材料构成。
6.根据权利要求1所述的等离子约束环组件，其中所述等离子约束环中一个或多个的内部的至少一个表面是粗糙化的和/或涂有阻挡IR辐射的材料。
7.根据权利要求1所述的等离子约束环组件，其中所述等离子约束环中至少一个的热阻器包括多个槽。
8.根据权利要求7所述的等离子约束环组件，其中所述槽中至少一个槽是部分由粗糙化和/或涂有阻挡IR辐射的材料的表面限定的。
9.根据权利要求7所述的等离子约束环组件，其中所述槽包括绕不连续的第一圆延伸的多个第一槽和绕围绕所述第一圆的同心的不连续的第二圆延伸的多个第二槽。
10.根据权利要求7所述的等离子约束环组件，其中所述槽每个都完全延伸通过所述等离子约束环的厚度。
11.一种等离子处理装置，包括：
上电极；
包括下电极的衬底支承件；和
根据权利要求1所述的等离子约束环组件，布置来增强对所述上电极和所述衬底支承件之间的空间中的等离子的约束。
12.一种用于等离子处理室的等离子约束环组件，包括：
安装环；和
悬挂在所述安装环下方的多个等离子约束环，所述等离子约束环包括一个上等离子约束环和多个下等离子约束环，所述上等离子约束环包括面对所述安装环的顶表面和从所述下等离子约束环沿径向向内布置的暴露到等离子的底表面，所述上等离子约束环的顶表面的至少一部分适于阻挡IR辐射以由此增强对所述上等离子约束环的加热，使得当所述底表面暴露到等离子时，所述底表面达到足够高的温度来基本上防止其上的聚合物沉积。
13.根据权利要求12所述的等离子约束环组件，其中所述上等离子约束环的顶表面是粗糙化的和/或涂有阻挡IR辐射的材料。
14.根据权利要求12所述的等离子约束环组件，其中：
所述上等离子约束环包括内部、外部和至少一个热阻器，当所述底表面暴露到等离子时，所述热阻器减少从所述内部到所述外部的热传导；以及
所述下等离子约束环每个都包括内部、外部和至少一个热阻器，所述内部包括暴露到等离子的表面，当所述暴露到等离子的表面暴露到等离子时，所述热阻器适于减少从所述内部到所述外部的热传导。
15.根据权利要求14所述的等离子约束环组件，其中所述热阻器适于在所述上等离子约束环的底表面和每个所述下等离子约束环的暴露到等离子的表面暴露到等离子时，使所述底表面和所述暴露到等离子的表面达到足够高的温度来基本上防止所述底表面和每个所述暴露到等离子的表面上的聚合物沉积。
16.根据权利要求14所述的等离子约束环组件，其中所述热阻器每个都包括多个槽。
17.根据权利要求16所述的等离子约束环组件，其中所述槽包括绕不连续的第一圆延伸的多个第一槽和绕围绕所述第一圆的同心的不连续的第二圆延伸的多个第二槽。
18.根据权利要求16所述的等离子约束环组件，其中所述槽每个都完全延伸通过所述上等离子约束环的厚度和/或完全延伸通过所述下等离子约束环的厚度，并且所述槽具有从约0.005英寸到约0.020英寸的宽度。
19.根据权利要求16所述的等离子约束环组件，其中所述槽中至少部分槽是部分由粗糙化和/或涂有阻挡IR辐射的材料的表面限定的。
20.根据权利要求12所述的等离子约束环组件，其中所述等离子约束环每个都具有一件式结构。
21.根据权利要求12所述的等离子约束环组件，其中所述等离子约束环每个都包括的内部和分离的外部。
22.根据权利要求21所述的等离子约束环组件，其中所述内部是内环，所述外部是外环，并且在所述内环和外环之间限定形成至少一个间隙。
23.根据权利要求21所述的等离子约束环组件，其中所述内部和外部由相同介电材料构成。
24.一种等离子处理装置，包括：
上电极；
包括下电极的衬底支承件；和
根据权利要求12所述的等离子约束环组件，布置来增强对所述上电极和所述衬底支承件之间的空间中的等离子的约束。
25.一种在等离子处理室中处理半导体衬底的方法，包括：
将处理气体供应到包括多个等离子约束环的等离子处理室中，所述多个等离子约束环每个都包括暴露到等离子的表面；以及
从所述处理气体产生等离子并在所述等离子处理室中刻蚀半导体衬底；
在刻蚀期间，每个所述等离子约束环的暴露到等离子的表面达到足够高的温度以基本上防止其上的聚合物沉积。
26.根据权利要求25所述的方法，其中所述半导体衬底包括由所述等离子刻蚀的介电材料，并且所述处理气体包含从包括碳氟化合物、氢氟烃、碳氟化合物前驱体和氢氟烃前驱体的组中选择的至少一种成分。
27.根据权利要求25所述的方法，其中所述等离子处理室包括接地的上电极、以及下电极，在两个不同频率下对所述上电极和下电极施加功率。
28.根据权利要求27所述的方法，其中所述上电极是莲蓬头式电极。
29.根据权利要求25所述的方法，其中所述等离子约束环每个都包括至少一个热阻器，所述热阻器在暴露到所述等离子处理室中的等离子时减少通过所述等离子约束环的热传导，使得所述等离子约束环的暴露到等离子的表面达到足够高的温度来基本上防止其上的聚合物沉积。
30.根据权利要求29所述的方法，其中所述热阻器是槽。
31.根据权利要求29所述的方法，其中所述等离子约束环中的一个或多个包括分离的部件，所述部件在其间限定形成至少一个间隙。
32.根据权利要求29所述的方法，其中所述等离子约束环中的一个或多个具有粗糙化和/或涂有阻挡IR辐射的材料的至少一个表面。
CN200680008850XA 2005-03-18 2006-03-15 具有减少聚合物沉积特性的等离子约束环组件 Active CN101495670B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210276251.3A CN102867726B (zh) 2005-03-18 2006-03-15 一种等离子约束环组件、等离子处理装置以及处理半导体衬底的方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/083,241 US7430986B2 (en) 2005-03-18 2005-03-18 Plasma confinement ring assemblies having reduced polymer deposition characteristics
US11/083,241 2005-03-18
PCT/US2006/009300 WO2006101889A2 (en) 2005-03-18 2006-03-15 Plasma confinement ring assemblies having reduced polymer deposition characteristics

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210276251.3A Division CN102867726B (zh) 2005-03-18 2006-03-15 一种等离子约束环组件、等离子处理装置以及处理半导体衬底的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101495670A true CN101495670A (zh) 2009-07-29
CN101495670B CN101495670B (zh) 2012-10-03

Family

ID=37008986

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210276251.3A Active CN102867726B (zh) 2005-03-18 2006-03-15 一种等离子约束环组件、等离子处理装置以及处理半导体衬底的方法
CN200680008850XA Active CN101495670B (zh) 2005-03-18 2006-03-15 具有减少聚合物沉积特性的等离子约束环组件

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210276251.3A Active CN102867726B (zh) 2005-03-18 2006-03-15 一种等离子约束环组件、等离子处理装置以及处理半导体衬底的方法

Country Status (9)

Country Link
US (3) US7430986B2 (zh)
EP (1) EP1869228B1 (zh)
JP (2) JP4960340B2 (zh)
KR (1) KR101355729B1 (zh)
CN (2) CN102867726B (zh)
IL (1) IL185670A0 (zh)
SG (1) SG152231A1 (zh)
TW (1) TWI404137B (zh)
WO (1) WO2006101889A2 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104955980A (zh) * 2011-11-10 2015-09-30 朗姆研究公司 用于等离子体鞘电压控制的系统、方法和装置
CN111052299A (zh) * 2017-09-05 2020-04-21 朗姆研究公司 具有整体式热阻流部的高温射频连接
CN111586957B (zh) * 2019-02-19 2021-05-04 大连理工大学 一种容性耦合等离子体放电装置
US11817341B2 (en) 2017-06-02 2023-11-14 Lam Research Corporation Electrostatic chuck for use in semiconductor processing
US11835868B2 (en) 2018-03-20 2023-12-05 Lam Research Corporation Protective coating for electrostatic chucks
US11990360B2 (en) 2018-01-31 2024-05-21 Lam Research Corporation Electrostatic chuck (ESC) pedestal voltage isolation

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7430986B2 (en) * 2005-03-18 2008-10-07 Lam Research Corporation Plasma confinement ring assemblies having reduced polymer deposition characteristics
US9659758B2 (en) 2005-03-22 2017-05-23 Honeywell International Inc. Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production
US7713379B2 (en) * 2005-06-20 2010-05-11 Lam Research Corporation Plasma confinement rings including RF absorbing material for reducing polymer deposition
US7482550B2 (en) * 2006-10-16 2009-01-27 Lam Research Corporation Quartz guard ring
US8069817B2 (en) * 2007-03-30 2011-12-06 Lam Research Corporation Showerhead electrodes and showerhead electrode assemblies having low-particle performance for semiconductor material processing apparatuses
US8216418B2 (en) * 2007-06-13 2012-07-10 Lam Research Corporation Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket and o-rings
US7862682B2 (en) * 2007-06-13 2011-01-04 Lam Research Corporation Showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses
JP5194125B2 (ja) 2007-09-25 2013-05-08 ラム リサーチ コーポレーション シャワーヘッド電極アセンブリ用の温度制御モジュール、シャワーヘッド電極アセンブリ及びシャワーヘッド電極アセンブリの上部電極の温度を制御する方法
US8187414B2 (en) * 2007-10-12 2012-05-29 Lam Research Corporation Anchoring inserts, electrode assemblies, and plasma processing chambers
US8152954B2 (en) 2007-10-12 2012-04-10 Lam Research Corporation Showerhead electrode assemblies and plasma processing chambers incorporating the same
JP5650547B2 (ja) * 2008-03-14 2015-01-07 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ カムロック電極クランプ
US8187413B2 (en) * 2008-03-18 2012-05-29 Lam Research Corporation Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket
US8206506B2 (en) * 2008-07-07 2012-06-26 Lam Research Corporation Showerhead electrode
US8221582B2 (en) 2008-07-07 2012-07-17 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
US8161906B2 (en) 2008-07-07 2012-04-24 Lam Research Corporation Clamped showerhead electrode assembly
US8869741B2 (en) * 2008-12-19 2014-10-28 Lam Research Corporation Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber
US8540844B2 (en) * 2008-12-19 2013-09-24 Lam Research Corporation Plasma confinement structures in plasma processing systems
US8313612B2 (en) * 2009-03-24 2012-11-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking
US8402918B2 (en) 2009-04-07 2013-03-26 Lam Research Corporation Showerhead electrode with centering feature
US8272346B2 (en) 2009-04-10 2012-09-25 Lam Research Corporation Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode
DE102009022982A1 (de) * 2009-05-28 2010-12-02 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Verfahren zum Aufbringen eines Hochtemperaturschmiermittels
KR101110080B1 (ko) * 2009-07-08 2012-03-13 주식회사 유진테크 확산판을 선택적으로 삽입설치하는 기판처리방법
US8419959B2 (en) * 2009-09-18 2013-04-16 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
TWI385725B (zh) * 2009-09-18 2013-02-11 Advanced Micro Fab Equip Inc A structure that reduces the deposition of polymer on the backside of the substrate
KR200464037Y1 (ko) * 2009-10-13 2012-12-07 램 리써치 코포레이션 샤워헤드 전극 어셈블리의 에지-클램핑되고 기계적으로 패스닝된 내부 전극
US8573152B2 (en) 2010-09-03 2013-11-05 Lam Research Corporation Showerhead electrode
US9076826B2 (en) * 2010-09-24 2015-07-07 Lam Research Corporation Plasma confinement ring assembly for plasma processing chambers
US20140141619A1 (en) * 2012-11-19 2014-05-22 Tokyo Electron Limited Capacitively coupled plasma equipment with uniform plasma density
CN103854943B (zh) * 2012-11-30 2016-05-04 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于等离子体处理腔室的约束环及腔室清洁方法
US8893702B2 (en) * 2013-02-20 2014-11-25 Lam Research Corporation Ductile mode machining methods for hard and brittle components of plasma processing apparatuses
KR101445226B1 (ko) * 2013-04-23 2014-09-29 피에스케이 주식회사 배기 링 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
SG11201508512PA (en) * 2013-05-23 2015-12-30 Applied Materials Inc A coated liner assembly for a semiconductor processing chamber
US9837420B1 (en) 2017-01-10 2017-12-05 Micron Technology, Inc. Arrays of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor, methods of forming a tier of an array of memory cells, and methods of forming an array of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor
US11183373B2 (en) 2017-10-11 2021-11-23 Honeywell International Inc. Multi-patterned sputter traps and methods of making
CN109725375A (zh) * 2018-12-21 2019-05-07 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种ⅲ-ⅴ族材料纳米光栅刻蚀方法
CN112802729B (zh) * 2019-11-13 2024-05-10 中微半导体设备(上海)股份有限公司 带温度维持装置的隔离环
CN112928007B (zh) * 2019-12-06 2023-09-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理设备及用于等离子体处理设备的下电极组件
CN113035679B (zh) * 2019-12-24 2023-09-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理装置
CN113745081B (zh) * 2020-05-27 2024-03-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种隔离环组件、等离子体处理装置及处理方法
CN111876777A (zh) * 2020-07-24 2020-11-03 沈阳富创精密设备有限公司 一种刻蚀设备约束环的制造工艺

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6074512A (en) 1991-06-27 2000-06-13 Applied Materials, Inc. Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna and modular confinement magnet liners
US6095083A (en) 1991-06-27 2000-08-01 Applied Materiels, Inc. Vacuum processing chamber having multi-mode access
US5534751A (en) * 1995-07-10 1996-07-09 Lam Research Corporation Plasma etching apparatus utilizing plasma confinement
US5543751A (en) * 1995-07-21 1996-08-06 Motorola, Inc. Power combiner for use in a radio frequency system and a method of constructing a power combiner
US5977552A (en) 1995-11-24 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Boron ion sources for ion implantation apparatus
US6092486A (en) * 1996-05-27 2000-07-25 Sumimoto Metal Indsutries, Ltd. Plasma processing apparatus and plasma processing method
US5846332A (en) 1996-07-12 1998-12-08 Applied Materials, Inc. Thermally floating pedestal collar in a chemical vapor deposition chamber
US5882411A (en) * 1996-10-21 1999-03-16 Applied Materials, Inc. Faceplate thermal choke in a CVD plasma reactor
US6286451B1 (en) 1997-05-29 2001-09-11 Applied Materials, Inc. Dome: shape and temperature controlled surfaces
US5846459A (en) 1997-06-26 1998-12-08 Ucar Carbon Technology Corporation Method of forming a flexible graphite sheet with decreased anisotropy
US6008130A (en) * 1997-08-14 1999-12-28 Vlsi Technology, Inc. Polymer adhesive plasma confinement ring
US6090304A (en) 1997-08-28 2000-07-18 Lam Research Corporation Methods for selective plasma etch
US6009830A (en) 1997-11-21 2000-01-04 Applied Materials Inc. Independent gas feeds in a plasma reactor
GB2331838A (en) * 1997-11-24 1999-06-02 Coolbox Portable,thermoelectric,temperature controlled receptacles.
US6079356A (en) 1997-12-02 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Reactor optimized for chemical vapor deposition of titanium
KR100258984B1 (ko) * 1997-12-24 2000-08-01 윤종용 건식 식각 장치
US6129808A (en) 1998-03-31 2000-10-10 Lam Research Corporation Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same
US6464843B1 (en) * 1998-03-31 2002-10-15 Lam Research Corporation Contamination controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
US6019060A (en) 1998-06-24 2000-02-01 Lam Research Corporation Cam-based arrangement for positioning confinement rings in a plasma processing chamber
US5998932A (en) 1998-06-26 1999-12-07 Lam Research Corporation Focus ring arrangement for substantially eliminating unconfined plasma in a plasma processing chamber
US6073577A (en) 1998-06-30 2000-06-13 Lam Research Corporation Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
US6050216A (en) 1998-08-21 2000-04-18 M.E.C. Technology, Inc. Showerhead electrode for plasma processing
US6170429B1 (en) 1998-09-30 2001-01-09 Lam Research Corporation Chamber liner for semiconductor process chambers
US6178919B1 (en) 1998-12-28 2001-01-30 Lam Research Corporation Perforated plasma confinement ring in plasma reactors
US6245192B1 (en) 1999-06-30 2001-06-12 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6123775A (en) 1999-06-30 2000-09-26 Lam Research Corporation Reaction chamber component having improved temperature uniformity
US6415736B1 (en) 1999-06-30 2002-07-09 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6408786B1 (en) 1999-09-23 2002-06-25 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having tiled ceramic liner
US6423175B1 (en) * 1999-10-06 2002-07-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Apparatus and method for reducing particle contamination in an etcher
US6477980B1 (en) 2000-01-20 2002-11-12 Applied Materials, Inc. Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber
US6237528B1 (en) 2000-01-24 2001-05-29 M.E.C. Technology, Inc. Showerhead electrode assembly for plasma processing
TW492041B (en) 2000-02-14 2002-06-21 Tokyo Electron Ltd Method and device for attenuating harmonics in semiconductor plasma processing systems
US6451703B1 (en) * 2000-03-10 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Magnetically enhanced plasma etch process using a heavy fluorocarbon etching gas
US6666924B1 (en) * 2000-03-28 2003-12-23 Asm America Reaction chamber with decreased wall deposition
US6362110B1 (en) * 2000-03-30 2002-03-26 Lam Research Corporation Enhanced resist strip in a dielectric etcher using downstream plasma
US6391787B1 (en) 2000-10-13 2002-05-21 Lam Research Corporation Stepped upper electrode for plasma processing uniformity
US6363624B1 (en) 2000-11-21 2002-04-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for cleaning a semiconductor process chamber
US20020121500A1 (en) * 2000-12-22 2002-09-05 Rao Annapragada Method of etching with NH3 and fluorine chemistries
US6805952B2 (en) * 2000-12-29 2004-10-19 Lam Research Corporation Low contamination plasma chamber components and methods for making the same
US6602381B1 (en) * 2001-04-30 2003-08-05 Lam Research Corporation Plasma confinement by use of preferred RF return path
US6527911B1 (en) 2001-06-29 2003-03-04 Lam Research Corporation Configurable plasma volume etch chamber
US6984288B2 (en) * 2001-08-08 2006-01-10 Lam Research Corporation Plasma processor in plasma confinement region within a vacuum chamber
US20030084999A1 (en) * 2001-11-05 2003-05-08 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for mitigating chamber resonances in plasma processing
US20030092278A1 (en) * 2001-11-13 2003-05-15 Fink Steven T. Plasma baffle assembly
US6887340B2 (en) * 2001-11-13 2005-05-03 Lam Research Corporation Etch rate uniformity
US6686293B2 (en) * 2002-05-10 2004-02-03 Applied Materials, Inc Method of etching a trench in a silicon-containing dielectric material
US6841943B2 (en) * 2002-06-27 2005-01-11 Lam Research Corp. Plasma processor with electrode simultaneously responsive to plural frequencies
TWI283899B (en) * 2002-07-09 2007-07-11 Applied Materials Inc Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control
JP2004079557A (ja) * 2002-08-09 2004-03-11 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20040065656A1 (en) * 2002-10-04 2004-04-08 Makoto Inagawa Heated substrate support
US7169695B2 (en) * 2002-10-11 2007-01-30 Lam Research Corporation Method for forming a dual damascene structure
US6838012B2 (en) 2002-10-31 2005-01-04 Lam Research Corporation Methods for etching dielectric materials
US7972467B2 (en) * 2003-04-17 2011-07-05 Applied Materials Inc. Apparatus and method to confine plasma and reduce flow resistance in a plasma reactor
US7455748B2 (en) * 2003-06-20 2008-11-25 Lam Research Corporation Magnetic enhancement for mechanical confinement of plasma
JP4291080B2 (ja) * 2003-08-01 2009-07-08 信越石英株式会社 石英ガラスの表面処理方法
US7645341B2 (en) * 2003-12-23 2010-01-12 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses
KR100539266B1 (ko) * 2004-06-02 2005-12-27 삼성전자주식회사 호 절편 형태의 한정부를 가지는 플라즈마 공정 장비
US20060172542A1 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to confine plasma and to enhance flow conductance
US7430986B2 (en) * 2005-03-18 2008-10-07 Lam Research Corporation Plasma confinement ring assemblies having reduced polymer deposition characteristics
US7837825B2 (en) * 2005-06-13 2010-11-23 Lam Research Corporation Confined plasma with adjustable electrode area ratio
US7713379B2 (en) * 2005-06-20 2010-05-11 Lam Research Corporation Plasma confinement rings including RF absorbing material for reducing polymer deposition
US7879184B2 (en) * 2006-06-20 2011-02-01 Lam Research Corporation Apparatuses, systems and methods for rapid cleaning of plasma confinement rings with minimal erosion of other chamber parts

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104955980A (zh) * 2011-11-10 2015-09-30 朗姆研究公司 用于等离子体鞘电压控制的系统、方法和装置
US11817341B2 (en) 2017-06-02 2023-11-14 Lam Research Corporation Electrostatic chuck for use in semiconductor processing
CN111052299A (zh) * 2017-09-05 2020-04-21 朗姆研究公司 具有整体式热阻流部的高温射频连接
CN111052299B (zh) * 2017-09-05 2023-10-20 朗姆研究公司 具有整体式热阻流部的高温射频连接
US11990360B2 (en) 2018-01-31 2024-05-21 Lam Research Corporation Electrostatic chuck (ESC) pedestal voltage isolation
US11835868B2 (en) 2018-03-20 2023-12-05 Lam Research Corporation Protective coating for electrostatic chucks
CN111586957B (zh) * 2019-02-19 2021-05-04 大连理工大学 一种容性耦合等离子体放电装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102867726B (zh) 2015-07-08
KR20070114392A (ko) 2007-12-03
JP2012104847A (ja) 2012-05-31
EP1869228A2 (en) 2007-12-26
WO2006101889A2 (en) 2006-09-28
KR101355729B1 (ko) 2014-01-27
US20060207502A1 (en) 2006-09-21
WO2006101889A3 (en) 2009-04-16
TWI404137B (zh) 2013-08-01
EP1869228A4 (en) 2010-11-03
US20120325407A1 (en) 2012-12-27
CN102867726A (zh) 2013-01-09
CN101495670B (zh) 2012-10-03
US20080318433A1 (en) 2008-12-25
US8262922B2 (en) 2012-09-11
JP2008533741A (ja) 2008-08-21
US8500952B2 (en) 2013-08-06
IL185670A0 (en) 2008-01-06
TW200644114A (en) 2006-12-16
EP1869228B1 (en) 2018-11-28
SG152231A1 (en) 2009-05-29
JP4960340B2 (ja) 2012-06-27
US7430986B2 (en) 2008-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101495670B (zh) 具有减少聚合物沉积特性的等离子约束环组件
KR101468340B1 (ko) 폴리머 증착을 감소시키는 ｒｆ 흡수 재료를 포함하는 플라즈마 한정링
US6394026B1 (en) Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same
US6464843B1 (en) Contamination controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
US6838012B2 (en) Methods for etching dielectric materials
US6795292B2 (en) Apparatus for regulating temperature of a process kit in a semiconductor wafer-processing chamber
JP2012500470A (ja) 温度制御式ホットエッジリング組立体
WO1999050886A1 (en) Contamination controlling method and plasma processing chamber
KR20170025472A (ko) 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant