JP4501201B2 - 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 - Google Patents
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Description
【技術分野】
本発明は,プラズマを利用した半導体製造装置に使用される部品に関する。
【0002】
【従来技術】
半導体の製造工程においては,プラズマを利用した半導体製造装置が用いられる。例えば,プラズマエッチング装置は,露光・現像工程を経たシリコンウェハをガスプラズマにさらすことにより,感光膜における感光領域のみを選択的に除去してシリコン面を露出させる処理を行う。
プラズマエッチング装置は,後述する図3に示すごとく,そのチャンバ51内に配設された上下一対の電極52,53を備えてなり,上部電極52から下部電極53へ向けてガスプラズマが供給されるよう構成されている。そして,下部電極53の上面に被処理材としてのシリコンウェハ8を載置してガスプラズマの照射を行うことにより,上記のシリコン面の露出処理を行うことができる。
【0003】
シリコンウェハ8の外周部の周りには,ダミーリングを配置する必要がある。このダミーリングは,ガスプラズマがシリコンウェハの外周部においても均一に照射されるようにし,シリコンウェハのプラズマによる削れ量の面内バラツキを抑え均一なエッチングを行えるようにするためのものである。
【0004】
【解決しようとする課題】
ところで,従来のダミーリングをはじめとして,半導体製造装置用部品は,プラズマ処理時にプラズマの照射を受けることにより,徐々に劣化していく。具体的には,プラズマが照射された部分が例えば粉状に分離されて飛散したり,ガス化し,徐々に消耗していく。また,反応生成物や飛散した粒子は,パーティクルとしてシリコンウェハに付着し,これを不良にしてしまう場合がある。
【0005】
従って,この種の装置に用いられる部品については,近年,パーティクル等が発生しやすいアルミニウムやカーボン等の材料からパーティクルが発生しにくい別の材料への転換が図られつつある。
【0006】
このような新たな材料としては,高純度炭化珪素焼結体やシリコン材料等が提案されている。しかしながら,これらの材料は,アルミニウムやカーボン材料に比べると確かにパーティクルの発生は少ないが,長期にわたり使用していると,ガスプラズマの照射によって表層の結晶粒子が脱落し,それがパーティクルの発生原因となる。
【0007】
一方,上記ダミーリングのような半導体製造装置用部品においては,プラズマをシリコンウェハ面と同様に均一に受ける必要がある。そのため,耐久性に優れるだけではなく,プラズマを均一に受けうる電気的特性が必要である。
【0008】
本発明は,かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので,従来よりもプラズマ照射を受けた際の耐久性に優れ,かつ,プラズマ処理に有利な電気的特性を有する半導体製造装置用部品及びこれを用いた半導体製造装置を提供しようとするものである。
【0009】
【課題の解決手段】
請求項1の発明は,プラズマを利用した半導体製造装置に使用される半導体製造装置用部品において,
該半導体製造装置用部品は,カーボン材料よりなる基材と,該基材の表面にCVD法により形成された炭化珪素よりなる皮膜とからなり,
かつ,上記基材の固有抵抗は1.0×10-3〜2.0×10-3Ω・cmであり,上記皮膜の固有抵抗は1.0〜1.0×103Ω・cmであり,上記半導体製造装置においてシリコンウェハの外周に配置されるダミーリングであることを特徴とする半導体製造装置用部品にある。
【0010】
本発明において最も注目すべきことは,上記皮膜としてCVD法により形成された炭化珪素(CVD−SiCという)を用い,かつ,上記基材と皮膜の固有抵抗がそれぞれ上記特定の範囲にあることである。
【0011】
上記基材としてのカーボン材料は,例えば,黒鉛に代表されるような炭素を用いた材料であって,特に等方性黒鉛材料やC/Cコンポジットが好ましい。
上記皮膜は,上記のごとくCVD法により形成した炭化珪素を用いる。この皮膜は,上記基材の表面に直接CVD法により成膜して得ることができる。
また,上記皮膜は,上記基材表面の全面に設けてもよいが,プラズマが照射される部分に部分的に設けても勿論よい。
【0012】
また,上記のごとく,上記基材の固有抵抗は1.0×10-3〜2.0×10-3Ω・cmであり,かつ,上記皮膜の固有抵抗は1.0〜1.0×103Ω・cmである。
上記基材の固有抵抗が1.0×10-3Ω・cm未満あるいは皮膜の固有抵抗が1.0Ω・cm未満の場合には,半導体製造装置においてプラズマ処理をした場合に上記半導体製造装置用部品にプラズマ集まりすぎるという問題がある。一方,上記基材の固有抵抗が2.0×10-3Ω・cmを超える場合あるいは皮膜の固有抵抗が1.0×103Ω・cmを超える場合には,半導体製造装置においてプラズマ処理をした場合に上記半導体製造装置用部品にプラズマを導くことが困難となるという問題がある。
【0013】
次に,本発明の作用効果につき説明する。
本発明の半導体製造装置用部品は,上記基材とその表面に設けた皮膜とよりなる。そのため,上記半導体製造装置用部品の耐久性は,上記皮膜の耐久性により左右される。ここで,本発明では,上記皮膜として,CVD法により形成した炭化珪素(以下,CVD−SiCという)を用いている。このCVD−SiCは,従来用いられていた高純度炭化珪素焼結体と比べると,高純度性,緻密性の点で優れたSiCとすることができる。そのため,このCVD−SiCよりなる皮膜は,プラズマが照射された際の結晶粒子の脱落を従来よりも抑制することができ,パーティクルの発生を従来よりも低減することができる。
また,このように皮膜の消耗による劣化が従来よりも抑制されるので,この優れた皮膜を備えた半導体製造装置用部品全体の耐久性を向上させることができる。
【0014】
さらに,本発明では,上記のごとく,基材と皮膜の固有抵抗を上記特定の範囲内におさめてある。そのため,この半導体製造装置用部品を半導体製造装置内にセットしてプラズマ処理を行った場合,上記半導体製造装置用部品上に適度にプラズマを導くことができる。それ故,この半導体製造装置用部品を用いれば,均一性に優れたプラズマ処理を行うことができる。
【0015】
次に,上記半導体製造装置用部品は,上記半導体製造装置においてシリコンウェハの外周に配置されるダミーリングである。これにより,非常に耐久性に優れたダミーリングを得ることができ,これを用いることにより,品質に優れたシリコンウェハを製造することができる。
【0016】
また,請求項2の発明は,請求項1に記載の半導体製造装置用部品を用いたことを特徴とする半導体製造装置にある。
本発明の半導体製造装置は,上記の優れた半導体製造装置用部品を用いているので,品質に優れたシリコンウェハを長期間安定して作製することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
実施形態例
本発明の実施形態例にかかる半導体製造装置用部品につき,図1〜図3を用いて説明する。
本例では,図3に示すごとく,半導体の製造工程において,露光・現像工程を経たシリコンウェハ8をガスプラズマにさらすことにより,感光膜における感光領域のみを選択的に除去してシリコン面を露出させる処理を行うためのプラズマエッチング装置5に用いる半導体製造装置用部品であるダミーリング1の例を示す。
【0018】
本例のダミーリング1は,図1,図2に示すごとく,カーボン材料よりなる基材11と,基材11の表面にCVD法により形成された炭化珪素(CVD−SiC)よりなる皮膜12とからなる。全体形状は,リング形状を有していると共に,その内周部上面にシリコンウェハ8を載置するための凹部19を有ている。そして,本例のダミーリング1は,上記基材11の外表面全体を上記CVD−SiCの皮膜12により被覆してある。
そして,本例のダミーリング1は,基材11の固有抵抗が1.0×10-3〜2.0×10-3Ω・cmであり,皮膜の固有抵抗が1.0〜1.0×103Ω・cmである。
【0019】
このダミーリング1を製造するに当たっては,まず,等方性黒鉛材料(イビデン株式会社製,商品名T−4)を,外径φ250mm,内径φ190mm,厚み3mmに旋盤加工し,次いで2000℃ハロゲンガス雰囲気にて高純度化処理し,黒鉛よりなる基材11を作製した。
この基材11の表面にCVD法によりCVD−SiCよりなる皮膜12を直接形成する。
【0020】
具体的には,上記基材11を図示しないCVD装置内にセットし,温度1350℃,真空度150Torrの条件下,反応ガスとしてメチルクロロシラン,キャリアガスとして水素を供給し,熱分解させることにより皮膜12を形成した。
これにより,膜厚が200μmの皮膜12が基材11の表面に均一に形成された。
【0021】
また,本例では,得られた基材11と皮膜12の固有抵抗を測定した。測定方法は,4端子法により行った。
測定の結果,基材11の固有抵抗は1.4×10-3Ω・cmであり,皮膜12の固有抵抗は2×102Ω・cmであった。
【0022】
次に,このダミーリング1を用いるプラズマエッチング装置5につき,図3を用いて簡単に説明する。
本例のプラズマエッチング装置5は,同図に示すごとく,円筒状のチャンバ51内に配設された上下一対の電極52,53を備えてなり,上部電極52から下部電極53へ向けてガスプラズマが供給されるよう構成されている。また,チャンバー51の側面には,内部を真空引きするための排気口514を設けてある。
【0023】
上電極52は,導電性のSiC,シリコン,アルミニウム,カーボン等の材料よりなり構成されており,上方から供給されるガスを電極間に導くための貫通穴521を多数設けてなる。また,上電極52は,チャンバー51から内方へ突出させた支持リング512に係合させて配置してある。
【0024】
下電極53は,ステージ54の上方に配設されており,中央に凸部531を設け,その周囲に上記ダミーリング1を配置するための窪み部532をリング状に設けてある。
そして,上記ダミーリング1は,上記凸部531を囲うように上記窪み部532にセットして使用する。また,シリコンウェハ8は,図2,図3に示すごとく,ダミーリング1の凹部19に保持される。
【0025】
次に,上記プラズマエッチング装置5を用いて,実際にシリコンウェハ8を処理し,ダミーリング1の耐久性および得られたシリコンウェハ8の品質について評価した。
その結果,従来と同様の条件でプラズマエッチング処理を行ったところ,ダミーリング1の消耗の進行は遅く,優れた耐久性を示し,かつ,得られるシリコンウェハ8の品質も,パーティクル等のない優れたものであった。
【0026】
さらに,処理をしたシリコンウェハ8の処理状態を調べた。具体的には,シリコンウェハ8表面のプラズマによるエッチング量の面内バラツキを測定する方法で調査した。
【0027】
その結果,本例により処理したシリコンウェハ8は,その表面全面にわたって非常に均一にプラズマエッチング処理がなされていることがわかった。即ち,上記ダミーリング1は,プラズマを適度に導く役割を十分に果たしており,適正な電気的特性を有していることがわかった。
【0028】
【発明の効果】
上述のごとく,本発明によれば,従来よりもプラズマ照射を受けた際の耐久性に優れ,かつ,プラズマ処理に有利な電気的特性を有する半導体製造装置用部品及びこれを用いた半導体製造装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態例における,半導体製造装置用部品(ダミーリング)の断面図。
【図2】実施形態例における,半導体製造装置用部品(ダミーリング)およびシリコンウェハの斜視図。
【図3】実施形態例における,プラズマエッチング装置の構成を示す説明図。
【符号の説明】
1...半導体製造装置用部品(ダミーリング),
11...基材,
12...皮膜,
5...プラズマエッチング装置,
8...シリコンウェハ,
Claims (2)
- プラズマを利用した半導体製造装置に使用される半導体製造装置用部品において,
該半導体製造装置用部品は,カーボン材料よりなる基材と,該基材の表面にCVD法により形成された炭化珪素よりなる皮膜とからなり,
かつ,上記基材の固有抵抗は1.0×10-3〜2.0×10-3Ω・cmであり,上記皮膜の固有抵抗は1.0〜1.0×103Ω・cmであり,上記半導体製造装置においてシリコンウェハの外周に配置されるダミーリングであることを特徴とする半導体製造装置用部品。 - 請求項1に記載の半導体製造装置用部品を用いたことを特徴とする半導体製造装置。
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JP2000013145A JP4501201B2 (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
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JPH1116991A (ja) * | 1997-06-19 | 1999-01-22 | Tokai Carbon Co Ltd | 半導体製造装置用カーボン支持体 |
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- 2000-01-21 JP JP2000013145A patent/JP4501201B2/ja not_active Expired - Lifetime
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