JP2001200365A - 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置用部品及び半導体製造装置Info
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- JP2001200365A JP2001200365A JP2000013145A JP2000013145A JP2001200365A JP 2001200365 A JP2001200365 A JP 2001200365A JP 2000013145 A JP2000013145 A JP 2000013145A JP 2000013145 A JP2000013145 A JP 2000013145A JP 2001200365 A JP2001200365 A JP 2001200365A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来よりもプラズマ照射を受けた際の耐久性
に優れ，かつ，プラズマ処理に有利な電気的特性を有す
る半導体製造装置用部品及びこれを用いた半導体製造装
置を提供すること。 【解決手段】 プラズマを利用した半導体製造装置に使
用される半導体製造装置用部品において，半導体製造装
置用部品１は，カーボン材料よりなる基材１１と，基材
１１の表面にＣＶＤ法により形成された炭化珪素よりな
る皮膜１２とからなる。基材１１の固有抵抗は１．０×
１０-3〜２．０×１０-3Ω・ｃｍであり，皮膜１２の固
有抵抗は１．０〜１．０×１０3Ω・ｃｍである。
に優れ，かつ，プラズマ処理に有利な電気的特性を有す
る半導体製造装置用部品及びこれを用いた半導体製造装
置を提供すること。 【解決手段】 プラズマを利用した半導体製造装置に使
用される半導体製造装置用部品において，半導体製造装
置用部品１は，カーボン材料よりなる基材１１と，基材
１１の表面にＣＶＤ法により形成された炭化珪素よりな
る皮膜１２とからなる。基材１１の固有抵抗は１．０×
１０-3〜２．０×１０-3Ω・ｃｍであり，皮膜１２の固
有抵抗は１．０〜１．０×１０3Ω・ｃｍである。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は，プラズマを利用した半導体製造
装置に使用される部品に関する。
装置に使用される部品に関する。
【０００２】
【従来技術】半導体の製造工程においては，プラズマを
利用した半導体製造装置が用いられる。例えば，プラズ
マエッチング装置は，露光・現像工程を経たシリコンウ
ェハをガスプラズマにさらすことにより，感光膜におけ
る感光領域のみを選択的に除去してシリコン面を露出さ
せる処理を行う。プラズマエッチング装置は，後述する
図３に示すごとく，そのチャンバ５１内に配設された上
下一対の電極５２，５３を備えてなり，上部電極５２か
ら下部電極５３へ向けてガスプラズマが供給されるよう
構成されている。そして，下部電極５３の上面に被処理
材としてのシリコンウェハ８を載置してガスプラズマの
照射を行うことにより，上記のシリコン面の露出処理を
行うことができる。
利用した半導体製造装置が用いられる。例えば，プラズ
マエッチング装置は，露光・現像工程を経たシリコンウ
ェハをガスプラズマにさらすことにより，感光膜におけ
る感光領域のみを選択的に除去してシリコン面を露出さ
せる処理を行う。プラズマエッチング装置は，後述する
図３に示すごとく，そのチャンバ５１内に配設された上
下一対の電極５２，５３を備えてなり，上部電極５２か
ら下部電極５３へ向けてガスプラズマが供給されるよう
構成されている。そして，下部電極５３の上面に被処理
材としてのシリコンウェハ８を載置してガスプラズマの
照射を行うことにより，上記のシリコン面の露出処理を
行うことができる。
【０００３】シリコンウェハ８の外周部の周りには，ダ
ミーリングを配置する必要がある。このダミーリング
は，ガスプラズマがシリコンウェハの外周部においても
均一に照射されるようにし，シリコンウェハのプラズマ
による削れ量の面内バラツキを抑え均一なエッチングを
行えるようにするためのものである。
ミーリングを配置する必要がある。このダミーリング
は，ガスプラズマがシリコンウェハの外周部においても
均一に照射されるようにし，シリコンウェハのプラズマ
による削れ量の面内バラツキを抑え均一なエッチングを
行えるようにするためのものである。
【０００４】
【解決しようとする課題】ところで，従来のダミーリン
グをはじめとして，半導体製造装置用部品は，プラズマ
処理時にプラズマの照射を受けることにより，徐々に劣
化していく。具体的には，プラズマが照射された部分が
例えば粉状に分離されて飛散したり，ガス化し，徐々に
消耗していく。また，反応生成物や飛散した粒子は，パ
ーティクルとしてシリコンウェハに付着し，これを不良
にしてしまう場合がある。
グをはじめとして，半導体製造装置用部品は，プラズマ
処理時にプラズマの照射を受けることにより，徐々に劣
化していく。具体的には，プラズマが照射された部分が
例えば粉状に分離されて飛散したり，ガス化し，徐々に
消耗していく。また，反応生成物や飛散した粒子は，パ
ーティクルとしてシリコンウェハに付着し，これを不良
にしてしまう場合がある。
【０００５】従って，この種の装置に用いられる部品に
ついては，近年，パーティクル等が発生しやすいアルミ
ニウムやカーボン等の材料からパーティクルが発生しに
くい別の材料への転換が図られつつある。
ついては，近年，パーティクル等が発生しやすいアルミ
ニウムやカーボン等の材料からパーティクルが発生しに
くい別の材料への転換が図られつつある。
【０００６】このような新たな材料としては，高純度炭
化珪素焼結体やシリコン材料等が提案されている。しか
しながら，これらの材料は，アルミニウムやカーボン材
料に比べると確かにパーティクルの発生は少ないが，長
期にわたり使用していると，ガスプラズマの照射によっ
て表層の結晶粒子が脱落し，それがパーティクルの発生
原因となる。
化珪素焼結体やシリコン材料等が提案されている。しか
しながら，これらの材料は，アルミニウムやカーボン材
料に比べると確かにパーティクルの発生は少ないが，長
期にわたり使用していると，ガスプラズマの照射によっ
て表層の結晶粒子が脱落し，それがパーティクルの発生
原因となる。
【０００７】一方，上記ダミーリングのような半導体製
造装置用部品においては，プラズマをシリコンウェハ面
と同様に均一に受ける必要がある。そのため，耐久性に
優れるだけではなく，プラズマを均一に受けうる電気的
特性が必要である。
造装置用部品においては，プラズマをシリコンウェハ面
と同様に均一に受ける必要がある。そのため，耐久性に
優れるだけではなく，プラズマを均一に受けうる電気的
特性が必要である。
【０００８】本発明は，かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので，従来よりもプラズマ照射を受けた際の耐
久性に優れ，かつ，プラズマ処理に有利な電気的特性を
有する半導体製造装置用部品及びこれを用いた半導体製
造装置を提供しようとするものである。
されたもので，従来よりもプラズマ照射を受けた際の耐
久性に優れ，かつ，プラズマ処理に有利な電気的特性を
有する半導体製造装置用部品及びこれを用いた半導体製
造装置を提供しようとするものである。
【０００９】
【課題の解決手段】請求項１の発明は，プラズマを利用
した半導体製造装置に使用される半導体製造装置用部品
において，該半導体製造装置用部品は，カーボン材料よ
りなる基材と，該基材の表面にＣＶＤ法により形成され
た炭化珪素よりなる皮膜とからなり，かつ，上記基材の
固有抵抗は１．０×１０-3〜２．０×１０-3Ω・ｃｍで
あり，上記皮膜の固有抵抗は１．０〜１．０×１０3Ω
・ｃｍであることを特徴とする半導体製造装置用部品に
ある。
した半導体製造装置に使用される半導体製造装置用部品
において，該半導体製造装置用部品は，カーボン材料よ
りなる基材と，該基材の表面にＣＶＤ法により形成され
た炭化珪素よりなる皮膜とからなり，かつ，上記基材の
固有抵抗は１．０×１０-3〜２．０×１０-3Ω・ｃｍで
あり，上記皮膜の固有抵抗は１．０〜１．０×１０3Ω
・ｃｍであることを特徴とする半導体製造装置用部品に
ある。
【００１０】本発明において最も注目すべきことは，上
記皮膜としてＣＶＤ法により形成された炭化珪素（ＣＶ
Ｄ−ＳｉＣという）を用い，かつ，上記基材と皮膜の固
有抵抗がそれぞれ上記特定の範囲にあることである。
記皮膜としてＣＶＤ法により形成された炭化珪素（ＣＶ
Ｄ−ＳｉＣという）を用い，かつ，上記基材と皮膜の固
有抵抗がそれぞれ上記特定の範囲にあることである。
【００１１】上記基材としてのカーボン材料は，例え
ば，黒鉛に代表されるような炭素を用いた材料であっ
て，特に等方性黒鉛材料やＣ／Ｃコンポジットが好まし
い。上記皮膜は，上記のごとくＣＶＤ法により形成した
炭化珪素を用いる。この皮膜は，上記基材の表面に直接
ＣＶＤ法により成膜して得ることができる。また，上記
皮膜は，上記基材表面の全面に設けてもよいが，プラズ
マが照射される部分に部分的に設けても勿論よい。
ば，黒鉛に代表されるような炭素を用いた材料であっ
て，特に等方性黒鉛材料やＣ／Ｃコンポジットが好まし
い。上記皮膜は，上記のごとくＣＶＤ法により形成した
炭化珪素を用いる。この皮膜は，上記基材の表面に直接
ＣＶＤ法により成膜して得ることができる。また，上記
皮膜は，上記基材表面の全面に設けてもよいが，プラズ
マが照射される部分に部分的に設けても勿論よい。
【００１２】また，上記のごとく，上記基材の固有抵抗
は１．０×１０-3〜２．０×１０-3Ω・ｃｍであり，か
つ，上記皮膜の固有抵抗は１．０〜１．０×１０3Ω・
ｃｍである。上記基材の固有抵抗が１．０×１０-3Ω・
ｃｍ未満あるいは皮膜の固有抵抗が１．０Ω・ｃｍ未満
の場合には，半導体製造装置においてプラズマ処理をし
た場合に上記半導体製造装置用部品にプラズマ集まりす
ぎるという問題がある。一方，上記基材の固有抵抗が
２．０×１０-3Ω・ｃｍを超える場合あるいは皮膜の固
有抵抗が１．０×１０3Ω・ｃｍを超える場合には，半
導体製造装置においてプラズマ処理をした場合に上記半
導体製造装置用部品にプラズマを導くことが困難となる
という問題がある。
は１．０×１０-3〜２．０×１０-3Ω・ｃｍであり，か
つ，上記皮膜の固有抵抗は１．０〜１．０×１０3Ω・
ｃｍである。上記基材の固有抵抗が１．０×１０-3Ω・
ｃｍ未満あるいは皮膜の固有抵抗が１．０Ω・ｃｍ未満
の場合には，半導体製造装置においてプラズマ処理をし
た場合に上記半導体製造装置用部品にプラズマ集まりす
ぎるという問題がある。一方，上記基材の固有抵抗が
２．０×１０-3Ω・ｃｍを超える場合あるいは皮膜の固
有抵抗が１．０×１０3Ω・ｃｍを超える場合には，半
導体製造装置においてプラズマ処理をした場合に上記半
導体製造装置用部品にプラズマを導くことが困難となる
という問題がある。
【００１３】次に，本発明の作用効果につき説明する。
本発明の半導体製造装置用部品は，上記基材とその表面
に設けた皮膜とよりなる。そのため，上記半導体製造装
置用部品の耐久性は，上記皮膜の耐久性により左右され
る。ここで，本発明では，上記皮膜として，ＣＶＤ法に
より形成した炭化珪素（以下，ＣＶＤ−ＳｉＣという）
を用いている。このＣＶＤ−ＳｉＣは，従来用いられて
いた高純度炭化珪素焼結体と比べると，高純度性，緻密
性の点で優れたＳｉＣとすることができる。そのため，
このＣＶＤ−ＳｉＣよりなる皮膜は，プラズマが照射さ
れた際の結晶粒子の脱落を従来よりも抑制することがで
き，パーティクルの発生を従来よりも低減することがで
きる。また，このように皮膜の消耗による劣化が従来よ
りも抑制されるので，この優れた皮膜を備えた半導体製
造装置用部品全体の耐久性を向上させることができる。
本発明の半導体製造装置用部品は，上記基材とその表面
に設けた皮膜とよりなる。そのため，上記半導体製造装
置用部品の耐久性は，上記皮膜の耐久性により左右され
る。ここで，本発明では，上記皮膜として，ＣＶＤ法に
より形成した炭化珪素（以下，ＣＶＤ−ＳｉＣという）
を用いている。このＣＶＤ−ＳｉＣは，従来用いられて
いた高純度炭化珪素焼結体と比べると，高純度性，緻密
性の点で優れたＳｉＣとすることができる。そのため，
このＣＶＤ−ＳｉＣよりなる皮膜は，プラズマが照射さ
れた際の結晶粒子の脱落を従来よりも抑制することがで
き，パーティクルの発生を従来よりも低減することがで
きる。また，このように皮膜の消耗による劣化が従来よ
りも抑制されるので，この優れた皮膜を備えた半導体製
造装置用部品全体の耐久性を向上させることができる。
【００１４】さらに，本発明では，上記のごとく，基材
と皮膜の固有抵抗を上記特定の範囲内におさめてある。
そのため，この半導体製造装置用部品を半導体製造装置
内にセットしてプラズマ処理を行った場合，上記半導体
製造装置用部品上に適度にプラズマを導くことができ
る。それ故，この半導体製造装置用部品を用いれば，均
一性に優れたプラズマ処理を行うことができる。
と皮膜の固有抵抗を上記特定の範囲内におさめてある。
そのため，この半導体製造装置用部品を半導体製造装置
内にセットしてプラズマ処理を行った場合，上記半導体
製造装置用部品上に適度にプラズマを導くことができ
る。それ故，この半導体製造装置用部品を用いれば，均
一性に優れたプラズマ処理を行うことができる。
【００１５】次に，請求項２の発明のように，上記半導
体製造装置用部品は，上記半導体製造装置においてシリ
コンウェハの外周に配置されるダミーリングとすること
ができる。この場合には，非常に耐久性に優れたダミー
リングを得ることができ，これを用いることにより，品
質に優れたシリコンウェハを製造することができる。
体製造装置用部品は，上記半導体製造装置においてシリ
コンウェハの外周に配置されるダミーリングとすること
ができる。この場合には，非常に耐久性に優れたダミー
リングを得ることができ，これを用いることにより，品
質に優れたシリコンウェハを製造することができる。
【００１６】また，請求項３の発明は，請求項１又は２
に記載の半導体製造装置用部品を用いたことを特徴とす
る半導体製造装置にある。本発明の半導体製造装置は，
上記の優れた半導体製造装置用部品を用いているので，
品質に優れたシリコンウェハを長期間安定して作製する
ことができる。
に記載の半導体製造装置用部品を用いたことを特徴とす
る半導体製造装置にある。本発明の半導体製造装置は，
上記の優れた半導体製造装置用部品を用いているので，
品質に優れたシリコンウェハを長期間安定して作製する
ことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】実施形態例 本発明の実施形態例にかかる半導体製造装置用部品につ
き，図１〜図３を用いて説明する。本例では，図３に示
すごとく，半導体の製造工程において，露光・現像工程
を経たシリコンウェハ８をガスプラズマにさらすことに
より，感光膜における感光領域のみを選択的に除去して
シリコン面を露出させる処理を行うためのプラズマエッ
チング装置５に用いる半導体製造装置用部品であるダミ
ーリング１の例を示す。
き，図１〜図３を用いて説明する。本例では，図３に示
すごとく，半導体の製造工程において，露光・現像工程
を経たシリコンウェハ８をガスプラズマにさらすことに
より，感光膜における感光領域のみを選択的に除去して
シリコン面を露出させる処理を行うためのプラズマエッ
チング装置５に用いる半導体製造装置用部品であるダミ
ーリング１の例を示す。
【００１８】本例のダミーリング１は，図１，図２に示
すごとく，カーボン材料よりなる基材１１と，基材１１
の表面にＣＶＤ法により形成された炭化珪素（ＣＶＤ−
ＳｉＣ）よりなる皮膜１２とからなる。全体形状は，リ
ング形状を有していると共に，その内周部上面にシリコ
ンウェハ８を載置するための凹部１９を有ている。そし
て，本例のダミーリング１は，上記基材１１の外表面全
体を上記ＣＶＤ−ＳｉＣの皮膜１２により被覆してあ
る。そして，本例のダミーリング１は，基材１１の固有
抵抗が１．０×１０-3〜２．０×１０-3Ω・ｃｍであ
り，皮膜の固有抵抗が１．０〜１．０×１０3Ω・ｃｍ
である。
すごとく，カーボン材料よりなる基材１１と，基材１１
の表面にＣＶＤ法により形成された炭化珪素（ＣＶＤ−
ＳｉＣ）よりなる皮膜１２とからなる。全体形状は，リ
ング形状を有していると共に，その内周部上面にシリコ
ンウェハ８を載置するための凹部１９を有ている。そし
て，本例のダミーリング１は，上記基材１１の外表面全
体を上記ＣＶＤ−ＳｉＣの皮膜１２により被覆してあ
る。そして，本例のダミーリング１は，基材１１の固有
抵抗が１．０×１０-3〜２．０×１０-3Ω・ｃｍであ
り，皮膜の固有抵抗が１．０〜１．０×１０3Ω・ｃｍ
である。
【００１９】このダミーリング１を製造するに当たって
は，まず，等方性黒鉛材料（イビデン株式会社製，商品
名Ｔ−４）を，外径φ２５０ｍｍ，内径φ１９０ｍｍ，
厚み３ｍｍに旋盤加工し，次いで２０００℃ハロゲンガ
ス雰囲気にて高純度化処理し，黒鉛よりなる基材１１を
作製した。この基材１１の表面にＣＶＤ法によりＣＶＤ
−ＳｉＣよりなる皮膜１２を直接形成する。
は，まず，等方性黒鉛材料（イビデン株式会社製，商品
名Ｔ−４）を，外径φ２５０ｍｍ，内径φ１９０ｍｍ，
厚み３ｍｍに旋盤加工し，次いで２０００℃ハロゲンガ
ス雰囲気にて高純度化処理し，黒鉛よりなる基材１１を
作製した。この基材１１の表面にＣＶＤ法によりＣＶＤ
−ＳｉＣよりなる皮膜１２を直接形成する。
【００２０】具体的には，上記基材１１を図示しないＣ
ＶＤ装置内にセットし，温度１３５０℃，真空度１５０
Ｔｏｒｒの条件下，反応ガスとしてメチルクロロシラ
ン，キャリアガスとして水素を供給し，熱分解させるこ
とにより皮膜１２を形成した。これにより，膜厚が２０
０μｍの皮膜１２が基材１１の表面に均一に形成され
た。
ＶＤ装置内にセットし，温度１３５０℃，真空度１５０
Ｔｏｒｒの条件下，反応ガスとしてメチルクロロシラ
ン，キャリアガスとして水素を供給し，熱分解させるこ
とにより皮膜１２を形成した。これにより，膜厚が２０
０μｍの皮膜１２が基材１１の表面に均一に形成され
た。
【００２１】また，本例では，得られた基材１１と皮膜
１２の固有抵抗を測定した。測定方法は，４端子法によ
り行った。測定の結果，基材１１の固有抵抗は１．４×
１０-3Ω・ｃｍであり，皮膜１２の固有抵抗は２×１０
2Ω・ｃｍであった。
１２の固有抵抗を測定した。測定方法は，４端子法によ
り行った。測定の結果，基材１１の固有抵抗は１．４×
１０-3Ω・ｃｍであり，皮膜１２の固有抵抗は２×１０
2Ω・ｃｍであった。
【００２２】次に，このダミーリング１を用いるプラズ
マエッチング装置５につき，図３を用いて簡単に説明す
る。本例のプラズマエッチング装置５は，同図に示すご
とく，円筒状のチャンバ５１内に配設された上下一対の
電極５２，５３を備えてなり，上部電極５２から下部電
極５３へ向けてガスプラズマが供給されるよう構成され
ている。また，チャンバー５１の側面には，内部を真空
引きするための排気口５１４を設けてある。
マエッチング装置５につき，図３を用いて簡単に説明す
る。本例のプラズマエッチング装置５は，同図に示すご
とく，円筒状のチャンバ５１内に配設された上下一対の
電極５２，５３を備えてなり，上部電極５２から下部電
極５３へ向けてガスプラズマが供給されるよう構成され
ている。また，チャンバー５１の側面には，内部を真空
引きするための排気口５１４を設けてある。
【００２３】上電極５２は，導電性のＳｉＣ，シリコ
ン，アルミニウム，カーボン等の材料よりなり構成され
ており，上方から供給されるガスを電極間に導くための
貫通穴５２１を多数設けてなる。また，上電極５２は，
チャンバー５１から内方へ突出させた支持リング５１２
に係合させて配置してある。
ン，アルミニウム，カーボン等の材料よりなり構成され
ており，上方から供給されるガスを電極間に導くための
貫通穴５２１を多数設けてなる。また，上電極５２は，
チャンバー５１から内方へ突出させた支持リング５１２
に係合させて配置してある。
【００２４】下電極５３は，ステージ５４の上方に配設
されており，中央に凸部５３１を設け，その周囲に上記
ダミーリング１を配置するための窪み部５３２をリング
状に設けてある。そして，上記ダミーリング１は，上記
凸部５３１を囲うように上記窪み部５３２にセットして
使用する。また，シリコンウェハ８は，図２，図３に示
すごとく，ダミーリング１の凹部１９に保持される。
されており，中央に凸部５３１を設け，その周囲に上記
ダミーリング１を配置するための窪み部５３２をリング
状に設けてある。そして，上記ダミーリング１は，上記
凸部５３１を囲うように上記窪み部５３２にセットして
使用する。また，シリコンウェハ８は，図２，図３に示
すごとく，ダミーリング１の凹部１９に保持される。
【００２５】次に，上記プラズマエッチング装置５を用
いて，実際にシリコンウェハ８を処理し，ダミーリング
１の耐久性および得られたシリコンウェハ８の品質につ
いて評価した。その結果，従来と同様の条件でプラズマ
エッチング処理を行ったところ，ダミーリング１の消耗
の進行は遅く，優れた耐久性を示し，かつ，得られるシ
リコンウェハ８の品質も，パーティクル等のない優れた
ものであった。
いて，実際にシリコンウェハ８を処理し，ダミーリング
１の耐久性および得られたシリコンウェハ８の品質につ
いて評価した。その結果，従来と同様の条件でプラズマ
エッチング処理を行ったところ，ダミーリング１の消耗
の進行は遅く，優れた耐久性を示し，かつ，得られるシ
リコンウェハ８の品質も，パーティクル等のない優れた
ものであった。
【００２６】さらに，処理をしたシリコンウェハ８の処
理状態を調べた。具体的には，シリコンウェハ８表面の
プラズマによるエッチング量の面内バラツキを測定する
方法で調査した。
理状態を調べた。具体的には，シリコンウェハ８表面の
プラズマによるエッチング量の面内バラツキを測定する
方法で調査した。
【００２７】その結果，本例により処理したシリコンウ
ェハ８は，その表面全面にわたって非常に均一にプラズ
マエッチング処理がなされていることがわかった。即
ち，上記ダミーリング１は，プラズマを適度に導く役割
を十分に果たしており，適正な電気的特性を有している
ことがわかった。
ェハ８は，その表面全面にわたって非常に均一にプラズ
マエッチング処理がなされていることがわかった。即
ち，上記ダミーリング１は，プラズマを適度に導く役割
を十分に果たしており，適正な電気的特性を有している
ことがわかった。
【００２８】
【発明の効果】上述のごとく，本発明によれば，従来よ
りもプラズマ照射を受けた際の耐久性に優れ，かつ，プ
ラズマ処理に有利な電気的特性を有する半導体製造装置
用部品及びこれを用いた半導体製造装置を提供すること
ができる。
りもプラズマ照射を受けた際の耐久性に優れ，かつ，プ
ラズマ処理に有利な電気的特性を有する半導体製造装置
用部品及びこれを用いた半導体製造装置を提供すること
ができる。
【図１】実施形態例における，半導体製造装置用部品
（ダミーリング）の断面図。
（ダミーリング）の断面図。
【図２】実施形態例における，半導体製造装置用部品
（ダミーリング）およびシリコンウェハの斜視図。
（ダミーリング）およびシリコンウェハの斜視図。
【図３】実施形態例における，プラズマエッチング装置
の構成を示す説明図。
の構成を示す説明図。
１．．．半導体製造装置用部品（ダミーリング）， １１．．．基材， １２．．．皮膜， ５．．．プラズマエッチング装置， ８．．．シリコンウェハ，
フロントページの続き (72)発明者 阪下 敬一 岐阜県大垣市青柳町300番地 イビデン株 式会社青柳工場内 Ｆターム(参考） 4K030 AA03 AA09 AA17 BA37 CA05 FA01 FA10 GA01 KA12 KA46 KA47 LA02 LA15
Claims (3)
- 【請求項１】 プラズマを利用した半導体製造装置に使
用される半導体製造装置用部品において，該半導体製造
装置用部品は，カーボン材料よりなる基材と，該基材の
表面にＣＶＤ法により形成された炭化珪素よりなる皮膜
とからなり，かつ，上記基材の固有抵抗は１．０×１０
-3〜２．０×１０-3Ω・ｃｍであり，上記皮膜の固有抵
抗は１．０〜１．０×１０3Ω・ｃｍであることを特徴
とする半導体製造装置用部品。 - 【請求項２】 請求項１において，上記半導体製造装置
用部品は，上記半導体製造装置においてシリコンウェハ
の外周に配置されるダミーリングであることを特徴とす
る半導体製造装置用部品。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の半導体製造装置
用部品を用いたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000013145A JP4501201B2 (ja) | 2000-01-21 | 2000-01-21 | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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2000
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