JP2021031363A - 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態の成膜工程は、第1炭化ケイ素多結晶膜成膜段階、カーボン膜成膜段階、第2炭化ケイ素多結晶膜成膜段階から構成されている。第1炭化ケイ素多結晶膜成膜段階は、化学的気相成長法によってカーボン支持基板100の上に第1炭化ケイ素多結晶膜200を成膜して、カーボン支持基板100と第1炭化ケイ素多結晶膜200との積層体500Aを得る工程である。第1炭化ケイ素多結晶膜成膜段階、カーボン膜成膜段階、第2炭化ケイ素多結晶膜成膜段階は、例えば、図1に示した成膜装置1000を用いて行うことができる。
研削工程は、積層体500Cの外周端部を研削して、カーボン支持基板100の少なくとも一部およびカーボン膜300の少なくとも一部を露出させる工程である。第2炭化ケイ素多結晶膜成膜段階で得られた積層体500Cにおいて、カーボン支持基板100、カーボン膜300の全体が炭化ケイ素多結晶膜で覆われており、カーボン支持基板100、カーボン膜300が十分に露出していない場合は、そのままではカーボン支持基板100、カーボン膜300を燃焼させることができないため、あらかじめ、積層体500Cにおけるカーボン支持基板100、カーボン膜300の外周端部に積層した部分を研削する必要がある。研削工程により、第1炭化ケイ素多結晶膜200、カーボン膜300、第2炭化ケイ素多結晶膜400の、カーボン支持基板100およびカーボン膜300の外周に積層した部分が除去されて、カーボン支持基板100およびカーボン膜が露出する。よって、次に行う燃焼除去工程において、カーボン支持基板100およびカーボン膜300を燃焼除去することができる。
燃焼除去工程は、カーボン支持基板100およびカーボン膜300が露出した積層体500Cを加熱して、カーボン支持基板100およびカーボン膜300を燃焼除去して、炭化ケイ素多結晶基板600を得る工程である。
(実施例1)
前述した実施形態の成膜装置1000を用いて、炭化ケイ素多結晶基板を製造した。成膜装置1000の基板ホルダー1070に、直径6インチ、厚さ500μm、熱膨張係数4.5×10−6(/K)のカーボン支持基板を保持した。成膜室1010内へArガスを流入させながら排気ポンプにより炉内を減圧化した後、1350℃まで加熱し、1350℃に達した後Arガスの供給を停止した。原料ガスとして、SiCl4、CH4を用い、ドーピングガスとしてN2、キャリアガスとしてH2を用いた。第1炭化ケイ素多結晶膜、第2炭化ケイ素多結晶膜の成膜工程においては、これらのガスの混合比をSiCl4:CH4:H2:N2=1:1:10:10として、総流入量を20slm(standard L/min)として、所定時間(20時間)、成膜を実施した。本実施例、比較例においては、事前に予備試験を行って所望の膜厚となる成膜条件を設定しておき、同様の成膜条件を用いて炭化ケイ素多結晶基板の製造を行った。この条件設定においては、前述の実施形態において説明した方法により膜厚の測定をして成膜条件の評価を行った。すなわち、膜内の5点を中心、円周端部、および中心と円周端部との間にあり、中心からの距離と円周端部からの距離が同じ地点として、これらの5点について、斜入射型光学測定器等により膜厚の測定を行って目的の膜の膜厚を算出して、それらの平均値を膜厚とした。また、予備試験において測定したそれぞれの膜の5点の膜厚により、膜厚のばらつきが3%以内で膜厚のばらつきが小さい、均一な膜が成膜されたことを確認した。
第2炭化ケイ素多結晶膜の厚さを、実施例2においては50μm、実施例3においては80μmとしたこと以外は実施例1と同様にして、炭化ケイ素多結晶基板を製造して、炭化ケイ素多結晶基板の反り量を測定した。反り量の測定結果を表1に示した。
カーボン膜の厚さを、実施例4〜実施例6においては10μmとして、第2炭化ケイ素多結晶膜の厚さを、実施例4においては30μm、実施例5においては50μm、実施例6においては80μmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、炭化ケイ素多結晶基板を製造して、炭化ケイ素多結晶基板の反り量を測定した。反り量の測定結果を表1に示した。
第2炭化ケイ素多結晶膜の厚さを、比較例1においては10μm、比較例2においては100μmとしたこと以外は実施例1と同様にして、炭化ケイ素多結晶基板を製造して、炭化ケイ素多結晶基板の反り量を測定した。反り量の測定結果を表1に示した。
カーボン膜の厚さを、比較例3、比較例4においては10μmとして、比較例5〜比較例9においては50μmとして、第2炭化ケイ素多結晶膜の厚さを、比較例3においては10μm、比較例4においては100μm、比較例5においては10μm、比較例6においては30μm、比較例7においては50μm、比較例8においては80μm、比較例9においては100μm、としたこと以外は、実施例1と同様にして、炭化ケイ素多結晶基板を製造して、炭化ケイ素多結晶基板の反り量を測定した。反り量の測定結果を表1に示した。
従来例として、第1炭化ケイ素多結晶膜を500μmとして、カーボン膜、第2炭化ケイ素多結晶膜を成膜せずに炭化ケイ素多結晶基板を製造して、炭化ケイ素多結晶基板の反り量を測定した。反り量の測定結果を表1に示した。
以上の評価結果により、本発明の例示的態様である実施例1〜実施例6において、比較例1〜比較例9と比べて、製造された炭化ケイ素多結晶基板の反り量が小さく、反り量は50μmから90μmであった。また、カーボン膜、第2炭化ケイ素多結晶膜を成膜しない従来例の炭化ケイ素多結晶基板においては、反り量が200μmとなり、大きな反りが発生することが示された。また、カーボン膜が1μm〜10μmかつ第2炭化ケイ素多結晶膜が30μm〜80μmを満たさない、比較例5〜比較例9においては、反り量が120μmから240μmとなり、大きな反りが発生することが示された。カーボン支持基板の上に第1炭化ケイ素多結晶膜を成膜する第1炭化ケイ素多結晶膜成膜段階と、第1炭化ケイ素多結晶膜成膜段階の後に、第1炭化ケイ素多結晶膜の上に、厚さが1μm〜10μmのカーボン膜を成膜するカーボン膜成膜段階と、カーボン膜成膜段階の後に、カーボン膜の上に、厚さが30μm〜80μmの第2炭化ケイ素多結晶膜を成膜する第2炭化ケイ素多結晶膜成膜段階と、を行うことにより、炭化ケイ素多結晶基板に大きな反りが発生することを抑制して、反りの小さい炭化ケイ素多結晶基板を製造することができることが示された。
200 第1炭化ケイ素多結晶膜
300 カーボン膜
400 第2炭化ケイ素多結晶膜
500A、500B、500C、500D 積層体
600、600A 炭化ケイ素多結晶基板
Claims (5)
- 化学的気相成長法によってカーボン支持基板上に炭化ケイ素多結晶膜およびカーボン膜を成膜する成膜工程を含み、
当該成膜工程は、
前記カーボン支持基板の上に第1炭化ケイ素多結晶膜を成膜する第1炭化ケイ素多結晶膜成膜段階と、
前記第1炭化ケイ素多結晶膜成膜段階の後に、前記第1炭化ケイ素多結晶膜の上に、厚さが1μm〜10μmのカーボン膜を成膜するカーボン膜成膜段階と、
前記カーボン膜成膜段階の後に、前記カーボン膜の上に、厚さが30μm〜80μmの第2炭化ケイ素多結晶膜を成膜する第2炭化ケイ素多結晶膜成膜段階と、を備える、炭化ケイ素多結晶基板の製造方法。 - 前記カーボン支持基板の熱膨張係数が、4.3×10−6/K〜4.5×10−6/Kである、請求項1に記載の炭化ケイ素多結晶基板の製造方法。
- 前記第1炭化ケイ素多結晶膜の厚さが、400μm〜700μmである、請求項1または2に記載の炭化ケイ素多結晶基板の製造方法。
- 前記カーボン膜成膜段階で成膜する前記カーボン膜が第1カーボン膜であり、
前記成膜工程が、前記第2炭化ケイ素多結晶膜成膜段階の後に、さらに、
厚さが1μm〜10μmの第2カーボン膜と、当該第2カーボン膜の上に厚さが30μm〜80μmの第3炭化ケイ素多結晶膜と、をさらに積層する積層段階を、少なくとも1回備える、請求項1〜3のいずれか1項に記載の炭化ケイ素多結晶基板の製造方法。 - 前記成膜工程により得られた、前記カーボン支持基板、前記第1炭化ケイ素多結晶膜、前記カーボン膜、および、前記第2炭化ケイ素多結晶膜が積層した積層体の外周端部を研削して、前記カーボン支持基板の少なくとも一部および前記カーボン膜の少なくとも一部を露出させる研削工程と、
前記研削工程の後に、前記積層体を加熱して、前記カーボン支持基板および前記カーボン膜を燃焼除去する燃焼除去工程と、をさらに備える、請求項1〜4のいずれか1項に記載の炭化ケイ素多結晶基板の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023067876A1 (ja) * | 2021-10-20 | 2023-04-27 | 株式会社サイコックス | 多結晶炭化珪素基板の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10251062A (ja) * | 1997-03-11 | 1998-09-22 | Tokai Carbon Co Ltd | 炭化珪素成形体の製造方法 |
JPH11106298A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-20 | Tokai Carbon Co Ltd | SiCダミーウエハ |
JP2000073171A (ja) * | 1998-08-25 | 2000-03-07 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 化学蒸着法多層SiC膜の製造方法 |
JP2004107699A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Sony Corp | 保護膜の成膜方法及び同方法により保護膜を成膜した部材 |
-
2019
- 2019-08-29 JP JP2019156529A patent/JP7273267B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10251062A (ja) * | 1997-03-11 | 1998-09-22 | Tokai Carbon Co Ltd | 炭化珪素成形体の製造方法 |
JPH11106298A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-20 | Tokai Carbon Co Ltd | SiCダミーウエハ |
JP2000073171A (ja) * | 1998-08-25 | 2000-03-07 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 化学蒸着法多層SiC膜の製造方法 |
JP2004107699A (ja) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Sony Corp | 保護膜の成膜方法及び同方法により保護膜を成膜した部材 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023067876A1 (ja) * | 2021-10-20 | 2023-04-27 | 株式会社サイコックス | 多結晶炭化珪素基板の製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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