JPS58165319A - 熱処理治具 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造に用いる熱処理治具に関する
。

トランジスタやＩＣ等の半導体装置は８ｉ（シリコン）
等の半導体結晶をウエノ１状に加工し、この半導体ウェ
ハを熱処理内で熱拡散、酸化等の高温処理をいくたびも
行なうプロセスを経て瓢遺される。

半導体ウェハの高温処理は第１図、第２図で示すごとく
ウェハｌをウェハ治具２に支持して石英製炉心管３内に
挿入して行なう。ウニ八治具２は通常石英製の治具本体
ＫＩＩ数の溝４を平行に刻設し、この溝４にウェハ１を
挿入して立てかけた状腸で炉心管３内に押し具により導
入する。このとき、石英製の炉心管内面と石英の治具底
傭面とがこすれて微細な石英粒５が発生する。

治具等に使われる石英はＳｔＯ，（二酸化シリコン）結
晶からなり、硬（、破砕し易いかその微細な石英粒は炉
心管内で飛散しウニ八表面に付着して、ホトレジストマ
スクとの密着性不良からマスク精度が低下したり、マス
クにピンホールを生じ耐圧歩留りの低下の原因となるこ
とで問題となっている。

拡散処理の高温に耐えかつ他への影響を及ぼさない物質
として石英以外には８１結晶があり、この８４結晶は石
英のようには破砕しない性質を有するが、この８６結晶
で治具を製作した場合、極めて高価につき現実的ではな
かった。

本発明は上記した点にかんがみてなされたものであり、
その目的は石英粒の付着によって生じる牛導体瓢品の特
性の低下等をなくした熱処理治具の提供にある。

上記目的を達成するための本発明の一実施形態は第３Ｊ
７Ａに示すように石英治具本体２０表面にポリ（多結晶
）８１被膜６を例えば３０００Ａ以上の厚さに形成する
ものである。このポリ８ｉ膜の形成は例えば低圧（２，
ＯＴｏｒｒ以下）下で８　ｉ　Ｈ４（％フシラン）を５
００Ｃ〜７００Ｃで熱分解し、Ｓｉを石英（８ｉ０．）
の治具表面にデポジットさせて約３０００１以上のポリ
Ｓｉコーティングを行なうものである。

このような本発明によれば、石英油臭本体の表面を石英
に比して破砕しにくいボＩＪ　８　ｉ膜で覆ったことに
より、ウェハ熱処理時に石英炉心管内に挿入された際に
石英と石英とのこすれによる石英粒の発生が少なく、し
たがって石英粒がウェハ表面に付着することが少なくな
り、このウェハを取出してホトレジスト処理を行なう際
にマスクとの密着性を向上し、又マスクに生じるピンホ
ールの密度を低減できることで前記発明の目的が達成で
きる。

したがって本発明による熱処理治具を使用することによ
り次の効果が得られる。

（１）　　半導体装置の耐圧特性１歩留りが向上する。

（２）ホトレジストの外観において石英粒による外観不
良がなくなるとともにマスクの密着不良が低減し、高精
度のパターンが得られ、半導体製品の信頼度が向上する
。

（３）石英治具へのポリＳ１コーテイングは低コストで
でき、かつ繰り返し行なうことができ、瓢品価格を上げ
ることはない。

本発明は微細系のトランジスタ及びＩＣの製造に用いる
熱処理治具に特に有効であり、熱処理は不純物拡散、熱
拳化略の熱処理全般に応用するこ１′ とができる。　　□

【図面の簡単な説明】

第１図は熱処理治具の使用態様を示す熱処理炉の縦断面
図％第２図は同じく横断面図、嬉３図は本発明を説明す
るためのものであって嬉２図の一部を拡大した治具の横
断面図である。 １・・・ウェハ、２・・・石英治具、′３・・・石英炉
管、４・・・溝、５・・・石英粒、６・・・ボＩ７８　
ｉ膜。 第　　１　　図 第　　２　図 第　　３　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、石英炉心管内で半導体ウニ・・を支持する熱処理治
   具であって、石英製の治具本体の表面を多結晶シリコン
   被膜で覆ったことを特徴とする熱処理治具。 ２、上記多結晶シリコ／被膜の厚さは少なくとも３００
   ０λ程度である特許請求の範囲第１項に記載の熱処理治
   具。