JPS63237870A - ダイヤモンド被膜砥石 - Google Patents
ダイヤモンド被膜砥石Info
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- JPS63237870A JPS63237870A JP7247487A JP7247487A JPS63237870A JP S63237870 A JPS63237870 A JP S63237870A JP 7247487 A JP7247487 A JP 7247487A JP 7247487 A JP7247487 A JP 7247487A JP S63237870 A JPS63237870 A JP S63237870A
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- Japan
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- diamond
- container
- basic material
- gas
- grinding wheel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 7
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 16
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004992 fission Effects 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は研削2.研摩等の砥石に係わり、基材の表面に
ダイヤモンドを被膜したダイヤモンド被膜砥石に関する
。
ダイヤモンドを被膜したダイヤモンド被膜砥石に関する
。
従来、金属やセラミックス等の被加工物を精度よ(加工
するには、ダイヤモンド砥石による研削。
するには、ダイヤモンド砥石による研削。
研摩やダイヤモンド砥粒によるラッピングがある。
前記ダイヤモンド砥石はダイヤモンド粒子と結合材を焼
結してなるもので、表面のダイヤモンド粒子によって被
加工物を研削、研摩する。
結してなるもので、表面のダイヤモンド粒子によって被
加工物を研削、研摩する。
前記ラッピングは、被加工物と加工すべき理想形状にき
わめて近い工具(以下ランプという)との間に微細粉末
状のランプ剤を入れて、これらの間に相対運動を行なう
もので、前記ラップ剤がダイヤモンド砥粒であり、この
ダイヤモンド砥粒の切削作用により被加工物の加工面を
摩耗する。
わめて近い工具(以下ランプという)との間に微細粉末
状のランプ剤を入れて、これらの間に相対運動を行なう
もので、前記ラップ剤がダイヤモンド砥粒であり、この
ダイヤモンド砥粒の切削作用により被加工物の加工面を
摩耗する。
上記従来技術であるダイヤモンド砥石は、砥石の表面に
ダイヤモンド粒子と結合剤があり、刃先となるダイヤモ
ンド粒子が均一にならず精密加工にあまり適さない。ま
たダイヤモンド粒子は高価なものであり、コスト高にな
る。そして、ダイヤモンド砥粒によるラッピングも、ダ
イヤモンド砥粒がダイヤモンド粒子であるため高価なも
のであり、ラッピングでは、仕事量に比して加工量が少
なく、加工時間を多く必要とした。
ダイヤモンド粒子と結合剤があり、刃先となるダイヤモ
ンド粒子が均一にならず精密加工にあまり適さない。ま
たダイヤモンド粒子は高価なものであり、コスト高にな
る。そして、ダイヤモンド砥粒によるラッピングも、ダ
イヤモンド砥粒がダイヤモンド粒子であるため高価なも
のであり、ラッピングでは、仕事量に比して加工量が少
なく、加工時間を多く必要とした。
本発明は上記問題点を解決し、精密加工に適応し、切削
能力が高く、しかも低コストとなるダイヤモンド被膜砥
石を提供することにある。
能力が高く、しかも低コストとなるダイヤモンド被膜砥
石を提供することにある。
本発明は上記問題点を解決するために次のように構成し
た。
た。
水素ガスと炭化水素ガスから合成されるダイヤモンドを
基材の表面に被膜してなるダイヤモンド被膜砥石とした
。
基材の表面に被膜してなるダイヤモンド被膜砥石とした
。
本発明は上記構成により次のように作用する。
基材の表面に水素ガスと炭化水素ガスから合成されるダ
イヤモンドを被膜することにより、表面をダイヤモンド
だけの均一な刃先とすることができる。
イヤモンドを被膜することにより、表面をダイヤモンド
だけの均一な刃先とすることができる。
本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
本実施例のダイヤモンド被膜砥石Aは第1図に示すよう
にアルミナ等の基材1にダイヤモンド2を被膜してなる
。
にアルミナ等の基材1にダイヤモンド2を被膜してなる
。
前記基材lは板状の正方形である。前記ダイヤモンド2
は、水素ガスと炭化水素ガスから合成されその炭化水素
ガスはメタンガスとした。
は、水素ガスと炭化水素ガスから合成されその炭化水素
ガスはメタンガスとした。
前記ダイヤモンド2を合成する装置は、基材1を収納す
る容器と、容器内を排気して真空にする図示しない真空
発生機と、マイクロ波を発生させるマグネトロンと、マ
イクロ波を容器に導(導波管と、マイクロ波の反射波を
調整するプランジャーとから成る。
る容器と、容器内を排気して真空にする図示しない真空
発生機と、マイクロ波を発生させるマグネトロンと、マ
イクロ波を容器に導(導波管と、マイクロ波の反射波を
調整するプランジャーとから成る。
基材1は、支持台に!1置し容器と導波管の交わる中央
に設置する。
に設置する。
前記容器には、石英管を使用した。
基材1にダイヤモンドを被膜するには、容器内を真空度
10−”Torrまで真空にした後、メタンガスの濃度
が1%となるようにメタンガスと水素ガスを容器内に容
器の上開口部より導入しつつ、容器内を容器の下開口部
より排気して容器内の圧力を真空度30Torrに維持
すると共に、焼結ダイヤモンドに波長2.45 GHz
、出力300Wのマイクロ波を照射して焼結ダイヤモン
ド2の温度を860℃にする。そして数時間この状態を
維持する。
10−”Torrまで真空にした後、メタンガスの濃度
が1%となるようにメタンガスと水素ガスを容器内に容
器の上開口部より導入しつつ、容器内を容器の下開口部
より排気して容器内の圧力を真空度30Torrに維持
すると共に、焼結ダイヤモンドに波長2.45 GHz
、出力300Wのマイクロ波を照射して焼結ダイヤモン
ド2の温度を860℃にする。そして数時間この状態を
維持する。
前記メタンガスと水素ガスの流量は100cc/min
とした。
とした。
前記容器内の圧力およびマイクロ波により、基材1の周
囲に放電プラズマが発生して水素ガスが原子状水素とな
り、この原子状水素とメタンガスが反応すると共にマイ
クロ波の吸収とプラズマの衝撃により基材1は加熱して
基材1の表面にダイヤモンド粒子が析出する。そして、
このダイヤモンド粒子が成長して膜状のダイヤモンドと
なり基材1の表面を被膜する。
囲に放電プラズマが発生して水素ガスが原子状水素とな
り、この原子状水素とメタンガスが反応すると共にマイ
クロ波の吸収とプラズマの衝撃により基材1は加熱して
基材1の表面にダイヤモンド粒子が析出する。そして、
このダイヤモンド粒子が成長して膜状のダイヤモンドと
なり基材1の表面を被膜する。
前記ダイヤモンド砥石へのダイヤモンド2の表面は、多
数のダイヤモンド粒子が成長した多結晶ダイヤモンドで
あり、加工能力に優れている。またダイヤモンド粒子が
微細なため精密加工に適している。また、基剤1の形状
を円柱状にして、その周面にダイヤモンド2を被膜して
もよい。
数のダイヤモンド粒子が成長した多結晶ダイヤモンドで
あり、加工能力に優れている。またダイヤモンド粒子が
微細なため精密加工に適している。また、基剤1の形状
を円柱状にして、その周面にダイヤモンド2を被膜して
もよい。
上記装置及び方法により基材1にダイヤモンド2を被膜
したが他の装置及び方法を用いてもよく、例えば熱フィ
シメン1−CVD法や高周波CVD法等でもよい。
したが他の装置及び方法を用いてもよく、例えば熱フィ
シメン1−CVD法や高周波CVD法等でもよい。
また上記方法によるメタン濃度等を変えることによりダ
イヤモンド粒子の形状や硬度を変えることができる。第
2図にメタン濃度とダイヤモンド粒子の形状を示す。
イヤモンド粒子の形状や硬度を変えることができる。第
2図にメタン濃度とダイヤモンド粒子の形状を示す。
本実施例を用いて加工面の広い金属やセラミック等の被
加工物を加工する場合には、第3図及び第4図に示すよ
うに、台3に多数のダイヤモンド被膜砥石Aを載置した
集合体をBとする。
加工物を加工する場合には、第3図及び第4図に示すよ
うに、台3に多数のダイヤモンド被膜砥石Aを載置した
集合体をBとする。
前記台3は、金属等で、多数のダイヤモンド被膜砥石へ
のダイヤモンド2が面一になるように基材1と台3を接
着剤3aで接着する。
のダイヤモンド2が面一になるように基材1と台3を接
着剤3aで接着する。
前記のように多数のダイヤモンド砥石Aを載置すること
により、個々のダイヤモンド砥石Aのダイヤモンド被膜
面積は小さくてすみ、基材1にダイヤモンド2を被膜す
る際、むらなく均一にダイヤモンド2を被膜できる。
により、個々のダイヤモンド砥石Aのダイヤモンド被膜
面積は小さくてすみ、基材1にダイヤモンド2を被膜す
る際、むらなく均一にダイヤモンド2を被膜できる。
前記ダイヤモンド被膜砥石Aや集合体Bは、ラッピング
のラップとして用いることができる。この場合う・ツブ
済の切削作用と、ダイヤモンド2のダイヤモンド粒子の
切削作用により精密加工が短時間で行える。
のラップとして用いることができる。この場合う・ツブ
済の切削作用と、ダイヤモンド2のダイヤモンド粒子の
切削作用により精密加工が短時間で行える。
また、熱フイラメントCVD法を用いて基材1の表面に
ダイヤモンドを被膜する場合には、基材1の表面がかな
り広い面積であっても、ダイヤモンドを均一に被膜する
ことができる。
ダイヤモンドを被膜する場合には、基材1の表面がかな
り広い面積であっても、ダイヤモンドを均一に被膜する
ことができる。
本発明は上記のように構成したので次のような効果があ
る。
る。
水素ガスと炭化水素ガスから合成されるダイヤモンドを
基材の表面に被膜したことにより、表面をダイヤモンド
だけの均一な刃先とすることができるので、精密加工に
適応し切削能力が高く、加工時間を短縮できる。またダ
イヤモンド砥石などのダイヤモンド粒子を用いないので
、低コストに製造できる。
基材の表面に被膜したことにより、表面をダイヤモンド
だけの均一な刃先とすることができるので、精密加工に
適応し切削能力が高く、加工時間を短縮できる。またダ
イヤモンド砥石などのダイヤモンド粒子を用いないので
、低コストに製造できる。
図面の第1図は、本発明の本実施例を示す斜視図、第2
図はメタン濃度によるダイヤモンド粒子の形状を示す説
明図、第3図は本実施例を用いた集合体を示す平面図、
第4図は第3図のTV−rV’線断面図である。 A・・・ダイヤモンド被膜砥石 B・・・集合体 1・・・基材 2・・・ダイヤモンド3・
・・台 CでY−イ)))−〕oy。
図はメタン濃度によるダイヤモンド粒子の形状を示す説
明図、第3図は本実施例を用いた集合体を示す平面図、
第4図は第3図のTV−rV’線断面図である。 A・・・ダイヤモンド被膜砥石 B・・・集合体 1・・・基材 2・・・ダイヤモンド3・
・・台 CでY−イ)))−〕oy。
Claims (1)
- 水素ガスと炭化水素ガスから合成されるダイヤモンドを
基材の表面に被膜してなることを特徴とするダイヤモン
ド被膜砥石。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7247487A JPS63237870A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | ダイヤモンド被膜砥石 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7247487A JPS63237870A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | ダイヤモンド被膜砥石 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63237870A true JPS63237870A (ja) | 1988-10-04 |
Family
ID=13490349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7247487A Pending JPS63237870A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | ダイヤモンド被膜砥石 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63237870A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01282515A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-14 | Tokyo Electron Ltd | ビーム走査型光学顕微鏡 |
JPH01316715A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-21 | Tokyo Electron Ltd | ビーム走査型光学顕微鏡 |
JPH0355164A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 研磨板およびその製造方法 |
JPH0355163A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 研磨材およびその製造方法 |
JP2004511355A (ja) * | 2000-10-13 | 2004-04-15 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 構造化ダイヤモンド様炭素コーティングを含む研磨物品およびそれを用いて基板を機械的に処理する方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59184792A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-20 | Mitsubishi Metal Corp | ダイヤモンドの気相合成法 |
JPS60201878A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-12 | Mitsubishi Metal Corp | 析出生成人工ダイヤモンド粒で構成されたダイヤモンド研磨砥石 |
-
1987
- 1987-03-26 JP JP7247487A patent/JPS63237870A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59184792A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-20 | Mitsubishi Metal Corp | ダイヤモンドの気相合成法 |
JPS60201878A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-12 | Mitsubishi Metal Corp | 析出生成人工ダイヤモンド粒で構成されたダイヤモンド研磨砥石 |
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JP2004511355A (ja) * | 2000-10-13 | 2004-04-15 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 構造化ダイヤモンド様炭素コーティングを含む研磨物品およびそれを用いて基板を機械的に処理する方法 |
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