JPS5855562A - 研磨皿とその製造方法 - Google Patents
研磨皿とその製造方法Info
- Publication number
- JPS5855562A JPS5855562A JP56152021A JP15202181A JPS5855562A JP S5855562 A JPS5855562 A JP S5855562A JP 56152021 A JP56152021 A JP 56152021A JP 15202181 A JP15202181 A JP 15202181A JP S5855562 A JPS5855562 A JP S5855562A
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- JP
- Japan
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- layer
- metal
- silicon oxide
- polishing
- metal layer
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- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、主に微細な硬脆性材を研磨加工する研島皿と
その製造方法に関するものである。
その製造方法に関するものである。
例えば、ビデオティスフプレーヤにおいて使用される丹
生針の先端は、ビデオディスクのスパイラル溝に圧接し
、相対的に高速走行するためダイヤモンド、サファイヤ
等耐磨耗性の高い硬脆性材により作られている。この再
生針の製造過程に訃いて、上記研磨層を使用する加工工
程は数工程あるが、その１つに円錐研磨加工がある。こ
れは第１図に示すように直径α２■程度の微細な硬脆性
材１をシャンク２の先端にロー付けし、このシャンク２
を高速回転する研磨層３に押し付けて、上記硬脆性材１
を含む先端を円錐状に研磨加工する工程である。従来の
研磨層は、第２図にその側面を示すように、台５にダイ
ヤモンド砥粒６と結合剤７との混合物からなる研磨層８
を形成したダイヤモンド砥石が一般的であった。
生針の先端は、ビデオディスクのスパイラル溝に圧接し
、相対的に高速走行するためダイヤモンド、サファイヤ
等耐磨耗性の高い硬脆性材により作られている。この再
生針の製造過程に訃いて、上記研磨層を使用する加工工
程は数工程あるが、その１つに円錐研磨加工がある。こ
れは第１図に示すように直径α２■程度の微細な硬脆性
材１をシャンク２の先端にロー付けし、このシャンク２
を高速回転する研磨層３に押し付けて、上記硬脆性材１
を含む先端を円錐状に研磨加工する工程である。従来の
研磨層は、第２図にその側面を示すように、台５にダイ
ヤモンド砥粒６と結合剤７との混合物からなる研磨層８
を形成したダイヤモンド砥石が一般的であった。
このダイヤモンド砥石を回転させて、前述したシャンク
２の先端部のような微細で硬脆性部品を研磨加工すると
、研磨層８におけるダイヤモンド砥粒の埋設状態のバラ
ツキにより振動・衝撃が発生し、被加工面に欠けや傷が
生じるために加工歩留が悪くまたダイヤモンド砥粒の脱
落勢耐磨耗性にも問題があり、量産が困難な状態であっ
た。
２の先端部のような微細で硬脆性部品を研磨加工すると
、研磨層８におけるダイヤモンド砥粒の埋設状態のバラ
ツキにより振動・衝撃が発生し、被加工面に欠けや傷が
生じるために加工歩留が悪くまたダイヤモンド砥粒の脱
落勢耐磨耗性にも問題があり、量産が困難な状態であっ
た。
本発明の目的は、上記した従来−技術の欠点ななくし、
微細な硬脆性部品を歩留よく研磨加工しかつ耐磨耗性の
高い研磨層とその製造方法を提供する罠ある。
微細な硬脆性部品を歩留よく研磨加工しかつ耐磨耗性の
高い研磨層とその製造方法を提供する罠ある。
上記目的を達成するため、本発明は、希薄なガス雰囲気
中で酸化硅素化合物を加熱し、得られた蒸気流に高周波
電界を重畳してイオン化し金属面に蒸着させると付着性
の強い緻密な酸化硅素化合物や層が形成されることを利
用したもので、被蒸着面として金属層の表面を有する基
台と、この金属層の表面圧上記した方法によって蒸着し
た酸化硅素化合物の層を研磨層とすることを特徴として
いる。
中で酸化硅素化合物を加熱し、得られた蒸気流に高周波
電界を重畳してイオン化し金属面に蒸着させると付着性
の強い緻密な酸化硅素化合物や層が形成されることを利
用したもので、被蒸着面として金属層の表面を有する基
台と、この金属層の表面圧上記した方法によって蒸着し
た酸化硅素化合物の層を研磨層とすることを特徴として
いる。
以下本発明の一実施例、を第３図〜第６図に基づいて具
体的に説明する。第３図は金属又は研磨材を蒸着する装
置を示すもので、ベルジャ９は、ベースプレート１０上
に気密に設置されており、ペースプレート１０に設けら
れた排気口１１から拡散ポンプ等の真空排気系（図示せ
ず）により排気して真空室１２が形成される。前記パー
スプレート１０の中央部には、蒸着物としてクロム。
体的に説明する。第３図は金属又は研磨材を蒸着する装
置を示すもので、ベルジャ９は、ベースプレート１０上
に気密に設置されており、ペースプレート１０に設けら
れた排気口１１から拡散ポンプ等の真空排気系（図示せ
ず）により排気して真空室１２が形成される。前記パー
スプレート１０の中央部には、蒸着物としてクロム。
ニッケル等の金属１３を入れたルツボ１４及び蒸着物と
して例えばＳＬＯ！等の酸化硅素化合物１５を入れたル
ツボ１６．さらにルツボ１４．ｉ６の各々の近傍には蒸
着物加熱用の電子ビーム加熱銃１７．１８が配置されて
いる。ルツボｉ４ 、１６の上方には。
して例えばＳＬＯ！等の酸化硅素化合物１５を入れたル
ツボ１６．さらにルツボ１４．ｉ６の各々の近傍には蒸
着物加熱用の電子ビーム加熱銃１７．１８が配置されて
いる。ルツボｉ４ 、１６の上方には。
蒸発した金属１３又は酸化硅素化合物１５０粒子をイオ
ン化するための高周波コイル１９が、さらに高周波コイ
ル１９の上方には被蒸着体である例えば塩化ビニール等
の絶縁体２０がホルダ２１により保持されている。
ン化するための高周波コイル１９が、さらに高周波コイ
ル１９の上方には被蒸着体である例えば塩化ビニール等
の絶縁体２０がホルダ２１により保持されている。
以上の構成により、まず真空室１２内を真空度８ Ｘ
１０−’ Ｔｏｒｒ 程度の希薄なガス雰囲気中にした
後、まず電子ビーム加熱銃１７により金属１３を加熱蒸
発させる。この加熱して得られた金属１６の蒸気流は、
第３図の矢印方向に上昇し、高周波コイル１９にかけら
れた有効電力２０００’周波数１Ｌ５６ＭＨ”の高周波
電界によりイオン化され、絶縁体２０の被蒸着面２０α
に蒸着する。この工程を約４分間行ない、被蒸着［２０
αに厚さ５ｏｏｏ、ｉ程度の金属層を形成して、金属１
５の蒸着を停止する。次に電子ビーム加熱銃１８により
酸化硅素化合物１５を加熱蒸発させ、上記した金属１５
の蒸気流と同様の過程を経て、今度は前工程で形成され
た金属層の表面に酸化硅素化合物１５を蒸着させる。こ
の工程を約１０分間行ない、前記金属層の表面に厚さ５
ｏｏｏ、ｊ程度の酸イＭ硅素化合物の層を形成して終了
する。
１０−’ Ｔｏｒｒ 程度の希薄なガス雰囲気中にした
後、まず電子ビーム加熱銃１７により金属１３を加熱蒸
発させる。この加熱して得られた金属１６の蒸気流は、
第３図の矢印方向に上昇し、高周波コイル１９にかけら
れた有効電力２０００’周波数１Ｌ５６ＭＨ”の高周波
電界によりイオン化され、絶縁体２０の被蒸着面２０α
に蒸着する。この工程を約４分間行ない、被蒸着［２０
αに厚さ５ｏｏｏ、ｉ程度の金属層を形成して、金属１
５の蒸着を停止する。次に電子ビーム加熱銃１８により
酸化硅素化合物１５を加熱蒸発させ、上記した金属１５
の蒸気流と同様の過程を経て、今度は前工程で形成され
た金属層の表面に酸化硅素化合物１５を蒸着させる。こ
の工程を約１０分間行ない、前記金属層の表面に厚さ５
ｏｏｏ、ｊ程度の酸イＭ硅素化合物の層を形成して終了
する。
以上の方法九より得られた研磨層は、第４図に示すよう
に、絶縁体２００表面に下地として金属層２２が形成さ
れ、さらに酸化硅素化合物の研磨層２３が形成されたも
のとなる。上述した実施例においては、表面に金属層を
有する基台として絶縁体２ｏの表面に金属を蒸着して金
属層２２を形成させたものを使用しているが、第５図に
示すように絶縁体２０の表面に金属板２４を接着剤２５
尋で貼り付けたものあるいは、第６図に示すように全て
が金属体２６からなるものを基台とじて使用し、それぞ
れの金属表面に上述と同様な方法で酸化硅素化合物を蒸
着させて研磨層２５を形成させてもよい。
に、絶縁体２００表面に下地として金属層２２が形成さ
れ、さらに酸化硅素化合物の研磨層２３が形成されたも
のとなる。上述した実施例においては、表面に金属層を
有する基台として絶縁体２ｏの表面に金属を蒸着して金
属層２２を形成させたものを使用しているが、第５図に
示すように絶縁体２０の表面に金属板２４を接着剤２５
尋で貼り付けたものあるいは、第６図に示すように全て
が金属体２６からなるものを基台とじて使用し、それぞ
れの金属表面に上述と同様な方法で酸化硅素化合物を蒸
着させて研磨層２５を形成させてもよい。
このように金属表面にイオン化され蒸着した酸化硅素化
合物の研磨層２３は、対金属への付着性がよく、かつ１
層自体が緻密に形成されるため、ダイヤモンド等の硬脆
性材の研磨加工において耐磨耗性が高く、さらに禎加工
面に欠けや傷が生じにくい良質の研磨層となる。金属の
中でもクロムやニッケル、特にクロムに対する酸化硅素
化合物の付着性は秀れ、従来のダイヤモンド砥石に比較
し、１０倍程度の耐摩耗性を有する。
合物の研磨層２３は、対金属への付着性がよく、かつ１
層自体が緻密に形成されるため、ダイヤモンド等の硬脆
性材の研磨加工において耐磨耗性が高く、さらに禎加工
面に欠けや傷が生じにくい良質の研磨層となる。金属の
中でもクロムやニッケル、特にクロムに対する酸化硅素
化合物の付着性は秀れ、従来のダイヤモンド砥石に比較
し、１０倍程度の耐摩耗性を有する。
以上説明したように本発明によれば、高周波電界を重畳
した希薄ガス雰囲気中において、イオン化され、金属層
の表面に蒸着された酸化硅素化合物は、付着性がよく緻
密な層を形成することから、この層を研磨層とすること
罠より、耐磨耗性の高い良質の研磨層を得ることができ
る。
した希薄ガス雰囲気中において、イオン化され、金属層
の表面に蒸着された酸化硅素化合物は、付着性がよく緻
密な層を形成することから、この層を研磨層とすること
罠より、耐磨耗性の高い良質の研磨層を得ることができ
る。
第１図は研磨加工状態を示す説明図、第２図は従来の研
磨層を示す側面図、第３図は本発明による研磨層を製造
する蒸着装置の説明図、第４図は本発明による研磨層の
一実施例を示す側面図、第５図は本発明による研磨層の
他の実施例を示す側面図、第６図は本発明による研磨層
のさらに他の実施例を示す側面図である。 ２２、２４．２６・・・・・・金属層 ２５・・・・・・・・・・・・・・・・・・研磨層２０
・・・・・・・・・・・・・・・・・・絶縁体〒１図 ４２図 第５図 〒４図 第５図 ０ η６図
磨層を示す側面図、第３図は本発明による研磨層を製造
する蒸着装置の説明図、第４図は本発明による研磨層の
一実施例を示す側面図、第５図は本発明による研磨層の
他の実施例を示す側面図、第６図は本発明による研磨層
のさらに他の実施例を示す側面図である。 ２２、２４．２６・・・・・・金属層 ２５・・・・・・・・・・・・・・・・・・研磨層２０
・・・・・・・・・・・・・・・・・・絶縁体〒１図 ４２図 第５図 〒４図 第５図 ０ η６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面に金属層を有する基台と前記金属層の表面に酸
化硅素化合物を蒸着して形成した研磨層とより構成され
ることを特徴とする研磨層。 ２ 上記金属層を成す金属がクロムであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の研磨層。 ＆ 高周波電界を重畳した希薄ガス雰囲気中において、
絶縁体の表面に金属を蒸着して金属層を形成し、その後
、前記金属層の表面に酸化硅素化合物を蒸着して研磨層
を形成することを特徴とする研磨層の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56152021A JPS5855562A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 研磨皿とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56152021A JPS5855562A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 研磨皿とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5855562A true JPS5855562A (ja) | 1983-04-01 |
| JPS6146271B2 JPS6146271B2 (ja) | 1986-10-13 |
Family
ID=15531321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56152021A Granted JPS5855562A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 研磨皿とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5855562A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60201879A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-12 | Mitsubishi Metal Corp | 析出生成人工ダイヤモンド粒で構成されたダイヤモンド研磨砥石 |
| JPS60201878A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-12 | Mitsubishi Metal Corp | 析出生成人工ダイヤモンド粒で構成されたダイヤモンド研磨砥石 |
| JPS60201877A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-12 | Mitsubishi Metal Corp | 析出生成人工ダイヤモンド粒で構成されたダイヤモンド研磨砥石 |
| JPS63103948U (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-06 | ||
| EP0850725A3 (en) * | 1996-12-02 | 1999-01-13 | Motorola, Inc. | Platen coating structure for chemical mechanical polishing and method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0454045Y2 (ja) * | 1987-12-09 | 1992-12-18 |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP56152021A patent/JPS5855562A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60201879A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-12 | Mitsubishi Metal Corp | 析出生成人工ダイヤモンド粒で構成されたダイヤモンド研磨砥石 |
| JPS60201878A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-12 | Mitsubishi Metal Corp | 析出生成人工ダイヤモンド粒で構成されたダイヤモンド研磨砥石 |
| JPH0116625B2 (ja) * | 1984-03-26 | 1989-03-27 | Mitsubishi Metal Corp | |
| JPH0116624B2 (ja) * | 1984-03-26 | 1989-03-27 | Mitsubishi Metal Corp | |
| JPS60201877A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-12 | Mitsubishi Metal Corp | 析出生成人工ダイヤモンド粒で構成されたダイヤモンド研磨砥石 |
| JPH0474145B2 (ja) * | 1984-03-28 | 1992-11-25 | ||
| JPS63103948U (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-06 | ||
| EP0850725A3 (en) * | 1996-12-02 | 1999-01-13 | Motorola, Inc. | Platen coating structure for chemical mechanical polishing and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6146271B2 (ja) | 1986-10-13 |
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