JPH02123369A - 電子写真用セレン感光体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、電子写真用セレン感光体の製造力性に関す
る。

〔従来の技術〕

電子写真用セレン感光体く以下単に感光体とも称する）
は、導電性基体とその上に設けられたセレン系光導電性
材料（純Ｓｅ、　５ｅ−Ｔｅ合金、　Ｓｅ　−Ａ４合金
、　Ｓｅ　−Ｔｅ−Ａｓ合金など）からなる感光層とは
りなる。

このような感光体は通常真空蒸着法により製造される。

導電性基体としては一般的に円筒状のアルミニウム合金
基体が用いられ、表面加工、洗浄を施された基体を真空
蒸着槽内の支持軸に装着し、蒸着材料に対応した所要の
温度に加熱し、１ｘｌＱ−５Ｔｏｒｒ程度の高真空下で
蒸発源に装填されたセレン系光導電性材料を材料に対応
した所要温度に加熱して蒸発させ、円筒軸を中心として
回転している基体上に付着させて所要の膜厚の感光層を
形成して感光体とする。

感光層の膜厚は感光体の電気特性１画像特性に影響する
。特に帯電電位１画像濃度に対して影響が大きく、感光
層膜厚が厚いと帯電電位は上昇し、画像濃度が高くなり
白紙部に地かぶりが発生するようになり、薄いと帯電電
位が低下し画像濃度が低くなる。また、１個の感光体内
で感光層膜厚にむらがあると帯電電位１画像濃度にむら
が発生する。従来は、真空蒸着による感光層成膜時に、
蒸発源の形状、蒸発源に入れる蒸着材料の量、蒸発源加
熱温度により、形成される感光層の膜厚を制御し、また
、膜厚むらを防いでいた。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の製造方法では、円筒状の感光体の軸方向で感光層
膜厚にむらが生じ膜厚偏差が大きくなりやすい。このよ
うなむらをなくして均一な膜厚とし、かつ、所要の膜厚
に対してばらつきの少ない膜厚の感光層を形成するため
には、蒸発源の形状寸法に高い精度が要求され、また、
微妙な蒸発源加熱温度条件が必要となり高度な技術が要
求される。

一方、電子写真装置で得られる画像の品質向上への要望
は強く、感光体の画像特性の向上が強く望まれており、
感光層をそれらの要望を満たすために必要な所定の膜厚
で、しかも膜厚むらがないように形成することがます才
す重要となってきている。

この発明は、上述の点に鑑みてなされたものであって、
感光層を成膜する真空蒸着の条件を従来より難しくする
ことなく、膜厚ばらつき、膜厚むらのより少ない感光層
を形成することのできる感光体の製造方法を提供するこ
とを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的は、この発明によれば、導電性基体上にセレ
ン系光導電性材料を真空蒸着により感光体特性から要請
される所定の膜厚より厚めに成膜し、形成された膜の厚
さを腹数個所で測定し前記所定の膜厚を基準としてそれ
ぞれの膜厚間の偏差を求め、その偏差分を機械的に除去
して、前記所定の膜厚でかつ膜厚にむらのない感光層と
することによって達成される。

機械加工の方法としては、例えば砥石による研削、バイ
トによる切削が有効である。

〔作用〕

機械加工の方が真空蒸着よりも条件の制御が容易で寸法
精度のよい加工が可能である。従って膜厚偏差分を精度
良く除去することができ、真空蒸着時に制御しようとす
るよりも比較的容易に膜厚ばらつき、膜厚むらのより少
ない感光層を形成することができる。成膜時の真空蒸着
の条件を従来より厳しく制御する必要はなくなる。

〔実施例〕

以下、この発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。

実施例１ 機械的に除去する方法として砥石研削を適用する実施例
について説明する。まず、研削条件と研削量との関係を
調べた。外周面にＡｓ２Ｓｅ３を真空蒸着された外径１
００ｍｍの円筒状のアルミニウム合金基体を旋盤に取り
付け、その円筒軸を中心として回転させ、砥石を振動さ
せながら接触させて基体軸方向に送り、基体表面のＡｓ
２Ｓｅ、膜を研削し、このときの基体回転数、砥石送り
ピッチを変化させて研削量との関係を調べた結果を第１
図に示す。砥石はＦ　Ｂ　Ｂ１０　Ｇ　ＣＨＯＯＯおよ
びＦＢＢ１７ＧＣ＃２０００の２種類（いずれも日本特
殊研砥■製）を用い：１１１０００の砥石による結果を
黒丸、　＄２０００の砥石による結果を白丸で示した。

第１図（ａ）は砥石の送りピッチを６ｓ／ｒｅｖ一定と
したときの基体回転数とＡｓ２Ｓｅ３膜研削量との関係
を示し、第１図ら）は基体回転数を１０ｏｒρｍ一定と
したときの砥石の送りピッチとＡｓ、Ｓｅ、研削量との
関係を示すものである。

なお、砥石は振幅１，２１１ｍで振動させ、砥石圧は０
．８ｋｇ／ｃＩ１１とした。

外径ＩＱＯｍｍ、長さ３５Ｏｎ＋ｍの円筒状のアルミニ
ウム合金基体外周面上に狙いとする感光層の膜厚６０μ
ｍより数μｍ厚めに幅３４０ｍｍにＡｓ、Ｓｅ、を真空
蒸着する。高周波過電流発生方式の膜厚測定器を用い、
その測定プローブを前記のＡｓ２Ｓｅ３の成膜された基
体の軸方向に移動させて基体軸方向の＾５２Ｓｅ、の膜
厚を測定し、軸方同各位置での狙いとする膜厚６０μｍ
との膜厚偏差を把握する。この基体を旋盤に取り付け、
円筒軸を中心に回転させ、＄１０００の砥石を振幅１．
２開で振動させながらＡｓ２Ｓｅ、膜表面に砥石圧０．
８ｋｇ／ｃＩ１１で押し付け、基体の一端から他端に向
かって砥石を送ってＡｓ２Ｓｅ３膜表面を研削する。

このとき、第１図に示した研削条件と研削量との関係に
基づいて、基体軸方同各位置での膜厚に対応して基体回
転数、砥石送りピンチを変化させ、各位置での膜厚偏差
分を研削除去する。研削前後のＡｓ２Ｓｅ３膜の基体上
軸方同各位置の膜厚を第２図に示す。第２図（ａ）は研
削前、第２図（ｂ）は研削後の膜厚を示し、点線は狙い
とする膜厚６０μｍを示す。

第２図より、研削前にかなり大きな膜厚むらのあったも
のが、実施例の研削によりへ５２Ｓｅ３膜厚は狙いとす
る６０μｍの膜厚にほぼ均一に仕上げられることが判る
。

研削前のＡｓ、Ｓｅ３の膜厚測定は測定プローブを基体
と同じ旋盤に取り付け、研削する直前に測定し、測定結
果をフィードバンクして研削条件を制御することもでき
る。

実施例２ 実施例１と同様にしてＡｓ２Ｓｅ３の膜厚測定まで行っ
たものについて、ノーズ半ｉ１　Ｒ＝　０〜３　ｍｍの
バイトを用い、精密ＮＣ旋盤で膜７偏差分を切削除去し
て膜厚６０μｍのＡｓ、Ｓｅ３膜とした結果を第３図に
示す。第３図（ａ）は切削前、第３図（ｂ）は切削後の
基体軸方同各位置の摸ｖを示すが、切削前かなりの膜厚
むらのあったものが、切削後は均一な膜Ｉワ６０μｍの
膜に仕上がっている。

第４図は、感光層の狙いとする所要の膜厚を６０μｍと
する感光体を従来の真空蒸着膜をそのまま感光層とする
方法で！！造した場合の膜厚に関するもので、第４図（
ａ）は−個の感光体内の膜厚むら（最大膜厚−最小膜厚
）の度数分布図、第４図（ｂ）は平均膜厚の度数分布図
である。これに対して、第５図は同様の感光体をこの発
明の方法で製造した場合の膜厚に関するもので、第５図
（ａ）は−個の感光体内の膜厚むらを示す度数分布図、
第５図（ｂ）は平均膜厚の度数分布図である。第４図お
よび第５図から明らかなように、この発明による方法に
よれば、−個の感光体内の膜厚むら、狙いとする所要の
膜厚に対する平均膜厚のばらつきともに大幅に少なくな
る。

このように、狙いとする膜厚に均一に仕上げられたＡｓ
２Ｓｅ：＋膜を感光層とする感光体は電気特性画像特性
にばらつきがなく、また、むらの発生しない優れたもの
であった。

以Ｈの実施例は、！１１層の感光体に関して述べたが、
機能分離型積層感光体の場合にもこの発明は有効である
。例えば、基体上に八５２Ｓｅ３からなる電荷輸送層、
５ｅ−Ｔｅ合金からなる電荷発生層ＡＳ２Ｓｅ３からな
る表面保護層を順次真空蒸着で成膜して感光層を形成し
、感光体とする場合、まず基体上にＡｓ、Ｓｅ３膜を狙
いとする所要の膜厚より若干厚めに真空蒸着で成膜し、
狙いとする膜厚との偏差分を機械的に除去して狙いとす
る所要の均一な膜厚の電荷輸送層とする。その後、この
上にＳｅ　−Ｔｅ合金を真空蒸着し同様に機械加工して
狙いとする所要の均一な膜厚の電荷発生層とする。表面
保護層も同様にして狙いとする所要の均一な膜厚に形成
する。このようにして、狙いとする所要の均一な膜厚の
感光層を有する機能分離型積層感光体が得られる。

〔発明の効果〕

この発明によれば、導電性基体上にセレン系光導電性材
料を真空蒸着により所要の膜厚より厚めに成膜し、その
後表面を機械的に除去して所要の均一な膜厚の、糠光層
とする。このようにして、真空蒸着の条件により膜厚ば
らつき、膜厚むらを精度よく制御するという困難な問題
を避けて所要の均一な膜厚の感光層を形成することがで
き、電気特性１画像特性にばらつきやむらのない１′多
れた特性の感光体を安定してｍ産できることになる。ま
た、真空蒸着膜表面を機械的に一皮除去することにより
膜表面の欠陥を取り除くこととなる利点も生じる。

【図面の簡単な説明】

第１図はへｓ、Ｓｅ、蒸着膜の＄１０００および＃２０
００の砥石による研削量と研削条件との関係を示すもの
で、第１図（ａ）は砥石の送りピッチを一定としたとき
の基体回転数と研削量の関係を示す線図、第１図Ｑｌ：
ｌ）は基体回転数を一定どしたときの砥石送りピッチと
研削量の関係を示す線図、第２図はＡｓ、Ｓｅ３蒸着膜
の砥石研削前後の基体軸方向各位首の膜厚を示すもので
第２図（ａ）は研削前１第２図ら）は研削後の線図、第
３図はＡｓ２Ｓｅ３蒸着膜のバイト切戸（１前後の基体
軸方同各位置の膜厚を示すもので、第３図（ａ）は切削
前、第３図ら）は切削後の線図、第４図は従来の方法に
よる感光層膜厚に関するもので、第４図（ａ）は−個の
感光体内の膜厚ばらつきの度数分布図、第４図（ｂ）は
平均膜厚の度数分布図、第５図はこの発明による感光層
膜厚に関するもので、第５図（ａ）は−個の感光体内の
膜厚ばらつきの度数分布図、第５図ら）は平均膜厚の度
数分布図である。 基体回転数 （ａ） ［ｒｐｍ］ 砥石送りピッチ （ｂ） 第１ ［ｍｍ／ｒｅｖ］ 図 （ａ）研削前 第 図 （ａ）切削前 （ｂ）切削後 第 図 膜厚ばらつき（ｕｍ） （ａ） （ｂ） 第 図 膜厚ばらつきφｍ） （ａ） 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）導電性基体上にセレン系光導電性材料を真空蒸着に
   より感光体特性から要請される所定の膜厚より厚めに成
   膜し形成された膜の厚さを複数個所で測定し前記所定の
   膜厚を基準としてそれぞれの膜厚間の偏差を求め、その
   偏差分を機械的に除去して感光層を形成することを特徴
   とする電子写真用セレン感光体の製造方法。