JP2810191B2 - ベリリウム薄膜の平坦化方法 - Google Patents
ベリリウム薄膜の平坦化方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、Ｘ線リソグラフィーに用いるベリリウム薄
膜の平坦化方法に関する。
膜の平坦化方法に関する。
（従来の技術） 現在、光を露光媒体とするフォトリソグラフィー技術
が半導体量産ラインで使用されているが、波長によって
決まる解像力は限界に近づきつつある為、原理的には解
像力が飛躍的に向上するＸ線リソグラフィー技術の研究
開発が精力的に進められている。
が半導体量産ラインで使用されているが、波長によって
決まる解像力は限界に近づきつつある為、原理的には解
像力が飛躍的に向上するＸ線リソグラフィー技術の研究
開発が精力的に進められている。
このＸ線露光では、Ｘ線源側の超高真空度を維持する
為に、Ｘ線源側とマスク及びウエハー側との間に高いＸ
線透過率を有するベリリウム薄膜を設置する必要があ
る。これに使用するベリリウム薄膜の厚さは、一般的に
は５〜200μｍ程度であり、従来は圧延法又は真空蒸着
法により作成される。
為に、Ｘ線源側とマスク及びウエハー側との間に高いＸ
線透過率を有するベリリウム薄膜を設置する必要があ
る。これに使用するベリリウム薄膜の厚さは、一般的に
は５〜200μｍ程度であり、従来は圧延法又は真空蒸着
法により作成される。
（発明が解決しようとしている問題点） Ｘ線リソグラフィーに使用するベリリウム薄膜の面内
に凹凸があると、Ｘ線露光時に露光ムラが生じ、高解像
なパターンが露光面全面に渡って良好に形成出来ない。
例えば、0.25μｍの線幅を有するパターンを露光面3cm
口全面に渡って良好に形成するには、露光ムラを0.1％
以内に抑える必要がある。Ｘ線波長を10Åとすると、露
光ムラ0.1％以内を達成するにはベリリウム薄膜の膜厚
ムラを５％以内にしなければならない。膜厚ムラを抑え
る為にはベリリウム薄膜を厚くすればよいが、そうする
とＸ線露光強度が低下しスループットが悪くなる。スル
ープットを考えた場合、ベリリウム薄膜は10μｍ厚程度
が望ましく、その場合の膜厚ムラの許容は±0.5μｍと
なる。しかしながら、従来のベリリウム膜は膜厚10μｍ
において±２μｍの膜厚ムラが限界であり、Ｘ線リソグ
ラフィーに使用出来るものではなかった。
に凹凸があると、Ｘ線露光時に露光ムラが生じ、高解像
なパターンが露光面全面に渡って良好に形成出来ない。
例えば、0.25μｍの線幅を有するパターンを露光面3cm
口全面に渡って良好に形成するには、露光ムラを0.1％
以内に抑える必要がある。Ｘ線波長を10Åとすると、露
光ムラ0.1％以内を達成するにはベリリウム薄膜の膜厚
ムラを５％以内にしなければならない。膜厚ムラを抑え
る為にはベリリウム薄膜を厚くすればよいが、そうする
とＸ線露光強度が低下しスループットが悪くなる。スル
ープットを考えた場合、ベリリウム薄膜は10μｍ厚程度
が望ましく、その場合の膜厚ムラの許容は±0.5μｍと
なる。しかしながら、従来のベリリウム膜は膜厚10μｍ
において±２μｍの膜厚ムラが限界であり、Ｘ線リソグ
ラフィーに使用出来るものではなかった。
従って本発明の問題は上記従来技術の問題点を解決
し、Ｘ線リソグラフィーに用いるのに適した表面平坦な
ベリリウム薄膜を提供することにある。
し、Ｘ線リソグラフィーに用いるのに適した表面平坦な
ベリリウム薄膜を提供することにある。
（問題点を解決する為の手段） 上記目的は以下の本発明によって達成される。
即ち、本発明は、基板上に形成されたベリリウム薄膜
上に有機材料又はベリリウム以外の無機材料を成膜し、
且つその表面を平坦化した積層体をイオンミリングし
て、前記有機材料又は無機材料層の側から平滑なベリリ
ウム薄膜表面を削り出すことを特徴とするベリリウム薄
膜の平坦化方法である。
上に有機材料又はベリリウム以外の無機材料を成膜し、
且つその表面を平坦化した積層体をイオンミリングし
て、前記有機材料又は無機材料層の側から平滑なベリリ
ウム薄膜表面を削り出すことを特徴とするベリリウム薄
膜の平坦化方法である。
（作用） 本発明によれば、圧延法又は真空蒸着法によって形成
されたベリリウム薄膜に、有機材料又は無機材料をベリ
リウム薄膜上に成膜して平坦化した後、イオンミリング
等のドライエッチングによりエッチングを行うことによ
り、ベリリウム薄膜の面内の平坦化を行うことが出来
る。
されたベリリウム薄膜に、有機材料又は無機材料をベリ
リウム薄膜上に成膜して平坦化した後、イオンミリング
等のドライエッチングによりエッチングを行うことによ
り、ベリリウム薄膜の面内の平坦化を行うことが出来
る。
イオンミリングは、ガス、例えば、アルゴン等をプラ
ズマ状態にした後、バイアス印加して被加工基板にアル
ゴンイオンを衝突させ、被加工基板の原子をはじき飛ば
して加工を行う方法である。
ズマ状態にした後、バイアス印加して被加工基板にアル
ゴンイオンを衝突させ、被加工基板の原子をはじき飛ば
して加工を行う方法である。
この方法では基板をイオンの入射に対して垂直に設置
した場合、基板材料によってエッチング速度が異なる。
しかし、基板への入射角度を変えていくとエッチング速
度が変化していく。これを利用すれば、本来、エッチン
グ速度の異なる２種の材料を傾斜させることにより、等
速度でエッチングすることが可能となる。
した場合、基板材料によってエッチング速度が異なる。
しかし、基板への入射角度を変えていくとエッチング速
度が変化していく。これを利用すれば、本来、エッチン
グ速度の異なる２種の材料を傾斜させることにより、等
速度でエッチングすることが可能となる。
第２図に各材料のエッチング速度を示す。この図か
ら、ベリリウムに対し、レジスト（AZ−1350）及びSiO2
は入射角を70〜75℃においてほぼ同速度の速度を示すこ
とがわかる。
ら、ベリリウムに対し、レジスト（AZ−1350）及びSiO2
は入射角を70〜75℃においてほぼ同速度の速度を示すこ
とがわかる。
Ｘ線リソグラフィーに使用出来るベリリウム窓の仕
様、即ち10μｍ厚±0.5μｍを圧延法又は真空蒸着法等
の成膜時に達成するのは極めて困難である。そこで、こ
れらの方法によって成膜したベリリウム薄膜上に、有機
材料又は無機材料を成膜して平坦化した後、イオンミリ
ング等のドライエッチングによりベリリウム薄膜の平坦
化を行えば、10μｍ厚±0.5μｍの仕様が十分達成出来
る。
様、即ち10μｍ厚±0.5μｍを圧延法又は真空蒸着法等
の成膜時に達成するのは極めて困難である。そこで、こ
れらの方法によって成膜したベリリウム薄膜上に、有機
材料又は無機材料を成膜して平坦化した後、イオンミリ
ング等のドライエッチングによりベリリウム薄膜の平坦
化を行えば、10μｍ厚±0.5μｍの仕様が十分達成出来
る。
ここで用いる有機膜としてはリソグラフィー用レジス
ト、例えば、AZ−1370,OMR、OEBR−1000又はポリイミ
ド、ポリアミド、有機シリコン（スピンオンクラス）等
が挙げられる。
ト、例えば、AZ−1370,OMR、OEBR−1000又はポリイミ
ド、ポリアミド、有機シリコン（スピンオンクラス）等
が挙げられる。
又、無機膜としてはシリコンや酸化シリコン等が挙げ
られる。これらを平坦化して成膜する方法としては、好
ましいスピン塗布又はバイアススパッターリング等があ
る。
られる。これらを平坦化して成膜する方法としては、好
ましいスピン塗布又はバイアススパッターリング等があ
る。
（実施例） 次ぎに実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明す
る。
る。
実施例１ 第１図の実施工程に従って、表面粗さが100Å以下に
研磨された銅基板１上に、ベリリウム２をEB蒸着により
12μｍ成膜した。続いてこのベリリウム２上にノボラッ
ク樹脂系レジスト（AZ−1375）３をスピンコートにより
塗布し、表面が平坦化する様に約４μｍ成膜し、150℃
でベークした。これをイオンミリング装置のチャンバー
内にセットし、イオンエネルギー400eV、イオン電流0.6
mA/cm2、入射角73゜の条件でイオンミリング４によりエ
ッチングを行った。約90分のエッチングを行ったベリリ
ウム膜２の表面粗さを測定したところ800Åであった。
この時のベリリウム膜の厚さは約10.2μｍであった。次
に銅基板１を塩化第２手付水溶液で溶解し、ベリリウム
薄膜２′を得た。
研磨された銅基板１上に、ベリリウム２をEB蒸着により
12μｍ成膜した。続いてこのベリリウム２上にノボラッ
ク樹脂系レジスト（AZ−1375）３をスピンコートにより
塗布し、表面が平坦化する様に約４μｍ成膜し、150℃
でベークした。これをイオンミリング装置のチャンバー
内にセットし、イオンエネルギー400eV、イオン電流0.6
mA/cm2、入射角73゜の条件でイオンミリング４によりエ
ッチングを行った。約90分のエッチングを行ったベリリ
ウム膜２の表面粗さを測定したところ800Åであった。
この時のベリリウム膜の厚さは約10.2μｍであった。次
に銅基板１を塩化第２手付水溶液で溶解し、ベリリウム
薄膜２′を得た。
このベリリウム薄膜をＸ線露光装置に用いて露光ムラ
を測定したところ、露光ムラは、0.1％以内であった。
を測定したところ、露光ムラは、0.1％以内であった。
実施例２ 表面粗さが100Å以下に研磨された銅基板上にベリリ
ウムをEB蒸着により11μｍ成膜した。続いてこのベリリ
ウム上にSiO2系被膜形成用塗布液をスピンコートし、表
面が平坦化する様に約３μｍ成膜しベークした。これを
イオンミリング装置のチャンバー内にセットし、イオン
エネルギー400eV、イオン電流0.6mA/cm2、入射角70゜の
条件でエッチングを行った。約85分のエッチングを行っ
たベリリウム膜の表面粗さを測定したところ、600Åで
あった。次に銅基板を塩化第２鉄水溶液で溶解し、ベリ
リウム薄膜を得た。この時のベリリウム膜の厚さは約9.
8μｍであった。
ウムをEB蒸着により11μｍ成膜した。続いてこのベリリ
ウム上にSiO2系被膜形成用塗布液をスピンコートし、表
面が平坦化する様に約３μｍ成膜しベークした。これを
イオンミリング装置のチャンバー内にセットし、イオン
エネルギー400eV、イオン電流0.6mA/cm2、入射角70゜の
条件でエッチングを行った。約85分のエッチングを行っ
たベリリウム膜の表面粗さを測定したところ、600Åで
あった。次に銅基板を塩化第２鉄水溶液で溶解し、ベリ
リウム薄膜を得た。この時のベリリウム膜の厚さは約9.
8μｍであった。
このベリリウム膜をＸ線露光装置に用いて露光ムラを
測定したところ、露光ムラは0.1％以内であった。
測定したところ、露光ムラは0.1％以内であった。
実施例３ 表面粗さが100Å以下に研磨された銅基板上にベリリ
ウムをEB蒸着により12μｍ成膜した。続いてこのベリリ
ウム上にSiO2をバイアススパッター装置を用いて、表面
が平坦化する様に約３μｍ成膜しベークした。これをイ
オンミリング装置のチャンバー内にセットし、イオンエ
ネルギー400eV、イオン電流0.6mA/cm2、入射角70゜の条
件でエッチングを行った。約90分のエッチングを行った
ベリリウム膜の表面粗さを測定したところ、900Åであ
った。次に銅基板を塩化第２鉄水溶液で溶解し、ベリリ
ウム薄膜を得た。この時のベリリウム膜の厚さは約10.1
μｍであった。
ウムをEB蒸着により12μｍ成膜した。続いてこのベリリ
ウム上にSiO2をバイアススパッター装置を用いて、表面
が平坦化する様に約３μｍ成膜しベークした。これをイ
オンミリング装置のチャンバー内にセットし、イオンエ
ネルギー400eV、イオン電流0.6mA/cm2、入射角70゜の条
件でエッチングを行った。約90分のエッチングを行った
ベリリウム膜の表面粗さを測定したところ、900Åであ
った。次に銅基板を塩化第２鉄水溶液で溶解し、ベリリ
ウム薄膜を得た。この時のベリリウム膜の厚さは約10.1
μｍであった。
このベリリウム膜をＸ線露光装置に用いて露光ムラを
測定したところ、露光ムラは0.1％以内であった。
測定したところ、露光ムラは0.1％以内であった。
実施例４ 表面粗さが100Å以下に研磨された銅基板上にベリリ
ウムをEB蒸着により11μｍ成膜した。次に塩化第２鉄で
銅基板を溶解除去し、ベリリウム薄膜を得た。このベリ
リウム膜の上面にAZ−1350をスピンコートし、表面が平
坦化する様に約３μｍ成膜しベークした。これをイオン
ミリング装置のチャンバー内にセットし、イオンエネル
ギー400eV、イオン電流0.6mA/cm2、入射角70゜の条件で
エッチングを行った。約85分のエッチングを行ったベリ
リウム膜の表面粗さを測定したところ、1,000Åであっ
た。このベリリウム膜をＸ線露光装置に用いて露光ムラ
を測定したところ、露光ムラは0.1％以内であった。
ウムをEB蒸着により11μｍ成膜した。次に塩化第２鉄で
銅基板を溶解除去し、ベリリウム薄膜を得た。このベリ
リウム膜の上面にAZ−1350をスピンコートし、表面が平
坦化する様に約３μｍ成膜しベークした。これをイオン
ミリング装置のチャンバー内にセットし、イオンエネル
ギー400eV、イオン電流0.6mA/cm2、入射角70゜の条件で
エッチングを行った。約85分のエッチングを行ったベリ
リウム膜の表面粗さを測定したところ、1,000Åであっ
た。このベリリウム膜をＸ線露光装置に用いて露光ムラ
を測定したところ、露光ムラは0.1％以内であった。
（発明の効果） 以上説明した様に、本発明の方法により作成したベリ
リウム膜は膜厚ムラがなく、露光ムラのないＸ線露光を
可能にする。
リウム膜は膜厚ムラがなく、露光ムラのないＸ線露光を
可能にする。
ベリリウムは加工性が極めて悪く、圧延法や研磨法に
よる平坦化は割れの問題が生じる為、薄くて膜厚ムラの
ないベリリウム膜をこれまで得ることが出来なかった。
よる平坦化は割れの問題が生じる為、薄くて膜厚ムラの
ないベリリウム膜をこれまで得ることが出来なかった。
本発明ではベリリウムに他の材料を積層してイオンビ
ームエッチングすることにより、ソフトなエッチングに
よるベリリウムの平坦化を行い、膜厚ムラのないベリリ
ウム薄膜を得られる様になった。
ームエッチングすることにより、ソフトなエッチングに
よるベリリウムの平坦化を行い、膜厚ムラのないベリリ
ウム薄膜を得られる様になった。
第１図は、本発明の実施工程を示す。 第２図は、本発明を実施するにあたり、各材料のエッチ
ングレートを求めたグラフである。 1:銅基板、2:ベリリウム ２′：加工後ベリリウム 3:有機膜又は無機膜 4:イオンミリング
ングレートを求めたグラフである。 1:銅基板、2:ベリリウム ２′：加工後ベリリウム 3:有機膜又は無機膜 4:イオンミリング
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に形成されたベリリウム薄膜上に有
機材料又はベリリウム以外の無機材料を成膜し、且つそ
の表面を平坦化した積層体をイオンミリングして、前記
有機材料又は無機材料層の側から平滑なベリリウム薄膜
表面を削り出すことを特徴とするベリリウム薄膜の平坦
化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3966790A JP2810191B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | ベリリウム薄膜の平坦化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3966790A JP2810191B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | ベリリウム薄膜の平坦化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03244115A JPH03244115A (ja) | 1991-10-30 |
| JP2810191B2 true JP2810191B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=12559438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3966790A Expired - Fee Related JP2810191B2 (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | ベリリウム薄膜の平坦化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2810191B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1763569B1 (de) | 2004-07-02 | 2018-01-17 | Merck Patent GmbH | Flüssigkristallmedium und dieses enthaltende elektrooptische anzeige |
| KR100813568B1 (ko) * | 2006-10-24 | 2008-03-17 | 한국원자력연구원 | 단일 또는 이중 중간층을 이용한 베릴륨과 구리 합금의고온등방가압 접합방법 |
| KR100813569B1 (ko) * | 2006-10-30 | 2008-03-17 | 한국원자력연구원 | 기계적 또는 화학적 처리를 거친 베릴륨과 구리 합금의접합방법 |
-
1990
- 1990-02-22 JP JP3966790A patent/JP2810191B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03244115A (ja) | 1991-10-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |