JPS5974626A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS5974626A JPS5974626A JP18454982A JP18454982A JPS5974626A JP S5974626 A JPS5974626 A JP S5974626A JP 18454982 A JP18454982 A JP 18454982A JP 18454982 A JP18454982 A JP 18454982A JP S5974626 A JPS5974626 A JP S5974626A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- layer
- silicon compound
- forming method
- organic matter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体素子、磁気バブル素子などの作製におけ
る微細加工法に係り、多層レジスト法を用いたパターン
形成方法に関する。
る微細加工法に係り、多層レジスト法を用いたパターン
形成方法に関する。
近年、半導体集積回路の規模は増大し、高密度化、パタ
ーンの微細化が要求されている。この要求を達成する方
法として、多層レジスト法を用いたパターン形成が提案
されている。この多層レジスト法は凹凸な基板面上にパ
ターンを形成する場合に問題となる基板凹凸の影響によ
るパターン形状の乱れを防止するものであシ、基板の凹
凸を流動性有機物で平坦化した後その上に通常の方法で
パターンを形成し、ここで形成したパターンを順次下地
層に反応性プラズマエッチ、スパッタエッチなどによシ
転写するものである。この方法によれば、下地基板の凹
凸に関係なく形状の良好なパターンを形成することがで
きる。この方法で平坦化のための第１屑布機物層とりソ
グラフイによシパターン形成を行なうレジストは双方有
機物であるため、パターンを上記第１層重機物に直接転
写することは不可能である。そこでパターン転写に用い
る反応性イオンエッチで十分選択比のとれる無機物層を
中間層として用いる必要がある。この中間層として、塗
布ケイ素化合物（ＳＯＧ ： ８１）ｊｎＯｎ Ｇｌａ
ｓｓ ）を用いた場合、最大の問題点は第１層重機物層
とＳＯＧの接着性が低いことである。
ーンの微細化が要求されている。この要求を達成する方
法として、多層レジスト法を用いたパターン形成が提案
されている。この多層レジスト法は凹凸な基板面上にパ
ターンを形成する場合に問題となる基板凹凸の影響によ
るパターン形状の乱れを防止するものであシ、基板の凹
凸を流動性有機物で平坦化した後その上に通常の方法で
パターンを形成し、ここで形成したパターンを順次下地
層に反応性プラズマエッチ、スパッタエッチなどによシ
転写するものである。この方法によれば、下地基板の凹
凸に関係なく形状の良好なパターンを形成することがで
きる。この方法で平坦化のための第１屑布機物層とりソ
グラフイによシパターン形成を行なうレジストは双方有
機物であるため、パターンを上記第１層重機物に直接転
写することは不可能である。そこでパターン転写に用い
る反応性イオンエッチで十分選択比のとれる無機物層を
中間層として用いる必要がある。この中間層として、塗
布ケイ素化合物（ＳＯＧ ： ８１）ｊｎＯｎ Ｇｌａ
ｓｓ ）を用いた場合、最大の問題点は第１層重機物層
とＳＯＧの接着性が低いことである。
従来上記有機物層とｓｏＧの接層性を高める方法として
第１層重機物層を１８０ｃ〜３ｏｏｃの温度で熱処理す
る方法が用いられてきた。しかし、上記熱処理では接着
性は不充分であシ、中間層ＳＯＧが剥離する不良が発生
していた。また、接着性の間接的評１１Ｉｉ１１１ｉで
ある第１層重機物表面の親水性度を水の接触角θ［２０
で評価した結果、第１層重機物にＡＺ１３５０Ｊ（Ｓｈ
ｉｐｌｅｙ社商品名）を用い３００ｃ３０分の熱処理を
行った場合でもθ１２０は６０ ｄｅｇであシ、理想的
な親水性面θＨ２０” Ｏｄｅｇは得られなかった。
第１層重機物層を１８０ｃ〜３ｏｏｃの温度で熱処理す
る方法が用いられてきた。しかし、上記熱処理では接着
性は不充分であシ、中間層ＳＯＧが剥離する不良が発生
していた。また、接着性の間接的評１１Ｉｉ１１１ｉで
ある第１層重機物表面の親水性度を水の接触角θ［２０
で評価した結果、第１層重機物にＡＺ１３５０Ｊ（Ｓｈ
ｉｐｌｅｙ社商品名）を用い３００ｃ３０分の熱処理を
行った場合でもθ１２０は６０ ｄｅｇであシ、理想的
な親水性面θＨ２０” Ｏｄｅｇは得られなかった。
本発明の目的は第１層重機物層と中間無機物層での層間
剥離現象を防止できるパターン形成方法を提供すること
にある。
剥離現象を防止できるパターン形成方法を提供すること
にある。
上記目的を達成するだめの本発明の構成は、第１屑布機
物表ＵｋＪを活性或いは不活性ガスを用いたプラズマ雰
囲気中に露呈せしめ、次いで、上記有ｍ物表面上にケイ
素化付物膜を被着する工程を設けることにある。
物表ＵｋＪを活性或いは不活性ガスを用いたプラズマ雰
囲気中に露呈せしめ、次いで、上記有ｍ物表面上にケイ
素化付物膜を被着する工程を設けることにある。
上記層間剥離を効果的に行なうには、第１層重機物表面
を完全な親水性面にすることが有効である。本発明は上
述のように有機物表向を活性あるいは不活性ガスプラズ
マ中に放置し親水性化するものであり、上記有機物表面
を水の接触角θ［２０二Ｑ ｄｅｇにすることができる
。すなわち完全な親水性面が実現でき、層間剥離の発生
を防ぐことができる。
を完全な親水性面にすることが有効である。本発明は上
述のように有機物表向を活性あるいは不活性ガスプラズ
マ中に放置し親水性化するものであり、上記有機物表面
を水の接触角θ［２０二Ｑ ｄｅｇにすることができる
。すなわち完全な親水性面が実現でき、層間剥離の発生
を防ぐことができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。まず
第１図（ａ）に示すようにＳｉ基板１上に第１屑布機吻
Ｊｆ４２を約２μｍの厚さで形成した。ここで第１層重
機物層２にはＡＺ１３５０Ｊ（Ｓｈｉｐｌｅ）’社商品
名）を用いた。しがる後、２ｏｏｃ３ｏ分の熱処理を施
し、しかる後、プラズマエッチ装置を用い％０２ガス圧
力０．６Ｔｏｒｒバ’７−１００Ｗの条件で約１５秒間
、第１層重機物層２の表面を処理した。しかる後、第１
図（ｂ）に示すように、塗布ケイ素化合物層３を１１０
０ｎの膜厚で形成した。ここで塗布ケイ素化合物は、ｏ
ｃＤ（東京応化工業Ｊ（Ｋ商品名）を用いた。しかる後
２００ｃ３０分の熱処理を施し、その後通常の方法でレ
ジストパターン４を形成した。しかる後、第１図（Ｃ）
に示したように、通常の方法でレジストパターン４を塗
布ケイ素化合物層３に転写し、パターン３′を形成した
。し−かる後、第１図（ｄ）に示すように、通常の方法
によりパターン３′をマスクとして第１層重機物層２に
パターンを転写し、パターン２′を形成した。以上の工
程により、塗布ケイ素化合物パターン３′の剥離不良の
ない良好なパターンが安定に形成できた。なお、本実施
例において、第１層重機物層２を形成した後、全面に紫
外線を照射する工程を付加した場合でも、同様に良好な
結果が得られた。また、第１層重機物の親水性化表向処
理に０２ガスプラズマエツチを用いたが、反応ガスは０
２に限らずＣＦ４ 、ＣＣＡ４゜Ａｒ、Ｎｚなど活性ガ
ス、不活性ガスに関係なく使用できた。製法は前記実施
例と同じなので省略す。また、プラズマ出力を１００Ｗ
としたがこれに限らず、第１層重機物表面を親水性にで
きる条件であればいかなる条件でも使用可能である。
第１図（ａ）に示すようにＳｉ基板１上に第１屑布機吻
Ｊｆ４２を約２μｍの厚さで形成した。ここで第１層重
機物層２にはＡＺ１３５０Ｊ（Ｓｈｉｐｌｅ）’社商品
名）を用いた。しがる後、２ｏｏｃ３ｏ分の熱処理を施
し、しかる後、プラズマエッチ装置を用い％０２ガス圧
力０．６Ｔｏｒｒバ’７−１００Ｗの条件で約１５秒間
、第１層重機物層２の表面を処理した。しかる後、第１
図（ｂ）に示すように、塗布ケイ素化合物層３を１１０
０ｎの膜厚で形成した。ここで塗布ケイ素化合物は、ｏ
ｃＤ（東京応化工業Ｊ（Ｋ商品名）を用いた。しかる後
２００ｃ３０分の熱処理を施し、その後通常の方法でレ
ジストパターン４を形成した。しかる後、第１図（Ｃ）
に示したように、通常の方法でレジストパターン４を塗
布ケイ素化合物層３に転写し、パターン３′を形成した
。し−かる後、第１図（ｄ）に示すように、通常の方法
によりパターン３′をマスクとして第１層重機物層２に
パターンを転写し、パターン２′を形成した。以上の工
程により、塗布ケイ素化合物パターン３′の剥離不良の
ない良好なパターンが安定に形成できた。なお、本実施
例において、第１層重機物層２を形成した後、全面に紫
外線を照射する工程を付加した場合でも、同様に良好な
結果が得られた。また、第１層重機物の親水性化表向処
理に０２ガスプラズマエツチを用いたが、反応ガスは０
２に限らずＣＦ４ 、ＣＣＡ４゜Ａｒ、Ｎｚなど活性ガ
ス、不活性ガスに関係なく使用できた。製法は前記実施
例と同じなので省略す。また、プラズマ出力を１００Ｗ
としたがこれに限らず、第１層重機物表面を親水性にで
きる条件であればいかなる条件でも使用可能である。
〔発明の効果Ｊ
以上述べたように、本発明によれば第１層重機物表面を
簡単な方法で効果的に完全な親水性面にでき、塗布ケイ
素化合物の剥離不良を完全に防止することができる。本
発明により多層レジスト法のプロセス安定性を太きく向
上できる。
簡単な方法で効果的に完全な親水性面にでき、塗布ケイ
素化合物の剥離不良を完全に防止することができる。本
発明により多層レジスト法のプロセス安定性を太きく向
上できる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を示す製造工
程の概略図でるる。
程の概略図でるる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被加工基板上に第１屑布機物、第２層ケイ素化合物
、第３層フォトレジストを形成し、順次前記第３層、第
２層、第１層に所望パターンを転写し被加工基板の加工
マスクを形成するパターン形成方法において、上記第１
屑布機物を被着する工程後、活性ガスあるいは不活性ガ
スを用いたプラズマ中に前記第１屑布機物表面を露呈す
る工程と、しかる後、第２層ケイ素化合物を被着する工
程を有せしむことを特徴とするパターン形成方法。 ２、特許請求の範囲第１項において上記第１屑布機物を
被着した後１００〜３００Ｃの熱処理工程を設けたこと
を特徴とするパターン形成方法。 ３、特許請求の範囲第１項において上記第１屑布機物を
被着した後、全面に紫外線を照射する工程と、１００〜
３００Ｃの熱処理工程を有せしむことを特徴とするパタ
ーン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18454982A JPS5974626A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18454982A JPS5974626A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5974626A true JPS5974626A (ja) | 1984-04-27 |
Family
ID=16155137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18454982A Pending JPS5974626A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5974626A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0166307A2 (en) * | 1984-06-27 | 1986-01-02 | International Business Machines Corporation | Process for forming a lift-off glass mask on a substrate |
| JPS6165429A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-04 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | マスクパタ−ン形成方法 |
| JPS6276723A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Matsushita Electronics Corp | 基板上へのレジストパタ−ン形成方法 |
-
1982
- 1982-10-22 JP JP18454982A patent/JPS5974626A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0166307A2 (en) * | 1984-06-27 | 1986-01-02 | International Business Machines Corporation | Process for forming a lift-off glass mask on a substrate |
| JPS6165429A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-04 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | マスクパタ−ン形成方法 |
| JPS6276723A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Matsushita Electronics Corp | 基板上へのレジストパタ−ン形成方法 |
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