JPH02249226A - レジスト形成方法 - Google Patents
レジスト形成方法Info
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- JPH02249226A JPH02249226A JP7080689A JP7080689A JPH02249226A JP H02249226 A JPH02249226 A JP H02249226A JP 7080689 A JP7080689 A JP 7080689A JP 7080689 A JP7080689 A JP 7080689A JP H02249226 A JPH02249226 A JP H02249226A
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- film
- resist
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- sog
- forming
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- Pending
Links
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体集積回路等の製造に用いるリソグラフ
ィーにおけるレジスト形成方法に係り、特に三層レジス
ト形成方法に関わるものである。
ィーにおけるレジスト形成方法に係り、特に三層レジス
ト形成方法に関わるものである。
従来の技術
ＬＳＩの微細化に伴い、その基板（下地）には段差のき
びしいものが多くなってきた。この段差のある基板に通
常の単層レジストを形成すると、段差上と段差下のレジ
ストの厚みが変わるために、正確なパターン形成を行う
ことができない。そのため、基板の段差を下層薄膜で平
坦化し、上層レジストを均一に塗布することができる三
層レジストは、段差基板上でのパターン形成には、有力
な方法である。また、三層レジストの中間層としてはＳ
ｉｏ２膜が多く用いられているが、中でもスピンコード
で形成できるＳＯＧが広く用いられている。
びしいものが多くなってきた。この段差のある基板に通
常の単層レジストを形成すると、段差上と段差下のレジ
ストの厚みが変わるために、正確なパターン形成を行う
ことができない。そのため、基板の段差を下層薄膜で平
坦化し、上層レジストを均一に塗布することができる三
層レジストは、段差基板上でのパターン形成には、有力
な方法である。また、三層レジストの中間層としてはＳ
ｉｏ２膜が多く用いられているが、中でもスピンコード
で形成できるＳＯＧが広く用いられている。
第２図（ａ） 〜（０）は、中間層としてＳ ＯＧ （
５ｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ ）を用いた三層レジスト
の従来の形成方法の工程断面図である。
５ｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ ）を用いた三層レジスト
の従来の形成方法の工程断面図である。
まず、第２図（ａ）のように段差基板８上に下層薄膜９
を形成し、表面を平坦化した後ＳＯＧ膜１０をスピンコ
ードしベーキングを行いＳＯＧ膜１゜を硬化させ中間層
を形成する。その後、場合によっては第２図Φ）のよう
に５ＯＧ１０の表面を０２プラズマやＤＵＶｌ １で処
理を行う。最後に第２図（Ｃ＋）のように上層レジスト
１２を形成して、三層レジスト構造を形成していた。
を形成し、表面を平坦化した後ＳＯＧ膜１０をスピンコ
ードしベーキングを行いＳＯＧ膜１゜を硬化させ中間層
を形成する。その後、場合によっては第２図Φ）のよう
に５ＯＧ１０の表面を０２プラズマやＤＵＶｌ １で処
理を行う。最後に第２図（Ｃ＋）のように上層レジスト
１２を形成して、三層レジスト構造を形成していた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような方法では、上層レジストとＳ
ＯＧの組み合わせによっては上層塗布時にレジストが一
部はじかれ、第２図（Ｃ）に示すごとくその部分にレジ
ストが塗られていない塗布むら１３が発生し、その部分
にパターン形成が出来ないため、歩留りがおちるという
問題点を有している。第３図は実際の塗布むらの一例を
上から見た図を示し、レジスト１２がはがれて塗布され
ておらず下の中間層１０ａ、１０ｂが露出している。
ＯＧの組み合わせによっては上層塗布時にレジストが一
部はじかれ、第２図（Ｃ）に示すごとくその部分にレジ
ストが塗られていない塗布むら１３が発生し、その部分
にパターン形成が出来ないため、歩留りがおちるという
問題点を有している。第３図は実際の塗布むらの一例を
上から見た図を示し、レジスト１２がはがれて塗布され
ておらず下の中間層１０ａ、１０ｂが露出している。
このような状態で露光、現像を行いレジストパターンを
形成すると、パターン不良となる。
形成すると、パターン不良となる。
本発明はかかる点に鑑み、中間層としてＳＯＧを用いた
三層レジスト形成において、上層レジスト形成が塗布む
らなく容易かつ確実に行うことができる方法を提供する
ことを目的とする。
三層レジスト形成において、上層レジスト形成が塗布む
らなく容易かつ確実に行うことができる方法を提供する
ことを目的とする。
課題を解決するだめの手段
本発明は、下層薄膜上にＳＯＧ膜をスピンコードしベー
キング等の処理を行った後、ＳＯＧ膜表面を水溶液で処
理することにより、上層レジストを塗布むらなく形成す
るものである。
キング等の処理を行った後、ＳＯＧ膜表面を水溶液で処
理することにより、上層レジストを塗布むらなく形成す
るものである。
作用
本発明によれば、中間層にＳＯＧ膜を用いた三層レジス
トにおいて、下層薄膜上に有機ポリシリコン膜（ＳＯＧ
）ｔ−スピンコードシ、ベーキング。
トにおいて、下層薄膜上に有機ポリシリコン膜（ＳＯＧ
）ｔ−スピンコードシ、ベーキング。
ｏ２プラズマ処理等を行った後、８００表面を水溶液で
処理することにより、ＳＯＧ表面に親水性の薄膜もしく
はアルカリ水溶液の場合には、アルカリとＳＯＧとの間
の化学反応により上層レジストと密着性の良い薄膜が形
成され、上層レジストがむらなく塗布形成できる。
処理することにより、ＳＯＧ表面に親水性の薄膜もしく
はアルカリ水溶液の場合には、アルカリとＳＯＧとの間
の化学反応により上層レジストと密着性の良い薄膜が形
成され、上層レジストがむらなく塗布形成できる。
実施例
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例における三層
レジスト形成方法を説明する工程断面図である。
レジスト形成方法を説明する工程断面図である。
第１図（−）において、半導体段差基板１の表面に下層
薄膜としてＲＧ−３９００Ｂ２を１．７μｍの厚さでス
ピンコードし、２２０Ｃベーク後、その上にＴＳＩＲ−
１０６（ＳＯＧ）膜３を０．１〜０．１５μｍ厚でスピ
ンコードし、２００℃でベークを行い、下層および中間
層を形成する。次に第１図（ｂ）ニ示すように、ＴＳＩ
Ｒ−１０５３の表面を０２プラズマ４で処理する。この
処理は、ベーキング。
薄膜としてＲＧ−３９００Ｂ２を１．７μｍの厚さでス
ピンコードし、２２０Ｃベーク後、その上にＴＳＩＲ−
１０６（ＳＯＧ）膜３を０．１〜０．１５μｍ厚でスピ
ンコードし、２００℃でベークを行い、下層および中間
層を形成する。次に第１図（ｂ）ニ示すように、ＴＳＩ
Ｒ−１０５３の表面を０２プラズマ４で処理する。この
処理は、ベーキング。
紫外線処理等の他の処理でもよい。そしてさらに、第１
図（Ｃ）のように０２プラズマ処理された表面をアルカ
リ水溶液６で３〜６分間処理を行う。こうすることによ
り、第１図（ｄ）のようにアルカリ水溶液６とＴＳＩＲ
−１０５３との化学反応により、ＴＳＩＲ−１０５３表
面に上層レジストと密着性の良い薄膜６が形成された。
図（Ｃ）のように０２プラズマ処理された表面をアルカ
リ水溶液６で３〜６分間処理を行う。こうすることによ
り、第１図（ｄ）のようにアルカリ水溶液６とＴＳＩＲ
−１０５３との化学反応により、ＴＳＩＲ−１０５３表
面に上層レジストと密着性の良い薄膜６が形成された。
最後に第１図（ｅ）に示すように、処理されたＴＳＩＲ
−１０５３上に感光体膜として電子ビームレジストＥ
Ｒ−７７ヲ０ 、６μｍの厚さで塗布し、塗布むらのな
い三層レジスト構造を形成する。ここで、この実施例に
用いた、上層し゛ジヌトとＳＯＧの組み合わせは、Ｓｏ
Ｇのアルカリ水溶液による処理がない場合には、上層塗
布時に塗布むらが発生する組み合わせである。本発明を
用いることにより、塗布むらの全くない三層レジスト形
成が確認された。
−１０５３上に感光体膜として電子ビームレジストＥ
Ｒ−７７ヲ０ 、６μｍの厚さで塗布し、塗布むらのな
い三層レジスト構造を形成する。ここで、この実施例に
用いた、上層し゛ジヌトとＳＯＧの組み合わせは、Ｓｏ
Ｇのアルカリ水溶液による処理がない場合には、上層塗
布時に塗布むらが発生する組み合わせである。本発明を
用いることにより、塗布むらの全くない三層レジスト形
成が確認された。
なお、上記薄膜６の形成は推測ではあるが、アルカリ水
溶液との反応により形成されたものと思われる。さらに
、水溶液処理後、−週間室内に放置しても上層レジスト
を塗布しても、むらがないことがか−舎÷か確認できた
。
溶液との反応により形成されたものと思われる。さらに
、水溶液処理後、−週間室内に放置しても上層レジスト
を塗布しても、むらがないことがか−舎÷か確認できた
。
以上のように、本実施例によれば、従来の三層レジスト
形成方法に、ＳｏＧをアルカリ水溶液で処理する工程を
加えるだけで塗布むらのない上層レジストを形成するこ
とができる。こうしたのち、三層レジストに電子ビーム
にて所望のパターン露光施し、微細レジストパターンを
形成する。
形成方法に、ＳｏＧをアルカリ水溶液で処理する工程を
加えるだけで塗布むらのない上層レジストを形成するこ
とができる。こうしたのち、三層レジストに電子ビーム
にて所望のパターン露光施し、微細レジストパターンを
形成する。
なお、上記実施例で説明した上層レジストは他の電子ビ
ームレジストやフォトレジスト、Ｘ線レジストでもかま
わないし、下層薄膜も他の熱硬化樹脂やレジストでもか
まわない。また、アルカリ水溶液は他の水溶液でもかま
わない。
ームレジストやフォトレジスト、Ｘ線レジストでもかま
わないし、下層薄膜も他の熱硬化樹脂やレジストでもか
まわない。また、アルカリ水溶液は他の水溶液でもかま
わない。
発明の効果
本発明は、中間層にＳＯＧを用いた三層レジストにおい
て、下層薄膜上にＳＯＧをスピンコードし、ベーキング
、０２プラズマ、紫外線処理等の処理を行った後、ＳＯ
Ｇ表面を水溶液で処理することにより、上層レジストを
塗布むらなく形成することかできる。このように、上層
レジストの塗布むらをなくすことにより、微細レジスト
パターン形成の歩留りを向上することができ、超ＬＳＩ
製造においてその実用的効果は大なるものがある。
て、下層薄膜上にＳＯＧをスピンコードし、ベーキング
、０２プラズマ、紫外線処理等の処理を行った後、ＳＯ
Ｇ表面を水溶液で処理することにより、上層レジストを
塗布むらなく形成することかできる。このように、上層
レジストの塗布むらをなくすことにより、微細レジスト
パターン形成の歩留りを向上することができ、超ＬＳＩ
製造においてその実用的効果は大なるものがある。
第１図（４）〜（ｅ）は本発明の一実施例における三層
上から見た図を示している。 ２−・−・・−ＲＧ−３９００Ｂ、ｓ−・・−’ｒｓＩ
Ｒ−１０５，４・・・・・・ｏ２プラズマ、６・・・・
・・アルカリ水溶液、６・・・・・・上層と密着性の良
い薄膜、７・・・・・・ＥＲ−７，９・・・・・・下層
薄膜、１０・・・・・・ＳＯＧ、１２・・・・・・上層
レジスト。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名図 （，６） （Ｃ） （ｂ）
上から見た図を示している。 ２−・−・・−ＲＧ−３９００Ｂ、ｓ−・・−’ｒｓＩ
Ｒ−１０５，４・・・・・・ｏ２プラズマ、６・・・・
・・アルカリ水溶液、６・・・・・・上層と密着性の良
い薄膜、７・・・・・・ＥＲ−７，９・・・・・・下層
薄膜、１０・・・・・・ＳＯＧ、１２・・・・・・上層
レジスト。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名図 （，６） （Ｃ） （ｂ）
Claims (1)
- 半導体基板表面上に下層有機高分子膜を形成し、前記高
分子膜上に有機ポリシリコン膜を塗布し、前記有機ポリ
シリコン膜に所定の処理を施した後、前記有機ポリシリ
コン膜表面を水溶液で処理し、前記有機ポリシリコン膜
上に上層感光体膜を形成することを含むことを特徴とす
るレジスト形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7080689A JPH02249226A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | レジスト形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7080689A JPH02249226A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | レジスト形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02249226A true JPH02249226A (ja) | 1990-10-05 |
Family
ID=13442171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7080689A Pending JPH02249226A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | レジスト形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02249226A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03126036A (ja) * | 1989-10-11 | 1991-05-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | ３層レジスト法用の中間層形成材 |
| KR20010059734A (ko) * | 1999-12-30 | 2001-07-06 | 박종섭 | 반도체 소자의 절연막 형성방법 |
| JP2016018051A (ja) * | 2014-07-08 | 2016-02-01 | 信越化学工業株式会社 | 多層膜形成方法及びパターン形成方法 |
-
1989
- 1989-03-23 JP JP7080689A patent/JPH02249226A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03126036A (ja) * | 1989-10-11 | 1991-05-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | ３層レジスト法用の中間層形成材 |
| KR20010059734A (ko) * | 1999-12-30 | 2001-07-06 | 박종섭 | 반도체 소자의 절연막 형성방법 |
| JP2016018051A (ja) * | 2014-07-08 | 2016-02-01 | 信越化学工業株式会社 | 多層膜形成方法及びパターン形成方法 |
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