JPH1031313A - マスク基板へのレジストの塗布方法 - Google Patents
マスク基板へのレジストの塗布方法Info
- Publication number
- JPH1031313A JPH1031313A JP8187060A JP18706096A JPH1031313A JP H1031313 A JPH1031313 A JP H1031313A JP 8187060 A JP8187060 A JP 8187060A JP 18706096 A JP18706096 A JP 18706096A JP H1031313 A JPH1031313 A JP H1031313A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask substrate
- resist
- applying
- oxygen plasma
- plasma ashing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスク基板表面の濡れ性を良好にし、寸法の
面内均一性を向上させることができるマスク基板へのレ
ジストの塗布方法を提供する。 【解決手段】 マスク基板へのレジストの塗布方法にお
いて、マスク基板１１を酸素プラズマアッシング装置で
酸素プラズマアッシング処理１２する工程と、前記マス
ク基板１１にレジスト１３を塗布する工程とを施す。
面内均一性を向上させることができるマスク基板へのレ
ジストの塗布方法を提供する。 【解決手段】 マスク基板へのレジストの塗布方法にお
いて、マスク基板１１を酸素プラズマアッシング装置で
酸素プラズマアッシング処理１２する工程と、前記マス
ク基板１１にレジスト１３を塗布する工程とを施す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
マスクの製造に係り、特に、そのマスク基板へのレジス
トの塗布方法に関するものである。
マスクの製造に係り、特に、そのマスク基板へのレジス
トの塗布方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、マスク基板へレジストを塗布する
場合、マスク基板が製造されると、次にレジストが塗布
される。そのレジスト塗布前には、レジストとマスク基
板の密着性を向上させるために、マスク基板は約２００
℃以上でベークされ、その後、そのマスク基板を冷却
し、レジストが塗布される。
場合、マスク基板が製造されると、次にレジストが塗布
される。そのレジスト塗布前には、レジストとマスク基
板の密着性を向上させるために、マスク基板は約２００
℃以上でベークされ、その後、そのマスク基板を冷却
し、レジストが塗布される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のレジストの塗布方法では、マスク基板へのレジ
ストの密着性が不十分であり、パターンの面内均一性が
悪くなるという問題点があった。本発明は、上記問題点
を除去し、マスク基板表面の濡れ性を良好にし、寸法の
面内均一性を向上させることができるマスク基板へのレ
ジストの塗布方法を提供することを目的とする。
た従来のレジストの塗布方法では、マスク基板へのレジ
ストの密着性が不十分であり、パターンの面内均一性が
悪くなるという問題点があった。本発明は、上記問題点
を除去し、マスク基板表面の濡れ性を良好にし、寸法の
面内均一性を向上させることができるマスク基板へのレ
ジストの塗布方法を提供することを目的とする。
【０００４】
〔１〕マスク基板へのレジストの塗布方法において、マ
スク基板を酸素プラズマアッシング装置で処理する工程
と、前記マスク基板にレジストを塗布する工程とを施す
ようにしたものである。このように、マスク基板を酸素
プラズマアッシング処理した後に、レジストを塗布する
ことにより、マスク基板表面の濡れ性が良くなり、寸法
の面内均一性が向上する。特に、微細なパターンを形成
するマスク基板においては、その寸法の面内均一性の向
上により、微細な精確なパターンの形成に寄与すること
ができる。
スク基板を酸素プラズマアッシング装置で処理する工程
と、前記マスク基板にレジストを塗布する工程とを施す
ようにしたものである。このように、マスク基板を酸素
プラズマアッシング処理した後に、レジストを塗布する
ことにより、マスク基板表面の濡れ性が良くなり、寸法
の面内均一性が向上する。特に、微細なパターンを形成
するマスク基板においては、その寸法の面内均一性の向
上により、微細な精確なパターンの形成に寄与すること
ができる。
【０００５】〔２〕マスク基板へのレジストの塗布方法
において、マスク基板をＵＶで照射する工程と、前記マ
スク基板にレジストを塗布する工程とを施すようにした
ものである。このように、マスク基板をＵＶ照射処理し
た後に、レジストを塗布することにより、上記〔１〕と
同様に、マスク基板表面の濡れ性が良くなり、寸法の面
内均一性が向上する。
において、マスク基板をＵＶで照射する工程と、前記マ
スク基板にレジストを塗布する工程とを施すようにした
ものである。このように、マスク基板をＵＶ照射処理し
た後に、レジストを塗布することにより、上記〔１〕と
同様に、マスク基板表面の濡れ性が良くなり、寸法の面
内均一性が向上する。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１
実施例を示すマスク基板へのレジストの塗布工程断面図
である。 （１）まず、図１（ａ）に示すように、例えば石英ガラ
ス（ＳｉＯ2 ）１１ａ上に８００Åの厚さのクロム１１
ｂをスパッタし、そのクロム１１ｂ上に低反射膜である
２００Åの厚さの酸化クロム１１ｃが形成されたマスク
基板１１を、市販の酸素プラズマアッシング装置（図示
なし）を用いて酸素プラズマアッシング処理１２する。
この処理条件は、例えば、酸素流量１００ｓｃｃｍ、圧
力１００ｍＴｏｒｒ、電圧２００ｗ、処理時間９０秒で
ある。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１
実施例を示すマスク基板へのレジストの塗布工程断面図
である。 （１）まず、図１（ａ）に示すように、例えば石英ガラ
ス（ＳｉＯ2 ）１１ａ上に８００Åの厚さのクロム１１
ｂをスパッタし、そのクロム１１ｂ上に低反射膜である
２００Åの厚さの酸化クロム１１ｃが形成されたマスク
基板１１を、市販の酸素プラズマアッシング装置（図示
なし）を用いて酸素プラズマアッシング処理１２する。
この処理条件は、例えば、酸素流量１００ｓｃｃｍ、圧
力１００ｍＴｏｒｒ、電圧２００ｗ、処理時間９０秒で
ある。
【０００７】（２）次いで、図１（ｂ）に示すように、
その処理されたマスク基板１１上に例えば、５０００Å
の厚さのレジスト１３を塗布する。このようにマスク基
板を酸素プラズマアッシング処理した後に、レジストを
塗布することにより、マスク基板表面の濡れ性が良くな
る。以上のような処理を行うと寸法の面内均一性が向上
する。
その処理されたマスク基板１１上に例えば、５０００Å
の厚さのレジスト１３を塗布する。このようにマスク基
板を酸素プラズマアッシング処理した後に、レジストを
塗布することにより、マスク基板表面の濡れ性が良くな
る。以上のような処理を行うと寸法の面内均一性が向上
する。
【０００８】図２は本発明の第１実施例による寸法の面
内均一性を説明するマスク基板処理を行った場合のマス
クの寸法の面内均一性を示す図、図３はそのマスク基板
処理を行った場合の寸法の面内均一性を説明するデータ
を示す図、図４は従来の寸法の面内均一性を説明するマ
スク基板処理を行った場合のマスクのマスクの寸法の面
内均一性を示す図、図５はそのマスク基板処理を行わな
かった場合の寸法の面内均一性を説明するデータを示す
図である。なお、図２及び図４においては、□の大きさ
が大きいほど寸法の面内均一性が劣化していることを示
している。また、図３及び図４において、ｎ＝１２１ポ
イントが選ばれ、それらのポイント間隔は１．３ｍｍに
設定されている。
内均一性を説明するマスク基板処理を行った場合のマス
クの寸法の面内均一性を示す図、図３はそのマスク基板
処理を行った場合の寸法の面内均一性を説明するデータ
を示す図、図４は従来の寸法の面内均一性を説明するマ
スク基板処理を行った場合のマスクのマスクの寸法の面
内均一性を示す図、図５はそのマスク基板処理を行わな
かった場合の寸法の面内均一性を説明するデータを示す
図である。なお、図２及び図４においては、□の大きさ
が大きいほど寸法の面内均一性が劣化していることを示
している。また、図３及び図４において、ｎ＝１２１ポ
イントが選ばれ、それらのポイント間隔は１．３ｍｍに
設定されている。
【０００９】図５に示すように、基板処理していない場
合、寸法の面内均一性の３σ（ｎ＝１２１）の値は８８
ｎｍであったが、図３に示すように、基板処理した場合
３σの値は３５ｎｍへと向上したことを確認することが
できる。次に、本発明の第２実施例について説明する。
図６は本発明の第２実施例を示すマスク基板へのレジス
トの塗布工程断面図である。
合、寸法の面内均一性の３σ（ｎ＝１２１）の値は８８
ｎｍであったが、図３に示すように、基板処理した場合
３σの値は３５ｎｍへと向上したことを確認することが
できる。次に、本発明の第２実施例について説明する。
図６は本発明の第２実施例を示すマスク基板へのレジス
トの塗布工程断面図である。
【００１０】（１）まず、図６（ａ）に示すように、例
えば石英ガラス（ＳｉＯ2 ）２１ａ上に８００Åの厚さ
のクロム２１ｂをスパッタし、そのクロム２１ｂ上に低
反射膜である２００Åの厚さの酸化クロム２１ｃが形成
されたマスク基板２１を市販のＵＶ照射装置（図示な
し）でＵＶ照射処理２２する。 （２）次いで、図６（ｂ）に示すように、その処理され
たマスク基板２１上に例えば、５０００Åの厚さのレジ
スト２３を塗布する。
えば石英ガラス（ＳｉＯ2 ）２１ａ上に８００Åの厚さ
のクロム２１ｂをスパッタし、そのクロム２１ｂ上に低
反射膜である２００Åの厚さの酸化クロム２１ｃが形成
されたマスク基板２１を市販のＵＶ照射装置（図示な
し）でＵＶ照射処理２２する。 （２）次いで、図６（ｂ）に示すように、その処理され
たマスク基板２１上に例えば、５０００Åの厚さのレジ
スト２３を塗布する。
【００１１】このようにマスク基板２１をＵＶ照射処理
した後に、レジストを塗布することにより、マスク基板
表面の濡れ性が良くなる。以上のような処理を行うと寸
法の面内均一性が向上する。また、基板に対するレジス
トの密着性が向上するためピンホール等の欠損欠陥が低
減するという効果も奏することができる。
した後に、レジストを塗布することにより、マスク基板
表面の濡れ性が良くなる。以上のような処理を行うと寸
法の面内均一性が向上する。また、基板に対するレジス
トの密着性が向上するためピンホール等の欠損欠陥が低
減するという効果も奏することができる。
【００１２】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づい種々の変形が可能で
あり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づい種々の変形が可能で
あり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００１３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 〔１〕請求項１記載の発明によれば、マスク基板を酸素
プラズマアッシング処理した後に、レジストを塗布する
ことにより、マスク基板表面の濡れ性が良くなり、寸法
の面内均一性が向上する。特に、微細なパターンを形成
するマスク基板においては、その寸法の面内均一性の向
上により、微細な精確なパターンの形成に寄与すること
ができる。
よれば、次のような効果を奏することができる。 〔１〕請求項１記載の発明によれば、マスク基板を酸素
プラズマアッシング処理した後に、レジストを塗布する
ことにより、マスク基板表面の濡れ性が良くなり、寸法
の面内均一性が向上する。特に、微細なパターンを形成
するマスク基板においては、その寸法の面内均一性の向
上により、微細な精確なパターンの形成に寄与すること
ができる。
【００１４】〔２〕請求項２記載の発明によれば、マス
ク基板をＵＶ照射処理した後に、レジストを塗布するこ
とにより、マスク基板表面の濡れ性が良くなり、寸法の
面内均一性が向上する。
ク基板をＵＶ照射処理した後に、レジストを塗布するこ
とにより、マスク基板表面の濡れ性が良くなり、寸法の
面内均一性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示すマスク基板へのレジ
ストの塗布工程断面図である。
ストの塗布工程断面図である。
【図２】本発明の第１実施例による寸法の面内均一性を
説明するマスク基板処理を行った場合のマスクの寸法の
面内均一性を示す図である。
説明するマスク基板処理を行った場合のマスクの寸法の
面内均一性を示す図である。
【図３】本発明の第１実施例によるマスク基板処理を行
った場合の寸法の面内均一性を説明するデータを示す図
である。
った場合の寸法の面内均一性を説明するデータを示す図
である。
【図４】従来の寸法の面内均一性を説明するマスク基板
処理を行った場合のマスクのマスクの寸法の面内均一性
を示す図である。
処理を行った場合のマスクのマスクの寸法の面内均一性
を示す図である。
【図５】従来のマスク基板処理を行わなかった場合の寸
法の面内均一性を説明するデータを示す図である。
法の面内均一性を説明するデータを示す図である。
【図６】本発明の第２実施例を示すレジストの塗布工程
断面図である。
断面図である。
１１，２１ マスク基板 １１ａ，２１ａ 石英ガラス １１ｂ，２１ｂ クロム １１ｃ，２１ｃ 参加クロム １２ 酸素プラズマアッシング処理 １３，２３ レジスト ２２ ＵＶ照射処理
Claims (2)
- 【請求項１】（ａ）マスク基板を酸素プラズマアッシン
グ装置で処理する工程と、（ｂ）前記マスク基板にレジ
ストを塗布する工程とを施すことを特徴とするマスク基
板へのレジストの塗布方法。 - 【請求項２】（ａ）マスク基板をＵＶで照射する工程
と、（ｂ）前記マスク基板にレジストを塗布する工程と
を施すことを特徴とするマスク基板へのレジストの塗布
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8187060A JPH1031313A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | マスク基板へのレジストの塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8187060A JPH1031313A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | マスク基板へのレジストの塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1031313A true JPH1031313A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=16199465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8187060A Withdrawn JPH1031313A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | マスク基板へのレジストの塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1031313A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100842748B1 (ko) * | 2007-02-02 | 2008-07-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토마스크 제조방법 |
-
1996
- 1996-07-17 JP JP8187060A patent/JPH1031313A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100842748B1 (ko) * | 2007-02-02 | 2008-07-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토마스크 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031007 |