JPH0349102B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0349102B2 JPH0349102B2 JP58171592A JP17159283A JPH0349102B2 JP H0349102 B2 JPH0349102 B2 JP H0349102B2 JP 58171592 A JP58171592 A JP 58171592A JP 17159283 A JP17159283 A JP 17159283A JP H0349102 B2 JPH0349102 B2 JP H0349102B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist
- resist film
- etched
- patterned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 235000019406 chloropentafluoroethane Nutrition 0.000 description 3
- RFCAUADVODFSLZ-UHFFFAOYSA-N 1-Chloro-1,1,2,2,2-pentafluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)Cl RFCAUADVODFSLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001283 organosilanols Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は微細加工方法、特に写真製版技術に
よるレジストパターンを用いて微細パターンを形
成するための微細加工方法に関するものである。
よるレジストパターンを用いて微細パターンを形
成するための微細加工方法に関するものである。
半導体集積回路装置などの製造においては、半
導体基板、その他の任意の基板上にレジスト、例
えばフオトレジスト、EBレジスト、イオンビー
ム・レジスト、Ｘ線レジストなどを塗布したの
ち、これを露光マスクの介在のもとで露光し、か
つ現像して所定のレジストパターンを形成させ、
このレジストパターンをエツチングマスクとして
被エツチング膜を微細加工するようにしている。
導体基板、その他の任意の基板上にレジスト、例
えばフオトレジスト、EBレジスト、イオンビー
ム・レジスト、Ｘ線レジストなどを塗布したの
ち、これを露光マスクの介在のもとで露光し、か
つ現像して所定のレジストパターンを形成させ、
このレジストパターンをエツチングマスクとして
被エツチング膜を微細加工するようにしている。
しかしながらこの種の従来の微細加工方法で
は、下地基板に段差がある場合、この段差の上部
と下部とではそのレジストの膜厚に差を生じて、
同段差の上下で微細パターンを均一に精度よく加
工することが困難であり、これを改善するために
次の第１図に示すような３層レジスト・プロセス
が提案されている。
は、下地基板に段差がある場合、この段差の上部
と下部とではそのレジストの膜厚に差を生じて、
同段差の上下で微細パターンを均一に精度よく加
工することが困難であり、これを改善するために
次の第１図に示すような３層レジスト・プロセス
が提案されている。
すなわち、この第１図に示す従来例方法は、ま
ず基板１上に被エツチング膜２を形成したのち、
例えばフオトレジストによる第１レジスト膜３を
塗布して熱処理させ、またその上にシラノールま
たはオルガノシラノール溶液を塗布して熱処理さ
せることにより、酸化シリコン膜による中間膜４
を形成させ、さらにその上に前記と同様にフオト
レジストによる第２レジスト膜５を塗布して熱処
理させ（第１図ａ）、ついでこの第２レジスト膜
５を露光マスクの介在のもとで露光し、かつ現像
して第２レジスト膜５による所定の微細パターン
を形成する。（第１図ｂ）。
ず基板１上に被エツチング膜２を形成したのち、
例えばフオトレジストによる第１レジスト膜３を
塗布して熱処理させ、またその上にシラノールま
たはオルガノシラノール溶液を塗布して熱処理さ
せることにより、酸化シリコン膜による中間膜４
を形成させ、さらにその上に前記と同様にフオト
レジストによる第２レジスト膜５を塗布して熱処
理させ（第１図ａ）、ついでこの第２レジスト膜
５を露光マスクの介在のもとで露光し、かつ現像
して第２レジスト膜５による所定の微細パターン
を形成する。（第１図ｂ）。
続いて前記パターニングされた第２レジスト膜
５をエツチングマスクとして、前記中間膜４を選
択的にエツチングさせ（第１図ｃ）、さらにこの
ようにしてパターニングされた中間膜４をエツチ
ングマスクとして、前記第１レジスト膜３を例え
ば酸素（O2）プラズマにより選択的に異方性エ
ツチングさせ（第１図ｄ）、最後にこのようにし
て得た３層、つまり上方から第２レジスト膜５、
中間膜４および第１レジスト膜３からなるパター
ニングされた微細パターンをエツチングマスクと
して、被エツチング膜２を同様に選択的にエツチ
ングさせ（第１図ｅ）、目的とする被エツチング
膜２の微細加工を行なうようにしているのであ
る。
５をエツチングマスクとして、前記中間膜４を選
択的にエツチングさせ（第１図ｃ）、さらにこの
ようにしてパターニングされた中間膜４をエツチ
ングマスクとして、前記第１レジスト膜３を例え
ば酸素（O2）プラズマにより選択的に異方性エ
ツチングさせ（第１図ｄ）、最後にこのようにし
て得た３層、つまり上方から第２レジスト膜５、
中間膜４および第１レジスト膜３からなるパター
ニングされた微細パターンをエツチングマスクと
して、被エツチング膜２を同様に選択的にエツチ
ングさせ（第１図ｅ）、目的とする被エツチング
膜２の微細加工を行なうようにしているのであ
る。
こゝでこのような従来方法では、中間膜４の形
成時にあつて塗布ムラによるストライエーシヨ
ン、ベーキング時にあつてクラツク、および中間
膜４と第２レジスト膜５との密着不良を発生し易
いなどの不都合を有するものであつた。
成時にあつて塗布ムラによるストライエーシヨ
ン、ベーキング時にあつてクラツク、および中間
膜４と第２レジスト膜５との密着不良を発生し易
いなどの不都合を有するものであつた。
この発明は従来方法による多層レジスト・プロ
セスのこのような欠点を解消するために、光を利
用した化学気相成長（CVD）方法により中間層
を形成させて、精度のよい微細パターンを加工し
得るようにしたものである。
セスのこのような欠点を解消するために、光を利
用した化学気相成長（CVD）方法により中間層
を形成させて、精度のよい微細パターンを加工し
得るようにしたものである。
以下、この発明に係る微細加工方法の一実施例
につき、第２図および第３図を参照して詳細に説
明する。
につき、第２図および第３図を参照して詳細に説
明する。
この第２図実施例方法においては、前記中間膜
４の形成に化学気相成長（CVD）方法を用いた
ものである。
４の形成に化学気相成長（CVD）方法を用いた
ものである。
次にこの実施例方法の詳細を工程順に述べる。
まず基板１１に形成した被エツチング膜１２上
にフオトレジスト（またはポリイミド樹脂など）
による第１レジスト膜１３をスピナーなどを使用
して１〜3μｍ程度の厚さに塗布し、これを熱処
理したのちに第３図に示すような光を利用した化
学気相成長装置１６により中間膜１４を形成させ
る。すなわち、この化学気相成長装置のチヤンバ
ー１７内に前記処理後の基板１１を収容すると共
に、反応ガスとしてジシランガス（Si2H6）をガ
ス圧5Torr程度で導入させると共に、外部から低
圧水銀ランプなどの光源１８による紫外線を反射
鏡１９により集光して、このチヤンバー１７内に
窓２０を通して照射させることにより、前記第１
レジスト膜１３上にアモルフアス・シリコン膜か
らなる中間膜１４を0.1〜0.4μｍ程度の厚さに成
膜させたのち、装置内からこれを取り出して、さ
らにその上にフオトレジスト（またはEBレジス
トなど）による第２レジスト膜１５を0.2〜0.4μ
ｍ程度の厚さに塗布して熱処理する（第２図ａ）。
にフオトレジスト（またはポリイミド樹脂など）
による第１レジスト膜１３をスピナーなどを使用
して１〜3μｍ程度の厚さに塗布し、これを熱処
理したのちに第３図に示すような光を利用した化
学気相成長装置１６により中間膜１４を形成させ
る。すなわち、この化学気相成長装置のチヤンバ
ー１７内に前記処理後の基板１１を収容すると共
に、反応ガスとしてジシランガス（Si2H6）をガ
ス圧5Torr程度で導入させると共に、外部から低
圧水銀ランプなどの光源１８による紫外線を反射
鏡１９により集光して、このチヤンバー１７内に
窓２０を通して照射させることにより、前記第１
レジスト膜１３上にアモルフアス・シリコン膜か
らなる中間膜１４を0.1〜0.4μｍ程度の厚さに成
膜させたのち、装置内からこれを取り出して、さ
らにその上にフオトレジスト（またはEBレジス
トなど）による第２レジスト膜１５を0.2〜0.4μ
ｍ程度の厚さに塗布して熱処理する（第２図ａ）。
ついで前記従来例と同様に第２レジスト膜１５
を露光マスクの介在のもとで露光して現像させ、
この第２レジスト膜１５による所定の微細パター
ンを形成し（第２図ｂ）、このパターニングされ
た第２レジスト膜１５をエツチングマスクとし
て、例えばフレオン115（C2ClF5）のガスプラズ
マにより、前記中間膜１４を選択的に異方性エツ
チングさせ（第２図ｃ）、さらにまたこのように
してパターニングされた中間膜１４をエツチング
マスクに、前記第１レジスト膜１３を例えば酸素
（O2）プラズマにより選択的に異方性エツチング
させる。（第２図ｄ）。このとき同図では第２レジ
スト膜１５が残されるが、場合により同時に除去
されることもある。そして最後にこのようにして
得た３層、つまり上方から第２レジスト膜１５、
中間膜１４および第１レジスト膜１３のパターニ
ングされた微細パターンをエツチングマスクとし
て、前記被エツチング膜１２をガスプラズマなど
により選択的にエツチング除去、すなわち被エツ
チング膜１２がポリシリコン膜である場合には、
フレオン115（C2ClF5）のガスプラズマにより異
方性エツチングすればよく、（第２図ｅ）、以上に
よつて目的とする被エツチング膜１２の微細加工
を行なうことができるのである。
を露光マスクの介在のもとで露光して現像させ、
この第２レジスト膜１５による所定の微細パター
ンを形成し（第２図ｂ）、このパターニングされ
た第２レジスト膜１５をエツチングマスクとし
て、例えばフレオン115（C2ClF5）のガスプラズ
マにより、前記中間膜１４を選択的に異方性エツ
チングさせ（第２図ｃ）、さらにまたこのように
してパターニングされた中間膜１４をエツチング
マスクに、前記第１レジスト膜１３を例えば酸素
（O2）プラズマにより選択的に異方性エツチング
させる。（第２図ｄ）。このとき同図では第２レジ
スト膜１５が残されるが、場合により同時に除去
されることもある。そして最後にこのようにして
得た３層、つまり上方から第２レジスト膜１５、
中間膜１４および第１レジスト膜１３のパターニ
ングされた微細パターンをエツチングマスクとし
て、前記被エツチング膜１２をガスプラズマなど
により選択的にエツチング除去、すなわち被エツ
チング膜１２がポリシリコン膜である場合には、
フレオン115（C2ClF5）のガスプラズマにより異
方性エツチングすればよく、（第２図ｅ）、以上に
よつて目的とする被エツチング膜１２の微細加工
を行なうことができるのである。
なお前記実施例では中間膜１４としてアモルフ
アスシリコン膜を例にしたが、そのほかにもアル
ミニウム（Al）膜、酸化シリコン（SiO2）膜な
どであつてもよく、アルミニウムの場合には、反
応ガスとしてトリメチルアルミニウム（Al
（CH3）3）などを使用すればよい。
アスシリコン膜を例にしたが、そのほかにもアル
ミニウム（Al）膜、酸化シリコン（SiO2）膜な
どであつてもよく、アルミニウムの場合には、反
応ガスとしてトリメチルアルミニウム（Al
（CH3）3）などを使用すればよい。
このように光を利用した化学気相成長方法によ
り中間膜を形成するようにしたので、この中間膜
を例えば100℃程度以下の低温で形成することも
可能になつて、その適用範囲を拡張でき、併せて
この中間膜にストライエーシヨン、クラツクなど
を生ずる虞れが解消され、かつレジスト膜との密
着性も良好になるものである。
り中間膜を形成するようにしたので、この中間膜
を例えば100℃程度以下の低温で形成することも
可能になつて、その適用範囲を拡張でき、併せて
この中間膜にストライエーシヨン、クラツクなど
を生ずる虞れが解消され、かつレジスト膜との密
着性も良好になるものである。
〔発明の効果〕
以上詳述したように、この発明方法によるとき
は、基板面の被エツチング膜上に、第１レジスト
膜、中間膜および第２レジスト膜による３層膜を
形成させ、パターンを上層から順次に下層に転写
させて、被エツチング膜を選択的にエツチングさ
せる場合、中間膜の形成について、光を利用した
化学気相成長方法により行なわせるようにしたの
で、段差のある基板上に形成されている被エツチ
ング膜に対しても高精度の微細パターンを安定し
て加工できる特長を有するものである。
は、基板面の被エツチング膜上に、第１レジスト
膜、中間膜および第２レジスト膜による３層膜を
形成させ、パターンを上層から順次に下層に転写
させて、被エツチング膜を選択的にエツチングさ
せる場合、中間膜の形成について、光を利用した
化学気相成長方法により行なわせるようにしたの
で、段差のある基板上に形成されている被エツチ
ング膜に対しても高精度の微細パターンを安定し
て加工できる特長を有するものである。
第１図ａないしｅは従来例による微細加工方法
を工程順に断面図、第２図ａないしｅはこの発明
の一実施例による同上微細加工方法を工程順に示
す断面図、第３図はこの発明方法に使用する光を
利用した化学気相成長装置の一例による概要構成
図である。 １１……基板、１２……被エツチング膜、１３
……第１レジスト膜、１４……中間膜、１５……
第２レジスト膜、１６……化学気相成長装置、１
８……光源。
を工程順に断面図、第２図ａないしｅはこの発明
の一実施例による同上微細加工方法を工程順に示
す断面図、第３図はこの発明方法に使用する光を
利用した化学気相成長装置の一例による概要構成
図である。 １１……基板、１２……被エツチング膜、１３
……第１レジスト膜、１４……中間膜、１５……
第２レジスト膜、１６……化学気相成長装置、１
８……光源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板面の被エツチング膜上に第１レジスト膜
を形成する工程と、 この第１レジスト膜の上に光を利用した化学気
相成長方法により中間膜を形成する工程と、 この中間膜の上に第２レジスト膜を形成する工
程と、 第２レジスト膜をパターニングし、これをマス
クにして中間膜を選択的にエツチング除去する工
程と、 このパターニングされた第２レジスト膜と中間
膜をマスクにして第１レジスト膜を選択的にエツ
チング除去する工程と、 さらに、パターニングされた第２レジスト膜と
中間膜と第１レジスト膜をマスクにして被エツチ
ング膜を選択的にエツチング除去する工程と からなることを特徴とする微細加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17159283A JPS6063534A (ja) | 1983-09-17 | 1983-09-17 | 微細加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17159283A JPS6063534A (ja) | 1983-09-17 | 1983-09-17 | 微細加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6063534A JPS6063534A (ja) | 1985-04-11 |
| JPH0349102B2 true JPH0349102B2 (ja) | 1991-07-26 |
Family
ID=15926013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17159283A Granted JPS6063534A (ja) | 1983-09-17 | 1983-09-17 | 微細加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6063534A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5645759A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of vapor growth film |
| JPS57136931A (en) * | 1981-02-17 | 1982-08-24 | Seiko Epson Corp | Photochemical reaction device |
-
1983
- 1983-09-17 JP JP17159283A patent/JPS6063534A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5645759A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of vapor growth film |
| JPS57136931A (en) * | 1981-02-17 | 1982-08-24 | Seiko Epson Corp | Photochemical reaction device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6063534A (ja) | 1985-04-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3236266B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| US5064748A (en) | Method for anisotropically hardening a protective coating for integrated circuit manufacture | |
| JPH0513384A (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| JPH0458167B2 (ja) | ||
| JPH0349102B2 (ja) | ||
| JPH04348030A (ja) | 傾斜エッチング法 | |
| JPH04176123A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6213813B2 (ja) | ||
| JPS60247927A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP2586700B2 (ja) | 配線形成方法 | |
| JPH0344646A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH058856B2 (ja) | ||
| JPS6386434A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH0143453B2 (ja) | ||
| KR930006133B1 (ko) | 모스소자의 콘택트홀 형성방법 | |
| JPS59194452A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS61294821A (ja) | 微細パタン形成法 | |
| JPH0738388B2 (ja) | パタ−ン形成法 | |
| JPS6097357A (ja) | 写真蝕刻方法 | |
| JPH02143413A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09106938A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03188447A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS6354726A (ja) | レジスト膜のエツチング方法 | |
| JPS63155619A (ja) | 多層レジスト形成方法 | |
| JPH01154053A (ja) | 半導体装置の製造方法 |