JPS59155851A - 赤外スペクトル領域輻射に敏感な多層式活性光導電要素 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は電子写真に関するものである。本発明は電子写
真での用途に対する多層式活性の光導電要素を提供する
ものである。

発明の背景 光導電性物ηは化学線への露出の結果どして可動性の電
荷キャリアを発生しかつそれらを物負本体中を移送させ
ろ能力をもつ物跨として述べられてきたつこの性質は電
子写真分野の基本を形成してきたものであって太陽電池
のような不の他の技術において用途を見出している。

光導電要素は暗時においては絶縁性であるが化学線に廃
用すると導電性となる一つの光導電性物質をもつ導電性
支持体から成る。この柚の要素で以て画像を形成する共
通の方法はその要素の表面を均一に静電的に帯電させて
次にそれを画像的に化学線へ露出することである。光導
電性層が照射された領域においては、可動性重荷キャリ
アか発生され、それらは要素の表面へ移行し、そこでそ
の表面荷電を消滅させる。これにより非照射領域に一つ
の帯電模様をのこし、静電的潜像とよばれるっこの静電
的潜像は次に、それが形成された表面の上かあろい１工
それが転写された別の表面の上のいずれかにおいて、帯
電領域へ選択的にひきつけられその中に沈着するかある
いは帯電領域によって反撥され選択的に非帯電領域に沈
着するかのいずれかである微細な検％ｆ４　（ｅｌｅｃ
ｔｒｏｓｃｏｐｉｅ　）マーキング粒子を含有する液状
または乾式の現像組成物の適用によって、現（象するこ
とができろ。

マーキング粒子の模様はそれらが沈着した表面へ固定す
ることができ、あるいは別の表面へ転写してそこで固定
することかできろ。

数多くの光導電性物質が電子写真において有用であると
して記載されてきた。これらは無機物質を含み、その中
で最もよべ知られているものはセレン酸化亜鉛であり、
同時にまたモノマー状およびポリマー状の両方の有機物
質も含み１例えばアリール了ミン、了リールメタン、了
ゾール、カルバソー　／ｌ／　、　ヒロールおよびフタ
ロシアニン１である。

電子写真要素は光導電性物質を含む単一の活性層から構
成することができ、あるいは、多重の活性層から構成す
ることができろ。多重の活性層をもつ要素（どきには多
重活性要素とよばれろ）は少くとも一つの電荷発生層と
少くども一つの電荷移送層とをもっている。電荷発生層
シエ可動性電荷キャリアを発生することによって化学線
に対して応答し、市、荷移送層はその電１荷キャリアが
要素の表面へ移行するのを助け、そこで均一な静電荷を
消滅させ従って静電的潜像を形成する。

従来文献において記載されろ光導電体の大部分は電磁ス
ペクトルの紫外領域と可視領域における電磁輻射に感光
する。しかし、情報の蓄積検索技術が開発されるにつれ
て、ダイオードレーザ−１電磁スペクトルの主として近
赤外領域すなわち７００　ｎｍカｂ９００　ｎｍ　にお
いて輻射線を出す発光デバイスの利用が増大してきた。

既知の光導電性物質はこのスペクトル領域における輻射
に適切に応答せず、すなわち、この神の輻射に対する感
光性をほとんどまたＦま全くもたず、そしてまた。

かりにそれらがこの楯の輻射に応答するとしても。

それらはその他の欠点をもっている。例えば、それらは
きわめて大きい暗導ｔ　件−ｑもち、これが静電荷を受
は入れ保持する能力を制限するか、あるいは、それらの
量子効率が悪くそれが真先輻射の有効利用を妨げて電子
写真的感度を低下させろ結果となり、あるいは、極度に
高い静電荷の適用あるいはその他の極端な条件の使用を
有用な電子写真的感度を示すために必散とするかもしれ
ない。

本発明の目的 本発明の目的は電磁スペクトルの近赤外領域において高
い電子写真的感度をもつ多重活性光導電性要素を提供す
ることである。

発明の構成 本発明の目的は多重活性要素におけろ電荷発生性光４重
体としてのβ−相のインジウムフタロシアニン顔料で以
て達成之れだ。

β−相のインジウムフタロシアニン電荷発生１８を含む
多重活性光導電要素は、高い電子写真的感度を示すほか
に、高い帯電効率、低い暗減衰、および高い量子効率を
示す。このことは予想外のことであり、何故ならば、フ
タロシアニン顔料は一般には電気的に感光性である〔例
えば、米国特許第３．９０３．１０７号および第３；６
１−５，５５８号を見よ）けれども、高い赤外線感光性
、商い帯電効率、低い暗減衰、および高い量子効率、の
独得の組合せがβ−相インジウムフタロシアニンを含む
多重活性要素について認識されていなかったｙらである
。

従って１本発明は電気伝導性支持体、電荷発生層、およ
び電荷移送層から成る多重活性光２４電性要素を提供す
るものであり、その場合に、電荷発生層は電磁スペクト
ルの赤外領域における輻射にｇ光ｆるβ−相のインジウ
ムフタロシア二ン顔料から成る。

本発明において有用であるインジウムフタロシアニンは
非置換のものであることができ、あるいはインジウム原
子、フタロシアニン環、あるいはその両者に関連した置
換基金もっことができる。

インジウム原子およびフタロシアニン環のどちらかある
いは両者についての好ましい置換基は弗素、塩素、臭素
および沃素のようなハロゲン原子である。インジウム原
子と関係し得るその仲の置換基）エビドロキシ。了ルコ
キシ、アリールオキシ、アルキルカルボニルオキシ、了
リールカルボニルオキシ、シロキシ、オキシインジウム
フタロシアニン・およびアセチルアセトネートであろう
フタロシアニン環ど関係し得ろその他の置換基はアルキ
ル、アルコキシ、了り−ル、了リールオキシ、および縮
合芳香族性炭素環または窒素含有複素環でする。アルキ
ル置換基５並びに、アルコキシおよびアルキルカルボニ
ルオキシ置換基のアルキル部分１１．１個カ・ら２２個
の炭素原子を含むことがでキロ。了り−ル置換基、並び
に、アリールオキシおよびアリールカルボニルオキシ置
換基のアＩＪ−ル部分は６個から２２個の炭素原子を含
むことができろ。

特に好ましいインジウムフタロシアニンはインジウム原
子とフタロシアニン環のどちらかまたは両者に塩素置換
基金含む、従って、特に好ましい（７１］！、クロロイ
ンジウムフタロシアニン、インジウムクロロフタロシア
ニン・クロロインジウムクロロフタロシアニン、および
それらの混合物であ７）。

好ましい物質は構造式 によって表わされ１式中、ＸとＹの各々はノ・ロダン。

好ましくは塩素また１丁臭素であり１ｍは０から１６で
あり、ｎはＯまたは１である。

インジウムフタロシアニンは従来技術において既知の方
法によってつくることができろ、ノ・ロゲン置換インジ
ウムフタロシアニンはＧ、Ｐ、シャボシュニコフら、Ｌ
ｚｖ、Ｖｙｓｓｈ、Ｕ、ｃｈｅｂｎ、Ｚａｖｅｄ、＋Ｋ
ｈｉｍ、Ｋｂｉｍ、Ｔｅｋｈｎｏ１．１　９７７　．２
０ｆ２）、１８４　　６　；Ｄ、：ｔ５イテイｙ、、　
、　Ｂｕｌ　１．ｓｏｃ、Ｃｈｉｍ、Ｐ、２５　（１９
６２）；およびＰ、ミ、：Ｌ　ニー　／ｌ／　ｌ　Ｋｒ
１ｓｔ、Ｔｅｃｈ、　１９６５　＋２Ｆ３１．４１５１
−５によって記載されている技法によってつくることが
できる。代表的製造法シエ以後の製造実施例に示されて
いる。

これらの方法によってつくるとき、そのインジウムフタ
ロシアニンはβ−相である。この物質の光導電性＠け不
純物の除去によって改善することができろ、好ましい精
製方法シエ負空昇華である。

この方法ハハロゲン置換インジウムフタロシアニンおよ
び昇華湿度において著しい分解を受けない類似物質の場
合に特に有用である。その他の物質については著しい分
解がおこ７）温度へ物質を加熱しない既知の精製法を用
いることができろ。いくつかの精製法はインジウムフタ
ロシアニン顔料を好ましいβ−相から別の形へ転化する
。その場合にシエ、顔料はあとでさらに詳細に述べろ焼
鈍法によってβ−相へ戻し転化を行うことができろ。

真空昇華は真空蒸着装置中で坩堝の中にインジウムフタ
ロシアニン顔料を置き坩堝と相対的に一つの基板を位置
させて坩堝からの昇華する顔料が基板上に沈着するよう
にすることによって実施することができる。真空室は１
０　と１０　ハスカルの背景圧力に保つのが好ましい、
坩堝を顔料外事の適切温度と一致する最低温度へ加熱す
る。

３［］０℃と４００℃の範囲の温度が好ましい。基板は
室温に近い温度に保つことが好ましい。これは基板を坩
堝から十分に遠く離して位置させて加熱されろようにす
るか、あるいは基板を冷却することによって達成するこ
とができる。

顔料がそれが昇華する温度以下の温度で揮発する不純物
會含む場合には、不純物５１基板と坩堝どの間に一つの
シャッターを挿入し坩堝（ｒ　インジウムフタロシアニ
ン顔料の十分な昇華がおこる温度」ソ下の温度へ加熱す
ることによって除くことができろ。２０ｎ℃から２５０
℃の範囲の温度がしばしば好適である。不純物全シャッ
ター上に沈着させてしまったのちに、シャッターを除き
、温度を上げて顔料全基板上へ昇華させろ。

室温で保った基板−ヒに沈着した時点でに、インジウム
フロシアニン顔料を工結晶惰三のきわめて悲い状態にあ
り、捜後はアモルファス相とよふ。そのスペクトル吸収
１′ｓ、深色側に（ｂａｔｈｏｃｈｒｏｍｉｃａｌ　ｌ
ｙ）ずれ、その感光性はそれ全β−相へ転化することに
よって増大する。これはいくつかの方法で達成できるつ 一つの方法１丁焼鈍であるっこれ（工５秒から５［１０
秒の範囲内の時間の間２００℃から５００℃の範囲の温
度において顔料を加熱することを含む。焼鈍は真空外泊
したままの顔料について、顔料が真空昇華されるべき場
合には、電荷移送層の設置と同時に、あるいは′電荷移
送層が焼鈍に用いる温度において劣化しない物質である
場合には電荷移送層の沈着後に、実施することができろ
っアモルファス相カラβ−相へのインジウムフタロシア
ニン転化の第二の方法はこの顔料を＃ｒ剤熱蒸気曝露す
ることケ含んでいろ。適当な溶剤シまジクロロメタン、
クロロホルム、ジクロロエタンおよびトリクロロエタン
のような塩素化溶剤：並びに、その他の浴剤例えばトル
エンおよびテトラヒドロフラン。

を含む。溶剤蒸気曝露の時間と湿度はある程度シま選択
する特定浴剤に依存するつじかし一般的には。

５秒から１０秒の範囲の時ＩＲＩと４０℃と８００Ｇの
範囲の時間が適当である。

？ａ　熱蒸ｆｉ　処理はインジウムフタロシアニン層の
表面のみ全転化する。もし電荷発生層中でいくつかの深
さにおいてβ−相をもつことが望まれろ場合には、顔料
の昇華全中断し浴剤蒸気転換全実施すゐことができ６つ
この組合せ１１日序は−Ｉ寸または数回性なうことかで
き々。

インジウムフタロシアニン顔料ヲ了モルフ了ス相からβ
−相へ転化する第三の方決は液状溶剤転化であるっこの
方法は適当な溶剤で以て、基板上においイか′またｌＬ
工基板から除去後に顔料を処理することを含んでいろ。

溶剤蒸気転化に有用であるとして上記で定義された溶剤
は適当であり、アセトンおよびジオキサンのような仲の
浴剤も同様である。顔料は５秒から１００秒の間２０°
Ｃから４０°Ｃのｇ度において溶剤と接触したままであ
４）べきである。

この第三の方法１１．インジウムフタロシアニン顔料全
浴剤コートすることが望まれろとき、あろい＋Ｓインジ
ウムフタロシシアニン上に’Ｆｔ　荷移送層全浴剤処狸
によってコートすることが望まれろときには、特に有用
である。このような状況においてＩマ、インジウムフク
ロシアニン顔料のアモルファス化からβ−相への転化は
コーティング操作トＦＪＩ晦におころ。さらに、インジ
ウムフタロシアニン顔料かこの方法によって浴剤コート
されるトキにはＩ−相中にその容積合併にわたって存在
する電荷発生層を提供する。

真空昇華あるい１ま浴剤コーティングのいずれかによっ
てコートするとき、電荷発生層は所望の感光性の程度に
応じて広範囲の厚さをもつことができろ。厚さは感光性
に二つの相反する影響をもつ。

厚さが増すと、′入射輻射のより大きい割合のものがそ
の層によって吸収されるが電荷キャリアーが捕捉されろ
可能性がより大きくなり従って画像形成に寄与しないっ
従ってこれらの二つの因子は適切な厚さを選Ｓ：際に均
憫をとらねばならない。

０．０５μｍから６，０μｍの範囲にある厚さが最大感
光性にとって好ましいことを出願人ら１発児し′た。０
．０５μｍよりはるかに薄い厚さは入射化学線を適切に
吸収せず、一方、６０μｍよりシエろかに厚い厚さは電
荷キャリアの過大な捕捉がおこる。

インジウムフタロシアニン顔料のアモルファス相力・ら
β−相への転化に関して上に暗示され４２通り、ｔｉ発
生層中のインジウムフタロシアニンのすべてかβ−相で
ある必要はない。一部Ｖ′ｆ−アモルファスの形である
ことができあるいは別の形であることができろ。しかし
５％荷発生層中に存在するインジウムフタロシアニンの
少くとも５０容積チがβ−相であることが好ましい。

電荷移送層は、電荷発生層中で発生した電荷キャリアー
を移送し祷る有機質または無機質のいかなる物佃から成
り立っていてもよい。大部分の電荷移送物質は正電荷Ｃ
ホール）または負電荷（電子）のいずれかを選択的に受
は入れて移送するが。

ただし、正および負の知゛荷の両方を移送する既知の両
性物佃が存在している。正電荷キャリアの選択的伝導を
示す移送物ｐはｐ−型移送物質どよび。

一方、負電荷の選択的伝導を示すものはｎ−型どよばれ
ろ。

各梗のｐ−型の有機質の電荷移送物質は本発明の霜、荷
移送層において用いてよい、正電荷キャリアを移送し得
る容積の有機質光導電性物質はどれでもＭ４いてよい。

代表的なｐ−型有機光導電性物質は＝ １、カルバゾール、Ｎ−エチルカルバゾール。

Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−フェニルカルバソ
ール・ハロゲン化カルバソール、およびポリ（ビニルカ
ルバゾール）、ハロゲン化ポリ（ビニルカルバゾール）
のような各種ポリマー状カルバゾール物質、を含むカル
バゾール物質。

２、モノ了す−ル了ミン、ジアリール了ミンおよびトリ
アリールアミノ、並びにポリマー状ア・リールアミンを
含むアリールアミン含有物情。特定のアリールアミン有
機質光導重体を一部列記すれば、クルツペルらの米国特
許第３，１８０．７６０号によって解説されている非ポ
リマー如のトリフェニルアミン；フォックスの米国特許
第３．２４０．５９７号に記載されてろポリマー状トリ
アリールアミン；プラントリーらの米国特許第３．５６
７．４５０号に記載されているような、少くとも一つの
ノ・ロゲン含有活性基をもつビニル・基またシエビニレ
ン基のいずれかによって置換された少くとも一つの了り
−ル基をもつトリアリールアミン；プラントリーらの本
国特許第３．６５８，５２０号に記載されているような
、アリール基の少くとも一つがノ・ロゲン含有活性基に
よって置換されているトリアリールアミノ；並びに、ト
リトリルアミン、が含まれる。

６、ノエもの米国特許第３．２７４，０００号、ウィル
ソンの米国特許第３．５４２，５４７号、およびルール
らの米国特許第６，６１５，４０２号に記載されている
タイプのポリアリールアルカン物ａ。好ましいポリアリ
′−ル了ルカン光導電体１１式によって表：！Ｉ、ｊろ
ことができ５式中。

ＤどＧは、同種または異種であってよいが。了り−ル基
を表わし、ＪとＥ（工、同紳または異種であってよいが
、水素原子、アルキル基、またをニアリール基ヲ衣わし
、Ｄ、ｇおよびＧの少くとも一つは了ミノ置換基を含ん
でい７：）。電荷移送物質として用いてよい特に有用な
ボリアリールアルカン光導電、体は、ＪとＥどが水素原
子、アリール基またシ工アルキル基であり、ＤとＧとが
式によって表現されてこの式中でＲがフェニルのような
非ｔｎ換了り−ル基あるいはトリル基のようなアルキル
置換アリールを表わす基を置換基としてもつ置換アリー
ル基を表わす、上記式をもつポリ了リールアルカンであ
るっこれらのボリアリールアルカンのいくつかのものに
関する追加情報はルールらの米国特許第４，１２７，４
１２号に見出されろ。

４、強力な電子引抜性基を含まない芳香族的に不飽和の
複素環物質を含めた、芳香族物質のような強力ルイス塩
基物質。このような芳香族ルイス塩基物質を一部列記す
れば。

テトラフェニルピレン、１−メチルピレン、ペリレン、
クライセン、アンスラセン。テトラフェン２−フェニル
ナフタレン、アザピレン、フルオレン・フルオレノン、
１−エチルピレン、アセチルビアン。２．３−ベンゾク
ライセン、ろ、４−ベンゾピレン、１．４−ブロモピレ
ン、フェニルインドール、ポリビニルカルバゾール、ポ
リビニルピレン。

ポリビニルテトラセン１ポリビニルペリレン、およびポ
リビニルテトラフェン、が含まれろ。

５、本溌明において用い得ろその他の有用なｐ−型の電
荷移送物質ｋｉ、Ｒｅ５ｅａｒｃｈ　Ｄｉｓｃｌｏｓｕ
ｒｅ　１１０９巻、５月、１９７５年、６’１−６７負
１節■（Ａｌ　ｆ２）から（１ろ）、において記載され
ている。ｐ−型光導電体である有機ａ光導電性物質のい
ずれかのような、電子写真法において有用であることが
知られている。金属−有機物質を含めた。ｐ−型有機質
光導電体のどれかであってもよい。

ｎ−型箱荷移送物個の代表的なものは、電子引抜性置換
基をもつ、芳香族的に不飽和の複素環式を含めた一つま
たは一つより多くの芳香族物質を含む、金属−有１ａ質
物質を含めた有機物質、のような勇ｌカルイス酸である
。′これらの物質はそれらの特徴的な電子受容能力のゆ
えに有用と考えられている。代表的な電子引抜性置換基
は、シアノおよびニトロ基；スルホン酸基；塩素・臭素
・および沃素のようなハロゲン：ケトン基；エステル基
；酸無水物基：およびカルボキシルおよびキノン基のよ
うなその他の酸基；が含まれるっ知子引抜性置換基全も
つこの秒の代表的のｎ−型芳香族ルイス酸物質を一部列
記すれば、無水フタル酸、無水テトラクロロフタル酸１
：’（１ベンジル、無水メリット酸、Ｓ−）リシ了ノベ
ンゼン、ｔ＝化ピクリン・２゜４−ジニトロクロロベン
ゼン＋２．４−ジニトロブロモベンゼン、４−ニトロビ
フェニル、４．４−ジニトロビフェニル、２．４．６−
　）　ＩＪニトロ−アニソール。トリクロロトリニトロ
ベンゼン、トリニトロ−ロートルエン トロベンゼン、４．６−ジプロモー１．　５　−　ジニ
トロベンゼン、ｐ−ジニトロベンゼン、クロル了ニリン
、ブロム了ニリン、２，４，７−）リニトロー９ーフル
オレノン、２．４，５．７−チトラニトロフルオレノン
、トリニトロアンスラセン、ジニトロアクリデン，テト
ラシ了ノピレン，ジニトロアンスラキノン、およびそれ
らの混合物，が含まれろ。

本発明において用い得ろ他の有用なｎ−型電荷移送物質
は慣用的なｎ−型有機質光導宿体・例えハ．　　２．４
．　６　−　トリニトロ−９−フルオレノンとポリ（ビ
ニルカルバゾール）との複合体であ７：）、、本発明に
おけろｎ−型′電荷移送物質として有用である金属−有
機質の光導電性物質を含めたさらにその他のｎ−型有機
物質は．Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ＋１
０９巻，５月，１９７３年．（５ｉ−６７ｉ４．節ＩＶ
　（Ａ＋（２）から（１６）に３載の．ｎ−型光体であ
る，物質のいずれかのような電子写真法において有用で
あることが知られろ有機質光導電性物質のいずれかであ
７−）。

単一の荷電移送層を用いろことができ，あるい瞥ス一つ
より多（の層を使用することができろ。単一の電荷移送
層音用いろＪｉ合には，それはｐ−型物質またはｎ−型
物質のいずれかであることができろ。

諸層の好ましい配ｌｉｔｕ導電性支持体と単一の電荷移
送層との１ｕ１に電荷発生層をもつべきである。

適当な市荷移送物雀Ｖ工多数存在ｊあので、この配置ｊ
）きわめて大きい融通性を提供し，選択する電荷移送層
の性質によってを素の物理的および表面性の特徴が制御
されろこと全可能にする。

重荷発生層を電荷移送層を通して化学線へ曝露すること
を名えろ場合には，電荷移送層は重荷発生層が応答する
電磁スペクトルの領域における吸収全はとんどまたは全
くもたず．従って化学線の最大量が電荷発生層に到達す
ることを可能にすることが好ましいう電荷移送層が露光
経路中にない場合には．この考察はあてはまらない。

電荷発生層と電荷移送層の各々は真空沈着または浴剤コ
ーティングによって施用することができ７−）。溶剤コ
ーティングをこれらの層のいずれかあろい１ますべてに
対して用いろときには．適当な皮膜形成性の重合状結合
剤物質音用いろことができろ。この結合剤物質は５それ
がもし電気的絶縁材料であるならば．その要素へ電気絶
縁特性全方えるのに役立つ。それはまた、（烏）層を塗
布し．（ｂ）その層全隣接層へ接着させそして（Ｃ）そ
れがトップ層であるときには滑らかで清浄化し易く耐磨
耗性の表面全提供する際に有用である皮喚形成性物仙と
しても役立つ。

重合状結合剤物質全電荷発生層または電荷移送層のいず
れかに用いる場合には．電荷発生物質またｔ１市，荷移
送物袈ど結合剤物質との最適比は採用する特定の重合状
結合剤と特定の電荷移送物質に応じて広く変り得ろ。一
般的には，結合剤物質を用いろときには．層内に含まれ
ろ活性の電荷発生物質またシュ電荷移送物質の量が層の
乾燥重量全基準として５から９０屯綾チの範囲で変動ｊ
る場合に，有用な結果が得らねろ。

電荷発生層および電荷移送層の中で結合剤として用い曲
ろ代表的物Ｊηを一部列記すれば，スチレン−ブタジェ
ンコポリマー；ポリビニルトルエン−スチレンコポリマ
ー；スチレンーアルギッド樹脂；シリコーンーアルキン
ド樹脂；大豆油ー了ルキンド樹脂゛；塩化ビニリデン−
塩化ビニルコポリマー：ポリ（塩化ビニリチン）：塩化
ビニリデン−了りリロニトリルコポリマー；酢酸ビニル
−塩化ビニルコボＩ）マー；ポリ（ビニルブチラール）
のようなポリ（ビニルアセテート）；硝酸化ポリスチレ
ン；ポリメチルスチレン；イノブチレンボリマー：ポリ
〔エチレン−コアルキレンビス（アルキレンオキシアリ
ール〕フェニレ／ジカルボキシレート〕のようなポリエ
ステル；フェノールホルムアルデヒド（釣月旨；ケトン
位ｊ月旨：ポリアミド；ポリカーボネート、ポリチオカ
ーボネート：ボリ〔エチレンーコーイソプロヒリテン−
２，２−ビス（エチレンオキシフェニレン〕テレフタレ
ート〕；ポリ（ビニル−ｍ−プロモペンゾエートーコー
ビニルアセテート〕のようなビニルハロアクリレートト
ビニルアセテートのコポリマー；および塩素化ポリ（エ
チレン）のような塩素化ポリ（オレフィン）；のような
がなり高い絶縁破壊強度と良好な電気絶縁性をもつ皮膜
形成性の重合状物質が含まれる。

一般的にいえば、芳香族基または複累疎基を含むポリマ
ーに、それらはその複素環基または芳香族基のために層
中の′串、荷キャリアの移送をほとんどまたは全く妨害
する傾向を持たないので、結剤：剤物質として最も有効
であることが発見されたのである。ｐ−型電荷移送層に
おいて刊、に有用であるａ素環または芳香族含有ポリマ
ーは、スチレン含有ポリマー、ビスフェノールＡポリカ
ーボネートポリマー、フェノールホルムアルデヒドａＪ
　脂−ポリ〔エチレンーコーイソグロビリデン−２，２
−ビス（エチレンオキシ−フェニレン）〕−テレフタレ
ートのようなポリエステル、および５ポリ（ビニル−ｍ
−プロモベンゾエートーコービニル了セテート）のよう
なビニルハロ了クリレートとビニルアセテートのコポリ
マー、全含む。

電荷発生層および電荷移送層はまた層の各種の物理的性
質を増強また１１改善する。均展剤、界面活性剤、およ
び可塑剤のような、その他の補助剤？含むこともできろ
。さらに、要素の電子写真的応答を修正する各種補助剤
も電荷移送層の中に組入れることもできる。例えば、あ
る種のホール捕捉剤およびある稠の易酸化性染料のよう
な各種のコントラスト調節物質を電荷移送層の中に組入
れることができろ。各種のこのようなコントラスト賜１
節物９はＲｅ５ｅａｒｃｈ　Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｐ、　
＋　１２２巻・６月、１９７４年、　ｐ、　５５におい
て［有機質光導電。

体組成物および要素ておけろコントラスト調節用添加物
」と題する論文の中に記載されている。

電荷発生層または電荷移送層が溶剤コートされるときに
シュ１層の成分を適当な液体の中で、結合剤を用いろ場
合に瞥まそれと上述の仙の補助剤ど一緒に、溶剤または
分散させる。有用な液体はベンゼン、ナフタレン、トル
エン、キシレンｉおよびメシチレンのような芳香族炭化
水素：アセトンおよびブタノンのようなケトン：メチレ
ンクロライド、クロロホルムおよびエチレンクロライド
のようなハロゲン化炭化水素：エチルエーテルを含むエ
ーテルおよびテトラヒドロフランのような環状エーテル
；および上記のものの混合物：を含有っ溶剤コーティン
グ法に頼ってインジウムフクロシアニンをアモルファス
相からβ−相へ転化ｊ６ときには、溶剤はこの目的に適
当であると前記で規定したものの一つであるべきである
。

各種の電気伝導性支持体を本発明の要素におい゛　て用
いることができ１例えば１紙（２０％以上の関係湿度に
おけろ）ニアルミニウム−紙の積層体；アルミニウム陥
および亜鉛量のような金ｐＡ箭；アルミニウム、鋼、亜
鉛真鍮、および亜鉛引き板のような金楓板：紙あるいヲ
ユ慣用の写真フィルムベース例えばポリ（エチレンテレ
フタレート）、酢酸セルローズ−ポリスチレン、などの
上に被覆した銀、クロム、ニッケルおよびアルミニウム
のような蒸着金楓層；であ７−）。クロムおよびニッケ
ルのような４電性物質はそれで捜てつくられる電子写真
要素がそれのどちらの側からも真光され得ろように十分
な薄さの層として透明フィルム支持体上に真空沈着する
ことができろ。特に有用な導電性支持体はポリ（エチレ
ンテレフタレート）のような支持体物質をあろ拉１脂中
ｒ分散させた半導体を含む一つの導電層で以て被覆する
ことによってつくることができろ、電気的バリヤ層をも
つ、あるいはもたない１両方のこの柚の導電層（エトレ
ボイによる米国特許第６．２４５，８３３号に記載され
ている。その他の有用な導電層は少くども一つの保護無
機酸化物と６０から７０Ｍ量チの少（とも一つの４電性
金属との均密混合物から本質的に成る組成物１例えばラ
ッシュの米国特許第３．８８０．６５７号に記載されて
いる真空沈着サーメット導電層。

を含む。同様に、適当な纒軍、性コーティングは無水マ
レイン酸のカルボキシエステルラクトンのナトリウム塩
ど酢酸ビニルポリマーとからつくることができるっこの
ような種類の導電層およびそれらの最適調製法および用
法を丁ミンスクによる米国特許第５．００７，９０１号
、および第６，２６２．８０７号に開示されている。

要素の各種の層はこの導電性基板の上に直接抜枠するこ
とができる。ある場合には、この導電性基板の上ヘ一つ
または一つより多くの中間的下塗り層を使用して導電層
と上層の間の接着全改善しあるいは、デツサウエルの本
国特許第２，９４０．５４８号に記載されている通り、
上層と導電性基板の間で電気的バリヤ層として働かせろ
ことが望ましいかもしれない、このような下塗り層は、
もし使用す汐場合にを工１代表的には０．０１から５ミ
クロンの範囲の乾燥厚みをもつ、使用してよい代表的な
下塗り層物質は硝酸セルローズ、ポリエステル。

ボ°す（ビニルピロリドン）と酢酸ビニルとのコポリマ
ー、および、少くとも６０車量チの塩化ビニリデンを含
有する七ツマー類またはプレポリマー類の重合性ブレン
ドからつくられる二成分、三成分および四成分のポリマ
ーを含む塩化ビニリチン含有各種ポリマー、全含む。代
表的な塩化ビニリデン含有ポリマーの一部を挙げろと、
米国特許第３．１４５．４２１号において開示される通
りの、塩化ビニリチン−メチルメタクリレート−イタコ
ン酸ターポリマーが含まれろう使用し得る各種の塩化ビ
ニリデン含有ヒドロゾルターボリマーハ、米国特許誹ろ
、６４０，７０８号に開されている通りの、塩化ビニリ
デン、メチルアクリレート、アクリロニトリルおよびア
クリル酸のテトラポリマーを含む。

その他の有用ｔ［塩化ビニリチン含有コポリマーをｇＢ
列記すれば、ポリ（１＆化ビニリデン−メチルアクリレ
ート）・ポリ（塩化ビニリデン−アクロニトリル）およ
びポリ（塩化ビニリデン−アクリロニトリル−メチルア
クリレート）である。その他の有用な下塗り綴物１１エ
ナドーらの米国特許第３．５［’］１６０１号に記載の
いわゆるターゲルおよびナトーの米国特許第３．２２８
，７７０号に記載の塩化ビニリデンクーポリマーを含む
。

本発明の要素において使用し得る一つの特に有用な下塗
り層は、カルボキシル基のような酸含有基を含まない疎
水性のフィルム形成性ポリマーまたはコポリマーであっ
て、モノマー類およびプレポリマー類のブレンドからつ
くられ、これらモノマー類およびプレポリマー類は一つ
または一つより多くのエチレン性不飽和基を含む。この
柚の有用物質の一部を挙げろと上述のコポリマー類の多
くのものが含まれ、さらに、以下のポリマー：ポリビニ
ルピロリドンと酢酸ビニルとのコポリマーおよびポリ（
塩化ビニリデン−メチルメタクリレート）が挙げられる
。

光学的上塗り＃全本発明の要素において用いろことがで
きろ。例えば、表面硬度と耐梵耗註ヲ改善するために１
本発明の要素の表面層（ニ一つまたは一つより多（の電
気絶縁性有機ポリマー被覆。

あろいミニ電気絶縁性無機質被覆で以て被覆することが
できる。多数のこの種の被覆が当業においてよく知られ
ており、従ってそれについてのこれ以上の説明Ｉ１不必
要である５代我的なこの柚の有用被ｉｋ！例えばＲｅ５
ｅａｒｃｈ　Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ　、　ｌ’ｌｉ子写
真要素、物漬ど方法ｊ、１０９巻・ｐ、６５・　節■。

１９７５年５月・　に記載されている。

本発明の光導電要素はこの神の要素が当業において使用
されている方法と目的で使用することができろっそれら
は重子写真分野におけろ電子写真要素どして主用途を見
出すが、光導電要素を用いるその仙の分野１例えば太陽
電池分野においても使用できろつ 以下の実施例は本発明をさらに解説するものであろっ 製法　１゜ クロロインジウムクロロフタロシアニンの製造。

フタロニトリル（１６［］　］ｇ−、１．２５Ｍと無水
塩化インジウム（純度９９％、７０．４５’、　［Ｊ、
３２Ｍ）と’に５００ｍＡの三つロフラスコの中で紹合
せ、９索下で情拌しながら１時間１６５℃で加熱し。

フラスコは塩浴中に完全に浸漬していた。温度を次に１
時間にわたって２８５℃の最終温度へ上げた。生成物全
冷却して固化させ、乳鉢と乳棒で以て画枠し、次しこ室
温で２，４［）０μのトルエンと２．４００ｗＬｌのア
セトンの中でスラーリ゛−化させた。それを次に流出液
が無色になるまで（約２日）アセトンで以て抽出した。

生成物を６回２４０　［１αの蒸溜水で以て攪拌し１次
ＶＣ２４０ＯＮのアセトンで以てスラリー化し５次いで
真空浴中で１１４℃において一夜乾燥した。収量は１１
６．１’で５７優に等しい５分析値は次の通りであった
： １、　吸収スペクトル：第１図を見ようこの図において
、−”で標示の曲線は後述実施例１と同じく新たに昇華
させた物質についての吸収スペクトルであり、一方、“
、２”の標示の曲線は５秒間６００℃において焼鈍後の
物質についての吸収スペクトルである。

２、η量スペクトル分析 ４９９　　同定せす ５１４　　　Ｐｃ）ｌｚ ５４８　　　Ｇ　Ｉ　Ｐ　ｃ　）１２ ６６２　　　ＧｔＩｎＰｃ　　　−ＪＨビーク６９６　
　　ＧｔＬｎＧｔＰｃ ７　３　０　　　　　　ＣＩＩｎＣＺ２ＰＣ６、元素分
析Ｃ６工ｒ＋Ｃ；４　　　Ｐｃ　：（，６７） Ｃ，ＨＮ　　　　　Ｃ，ｔ １大４験イロζ　　５６．９　　　２．５　　　１　６
．７　　　　８．６計算値　５６．１　２，３　１６．
６８．６４、水分分析： ０２チ 製法　２ アセチルアセトネートインジウムフタロシアニンの製造 ５王２　Ｐ　（０，４０Ｍ　）　ノア　タｏ　二）　’
Ｊ　ル。

４土２Ｐ（０，１５Ｍ）のインジウムトリアセチルアセ
トネートおよび６０．８　ｖ　＜　０．４０　Ｍ　）＜
７）１：８−ジアザビシクロ（５，４，０］ウンデク−
７−エンｋ　２０　［１［１ｍεの乾燥エタノール金倉
むフラスコへ添加した。混合物を還流下で窒素雰囲気中
で２４時間加熱した。熱浴液を中程便気孔率の半熔融ガ
ラス漏斗全通して濾過したつ固体をエタノールで一回、
水で一回、スラリー化することによって洗滌し、ソック
スレー抽出器中でアセトンで以て。

流出液が無色になるまで抽出した。生成物を漏斗上に集
め１１４℃において一晩真空浴中で乾燥したつ生成物を
α−クロロナフタレンから再結晶した。再結晶から得た
固体をソックスレー抽出器中でアセトンで以て流出液が
無色になるまで抽出した。生成物を漏斗上に集め６０’
Ｇにおいて一晩真空浴中で乾燥して２５．！ｌの青色固
体（６５チ）が得られた。

Ｃ３□Ｈ２３Ｎ８０２　Ｉｎ　（７２６）　Ｋついて計
算した元素分析： Ｃ１６１，２；）］、３．２：Ｎ、１５．４；帆４．４
　；　Ｉｎ　、　１５．３゜実ｆｉｌｌ値ｖｘ、Ｇ、６
１．２；Ｈ，３，２，；Ｎ、１５．４；０，５．８；Ｉ
ｎ　、　１６．９゜ フィールドデソーブショ：／　（ｆｉｅｌｄ　ｄｅｓｏ
ｒｐｔｉｏｎ）旬量スペクトル分析によって測定した分
子量は７２６であった。

アセチルアセトキシ基に基づく赤外スペクトルにおけろ
特徴的バンドはＩＥ５）８０（１７７１−’および１５
１０ｃｍＫ現われる。

製法　ろ トリフェルシロキシインジウムフタロシアニンの製造 １ｙ−（土５８Ｘ１０　　Ｍ　）のアセチルアセトネー
トインジウムフタロシアニンと０．７６　（２，７６Ｘ
１０　　Ｍ）のトリフェニルシラノールとヲ５０ｒｕｇ
のトルエンを入れたフラスコへ添加し１反応混合物を還
流下で１７時間加熱したつこの熱反応混合物を中程度の
気孔率の半熔融ガラス漏斗を通して濾過しアセトンでス
ラリー化することによって洗滌した。生成物を１１４℃
において一晩真空浴中で乾燥して０．９５’の青色固体
７２チが得られた。

ツイールドブソープション質量スペクトル分析によって
測定した分子量は９０２であった。生成物の赤外スペク
トルｆ’１７００　ｃｍ−’　におけろバンドを含み、
これシま置換ベンゼン中のＣ−Ｈボンドの面外角の特徴
である。

製法　４ アセトキシインジウムフタロシアニンの製造１ｙ（１，
５４×１０−３Ｍ）のアセチルアセトネートインジウム
フタロシアニンを４８μの氷酢酸と２ｒｎｌの水とを入
れたフラスコへ添加した。反芯温合物を還流下で１７時
間加熱し熱い中に中程度の気孔率の半熔融ガラス漏斗を
通して加熱した。

この固体を、メタノールで以て１回、水で以て２回、最
後にメタノールで以て１回洗滌し、その後、真空浴中で
１１４°Ｃにおいて一晩乾燥した。

０．４５５’１４８％）の青白固体が得られた。フィー
ルドデソーブションη量スペクトル分析は分子量が６８
６であることを示し、アセトキシ基に特徴的の赤外スペ
クトル中のバンドｋｔ　１４　（１５ｔｙｎ−’におい
て見出された。

製法　５ 製造実例１と同様にしてつくった約２からろ・１のクロ
ロインジウムクロロフタロシアニンをタンタル坩堝（Ｒ
，Ｄ、マチス社、モデル５Ｍ−８）の中に入れ、真空沈
着装置（パリアン　バキュームエクイブメント　モデル
３１１７）の中に１６いた。

１０　ｃｒｎＸ　１０α×２αの中空アルミニウム板か
ら成る基板全坩堝の中心−に方に約１７ｍの距離で置い
た。基板を液体窒素で冷却した。坩堝と基板との間で坩
堝から約４Ｃｎ１の距離に位置させたシャッターを脱気
と初期加熱の間は閉ぢた状態に置いたっ約１５×１０−
５パスカルへ脱気後、坩堝全豹２００’Ｃへ加熱したつ
この温度において、クロロインジウムクロロフタロシア
ニン中に存在ｊ　７．　低温揮発性不純物は昇華してシ
ャッター表面で凝縮した。２０ｎ℃の′＃Ａ度’に５−
１０分間保持したつ（精製に必些とする正確な時間Ｉ１
主として坩堝寸法と被精製物惜の鼠に依存す７）５） 次に、坩堝の温度全豹５［１０−５２０℃へＦげた。こ
の温度に到達したどきに、シャッターを開けた。基板に
隣接して置いた石英結晶沈着速度モニター全クロロイン
ジウムクロロフタロシアニンの昇華？示すのに用いた。

５００−５２０℃において数分後、　１０−５０　ｎｍ
／ｓｅｃの沈着速度が観察さねた。沈着速度が約１ｎｍ
／秒へ低下するまで沈着全続行させた。坩堝を次に約１
００℃へ冷却させて真空を除いた。

クロロインジウムクロロフタロシアニンの厚い膜が沈着
基板上に得られた。この沈着物は鋭利な刃で以て基板か
らひきかくことによって外された。

実施例　１ インジウムフタロシアニンは焼鈍あるいは溶剤蒸気処理
によってβ−相へ転化することができろ。

本実施例は両枝法を解説するっ 三つの要素をつくったが、各々はニッケ／Ｌ／コーティ
ングのガラス基板、０．２μｍのクロロインジウムクロ
ロフタロシアニン電荷発生層、および１０、αｍの１．
１−ヒス（４−シーｐ−トＩＪルアミノフェニル）シク
ロヘキサン電荷移送層、からこの１１１で成る。電荷発
生層と電荷移送層の両層に２．６Ｘ１０　　ハスカルの
背景田カへ脱気した真空沈着装虐蒸発器の中でタンタル
坩堝から熱的に昇華された。ガラス基板を坩堝から２０
Ｃｒｎに置き。

両層の沈着中にわたって室温（２ろ℃）に保った。

両層は約１０　ｎｍ７秒の速度で沈仲され、坩堝シま電
荷発生層の沈着中１’；！　５５０℃の温度へそして電
荷移送層の沈着中ｊＸ２［１０°Ｃの温度へ加熱された
。

要素の製作中において、電荷発生層の各々は次の通りに
処理された： １、対照標準−電荷発生層は移送層沈着に先立って意図
的には加熱または溶剤＊経Ｖ行なわなかった。

２、溶剤転化−電荷発生層ケ移送層沈着に先立って室温
において６０分間ジクロロメタン蒸気へ曝露した。

６、熱的転化−市、荷発生層全移送層沈着に先立って空
気中で５秒間ろ００℃へ加熱した。

本発明の弗素の各４および対照標準の要素についてのポ
テンシャル放電測定の結果を第２図に示す。チーターは
コロナＭ’ｔｊｌ　（ｃｏｒｏｎａ　ｃｈｅｒｇｅｄ　
）７オトレセブターを５００ボルトから３００ボルトへ
数箱させろエネルギーＣエルグ／Ｃｒｎ２）ノ逆数トし
て定義されろゼログラフ感度として表現されている。

ごれらのデーターを観察すると。

１、　溶剤転化試料の感度の大きさは熱的転化試料と等
しく、そして対照標準より約２倍大きく。

２、対照標準と比較して、溶剤転化または熱的転化の試
料の作用スペクトルの長波長端が約６０ｎ−ｍだけ長波
長側へずれている。

ことを示している。

実施例　２ 本実施例ハインジウムフタロシ了ニンをβ−相へ転化す
る溶剤分散法の使用と重荷発生層および電荷移送層の両
者の溶剤コーティングを解説するものである。

重荷発生層 分散液調製 ジルコニウム　ビード　　　　　　　９０．０？ポリ力
−ボネート結合剤溶液　　　　２０．９ｇ−Ｃ下を見よ
） クロロインジウムクロロフタロシア　１．　［１８！ｆ
’ニン　（製造実施例５かも） メチレンクロライド　　　　　　　　　１４ｏ１シロキ
サン界面活性剤（１０％）０．０４５’−（Ｄ’Ｃ５１
０，ダウコーニング が除光） ポリカーボネート結合剤溶液 ５．２５９−　ビスフェノールＡポリカーボネート、ｎ
−＝２．７ １２０．０！ｉ’−メチレンクロライド７８．０ｙ−１
，１，２−）リクロロエタン電荷移送層 １．１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミ１５．ＯＶノフ
ェニル）シロキサン トリトリルアミン　　　　　　　　　　　１５０グレキ
サン１４５ポリカーボネート　　４５．０５４メチレｙ
クロライド　　　　　　　　４９３．２　？１、１．２
−　）リクロロエタン　　　　　５４．０５’シロギサ
ン界面活性剤（１０チ）　　　　　　０．６５’（ＤＣ
５１０，ダウコーニング が除光） ７ｈ荷発生層の調合物はペイント振とう機上で２時間情
拌しメチレンクロライドで以て６．５％固体へ次に稲沢
し、ｆＦ５過し、ポリ（エチレンテレフタレート）支持
体上で１．ｐｍの乾燥厚みを生ずるよう塗布した。

電荷移送層の調合物は１０μｍの乾燥厚みを生ずるよう
に電荷発生層上にコーティングした。実施例１と同様に
測定した要素のゼログラフ感度は第６図に示されている
。この物質が９００　ｎｍまで良好な感度を示している
ことが認められる。

実施例　６ 単一層物質どの比較 インジウムフタロシアニンの高感度は’ｌ　荷移送Ｉｖ
Ｋ電気的に隣接するβ−相の組合せで以てのみ得られろ
、これ全解説するために、クロロインジウムクロロフタ
ロシアニンの二つの１．ｎμｍ丁１の単一層の対照標準
要素をつくったっ対照標準１はその後の処理は行なわれ
なかった。対照標準２はジクロロメタン蒸気へ５秒間曝
露した。本発明による要素においては、０，２．ａｍの
クロロインジウムクロロフクロシアニン電荷発生層全ジ
クロロメタン蒸気へ１時間拍車し１次に１７μＩＴＩの
１．１−ビス（４−ジー１）−）リルアミノフェニル）
シクロヘキサンの移送層をその上へ真空昇華させた。各
々の要素ｔＳポリ（エチレンテレツクレート支持体上で
用いた。第１表ｆおいては、要素についてなされた一連
のポテンシャル放電測定の結果が総括されている。量子
効率は、電荷智塵が幾何学的キャパシタンスによる表面
電子に関係すると仮定して１表面市荷密度Ω減少と入射
光子束どの比として定色されろ、このように定義すると
、最大効率１工１である。ポテンシャル放電測定シボ８
１　Ｄ　ｎｍにおいて８　Ｘ　１０　’　Ｖ／ｃｍの％
５ｔμで以てなされたつ第　Ｉ　表 対照標準１　　なし　　　　　　　　　　　　　　１０
−４対照標準２　　なし　　　　　　　　　　　　　１
０−４本発明　　　１，１−ビス（４−ジーｐ−ｏ、ｓ
。

トリルアミノフェニル） シクロヘキサン 実施例　４ 他のフタロシアニンとの比較 一連の裂素全つくり、各々は異なるフタロシアニン市荀
発生層ケもっている。これらの要素は以下の諸層１１次
のｌ１ｌＦ＋序でもっていた二ニッケルコーティングを
、施こし、たポリ（エチレンテレフタレート）支持体、
ポリエステル　ブロッキング層。

０２μｍの電荷発生層、および１０μｍの電荷移送層。

電荷発生層は６５０℃の導度と２×１０−３パスカルの
背景圧力においてタンタル坩堝から昇華させた。以下に
規定するフタロシアニンの一つから成っていた。電荷移
送層はメチレンクロライドと１．１．’２−１リクロ口
エタンの溶剤混合物からコーティングされたビスフェノ
ールＡポリカーボネート中のトリーｐ−トリルアミンか
ら構成されていた。

これらの要素についてなされた帯布、暗減衰（Ｃｈａｒ
ｇｉｎｇ　ｄａｒｋ　ｄｅｃａｙ　）とゼログア７感光
度の測定結果が次に示される。

Ａ、帯電効率　を　はとんど示さない物質＝１、　　Ｓ
ｎ　−ＰＣ：約−１５０■へＭｔ　　暗放電、は１５■
／秒０ ２、　　Ａｇ　−Ｐｃ　ニー４０Ｖへ帯電。暗放電は７
０Ｖ／秒。

３、　　Ｆｅ　−Ｐｃ　：　　４０Ｖへ帝市、階数市し
２０■／秒。

４、　　Ｈ２Ｐ　ｃ　：　　１０　Ｖ以上に帯電され得
ない。

５、　　Ｎｉ　−Ｐｃ　：　−２Ｖ以上に帯電され得な
い。

Ｂ、良好な帯電効率　を　もつがきわめて高い暗放電速
度を示す物質： １、　　Ｚｎ−Ｐｃニー５００Ｖ　へ帯電、　階数ｔｔ
ｌ）　７　（Ｉ　Ｖ／秒っ２、　　Ｇｏ　−Ｐｃ　：　
−４ＤＯＶへ′＠獅′っ　暗放電νＸ４０Ｖ／秒っ３、
ＶＯ−Ｐｃニー５００Ｖへ帯電、　暗放電）Ｘ’；’Ｏ
ｖ／秒。

Ｃ１良好な帯電１効率・　低暗放電速度をもつが感光ａ
をほとんどもたない物質： １、　０ｒ−Ｐｃ　ニー５００Ｖへ帝璽ッ　　階数’Ｉ
＋ｚ５Ｖ／秒っほとんど感光性を示さず。

２、Ｍｎ−Ｐｃニー−５００ＶへＭｔｔ、　　暗放電ｔ
ｚ　２　Ｖ　／秒ｚ測定し得ろ感光性ケ示さず。

Ｄ０本発明の物質： 土　ＧＩＩｎ　−ＧＩＰｃ　：　　５００Ｖへ（４ｊ’
ｅｌ。暗放電は２Ｖ／秒。

すぐれた感光性を示す。

実施例　５ 移送層中の変動 本実施例においては、移送層中の一連の異なる化合物で
以て得られた結果が示されている。次の表において、露
光どはコロナ帯電した要素全５００ボルトから１００ボ
ルトへ放電するのに必要とされろ、エルグ／ｃｒｎ２で
の、エネルギーのこと奮いう。露光はすべて８１０　ｎ
ｍの励起波長で以て行なわれた。要素６を除いて、すべ
ての移送層は１．２−ジクロロメタンの浴液からコーテ
ィングを施こした。要素６の移送層１丁真空昇華によっ
たものである。すべての場合において、電荷発生層は実
施例１と同じ溶剤蒸気処理によってβ−相へ転化したク
ロロインジウムクロロフタロシアニンの０．２μｍの層
から成り立っていた。

１　１．１−ビス（４−ジーｐ−）リルアミ　　　Ｚ９
ノフェニル）シクロヘキｆｙ（３０％）：ビスフェノ−
ルーム−ポリカーボネー ト（７０％） ２　　トリーｐ−トリルアミン（６０％）：　　　１３
．０ビスフェノール−Ａ−ポリカーボネー ト（７０襲） ６　　トリフェニルアミン（５０％）：ビス７１５．４
フェノール−Ａ−ポリカーボネート （７０％） ４　　ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール’）　　　　１３
．７５　　４．４’−ベンジリデンビス（Ｎ、Ｎジエ　
２８．５チル−ｍ−）ルイジン）（ろＯチ）： ビスフェノ−ルーム−ポリカーボネー ト　（７０％） ６　１．１−ビス（４−ジーｐ−）リルアミ　　１６．
６ノフエニル）−シクロヘキサン これらの結果から、有用な移送層物質の広い選択が存在
し、従って移送層は倉口する用途に最適の物理的性個を
提供′１′るよう選ぶことができる。

実施例　６ 浴剤蒸気処理におけろ変動 本実施例をエゼログラフ感度の溶剤誘発的増強が多くの
溶剤によってなされ得ることを解説する。

第１表は８１０　ｎｍと８５　Ｑ　ｎｍの波長において
コロナ滞電した要素を５００ボルトから１００ボルトへ
放電、するのに必要とするゼログラフ画先（Ｅｘ）ｉ報
告している。すべての要素において。

電荷発生層は実施例１ど同じ真空昇華によってつくった
クロロインジウムクロロフタロシアニンの０．２μｍの
１−であつまた。溶剤蒸気＠露はすべて６０分間であっ
たっ浴剤蒸気曝露後に、１．１−ビス（４−ジ−ｐ−ト
リルアミノフェニル）シクロヘキサンの１０μｍの移送
層ラミ荷発生層の上へ真空沈着させたつ 第■表 １１．１．２−トリクロロエタン　　３．３　　　　　
５．０゜２　　トルエン　　　　　　　　　　　３．４
　　　　　３．４５　　１．２−ジ−クロロエタン　　
　４．５５゜０４　テトラヒドロフラン　　　　　４．
７　　　　４．４５　　クロロホルム　　　　　　　　
５．５　　　　　５．２６　非処理・対照標準　　　　
　１６．６　　　８７．０実施例　７ 浴剤処理時間の変動 溶剤蒸気曝露時間の長さは第１Ｖ表に示すように広く変
えることができる。これらの測定値シエテトラヒドロフ
ランで以て表に指摘した時間の間溶剤蒸気処理した実施
例６に記載の要素を用いて得たものである。

第　■　表 １　６０分　　　　４５　　　　４４ ２　３０分　　　　５．６　　　　　　φ、勇５　　１
５分　　　　　６７　　　　　６．２４　　５分　　　
　６゜５　　　　　４．０！１［１ 実施例　８ 溶剤転化の効果は電荷発生層の表面領域へ太いに限定さ
れろものと信じられているが、この効果は多数回の溶剤
曝露によって層の容積の中へひろがることができる。

クロロインジウムクロロフタロシアニン電荷発生層を含
む０１μｍのフィルム要素を実施例１に記載の方法を用
いて真空沈着によって形成させた。

このはじめの層を真空からとり出し、ジクロロメタン蒸
気に約５０分間かけた。この手順をさらに２回繰返して
、３枚の槓重ねた０、１μｍの層から成り各層の自由表
面が溶剤転化されてい６０．５μｍの厚さの電荷発生層
が得られた。１．１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノ
フェニル）シクロヘキサンの１７μｍの移送Ｎを次にこ
の多層エミッター構造の上に真空沈着させた。

この要素のポデンシャル放電測定の結果は次の通りであ
った： ピーク感度は８１０　ｎｍにおいて０．５０σ　／エル
グであった（２．０工ルグ／ｃｍの窯元に相当）、３９
００　ｎｍにおいては、相当する数値はそれぞれ０．１
５ｃｎＴ／エルグと７．０エルグ／ｃｒｎであった。

４、効果 インジウムフタロシアニンのβ−相から成る電荷発生層
を含む多層活性光導電要素は商い赤外感光度、商い帯電
効率、低い暗減衰５および高い景子効率の利点を示す。

【図面の簡単な説明】

第１図は製法１に、おいて得たクロロインジウムクロロ
フタロシアニンの昇華させたままのものとそれを焼鈍し
たものとの吸収スペクトルであろつ第２図は本発明の浴
剤転化法および熱的転化法を行った光導電要素のゼログ
ラフ感度を示す。 第６図は市、荷発生層と電荷移動層の両者を溶剤分散法
で以てつくった本発明の光導電曹素のゼログラフ感度を
示す。 特許出願人　　イーストマン・コダック・カンノくニー
（外４名） 図面の浄書（内容に変更なし） 范１口 ４００　　５００　　６００　　７００　　　θ００　
　９００ら冴＋　　（ｎｍ） 逍長　（ｎｍｊ −−（トーＯタフ（白ケ呼区、イし 幕３図 二反　　−ｆ＜　　　（ｎｍｊ 手　Ｆｉ′＋ｊｌｉ　　ｊＥ　　書（方式）昭和了？年
狛介願第　ρりρグ２３号 、肯・２１−スペ、７１−１し心’Ｘ　ＺＳ　ｈに名ｔ
　ｔ７ｊ　７１車件との関係　　出　願　人 住所 ノ、−′；ｒ−（ｒ７ρ７ノイーＺ／−？／、コス・）
・ρン／゛°ニー４代理人 ５袖ｉＥ命令のＦ］付　　昭和７ノ年λ月４日（発送日
）６補ｉＥの対象

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 電荷発生性の光導電体としてβ−相のインジウムフタロ
   シアニン顔料を含む多層式活性光害電性要素。