JPH06279703A - ヒドロキシインジウムフタロシアニンの新規結晶及びそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents
ヒドロキシインジウムフタロシアニンの新規結晶及びそれを用いた電子写真感光体Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ヒドロキシインジウムフタロシアニンの新規
結晶、及びそれを含有する電子写真感光体を提供する。 【構成】 Ｘ線回折図において、ブラッグ角（２θ±
０．２）の、６．９°、９．８°、１４．９°、１
６．３°、１９．８°、２５．４°、２６．６°及び２
８．１°又は、７．０°、１０．５°、１５．７°、
１６．２°、１９．２°、２４．５°及び２６．８°又
は、７．４°、１１．５°、１８．３°、２０．１
°、２３．７°、２７．３°、２８．３°及び２９．８
°又は、７．０°、１０．３°、及び１６．４°、又
は、７．３°、８．８°、１１．８°、１６．５°、
１７．６°、１８．４°、１８．９°１９．７°、２
０．５°、２３．１°、２５．３°、２５．７°及び３
０．１°又は、８．１°、８．４°、９．３°、１
０．０°、１５．６°、１７．５°、２２．５°及び２
３．４°に強い回折ピークを有するヒドロキシインジウ
ムフタロシアニンの新規結晶。
結晶、及びそれを含有する電子写真感光体を提供する。 【構成】 Ｘ線回折図において、ブラッグ角（２θ±
０．２）の、６．９°、９．８°、１４．９°、１
６．３°、１９．８°、２５．４°、２６．６°及び２
８．１°又は、７．０°、１０．５°、１５．７°、
１６．２°、１９．２°、２４．５°及び２６．８°又
は、７．４°、１１．５°、１８．３°、２０．１
°、２３．７°、２７．３°、２８．３°及び２９．８
°又は、７．０°、１０．３°、及び１６．４°、又
は、７．３°、８．８°、１１．８°、１６．５°、
１７．６°、１８．４°、１８．９°１９．７°、２
０．５°、２３．１°、２５．３°、２５．７°及び３
０．１°又は、８．１°、８．４°、９．３°、１
０．０°、１５．６°、１７．５°、２２．５°及び２
３．４°に強い回折ピークを有するヒドロキシインジウ
ムフタロシアニンの新規結晶。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光導電材料として有用
なヒドロキシインジウムフタロシアニンの新規な結晶及
びそれを用いた電子写真感光体に関する。
なヒドロキシインジウムフタロシアニンの新規な結晶及
びそれを用いた電子写真感光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】フタロシアニンは、塗料、印刷インキ、
触媒或いは電子材料として有用な材料であり、特に近年
電子写真感光体用材料、光記録用材料及び光電変換材料
として広範に検討がなされている。電子写真感光体につ
いてみると、近年、従来提案された有機光導材料の感光
波長域を、近赤外線の半導体レーザーの波長（７８０〜
８３０nm）にまで伸ばし、レーザープリンター等のデジ
タル記録用の感光体として使用することの要求が高まっ
ており、この観点から、スクエアリリウム化合物（特開
昭４９−１０５５３６号及び同５８−２１４１６号公
報）、トリフェニルアミン系トリスアゾ化合物（特開昭
６１−１５１６５９号公報）、フタロシアニン化合物
（特開昭４８−３４１８９号及び同５７−１４８７４５
号公報）等が、半導体レーザー用の光導材料として提案
されている。
触媒或いは電子材料として有用な材料であり、特に近年
電子写真感光体用材料、光記録用材料及び光電変換材料
として広範に検討がなされている。電子写真感光体につ
いてみると、近年、従来提案された有機光導材料の感光
波長域を、近赤外線の半導体レーザーの波長（７８０〜
８３０nm）にまで伸ばし、レーザープリンター等のデジ
タル記録用の感光体として使用することの要求が高まっ
ており、この観点から、スクエアリリウム化合物（特開
昭４９−１０５５３６号及び同５８−２１４１６号公
報）、トリフェニルアミン系トリスアゾ化合物（特開昭
６１−１５１６５９号公報）、フタロシアニン化合物
（特開昭４８−３４１８９号及び同５７−１４８７４５
号公報）等が、半導体レーザー用の光導材料として提案
されている。
【０００３】半導体レーザー用の感光材料として、有機
光導電材料を使用する場合は、まず、感光波長域が長波
長まで伸びていること、次に、形成される感光体の感
度、耐久性がよいことなどが要求される。前記の有機光
導電材料は、これ等の諸条件を十分に満足するものでは
ない。これ等の欠点を克服するために、前記の有機光導
電材料について、結晶型と電子写真特性の関係が検討さ
れており、特にフタロシアニン化合物については多くの
報告が出されている。
光導電材料を使用する場合は、まず、感光波長域が長波
長まで伸びていること、次に、形成される感光体の感
度、耐久性がよいことなどが要求される。前記の有機光
導電材料は、これ等の諸条件を十分に満足するものでは
ない。これ等の欠点を克服するために、前記の有機光導
電材料について、結晶型と電子写真特性の関係が検討さ
れており、特にフタロシアニン化合物については多くの
報告が出されている。
【０００４】一般に、フタロシアニン化合物は、製造方
法、処理方法の違いにより、幾つかの結晶型を示し、こ
の結晶型の違いは、フタロシアニン化合物の光電変換特
性に多きな影響を及ぼすことが知られている。フタロシ
アニン化合物の結晶型については、例えば、銅フタロシ
アニンについてみると、安定系のβ型以外に、α、π、
χ、ρ、γ、δ等の結晶型が知られており、これ等の結
晶型は、機械的歪力、硫酸処理、有機溶剤処理及び熱処
理等により、相互に転移が可能であることが知られてい
る（例えば米国特許第２，７７０，０２９号、同第３，
１００，８８５号、同第３，７０８，２９２号及び同
３，３５７，９８９号明細書）。また、特開昭５０−３
８５４３号公報には、銅フタロシアニンの結晶型の違い
と電子写真特性について記載されている。
法、処理方法の違いにより、幾つかの結晶型を示し、こ
の結晶型の違いは、フタロシアニン化合物の光電変換特
性に多きな影響を及ぼすことが知られている。フタロシ
アニン化合物の結晶型については、例えば、銅フタロシ
アニンについてみると、安定系のβ型以外に、α、π、
χ、ρ、γ、δ等の結晶型が知られており、これ等の結
晶型は、機械的歪力、硫酸処理、有機溶剤処理及び熱処
理等により、相互に転移が可能であることが知られてい
る（例えば米国特許第２，７７０，０２９号、同第３，
１００，８８５号、同第３，７０８，２９２号及び同
３，３５７，９８９号明細書）。また、特開昭５０−３
８５４３号公報には、銅フタロシアニンの結晶型の違い
と電子写真特性について記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来提案されているフタロシアニン化合物は、感光材
料として使用した場合の光感度と耐久性の点が、未だ十
分満足のいくものではなく、新たに感光材料として使用
できるフタロシアニン化合物の開発が望まれている。
た従来提案されているフタロシアニン化合物は、感光材
料として使用した場合の光感度と耐久性の点が、未だ十
分満足のいくものではなく、新たに感光材料として使用
できるフタロシアニン化合物の開発が望まれている。
【０００６】本発明は、従来の技術における上記のよう
な実状に鑑みてなされたものである。 すなわち、本発
明の目的は、ヒドロキシインジウムフタロシアニンの新
規な結晶を提供することにある。また、本発明の他の目
的は、ヒドロキシインジウムフタロシアニンを含有する
感光層を設けてなる電子写真感光体を提供することにあ
る。
な実状に鑑みてなされたものである。 すなわち、本発
明の目的は、ヒドロキシインジウムフタロシアニンの新
規な結晶を提供することにある。また、本発明の他の目
的は、ヒドロキシインジウムフタロシアニンを含有する
感光層を設けてなる電子写真感光体を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、検討の結
果、合成によって得られれたヒドロキシインジウムフタ
ロシアニンに簡単な処理を施すことによって、光導電材
料として高い感度と耐久性を有する非晶質あるいは新規
な結晶が得られることを見いだし、本発明を完成するに
至った。
果、合成によって得られれたヒドロキシインジウムフタ
ロシアニンに簡単な処理を施すことによって、光導電材
料として高い感度と耐久性を有する非晶質あるいは新規
な結晶が得られることを見いだし、本発明を完成するに
至った。
【０００８】すなわち、本発明の第１のヒドロキシイン
ジウムフタロシアニン結晶は、Ｘ線回折図において、ブ
ラッグ角（２θ±０．２）の６．９°、９．８°、１
４．９°、１６．３°、１９．８°、２５．４°、２
６．６°及び２８．１°に強い回折ピークを有すること
を特徴とする。本発明の第２のヒドロキシインジウムフ
タロシアニン結晶は、Ｘ線回折図において、ブラッグ角
（２θ±０．２）の７．０°、１０．５°、１５．７
°、１６．２°、１９．２°、２４．５°及び２６．８
°に強い回折ピークを有することを特徴とする。本発明
の第３のヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶は、
Ｘ線回折図において、ブラッグ角（２θ±０．２）の
７．４°、１１．５°、１８．３°、２０．１°、２
３．７°、２７．３°、２８．３°及び２９．８°に強
い回折ピークを有することを特徴とする。本発明の第４
のヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶は、Ｘ線回
折図において、ブラッグ角（２θ±０．２）の７．０
°、１０．３°、及び１６．４°に強い回折ピークを有
することを特徴とする。本発明の第５のヒドロキシイン
ジウムフタロシアニン結晶は、Ｘ線回折図において、ブ
ラッグ角（２θ±０．２）の７．３°、８．８°、１
１．８°、１６．５°、１７．６°、１８．４°、１
８．９°１９．７°、２０．５°、２３．１°、２５．
３°、２５．７°及び３０．１°に強い回折ピークを有
することを特徴とする。本発明の第６のヒドロキシイン
ジウムフタロシアニン結晶は、Ｘ線回折図において、ブ
ラッグ角（２θ±０．２）の８．１°、８．４°、９．
３°、１０．０°、１５．６°、１７．５°、２２．５
°及び２３．４°に強い回折ピークを有することを特徴
とする。更に、本発明の電子写真感光体は、導電性支持
体上に、非晶質若しくは上記第１〜６のヒドロキシイン
ジウムフタロシアニン結晶の少なくとも１種以上を含有
する感光層を設けてなることを特徴とする。
ジウムフタロシアニン結晶は、Ｘ線回折図において、ブ
ラッグ角（２θ±０．２）の６．９°、９．８°、１
４．９°、１６．３°、１９．８°、２５．４°、２
６．６°及び２８．１°に強い回折ピークを有すること
を特徴とする。本発明の第２のヒドロキシインジウムフ
タロシアニン結晶は、Ｘ線回折図において、ブラッグ角
（２θ±０．２）の７．０°、１０．５°、１５．７
°、１６．２°、１９．２°、２４．５°及び２６．８
°に強い回折ピークを有することを特徴とする。本発明
の第３のヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶は、
Ｘ線回折図において、ブラッグ角（２θ±０．２）の
７．４°、１１．５°、１８．３°、２０．１°、２
３．７°、２７．３°、２８．３°及び２９．８°に強
い回折ピークを有することを特徴とする。本発明の第４
のヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶は、Ｘ線回
折図において、ブラッグ角（２θ±０．２）の７．０
°、１０．３°、及び１６．４°に強い回折ピークを有
することを特徴とする。本発明の第５のヒドロキシイン
ジウムフタロシアニン結晶は、Ｘ線回折図において、ブ
ラッグ角（２θ±０．２）の７．３°、８．８°、１
１．８°、１６．５°、１７．６°、１８．４°、１
８．９°１９．７°、２０．５°、２３．１°、２５．
３°、２５．７°及び３０．１°に強い回折ピークを有
することを特徴とする。本発明の第６のヒドロキシイン
ジウムフタロシアニン結晶は、Ｘ線回折図において、ブ
ラッグ角（２θ±０．２）の８．１°、８．４°、９．
３°、１０．０°、１５．６°、１７．５°、２２．５
°及び２３．４°に強い回折ピークを有することを特徴
とする。更に、本発明の電子写真感光体は、導電性支持
体上に、非晶質若しくは上記第１〜６のヒドロキシイン
ジウムフタロシアニン結晶の少なくとも１種以上を含有
する感光層を設けてなることを特徴とする。
【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
上記第１ないし第６のヒドロキシインジウムフタロシア
ニン結晶は、新規な結晶型を有するものである。図１な
いし図９は、それらのヒドロキシインジウムフタロシア
ニン結晶のＸ線回折図であって、図１、図３及び図９
は、第１のヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶、
図４は第２のヒドロキシインジウムフタロシアニン結
晶、図５は第３のヒドロキシインジウムフタロシアニン
結晶、図６は第４のヒドロキシインジウムフタロシアニ
ン結晶、図７は第５のヒドロキシインジウムフタロシア
ニン結晶、図８は第６のヒドロキシインジウムフタロシ
アニン結晶についてのものである。
上記第１ないし第６のヒドロキシインジウムフタロシア
ニン結晶は、新規な結晶型を有するものである。図１な
いし図９は、それらのヒドロキシインジウムフタロシア
ニン結晶のＸ線回折図であって、図１、図３及び図９
は、第１のヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶、
図４は第２のヒドロキシインジウムフタロシアニン結
晶、図５は第３のヒドロキシインジウムフタロシアニン
結晶、図６は第４のヒドロキシインジウムフタロシアニ
ン結晶、図７は第５のヒドロキシインジウムフタロシア
ニン結晶、図８は第６のヒドロキシインジウムフタロシ
アニン結晶についてのものである。
【００１０】これ等の新規なヒドロキシインジウムフタ
ロシアニン結晶は、次のようにして製造することができ
る。まず、例えば、クロルインジウムフタロシアニンを
酸またはアルカリ性溶液中で加水分解またはアシッドペ
ーステイングを行い、ヒドロキシインジウムフタロシア
ニンを合成し、得られた合成ヒドロキシインジウムフタ
ロシアニンを、溶剤処理を行うか、また、合成によって
得られたヒドロキシインジウムフタロシアニンを非晶化
及び粉砕処理した後、溶剤処理を行うか、或いは、合成
によって得られたヒドロキシインジウムフタロシアニン
を溶剤と共にボールミル等によって湿式粉砕処理を行
い、結晶変換することにより製造することができる。
ロシアニン結晶は、次のようにして製造することができ
る。まず、例えば、クロルインジウムフタロシアニンを
酸またはアルカリ性溶液中で加水分解またはアシッドペ
ーステイングを行い、ヒドロキシインジウムフタロシア
ニンを合成し、得られた合成ヒドロキシインジウムフタ
ロシアニンを、溶剤処理を行うか、また、合成によって
得られたヒドロキシインジウムフタロシアニンを非晶化
及び粉砕処理した後、溶剤処理を行うか、或いは、合成
によって得られたヒドロキシインジウムフタロシアニン
を溶剤と共にボールミル等によって湿式粉砕処理を行
い、結晶変換することにより製造することができる。
【００１１】上記個々反応において使用される溶剤は、
ごく一般的な溶剤であり、例えば、芳香族系溶媒（トル
エン、クロルベンゼン等）、ハロゲン化炭化水素（ジク
ロルメタン等）、アミド類（ＤＭＦ、ＮＭＰ等）、グリ
コール類（エチレングリコール、グリセリン、ポリエチ
レングリコール等）、アルコール類（メタノール、エタ
ノール等）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン
等）、スルホキシド類（ジメチルスルホキシド等）、有
機アミン類（ピリジン、ピペリジン等）、酢酸エステル
類（酢酸エチル、酢酸ブチル等）及びエーテル類（ＴＨ
Ｆ、ジオキサン等）、更には数種の混合系、水とこれ等
の有機溶媒の混合系などであり、フタロシアニン１に対
し、１〜２００好ましくは１０〜１００が用いられる。
ごく一般的な溶剤であり、例えば、芳香族系溶媒（トル
エン、クロルベンゼン等）、ハロゲン化炭化水素（ジク
ロルメタン等）、アミド類（ＤＭＦ、ＮＭＰ等）、グリ
コール類（エチレングリコール、グリセリン、ポリエチ
レングリコール等）、アルコール類（メタノール、エタ
ノール等）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン
等）、スルホキシド類（ジメチルスルホキシド等）、有
機アミン類（ピリジン、ピペリジン等）、酢酸エステル
類（酢酸エチル、酢酸ブチル等）及びエーテル類（ＴＨ
Ｆ、ジオキサン等）、更には数種の混合系、水とこれ等
の有機溶媒の混合系などであり、フタロシアニン１に対
し、１〜２００好ましくは１０〜１００が用いられる。
【００１２】次に、上記のヒドロキシインジウムフタロ
シアニン結晶を感光層における光導電材料として使用し
た電子写真感光体について説明する。本発明の電子写真
感光体において、感光層は、単層よりなるものであって
も、また、電荷発生層と電荷輸送層よりなる積層型構成
を有するものであってもよい。本発明の電子写真感光体
が、積層型構造を有する場合ににおいて、電荷発生層
は、上記ヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶及び
結着樹脂から構成される。
シアニン結晶を感光層における光導電材料として使用し
た電子写真感光体について説明する。本発明の電子写真
感光体において、感光層は、単層よりなるものであって
も、また、電荷発生層と電荷輸送層よりなる積層型構成
を有するものであってもよい。本発明の電子写真感光体
が、積層型構造を有する場合ににおいて、電荷発生層
は、上記ヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶及び
結着樹脂から構成される。
【００１３】結着樹脂は、広範な絶縁性樹脂から選択す
ることができ、また、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、
ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン等の有機光
導電性ポリマーから選択することもできる。好ましい結
着樹脂としては、ポリビニルブチラール、ポリアリレー
ト（ビスフェノールＡとフタル酸の重縮合体等）、ポリ
カーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、アクリル
樹脂、ポリアクリルアミド、ポリアミド、ポリビニルピ
リジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹
脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロ
リドン等の絶縁性樹脂をあげることができる。
ることができ、また、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、
ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン等の有機光
導電性ポリマーから選択することもできる。好ましい結
着樹脂としては、ポリビニルブチラール、ポリアリレー
ト（ビスフェノールＡとフタル酸の重縮合体等）、ポリ
カーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、アクリル
樹脂、ポリアクリルアミド、ポリアミド、ポリビニルピ
リジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹
脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロ
リドン等の絶縁性樹脂をあげることができる。
【００１４】電荷発生層は、上記結着樹脂を有機溶剤に
溶解した溶液に、上記ヒドロキシインジウムフタロシア
ニン結晶を分散させて塗布液を調製し、それを導電性支
持体の上に塗布することによって形成することができ
る。その場合、使用するヒドロキシインジウムフタロシ
アニン結晶と結着樹脂との配合比（重量）は、４０：１
〜１：１０、好ましくは１０：１〜１：４である。ヒド
ロキシインジウムフタロシアニン結晶の比率が高すぎる
場合には、塗布液の安定性が低下し、低すぎる場合に
は、感度が低下するので、上記範囲に設定するのが好ま
しい。使用する溶剤としては、下層を溶解しないものか
ら選択するのが好ましい。具体的な有機溶剤としては、
メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコ
ール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサ
ノン等のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチル
スルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エ
チレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類、
酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、クロロホル
ム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、ト
リクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素、ベン
ゼン、トルエン、ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素
等を用いることができる。
溶解した溶液に、上記ヒドロキシインジウムフタロシア
ニン結晶を分散させて塗布液を調製し、それを導電性支
持体の上に塗布することによって形成することができ
る。その場合、使用するヒドロキシインジウムフタロシ
アニン結晶と結着樹脂との配合比（重量）は、４０：１
〜１：１０、好ましくは１０：１〜１：４である。ヒド
ロキシインジウムフタロシアニン結晶の比率が高すぎる
場合には、塗布液の安定性が低下し、低すぎる場合に
は、感度が低下するので、上記範囲に設定するのが好ま
しい。使用する溶剤としては、下層を溶解しないものか
ら選択するのが好ましい。具体的な有機溶剤としては、
メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコ
ール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサ
ノン等のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチル
スルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エ
チレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類、
酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、クロロホル
ム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、ト
リクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素、ベン
ゼン、トルエン、ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素
等を用いることができる。
【００１５】塗布液の塗布は、浸漬コーティング法、ス
プレーコーティング法、スピナーコーティング法、ビー
ドコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、ブレ
ードコーティング法、ローラーコーティング法、カーテ
ンコーティング法等のコーティング法を用いることがで
きる。また、乾燥は、室温における指触乾燥後、加熱乾
燥する方法が好ましい。加熱乾燥は、３０〜２００℃の
温度で５分〜２時間の範囲で静止又は送風下で行うこと
ができる。また、電荷発生層の膜厚は、通常、０．０５
〜５μｍ程度になるように塗布される。
プレーコーティング法、スピナーコーティング法、ビー
ドコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、ブレ
ードコーティング法、ローラーコーティング法、カーテ
ンコーティング法等のコーティング法を用いることがで
きる。また、乾燥は、室温における指触乾燥後、加熱乾
燥する方法が好ましい。加熱乾燥は、３０〜２００℃の
温度で５分〜２時間の範囲で静止又は送風下で行うこと
ができる。また、電荷発生層の膜厚は、通常、０．０５
〜５μｍ程度になるように塗布される。
【００１６】電荷輸送層は、電荷輸送材料及び結着樹脂
より構成される。電荷輸送材料としては、例えばアント
ラセン、ピレン、フェナントレン等の多環芳香族化合
物、インドール、カルバゾール、イミダゾール等の含窒
素複素環を有する化合物、ピラゾリン化合物、ヒドラゾ
ン化合物、トリフェニルメタン化合物、トリフェニルア
ミン化合物、エナシン化合物、スチルベン化合物等、公
知のものならば如何なるものでも使用することができ
る。更にまた、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ハロゲ
ン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアント
ラセン、ポリ−Ｎ−ビニルフェニルアントラセン、ポリ
ビニルピレン、ポリビニルアクリジン、ポリビニルアセ
ナフチレン、ポリグリシジカルバゾール、ピレンホルム
アルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド
樹脂等の光導電性ポリマーがあげられ、これ等はそれ自
体で層を形成してもよい。また、結着樹脂としては、上
記した電荷発生層に使用されるものと同様な絶縁性樹脂
が使用できる。
より構成される。電荷輸送材料としては、例えばアント
ラセン、ピレン、フェナントレン等の多環芳香族化合
物、インドール、カルバゾール、イミダゾール等の含窒
素複素環を有する化合物、ピラゾリン化合物、ヒドラゾ
ン化合物、トリフェニルメタン化合物、トリフェニルア
ミン化合物、エナシン化合物、スチルベン化合物等、公
知のものならば如何なるものでも使用することができ
る。更にまた、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ハロゲ
ン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアント
ラセン、ポリ−Ｎ−ビニルフェニルアントラセン、ポリ
ビニルピレン、ポリビニルアクリジン、ポリビニルアセ
ナフチレン、ポリグリシジカルバゾール、ピレンホルム
アルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド
樹脂等の光導電性ポリマーがあげられ、これ等はそれ自
体で層を形成してもよい。また、結着樹脂としては、上
記した電荷発生層に使用されるものと同様な絶縁性樹脂
が使用できる。
【００１７】電荷輸送層は、上記電荷輸送材料と結着樹
脂及び上記と同様な下層を溶解しない有機溶剤とを用い
て塗布液を調製した後、同様に塗布して形成することが
できる。電荷輸送材料と結着樹脂との配合比（重量部）
は、通常５：１〜１：５の範囲で設定される。また、電
荷輸送層の膜厚は、通常５〜５０μｍ程度に設定され
る。
脂及び上記と同様な下層を溶解しない有機溶剤とを用い
て塗布液を調製した後、同様に塗布して形成することが
できる。電荷輸送材料と結着樹脂との配合比（重量部）
は、通常５：１〜１：５の範囲で設定される。また、電
荷輸送層の膜厚は、通常５〜５０μｍ程度に設定され
る。
【００１８】電子写真感光体が、単層構造を有する場合
においては、感光層は上記のヒドロキシインジウムフタ
ロシアニン結晶が電荷輸送材料及び結着樹脂よりなる層
に分散された構成を有する光導電層よりなる。その場
合、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比（重量）は、
１：２０〜５：１、ヒドロキシインジウムフタロシアニ
ン結晶と電荷輸送材料との配合比（重量）は、１：１０
〜１０：１程度に設定するのが好ましい。電荷輸送材料
及び結着樹脂は、上記と同様なものが使用され、上記と
同様にして光導電層が形成される。
においては、感光層は上記のヒドロキシインジウムフタ
ロシアニン結晶が電荷輸送材料及び結着樹脂よりなる層
に分散された構成を有する光導電層よりなる。その場
合、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比（重量）は、
１：２０〜５：１、ヒドロキシインジウムフタロシアニ
ン結晶と電荷輸送材料との配合比（重量）は、１：１０
〜１０：１程度に設定するのが好ましい。電荷輸送材料
及び結着樹脂は、上記と同様なものが使用され、上記と
同様にして光導電層が形成される。
【００１９】導電性支持体としては、電子写真感光体と
して使用することが公知のものならば、如何なるもので
も使用することができる。本発明において、導電性支持
体上に下引き層が設けられてもよい。下引き層は、導電
性支持体からの不必要な電荷の注入を阻止するために有
効であり、感光層の帯電性を高める作用がある。さら
に、感光層と導電性支持体との密着性を高める作用もあ
る。下引き層を構成する材料としては、ポリビニルアル
コール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン、
セルロースエーテル類、セルロースエステル類、ポリア
ミド、ポリウレタン、カゼイン、ゼラチン、ポリグルタ
ミン酸、澱粉、スターチアセテート、アミノ澱粉、ポリ
アクリル酸、ポリアクリルアミド、ジルコニウムキレー
ト化合物、ジルコニウムアルコキシド化合物、有機ジル
コニルアルコキシド化合物、有機チタニル化合物、シラ
ンカップリング剤等があげられる。下引き層の膜厚は、
０．０５〜２μｍ程度に設定するのが好ましい。
して使用することが公知のものならば、如何なるもので
も使用することができる。本発明において、導電性支持
体上に下引き層が設けられてもよい。下引き層は、導電
性支持体からの不必要な電荷の注入を阻止するために有
効であり、感光層の帯電性を高める作用がある。さら
に、感光層と導電性支持体との密着性を高める作用もあ
る。下引き層を構成する材料としては、ポリビニルアル
コール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン、
セルロースエーテル類、セルロースエステル類、ポリア
ミド、ポリウレタン、カゼイン、ゼラチン、ポリグルタ
ミン酸、澱粉、スターチアセテート、アミノ澱粉、ポリ
アクリル酸、ポリアクリルアミド、ジルコニウムキレー
ト化合物、ジルコニウムアルコキシド化合物、有機ジル
コニルアルコキシド化合物、有機チタニル化合物、シラ
ンカップリング剤等があげられる。下引き層の膜厚は、
０．０５〜２μｍ程度に設定するのが好ましい。
【００２０】
【実施例】以下、実施例によって本発明を説明する。な
お、実施例及び比較例において特に記載がない限り、
「部」は、重量部を意味する。 （ヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶及びその非
晶質体の合成例）１，３−ジイミノイソインドリン３０
部、３塩化インジウム１１．４部をキノリン２３０部中
に入れ、２００℃において３時間反応させた後、生成物
を濾過し、アセトン、メタノールで洗浄した後乾燥し、
クロルインジウムフタロシアニン結晶２９部を得た。得
られたクロルインジウムフタロシアニン結晶３部を水酸
化ナトリウム１．５部、ピリジン１８部、蒸留水７０部
の混合液中に加え、３０時間加熱還流する。結晶を濾過
し、蒸留水で洗浄後乾燥し、１．８部のヒドロキシイン
ジウムフタロシアニン結晶を得た。その粉末Ｘ線回折図
を図１に示す。この結晶を自動乳鉢にて、６時間粉砕
し、非晶質のヒドロキシインジウムフタロシアニンを得
た。その粉末Ｘ線回折図を図２に示す。
お、実施例及び比較例において特に記載がない限り、
「部」は、重量部を意味する。 （ヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶及びその非
晶質体の合成例）１，３−ジイミノイソインドリン３０
部、３塩化インジウム１１．４部をキノリン２３０部中
に入れ、２００℃において３時間反応させた後、生成物
を濾過し、アセトン、メタノールで洗浄した後乾燥し、
クロルインジウムフタロシアニン結晶２９部を得た。得
られたクロルインジウムフタロシアニン結晶３部を水酸
化ナトリウム１．５部、ピリジン１８部、蒸留水７０部
の混合液中に加え、３０時間加熱還流する。結晶を濾過
し、蒸留水で洗浄後乾燥し、１．８部のヒドロキシイン
ジウムフタロシアニン結晶を得た。その粉末Ｘ線回折図
を図１に示す。この結晶を自動乳鉢にて、６時間粉砕
し、非晶質のヒドロキシインジウムフタロシアニンを得
た。その粉末Ｘ線回折図を図２に示す。
【００２１】実施例１ 合成例で得られた非晶質ヒドロキシインジウムフタロシ
アニン結晶２．０部を水６０部、モノクロルベンゼン６
部の混合溶媒、１ｍｍφのガラスビーズ１２０部と共に
２４時間ボールミルなかで撹拌し、結晶をメタノールで
洗浄後、乾燥して、１．５部のヒドロキシインジウムフ
タロシアニン結晶を得た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を
図３に示す。
アニン結晶２．０部を水６０部、モノクロルベンゼン６
部の混合溶媒、１ｍｍφのガラスビーズ１２０部と共に
２４時間ボールミルなかで撹拌し、結晶をメタノールで
洗浄後、乾燥して、１．５部のヒドロキシインジウムフ
タロシアニン結晶を得た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を
図３に示す。
【００２２】実施例２ 合成例で得られた非晶質ヒドロキシインジウムフタロシ
アニン結晶２．０部とジクロルメタン６０部、１ｍｍφ
のガラスビーズ１２０部と共に２４時間ボールミルなか
で撹拌し、結晶をジクロルメタンで洗浄後、乾燥して、
１．５部のヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶を
得た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を図４に示す。
アニン結晶２．０部とジクロルメタン６０部、１ｍｍφ
のガラスビーズ１２０部と共に２４時間ボールミルなか
で撹拌し、結晶をジクロルメタンで洗浄後、乾燥して、
１．５部のヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶を
得た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を図４に示す。
【００２３】実施例３ 合成例で得られた非晶質ヒドロキシインジウムフタロシ
アニン結晶２．０部とメチルエチルケトン６０部、１ｍ
ｍφのガラスビーズ１２０部と共に２４時間ボールミル
なかで撹拌し、結晶をメチルエチルケトンで洗浄後、乾
燥して、１．５部のヒドロキシインジウムフタロシアニ
ン結晶を得た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を図５に示
す。
アニン結晶２．０部とメチルエチルケトン６０部、１ｍ
ｍφのガラスビーズ１２０部と共に２４時間ボールミル
なかで撹拌し、結晶をメチルエチルケトンで洗浄後、乾
燥して、１．５部のヒドロキシインジウムフタロシアニ
ン結晶を得た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を図５に示
す。
【００２４】実施例４ 合成例で得られた非晶質ヒドロキシインジウムフタロシ
アニン結晶２．０部とエチレングリコール６０部、１ｍ
ｍφのガラスビーズ１２０部と共に２４時間ボールミル
なかで撹拌し、結晶をメタノールで洗浄後、乾燥して、
１．５部のヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶を
得た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を図６に示す。
アニン結晶２．０部とエチレングリコール６０部、１ｍ
ｍφのガラスビーズ１２０部と共に２４時間ボールミル
なかで撹拌し、結晶をメタノールで洗浄後、乾燥して、
１．５部のヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶を
得た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を図６に示す。
【００２５】実施例５ 合成例で得られた非晶質ヒドロキシインジウムフタロシ
アニン結晶２．０部とテトラヒドロフラン６０部、１ｍ
ｍφのガラスビーズ１２０部と共に２４時間ボールミル
なかで撹拌し、結晶をメタノールで洗浄後、乾燥して、
１．５部のヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶を
得た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を図７に示す。
アニン結晶２．０部とテトラヒドロフラン６０部、１ｍ
ｍφのガラスビーズ１２０部と共に２４時間ボールミル
なかで撹拌し、結晶をメタノールで洗浄後、乾燥して、
１．５部のヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶を
得た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を図７に示す。
【００２６】実施例６ 合成例で得られた非晶質ヒドロキシインジウムフタロシ
アニン結晶２．０部とジメチルホルムアミド６０部、１
ｍｍφのガラスビーズ１２０部と共に２４時間ボールミ
ルなかで撹拌し、結晶をメタノールで洗浄後、乾燥し
て、１．５部のヒドロキシインジウムフタロシアニン結
晶を得た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を図８に示す。
アニン結晶２．０部とジメチルホルムアミド６０部、１
ｍｍφのガラスビーズ１２０部と共に２４時間ボールミ
ルなかで撹拌し、結晶をメタノールで洗浄後、乾燥し
て、１．５部のヒドロキシインジウムフタロシアニン結
晶を得た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を図８に示す。
【００２７】実施例７ 合成例で得られた非晶質ヒドロキシインジウムフタロシ
アニン結晶２．０部とクロルベンゼン６０部、１ｍｍφ
のガラスビーズ１２０部と共に２４時間ボールミルなか
で撹拌し、結晶をメタノールで洗浄後、乾燥して、１．
５部のヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶を得
た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を図９に示す。
アニン結晶２．０部とクロルベンゼン６０部、１ｍｍφ
のガラスビーズ１２０部と共に２４時間ボールミルなか
で撹拌し、結晶をメタノールで洗浄後、乾燥して、１．
５部のヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶を得
た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を図９に示す。
【００２８】実施例８〜１５ 実施例１〜７及び合成例で得た図２の非晶質のヒドロキ
シインジウムフタロシアニン０．１部を、ポリビニルブ
チラール（商品名：エスレックＢＮ−Ｓ、積水化学
（株）製）１部及びシクロヘキサノン１０部と混合し、
ガラスビーズと共に、ペイントシェーカーで１時間処理
して分散した後、得られた塗布液を、浸漬コーティング
法でアルミニウム基板上に塗布し、１００℃において５
分間加熱乾燥し、膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成し
た。
シインジウムフタロシアニン０．１部を、ポリビニルブ
チラール（商品名：エスレックＢＮ−Ｓ、積水化学
（株）製）１部及びシクロヘキサノン１０部と混合し、
ガラスビーズと共に、ペイントシェーカーで１時間処理
して分散した後、得られた塗布液を、浸漬コーティング
法でアルミニウム基板上に塗布し、１００℃において５
分間加熱乾燥し、膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成し
た。
【００２９】次に、下記構造式 で示される化合物１部と、
【００３０】下記構造式 で示されるポリ（４，４−シクロヘキシリデンジフェニ
レンカーボネート）１部を、モノクロロベンゼン８部に
溶解し、得られた塗布液を、電荷発生層が形成されたア
ルミニウム基板上に、浸漬コーティング法で塗布し、１
２０℃において１時間加熱乾燥し、膜厚２０μｍの電荷
輸送層を形成した。
レンカーボネート）１部を、モノクロロベンゼン８部に
溶解し、得られた塗布液を、電荷発生層が形成されたア
ルミニウム基板上に、浸漬コーティング法で塗布し、１
２０℃において１時間加熱乾燥し、膜厚２０μｍの電荷
輸送層を形成した。
【００３１】得られた電子写真感光体を、常温常湿（２
０℃、４０％ＲＨ）、低温低湿（１０℃、１５％ＲＨ）
及び高温高湿（２８℃、８０％ＲＨ）の各環境下、静電
複写紙試験装置（ＥＰＡ−８１００、川口電機（株）
製）を用いて、次の電子写真特性の測定を行なった。 ＶDDP ：−６．０ＫＶのコロナ放電を行って負帯電させ
た１秒後の表面電位。 Ｅ1/2 ：バンドパスフィルターを用いて８００nmに分光
した光での電位の減衰率。 ＶRP：５０ｅｒｇ／ｃｍ2 の白色光を０．５秒照射した
後の表面電位。 △Ｅ1/2 ：各環境下で測定した上記ＤＶ／ＤＥの環境間
における変動量。 △ＶDDP ：上記帯電、露光を１０００回繰り返した後の
ＶDDP と初期のＶDDPの変動量。 △ＶRP：上記帯電、露光を１０００回繰り返した後のＶ
RPと初期のＶRPの変動量。 それ等の結果を表１に示す。
０℃、４０％ＲＨ）、低温低湿（１０℃、１５％ＲＨ）
及び高温高湿（２８℃、８０％ＲＨ）の各環境下、静電
複写紙試験装置（ＥＰＡ−８１００、川口電機（株）
製）を用いて、次の電子写真特性の測定を行なった。 ＶDDP ：−６．０ＫＶのコロナ放電を行って負帯電させ
た１秒後の表面電位。 Ｅ1/2 ：バンドパスフィルターを用いて８００nmに分光
した光での電位の減衰率。 ＶRP：５０ｅｒｇ／ｃｍ2 の白色光を０．５秒照射した
後の表面電位。 △Ｅ1/2 ：各環境下で測定した上記ＤＶ／ＤＥの環境間
における変動量。 △ＶDDP ：上記帯電、露光を１０００回繰り返した後の
ＶDDP と初期のＶDDPの変動量。 △ＶRP：上記帯電、露光を１０００回繰り返した後のＶ
RPと初期のＶRPの変動量。 それ等の結果を表１に示す。
【００３２】比較例１ 図１０に示すＸ線回折スペクトルを示すＸ型無金属フタ
ロシアニン０．１部を用いた以外は、実施例８〜１５と
同様にして、電子写真感光体を作成し、同様にして電子
写真特性の測定を行なった。その結果を表１に示す。
ロシアニン０．１部を用いた以外は、実施例８〜１５と
同様にして、電子写真感光体を作成し、同様にして電子
写真特性の測定を行なった。その結果を表１に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【発明の効果】本発明のヒドロキシインジウムフタロシ
アニン結晶は、上記のように新規な結晶型を有するもの
であって、感光波長域が長波長まで伸びているため、半
導体レーザーを利用するプリンター等の電子写真感光体
用の光導電材料として非常に有用である。また、上記の
新規な結晶型を有するヒドロキシインジウムフタロシア
ニン結晶または非晶質のヒドロキシインジウムフタロシ
アニンを用いて形成された本発明の電子写真感光体は、
優れた感度及び耐久性を有している。
アニン結晶は、上記のように新規な結晶型を有するもの
であって、感光波長域が長波長まで伸びているため、半
導体レーザーを利用するプリンター等の電子写真感光体
用の光導電材料として非常に有用である。また、上記の
新規な結晶型を有するヒドロキシインジウムフタロシア
ニン結晶または非晶質のヒドロキシインジウムフタロシ
アニンを用いて形成された本発明の電子写真感光体は、
優れた感度及び耐久性を有している。
【図１】 合成例で得られたヒドロキシインジウムフタ
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図２】 非晶質ヒドロキシインジウムフタロシアニン
の粉末Ｘ線回折図である。
の粉末Ｘ線回折図である。
【図３】 実施例１で得られたヒドロキシインジウムフ
タロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
タロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図４】 実施例２で得られたヒドロキシインジウムフ
タロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
タロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図５】 実施例３で得られたヒドロキシインジウムフ
タロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
タロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図６】 実施例４で得られたヒドロキシインジウムフ
タロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
タロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図７】 実施例５で得られたヒドロキシインジウムフ
タロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
タロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図８】 実施例６で得られたヒドロキシインジウムフ
タロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
タロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図９】 実施例７で得られたヒドロキシインジウムフ
タロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
タロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
【図１０】 Ｘ型無金属フタロシアニン結晶のＸ線回折
図である。
図である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１月２７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】 一般に、フタロシアニン化合物は、製造
方法、処理方法の違いにより、幾つかの結晶型を示し、
この結晶型の違いは、フタロシアニン化合物の光電変換
特性に大きな影響を及ぼすことが知られている。フタロ
シアニン化合物の結晶型については、例えば、銅フタロ
シアニンについてみると、安定系のβ型以外に、α、
π、χ、ρ、γ、δ等の結晶型が知られており、これ等
の結晶型は、機械的歪力、硫酸処理、有機溶剤処理及び
熱処理等により、相互に転移が可能であることが知られ
ている（例えば米国特許第２，７７０，６２９号、同第
３，１６０，６３５号、同第３，７０８，２９２号及び
同３，３５７，９８９号明細書）。また、特開昭５０−
３８５４３号公報には、銅フタロシアニンの結晶型の違
いと電子写真特性について記載されている。 ─────────────────────────────────────────────────────
方法、処理方法の違いにより、幾つかの結晶型を示し、
この結晶型の違いは、フタロシアニン化合物の光電変換
特性に大きな影響を及ぼすことが知られている。フタロ
シアニン化合物の結晶型については、例えば、銅フタロ
シアニンについてみると、安定系のβ型以外に、α、
π、χ、ρ、γ、δ等の結晶型が知られており、これ等
の結晶型は、機械的歪力、硫酸処理、有機溶剤処理及び
熱処理等により、相互に転移が可能であることが知られ
ている（例えば米国特許第２，７７０，６２９号、同第
３，１６０，６３５号、同第３，７０８，２９２号及び
同３，３５７，９８９号明細書）。また、特開昭５０−
３８５４３号公報には、銅フタロシアニンの結晶型の違
いと電子写真特性について記載されている。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年４月２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】実施例２ 合成例で得られた非晶質ヒドロキシインジウムフタロシ
アニン結晶２．０部とジクロルメタン６０部、１ｍｍφ
のガラスビーズ１２０部と共に２４時間ボールミルなか
で撹拌し、結晶をジクロルメタンで洗浄後、乾燥して、
１．５部のヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶を
得た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を図４に、赤外線吸収
スペクトルを図１１に、また、可視光・近赤外吸収スペ
クトルを図１４に示す。
アニン結晶２．０部とジクロルメタン６０部、１ｍｍφ
のガラスビーズ１２０部と共に２４時間ボールミルなか
で撹拌し、結晶をジクロルメタンで洗浄後、乾燥して、
１．５部のヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶を
得た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を図４に、赤外線吸収
スペクトルを図１１に、また、可視光・近赤外吸収スペ
クトルを図１４に示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】実施例４ 合成例で得られた非晶質ヒドロキシインジウムフタロシ
アニン結晶２．０部とエチレングリコール６０部、１ｍ
ｍφのガラスビーズ１２０部と共に２４時間ボールミル
なかで撹拌し、結晶をメタノールで洗浄後、乾燥して、
１．５部のヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶を
得た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を図６に、赤外線吸収
スペクトルを図１２に、また、可視光・近赤外吸収スペ
クトルを図１５に示す。
アニン結晶２．０部とエチレングリコール６０部、１ｍ
ｍφのガラスビーズ１２０部と共に２４時間ボールミル
なかで撹拌し、結晶をメタノールで洗浄後、乾燥して、
１．５部のヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶を
得た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を図６に、赤外線吸収
スペクトルを図１２に、また、可視光・近赤外吸収スペ
クトルを図１５に示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】実施例７ 合成例で得られた非晶質ヒドロキシインジウムフタロシ
アニン結晶２．０部とクロルベンゼン６０部、１ｍｍφ
のガラスビーズ１２０部と共に２４時間ボールミルなか
で撹拌し、結晶をメタノールで洗浄後、乾燥して、１．
５部のヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶を得
た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を図９に、赤外線吸収ス
ペクトルを図１３に、また、可視光・近赤外吸収スペク
トルを図１６に示す。
アニン結晶２．０部とクロルベンゼン６０部、１ｍｍφ
のガラスビーズ１２０部と共に２４時間ボールミルなか
で撹拌し、結晶をメタノールで洗浄後、乾燥して、１．
５部のヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶を得
た。この結晶の粉末Ｘ線回折図を図９に、赤外線吸収ス
ペクトルを図１３に、また、可視光・近赤外吸収スペク
トルを図１６に示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】実施例８〜１５ 実施例１〜７及び合成例で得た図２の非晶質のヒドロキ
シインジウムフタロシアニン０．１部を、ポリビニルブ
チラール（商品名：エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学
（株）製）１部及びシクロヘキサノン１０部と混合し、
ガラスビーズと共に、ペイントシェーカーで１時間処理
して分散した後、得られた塗布液を、浸漬コーティング
法でアルミニウム基板上に塗布し、１００℃において５
分間加熱乾燥し、膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成し
た。
シインジウムフタロシアニン０．１部を、ポリビニルブ
チラール（商品名：エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学
（株）製）１部及びシクロヘキサノン１０部と混合し、
ガラスビーズと共に、ペイントシェーカーで１時間処理
して分散した後、得られた塗布液を、浸漬コーティング
法でアルミニウム基板上に塗布し、１００℃において５
分間加熱乾燥し、膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成し
た。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】得られた電子写真感光体を、常温常湿（２
０℃、４０％ＲＨ）、低温低湿（１０℃、１５％ＲＨ）
及び高温高湿（２８℃、８０％ＲＨ）の各環境下、静電
複写紙試験装置（ＥＰＡ−８１００、川口電機（株）
製）を用いて、次の電子写真特性の測定を行なった。 ＶDDP ：−６．０ＫＶのコロナ放電を行って負帯電させ
た１秒後の表面電位。 Ｅ1/2 ：バンドパスフィルターを用いて８００nmに分光
した光での電位の減衰率。 ＶRP：５０ｅｒｇ／ｃｍ2 の白色光を０．５秒照射した
後の表面電位。 △Ｅ＊ 1/2 ：各環境下で測定したＥ1/2 の環境間におけ
る変動量。 △ＶDDP ：上記帯電、露光を１０００回繰り返した後の
ＶDDP と初期のＶDDPの変動量。なお、Ｅ1/2 は、上記
帯電、露光を１０００回繰り返した後のＶDDP変動量を
示す。 △ＶRP：上記帯電、露光を１０００回繰り返した後のＶ
RPと初期のＶRPの変動量。 それ等の結果を表１に示す。
０℃、４０％ＲＨ）、低温低湿（１０℃、１５％ＲＨ）
及び高温高湿（２８℃、８０％ＲＨ）の各環境下、静電
複写紙試験装置（ＥＰＡ−８１００、川口電機（株）
製）を用いて、次の電子写真特性の測定を行なった。 ＶDDP ：−６．０ＫＶのコロナ放電を行って負帯電させ
た１秒後の表面電位。 Ｅ1/2 ：バンドパスフィルターを用いて８００nmに分光
した光での電位の減衰率。 ＶRP：５０ｅｒｇ／ｃｍ2 の白色光を０．５秒照射した
後の表面電位。 △Ｅ＊ 1/2 ：各環境下で測定したＥ1/2 の環境間におけ
る変動量。 △ＶDDP ：上記帯電、露光を１０００回繰り返した後の
ＶDDP と初期のＶDDPの変動量。なお、Ｅ1/2 は、上記
帯電、露光を１０００回繰り返した後のＶDDP変動量を
示す。 △ＶRP：上記帯電、露光を１０００回繰り返した後のＶ
RPと初期のＶRPの変動量。 それ等の結果を表１に示す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３３】
【表１】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正方法】追加
【補正内容】
【図１１】 実施例２で得られたヒドロキシインジウム
フタロシアニン結晶の赤外線吸収スペクトルである。
フタロシアニン結晶の赤外線吸収スペクトルである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正方法】追加
【補正内容】
【図１２】 実施例４で得られたヒドロキシインジウム
フタロシアニン結晶の赤外線吸収スペクトルである。
フタロシアニン結晶の赤外線吸収スペクトルである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正方法】追加
【補正内容】
【図１３】 実施例７で得られたヒドロキシインジウム
フタロシアニン結晶の赤外線吸収スペクトルである。
フタロシアニン結晶の赤外線吸収スペクトルである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正方法】追加
【補正内容】
【図１４】 実施例２で得られたヒドロキシインジウム
フタロシアニン結晶の可視光・近赤外吸収スペクトルで
ある。
フタロシアニン結晶の可視光・近赤外吸収スペクトルで
ある。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正方法】追加
【補正内容】
【図１５】 実施例４で得られたヒドロキシインジウム
フタロシアニン結晶の可視光・近赤外吸収スペクトルで
ある。
フタロシアニン結晶の可視光・近赤外吸収スペクトルで
ある。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正方法】追加
【補正内容】
【図１６】 実施例７で得られたヒドロキシインジウム
フタロシアニン結晶の可視光・近赤外吸収スペクトルで
ある。
フタロシアニン結晶の可視光・近赤外吸収スペクトルで
ある。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正方法】追加
【補正内容】
【図１１】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正方法】追加
【補正内容】
【図１２】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正方法】追加
【補正内容】
【図１３】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正方法】追加
【補正内容】
【図１４】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正方法】追加
【補正内容】
【図１５】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正方法】追加
【補正内容】
【図１６】
【手続補正書】
【提出日】平成４年４月２０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正内容】
【請求項７】 導電性支持体上に、ヒドロキシインジウ
ムフタロシアニン結晶の少なくとも１種以上を含有する
感光層を設けてなることを特徴とする電子写真感光体。 ─────────────────────────────────────────────────────
ムフタロシアニン結晶の少なくとも１種以上を含有する
感光層を設けてなることを特徴とする電子写真感光体。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年９月１４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯島 正和 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松事業所内 (72)発明者 石井 徹 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松事業所内
Claims (7)
- 【請求項１】 Ｘ線回折図において、ブラッグ角（２θ
±０．２）の６．９°、９．８°、１４．９°、１６．
３°、１９．８°、２５．４°、２６．６°及び２８．
１°に強い回折ピークを有することを特徴とするヒドロ
キシインジウムフタロシアニン結晶。 - 【請求項２】 Ｘ線回折図において、ブラッグ角（２θ
±０．２）の７．０°、１０．５°、１５．７°、１
６．２°、１９．２°、２４．５°及び２６．８°に強
い回折ピークを有することを特徴とするヒドロキシイン
ジウムフタロシアニン結晶。 - 【請求項３】 Ｘ線回折図において、ブラッグ角（２θ
±０．２）の７．４°、１１．５°、１８．３°、２
０．１°、２３．７°、２７．３°、２８．３°及び２
９．８°に強い回折ピークを有することを特徴とするヒ
ドロキシインジウムフタロシアニン結晶。 - 【請求項４】 Ｘ線回折図において、ブラッグ角（２θ
±０．２）の７．０°、１０．３°、及び１６．４°に
強い回折ピークを有することを特徴とするヒドロキシイ
ンジウムフタロシアニン結晶。 - 【請求項５】 Ｘ線回折図において、ブラッグ角（２θ
±０．２）の７．３°、８．８°、１１．８°、１６．
５°、１７．６°、１８．４°、１８．９°１９．７
°、２０．５°、２３．１°、２５．３°、２５．７°
及び３０．１°に強い回折ピークを有することを特徴と
するヒドロキシインジウムフタロシアニン結晶。 - 【請求項６】 Ｘ線回折図において、ブラッグ角（２θ
±０．２）の８．１°、８．４°、９．３°、１０．０
°、１５．６°、１７．５°、２２．５°及び２３．４
°に強い回折ピークを有することを特徴とするヒドロキ
シインジウムフタロシアニン結晶。 - 【請求項７】 導電性支持体上に、ヒドロキシインジウ
ムフタロシアニン結の少なくとも１種以上を含有する感
光層を設けてなることを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3116633A JP2541030B2 (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | ヒドロキシインジウムフタロシアニンの新規結晶及びそれを用いた電子写真感光体 |
| US07/871,546 US5304446A (en) | 1991-04-22 | 1992-04-21 | Hydroxyindium phthalocyanine crystals and electrophotographic photoreceptor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3116633A JP2541030B2 (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | ヒドロキシインジウムフタロシアニンの新規結晶及びそれを用いた電子写真感光体 |
Related Child Applications (5)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8088987A Division JP2586858B2 (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | ヒドロキシインジウムフタロシアニンの新規結晶及びそれを用いた電子写真感光体 |
| JP8088984A Division JP2586855B2 (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | ヒドロキシインジウムフタロシアニンの新規結晶及びそれを用いた電子写真感光体 |
| JP8088985A Division JP2586856B2 (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | ヒドロキシインジウムフタロシアニンの新規結晶及びそれを用いた電子写真感光体 |
| JP8088988A Division JP2586859B2 (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | ヒドロキシインジウムフタロシアニンの新規結晶及びそれを用いた電子写真感光体 |
| JP8088986A Division JP2586857B2 (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | ヒドロキシインジウムフタロシアニンの新規結晶及びそれを用いた電子写真感光体 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06279703A true JPH06279703A (ja) | 1994-10-04 |
| JP2541030B2 JP2541030B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=14692032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3116633A Expired - Fee Related JP2541030B2 (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | ヒドロキシインジウムフタロシアニンの新規結晶及びそれを用いた電子写真感光体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2541030B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP3166283B2 (ja) * | 1992-03-31 | 2001-05-14 | 富士ゼロックス株式会社 | ヒドロキシガリウムフタロシアニンの新規な結晶の製造方法 |
| CA2202408C (fr) * | 1994-10-20 | 2012-03-06 | Pierre Charneau | Sequences nucleotidiques d'antigenes retroviraux vih-1 groupe (ou sous-groupe) o |
| US5529870A (en) * | 1995-05-11 | 1996-06-25 | Xerox Corporation | Halogenindium phthalocyanine crystals |
| US7521162B2 (en) * | 2004-01-16 | 2009-04-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organophotoreceptor with a charge transport material having two epoxidated-carbazolyl groups |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59155851A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-09-05 | イ−ストマン コダック カンパニ− | 赤外スペクトル領域輻射に敏感な多層式活性光導電要素 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2770029A (en) * | 1952-06-02 | 1956-11-13 | Norton Co | Composite electrical resistor |
| US3100885A (en) * | 1961-08-14 | 1963-08-13 | Gulton Ind Inc | Ultrasonic liquid level gauge |
| US3357889A (en) * | 1965-05-29 | 1967-12-12 | Gen Electric Canada | Liquid moderated, liquid cooled nuclear reactor installation |
| US3708292A (en) * | 1971-05-21 | 1973-01-02 | Xerox Corp | Pi-form metal phthalocyanine |
| JPS5638624B2 (ja) * | 1971-09-09 | 1981-09-08 | ||
| US3824099A (en) * | 1973-01-15 | 1974-07-16 | Ibm | Sensitive electrophotographic plates |
| JPS521667B2 (ja) * | 1973-08-08 | 1977-01-17 | ||
| JPS57148745A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lamination type electrophotographic receptor |
| JPS5821414A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Hitachi Ltd | 熱硬化性樹脂組成物 |
| JPH07117760B2 (ja) * | 1984-12-26 | 1995-12-18 | 株式会社リコー | 電子写真感光体 |
-
1991
- 1991-04-22 JP JP3116633A patent/JP2541030B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-04-21 US US07/871,546 patent/US5304446A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59155851A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-09-05 | イ−ストマン コダック カンパニ− | 赤外スペクトル領域輻射に敏感な多層式活性光導電要素 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2541030B2 (ja) | 1996-10-09 |
| US5304446A (en) | 1994-04-19 |
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|---|---|---|---|
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