JPH07117760B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPH07117760B2 JPH07117760B2 JP59281599A JP28159984A JPH07117760B2 JP H07117760 B2 JPH07117760 B2 JP H07117760B2 JP 59281599 A JP59281599 A JP 59281599A JP 28159984 A JP28159984 A JP 28159984A JP H07117760 B2 JPH07117760 B2 JP H07117760B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- compound
- charge generation
- solvent
- diffraction pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0687—Trisazo dyes
- G03G5/0688—Trisazo dyes containing hetero rings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は半導体レーザープリンター用、カラー複写機
用、高速複写機用等に好適な電子写真感光体に関する。
用、高速複写機用等に好適な電子写真感光体に関する。
従来技術 近年、有機光導電材料を感光層の主成分とした有機感光
体の開発が盛んに行なわれているが、特に感光層を電荷
発生材料を主成分とする電荷発生層と電荷輸送材料を主
成分とする電荷輸送層とに分けた機能分離型有機感光体
の研究、開発が多く行なわれて来ている。
体の開発が盛んに行なわれているが、特に感光層を電荷
発生材料を主成分とする電荷発生層と電荷輸送材料を主
成分とする電荷輸送層とに分けた機能分離型有機感光体
の研究、開発が多く行なわれて来ている。
機能分離型の感光体における電荷発生材料として多くの
化合物が提案されている。例えば、特公昭44-16474号公
報にはモノアゾ顔料を用いたものが、特開昭47-37543号
公報にはジスアゾ顔料顔料を用いたものが、特開昭53-1
32347号公報にはトリスアゾ顔料を用いたものが知られ
ている。
化合物が提案されている。例えば、特公昭44-16474号公
報にはモノアゾ顔料を用いたものが、特開昭47-37543号
公報にはジスアゾ顔料顔料を用いたものが、特開昭53-1
32347号公報にはトリスアゾ顔料を用いたものが知られ
ている。
しかしこれらの化合物を用いた場合にも、 (1)、実用上問題がなくても、高速複写機用としては
感度が低い。
感度が低い。
(2)、可視域全般にわたつて吸収がないため、カラー
複写機用としては不適当である。
複写機用としては不適当である。
(3)、半導体レーザー光源を用いる電子写真方式プリ
ンター用の感光体としては極めて感度が低い。
ンター用の感光体としては極めて感度が低い。
等の欠点を有している。
しかもこれらの化合物を用いた感光体は残留電位、くり
返し使用等の安定性等の特性において必ずしも満足する
ものではない。
返し使用等の安定性等の特性において必ずしも満足する
ものではない。
以上のような欠点の改善法の1つとして特開昭57-19576
7号公報に記載されるトリスアゾ顔料は可視域全般およ
び半導体レーザー光の波長域にわたつて吸収を持ち、上
記欠点(2)および/又は(3)に対して有効である。
またこのトリスアゾ顔料に特定のキヤリア輸送材料を組
合せると、例えば特開昭57-1916241号公報、特開昭57-1
96242号公報、特開昭57-1916243号公報、特開昭57-1962
44号公報、特開昭57-1916245号公報、特開昭57-196246
号公報、特開昭57-1916247号公報、特開昭57-196248号
公報、特開昭57-1916249号公報に記載されるように感光
体に残留電位、くり返し使用時の安定性等の改善に有効
となる。
7号公報に記載されるトリスアゾ顔料は可視域全般およ
び半導体レーザー光の波長域にわたつて吸収を持ち、上
記欠点(2)および/又は(3)に対して有効である。
またこのトリスアゾ顔料に特定のキヤリア輸送材料を組
合せると、例えば特開昭57-1916241号公報、特開昭57-1
96242号公報、特開昭57-1916243号公報、特開昭57-1962
44号公報、特開昭57-1916245号公報、特開昭57-196246
号公報、特開昭57-1916247号公報、特開昭57-196248号
公報、特開昭57-1916249号公報に記載されるように感光
体に残留電位、くり返し使用時の安定性等の改善に有効
となる。
目的 本発明の目的は特定のX線回折値及び結晶形態を有する
特定のトリスアゾ顔料を用いるだけで、カラー複写機用
及び半導体レーザープリンター用としては勿論、高速複
写機用としてもきわめて高感度で、しかも残留電位、く
り返し使用時の安定性等の改善に有効な電子写真感光体
を提供することである。
特定のトリスアゾ顔料を用いるだけで、カラー複写機用
及び半導体レーザープリンター用としては勿論、高速複
写機用としてもきわめて高感度で、しかも残留電位、く
り返し使用時の安定性等の改善に有効な電子写真感光体
を提供することである。
構成 本発明の電子写真感光体は電荷発生層及び電荷輸送層を
からなる光導電層を有する電子写真感光体において、電
荷発生材料として、Cu−Kα線による粉末X線回折パタ
ーンで2θにおける回析相対強度が、4.3〜4.5°で14、
6.8〜7.3°で62、8〜9°で24、16°で47、18〜19°で
42、24°で51、26°で53に回折ピークを有する下記構造
式の非晶質トリスアゾ顔料を用いたことを特徴とするも
のである。本発明の非晶質とは、完全に結晶していない
状態をいう。
からなる光導電層を有する電子写真感光体において、電
荷発生材料として、Cu−Kα線による粉末X線回折パタ
ーンで2θにおける回析相対強度が、4.3〜4.5°で14、
6.8〜7.3°で62、8〜9°で24、16°で47、18〜19°で
42、24°で51、26°で53に回折ピークを有する下記構造
式の非晶質トリスアゾ顔料を用いたことを特徴とするも
のである。本発明の非晶質とは、完全に結晶していない
状態をいう。
機能分離型有機感光体における電荷発生材料として有機
顔料を用いた場合に非晶形も含めて顔料の結晶形態によ
つて感光体の電子写真特性、特に感度は大きな影響を受
けるという問題がある。例えば特開昭56-116038号公報
には、結晶性のジスアゾ顔料が非晶形のそれと比較し
て、約5倍の感度を有していることが記載されている。
また特開昭59-81647号公報には、非晶形ジスアゾ顔料が
結晶形のそれより高感度であることが記載されている。
顔料を用いた場合に非晶形も含めて顔料の結晶形態によ
つて感光体の電子写真特性、特に感度は大きな影響を受
けるという問題がある。例えば特開昭56-116038号公報
には、結晶性のジスアゾ顔料が非晶形のそれと比較し
て、約5倍の感度を有していることが記載されている。
また特開昭59-81647号公報には、非晶形ジスアゾ顔料が
結晶形のそれより高感度であることが記載されている。
このように個々の有機顔料の結晶形態が感光体の感度に
及ぼす影響は予想できないので個々の有機顔料に対して
調べる必要がある。また有機顔料の結晶形態がどの様な
場合にどの様に現われるかも予想できないので、これも
個々の有機顔料に対して調べる必要がある。
及ぼす影響は予想できないので個々の有機顔料に対して
調べる必要がある。また有機顔料の結晶形態がどの様な
場合にどの様に現われるかも予想できないので、これも
個々の有機顔料に対して調べる必要がある。
一方、有機顔料の結晶形態は通常、粉末X線回折法で測
定される。X線管の対陰極として銅を用い、フイルター
としてニツケルを使用すれば、Cu−Kα線(1.5418Å)
が取り出せる。
定される。X線管の対陰極として銅を用い、フイルター
としてニツケルを使用すれば、Cu−Kα線(1.5418Å)
が取り出せる。
本発明者らの研究によれば、前記式のトリスアゾ顔料は
粉末X線回折法(理学電気株式会社製ガイガーフレツク
スD−6C使用)に従つてCu−Kα線で管電流30KV、走査
速度毎分2°、時定数1秒で測定したところ、2θにお
ける回析相対強度が、4.3〜4.5°で15、6.8〜7.3°で6
2、8°で24、16°で47、16°で48、18°〜19°で40、2
4°で50、26°で51にピークを有する回折パターンを示
す場合に、本発明の目的すべてを満足する感光体ができ
ることを見い出した。
粉末X線回折法(理学電気株式会社製ガイガーフレツク
スD−6C使用)に従つてCu−Kα線で管電流30KV、走査
速度毎分2°、時定数1秒で測定したところ、2θにお
ける回析相対強度が、4.3〜4.5°で15、6.8〜7.3°で6
2、8°で24、16°で47、16°で48、18°〜19°で40、2
4°で50、26°で51にピークを有する回折パターンを示
す場合に、本発明の目的すべてを満足する感光体ができ
ることを見い出した。
本発明に係るトリスアゾ顔料自体〔以下、化合物(I)
という。〕は特開昭57-195767号公報に記載の方法によ
り容易に合成することができる。
という。〕は特開昭57-195767号公報に記載の方法によ
り容易に合成することができる。
α型の回析パターンを有する化合物(I)を得るには、
例えば、以下のような方法がある。
例えば、以下のような方法がある。
先ず、化合物(I)を良溶媒(例えばエチレンジアミ
ン)に溶解した後、(A)群の貧溶媒により再沈澱させ
て得る方法、ただし、(B)群の貧溶媒より再沈澱を行
なうと、α型以外の回析パターンを示すようになる。
ン)に溶解した後、(A)群の貧溶媒により再沈澱させ
て得る方法、ただし、(B)群の貧溶媒より再沈澱を行
なうと、α型以外の回析パターンを示すようになる。
〔貧溶媒(A)〕ジクロルエタン,ジクロルメタン、ジ
メチルホルムアミド、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、ジオキサン、ピリジン、n−ブチルアミン、メチ
ルシクロヘキサンジエチルエーテルなどの溶媒群。
メチルホルムアミド、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、ジオキサン、ピリジン、n−ブチルアミン、メチ
ルシクロヘキサンジエチルエーテルなどの溶媒群。
〔貧溶媒(B)〕テトラヒドロフラン、ベンゼン、トル
エン、クロルベンゼン、メタノール、エタノール、n−
ブロパノール、イソプロパノール、エチルセルソルブな
どの溶媒群。
エン、クロルベンゼン、メタノール、エタノール、n−
ブロパノール、イソプロパノール、エチルセルソルブな
どの溶媒群。
なお、上記溶媒が各貧溶媒群の全てではないことは言う
までもない。しかしどのような溶媒を用いた場合に化合
物(I)が、どのような回析パターンを示すか推測でき
るものではないので、各々の場合について実験的に調べ
る必要がある。
までもない。しかしどのような溶媒を用いた場合に化合
物(I)が、どのような回析パターンを示すか推測でき
るものではないので、各々の場合について実験的に調べ
る必要がある。
良溶媒としてはエチレンジアミン、濃硫酸等が挙げられ
るが、熱ニトロベンゼンも良溶媒として使用することが
できる。
るが、熱ニトロベンゼンも良溶媒として使用することが
できる。
次いで、上記再沈澱処理によって得られ化合物(I)を
例えば、ボールミル、アトライター中で剪断力を与えな
がらシクロヘキサノン等の特定の溶媒で溶媒処理する方
法によってα型X線回析を示す化合物(I)を得ること
が可能となる。しかし、どれだけの剪断力を加えたとき
に、どのようなX線回析パターンを示すようになるか
は、実際にX線回析測定を行なつて調べる必要がある。
例えば、ボールミル、アトライター中で剪断力を与えな
がらシクロヘキサノン等の特定の溶媒で溶媒処理する方
法によってα型X線回析を示す化合物(I)を得ること
が可能となる。しかし、どれだけの剪断力を加えたとき
に、どのようなX線回析パターンを示すようになるか
は、実際にX線回析測定を行なつて調べる必要がある。
本発明の電荷発生層にはこのようなトリスアゾ顔料の
他、必要に応じて結着剤を併用することができる。この
ような結着剤としてはポリアミド、ポリウレタン、ポリ
エステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネー
トなどの縮合樹脂やポリビニルブチラール、ポリビニル
ケトン、ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル、ポリアクリルアミドなどのビニル重合体等が挙げら
れるが、絶縁性で接着性のある樹脂は全で使用できる。
他、必要に応じて結着剤を併用することができる。この
ような結着剤としてはポリアミド、ポリウレタン、ポリ
エステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネー
トなどの縮合樹脂やポリビニルブチラール、ポリビニル
ケトン、ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル、ポリアクリルアミドなどのビニル重合体等が挙げら
れるが、絶縁性で接着性のある樹脂は全で使用できる。
なお電荷発生層中のα型回折パターンを有する化合物
(I)の割合は10重量%以上、好ましくは40重量%以上
が適当である。
(I)の割合は10重量%以上、好ましくは40重量%以上
が適当である。
一方、本発明の電荷輸送層は従来と同様、電荷輸送材料
及び前述のような結着剤を主成分として構成される。
及び前述のような結着剤を主成分として構成される。
電荷輸送材料としては高分子のものではポリ−N−ビニ
ルカルバゾール、ハロゲン化ポリ−N−ビニルカルバゾ
ール、ポリビニルピレン、ポリビニルインドロキノキサ
リン、ポリビニルジベンゾチオフエン、ポリビニルアン
トラセン、ポリビニルアクリジンなどのビニル重合体や
ピレン〜ホルムアルデヒド樹脂、ブロムピレン〜ホルム
アルデヒド樹脂、エチルカルバゾール〜ホルムアルデヒ
ド樹脂、クロロエチルカルバゾール〜ホルムアルデヒド
樹脂などの縮合樹脂が、また低分子(単量体)のもので
はフルオレノン、2−ニトロ−9−フルオレノン、2,7
−ジニトロ−9−フルオレノン、2,4,7−トリニトロ−
9−フルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フル
オレノン、4H−インデノ〔1,2−b〕チオフエン−4−
オン、2−ニトロ−4H−インデノ〔1,2−b〕チオフエ
ン−4−オン、2,6,8−トリニトロ−4H−インデノ〔1,2
−b〕チオフエン−4−オン、8H−インデノ〔2,1−
b〕チオフエン−8−オン、2−ニトロ−8H−インデノ
〔2,1−b〕チオフエン−8−オン、2−ブロム−6,8−
ジニトロ−4H−インデノ〔1,2−b〕チオフエン、6,8−
ジニトロ−4H−インデノ〔1,2−b〕チオフエン、2−
ニトロジベンゾチオフエン、2,8−ジニトロジベンゾチ
オフエン、3−ニトロ−ジジベンゾチオフエン−5−オ
キサイド、3,7−ジニトロ−ジベンゾチオフエン−5−
オキサイド、1,3,7−トリニトロ−ジベンゾチオフエン
−5,5−ジオキサイド、3−ニトロ−ジベンゾチオフエ
ン−5,5−ジオキサイド、3,7−ジニトロ−ジベンゾチオ
フエン−5,5−ジオキサイド、4−ジシアノメチレン−4
H−インデノ〔1,2−b〕チオフエン、6,8−ジニトロ−
4−ジシアノメチレン−4H−インデノ〔1,2−b〕チオ
フエン、1,3,7,9−テトラニトロベンゾ〔c〕シンノリ
ン−5−オキサイド、2,4,10−トリニトロベンゾ〔c〕
シンノリン−6−オキサイド、2,4,8−トリニトロベン
ゾ〔c〕シンノリン−6−オキサイド、2,4,8−トリニ
トロチオキサントン、2,4,7−トリニトロ−9,10−フエ
ナンスレンキノン、1,4−ナフトキノンベンゾ〔a〕ア
ンスラセン−7,12−ジオン、2,4,7−トリニトロ−9−
ジシアノメチレンフルオレン、テトラクロル無水フタル
酸、1−ブロムピレン、1−メチルピレン、1−エチル
ピレン、1−アセチルピレン、カルバゾール、N−エチ
ルカルバゾール、N−β−クロロエチルカルバゾール、
N−β−ヒドロキシエチルカルバゾール、2−フエニル
インドール、2−フエニルナフタレン、2,5−ビス(4
−ジエチルアミノフエニル)−1,3,4−オキサジアゾー
ル、2,5−ビス(4−ジエチルアミノフエニル)−1,3,4
−トリアゾール、1−フエニル−3−(4−ジエチルア
ミノスチリル)−5−(4−ジエチルアミノフエニル)
ピラゾリン、2−フエニル−4−(4−ジエチルアミノ
フエニル)−5−フエニルオキサゾール、トリフエニル
アミン、トリス(4−ジエチルアミノフエニル)メタ
ン、8,6−ビス(ジベンジルアミノ)−9−エチルカル
バゾール、4,4′−ビス(ジベンジルアミノ)ジフエニ
ルメタン、4,4′−ビス(ジベンジルアミノ)ジフエニ
ルエーテル、1,1−ビス(4−ジベンジルアミノフエニ
ル)プロパン、2−(a−ナフチル)−5−(4−ジエ
チルアミノフエニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2
−スチリル−5−(3−N−エチルカルバリル)−1,3,
4−オキサジアゾール、2−(4−メトキシフエニル)
−5−(3−N−エチルカルバゾリル)−1,3,4−オキ
サジアゾール、2−(4−ジエチルアミノフエニル)−
5−(3−N−エチルカルバゾリル)−1,3,4−オキサ
ジアゾール、9−(4−ジエチルアミノスチル)アント
ラセン、9−(4−ジメチルアミノスチリル)アントラ
セン、a−(9−アニトリル)−β−(3−N−エチル
カルバゾリル)エチレン、5−メチル−2−(4−ジエ
チルアミノスチリル)ベンゾオキサゾール、9−(4−
ジメチルアミノベンジリデン)フルオレン、N−エチル
−3−(9−フルオレニリデン)カルバゾール、2,6−
ビス(4−ジエチルアミノスチリル)ピリジン、メチル
フエニルヒドラゾノ−3−メチリデン−9−エチルカル
バゾール、メチルフエニルヒドラゾノ−4−メチリデン
−N,N−ジエチルアニリン、4−N,N−ジフエニルアミノ
スチルベン、α−フエニル−4−N,N−ジフエニルアミ
ノスチルベンなどが挙げられる。これらの電荷輸送材料
は単独または2種以上混合して使用される。
ルカルバゾール、ハロゲン化ポリ−N−ビニルカルバゾ
ール、ポリビニルピレン、ポリビニルインドロキノキサ
リン、ポリビニルジベンゾチオフエン、ポリビニルアン
トラセン、ポリビニルアクリジンなどのビニル重合体や
ピレン〜ホルムアルデヒド樹脂、ブロムピレン〜ホルム
アルデヒド樹脂、エチルカルバゾール〜ホルムアルデヒ
ド樹脂、クロロエチルカルバゾール〜ホルムアルデヒド
樹脂などの縮合樹脂が、また低分子(単量体)のもので
はフルオレノン、2−ニトロ−9−フルオレノン、2,7
−ジニトロ−9−フルオレノン、2,4,7−トリニトロ−
9−フルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フル
オレノン、4H−インデノ〔1,2−b〕チオフエン−4−
オン、2−ニトロ−4H−インデノ〔1,2−b〕チオフエ
ン−4−オン、2,6,8−トリニトロ−4H−インデノ〔1,2
−b〕チオフエン−4−オン、8H−インデノ〔2,1−
b〕チオフエン−8−オン、2−ニトロ−8H−インデノ
〔2,1−b〕チオフエン−8−オン、2−ブロム−6,8−
ジニトロ−4H−インデノ〔1,2−b〕チオフエン、6,8−
ジニトロ−4H−インデノ〔1,2−b〕チオフエン、2−
ニトロジベンゾチオフエン、2,8−ジニトロジベンゾチ
オフエン、3−ニトロ−ジジベンゾチオフエン−5−オ
キサイド、3,7−ジニトロ−ジベンゾチオフエン−5−
オキサイド、1,3,7−トリニトロ−ジベンゾチオフエン
−5,5−ジオキサイド、3−ニトロ−ジベンゾチオフエ
ン−5,5−ジオキサイド、3,7−ジニトロ−ジベンゾチオ
フエン−5,5−ジオキサイド、4−ジシアノメチレン−4
H−インデノ〔1,2−b〕チオフエン、6,8−ジニトロ−
4−ジシアノメチレン−4H−インデノ〔1,2−b〕チオ
フエン、1,3,7,9−テトラニトロベンゾ〔c〕シンノリ
ン−5−オキサイド、2,4,10−トリニトロベンゾ〔c〕
シンノリン−6−オキサイド、2,4,8−トリニトロベン
ゾ〔c〕シンノリン−6−オキサイド、2,4,8−トリニ
トロチオキサントン、2,4,7−トリニトロ−9,10−フエ
ナンスレンキノン、1,4−ナフトキノンベンゾ〔a〕ア
ンスラセン−7,12−ジオン、2,4,7−トリニトロ−9−
ジシアノメチレンフルオレン、テトラクロル無水フタル
酸、1−ブロムピレン、1−メチルピレン、1−エチル
ピレン、1−アセチルピレン、カルバゾール、N−エチ
ルカルバゾール、N−β−クロロエチルカルバゾール、
N−β−ヒドロキシエチルカルバゾール、2−フエニル
インドール、2−フエニルナフタレン、2,5−ビス(4
−ジエチルアミノフエニル)−1,3,4−オキサジアゾー
ル、2,5−ビス(4−ジエチルアミノフエニル)−1,3,4
−トリアゾール、1−フエニル−3−(4−ジエチルア
ミノスチリル)−5−(4−ジエチルアミノフエニル)
ピラゾリン、2−フエニル−4−(4−ジエチルアミノ
フエニル)−5−フエニルオキサゾール、トリフエニル
アミン、トリス(4−ジエチルアミノフエニル)メタ
ン、8,6−ビス(ジベンジルアミノ)−9−エチルカル
バゾール、4,4′−ビス(ジベンジルアミノ)ジフエニ
ルメタン、4,4′−ビス(ジベンジルアミノ)ジフエニ
ルエーテル、1,1−ビス(4−ジベンジルアミノフエニ
ル)プロパン、2−(a−ナフチル)−5−(4−ジエ
チルアミノフエニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2
−スチリル−5−(3−N−エチルカルバリル)−1,3,
4−オキサジアゾール、2−(4−メトキシフエニル)
−5−(3−N−エチルカルバゾリル)−1,3,4−オキ
サジアゾール、2−(4−ジエチルアミノフエニル)−
5−(3−N−エチルカルバゾリル)−1,3,4−オキサ
ジアゾール、9−(4−ジエチルアミノスチル)アント
ラセン、9−(4−ジメチルアミノスチリル)アントラ
セン、a−(9−アニトリル)−β−(3−N−エチル
カルバゾリル)エチレン、5−メチル−2−(4−ジエ
チルアミノスチリル)ベンゾオキサゾール、9−(4−
ジメチルアミノベンジリデン)フルオレン、N−エチル
−3−(9−フルオレニリデン)カルバゾール、2,6−
ビス(4−ジエチルアミノスチリル)ピリジン、メチル
フエニルヒドラゾノ−3−メチリデン−9−エチルカル
バゾール、メチルフエニルヒドラゾノ−4−メチリデン
−N,N−ジエチルアニリン、4−N,N−ジフエニルアミノ
スチルベン、α−フエニル−4−N,N−ジフエニルアミ
ノスチルベンなどが挙げられる。これらの電荷輸送材料
は単独または2種以上混合して使用される。
なお電荷輸送層中の電荷輸送材料の割合は10〜95重量
%、好ましくは30〜90重量%が適当である。
%、好ましくは30〜90重量%が適当である。
本発明の光導電層の、支持体としてはアルミニウム等の
金属板又は金属箔、アルミニウムなどの金属を蒸着した
プラスチツクフイルム、或いは導電処理を施した紙等が
使用される。
金属板又は金属箔、アルミニウムなどの金属を蒸着した
プラスチツクフイルム、或いは導電処理を施した紙等が
使用される。
本発明の有機感光体を作るには基本的にはα型X線回折
パターンを示す化合物(I)を結着剤溶液中に分散し、
この分散液を支持体上に導電層及び/または接着層を介
して塗布乾燥して電荷発生層を形成した後、その上に電
荷輸送材料及び結着剤を溶解した溶液を塗布乾燥して電
荷輸送層を形成すればよいのであるが、電荷発生層を形
成する前に、前記分散液中の化合物(I)が所望のα型
X線回折パターンを示すかどうか予め確認しておく必要
がある。これは前述のように分散液の溶媒によつて回折
パターンが変化する可能性があるからである。なおこう
して形成される電荷発生層及び電荷輸送層の厚さは夫々
5μm以下(好ましくは2μm以下)、3〜50μm(好
ましくは5〜25μm)が適当である。
パターンを示す化合物(I)を結着剤溶液中に分散し、
この分散液を支持体上に導電層及び/または接着層を介
して塗布乾燥して電荷発生層を形成した後、その上に電
荷輸送材料及び結着剤を溶解した溶液を塗布乾燥して電
荷輸送層を形成すればよいのであるが、電荷発生層を形
成する前に、前記分散液中の化合物(I)が所望のα型
X線回折パターンを示すかどうか予め確認しておく必要
がある。これは前述のように分散液の溶媒によつて回折
パターンが変化する可能性があるからである。なおこう
して形成される電荷発生層及び電荷輸送層の厚さは夫々
5μm以下(好ましくは2μm以下)、3〜50μm(好
ましくは5〜25μm)が適当である。
以下に本発明を実施例によつて説明する。
実施例1 化合物(I)をエチレンジアミンに溶解し、大量のジメ
チルホルムアミドに投入し、生じた沈澱を取してα型
X線回折パターンを示す化合物(I)を得た。このよう
に溶媒処理してなる化合物(I)20重量部と、シクロヘ
キサノン300重量部にブチラール樹脂(積水化学(株)
社製エスレツクBL−1)20重量部を溶解した液とをボー
ルミルで24時間、分散混合して分散液を得た。この分散
液を、アルミニウム導電層を有するポリエステルフイル
ム基板上に乾燥膜厚が0.2μmになるように塗布乾燥し
て電荷発生層を形成した。
チルホルムアミドに投入し、生じた沈澱を取してα型
X線回折パターンを示す化合物(I)を得た。このよう
に溶媒処理してなる化合物(I)20重量部と、シクロヘ
キサノン300重量部にブチラール樹脂(積水化学(株)
社製エスレツクBL−1)20重量部を溶解した液とをボー
ルミルで24時間、分散混合して分散液を得た。この分散
液を、アルミニウム導電層を有するポリエステルフイル
ム基板上に乾燥膜厚が0.2μmになるように塗布乾燥し
て電荷発生層を形成した。
その上に電荷輸送材料として下記構造式で示されるN−
メチル−N−フエニルヒドラゾノ−3−メチリデン−9
−エチルカルバゾール 10重量部とポリカーボネート(帝人化成(株)社製パン
ライトK−1300)10重量部とをテトラヒドロフラン80重
量部に溶解した溶液を乾燥膜厚が20μmになるように塗
布乾燥して電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光
体を作成した。
メチル−N−フエニルヒドラゾノ−3−メチリデン−9
−エチルカルバゾール 10重量部とポリカーボネート(帝人化成(株)社製パン
ライトK−1300)10重量部とをテトラヒドロフラン80重
量部に溶解した溶液を乾燥膜厚が20μmになるように塗
布乾燥して電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光
体を作成した。
なお前記溶媒処理した化合物(I)をシクロヘキサノン
分散液より遠心分離法で回収し、粉末X線回折法で測定
したところ、第1図に示す結果を得た。従つてこの化合
物(I)は本発明のα型X線回折パターンを満足する非
晶質であることがわかる。
分散液より遠心分離法で回収し、粉末X線回折法で測定
したところ、第1図に示す結果を得た。従つてこの化合
物(I)は本発明のα型X線回折パターンを満足する非
晶質であることがわかる。
次にこうして作成した感光体について、静電複写紙試験
装置((株)川口電機製作所製、SP428型)を用いて、
−6KVのコロナ放電を20秒間行なつて負に帯電せしめた
後、20秒間暗所に放置し、その時の表面電位Vpo(vol
t)を測定し、次いでタングステンランプによつてその
表面が照度20ルツクスになるように光を照射し、表面電
位がVpoの1/2になるまでの時間(sec)を求め、露光量E
1/2(1ux・sec)を算出した。また露光30秒後の表面電
位VRも測定した。
装置((株)川口電機製作所製、SP428型)を用いて、
−6KVのコロナ放電を20秒間行なつて負に帯電せしめた
後、20秒間暗所に放置し、その時の表面電位Vpo(vol
t)を測定し、次いでタングステンランプによつてその
表面が照度20ルツクスになるように光を照射し、表面電
位がVpoの1/2になるまでの時間(sec)を求め、露光量E
1/2(1ux・sec)を算出した。また露光30秒後の表面電
位VRも測定した。
以上の測定結果ならびに10回及び300回くり返し測定後
の結果を下表に示す。
の結果を下表に示す。
次に各波長における感度を調べるため、以下の測定を行
なつた。まず感光体を暗所でコロナ放電により帯電し、
ついで、その上にモノクロメーターを用いて分光した1
μW/cm2の単色光を照射した。
なつた。まず感光体を暗所でコロナ放電により帯電し、
ついで、その上にモノクロメーターを用いて分光した1
μW/cm2の単色光を照射した。
次にその表面電位が1/2に減衰するまでの時間(sec)を
求め(この時暗減衰による表面電位の減衰分は補正し
た)、更に露光量(μW・sec/cm2)を求めて光減衰速
度(volt・cm2・μW-1・sec-1)を算出した。
求め(この時暗減衰による表面電位の減衰分は補正し
た)、更に露光量(μW・sec/cm2)を求めて光減衰速
度(volt・cm2・μW-1・sec-1)を算出した。
この分光感度の結果を第2図に示す。
以上の結果より本実施例の感光体は高感度かつ、可視お
よび半導体レーザー波長域に感度を有し、また、くり返
し疲労性にすぐれていることがわかる。
よび半導体レーザー波長域に感度を有し、また、くり返
し疲労性にすぐれていることがわかる。
比較例1 実施例1と同じ方法で溶剤処理してなる化合物(I)20
重量部と、テトラヒドロフラン300重量部にブチラール
樹脂(積水化学(株)社製エスレツクBL−1)20重量部
を溶解した液とをボールミルで24時間、分散混合して分
散液を得た。この分散液をアルミニウム導電層を有する
ポリエステルフイルム基体上に乾燥膜厚が0.2μmにな
るよう塗布乾燥して電荷発生層を形成した。
重量部と、テトラヒドロフラン300重量部にブチラール
樹脂(積水化学(株)社製エスレツクBL−1)20重量部
を溶解した液とをボールミルで24時間、分散混合して分
散液を得た。この分散液をアルミニウム導電層を有する
ポリエステルフイルム基体上に乾燥膜厚が0.2μmにな
るよう塗布乾燥して電荷発生層を形成した。
その上に実施例1と同じ方法でキヤリア輸送層を設け
た。
た。
なお前記溶剤処理した化合物(I)をテトラヒドロフラ
ン分散液より遠心分離法で回収し、粉末X線回折法で測
定したところ第3図に示す結果を得た。この図より、本
比較例の感光体に用いた化合物(I)は明らかにα型回
折パターンとは異なる回折を示していることがわかる。
ン分散液より遠心分離法で回収し、粉末X線回折法で測
定したところ第3図に示す結果を得た。この図より、本
比較例の感光体に用いた化合物(I)は明らかにα型回
折パターンとは異なる回折を示していることがわかる。
上記感光体の特性を実施例1と同じ方法で測定したとこ
ろ、下表および第4図の結果を得た。
ろ、下表および第4図の結果を得た。
以上の比較例より、α型とは異なる回折を有する化合物
(I)はα型の化合物(I)を用いた本発明の感光体と
比較して電子写真特性が劣ることが明らかである。
(I)はα型の化合物(I)を用いた本発明の感光体と
比較して電子写真特性が劣ることが明らかである。
実施例2 実施例1と同じ方法で溶剤処理してなる化合物(I)20
重量部と、シクロヘキサノン200重量部にブチラール樹
脂(積水化学(株)社製エスレツクBL−1)20重量部を
溶解した液とをボールミルで24時間、分散混合して、分
散液を得た。
重量部と、シクロヘキサノン200重量部にブチラール樹
脂(積水化学(株)社製エスレツクBL−1)20重量部を
溶解した液とをボールミルで24時間、分散混合して、分
散液を得た。
これにテトラヒドロフラン200重量部をゆつくり加え、
電荷発生層の塗膜乾燥速度が速くなるよう、分散液を調
整した。この分散液をアルミニウム導電層を有するポリ
エステルフイルム基体上に乾燥膜厚が0.2μmになるよ
う塗布乾燥して電荷発生層を形成した。
電荷発生層の塗膜乾燥速度が速くなるよう、分散液を調
整した。この分散液をアルミニウム導電層を有するポリ
エステルフイルム基体上に乾燥膜厚が0.2μmになるよ
う塗布乾燥して電荷発生層を形成した。
その上に実施例1と同じ方法で電荷輸送層を設けた。
なお前記溶剤処理した化合物(I)をシクロヘキサノン
/テトラヒドロフラン混合溶媒分散液より遠心分離で回
収し、粉末X線回折法で測定したところ、第1図と全く
同じ回折パターンを示した。すなわち、本実施例におい
てはテトラヒドロフランを用いたにも拘わらず比較例1
のような結晶変質を生じていないことがわかる。
/テトラヒドロフラン混合溶媒分散液より遠心分離で回
収し、粉末X線回折法で測定したところ、第1図と全く
同じ回折パターンを示した。すなわち、本実施例におい
てはテトラヒドロフランを用いたにも拘わらず比較例1
のような結晶変質を生じていないことがわかる。
上記感光体の特性を下表に示す。なお分光感度は実施例
1(第2図)とほとんど同じ曲線を示した。
1(第2図)とほとんど同じ曲線を示した。
比較例2 実施例1と同じ方法で溶媒処理してなる化合物(I)20
重量部と、ジオキサン300重量部にブチラール樹脂(積
水化学(株)社製エスレツクBM−S)20重量部を溶解し
た液とをボールミルで24時間、分散混合して分散液を得
た。この分散液を、アルミニウム導電層を有するポリエ
ステルフイルム基体上に乾燥膜厚が0.2μmになるよう
塗布乾燥して電荷発生層を形成した。
重量部と、ジオキサン300重量部にブチラール樹脂(積
水化学(株)社製エスレツクBM−S)20重量部を溶解し
た液とをボールミルで24時間、分散混合して分散液を得
た。この分散液を、アルミニウム導電層を有するポリエ
ステルフイルム基体上に乾燥膜厚が0.2μmになるよう
塗布乾燥して電荷発生層を形成した。
その上に、電荷輸送材料として下記構造式で示される化
合物 10重量部とポリカーボネート(帝人化成(株)社製パン
ライトK−1300)10重量部とをテトラヒドロフラン80重
量部に溶解した溶液を乾燥膜厚が20μmになるように塗
布乾燥して電荷輸送量を形成し、本発明の電子写真感光
体を作成した。
合物 10重量部とポリカーボネート(帝人化成(株)社製パン
ライトK−1300)10重量部とをテトラヒドロフラン80重
量部に溶解した溶液を乾燥膜厚が20μmになるように塗
布乾燥して電荷輸送量を形成し、本発明の電子写真感光
体を作成した。
なお前記溶媒処理した化合物(I)をジオキサン分散液
より遠心分離法で回収し、粉末X線回折法で測定したと
ころ、第5図に示す結果を得た。
より遠心分離法で回収し、粉末X線回折法で測定したと
ころ、第5図に示す結果を得た。
上記感光体の特性を下記に示す。780nmの光減衰速度=1
050volt・cm2/μW・sec 比較例3 実施例1と同じ方法で溶媒処理してなる化合物(I)20
重量部と、トルエン300重量部にブチラール樹脂(積水
化学(株)社製エスレツクBM−S)20重量部を溶解した
液とをボールミルで24時間、分散混合して分散液を得
た。この分散液を、アルミニウム導電層を有するポリエ
ステルフイルム基体上に乾燥膜厚が0.2μmになるよう
塗布乾燥して電荷発生層を形成した。
050volt・cm2/μW・sec 比較例3 実施例1と同じ方法で溶媒処理してなる化合物(I)20
重量部と、トルエン300重量部にブチラール樹脂(積水
化学(株)社製エスレツクBM−S)20重量部を溶解した
液とをボールミルで24時間、分散混合して分散液を得
た。この分散液を、アルミニウム導電層を有するポリエ
ステルフイルム基体上に乾燥膜厚が0.2μmになるよう
塗布乾燥して電荷発生層を形成した。
その上に、比較例2と同じ方法で電荷輸送層を設けた。
なお前記溶媒処理した化合物(I)をトルエン分散液よ
り遠心分離法で回収し、粉末X線回折法で測定したとこ
ろ、第6図に示す結果を得た。この図より本比較例の感
光体に用いた化合物(I)は明らかにα型回折パターン
とは異なる回折を示していることがわかる。
り遠心分離法で回収し、粉末X線回折法で測定したとこ
ろ、第6図に示す結果を得た。この図より本比較例の感
光体に用いた化合物(I)は明らかにα型回折パターン
とは異なる回折を示していることがわかる。
上記感光体の特性を下記に示す。本比較例の感光体は比
較例2のそれより劣つていることがわかる。
較例2のそれより劣つていることがわかる。
780nmの光減衰速度=180volt・cm2/μW・sec 比較例4 実施例1と同じ方法で溶媒処理してなる化合物(I)20
重量部と、メチルシクロヘキサン300重量部とを24時間
分散混合して分散液を得た。
重量部と、メチルシクロヘキサン300重量部とを24時間
分散混合して分散液を得た。
次に厚さ0.2mmのアルミニウム基板上に可溶性ナイロン
(東レ(株)製アミランCM-8000)のエタノール溶液を
塗布乾燥して乾燥膜厚0.5μmの中間層を設けた後、そ
の上に上記分散液を乾燥膜厚が0.2μmになるよう塗布
乾燥して電荷発生層を形成した。
(東レ(株)製アミランCM-8000)のエタノール溶液を
塗布乾燥して乾燥膜厚0.5μmの中間層を設けた後、そ
の上に上記分散液を乾燥膜厚が0.2μmになるよう塗布
乾燥して電荷発生層を形成した。
その上に、電荷輸送材料として下記構造で示される化合
物 10重量部とポリカーボネート(帝人化成(株)社製パン
ライトK−1300)10重量部とをテトラヒドロフラン80重
量部に溶解した溶液を乾燥膜厚が20μmになるように塗
布乾燥して電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作成
した。
物 10重量部とポリカーボネート(帝人化成(株)社製パン
ライトK−1300)10重量部とをテトラヒドロフラン80重
量部に溶解した溶液を乾燥膜厚が20μmになるように塗
布乾燥して電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作成
した。
なお前記溶媒処理した化合物(I)をメチルシクロヘキ
サン分散液より遠心分離法で回収し、粉末X線回折法で
測定したところ、第7図に示す結果を得た。
サン分散液より遠心分離法で回収し、粉末X線回折法で
測定したところ、第7図に示す結果を得た。
上記感光体の特性を下記に示す。
780nmの光減衰速度=960volt・cm2/μW・sec 効果 本発明のように電荷発生材料として特定のX線回折パタ
ーンを有する非晶質の特定のトリスアゾ顔料を用いるこ
とにより、可視領域および半導体レーザーの波長域にわ
たつて高感度、且つくり返し疲労特性にすぐれた機能分
離型の電子写真感光体を得ることができる。
ーンを有する非晶質の特定のトリスアゾ顔料を用いるこ
とにより、可視領域および半導体レーザーの波長域にわ
たつて高感度、且つくり返し疲労特性にすぐれた機能分
離型の電子写真感光体を得ることができる。
第1図は実施例1及び2で用いた電荷発生層形成液中の
トリスアゾ顔料のX線回折パターン(本発明に属するX
線回折パターン)、第2図は実施例1及び2で作成した
感光体の分光感度曲線図、第3図及び第6図は夫々比較
例1及び3で用いた電荷発生層形成液中のトリスアゾ顔
料のX線回折パターン(本発明とは異なるX線回折パタ
ーン)、第4図は比較例1で作成した感光体の分光感度
曲線図、第5図及び第7図は夫々、比較例2及び4で用
いた電荷発生層形成液中のトリスアゾ顔料のX線回折パ
ターン(本発明に属するX線回折パターン)である。
トリスアゾ顔料のX線回折パターン(本発明に属するX
線回折パターン)、第2図は実施例1及び2で作成した
感光体の分光感度曲線図、第3図及び第6図は夫々比較
例1及び3で用いた電荷発生層形成液中のトリスアゾ顔
料のX線回折パターン(本発明とは異なるX線回折パタ
ーン)、第4図は比較例1で作成した感光体の分光感度
曲線図、第5図及び第7図は夫々、比較例2及び4で用
いた電荷発生層形成液中のトリスアゾ顔料のX線回折パ
ターン(本発明に属するX線回折パターン)である。
Claims (1)
- 【請求項1】導電性支持体上に電荷発生層及び電荷輸送
層を順次設けた電子写真感光体において、電荷発生層の
電荷発生材料として、Cu−Kα線による粉末X線回析パ
ターンで2θにおける回析相対強度が、4.3〜4.5°で1
4、6.8〜7.3°で62、8〜9°で24、16°で47、18〜19
°で42、24°で51、26°で53に回析ピークを有する下記
構造式の非晶質トリスアゾ顔料を用いたことを特徴とす
る電子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59281599A JPH07117760B2 (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59281599A JPH07117760B2 (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61151659A JPS61151659A (ja) | 1986-07-10 |
JPH07117760B2 true JPH07117760B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=17641390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59281599A Expired - Lifetime JPH07117760B2 (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07117760B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5358813A (en) * | 1902-01-13 | 1994-10-25 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Crystals of chlorogallium phthalocyanine and method of preparing them |
JPS63301956A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-08 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
JP2712372B2 (ja) * | 1988-09-20 | 1998-02-10 | ミノルタ株式会社 | 感光体およびその製造方法 |
JP2541030B2 (ja) * | 1991-04-22 | 1996-10-09 | 富士ゼロックス株式会社 | ヒドロキシインジウムフタロシアニンの新規結晶及びそれを用いた電子写真感光体 |
JP3166293B2 (ja) * | 1991-04-26 | 2001-05-14 | 富士ゼロックス株式会社 | ヒドロキシガリウムフタロシアニンの新規な結晶、その新規な結晶よりなる光導電材料およびそれを用いた電子写真感光体 |
US5393629A (en) * | 1991-04-26 | 1995-02-28 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor |
US5338636A (en) * | 1991-09-27 | 1994-08-16 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Dichlorotin phthalocyanine crystal electrophotographic photoreceptor using the same, and coating composition for electrophotographic photoreceptor |
JP3166283B2 (ja) * | 1992-03-31 | 2001-05-14 | 富士ゼロックス株式会社 | ヒドロキシガリウムフタロシアニンの新規な結晶の製造方法 |
JPH07102183A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-04-18 | Fuji Xerox Co Ltd | ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶、その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体 |
JP2814872B2 (ja) * | 1993-03-25 | 1998-10-27 | 富士ゼロックス株式会社 | ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体 |
JP3072689B2 (ja) * | 1993-04-02 | 2000-07-31 | 富士ゼロックス株式会社 | メトキシガリウムフタロシアニン化合物およびそれを用いた電子写真感光体 |
JP2882977B2 (ja) * | 1993-08-12 | 1999-04-19 | 富士ゼロックス株式会社 | ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造方法およびそれを用いた電子写真感光体 |
JP3216426B2 (ja) * | 1994-06-06 | 2001-10-09 | 富士ゼロックス株式会社 | ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶及びそれを用いた電子写真感光体 |
JPH08120190A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-05-14 | Fuji Xerox Co Ltd | クロロガリウムフタロシアニン結晶の製造方法 |
JP3060199B2 (ja) * | 1994-09-30 | 2000-07-10 | 富士ゼロックス株式会社 | ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造方法 |
JP3635786B2 (ja) * | 1996-01-17 | 2005-04-06 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57195767A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-01 | Ricoh Co Ltd | Novel trisazo compound and production thereof |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP59281599A patent/JPH07117760B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61151659A (ja) | 1986-07-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |