JP3060199B2 - ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造方法 - Google Patents
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造方法Info
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- C09B67/0001—Post-treatment of organic pigments or dyes
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- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光導電材料として有用
なヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造方法に
関するものである。
なヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子写真感光体は、近年、従来提案され
た有機光導電材料の感光波長域を、近赤外線の半導体レ
ーザーの波長（７８０〜８３０ｎｍ）にまで伸ばし、レ
ーザープリンター等のデジタル記録用の感光体として使
用することの要求が高まっており、この観点から、スク
エアリウム化合物（特開昭４９−１０５５３６号及び同
５８−２１４１６号公報）、トリフェニルアミン系トリ
スアゾ化合物（特開昭６１−１５１６５９号公報）、フ
タロシアニン化合物（特開昭４８−３４１８９号及び同
５７−１４８７４５号公報）等が、半導体レーザー用の
光導電材料として提案されている。半導体レーザー用の
感光材料として、有機光導電材料を使用する場合は、ま
ず、感光波長域が長波長まで伸びていること、次に、形
成される感光体の感度、耐久性がよいことなどが要求さ
れる。前記の有機光導電材料は、これらの諸条件を十分
に満足するものではない。これらの欠点を克服するため
に、前記の有機光導電材料について、結晶型と電子写真
特性の関係が検討されており、特にフタロシアニン化合
物については多くの報告がなされている。
た有機光導電材料の感光波長域を、近赤外線の半導体レ
ーザーの波長（７８０〜８３０ｎｍ）にまで伸ばし、レ
ーザープリンター等のデジタル記録用の感光体として使
用することの要求が高まっており、この観点から、スク
エアリウム化合物（特開昭４９−１０５５３６号及び同
５８−２１４１６号公報）、トリフェニルアミン系トリ
スアゾ化合物（特開昭６１−１５１６５９号公報）、フ
タロシアニン化合物（特開昭４８−３４１８９号及び同
５７−１４８７４５号公報）等が、半導体レーザー用の
光導電材料として提案されている。半導体レーザー用の
感光材料として、有機光導電材料を使用する場合は、ま
ず、感光波長域が長波長まで伸びていること、次に、形
成される感光体の感度、耐久性がよいことなどが要求さ
れる。前記の有機光導電材料は、これらの諸条件を十分
に満足するものではない。これらの欠点を克服するため
に、前記の有機光導電材料について、結晶型と電子写真
特性の関係が検討されており、特にフタロシアニン化合
物については多くの報告がなされている。
【０００３】一般に、フタロシアニン化合物は、製造方
法、処理方法によって、多くの異なった結晶型を形成す
る特徴があり、この結晶型の違いはフタロシアニンの光
電変換特性に大きな影響を及ぼすことが知られている。
フタロシアニン化合物の結晶型については、例えば、銅
フタロシアニンについてみると、安定系のβ型以外に、
α、π、ｘ、ρ、γ、δ等の結晶型が知られており、こ
れらの結晶型は、機械的歪力、硫酸処理、有機溶剤処理
および熱処理等により、相互に転移が可能であることが
知られている。（例えば米国特許第２７７０６２９号、
同第３１６０６３５号、同第３７０８２９２号および、
同第３３５７９８９号明細書等）。また、特開昭５０−
３８５４３号公報等には、銅フタロシアニンの結晶型の
違いと電子写真感度について記載されている。また、ガ
リウムフタロシアニンの結晶型と電子写真特性について
みると、特開平１−２２１４５９号公報には、アシッド
ペースティング法によって得られた２種類の結晶につい
て記載されている。さらにまた、本発明者等は、先に特
開平５−２６３００７号公報において、５種類の結晶型
を有するものが優れた電子写真特性を有することを報告
した。
法、処理方法によって、多くの異なった結晶型を形成す
る特徴があり、この結晶型の違いはフタロシアニンの光
電変換特性に大きな影響を及ぼすことが知られている。
フタロシアニン化合物の結晶型については、例えば、銅
フタロシアニンについてみると、安定系のβ型以外に、
α、π、ｘ、ρ、γ、δ等の結晶型が知られており、こ
れらの結晶型は、機械的歪力、硫酸処理、有機溶剤処理
および熱処理等により、相互に転移が可能であることが
知られている。（例えば米国特許第２７７０６２９号、
同第３１６０６３５号、同第３７０８２９２号および、
同第３３５７９８９号明細書等）。また、特開昭５０−
３８５４３号公報等には、銅フタロシアニンの結晶型の
違いと電子写真感度について記載されている。また、ガ
リウムフタロシアニンの結晶型と電子写真特性について
みると、特開平１−２２１４５９号公報には、アシッド
ペースティング法によって得られた２種類の結晶につい
て記載されている。さらにまた、本発明者等は、先に特
開平５−２６３００７号公報において、５種類の結晶型
を有するものが優れた電子写真特性を有することを報告
した。
【０００４】これらの結晶の製造方法に関しては、Ｂｕ
ｌｌ．Ｓｏｃ．Ｃｈｉｍ．Ｆｒａｎｃｅ，２３（１９６
２）に記載されているようなアシッドペースティング法
が採用され、準安定なヒドロキシガリウムフタロシアニ
ンを得た後、溶剤変換処理をすることにより得られる。
上記アシッドペースティング法に使用するガリウムフタ
ロシアニンには、クロロガリウムフタロシアニン（例え
ば、Ｄ．Ｃ．Ｒ．Ａｃａｄ．Ｓｃｉ．，２４２，１０２
６（１９５６）、特公平３−３０８５４号公報、特開平
１−２２１４５９号公報、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１
９，３１３１（１９８０））、ブロモガリウムフタロシ
アニン（例えば、特開昭５９−１３３５５１号公報）、
ヨードガリウムフタロシアニン（例えば、特開昭６０−
５９３５４号公報）等があげられる。
ｌｌ．Ｓｏｃ．Ｃｈｉｍ．Ｆｒａｎｃｅ，２３（１９６
２）に記載されているようなアシッドペースティング法
が採用され、準安定なヒドロキシガリウムフタロシアニ
ンを得た後、溶剤変換処理をすることにより得られる。
上記アシッドペースティング法に使用するガリウムフタ
ロシアニンには、クロロガリウムフタロシアニン（例え
ば、Ｄ．Ｃ．Ｒ．Ａｃａｄ．Ｓｃｉ．，２４２，１０２
６（１９５６）、特公平３−３０８５４号公報、特開平
１−２２１４５９号公報、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１
９，３１３１（１９８０））、ブロモガリウムフタロシ
アニン（例えば、特開昭５９−１３３５５１号公報）、
ヨードガリウムフタロシアニン（例えば、特開昭６０−
５９３５４号公報）等があげられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにガリウムフタロシアニンにアシッドペースティン
グ法を採用し、準安定なヒドロキシガリウムフタロシア
ニンを得た後、溶剤変換処理することによって、特定の
結晶型を有するヒドロキシガリウムフタロシアニンを製
造した場合、結晶型としては同じものが得られる場合で
あっても、それを電子写真感光体として利用する場合、
光感度や暗減衰率等に問題があり、また安定した画質特
性のものを得ることが困難であった。本発明は、従来技
術における上記のような問題点に鑑みてなされたもので
あって、その目的は、光導電材料として優れた特性を示
すヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を提供するも
のである。
ようにガリウムフタロシアニンにアシッドペースティン
グ法を採用し、準安定なヒドロキシガリウムフタロシア
ニンを得た後、溶剤変換処理することによって、特定の
結晶型を有するヒドロキシガリウムフタロシアニンを製
造した場合、結晶型としては同じものが得られる場合で
あっても、それを電子写真感光体として利用する場合、
光感度や暗減衰率等に問題があり、また安定した画質特
性のものを得ることが困難であった。本発明は、従来技
術における上記のような問題点に鑑みてなされたもので
あって、その目的は、光導電材料として優れた特性を示
すヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を提供するも
のである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、ヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶の製造方法について鋭意
検討を重ねた結果、ガリウムフタロシアニンを製造する
にあたり、生成物中のガリウム化合物の残留を抑制する
ことによって、特定のブラッグ角度に強い回折ピークを
有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得て、
更に該結晶を溶剤処理により結晶転移させて得られる、
特定のブラッグ角度に強い回折ピークを有するヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶が、優れた光導電材料と
しての特性を有することを見出し、本発明を完成するに
至った。
シガリウムフタロシアニン結晶の製造方法について鋭意
検討を重ねた結果、ガリウムフタロシアニンを製造する
にあたり、生成物中のガリウム化合物の残留を抑制する
ことによって、特定のブラッグ角度に強い回折ピークを
有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得て、
更に該結晶を溶剤処理により結晶転移させて得られる、
特定のブラッグ角度に強い回折ピークを有するヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶が、優れた光導電材料と
しての特性を有することを見出し、本発明を完成するに
至った。
【０００７】すなわち、本発明は、ガリウム化合物と前
記ガリウム化合物１当量に対して１．０５〜２倍当量の
フタロシアニン環を形成する化合物を反応させてガリウ
ムフタロシアニンを製造し、得られたガリウムフタロシ
アニンをアシッドペースティング法により、Ｘ線回折ス
ペクトルにおいて、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ
角度（２θ±０．２°）の６．９°、１３．２°〜１
４．２°、１６．５°および２６．４°、または７．０
°、１３．４°、１６．６°、２６．０°および２６．
７°に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶を製造し、該結晶を溶剤処理により結晶
転移させることによって、Ｘ線回折スペクトルにおい
て、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±
０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．
３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°に強い
回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶を得ることにある。
記ガリウム化合物１当量に対して１．０５〜２倍当量の
フタロシアニン環を形成する化合物を反応させてガリウ
ムフタロシアニンを製造し、得られたガリウムフタロシ
アニンをアシッドペースティング法により、Ｘ線回折ス
ペクトルにおいて、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ
角度（２θ±０．２°）の６．９°、１３．２°〜１
４．２°、１６．５°および２６．４°、または７．０
°、１３．４°、１６．６°、２６．０°および２６．
７°に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶を製造し、該結晶を溶剤処理により結晶
転移させることによって、Ｘ線回折スペクトルにおい
て、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±
０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．
３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°に強い
回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶を得ることにある。
【０００８】以下、本発明について、詳細に説明する。
本発明は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中の
不純物が電子写真特性に大きな影響を与えることを知見
したことによるものであって、合成後の結晶は、原料と
して用いたガリウム化合物やそれらからなる中間体生成
物などを含有することが多く、これらは後のアシッドペ
ースティングなどの操作によってＧａＯ（ＯＨ）等を生
成し、電子写真特性を低下させているものと考えられ
る。そこで、本発明においては、原料のガリウムフタロ
シアニンを製造する際に、ガリウム化合物に対してフタ
ロシアニン環を形成する化合物を過剰量使用することに
より、ガリウムフタロシアニン合成の際にガリウム化合
物の残留を抑制する。その操作によって、Ｘ線回折スペ
クトルにおいて、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角
度（２θ±０．２°）の６．９°、１３．２°〜１４．
２°、１６．５°および２６．４°、または７．０°、
１３．４°、１６．６°、２６．０°および２６．７°
に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシ
アニン結晶を製造し、更に、上記の方法で得られたヒド
ロキシガリウムフタロシアニン結晶を溶剤処理により結
晶転移させると、Ｘ線回折スペクトルにおいて、ＣｕＫ
α特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±０．２°）の
７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．
６°、２５．１°および２８．３°に強い回折ピークを
有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が製造さ
れる。
本発明は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中の
不純物が電子写真特性に大きな影響を与えることを知見
したことによるものであって、合成後の結晶は、原料と
して用いたガリウム化合物やそれらからなる中間体生成
物などを含有することが多く、これらは後のアシッドペ
ースティングなどの操作によってＧａＯ（ＯＨ）等を生
成し、電子写真特性を低下させているものと考えられ
る。そこで、本発明においては、原料のガリウムフタロ
シアニンを製造する際に、ガリウム化合物に対してフタ
ロシアニン環を形成する化合物を過剰量使用することに
より、ガリウムフタロシアニン合成の際にガリウム化合
物の残留を抑制する。その操作によって、Ｘ線回折スペ
クトルにおいて、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角
度（２θ±０．２°）の６．９°、１３．２°〜１４．
２°、１６．５°および２６．４°、または７．０°、
１３．４°、１６．６°、２６．０°および２６．７°
に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシ
アニン結晶を製造し、更に、上記の方法で得られたヒド
ロキシガリウムフタロシアニン結晶を溶剤処理により結
晶転移させると、Ｘ線回折スペクトルにおいて、ＣｕＫ
α特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±０．２°）の
７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．
６°、２５．１°および２８．３°に強い回折ピークを
有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が製造さ
れる。
【０００９】まず、本発明は、ガリウムフタロシアニン
を合成する際には、フタロシアニン環を形成する化合物
を当量より過剰量使用するものであり、ガリウム１当量
に対して、１．０５〜２倍当量の範囲で使用することが
必要であるが、好ましくは１．０５〜１．４倍当量、更
に好ましくは１．１〜１．２５倍当量の範囲で使用す
る。この時使用されるフタロシアニン環を形成する化合
物としては、フタロニトリル、３−メチルフタロニトリ
ル、３，４−ジメチルフタロニトリル、３−クロルフタ
ロニトリル、３，４−ジクロルフタロニトリル、３−ニ
トロフタロニトリル、３，４−ジニトロフタロニトリ
ル、３−シアノフタロニトリル、３，４−ジシアノフタ
ロニトリル、２−メチルフタロニトリル、２−クロルフ
タロニトリル、２−ニトロフタロニトリル、２−シアノ
フタロニトリル、ジイミノイソインドリン、５−メチル
ジイミノイソインドリン、５，６−ジメチルジイミノイ
ソインドリン、５−クロルジイミノイソインドリン、
５，６−ジクロルジイミノイソインドリン、５−ニトロ
ジイミノイソインドリン、５，６−ジニトロジイミノイ
ソインドリン、５−シアノジイミノイソインドリン、
５，６−ジシアノジイミノイソインドリン、４−メチル
ジイミノイソインドリン、４−クロルジイミノイソイン
ドリン、４−ニトロジイミノイソインドリン、４−シア
ノジイミノイソインドリン等があげられる。これらのな
かでも、フタロニトリル、ジイミノイソインドリンが好
適に用いられる。
を合成する際には、フタロシアニン環を形成する化合物
を当量より過剰量使用するものであり、ガリウム１当量
に対して、１．０５〜２倍当量の範囲で使用することが
必要であるが、好ましくは１．０５〜１．４倍当量、更
に好ましくは１．１〜１．２５倍当量の範囲で使用す
る。この時使用されるフタロシアニン環を形成する化合
物としては、フタロニトリル、３−メチルフタロニトリ
ル、３，４−ジメチルフタロニトリル、３−クロルフタ
ロニトリル、３，４−ジクロルフタロニトリル、３−ニ
トロフタロニトリル、３，４−ジニトロフタロニトリ
ル、３−シアノフタロニトリル、３，４−ジシアノフタ
ロニトリル、２−メチルフタロニトリル、２−クロルフ
タロニトリル、２−ニトロフタロニトリル、２−シアノ
フタロニトリル、ジイミノイソインドリン、５−メチル
ジイミノイソインドリン、５，６−ジメチルジイミノイ
ソインドリン、５−クロルジイミノイソインドリン、
５，６−ジクロルジイミノイソインドリン、５−ニトロ
ジイミノイソインドリン、５，６−ジニトロジイミノイ
ソインドリン、５−シアノジイミノイソインドリン、
５，６−ジシアノジイミノイソインドリン、４−メチル
ジイミノイソインドリン、４−クロルジイミノイソイン
ドリン、４−ニトロジイミノイソインドリン、４−シア
ノジイミノイソインドリン等があげられる。これらのな
かでも、フタロニトリル、ジイミノイソインドリンが好
適に用いられる。
【００１０】また、ガリウム化合物としては、塩化ガリ
ウム、臭化ガリウム、沃化ガリウム、フッ化ガリウム、
ガリウムトリメトキサイド、ガリウムトリエトキサイ
ド、ガリウムトリプロポキサイド、ガリウムアセチルア
セトナート等があげられる。系内において、塩化ガリウ
ム等とナトリウムメトキサイド等からガリウムトリアル
コキサイドを作製した後、ガリウムフタロシアニンを合
成する方法が特に好ましい。この反応の反応温度は、１
００〜２３０℃、好ましくは１４０〜２００℃の範囲
で、反応時間は、３〜４８時間、好ましくは６〜３０時
間の範囲で行う。続いてアシッドペースティングを行
い、Ｘ線回折スペクトルにおいて、ＣｕＫα特性Ｘ線に
対するブラッグ角度（２θ±０．２°）の６．９°、１
３．２°〜１４．２°、１６．５°および２６．４°、
または７．０°、１３．４°、１６．６°、２６．０°
および２６．７°に強い回折ピークを有するヒドロキシ
ガリウムフタロシアニン結晶が得られる。このようにし
て得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、
フタロシアニン環を形成する化合物を過剰量使用するこ
とによって、その分解等による不足分を補うため、Ｇａ
Ｏ（ＯＨ）等を副生させる化合物が残存または生成しに
くくなるため、電子写真特性が向上するものと考えられ
る。
ウム、臭化ガリウム、沃化ガリウム、フッ化ガリウム、
ガリウムトリメトキサイド、ガリウムトリエトキサイ
ド、ガリウムトリプロポキサイド、ガリウムアセチルア
セトナート等があげられる。系内において、塩化ガリウ
ム等とナトリウムメトキサイド等からガリウムトリアル
コキサイドを作製した後、ガリウムフタロシアニンを合
成する方法が特に好ましい。この反応の反応温度は、１
００〜２３０℃、好ましくは１４０〜２００℃の範囲
で、反応時間は、３〜４８時間、好ましくは６〜３０時
間の範囲で行う。続いてアシッドペースティングを行
い、Ｘ線回折スペクトルにおいて、ＣｕＫα特性Ｘ線に
対するブラッグ角度（２θ±０．２°）の６．９°、１
３．２°〜１４．２°、１６．５°および２６．４°、
または７．０°、１３．４°、１６．６°、２６．０°
および２６．７°に強い回折ピークを有するヒドロキシ
ガリウムフタロシアニン結晶が得られる。このようにし
て得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、
フタロシアニン環を形成する化合物を過剰量使用するこ
とによって、その分解等による不足分を補うため、Ｇａ
Ｏ（ＯＨ）等を副生させる化合物が残存または生成しに
くくなるため、電子写真特性が向上するものと考えられ
る。
【００１１】
【００１２】次に、上記のようにして得られたガリウム
フタロシアニンをアシッドペースティング法により処理
する。すなわち、ガリウムフタロシアニンを酸の中に溶
解または分散させて酸ペースト液を調製し、次いで、こ
れをアルカリ性水溶液またはアルカリ性水溶液と有機溶
剤の混合液中に加え、アシッドペースティングを行う。
酸ペースト液の調製に用いる酸としては、硫酸、塩酸、
臭化水素酸、トリフルオロ酢酸等があげられるが、濃硫
酸が溶解度も高く、取扱い易いため好ましい。濃硫酸を
用いる場合、ガリウムフタロシアニンに対して、５〜１
００倍の範囲で用いられるが、１５〜４０倍の範囲が望
ましい。ここで使用される有機溶剤は、メタノール等の
アルコール類、エチレングリコール、グリセリン、ポリ
エチレングリコール等のグリコール類、アセトン、メチ
ルエチルケトン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル
等のエステル類、ジクロルメタン、クロロホルム等のハ
ロゲン化炭化水素、トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素等があげられる。有機溶剤の使用量は、水に対して
１０倍以下、好ましくは５倍以下の範囲で用いる。ま
た、使用するアルカリとしては、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、アンモ
ニア、各種水酸化アンモニウム塩等があげられる。上記
混合液は、ガリウムフタロシアニンの酸ペースト液に対
して、１〜１００倍、好ましくは３〜２０倍の範囲で用
いる。アシッドペースティングの温度は、−１５〜１０
０℃の範囲で行なうが、有機溶剤を用いる場合は、溶剤
の沸点以下であることが好ましい。
フタロシアニンをアシッドペースティング法により処理
する。すなわち、ガリウムフタロシアニンを酸の中に溶
解または分散させて酸ペースト液を調製し、次いで、こ
れをアルカリ性水溶液またはアルカリ性水溶液と有機溶
剤の混合液中に加え、アシッドペースティングを行う。
酸ペースト液の調製に用いる酸としては、硫酸、塩酸、
臭化水素酸、トリフルオロ酢酸等があげられるが、濃硫
酸が溶解度も高く、取扱い易いため好ましい。濃硫酸を
用いる場合、ガリウムフタロシアニンに対して、５〜１
００倍の範囲で用いられるが、１５〜４０倍の範囲が望
ましい。ここで使用される有機溶剤は、メタノール等の
アルコール類、エチレングリコール、グリセリン、ポリ
エチレングリコール等のグリコール類、アセトン、メチ
ルエチルケトン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル
等のエステル類、ジクロルメタン、クロロホルム等のハ
ロゲン化炭化水素、トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素等があげられる。有機溶剤の使用量は、水に対して
１０倍以下、好ましくは５倍以下の範囲で用いる。ま
た、使用するアルカリとしては、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、アンモ
ニア、各種水酸化アンモニウム塩等があげられる。上記
混合液は、ガリウムフタロシアニンの酸ペースト液に対
して、１〜１００倍、好ましくは３〜２０倍の範囲で用
いる。アシッドペースティングの温度は、−１５〜１０
０℃の範囲で行なうが、有機溶剤を用いる場合は、溶剤
の沸点以下であることが好ましい。
【００１３】
【００１４】更に、上記のようにして得られたヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶は、溶剤処理される。そ
れにより結晶転移が行われ、目的とするヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン結晶を得ることができる。本発明の
溶剤処理によって得られるヒドロキシガリウムフタロシ
アニン結晶は、具体的には、ＣｕＫα特性Ｘ線回折にお
いてブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．５°、９．
９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１
°及び２８．３°に強い回折ピークを有する。この溶剤
処理に用いる溶剤としては、例えば、アミド類（Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イ
ミダゾリジノン等）、スルホキシド類（ジメチルスルホ
キシド等）、有機アミン類（モルホリン、ピペリジン
等）等があげられる。上記ヒドロキシガリウムフタロシ
アニン結晶を製造する際に使用する溶剤は、それらの２
種以上を混合した混合系または水とそれらの溶剤との混
合系等であってもよい。このような溶剤処理には、例え
ば、通常の再結晶処理だけでなく、洗浄、湿式粉砕、浸
漬、懸濁撹拌する等の処理操作が含まれる。
シガリウムフタロシアニン結晶は、溶剤処理される。そ
れにより結晶転移が行われ、目的とするヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン結晶を得ることができる。本発明の
溶剤処理によって得られるヒドロキシガリウムフタロシ
アニン結晶は、具体的には、ＣｕＫα特性Ｘ線回折にお
いてブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．５°、９．
９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１
°及び２８．３°に強い回折ピークを有する。この溶剤
処理に用いる溶剤としては、例えば、アミド類（Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イ
ミダゾリジノン等）、スルホキシド類（ジメチルスルホ
キシド等）、有機アミン類（モルホリン、ピペリジン
等）等があげられる。上記ヒドロキシガリウムフタロシ
アニン結晶を製造する際に使用する溶剤は、それらの２
種以上を混合した混合系または水とそれらの溶剤との混
合系等であってもよい。このような溶剤処理には、例え
ば、通常の再結晶処理だけでなく、洗浄、湿式粉砕、浸
漬、懸濁撹拌する等の処理操作が含まれる。
【００１５】溶剤処理条件としては、ヒドロキシガリウ
ムフタロシアニン１重量部に対する溶剤の使用量は１〜
２００重量部、好ましくは１０〜１００重量部の範囲が
適当であり、処理温度は０〜１５０℃、好ましくは室温
〜１００℃である。また、溶剤処理は適当な容器中に静
置するかまたは撹拌しながら行ってもよい。さらには、
所定の溶剤を用いてボールミル、乳鉢、サンドミル、ニ
ーダー、アトライター等により湿式粉砕してもよく、粉
砕の際に、食塩、ぼう硝等の無機化合物や、ガラスビー
ズ、スチールビーズ、アルミナビーズ等の磨砕剤を用い
てもよい。以上のような溶剤処理により、さらに結晶性
が良好で、粒径の整ったヒドロキシガリウムフタロシア
ニンの好ましい新規な結晶を製造することができる。
ムフタロシアニン１重量部に対する溶剤の使用量は１〜
２００重量部、好ましくは１０〜１００重量部の範囲が
適当であり、処理温度は０〜１５０℃、好ましくは室温
〜１００℃である。また、溶剤処理は適当な容器中に静
置するかまたは撹拌しながら行ってもよい。さらには、
所定の溶剤を用いてボールミル、乳鉢、サンドミル、ニ
ーダー、アトライター等により湿式粉砕してもよく、粉
砕の際に、食塩、ぼう硝等の無機化合物や、ガラスビー
ズ、スチールビーズ、アルミナビーズ等の磨砕剤を用い
てもよい。以上のような溶剤処理により、さらに結晶性
が良好で、粒径の整ったヒドロキシガリウムフタロシア
ニンの好ましい新規な結晶を製造することができる。
【００１６】次に、上記の方法で製造したヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶を用いる電子写真感光体につ
いて説明する。電子写真感光体は、感光層が単層構造の
ものであってもあるいは電荷発生層と電荷輸送層とに機
能分離された積層構造のものであってもよい。感光層が
積層構造を有する場合において、電荷発生層は上記ヒド
ロキシガリウムフタロシアニン結晶および結着樹脂から
構成される。また、電子写真感光体は、電荷発生層およ
びその上に積層された電荷輸送層からなる感光層が導電
性支持体上に被覆され、感光層と導電性支持体の間に下
引き層を介在させておくのが望ましい。電子写真感光体
における電荷発生層は、結着樹脂を有機溶剤に溶解した
溶液に電荷発生材料である上記ヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶を分散させて塗布液を調製し、それを導
電性支持体上に塗布することによって形成される。使用
する結着樹脂は、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニ
ルホルマール樹脂等の広範な樹脂が用いられる。また、
結着樹脂を溶解する溶媒としては、下引き層を溶解しな
いものから選択するのが好ましい。前記ヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン結晶と結着樹脂との配合比（重量）
は、４０：１〜１：２０の範囲が適当である。また、ヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶を分散させる方法
としては、ボールミル分散法、アトライター分散法、サ
ンドミル分散法等の通常の方法を採用することができ
る。
リウムフタロシアニン結晶を用いる電子写真感光体につ
いて説明する。電子写真感光体は、感光層が単層構造の
ものであってもあるいは電荷発生層と電荷輸送層とに機
能分離された積層構造のものであってもよい。感光層が
積層構造を有する場合において、電荷発生層は上記ヒド
ロキシガリウムフタロシアニン結晶および結着樹脂から
構成される。また、電子写真感光体は、電荷発生層およ
びその上に積層された電荷輸送層からなる感光層が導電
性支持体上に被覆され、感光層と導電性支持体の間に下
引き層を介在させておくのが望ましい。電子写真感光体
における電荷発生層は、結着樹脂を有機溶剤に溶解した
溶液に電荷発生材料である上記ヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶を分散させて塗布液を調製し、それを導
電性支持体上に塗布することによって形成される。使用
する結着樹脂は、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニ
ルホルマール樹脂等の広範な樹脂が用いられる。また、
結着樹脂を溶解する溶媒としては、下引き層を溶解しな
いものから選択するのが好ましい。前記ヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン結晶と結着樹脂との配合比（重量）
は、４０：１〜１：２０の範囲が適当である。また、ヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶を分散させる方法
としては、ボールミル分散法、アトライター分散法、サ
ンドミル分散法等の通常の方法を採用することができ
る。
【００１７】塗布液の塗布方法としては、浸漬コーティ
ング法、スプレーコーティング法、スピナーコーティン
グ法、ビードコーティング法、ワイヤーバーコーティン
グ法、ブレードコーティング法、ローラーコーティング
法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティン
グ法等のコーティング法を採用することができる。ま
た、電荷発生層の膜厚は０．０５〜５μｍ程度が適当で
ある。電子写真感光体における電荷輸送層は、Ｎ，Ｎ’
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−（ｍ−トリル）ベンジ
ジン、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−２，２−
ジフェニルヒドラゾン、ｐ−（２，２−ジフェニルビニ
ル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン等の電荷輸送材料を
適当な結着樹脂中に含有させて形成される。電荷輸送層
は、電荷輸送材料と前記電荷発生層を形成する際に用い
るものと同様の結着樹脂および有機溶媒とを用いて塗布
液を調製した後、前記したコーティング法と同様の手段
により塗布液を電荷発生層上に塗布して形成することが
できる。その際電荷輸送材料と結着樹脂との配合比（重
量）は、１０：１〜１：５が適当である。また、電荷輸
送層の膜厚は一般的に５〜５０μｍ程度が適当である。
ング法、スプレーコーティング法、スピナーコーティン
グ法、ビードコーティング法、ワイヤーバーコーティン
グ法、ブレードコーティング法、ローラーコーティング
法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティン
グ法等のコーティング法を採用することができる。ま
た、電荷発生層の膜厚は０．０５〜５μｍ程度が適当で
ある。電子写真感光体における電荷輸送層は、Ｎ，Ｎ’
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−（ｍ−トリル）ベンジ
ジン、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−２，２−
ジフェニルヒドラゾン、ｐ−（２，２−ジフェニルビニ
ル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン等の電荷輸送材料を
適当な結着樹脂中に含有させて形成される。電荷輸送層
は、電荷輸送材料と前記電荷発生層を形成する際に用い
るものと同様の結着樹脂および有機溶媒とを用いて塗布
液を調製した後、前記したコーティング法と同様の手段
により塗布液を電荷発生層上に塗布して形成することが
できる。その際電荷輸送材料と結着樹脂との配合比（重
量）は、１０：１〜１：５が適当である。また、電荷輸
送層の膜厚は一般的に５〜５０μｍ程度が適当である。
【００１８】感光層が単層構造からなる場合において
は、感光層は前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶が電荷輸送材料および結着樹脂に分散された光導電層
よりなる。電荷輸送材料および結着樹脂は、感光層が積
層構造からなる場合と同様なものが使用され、前記と同
様な方法に従って光導電層が形成される。その場合、電
荷輸送材料と結着樹脂との配合比（重量）は１：１０〜
１０：１、好ましくは１：２〜２：１程度の範囲であ
る。また、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶と結
着樹脂との配合比（重量）は、１：１００〜５：１、好
ましくは１：１０〜１：１程度の範囲である。導電性支
持体としては、電子写真感光体として使用することが可
能なものならば、如何なるものも使用することができ
る。感光層の帯電時において導電性支持体から感光層へ
の不必要な電荷の注入を阻止するために、導電性支持体
と感光層の間にポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ジルコニウムキレート化合物、チタニルキレート化
合物等を含有する下引き層が介在してもよい。さらに必
要に応じて、感光層の表面に保護層を被覆してもよい。
この保護層は、積層構造からなる感光層の帯電時の電荷
輸送層の化学的変質を防止すると共に、感光層の機械的
強度を改善するために設けられる。
は、感光層は前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶が電荷輸送材料および結着樹脂に分散された光導電層
よりなる。電荷輸送材料および結着樹脂は、感光層が積
層構造からなる場合と同様なものが使用され、前記と同
様な方法に従って光導電層が形成される。その場合、電
荷輸送材料と結着樹脂との配合比（重量）は１：１０〜
１０：１、好ましくは１：２〜２：１程度の範囲であ
る。また、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶と結
着樹脂との配合比（重量）は、１：１００〜５：１、好
ましくは１：１０〜１：１程度の範囲である。導電性支
持体としては、電子写真感光体として使用することが可
能なものならば、如何なるものも使用することができ
る。感光層の帯電時において導電性支持体から感光層へ
の不必要な電荷の注入を阻止するために、導電性支持体
と感光層の間にポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ジルコニウムキレート化合物、チタニルキレート化
合物等を含有する下引き層が介在してもよい。さらに必
要に応じて、感光層の表面に保護層を被覆してもよい。
この保護層は、積層構造からなる感光層の帯電時の電荷
輸送層の化学的変質を防止すると共に、感光層の機械的
強度を改善するために設けられる。
【００１９】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。なお、実施例および比較例において、「部」は重
量部を意味する。 実施例１ （ａ）塩化ガリウム１０部をトルエン７５ｍｌに溶解し
た後、２８％ナトリウムメトキサイドのメタノール溶液
３３ｍｌを冷却しながら滴下した。３０分程撹拌した
後、フタロニトリル３３．５部（塩化ガリウム１当量に
対し、１．１５倍当量）、エチレングリコール１５０ｍ
ｌを加え、窒素雰囲気下、１８０°Ｃで２４時間撹拌し
た。生成物を濾過し、次いで、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、蒸留水で順次洗浄し、乾燥した後、２７．８部
のガリウムフタロシアニンを得た。 （ｂ）ここで得られたガリウムフタロシアニン１０部を
濃硫酸２５０部に溶解し、２時間撹拌した後、氷冷した
蒸留水８７０ｍｌ、濃アンモニア水５３０ｍｌの混合溶
液に滴下して結晶を析出させた。析出した結晶を蒸留水
で十分に洗浄し、乾燥して、ヒドロキシガリウムフタロ
シアニン結晶９部を得た。この結晶の粉末Ｘ線回折スペ
クトルを図１に示す。 （ｃ）次に、ここで得られたヒドロキシガリウムフタロ
シアニン結晶１部をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５
部と、直径１ｍｍのガラスビーズ３０部と共に２４時間
ミリングした後、結晶を分離し、酢酸ｎ−ブチルで洗浄
し、減圧度２０Ｐａ、温度５０°Ｃで８時間乾燥し、残
留溶媒を除いて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶０．９部を得た。この結晶の粉末Ｘ線回折スペクトル
を図２に示す。
する。なお、実施例および比較例において、「部」は重
量部を意味する。 実施例１ （ａ）塩化ガリウム１０部をトルエン７５ｍｌに溶解し
た後、２８％ナトリウムメトキサイドのメタノール溶液
３３ｍｌを冷却しながら滴下した。３０分程撹拌した
後、フタロニトリル３３．５部（塩化ガリウム１当量に
対し、１．１５倍当量）、エチレングリコール１５０ｍ
ｌを加え、窒素雰囲気下、１８０°Ｃで２４時間撹拌し
た。生成物を濾過し、次いで、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、蒸留水で順次洗浄し、乾燥した後、２７．８部
のガリウムフタロシアニンを得た。 （ｂ）ここで得られたガリウムフタロシアニン１０部を
濃硫酸２５０部に溶解し、２時間撹拌した後、氷冷した
蒸留水８７０ｍｌ、濃アンモニア水５３０ｍｌの混合溶
液に滴下して結晶を析出させた。析出した結晶を蒸留水
で十分に洗浄し、乾燥して、ヒドロキシガリウムフタロ
シアニン結晶９部を得た。この結晶の粉末Ｘ線回折スペ
クトルを図１に示す。 （ｃ）次に、ここで得られたヒドロキシガリウムフタロ
シアニン結晶１部をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５
部と、直径１ｍｍのガラスビーズ３０部と共に２４時間
ミリングした後、結晶を分離し、酢酸ｎ−ブチルで洗浄
し、減圧度２０Ｐａ、温度５０°Ｃで８時間乾燥し、残
留溶媒を除いて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶０．９部を得た。この結晶の粉末Ｘ線回折スペクトル
を図２に示す。
【００２０】
【００２１】参考例１ アルミニウム基板上にジルコニウム化合物（商品名：オ
ルガノテックスＺＣ５４０、マツモト製薬社製）１０部
およびシラン化合物（商品名：Ａ１１１０、日本ユニカ
ー社製）１部とｉ−プロパノール４０部およびブタノー
ル２０部からなる溶液を浸漬コーティング法で塗布し、
１５０°Ｃにおいて１０分間加熱乾燥して膜厚０．２μ
ｍの下引き層を形成させた。次いで、実施例１で得られ
たヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶１部を、ポリ
ビニルブチラール（商品名：エスレックＢＭ−Ｓ、積水
化学社製）１部および酢酸ｎ−ブチル１００部と混合
し、ガラスビーズと共にペイントシェーカーで１時間処
理して分散させた。得られた塗布液を、上記下引き層上
に浸漬塗布法によって塗布し、１００°Ｃにおいて１０
分間加熱乾燥して膜厚約０．２μｍの電荷発生層を形成
させた。
ルガノテックスＺＣ５４０、マツモト製薬社製）１０部
およびシラン化合物（商品名：Ａ１１１０、日本ユニカ
ー社製）１部とｉ−プロパノール４０部およびブタノー
ル２０部からなる溶液を浸漬コーティング法で塗布し、
１５０°Ｃにおいて１０分間加熱乾燥して膜厚０．２μ
ｍの下引き層を形成させた。次いで、実施例１で得られ
たヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶１部を、ポリ
ビニルブチラール（商品名：エスレックＢＭ−Ｓ、積水
化学社製）１部および酢酸ｎ−ブチル１００部と混合
し、ガラスビーズと共にペイントシェーカーで１時間処
理して分散させた。得られた塗布液を、上記下引き層上
に浸漬塗布法によって塗布し、１００°Ｃにおいて１０
分間加熱乾燥して膜厚約０．２μｍの電荷発生層を形成
させた。
【００２２】次に、下記構造式（１）で示される電荷輸
送材料２部と、下記構造式（２）で示される繰り返し単
位からなるポリカーボネート樹脂３部を、クロロベンゼ
ン２０部に溶解し、得られた塗布液を電荷発生層が形成
されたアルミニウム基板上に浸漬塗布法により塗布し、
１２０°Ｃで１時間加熱乾燥して膜厚２０μｍの電荷輸
送層を形成させた。
送材料２部と、下記構造式（２）で示される繰り返し単
位からなるポリカーボネート樹脂３部を、クロロベンゼ
ン２０部に溶解し、得られた塗布液を電荷発生層が形成
されたアルミニウム基板上に浸漬塗布法により塗布し、
１２０°Ｃで１時間加熱乾燥して膜厚２０μｍの電荷輸
送層を形成させた。
【化１】
【００２３】このようにして得られた電子写真感光体の
電子写真特性を下記のようにして測定した。マシンスキ
ャナーを用いて、高温高湿（２８°Ｃ、８５％ＲＨ）の
環境下でコロナ放電により感光体を初期表面電位−８０
０（Ｖ）に帯電させ、０．５３８秒間放置してＶDDP
(Ｖ）を測定し、暗減衰ＶDDR(Ｖ）（ＶDDR ＝ＶDDP −
（−８００））を算出した。その後、タングステンラン
プの光を、モノクロメーターを用いて７８０ｎｍの単色
光に分光し、感光体表面上に照射して、初期感度ｄＶ／
ｄＥ（ｋＶ・ｍ2 ／Ｊ）を測定した。測定結果を表１に
示す。
電子写真特性を下記のようにして測定した。マシンスキ
ャナーを用いて、高温高湿（２８°Ｃ、８５％ＲＨ）の
環境下でコロナ放電により感光体を初期表面電位−８０
０（Ｖ）に帯電させ、０．５３８秒間放置してＶDDP
(Ｖ）を測定し、暗減衰ＶDDR(Ｖ）（ＶDDR ＝ＶDDP −
（−８００））を算出した。その後、タングステンラン
プの光を、モノクロメーターを用いて７８０ｎｍの単色
光に分光し、感光体表面上に照射して、初期感度ｄＶ／
ｄＥ（ｋＶ・ｍ2 ／Ｊ）を測定した。測定結果を表１に
示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】比較例１（ａ）塩化ガリウム１０部をトルエン７５ｍｌに溶解し
た後、２８％ナトリウムメトキサイドのメタノール溶液
３３ｍｌを冷却しながら滴下した。３０分程撹拌した
後、フタロニトリル２９．１部（塩化ガリウムと等当
量）、エチレングリコール１５０ｍｌを加え、窒素雰囲
気下、１８０°Ｃで２４時間撹拌した。生成物を濾過
し、次いで、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、蒸留水で
順次洗浄し、乾燥した後、２８．０部のガリウムフタロ
シアニンを得た。 （ｂ）ここで得られた ガリウムフタロシアニン１０部を
濃硫酸２５０部に溶解し、２時間撹拌した後、氷冷した
蒸留水８７０ｍｌ、濃アンモニア水５３０ｍｌの混合溶
液に滴下して結晶を析出させた。析出した結晶を蒸留水
で十分に洗浄し、乾燥して、ヒドロキシガリウムフタロ
シアニン結晶９部を得た。この結晶の粉末Ｘ線回折スペ
クトルは図１と同様であった。（ｃ） ここで得られたヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン結晶１部をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５部と、
直径１ｍｍのガラスビーズ３０部と共に２４時間ミリン
グした後、結晶を分離し、酢酸ｎ−ブチルで洗浄し、減
圧度２０Ｐａ、温度５０°Ｃで８時間乾燥し、残留溶媒
を除いて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶０．
９部を得た。この結晶の粉末Ｘ線回折スペクトルは図２
と同様であった。
た後、２８％ナトリウムメトキサイドのメタノール溶液
３３ｍｌを冷却しながら滴下した。３０分程撹拌した
後、フタロニトリル２９．１部（塩化ガリウムと等当
量）、エチレングリコール１５０ｍｌを加え、窒素雰囲
気下、１８０°Ｃで２４時間撹拌した。生成物を濾過
し、次いで、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、蒸留水で
順次洗浄し、乾燥した後、２８．０部のガリウムフタロ
シアニンを得た。 （ｂ）ここで得られた ガリウムフタロシアニン１０部を
濃硫酸２５０部に溶解し、２時間撹拌した後、氷冷した
蒸留水８７０ｍｌ、濃アンモニア水５３０ｍｌの混合溶
液に滴下して結晶を析出させた。析出した結晶を蒸留水
で十分に洗浄し、乾燥して、ヒドロキシガリウムフタロ
シアニン結晶９部を得た。この結晶の粉末Ｘ線回折スペ
クトルは図１と同様であった。（ｃ） ここで得られたヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン結晶１部をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５部と、
直径１ｍｍのガラスビーズ３０部と共に２４時間ミリン
グした後、結晶を分離し、酢酸ｎ−ブチルで洗浄し、減
圧度２０Ｐａ、温度５０°Ｃで８時間乾燥し、残留溶媒
を除いて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶０．
９部を得た。この結晶の粉末Ｘ線回折スペクトルは図２
と同様であった。
【００２６】参考例２ 比較例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶を用いた以外は、参考例１と同様にして電子写真感
光体を作製し、同様にして電子写真特性の測定を行っ
た。その結果を前記表１に示す。
結晶を用いた以外は、参考例１と同様にして電子写真感
光体を作製し、同様にして電子写真特性の測定を行っ
た。その結果を前記表１に示す。
【００２７】
【発明の効果】本発明の新規な製造方法で得られたヒド
ロキシガリウムフタロシアニン結晶は、光導電性物質と
して使用され、表１に見られるように、光感度が高く、
暗減衰率が小さい電子写真感光体を製造することができ
る。また、この結晶を用いた電子写真感光体は、帯電性
等にも優れ、安定した電子写真特性を示すことから、半
導体レーザーを利用するプリンター等において優れた画
質特性が得られる。
ロキシガリウムフタロシアニン結晶は、光導電性物質と
して使用され、表１に見られるように、光感度が高く、
暗減衰率が小さい電子写真感光体を製造することができ
る。また、この結晶を用いた電子写真感光体は、帯電性
等にも優れ、安定した電子写真特性を示すことから、半
導体レーザーを利用するプリンター等において優れた画
質特性が得られる。
【図１】 実施例１（ｂ）で得られたヒドロキシガリウ
ムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
ムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
【図２】 実施例１（ｃ）で得られたヒドロキシガリウ
ムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
ムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂口 泰生 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼ ロックス株式会社内 (72)発明者 山崎 一夫 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼ ロックス株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−279591（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−93203（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−193883（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−320271（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−73304（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−73299（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09B 67/50 C09B 67/12 C09B 67/16 C09B 47/04 - 47/32 C07D 487/22 G03G 5/06 C07F 5/00
Claims (1)
- 【請求項１】 ガリウム化合物と前記ガリウム化合物１
当量に対して１．０５〜２倍当量のフタロシアニン環を
形成する化合物を反応させてガリウムフタロシアニンを
製造し、得られたガリウムフタロシアニンをアシッドペ
ースティング法により、Ｘ線回折スペクトルにおいて、
ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±０．２
°）の６．９°、１３．２°〜１４．２°、１６．５°
および２６．４°、または７．０°、１３．４°、１
６．６°、２６．０°および２６．７°に強い回折ピー
クを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を製
造し、該結晶を溶剤処理により結晶転移させることによ
って、Ｘ線回折スペクトルにおいて、ＣｕＫα特性Ｘ線
に対するブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．５°、
９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２
５．１°および２８．３°に強い回折ピークを有するヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得ることを特徴
とするヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造方
法。
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