JP3216426B2 - ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶及びそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶及びそれを用いた電子写真感光体Info
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- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光導電材料として有用
なヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶およびそれを
用いた電子写真感光体に関するものである。
なヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶およびそれを
用いた電子写真感光体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子写真感光体は、近年、従来提案され
た有機光導電材料の感光波長域を、近赤外線の半導体レ
ーザーの波長（７８０〜８３０ｎｍ）にまで伸ばし、レ
ーザープリンター等のデジタル記録用の感光体として使
用することの要求が高まっており、この観点から、スク
エアリウム化合物（特開昭４９−１０５５３６号および
同５８−２１４１６号公報）、トリフェニルアミン系ト
リスアゾ化合物（特開昭６１−１５１６５９号公報）、
フタロシアニン化合物（特開昭４８−３４１８９号およ
び同５７−１４８７４５号公報）等が、半導体レーザー
用の光導電材料として提案されている。また、有機およ
び無機半導体においては、不純物のドーピングにより、
その電気特性が大きく変化することが一般によく知られ
ており、オキシチタニウムフタロシアニン蒸着膜につい
ては、Ｉ2 のドーピング、Ｏ2 、Ｈ2 Ｏ等の吸着による
光電特性の変化について、Ｎ．Ｒ．Ａｒｍｓｔｒｏｎｇ
等により報告されている（ＡＩＰ Ｃｏｎｆ．Ｐｒｏ
ｃ．，１６７（１９８８）、Ｐｒｏｃ．Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，８８〜１４，２６７（１９８
７）、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｖｏｌ．９１，５６４
６（１９８７））。
た有機光導電材料の感光波長域を、近赤外線の半導体レ
ーザーの波長（７８０〜８３０ｎｍ）にまで伸ばし、レ
ーザープリンター等のデジタル記録用の感光体として使
用することの要求が高まっており、この観点から、スク
エアリウム化合物（特開昭４９−１０５５３６号および
同５８−２１４１６号公報）、トリフェニルアミン系ト
リスアゾ化合物（特開昭６１−１５１６５９号公報）、
フタロシアニン化合物（特開昭４８−３４１８９号およ
び同５７−１４８７４５号公報）等が、半導体レーザー
用の光導電材料として提案されている。また、有機およ
び無機半導体においては、不純物のドーピングにより、
その電気特性が大きく変化することが一般によく知られ
ており、オキシチタニウムフタロシアニン蒸着膜につい
ては、Ｉ2 のドーピング、Ｏ2 、Ｈ2 Ｏ等の吸着による
光電特性の変化について、Ｎ．Ｒ．Ａｒｍｓｔｒｏｎｇ
等により報告されている（ＡＩＰ Ｃｏｎｆ．Ｐｒｏ
ｃ．，１６７（１９８８）、Ｐｒｏｃ．Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，８８〜１４，２６７（１９８
７）、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｖｏｌ．９１，５６４
６（１９８７））。
【０００３】半導体レーザー用の感光材料として、有機
光導電材料を使用する場合は、まず、感光波長域が長波
長まで伸びていること、次に、形成される感光体の感
度、耐久性がよいこと等が要求される。前記の有機光導
電材料は、これらの諸条件を十分に満足するものではな
い。これらの欠点を克服するために、前記の有機光導電
材料について、結晶型と電子写真特性の関係が検討され
ており、特にフタロシアニン化合物については多くの報
告がなされている。一般に、フタロシアニン化合物は、
製造方法、処理方法の違いにより、多数の結晶型を示す
こと、そしてこの結晶型の違いはフタロシアニンの光電
変換特性に大きな影響を及ぼすことが知られている。フ
タロシアニン化合物の結晶型については、例えば、銅フ
タロシアニンについてみると、安定系のβ型以外に、
α、π、χ、ρ、γ、δ等の結晶型が知られており、こ
れらの結晶型は、機械的歪力、硫酸処理、有機溶剤処理
および熱処理等により、相互に転移が可能であることが
知られている。（例えば、米国特許第２７７０６２９
号、同第３１６０６３５号、同第３７０８２９２号、同
第３３５７９８９号明細書等）。また、特開昭５０−３
８５４３号公報等には、銅フタロシアニンの結晶型の違
いと電子写真感度について記載されている。
光導電材料を使用する場合は、まず、感光波長域が長波
長まで伸びていること、次に、形成される感光体の感
度、耐久性がよいこと等が要求される。前記の有機光導
電材料は、これらの諸条件を十分に満足するものではな
い。これらの欠点を克服するために、前記の有機光導電
材料について、結晶型と電子写真特性の関係が検討され
ており、特にフタロシアニン化合物については多くの報
告がなされている。一般に、フタロシアニン化合物は、
製造方法、処理方法の違いにより、多数の結晶型を示す
こと、そしてこの結晶型の違いはフタロシアニンの光電
変換特性に大きな影響を及ぼすことが知られている。フ
タロシアニン化合物の結晶型については、例えば、銅フ
タロシアニンについてみると、安定系のβ型以外に、
α、π、χ、ρ、γ、δ等の結晶型が知られており、こ
れらの結晶型は、機械的歪力、硫酸処理、有機溶剤処理
および熱処理等により、相互に転移が可能であることが
知られている。（例えば、米国特許第２７７０６２９
号、同第３１６０６３５号、同第３７０８２９２号、同
第３３５７９８９号明細書等）。また、特開昭５０−３
８５４３号公報等には、銅フタロシアニンの結晶型の違
いと電子写真感度について記載されている。
【０００４】ところで、アシッドペースティング法を用
いたガリウムフタロシアニンの結晶型と電子写真特性に
ついてみると、特開平１−２２１４５９号公報には、２
種類のものについて記載されている。また、本発明者等
は、先に、優れた電子写真特性を有する５種類の結晶型
を提案した（特願平４−１１８５２４号）が、これらの
結晶を製造するためには、Ｂｕｌｌ．Ｓｏｃ．Ｃｈｉ
ｍ．Ｆｒａｎｃｅ，２３（１９６２）に記載されている
ようなアシッドペースティング法を採用して準安定なヒ
ドロキシガリウムフタロシアニンを得た後、溶剤変換処
理を行えばよい。上記アシッドペースティング法におい
て用いるガリウムフタロシアニンとしては、クロロガリ
ウムフタロシアニン（例えば、Ｄ．Ｃ．Ｒ．Ａｃａｄ．
Ｓｃｉ．，２４２，１０２６（１９５６）、特公平３−
３０８５４号公報、特開平１−２２１４５９号公報、Ｉ
ｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９，３１３１（１９８
０））、ブロモガリウムフタロシアニン（例えば、特開
昭５９−１３３５５１号公報）、ヨードガリウムフタロ
シアニン（例えば、特開昭６０−５９３５４号公報）等
があげられる。また、オキソガリウムフタロシアニン
（Ｉｚｖ．Ｖｙｓｓｈ．Ｕｃｈｅｂｎ．Ｚａｖｅｄ Ｋ
ｈｉｍ．Ｋｈｉｍ．Ｔｅｋｈｎｏｌ．，２４，１４８５
（１９８１）や、ガリウムアルコキシドを用いて合成し
たガリウムフタロシアニン（特開平４−２４７１６２号
公報）を用いてもよい。
いたガリウムフタロシアニンの結晶型と電子写真特性に
ついてみると、特開平１−２２１４５９号公報には、２
種類のものについて記載されている。また、本発明者等
は、先に、優れた電子写真特性を有する５種類の結晶型
を提案した（特願平４−１１８５２４号）が、これらの
結晶を製造するためには、Ｂｕｌｌ．Ｓｏｃ．Ｃｈｉ
ｍ．Ｆｒａｎｃｅ，２３（１９６２）に記載されている
ようなアシッドペースティング法を採用して準安定なヒ
ドロキシガリウムフタロシアニンを得た後、溶剤変換処
理を行えばよい。上記アシッドペースティング法におい
て用いるガリウムフタロシアニンとしては、クロロガリ
ウムフタロシアニン（例えば、Ｄ．Ｃ．Ｒ．Ａｃａｄ．
Ｓｃｉ．，２４２，１０２６（１９５６）、特公平３−
３０８５４号公報、特開平１−２２１４５９号公報、Ｉ
ｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９，３１３１（１９８
０））、ブロモガリウムフタロシアニン（例えば、特開
昭５９−１３３５５１号公報）、ヨードガリウムフタロ
シアニン（例えば、特開昭６０−５９３５４号公報）等
があげられる。また、オキソガリウムフタロシアニン
（Ｉｚｖ．Ｖｙｓｓｈ．Ｕｃｈｅｂｎ．Ｚａｖｅｄ Ｋ
ｈｉｍ．Ｋｈｉｍ．Ｔｅｋｈｎｏｌ．，２４，１４８５
（１９８１）や、ガリウムアルコキシドを用いて合成し
たガリウムフタロシアニン（特開平４−２４７１６２号
公報）を用いてもよい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
にアシッドペースティング法を行い、準安定なヒドロキ
シガリウムフタロシアニンを得た後、溶剤変換処理をす
ることによって、特定の結晶型を有するヒドロキシガリ
ウムフタロシアニンを製造した場合、結晶型としては同
じものが得られる場合であっても、それを電子写真感光
体として用いると、電子写真特性、特に光感度が低い、
暗減衰率の値が大きい等、安定して良好な特性のものを
得ることが困難であるという問題がある。本発明は、上
記のような実情に鑑みてなされたものであって、本発明
の目的は、光導電材料として優れた特性を示すヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶を提供することにある。
本発明の他の目的は、優れた電子写真特性を示す電子写
真感光体を提供することにある。
にアシッドペースティング法を行い、準安定なヒドロキ
シガリウムフタロシアニンを得た後、溶剤変換処理をす
ることによって、特定の結晶型を有するヒドロキシガリ
ウムフタロシアニンを製造した場合、結晶型としては同
じものが得られる場合であっても、それを電子写真感光
体として用いると、電子写真特性、特に光感度が低い、
暗減衰率の値が大きい等、安定して良好な特性のものを
得ることが困難であるという問題がある。本発明は、上
記のような実情に鑑みてなされたものであって、本発明
の目的は、光導電材料として優れた特性を示すヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶を提供することにある。
本発明の他の目的は、優れた電子写真特性を示す電子写
真感光体を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、鋭意検討
を重ねた結果、アシッドペースティング法を行った後、
溶剤変換処理をすることによって得られる、Ｘ線回折ス
ペクトルにおいて、特定のブラッグ角度に強い回折ピー
クを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の中
でも、特定の極性有機溶剤を含有するヒドロキシガリウ
ムフタロシアニン結晶が、優れた特性を有することを見
出だし、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明
のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、アミド基
を有する化合物、スルホキシド基を有する化合物および
有機アミンから選択された少なくとも１種の極性有機溶
剤を含有することを特徴とする。また、本発明の電子写
真感光体は、導電性支持体上に感光層を有するものであ
って、その感光層が、上記溶剤含有ヒドロキシガリウム
フタロシアニン結晶を電荷発生材料として含有すること
を特徴とする。
を重ねた結果、アシッドペースティング法を行った後、
溶剤変換処理をすることによって得られる、Ｘ線回折ス
ペクトルにおいて、特定のブラッグ角度に強い回折ピー
クを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の中
でも、特定の極性有機溶剤を含有するヒドロキシガリウ
ムフタロシアニン結晶が、優れた特性を有することを見
出だし、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明
のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、アミド基
を有する化合物、スルホキシド基を有する化合物および
有機アミンから選択された少なくとも１種の極性有機溶
剤を含有することを特徴とする。また、本発明の電子写
真感光体は、導電性支持体上に感光層を有するものであ
って、その感光層が、上記溶剤含有ヒドロキシガリウム
フタロシアニン結晶を電荷発生材料として含有すること
を特徴とする。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウムフ
タロシアニン類をアシッドペースティングして、ヒドロ
キシガリウムフタロシアニンを得た後、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、モルホリン等
のアミド基を有する化合物、スルホキシド基を有する化
合物および有機アミンから選択された少なくとも１種の
極性有機溶剤で長時間取り込み処理をすることによって
得ることができる。原料として用いるガリウムフタロシ
アニン類としては、クロロガリウムフタロシアニン、ブ
ロモガリウムフタロシアニン、ヨードガリウムフタロシ
アニン等があげられるが、ガリウム上の配位子は限定さ
れるものではない。これらのガリウムフタロシアニン
は、公知の方法で合成することができる。また、特願平
４−２４７１６２号明細書中に記載のガリウムトリアル
コキシドを用いて合成したガリウムフタロシアニンを用
いてもよい。また、作り方によっては、フタロシアニン
環がハロゲン化されたものが作製されるが、これらハロ
ゲン化ガリウムフタロシアニンを用いてもよい。
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウムフ
タロシアニン類をアシッドペースティングして、ヒドロ
キシガリウムフタロシアニンを得た後、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、モルホリン等
のアミド基を有する化合物、スルホキシド基を有する化
合物および有機アミンから選択された少なくとも１種の
極性有機溶剤で長時間取り込み処理をすることによって
得ることができる。原料として用いるガリウムフタロシ
アニン類としては、クロロガリウムフタロシアニン、ブ
ロモガリウムフタロシアニン、ヨードガリウムフタロシ
アニン等があげられるが、ガリウム上の配位子は限定さ
れるものではない。これらのガリウムフタロシアニン
は、公知の方法で合成することができる。また、特願平
４−２４７１６２号明細書中に記載のガリウムトリアル
コキシドを用いて合成したガリウムフタロシアニンを用
いてもよい。また、作り方によっては、フタロシアニン
環がハロゲン化されたものが作製されるが、これらハロ
ゲン化ガリウムフタロシアニンを用いてもよい。
【０００８】上記のガリウムフタロシアニンの酸ペース
ト液を調製し、それをアルカリ性水またはアルカリ性水
と有機溶剤の混合溶液中に添加し、アシッドペースティ
ングを行う。ガリウムフタロシアニンの酸ペースト液を
調製するために使用する酸としては、硫酸、塩酸、臭化
水素酸、トリフルオロ酢酸等があげられるが、濃硫酸が
溶解度も高く、取扱いが容易であるため好ましい。濃硫
酸の場合、ガリウムフタロシアニンに対して、５〜１０
０倍の範囲で用いられるが、１５〜４０倍の範囲が望ま
しい。一方、アルカリ性水に使用されるアルカリとして
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、アンモニア、水酸化アンモニウム等
があげられる。また、アルカリ性水と混合される有機溶
剤としては、メタノール等のアルコール類、エチレング
リコール、グリセリン、ポリエチレングリコール等のグ
リコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン
類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、ジクロル
メタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素等があげられる。有機
溶剤の量は、水に対して１０倍以下、好ましくは５倍以
下の範囲で用いることができる。
ト液を調製し、それをアルカリ性水またはアルカリ性水
と有機溶剤の混合溶液中に添加し、アシッドペースティ
ングを行う。ガリウムフタロシアニンの酸ペースト液を
調製するために使用する酸としては、硫酸、塩酸、臭化
水素酸、トリフルオロ酢酸等があげられるが、濃硫酸が
溶解度も高く、取扱いが容易であるため好ましい。濃硫
酸の場合、ガリウムフタロシアニンに対して、５〜１０
０倍の範囲で用いられるが、１５〜４０倍の範囲が望ま
しい。一方、アルカリ性水に使用されるアルカリとして
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、アンモニア、水酸化アンモニウム等
があげられる。また、アルカリ性水と混合される有機溶
剤としては、メタノール等のアルコール類、エチレング
リコール、グリセリン、ポリエチレングリコール等のグ
リコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン
類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、ジクロル
メタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素等があげられる。有機
溶剤の量は、水に対して１０倍以下、好ましくは５倍以
下の範囲で用いることができる。
【０００９】アシッドペースティングは、上記の酸ペー
スト液をアルカリ性水またはアルカリ性水と有機溶剤の
混合溶液中に撹拌しながら添加し、−１５℃〜１００℃
の範囲の温度で混合を行へばよいが、アルカリ性水と有
機溶剤の混合溶液を使用する場合には、混合する有機溶
剤の沸点以下の温度で行うのが好ましい。また、上記ア
ルカリ性水または混合溶液は、ガリウムフタロシアニン
の酸ペースト液に対して、１〜１００倍、好ましくは３
〜２０倍の範囲で用いればよい。上記のようにしてアシ
ッドペースティングを行うことにより、ヒドロキシガリ
ウムフタロシアニンが生成するので、得られたヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶は、水等で洗浄して精製
する。それによってＸ線回折スペクトルにおいて、Ｃｕ
Ｋα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±０．２°）
の６．９°、１３．２°〜１４．２°、１６．５°およ
び２６．４°、または７．０°、１３．４°、１６．６
°、２６．０°および２６．７°に強い回折ピークを有
するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が合成され
る。また、このフタロシアニンは、フタロシアニン環が
ハロゲン化されたヒドロキシガリウムフタロシアニンで
あってもよい。
スト液をアルカリ性水またはアルカリ性水と有機溶剤の
混合溶液中に撹拌しながら添加し、−１５℃〜１００℃
の範囲の温度で混合を行へばよいが、アルカリ性水と有
機溶剤の混合溶液を使用する場合には、混合する有機溶
剤の沸点以下の温度で行うのが好ましい。また、上記ア
ルカリ性水または混合溶液は、ガリウムフタロシアニン
の酸ペースト液に対して、１〜１００倍、好ましくは３
〜２０倍の範囲で用いればよい。上記のようにしてアシ
ッドペースティングを行うことにより、ヒドロキシガリ
ウムフタロシアニンが生成するので、得られたヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶は、水等で洗浄して精製
する。それによってＸ線回折スペクトルにおいて、Ｃｕ
Ｋα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±０．２°）
の６．９°、１３．２°〜１４．２°、１６．５°およ
び２６．４°、または７．０°、１３．４°、１６．６
°、２６．０°および２６．７°に強い回折ピークを有
するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が合成され
る。また、このフタロシアニンは、フタロシアニン環が
ハロゲン化されたヒドロキシガリウムフタロシアニンで
あってもよい。
【００１０】上記のようにして得られたヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン結晶は、次いで溶剤取り込み処理が
なされる。それにより結晶転移と溶剤取り込みが行わ
れ、目的の溶剤含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶を得ることができる。本発明において、溶剤取り込
み処理に用いられる極性有機溶剤としては、具体的に
は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチ
ル−２−イミダゾリジノン等のアミド基を有する化合
物、ジメチルスルホキシド、テトラメチレンスルホキシ
ド等スルホキシド基を有する化合物、およびモルホリ
ン、ピペリジン、ピペラジン、ピペコリン等の有機アミ
ンがあげられる。上記ヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン結晶を製造する際に使用する極性有機溶剤は、それら
の２種以上を混合した混合系であってもよく、また水と
それらの極性有機溶剤との混合系であってもよい。
ウムフタロシアニン結晶は、次いで溶剤取り込み処理が
なされる。それにより結晶転移と溶剤取り込みが行わ
れ、目的の溶剤含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶を得ることができる。本発明において、溶剤取り込
み処理に用いられる極性有機溶剤としては、具体的に
は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチ
ル−２−イミダゾリジノン等のアミド基を有する化合
物、ジメチルスルホキシド、テトラメチレンスルホキシ
ド等スルホキシド基を有する化合物、およびモルホリ
ン、ピペリジン、ピペラジン、ピペコリン等の有機アミ
ンがあげられる。上記ヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン結晶を製造する際に使用する極性有機溶剤は、それら
の２種以上を混合した混合系であってもよく、また水と
それらの極性有機溶剤との混合系であってもよい。
【００１１】溶剤取り込み処理の方法としては、例え
ば、通常の再結晶処理だけでなく、洗浄、湿式粉砕、浸
漬、懸濁撹拌する等の処理操作を採用することができ
る。処理条件として、ヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン１部に対する溶剤の使用量は１〜２００部、好ましく
は１０〜１００部の範囲であり、処理温度は０〜１５０
℃、好ましくは室温〜１００℃の範囲である。処理時間
は３０時間以上が好ましい。また、溶剤取り込み処理
は、適当な容器中で放置または撹拌しながら行ってもよ
い。さらには、所定の有機溶剤を用いてボールミル、乳
鉢、サンドミル、ニーダー、アトライター等により湿式
粉砕してもよく、粉砕の際に、食塩、ぼう硝等の無機化
合物や、ガラスビーズ、スチールビーズ、アルミナビー
ズ等の磨砕メディアを用いてもよい。また、電荷発生層
に使用可能な結着樹脂（ポリビニルブチラール樹脂、ポ
リビニルホルマール樹脂等）と共に上記溶剤取り込み処
理を行ってもよく、その場合はそのまま電荷発生層形成
用塗布液として使用することができる。
ば、通常の再結晶処理だけでなく、洗浄、湿式粉砕、浸
漬、懸濁撹拌する等の処理操作を採用することができ
る。処理条件として、ヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン１部に対する溶剤の使用量は１〜２００部、好ましく
は１０〜１００部の範囲であり、処理温度は０〜１５０
℃、好ましくは室温〜１００℃の範囲である。処理時間
は３０時間以上が好ましい。また、溶剤取り込み処理
は、適当な容器中で放置または撹拌しながら行ってもよ
い。さらには、所定の有機溶剤を用いてボールミル、乳
鉢、サンドミル、ニーダー、アトライター等により湿式
粉砕してもよく、粉砕の際に、食塩、ぼう硝等の無機化
合物や、ガラスビーズ、スチールビーズ、アルミナビー
ズ等の磨砕メディアを用いてもよい。また、電荷発生層
に使用可能な結着樹脂（ポリビニルブチラール樹脂、ポ
リビニルホルマール樹脂等）と共に上記溶剤取り込み処
理を行ってもよく、その場合はそのまま電荷発生層形成
用塗布液として使用することができる。
【００１２】以上のような溶剤取り込み処理により、さ
らに結晶性が良好で、粒径の整ったヒドロキシガリウム
フタロシアニンの好ましい新規な結晶を製造することが
できる。また、上記した処理溶剤（アミド基を有する化
合物、スルホキシド基を有する化合物、有機アミン類）
以外の溶剤で処理して得たＣｕＫα特性Ｘ線回折スペク
トルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．
５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６
°、２５．１°および２８．３°に強い回折ピークを有
するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を、上記し
た処理方法で処理することによっても、目的の溶剤含有
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が得られる。す
なわち、上記の溶剤取り込み処理により得られたヒドロ
キシガリウムフタロシアニン結晶は、具体的には、Ｃｕ
Ｋα特性Ｘ線回折においてブラッグ角度（２θ±０．２
°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、
１８．６°、２５．１°および２８．３°に強い回折ピ
ークを有し、アミド基を有する化合物、スルホキシド基
を有する化合物および有機アミンから選択された少なく
とも１種の極性有機溶剤を含有するものである。本発明
のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に含まれる極
性有機溶剤の含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシア
ニンに対し、０．１〜１０重量％、好ましくは０．５〜
５重量％、さらに好ましくは１〜３重量％の範囲であ
る。上記の極性有機溶剤は、ヒドロキシガリウムフタロ
シアニン結晶中に導入あるいは結晶表面に吸着して含有
される。上記極性有機溶剤を含有するヒドロキシガリウ
ムフタロシアニン結晶は、極性有機溶剤の沸点以上であ
る２００℃に加熱しても、分離・分解することがなく、
安定した状態にある。
らに結晶性が良好で、粒径の整ったヒドロキシガリウム
フタロシアニンの好ましい新規な結晶を製造することが
できる。また、上記した処理溶剤（アミド基を有する化
合物、スルホキシド基を有する化合物、有機アミン類）
以外の溶剤で処理して得たＣｕＫα特性Ｘ線回折スペク
トルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．
５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６
°、２５．１°および２８．３°に強い回折ピークを有
するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を、上記し
た処理方法で処理することによっても、目的の溶剤含有
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が得られる。す
なわち、上記の溶剤取り込み処理により得られたヒドロ
キシガリウムフタロシアニン結晶は、具体的には、Ｃｕ
Ｋα特性Ｘ線回折においてブラッグ角度（２θ±０．２
°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、
１８．６°、２５．１°および２８．３°に強い回折ピ
ークを有し、アミド基を有する化合物、スルホキシド基
を有する化合物および有機アミンから選択された少なく
とも１種の極性有機溶剤を含有するものである。本発明
のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に含まれる極
性有機溶剤の含有量は、ヒドロキシガリウムフタロシア
ニンに対し、０．１〜１０重量％、好ましくは０．５〜
５重量％、さらに好ましくは１〜３重量％の範囲であ
る。上記の極性有機溶剤は、ヒドロキシガリウムフタロ
シアニン結晶中に導入あるいは結晶表面に吸着して含有
される。上記極性有機溶剤を含有するヒドロキシガリウ
ムフタロシアニン結晶は、極性有機溶剤の沸点以上であ
る２００℃に加熱しても、分離・分解することがなく、
安定した状態にある。
【００１３】フタロシアニン等の有機、無機半導体にお
いて、不純物のドーピングは、電気的特性に大きな影響
を与えるが、本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン結晶においても、上記極性有機溶剤が結晶中に導入あ
るいは結晶表面に吸着してドーピング剤の役目を担い、
分子間や結晶間で何等かの相互作用が生じるため、電子
写真特性が改善されるものと考えられる。
いて、不純物のドーピングは、電気的特性に大きな影響
を与えるが、本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン結晶においても、上記極性有機溶剤が結晶中に導入あ
るいは結晶表面に吸着してドーピング剤の役目を担い、
分子間や結晶間で何等かの相互作用が生じるため、電子
写真特性が改善されるものと考えられる。
【００１４】次に、上記の方法で製造したヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶を用いた電子写真感光体につ
いて説明する。本発明の電子写真感光体は、感光層が単
層構造であっても或いは電荷発生層と電荷輸送層とに機
能分離された積層構造のものであってもよい。感光層が
積層構造を有する場合には、電荷発生層中に上記の溶剤
含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が含有され
る。
リウムフタロシアニン結晶を用いた電子写真感光体につ
いて説明する。本発明の電子写真感光体は、感光層が単
層構造であっても或いは電荷発生層と電荷輸送層とに機
能分離された積層構造のものであってもよい。感光層が
積層構造を有する場合には、電荷発生層中に上記の溶剤
含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が含有され
る。
【００１５】本発明の電子写真感光体の好ましい態様に
おいて、電荷発生層およびその上に積層された電荷輸送
層からなる感光層が導電性支持体上に被覆され、感光層
と導電性支持体の間に下引き層を介在させたものをあげ
ることができる。本発明の電子写真感光体における上記
の電荷発生層は、結着樹脂を有機溶剤に溶解した溶液に
電荷発生材料であるヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶を分散させて塗布液を調製し、それを導電性支持体
上に塗布することによって形成される。使用する結着樹
脂は、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマー
ル樹脂等の広範な樹脂が用いられる。また、結着樹脂を
溶解する溶媒としては、下引き層を溶解しないものから
選択するのが好ましい。前記溶剤含有ヒドロキシガリウ
ムフタロシアニン結晶と結着樹脂との配合比（重量）
は、４０：１〜１：２０の範囲が適当である。また、溶
剤含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を分散さ
せる方法としては、ボールミル分散法、アトライター分
散法、サンドミル分散法等の通常使用される方法を採用
することができる。塗布液の塗布は、浸漬コーティング
法、スプレーコーティング法、スピナーコーティング
法、ビードコーティング法、ワイヤーバーコーティング
法、ブレードドコーティング法、ローラーコーティング
法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティン
グ法等のコーティング法を採用することができる。ま
た、電荷発生層の膜厚は０．０５〜５μｍ程度が適当で
ある。
おいて、電荷発生層およびその上に積層された電荷輸送
層からなる感光層が導電性支持体上に被覆され、感光層
と導電性支持体の間に下引き層を介在させたものをあげ
ることができる。本発明の電子写真感光体における上記
の電荷発生層は、結着樹脂を有機溶剤に溶解した溶液に
電荷発生材料であるヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶を分散させて塗布液を調製し、それを導電性支持体
上に塗布することによって形成される。使用する結着樹
脂は、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマー
ル樹脂等の広範な樹脂が用いられる。また、結着樹脂を
溶解する溶媒としては、下引き層を溶解しないものから
選択するのが好ましい。前記溶剤含有ヒドロキシガリウ
ムフタロシアニン結晶と結着樹脂との配合比（重量）
は、４０：１〜１：２０の範囲が適当である。また、溶
剤含有ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を分散さ
せる方法としては、ボールミル分散法、アトライター分
散法、サンドミル分散法等の通常使用される方法を採用
することができる。塗布液の塗布は、浸漬コーティング
法、スプレーコーティング法、スピナーコーティング
法、ビードコーティング法、ワイヤーバーコーティング
法、ブレードドコーティング法、ローラーコーティング
法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティン
グ法等のコーティング法を採用することができる。ま
た、電荷発生層の膜厚は０．０５〜５μｍ程度が適当で
ある。
【００１６】電荷輸送層は、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ′−ビス−（ｍ−トリル）ベンジジン、４−ジエ
チルアミノベンズアルデヒド−２，２′−ジフェニルヒ
ドラゾン、ｐ−（２，２−ジフェニルビニル）−Ｎ，Ｎ
−ジフェニルアニリン等の電荷輸送材料を適当な結着樹
脂中に含有させて形成される。結着樹脂としては、前記
電荷発生層を形成する際に用いるものと同様の樹脂が使
用できる。電荷輸送層を形成するためには、上記の電荷
輸送材料と結着樹脂および有機溶媒とを用いて塗布液を
調製した後、前記したコーティング法と同様の方法によ
り塗布液を電荷発生層上に塗布すればよい。その際、電
荷輸送材料と結着樹脂との配合比（重量）は、１０：１
〜１：５が適当である。また、電荷輸送層の膜厚は一般
には５〜５０μｍ程度が適当である。本発明の電子写真
感光体における感光層が単層構造からなる場合、感光層
は、前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が電荷
輸送材料および結着樹脂に分散された光導電層より構成
される。電荷輸送材料および結着樹脂としては、感光層
が積層構造からなる場合と同様なものが使用され、前記
と同様な方法にしたがって光導電層が形成される。その
場合、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比（重量）は
１：１０〜１０：１、好ましくは１：２〜２：１程度の
範囲である。また、ヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶と結着樹脂との配合比は、１：１００〜５：１、好
ましくは１：１０〜１：１の範囲である。
Ｎ，Ｎ′−ビス−（ｍ−トリル）ベンジジン、４−ジエ
チルアミノベンズアルデヒド−２，２′−ジフェニルヒ
ドラゾン、ｐ−（２，２−ジフェニルビニル）−Ｎ，Ｎ
−ジフェニルアニリン等の電荷輸送材料を適当な結着樹
脂中に含有させて形成される。結着樹脂としては、前記
電荷発生層を形成する際に用いるものと同様の樹脂が使
用できる。電荷輸送層を形成するためには、上記の電荷
輸送材料と結着樹脂および有機溶媒とを用いて塗布液を
調製した後、前記したコーティング法と同様の方法によ
り塗布液を電荷発生層上に塗布すればよい。その際、電
荷輸送材料と結着樹脂との配合比（重量）は、１０：１
〜１：５が適当である。また、電荷輸送層の膜厚は一般
には５〜５０μｍ程度が適当である。本発明の電子写真
感光体における感光層が単層構造からなる場合、感光層
は、前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が電荷
輸送材料および結着樹脂に分散された光導電層より構成
される。電荷輸送材料および結着樹脂としては、感光層
が積層構造からなる場合と同様なものが使用され、前記
と同様な方法にしたがって光導電層が形成される。その
場合、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比（重量）は
１：１０〜１０：１、好ましくは１：２〜２：１程度の
範囲である。また、ヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶と結着樹脂との配合比は、１：１００〜５：１、好
ましくは１：１０〜１：１の範囲である。
【００１７】導電性支持体としては、電子写真感光体と
して使用することが可能なものならば、如何なるものも
使用することができる。本発明においては、感光層の帯
電時において導電性支持体から感光層への不必要な電荷
の注入を阻止するために、導電性支持体と感光層の間に
ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ジルコニウム
キレート化合物、チタニルキレート化合物等を含有する
下引き層を介在させてもよい。さらに必要に応じて、感
光層の表面を被覆する保護層を設けてもよい。この保護
層は、感光層が積層構造からなる場合には、帯電時の電
荷輸送層の化学的変質を防止すると共に、感光層の機械
的強度を改善する役割を果たす。
して使用することが可能なものならば、如何なるものも
使用することができる。本発明においては、感光層の帯
電時において導電性支持体から感光層への不必要な電荷
の注入を阻止するために、導電性支持体と感光層の間に
ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ジルコニウム
キレート化合物、チタニルキレート化合物等を含有する
下引き層を介在させてもよい。さらに必要に応じて、感
光層の表面を被覆する保護層を設けてもよい。この保護
層は、感光層が積層構造からなる場合には、帯電時の電
荷輸送層の化学的変質を防止すると共に、感光層の機械
的強度を改善する役割を果たす。
【００１８】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。なお、実施例および比較例において、「部」は重
量部を意味する。 原料製造例 フタロニトリル２９．１部、ガリウムトリメトキシド
９．２部、エチレングリコール１５０部を、窒素雰囲気
下、２００℃にて２４時間撹拌した後、生成物を濾過し
た。次いで、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、メタノー
ルで順次洗浄し、乾燥した後、２３．０部のガリウムフ
タロシアニンを得た。上記のようにして得られたガリウ
ムフタロシアニン１０部を濃硫酸２５０部に溶解し、２
時間撹拌した後、氷冷した蒸留水８７０部、濃アンモニ
ア水５３０部の混合溶液に滴下して結晶を析出させた。
析出した結晶を蒸留水で十分に洗浄し、乾燥して、ヒド
ロキシガリウムフタロシアニン結晶９部を得た。この結
晶の粉末Ｘ線回折スペクトルを図１に示す。
する。なお、実施例および比較例において、「部」は重
量部を意味する。 原料製造例 フタロニトリル２９．１部、ガリウムトリメトキシド
９．２部、エチレングリコール１５０部を、窒素雰囲気
下、２００℃にて２４時間撹拌した後、生成物を濾過し
た。次いで、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、メタノー
ルで順次洗浄し、乾燥した後、２３．０部のガリウムフ
タロシアニンを得た。上記のようにして得られたガリウ
ムフタロシアニン１０部を濃硫酸２５０部に溶解し、２
時間撹拌した後、氷冷した蒸留水８７０部、濃アンモニ
ア水５３０部の混合溶液に滴下して結晶を析出させた。
析出した結晶を蒸留水で十分に洗浄し、乾燥して、ヒド
ロキシガリウムフタロシアニン結晶９部を得た。この結
晶の粉末Ｘ線回折スペクトルを図１に示す。
【００１９】実施例１ 上記原料製造例で得られたヒドロキシガリウムフタロシ
アニン結晶２．５部を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
１９部と、直径５ｍｍのガラスビーズ５０部と共に４８
時間ミリングした後、結晶を分離し、酢酸ｎ−ブチルで
洗浄し、減圧度２０Ｐａ、温度５０℃で８時間乾燥し、
残留溶媒を除いて、ヒドロキシシガリウムフタロシアニ
ン結晶２．４部を得た。この結晶の粉末Ｘ線回折スペク
トルを図２に示す。また、ここで得られたヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶を重トリフルオロ酢酸と重ク
ロロホルムの混合溶液（１：１）に溶解した場合のＮＭ
Ｒスペクトルを図３に示す。この結晶は、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミドに相当するピークを有しており、プロ
トン比でヒドロキシガリウムフタロシアニン：Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド＝４４：３、重量換算量は２．１
％であった。また、得られた結晶の熱重量分析の結果を
図６に示す。測定は、ＤＴ−４０（島津製作所社製）に
より、昇温速度１０℃／ｍｉｎで行った。この結晶の重
量減少は、主として２００℃付近から始まっていた。含
有物のＤＭＦの沸点（１５３℃）より高く、フタロシア
ニン環と何等かの相互作用をしていると考えられる。減
少重量のうちの約１．５％はＨ2 Ｏであり、これはヒド
ロキシガリウムフタロシアニン２分子による脱水反応の
結果である。それゆえに、約２％の減量がＤＭＦに相当
するものであり、ＮＭＲからの計算減少量とほぼ一致し
ていた。
アニン結晶２．５部を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
１９部と、直径５ｍｍのガラスビーズ５０部と共に４８
時間ミリングした後、結晶を分離し、酢酸ｎ−ブチルで
洗浄し、減圧度２０Ｐａ、温度５０℃で８時間乾燥し、
残留溶媒を除いて、ヒドロキシシガリウムフタロシアニ
ン結晶２．４部を得た。この結晶の粉末Ｘ線回折スペク
トルを図２に示す。また、ここで得られたヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶を重トリフルオロ酢酸と重ク
ロロホルムの混合溶液（１：１）に溶解した場合のＮＭ
Ｒスペクトルを図３に示す。この結晶は、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミドに相当するピークを有しており、プロ
トン比でヒドロキシガリウムフタロシアニン：Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド＝４４：３、重量換算量は２．１
％であった。また、得られた結晶の熱重量分析の結果を
図６に示す。測定は、ＤＴ−４０（島津製作所社製）に
より、昇温速度１０℃／ｍｉｎで行った。この結晶の重
量減少は、主として２００℃付近から始まっていた。含
有物のＤＭＦの沸点（１５３℃）より高く、フタロシア
ニン環と何等かの相互作用をしていると考えられる。減
少重量のうちの約１．５％はＨ2 Ｏであり、これはヒド
ロキシガリウムフタロシアニン２分子による脱水反応の
結果である。それゆえに、約２％の減量がＤＭＦに相当
するものであり、ＮＭＲからの計算減少量とほぼ一致し
ていた。
【００２０】実施例２〜４ 前記原料製造例で得られたヒドロキシガリウムフタロシ
アニン結晶４部を、下記表１に示す溶剤５０部と、直径
５ｍｍのガラスビーズ１２０部と共に４８時間ミリング
した後、減圧度２０Ｐａ，温度５０℃で８時間乾燥し、
残留溶媒を除いて、それぞれヒドロキシシガリウムフタ
ロシアニン結晶３．９部を得た。それらの粉末Ｘ線回折
図は、全て図２に示すと同様であった。また、ここで得
られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を重トリ
フルオロ酢酸と重クロロホルムの混合溶液（１：１）に
溶解した場合のＮＭＲスペクトルを図４に示す。実施例
２の場合、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、
ジメチルスルホキシドに相当するピークを有しており、
プロトン比でヒドロキシガリウムフタロシアニン：ジメ
チルスルホキシド＝４０：３、重量換算量は２．５％で
あった。また、実施例３の場合は、ヒドロキシガリウム
フタロシアニン：モルホリン＝１０８：１１、重量換算
量は２．８％であり、実施例４の場合は、ヒドロキシガ
リウムフタロシアニン：モルホリン：ジメチルスルホキ
シド＝９８：３：６、重量換算量は２．９２％であっ
た。
アニン結晶４部を、下記表１に示す溶剤５０部と、直径
５ｍｍのガラスビーズ１２０部と共に４８時間ミリング
した後、減圧度２０Ｐａ，温度５０℃で８時間乾燥し、
残留溶媒を除いて、それぞれヒドロキシシガリウムフタ
ロシアニン結晶３．９部を得た。それらの粉末Ｘ線回折
図は、全て図２に示すと同様であった。また、ここで得
られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を重トリ
フルオロ酢酸と重クロロホルムの混合溶液（１：１）に
溶解した場合のＮＭＲスペクトルを図４に示す。実施例
２の場合、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、
ジメチルスルホキシドに相当するピークを有しており、
プロトン比でヒドロキシガリウムフタロシアニン：ジメ
チルスルホキシド＝４０：３、重量換算量は２．５％で
あった。また、実施例３の場合は、ヒドロキシガリウム
フタロシアニン：モルホリン＝１０８：１１、重量換算
量は２．８％であり、実施例４の場合は、ヒドロキシガ
リウムフタロシアニン：モルホリン：ジメチルスルホキ
シド＝９８：３：６、重量換算量は２．９２％であっ
た。
【００２１】
【表１】
【００２２】実施例５〜８ アルミニム基板上にジルコニウム化合物（商品名：オル
ガノテックスＺＣ５４０、マツモト製薬社製）１０部お
よびシラン化合物（商品名：Ａ１１１０、日本ユニカー
社製）１部とｉ−プロパノール４０部およびブタノール
２０部からなる溶液を浸漬コーティング法で塗布し、１
５０℃において１０分間加熱乾燥して、膜厚０．２μｍ
の下引き層を形成した。次いで、実施例１〜４で得られ
たヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶１部をポリビ
ニルブチラール（商品名：エスレックＢＭ−Ｓ、積水化
学社製）１部および酢酸ｎ−ブチル１００部と混合し、
ガラスビーズと共にペイントシェーカーで１時間処理し
て分散させた。得られた塗布液を、上記下引層上に浸漬
塗布法によって塗布し、１００℃において１０分間加熱
乾燥して、膜厚約０．２μｍの電荷発生層を形成した。
次に、下記構造式（Ｉ）で示される電荷輸送材料２部
と、下記構造式（II）で示される繰り返し単位からなる
ポリカーボネート樹脂３部を、クロロベンゼン２０部に
溶解し、得られた塗布液を電荷発生層が形成されたアル
ミニウム基板上に浸漬塗布法により塗布し、１２０℃で
１時間加熱乾燥して、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成
した。
ガノテックスＺＣ５４０、マツモト製薬社製）１０部お
よびシラン化合物（商品名：Ａ１１１０、日本ユニカー
社製）１部とｉ−プロパノール４０部およびブタノール
２０部からなる溶液を浸漬コーティング法で塗布し、１
５０℃において１０分間加熱乾燥して、膜厚０．２μｍ
の下引き層を形成した。次いで、実施例１〜４で得られ
たヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶１部をポリビ
ニルブチラール（商品名：エスレックＢＭ−Ｓ、積水化
学社製）１部および酢酸ｎ−ブチル１００部と混合し、
ガラスビーズと共にペイントシェーカーで１時間処理し
て分散させた。得られた塗布液を、上記下引層上に浸漬
塗布法によって塗布し、１００℃において１０分間加熱
乾燥して、膜厚約０．２μｍの電荷発生層を形成した。
次に、下記構造式（Ｉ）で示される電荷輸送材料２部
と、下記構造式（II）で示される繰り返し単位からなる
ポリカーボネート樹脂３部を、クロロベンゼン２０部に
溶解し、得られた塗布液を電荷発生層が形成されたアル
ミニウム基板上に浸漬塗布法により塗布し、１２０℃で
１時間加熱乾燥して、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成
した。
【化１】
【００２３】このようにして得られた電子写真感光体の
電子写真特性を下記のようにして測定した。ユニバーサ
ルスキャナーを用いて、常温常湿（２０℃、４０％Ｒ
Ｈ）の環境下のコロナ放電により感光体を初期表面電位
−８００（Ｖ）に帯電させ、０．５３８秒間放置してＶ
DDP （Ｖ）を測定し、暗減衰ＶDDR （Ｖ）（ＶDDP −
（−８００））を算出した。その後、タングステンラン
プの光を、モノクロメーターを用いて７８０ｎｍの単色
光に分光し、感光体表面上に照射して、初期感度ｄＶ／
ｄＥ（ＫＶｍ2 ／Ｊ）を測定した。測定結果を表２に示
す。
電子写真特性を下記のようにして測定した。ユニバーサ
ルスキャナーを用いて、常温常湿（２０℃、４０％Ｒ
Ｈ）の環境下のコロナ放電により感光体を初期表面電位
−８００（Ｖ）に帯電させ、０．５３８秒間放置してＶ
DDP （Ｖ）を測定し、暗減衰ＶDDR （Ｖ）（ＶDDP −
（−８００））を算出した。その後、タングステンラン
プの光を、モノクロメーターを用いて７８０ｎｍの単色
光に分光し、感光体表面上に照射して、初期感度ｄＶ／
ｄＥ（ＫＶｍ2 ／Ｊ）を測定した。測定結果を表２に示
す。
【００２４】比較例１ 前記原料製造例で得られたヒドロキシガリウムフタロシ
アニン結晶１部を酢酸ｎ−ブチル１５部と共に１００℃
で５時間加熱攪拌した後、結晶を分離し、減圧度２０Ｐ
ａ、温度５０℃で８時間乾燥し、残留溶媒を除いて、ヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶０．９部を得た。
それらの粉末Ｘ線回折図は、図２に示すものと同様であ
った。また、ここで得られたヒドロキシガリウムフタロ
シアニン結晶を重トリフルオロ酢酸と重クロロホルムの
混合溶液（１：１）に溶解した場合のＮＭＲスペクトル
を図５に示す。この結晶は、フタロシアニンに相当する
ピーク以外は、殆ど有していなかった。 比較例２ 比較例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン
を用いた以外は、実施例５と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様にして電子写真特性の測定を行った。そ
の結果を表２に示す。
アニン結晶１部を酢酸ｎ−ブチル１５部と共に１００℃
で５時間加熱攪拌した後、結晶を分離し、減圧度２０Ｐ
ａ、温度５０℃で８時間乾燥し、残留溶媒を除いて、ヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶０．９部を得た。
それらの粉末Ｘ線回折図は、図２に示すものと同様であ
った。また、ここで得られたヒドロキシガリウムフタロ
シアニン結晶を重トリフルオロ酢酸と重クロロホルムの
混合溶液（１：１）に溶解した場合のＮＭＲスペクトル
を図５に示す。この結晶は、フタロシアニンに相当する
ピーク以外は、殆ど有していなかった。 比較例２ 比較例１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン
を用いた以外は、実施例５と同様にして電子写真感光体
を作製し、同様にして電子写真特性の測定を行った。そ
の結果を表２に示す。
【００２５】
【表２】
【００２６】
【発明の効果】本発明の溶剤含有ヒドロキシガリウムフ
タロシアニン結晶は、光導電性物質として使用され、高
い光感度と小さい暗減衰率を有する電子写真感光体を作
製するのに有用である。本発明の溶剤含有ヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶を用いて得られた電子写真感
光体は、半導体レーザーを利用するプリンター等に使用
した場合、優れた画質特性を有する画像を形成する。
タロシアニン結晶は、光導電性物質として使用され、高
い光感度と小さい暗減衰率を有する電子写真感光体を作
製するのに有用である。本発明の溶剤含有ヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶を用いて得られた電子写真感
光体は、半導体レーザーを利用するプリンター等に使用
した場合、優れた画質特性を有する画像を形成する。
【図１】 原料製造例で得られたヒドロキシガリウムフ
タロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
タロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
【図２】 実施例１で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
【図３】 実施例１で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶のＮＭＲスペクトル図を示す。
ロシアニン結晶のＮＭＲスペクトル図を示す。
【図４】 実施例２で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶のＮＭＲスペクトル図を示す。
ロシアニン結晶のＮＭＲスペクトル図を示す。
【図５】 比較例１で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶のＮＭＲスペクトル図を示す。
ロシアニン結晶のＮＭＲスペクトル図を示す。
【図６】 実施例１で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の熱重量分析の結果を示すグラフであ
る。
ロシアニン結晶の熱重量分析の結果を示すグラフであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山崎 一夫 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼ ロックス株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−261435（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−53892（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−348053（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−1923（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−249716（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−279591（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−263007（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−221459（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09B 67/50 G03G 5/06
Claims (3)
- 【請求項１】 アミド基を有する化合物、スルホキシド
基を有する化合物および有機アミンから選択された少な
くとも１種の極性有機溶剤を含有することを特徴とする
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶。 - 【請求項２】 ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおい
て、ブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．５°、９．
９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１
°および２８．３°に強い回折ピークを有することを特
徴とする請求項１記載のヒドロキシガリウムフタロシア
ニン結晶。 - 【請求項３】 導電性支持体上に感光層を有する電子写
真感光体において、該感光層が、アミド基を有する化合
物、スルホキシド基を有する化合物および有機アミンか
ら選択された少なくとも１種の極性有機溶剤を含有する
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を電荷発生材料
として含有することを特徴とする電子写真感光体。
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|---|---|---|---|
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| US08/863,948 US5834149A (en) | 1994-06-06 | 1997-05-27 | Hydroxygallium phthalocyanine crystals and electrophotographic photoreceptors using same |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14573394A JP3216426B2 (ja) | 1994-06-06 | 1994-06-06 | ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶及びそれを用いた電子写真感光体 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH07331107A JPH07331107A (ja) | 1995-12-19 |
| JP3216426B2 true JP3216426B2 (ja) | 2001-10-09 |
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Family Applications (1)
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| JP14573394A Expired - Lifetime JP3216426B2 (ja) | 1994-06-06 | 1994-06-06 | ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶及びそれを用いた電子写真感光体 |
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| JP (1) | JP3216426B2 (ja) |
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-
1997
- 1997-05-27 US US08/863,948 patent/US5834149A/en not_active Expired - Lifetime
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