JP6478750B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、フタロシアニン結晶およびその製造方法 - Google Patents
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Description
該感光層が下記式(1)で示される化合物を結晶内に含有するフタロシアニン結晶を含むことを特徴とする電子写真感光体である。
前記式(1)で示される化合物をフタロシアニンに加えてミリング処理をすることにより、フタロシアニンの結晶変換を行う結晶変換工程を有することを特徴とするフタロシアニン結晶の製造方法である。
また、本発明は、支持体および該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法であって、
上記のフタロシアニン結晶の製造方法により、前記フタロシアニン結晶を製造する工程、および
前記フタロシアニン結晶を含有する感光層用塗布液の塗膜を形成し、該塗膜を乾燥させて該感光層を形成する工程、
を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
さらに、ゴースト現象による画像欠陥の抑制の観点から、CuKα線のX線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.4°および28.3°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶であることがより好ましい。
使用測定機:理学電気(株)製、X線回折装置(商品名:RINT−TTRII)
X線管球:Cu
管電圧:50KV
管電流:300mA
スキャン方法:2θ/θスキャン
スキャン速度:4.0°/min
サンプリング間隔:0.02°
スタート角度(2θ):5.0°
ストップ角度(2θ):40.0°
アタッチメント:標準試料ホルダー
フィルター:不使用
インシデントモノクロ:使用
カウンターモノクロメーター:不使用
発散スリット:開放
発散縦制限スリット:10.00mm
散乱スリット:開放
受光スリット:開放
平板モノクロメーター:使用
カウンター:シンチレーションカウンター
使用測定器:BRUKER製、商品名:AVANCEIII 500
溶媒:重硫酸(D2SO4)
積算回数:2000
保護層の膜厚は、0.05〜20μmであることが好ましい。
特開2011−94101号公報に記載の合成例1および実施例1−1と同様に、以下のようにヒドロキシガリウムフタロシアニンを製造した。窒素フローの雰囲気下、フタロニトリル5.46部およびα−クロロナフタレン45部を反応釜に投入した後、加熱し、温度30℃まで昇温させた後、この温度を維持した。次に、この温度(30℃)で三塩化ガリウム3.75部を投入した。投入時の混合液の水分値は150ppmであった。その後、温度200℃まで昇温させた。次に、窒素気流下、温度200℃で4.5時間反応させた後、冷却し、温度150℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をN,N−ジメチルホルムアミドを用いて温度140℃で2時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を4.65部(収率71%)得た。次に、得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料4.65部を、温度10℃で濃硫酸139.5部に溶解させ、攪拌下、氷水620部中に滴下して再析出させて、フィルタープレスを用いて濾過した。得られたウエットケーキ(濾過物)を2%アンモニア水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いて濾過した。次いで、得られたウエットケーキ(濾過物)をイオン交換水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いた濾過を3回繰り返し、その後、固形分23%のヒドロキシガリウムフタロシアニン(含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン)を得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン(含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン)6.6kgをハイパー・ドライ乾燥機(商品名:HD−06R、周波数(発振周波数):2455MHz±15MHz、日本バイオコン(株)製)を用いてマイクロ波照射を行い、ヒドロキシガリウムフタロシアニンを乾燥させた。
このようにして得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン0.5部、下記式
実施例1−1において、ミリング処理時間を600時間とした以外は実施例1−1と同様にして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折スペクトルは図2と同様で、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.4°および28.3°にピークを有していた。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内には化合物(1)が1.5質量%含有されていることが確認された。
実施例1−1において、ミリング処理時間を100時間とした以外は実施例1−1と同様にして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折スペクトルは図2と同様で、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.4°および28.3°に強いピークを有していた。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内には化合物(1)が2.1質量%含有されていることが確認された。
実施例1−1において、上記の化合物(1)に代えて下記式
実施例1−4において、ミリング処理時間を600時間とした以外は実施例1−4と同様にして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折スペクトルは図3と同様で、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.4°および28.3°にピークを有していた。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内には化合物(2)が1.6質量%含有されていることが確認された。
実施例1−4において、ミリング処理時間を1000時間とした以外は実施例1−4と同様にして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折スペクトルは図3と同様で、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.4°および28.3°にピークを有していた。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内には化合物(2)が1.4質量%含有されていることが確認された。
実施例1−6において、上記の化合物(2)9.5部に代えて、N,N−ジメチルホルムアミド(製品コード:D0722、東京化成工業(株)製)3.2部および上記の化合物(2)6.3部を用いた。それ以外は実施例1−6と同様にして、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粉末X線回折スペクトルは図3と同様で、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.4°および28.3°にピークを有していた。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内には化合物(2)が0.8質量%含有されていることが確認された。
実施例1−3において、上記の化合物(1)に代えてN,N−ジメチルホルムアミド(製品コード:D0722、東京化成工業(株)製)を用いた以外は実施例1−3と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。比較例1−1で得たヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造工程においては、上記式(1)のいずれの化合物も用いていない。従って比較例1で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中には上記式(1)のいずれの化合物も含まれていない。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内にはN,N−ジメチルホルムアミドが2.1質量%含有されていることが確認された。
実施例1−3において、上記の化合物(1)に代えてジメチルスルホキシド(製品コード:D0798、東京化成工業(株)製)を用いた以外は実施例1−3と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。比較例1−2で得たヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造工程においては、上記式(1)のいずれの化合物も用いていない。従って比較例1−2で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中には上記式(1)のいずれの化合物も含まれていない。実施例1−1と同様にしてNMR測定を行ったところ、結晶内にはジメチルスルホキシドが2.4質量%含有されていることが確認された。
実施例1−3において、上記の化合物(1)に代えて1−メチル−2−ピロリドン(製品コード:M0418、東京化成工業(株)製)を用いた以外は実施例1−3と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。比較例1−3で得たヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造工程においては、上記式(1)のいずれの化合物も用いていない。従って比較例1−3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中には上記式(1)のいずれの化合物も含まれていない。実施例1−1と同様にして1H−NMR測定を行ったところ、結晶内には1−メチル−2−ピロリドンが2.9質量%含有されていることが確認された。
酸化スズで被覆した硫酸バリウム粒子(商品名:パストランPC1、三井金属鉱業(株)製)60部、酸化チタン粒子(商品名:TITANIX JR、テイカ(株)製)15部、レゾール型フェノール樹脂(商品名:フェノライト J−325、大日本インキ化学工業(株)製、固形分70質量%)43部、シリコーンオイル(商品名:SH28PA、東レシリコーン(株)製)0.015部、シリコーン樹脂(商品名:トスパール120、東芝シリコーン(株)製)3.6部、2−メトキシ−1−プロパノール 50部、メタノール 50部からなる溶液を20時間、ボールミルで分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。
この導電層用塗布液を、支持体としてのアルミニウムシリンダー(直径24mm)上に浸漬塗布し、得られた塗膜を30分間140℃で乾燥させることによって、膜厚が15μmの導電層を形成した。
この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって、膜厚が0.5μmの下引き層を形成した。
この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を10分間100℃で乾燥させることによって、膜厚が0.20μmの電荷発生層を形成した。
実施例2−1において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を、実施例1−2〜1−7で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例2−1と同様にして実施例2−2〜2−7の電子写真感光体を作製した。
実施例2−1において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を、比較例1−1〜1−3で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。それ以外は、実施例2−1と同様にして比較例2−1〜2−3の電子写真感光体を作製した。
実施例2−1〜2−7および比較例2−1〜2−3の電子写真感光体について、温度23℃/湿度50%RHの常温常湿環境下でゴースト画像の評価を行った。
2 軸
3 帯電手段
4 像露光光
5 現像手段
6 転写手段
7 転写材
8 像定着手段
9 クリーニング手段
10 前露光光
11 プロセスカートリッジ
12 案内手段
101 ベタ黒
102 ベタ白
103 ベタ黒101に起因するゴーストが出現し得る部分
104 ハーフトーン画像(1ドット桂馬パターン)
Claims (13)
- 前記フタロシアニン結晶が、ガリウムフタロシアニン結晶である請求項1に記載の電子写真感光体。
- 前記ガリウムフタロシアニン結晶が、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項2に記載の電子写真感光体。
- 前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、CuKα特性X線回折におけるブラッグ角2θ±0.2°の7.4°および28.3°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶であることを特徴とする請求項3に記載の電子写真感光体。
- 前記式(1)で示される化合物の含有量が、前記フタロシアニン結晶に対して0.01質量%以上20質量%以下である請求項1〜4のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
- 前記式(1)で示される化合物の含有量が、前記フタロシアニン結晶に対して0.1質量%以上1.9質量%以下である請求項1〜5のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも1つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
- 請求項9に記載のフタロシアニン結晶を製造するフタロシアニン結晶の製造方法であって、該製造方法が、
前記式(1)で示される化合物をフタロシアニンに加えてミリング処理をすることにより、フタロシアニンの結晶変換を行う結晶変換工程を有することを特徴とするフタロシアニン結晶の製造方法。 - 前記製造方法が、前記結晶変換工程の前に、アシッドペースティング法によって前記フタロシアニンを得る工程を有する請求項10に記載のフタロシアニン結晶の製造方法。
- 支持体および該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体を製造する電子写真感光体の製造方法であって、
請求項10または11に記載のフタロシアニン結晶の製造方法により、前記フタロシアニン結晶を製造する工程、および
前記フタロシアニン結晶を含有する感光層用塗布液の塗膜を形成し、該塗膜を乾燥させて該感光層を形成する工程、
を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。 - 支持体および該支持体上に形成された電荷発生層を有する電子写真感光体の製造方法であって、
請求項10または11に記載のフタロシアニン結晶の製造方法により、前記フタロシアニン結晶を製造する工程、および
前記フタロシアニン結晶を含有する電荷発生層用塗布液の塗膜を形成し、該塗膜を乾燥させて該電荷発生層を形成する工程、
を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
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