JP6039368B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、ガリウムフタロシアニン結晶 - Google Patents

電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、ガリウムフタロシアニン結晶 Download PDF

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Description

本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、ガリウムフタロシアニン結晶に関する。
現在、像露光手段としてよく用いられている半導体レーザーの発振波長は、６５０〜８２０ｎｍと長波長であるため、これらの長波長の光に高い感度を有する電子写真感光体の開発が進められている。
フタロシアニン顔料は、こうした長波長領域までの光に高い感度を有する電荷発生物質として有効であり、特にオキシチタニウムフタロシアニンやガリウムフタロシアニンは、優れた感度特性を有しており、これまでに様々な結晶形が報告されている。
ところが、フタロシアニン顔料を用いた電子写真感光体は、優れた感度特性を有している反面、生成したフォトキャリアが感光層に残存しやすく、一種のメモリーとして、ゴースト現象などの電位変動を起こしやすいという課題があった。
特許文献１には、フタロシアニン顔料のアシッドペースティング工程時に特定の有機電子アクセプターを添加することにより増感効果をもたらすことが報告されている。しかしながら、この手法では添加物の化学変化の懸念、および、所望の結晶形への変換が困難である問題がある。
また、特許文献２には、顔料と特定の有機電子アクセプターとを湿式粉砕処理することにより結晶変換と同時に結晶の表面に有機電子アクセプターを取り込み、電子写真特性を改善したことが報告されている。
しかしながら、この手法では得られるフタロシアニン結晶は、結晶内部に有機電子アクセプターを含有してはおらず、混合状態または表面に付着した程度であり、電荷発生層用塗布液の製造時に特定の有機電子アクセプター添加するいわゆる分散時添加と構成も効果も同じである。
また、特許文献３には、ベンゾフェノン化合物を電子写真感光体に用いることが開示されている。ベンゾフェノン化合物を用いることの効果としては、電荷発生物質の光酸化の防止および残留電位の上昇の抑制が示されている。
しかしながら、特許文献１〜３には、アミノ基で置換されたベンゾフェノン化合物は開示されていない。
特開２００１−４０２３７号公報 特開２００６−７２３０４号公報 特開平６−２７３９５３号公報
以上、電子写真感光体に関して、様々な改善が試みられている。
しかしながら、近年のさらなる高画質化に対しては、様々な環境下においてゴースト現象による画質劣化の改善が望まれている。
本発明の目的は、上記課題を解決し、常温常湿環境下だけでなく、特に厳しい条件である低温低湿環境下であっても、ゴースト現象による画像欠陥が少ない画像を出力可能な電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。
更に、本発明の他の目的は、特定のアミン化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を提供することにある。
本発明は、支持体および該支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該感光層が、下記式（１）で示されるアミン化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
Figure 0006039368
 （上記式（１）中、Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アリールオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアシル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換基を有するアミノ基、または、置換もしくは無置換の環状アミノ基を示す。ただし、Ｒ１〜Ｒ１０の少なくとも１つは、置換もしくは無置換のアリール基で置換されたアミノ基、置換もしくは無置換のアルキル基で置換されたアミノ基、または、置換もしくは無置換の環状アミノ基を示す。Ｘ１は、カルボニル基、または、ジカルボニル基を示す。）
また、本発明は、上記電子写真感光体と、該電子写真感光体の表面を帯電するための帯電手段、該電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーで現像してトナー像を形成するための現像手段、および、該トナー像が転写材に転写された後の該電子写真感光体の表面のトナーを除去するためのクリーニング手段からなる群より選ばれる少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジである。
また、本発明は、上記電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体の表面を帯電するための帯電手段、帯電された該電子写真感光体の表面に像露光光を照射して静電潜像を形成するための像露光手段、該電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーで現像してトナー像を形成するための現像手段、および、該電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を転写材に転写するための転写手段を有することを特徴とする電子写真装置である。
また、本発明は、下記式（１）で示されるアミン化合物を結晶内に含有することを特徴とするガリウムフタロシアニン結晶である。
Figure 0006039368
本発明によれば、常温常湿環境下だけでなく、特に厳しい条件である低温低湿環境下であっても、ゴースト現象による画像欠陥が少ない画像を出力可能な電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。
さらに、電荷発生物質として優れた特性を有するガリウムフタロシアニン結晶を提供することができる。
本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。 （ａ）は実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図であり、（ｂ）は実施例１−１で使用した例示化合物（２）の粉末Ｘ線回折図である。 （ａ）は実施例１−３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図であり、（ｂ）は実施例１−４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。 （ａ）は実施例１−５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図であり、（ｂ）は実施例１−６で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図であり、（ｃ）は実施例１−７で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。 （ａ）は実施例１−１３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折であり、（ｂ）は実施例１−１４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。 実施例１−１５で得られたブロモガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。 （ａ）は実施例１−１６で得られたヨードガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折であり、（ｂ）は実施例１−１７で得られたヨードガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図であり、（ｃ）は実施例１−１８で得られたヨードガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。 比較例１−３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。 （ａ）は比較例１−５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含む混合物の粉末Ｘ線回折図であり、（ｂ）は比較例１−５で使用した２−モルホリノアントラキノンの粉末Ｘ線回折図である。 （ａ）は比較例１−６で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を含む混合物の粉末Ｘ線回折図であり、（ｂ）は比較例１−６で使用したアントラキノンの粉末Ｘ線回折図である。 （ａ）は比較例１−８で得られたブロモガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図であり、（ｂ）は比較例１−９で得られたヨードガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図である。
本発明の電子写真感光体は、上記のとおり、支持体および該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、該感光層が、下記式（１）で示されるアミン化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
Figure 0006039368
 上記式（１）中、Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アリールオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアシル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換基を有するアミノ基、または、置換もしくは無置換の環状アミノ基を示す。ただし、Ｒ１〜Ｒ１０の少なくとも１つは、置換もしくは無置換のアリール基で置換されたアミノ基、置換もしくは無置換のアルキル基で置換されたアミノ基、または、置換もしくは無置換の環状アミノ基を示す。Ｘ１は、カルボニル基、または、ジカルボニル基を示す。
また、上記式（１）中のＲ１〜Ｒ１０の少なくとも１つは、置換もしくは無置換のアルキル基で置換されたアミノ基であることが好ましい。その中でも、該置換もしくは無置換のアルキル基で置換されたアミノ基における置換もしくは無置換のアルキル基が、アルコキシ基で置換されたアルキル基、アリール基で置換されたアルキル基、または、無置換のアルキル基であることがより好ましい。
さらに、上記式（１）中のＲ１〜Ｒ１０の少なくとも１つは、ジアルキルアミノ基であることが好ましく、その中でも、ジメチルアミノ基、または、ジエチルアミノ基であることがより好ましい。
また、上記式（１）中のＲ１〜Ｒ１０の少なくとも１つは、置換もしくは無置換の環状アミノ基であることも好ましく、その中でも、モルホリノ基、または、１−ピペリジノ基であることがより好ましい。
さらに、ゴースト現象による画像欠陥を抑制する効果の点で特に好ましいアミン化合物は、下記式（２）で示されるアミン化合物である。
Figure 0006039368
 上記式（２）中、Ｅｔはエチル基を示す。
また、上記式（１）における、置換もしくは無置換のアシル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしくは無置換のアリール基、および、置換もしくは無置換の環状アミノ基の各基が有してもよい置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基や、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基や、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基などのジアルキルアミノ基や、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などのアルコキシカルボニル基や、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基などのアリール基や、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子や、ニトロ基や、シアノ基や、ハロメチル基などが挙げられる。これらの中でも、アリール基、アルコキシ基が好ましい置換基である。
以下に、本発明のガリウムフタロシアニン結晶に含有されるアミン化合物の好ましい具体例（例示化合物）を示すが、本発明は、これらに限定されるものではない。
Figure 0006039368
上記例示化合物中、Ｍｅはメチル基を示し、Ｅｔはエチル基を示し、ｎ−Ｐｒはプロピル基（ｎ−プロピル基）を示す。
本発明で用いられるアミン化合物は市販品として入手することもできるが、合成法の例を以下に示す。
原料としてアミノベンゾフェノンを用い、アミノベンゾフェノンとハロゲン化物との置換反応でアミノ基に置換基を導入することができる。その中でも、金属触媒を用いたアミノベンゾフェノンと芳香族ハロゲン化物との反応が、アリール基置換アミン化合物の合成に有用な方法である。また、還元的アミノ化を用いた反応が、アルキル基置換アミン化合物の合成に有用な方法である。
以下に、例示化合物（２４）の具体的な合成例を示す。
以下に示す「部」は、「質量部」を意味する。また、ＩＲ（赤外線）吸収スペクトルは、フーリエ変換赤外分光光度計（商品名：ＦＴ／ＩＲ−４２０、日本分光（株）製）で測定した。また、ＮＭＲ（核磁気共鳴）スペクトルは、核磁気共鳴装置（商品名：ＥＸ−４００、日本電子（株）製）で測定した。
〔合成例〕
例示化合物（２４）の合成
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド５０部を入れた３径フラスコに、４，４’−ジアミノベンゾフェノン５．０部、ヨードトルエン２５．７部、銅粉９．０部および炭酸カリウム９．８部を添加して、２０時間リフラックスをした後、熱時濾過で固形成分を除去した。減圧下で溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラム（溶媒はトルエン）にて精製し、例示化合物（２４）を８．１部得た。
以下に、測定より得られたＩＲ吸収スペクトルおよび１Ｈ−ＮＭＲスペクトルの特徴的なピークを示す。
ＩＲ（ｃｍ−１，ＫＢｒ）：１６４６，１５９４，１５０８，１３１８，１２７７，１１７４
１Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ，ＣＤＣｌ３，４０℃）：δ＝７．６３（ｄ，４Ｈ），７．１１（ｄ，８Ｈ），７．０４（ｄ，８Ｈ），６．９３（ｄ，４Ｈ），２．３３（ｓ、１２Ｈ）
本発明の前記式（１）で示されるアミン化合物を結晶内に含有しているガリウムフタロシアニン結晶を構成するガリウムフタロシアニンとしては、例えば、ガリウムフタロシアニン分子のガリウム原子に軸配位子としてハロゲン原子、ヒドロキシ基、または、アルコキシ基を有するものが挙げられる。また、フタロシアニン環にハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。
ガリウムフタロシアニン結晶の中でも、優れた感度を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（ガリウム原子が軸配位子としてヒドロキシ基を有するもの）、ブロモガリウムフタロシアニン結晶（ガリウム原子が軸配位子として臭素原子を有するもの）、ヨードガリウムフタロシアニン結晶（ガリウム原子が軸配位子としてヨウ素原子を有するもの）が、本発明が有効に作用し、好ましい。
さらに、ガリウムフタロシアニン結晶の中でも、
ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．４°、２７．４°および２８．３°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、
ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．４°、１６．６°、２１．８°、２５．５°および２８．３°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、
ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．４°、２７．１°および２８．４°にピークを有するブロモガリウムフタロシアニン結晶、
ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において２０．４°、２７．１°、２９．０°および３３．２°にピークを有するヨードガリウムフタロシアニン結晶が好ましい。
ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．４°、２７．４°および２８．３°にピークを有するガリウムフタロシアニン結晶の中でも、２７．４°のピーク強度が７．４°のピーク強度に対して５％以上１００％以下であるヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、ゴースト現象による画像欠陥を抑制する効果の点で特に好ましい。
前記式（１）で示されるアミン化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶は、結晶内に前記式（１）で示されるアミン化合物を取込んでいることを意味する。
前記式（１）で示されるアミン化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶の製造方法について説明する。
本発明の前記式（１）で示されるアミン化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶は、好ましくはアシッドペースティング法により処理した低結晶性のガリウムフタロシアニンを湿式ミリング処理により結晶変換する工程において、前記式（１）で示されるアミン化合物を加え、溶剤を用いてミリング処理することにより得られる。
ここで行うミリング処理とは、例えば、ガラスビーズ、スチールビーズ、アルミナボールなどの分散剤とともにサンドミル、ボールミルなどのミリング装置を用いて行う処理である。ミリング時間は、４〜４８時間程度が好ましい。特に好ましい方法は、４〜８時間おきにサンプルをとり、結晶のブラッグ角を確認することである。ミリング処理で用いる分散剤の量は、質量基準でガリウムフタロシアニンの１０〜５０倍が好ましい。また、用いられる溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオアミドなどのアミド系溶剤、クロロホルムなどのハロゲン系溶剤、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶剤、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶剤などが挙げられる。溶剤の使用量は、質量基準でガリウムフタロシアニンの５〜３０倍が好ましい。前記式（１）で示されるアミン化合物の使用量は、質量基準でガリウムフタロシアニンの０．１〜１０倍が好ましい。
本発明のガリウムフタロシアニン結晶がアミン化合物を結晶内に含有しているかどうかについて、本発明においては、得られたガリウムフタロシアニン結晶を熱重量（ＴＧ）測定、Ｘ線回折測定、およびＮＭＲ測定のデータを解析することにより決定した。
例えば、含有させたい化合物を加えた系とそれを加えない以外同様に調製して得られたガリウムフタロシアニン結晶とを個別にＴＧ測定し、含有させたい化合物を加えた系で得られたガリウムフタロシアニン結晶のＴＧ測定結果が、個別の測定結果を単に所定の比率で混合したものと解釈できるなら、その系は結晶と化合物との混合物、または、その結晶の表面に化合物が単に付着しているものであると解釈できる。
一方、含有させたい化合物を加えた系で得られたガリウムフタロシアニン結晶のＴＧ測定結果が、含有させたい化合物のＴＧ測定の結果より高温で重量減少が生じていれば、含有させたい化合物が結晶内に含有していると判断することができる。
また、Ｘ線回折により個別の測定結果を単に所定の比率で混合したものと解釈できるなら、その系は結晶と化合物との混合物、または、その結晶の表面に化合物が単に付着しているものであると解釈できる。
一方、含有させたい化合物のＸ線回折が存在しない場合、または、得られた結晶形に変化が得られた場合は、含有させたい化合物が結晶内に含有していると判断することができる。
さらに、含有させたい化合物を溶解できる溶剤によるミリング処理、またはミリング後の洗浄工程を十分に行った場合、ＮＭＲ測定において含有させたい化合物が検出された場合は、含有させたい化合物が結晶内に含有していると判断することができる。
本発明のフタロシアニン結晶のＴＧ測定、Ｘ線回折およびＮＭＲの測定は、次の条件で行ったものである。
［ＴＧ測定］
使用測定機：セイコー電子工業（株）製、ＴＧ／ＤＴＡ同時測定装置（商品名：ＴＧ／ＤＴＡ２２０Ｕ）
雰囲気：窒素気流化（３００ｍ２／ｍｉｎ）
測定範囲：３５℃から６００℃
昇温スピード：１０℃／ｍｉｎ
［粉末Ｘ線回折測定］
使用測定機：理学電気（株）製、Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ−ＴＴＲＩＩ
Ｘ線管球：Ｃｕ
管電圧：５０ＫＶ
管電流：３００ｍＡ
スキャン方法：２θ／θスキャン
スキャン速度：４．０°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０２°
スタート角度（２θ）：５．０°
ストップ角度（２θ）：４０．０°
アタッチメント：標準試料ホルダー
フィルター：不使用
インシデントモノクロ：使用
カウンターモノクロメーター：不使用
発散スリット：開放
発散縦制限スリット：１０．００ｍｍ
散乱スリット：開放
受光スリット：開放
平板モノクロメーター：使用
カウンター：シンチレーションカウンター
［ＮＭＲ測定］
使用測定器：ＢＲＵＫＥＲ製、ＡＶＡＮＣＥIII ５００
溶媒：重硫酸（Ｄ２ＳＯ４）
本発明の前記式（１）で示されるアミン化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶は、光導電体としての機能に優れ、電子写真感光体以外にも、太陽電池、センサー、スイッチング素子などに適用することができる。
次に、本発明の前記式（１）で示されるアミン化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を電子写真感光体における電荷発生物質として適用する場合を説明する。
感光層には、電荷発生物質および電荷輸送物質をともに含有する単一層からなる感光層（単層型感光層）や、電荷発生物質を含有する電荷発生層と電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とを積層してなる感光層（積層型感光層）がある。なお、電荷発生層と電荷輸送層の積層関係は逆であってもよい。
本発明に用いられる支持体としては、導電性を有するもの（導電性支持体）が好ましく、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケル、インジウム、金および白金を用いることができる。その他にはアルミニウム、アルミニウム合金、酸化インジウム、酸化スズおよび酸化インジウム−酸化スズ合金を真空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチック（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂およびポリフッ化エチレン）、導電性粒子（例えば、アルミニウム粒子、酸化チタン粒子、酸化スズ粒子、酸化亜鉛粒子、カーボンブラック、銀粒子など）を結着樹脂とともにプラスチックまたは前記支持体の上に被覆した支持体、導電性粒子をプラスチックや紙に含浸させた支持体や、導電性ポリマーを有するプラスチックなどを用いることができる。
本発明においては、支持体および感光層の間にはバリア機能と接着機能とを持つ下引き層（バリア層、中間層とも呼ばれる。）を設けることもできる。
下引き層の材料としてはポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、メチルセルロース、カゼイン、ポリアミド（ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン６１０、共重合ナイロンおよびＮ−アルコキシメチル化ナイロンなど）、ポリウレタン、にかわ、酸化アルミニウムおよびゼラチンなどが用いられる。その膜厚は０．１〜１０μｍ、好ましくは０．５〜５μｍである。
単層型感光層を形成する場合、本発明に係るガリウムフタロシアニン結晶の電荷発生物質と電荷輸送物質を結着樹脂溶液中に混合して、この混合液を支持体上に塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。
積層型感光層を形成する場合、電荷発生層は、本発明に係るガリウムフタロシアニン結晶を結着樹脂溶液中に分散させて得られた電荷発生層用塗布液を塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。また、蒸着によって電荷発生層を形成することもできる。
電荷輸送層は、電荷輸送物質および結着樹脂を溶剤に溶解させて得られた電荷輸送層用塗布液を塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。
電荷輸送物質としては、例えば、トリアリールアミン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチルベン系化合物、ピラゾリン系化合物、オキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、トリアリルメタン系化合物などが挙げられる。
各層に用いる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリビニルカルバゾール、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、ポリサルホン、ポリアリレート、塩化ビニリデン、アクリロニトリル共重合体、ポリビニルベンザールなどの樹脂が用いられる。
感光層の塗布方法としては、ディッピング法、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、ブレードコーティング法、ビームコーティング法などの塗布方法を用いることができる。
感光層が単層型である場合、膜厚は、５〜４０μｍであることが好ましく、１０〜３０μｍであることがより好ましい。
感光層が積層型である場合、電荷発生層の膜厚は、０．０１〜１０μｍであることが好ましく、０．１〜３μｍであることがより好ましい。また、電荷輸送層の膜厚は、５〜４０μｍであることが好ましく、１０〜３０μｍであることがより好ましい。
感光層が積層型である場合、電荷発生物質の含有量は、電荷発生層の全質量に対して２０〜９０質量％であることが好ましく、５０〜８０質量％であることがより好ましい。また、電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して２０〜８０質量％であることが好ましく、３０〜７０質量％であることがより好ましい。
感光層が単層型である場合、電荷発生物質の含有量は、感光層の全質量に対して３〜３０質量％であることが好ましい。また、電荷輸送物質の含有量は、感光層の全質量に対して３０〜７０質量％であることが好ましい。
本発明に係るガリウムフタロシアニン結晶を電荷発生物質として用いる場合、他の電荷発生物質と混合して用いることもできる。この場合、ガリウムフタロシアニン結晶の含有率は、全電荷発生物質に対して５０質量％以上が好ましい。
感光層上には、必要に応じて保護層を設けてもよい。保護層はポリビニルブチラール、ポリエステル、ポリカーボネート（ポリカーボネートＺ、変性ポリカーボネートなど）、ナイロン、ポリイミド、ポリアリレート、ポリウレタン、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレン−アクリル酸コポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリマーなどの樹脂を有機溶剤によって溶解させて得られた保護層用塗布液を感光層上に塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。
保護層の膜厚は、０．０５〜２０μｍであることが好ましい。
保護層には、導電性粒子や紫外線吸収剤などを含有させてもよい。導電性粒子としては、例えば、酸化スズ粒子などの金属酸化物粒子が挙げられる。
図１は、本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
１は円筒状（ドラム状）の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度（プロセススピード）をもって回転駆動される。
電子写真感光体１の表面は、回転過程において、帯電手段３により、正または負の所定電位に帯電される。次いで、帯電された電子写真感光体１の表面には、像露光手段（不図示）から像露光光４が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成されていく。像露光光４は、例えば、スリット露光やレーザービーム走査露光などの像露光手段から出力される、目的の画像情報の時系列電気デジタル画像信号に対応して強度変調された光である。
電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５内に収容されたトナーで現像（正規現像または反転現像）され、電子写真感光体１の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成されたトナー像は、転写手段６により、転写材７に転写されていく。このとき、転写手段６には、バイアス電源（不図示）からトナーの保有電荷とは逆極性のバイアス電圧が印加される。また、転写材７が紙である場合、転写材７は給紙部（不図示）から取り出されて、電子写真感光体１と転写手段６との間に電子写真感光体１の回転と同期して給送される。
電子写真感光体１からトナー像が転写された転写材７は、電子写真感光体１の表面から分離されて、像定着手段８へ搬送されて、トナー像の定着処理を受けることにより、画像形成物（プリント、コピー）として電子写真装置の外へプリントアウトされる。
転写材７にトナー像を転写した後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段９により、トナー（転写残りトナー）などの付着物の除去を受けて清浄される。近年、クリーナレスシステムも開発され、転写残りトナーを直接、現像器などで除去することもできる。さらに、電子写真感光体１の表面は、前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、帯電手段３が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光手段は必ずしも必要ではない。
本発明においては、上述の電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段９などの構成要素のうち、複数の構成要素を容器に納めて一体に支持してプロセスカートリッジを形成し、このプロセスカートリッジを電子写真装置本体に対して着脱自在に構成することができる。例えば、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段９から選択される少なくとも１つを電子写真感光体１とともに一体に支持してカートリッジ化して、電子写真装置本体のレールなどの案内手段１２を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ１１とすることができる。
像露光光４は、電子写真装置が複写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や透過光であってもよい。または、センサーで原稿を読み取り、信号化し、この信号に従って行われるレーザービームの走査、ＬＥＤアレイの駆動もしくは液晶シャッターアレイの駆動などにより放射される光であってもよい。
本発明の電子写真感光体１は、レーザービームプリンター、ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、ＦＡＸ、液晶プリンターおよびレーザー製版などの電子写真応用分野にも幅広く適用することができる。
以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。なお、実施例および比較例の電子写真感光体の各層の膜厚は、渦電流式膜厚計（Ｆｉｓｃｈｅｒｓｃｏｐｅ、フィッシャーインスツルメント社製）で求め、または、単位面積当たりの質量から比重換算で求めた。
〔実施例１−１〕
特開２０１１−９４１０１号公報に記載の合成例１に続いて実施例１−１と同様に処理して得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン０．５部、例示化合物（２）（製品コード：Ｂ１２７５、東京化成工業（株）製）０．１部、および、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ２０部とともにボールミルでミリング処理を室温（２３℃）下で４０時間行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図２（ａ）に示し、使用した例示化合物（２）の粉末Ｘ線回折図を図２（ｂ）にそれぞれ示す。
また、得られた結晶と例示化合物の（２）のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、例示化合物（２）単独の蒸発による重量減少を示す２００℃から３６０℃の間には重量減少量の増加がみられず、３６０℃以降に重量減少量が増加しており、前記式（１）で示されるアミン化合物（例示化合物の（２））が実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
また、ＮＭＲ測定により例示化合物（２）が結晶中に０．１７％含有されていることが確認された。
〔実施例１−２〕
実施例１−１において、例示化合物（２）０．１部を例示化合物（２）０．５部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２（ａ）と同様であった。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、例示化合物（２）単独の蒸発による重量減少を示す２００℃から３６０℃の間には重量減少量の増加がみられず、３６０℃以降に重量減少量が増加しており、前記式（１）で示されるアミン化合物（例示化合物（２））が実施例１−２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
また、ＮＭＲ測定により例示化合物（２）が結晶中に０．３０％含有されていることが確認された。
〔実施例１−３〕
実施例１−１において、例示化合物（２）０．１部を例示化合物（２）１．０部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．５部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図３（ａ）に示す。２７．４°のピーク強度が７．４°のピーク強度に対して１２％であった。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、例示化合物（２）単独の蒸発による重量減少を示す２００℃から３６０℃の間には重量減少量の増加がみられず、３６０℃以降に重量減少量が増加しており、前記式（１）で示されるアミン化合物（例示化合物（２））が実施例１−３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
また、ＮＭＲ測定により例示化合物（２）が結晶中に０．８１％含有されていることが確認された。
〔実施例１−４〕
実施例１−１において、例示化合物（２）０．１部を例示化合物（２）２．０部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．５部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図３（ｂ）に示す。２７．４°のピーク強度が７．４°のピーク強度に対して４６％であった。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、例示化合物（２）単独の蒸発による重量減少を示す２００℃から３６０℃の間には重量減少量の増加がみられず、３６０℃以降に重量減少量が増加しており、前記式（１）で示されるアミン化合物（例示化合物（２））が実施例１−４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
また、ＮＭＲ測定により例示化合物（２）が結晶中に２.１３％含有されていることが確認された。
〔実施例１−５〕
実施例１−１において、例示化合物（２）０．１部を例示化合物（２）３．０部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図４（ａ）に示す。２７．４°のピーク強度が７．４°のピーク強度に対して４９％であった。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、例示化合物（２）単独の蒸発による重量減少を示す２００℃から３６０℃の間には重量減少量の増加がみられず、３６０℃以降に重量減少量が増加しており、前記式（１）で示されるアミン化合物（例示化合物（２））が実施例１−５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
また、ＮＭＲ測定により例示化合物（２）が結晶中に１.６４％含有されていることが確認された。
〔実施例１−６〕
実施例１−１において、例示化合物（２）０．１部を例示化合物（２）４．０部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．３６部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図４（ｂ）に示す。２７．４°のピーク強度が７．４°のピーク強度に対して９６％であった。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、例示化合物（２）単独の蒸発による重量減少を示す２００℃から３６０℃の間には重量減少量の増加がみられず、３６０℃以降に重量減少量が増加しており、前記式（１）で示されるアミン化合物（例示化合物（２））が実施例１−６で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
また、ＮＭＲ測定により例示化合物（２）が結晶中に１.６３％含有されていることが確認された。
〔実施例１−７〕
実施例１−１において、例示化合物（２）０．１部を例示化合物（２）５．０部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図４（ｃ）に示す。２７．４°のピーク強度が７．４°のピーク強度に対して５６％であった。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、例示化合物（２）単独の蒸発による重量減少を示す２００℃から３６０℃の間には重量減少量の増加がみられず、３６０℃以降に重量減少量が増加しており、前記式（１）で示されるアミン化合物（例示化合物（２））が実施例１−７で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
また、ＮＭＲ測定により例示化合物（２）が結晶中に０．５０％含有されていることが確認された。
〔実施例１−８〕
実施例１−１において、例示化合物（２）０．１部を例示化合物（１）（製品コード：１５９４０００５０、アクロス オルガニクス（株）製）１．０部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．５部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２（ａ）と同様であった。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、例示化合物（１）単独の蒸発温度（２００℃から３０５℃）より高い５００℃以降に重量減少量が増加しており、前記式（１）で示されるアミン化合物（例示化合物（１））が実施例１−８で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
また、ＮＭＲ測定により例示化合物（１）が結晶中に０．３１％含有されていることが確認された。
〔実施例１−９〕
実施例１−１において、例示化合物（２）０．１部を例示化合物（１）２．０部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２（ａ）と同様であった。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、例示化合物（１）単独の蒸発温度（２００℃から３０５℃）より高い３０５℃以降に重量減少量が増加しており、前記式（１）で示されるアミン化合物（例示化合物（１））が実施例１−９で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
また、ＮＭＲ測定により例示化合物（１）が結晶中に０．８２％含有されていることが確認された。
〔実施例１−１０〕
実施例１−１において、例示化合物（２）０．１部を例示化合物（３）（製品コード：Ｂ１２１２、東京化成工業（株）製）１．０部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４３部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２（ａ）と同様であった。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、例示化合物（３）単独の蒸発温度（２５０℃から３９０℃）より高い４５０℃以降に重量減少量が増加しており、前記式（１）で示されるアミン化合物（例示化合物（３））が実施例１−１０で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
また、ＮＭＲ測定により例示化合物（３）が結晶中に２．０９％含有されていることが確認された。
〔実施例１−１１〕
実施例１−１において、例示化合物（２）０．１部を例示化合物（４）（製品コード：Ｂ１４３３、東京化成工業（株）製）１．０部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．５部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２（ａ）と同様であった。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、例示化合物（４）単独の蒸発温度（２５０℃から３７０℃）より高い４５０℃以降に重量減少量が増加しており、前記式（１）で示されるアミン化合物（例示化合物（４））が実施例１−１１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
また、ＮＭＲ測定により例示化合物（４）が結晶中に０．２８％含有されていることが確認された。
〔実施例１−１２〕
実施例１−１において、例示化合物（２）０．１部を上記合成例で得られた例示化合物（２４）１．０部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．３４部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２（ａ）と同様であった。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、例示化合物（２４）単独の蒸発温度（３３０℃から４６０℃）より高い４６０℃以降に重量減少量が増加しており、前記式（１）で示されるアミン化合物（例示化合物（２４））が実施例１−１２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
また、ＮＭＲ測定により例示化合物（２４）が結晶中に０．１６％含有されていることが確認された。
〔実施例１−１３〕
特開２０１１−９４１０１号公報に記載の合成例１に続いて実施例１−１と同様に処理して得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン０．５部、例示化合物（２）（製品コード：Ｂ１２７５、東京化成工業（株）製）２部、および、テトラヒドロフラン１０部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ２０部とともにボールミルでミリング処理を室温（２３℃）下で４０時間行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をテトラヒドロフランを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．３部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図５（ａ）に示す。２７．０°のピーク強度が７．４°のピーク強度に対して２６％であった。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、例示化合物（２）単独の蒸発による重量減少を示す２００℃から３６０℃の間には重量減少量の増加がみられず、３６０℃以降に重量減少量が増加しており、前記式（１）で示されるアミン化合物（例示化合物（２））が実施例１−１３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
また、ＮＭＲ測定により例示化合物（２）が結晶中に２．０４％含有されていることが確認された。
〔実施例１−１４〕
実施例１−１３において、例示化合物（２）２部を例示化合物（２）３．０部に代えた以外は、実施例１−１３と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．５部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図５（ｂ）に示す。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、例示化合物（２）単独の蒸発による重量減少を示す２００℃から３６０℃の間には重量減少量の増加がみられず、３６０℃以降に重量減少量が増加しており、前記式（１）で示されるアミン化合物（例示化合物（２））が実施例１−１４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
また、ＮＭＲ測定により例示化合物（２）が結晶中に１．５８％含有されていることが確認された。
〔実施例１−１５〕
特開平１１−１７２１４３号公報に記載の実施例６０と同様に処理して得られたブロモガリウムフタロシアニン０．５部、例示化合物（２）（製品コード：Ｂ１２７５、東京化成工業（株）製）２部、および、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ２０部とともにボールミルでミリング処理を室温（２３℃）下で４０時間行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ブロモガリウムフタロシアニン結晶を０．３６部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図６に示す。２７．１°のピーク強度が７．４°のピーク強度に対して１５％であった。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、例示化合物（２）単独の蒸発による重量減少を示す２００℃から３６０℃の間には重量減少量の増加がみられず、５００℃以降に重量減少量が増加しており、前記式（１）で示されるアミン化合物（例示化合物（２））が実施例１−１５で得られたブロモガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
また、ＮＭＲ測定により例示化合物（２）が結晶中に２．３７％含有されていることが確認された。
〔実施例１−１６〕
特開平１１−１７２１４３号公報に記載の実施例１−１４と同様に処理して得られたヨードガリウムフタロシアニン０．５部、例示化合物（２）（製品コード：Ｂ１２７５、東京化成工業（株）製）１．０部、および、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ２０部とともにボールミルでミリング処理を室温（２３℃）下で４０時間行った。この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヨードガリウムフタロシアニン結晶を０．２６部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図７（ａ）に示す。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、例示化合物（２）単独の蒸発による重量減少を示す２００℃から３６０℃の間には重量減少量の増加がみられず、５００℃以降に重量減少量が増加しており、前記式（１）で示されるアミン化合物（例示化合物（２））が実施例１−１６で得られたヨードガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
また、ＮＭＲ測定により例示化合物（２）が結晶中に０．３９％含有されていることが確認された。
〔実施例１−１７〕
実施例１−１６において、例示化合物（２）１．０部を例示化合物（２）２．０部に代えた以外は、実施例１−１６と同様に処理し、ヨードガリウムフタロシアニン結晶を０．３１部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図７（ｂ）に示す。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、例示化合物（２）単独の蒸発による重量減少を示す２００℃から３６０℃の間には重量減少量の増加がみられず、５００℃以降に重量減少量が増加しており、前記式（１）で示されるアミン化合物（例示化合物（２））が実施例１−１７で得られたヨードガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
また、ＮＭＲ測定により例示化合物（２）が結晶中に０．１１％含有されていることが確認された。
〔実施例１−１８〕
実施例１−１６において、例示化合物（２）１．０部を例示化合物（２）３．０部に代えた以外は、実施例１−１６と同様に処理し、ヨードガリウムフタロシアニン結晶を０．３０部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図７（ｃ）に示す。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、例示化合物（２）単独の蒸発による重量減少を示す２００℃から３６０℃の間には重量減少量の増加がみられず、５００℃以降に重量減少量が増加しており、前記式（１）で示されるアミン化合物（例示化合物（２））が実施例１−１８で得られたヨードガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
また、ＮＭＲ測定により例示化合物（２）が結晶中に０．１９％含有されていることが確認された。
〔比較例１−１〕
実施例１−１において、例示化合物（２）０．１部を加えなかった以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２（ａ）と同様であった。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。
〔比較例１−２〕
実施例１−１において、例示化合物（２）０．１部を４，４’−ジメトキシベンゾフェノン１．０部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．３８部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２（ａ）と同様であった。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、４，４’−ジメトキシベンゾフェノンの蒸発による重量減少を示す１７０℃から３００℃より、高温の４５０℃以降に重量減少量が増加しており、４，４’−ジメトキシベンゾフェノンが比較例１−２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
〔比較例１−３〕
実施例１−１において、例示化合物（２）０．１部を３，３’−ジニトロベンゾフェノン１．０部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図８に示す。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、３，３’−ジニトロベンゾフェノンの蒸発による重量減少を示す２２０℃から３３０℃より、高温の３６０℃以降に重量減少量が増加しており、３，３’−ジニトロベンゾフェノンが比較例１−３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
〔比較例１−４〕
実施例１−１において、例示化合物（２）０．１部をベンゾフェノン１．０部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．１４部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２（ａ）と同様であった。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、ベンゾフェノンの蒸発による重量減少を示す１００℃から２２６℃より、高温の３６０℃以降に重量減少量が増加しており、ベンゾフェノンが比較例１−４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていることが分かる。
〔比較例１−５〕
実施例１−１において、例示化合物（２）０．１部を２−モルホリノアントラキノン１．０部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．４°および２８．３°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶と、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．０°、１３．９°、１７．１°、２３．８°、２５．１°および２６．８°にピークを有する２−モルホリノアントラキノン結晶との混合物を１．０部得た。得られた混合物の粉末Ｘ線回折図を図９（ａ）に、添加した２−モルホリノアントラキノンの粉末Ｘ線回折図を図９（ｂ）にそれぞれ示す。
また、得られた混合物のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、２−モルホリノアントラキノンの蒸発による重量減少を示す２００℃から３５０℃に、重量減少量の増加が見られるが、より高温側には重量減少量の増加が見られず、２−モルホリノアントラキノンがヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていない単なる混合物と判断できる。ＴＧデータから、混合比率は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン：２−モルホリノアントラキノン＝４：６程度と換算できる。
〔比較例１−６〕
実施例１−１において、例示化合物（２）０．１部をアントラキノン１．０部に代えた以外は、実施例１−１と同様に処理し、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．４°および２８．３°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶と、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において１１．５°、１４．４°、２３．１°、２５．２°および２６．５°にピークを有するアントラキノン結晶との混合物を０．８部得た。得られた混合物の粉末Ｘ線回折図を図１０（ａ）に、添加したアントラキノンの粉末Ｘ線回折図を図１０（ｂ）にそれぞれ示す。
また、得られた混合物のＴＧデータの抜粋を表１に示す。これにより、アントラキノンの蒸発による重量減少を示す１８０℃から２８０℃に、重量減少量の増加が見られるが、より高温側には重量減少量の増加が見られず、アントラキノンがヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に含有されていない単なる混合物と判断できる。ＴＧデータから、混合比率は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン：アントラキノン＝４：６程度と換算できる。
〔比較例１−７〕
実施例１−１３において、例示化合物（２）２部を加えなかった以外は、実施例１−１３と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．２５部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２（ａ）と同様であった。また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。
〔比較例１−８〕
実施例１−１５において、例示化合物（２）２部を加えなかった以外は、実施例１−１５と同様に処理し、ブロモガリウムフタロシアニン結晶を０．３部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図１１（ａ）に示す。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。
〔比較例１−９〕
実施例１−１６において、例示化合物（２）１．０部を加えなかった以外は、実施例１−１６と同様に処理し、ヨードガリウムフタロシアニン結晶を０．２部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図１１（ｂ）に示す。
また、得られた結晶のＴＧデータの抜粋を表１に示す。
〔実施例２−１〕
酸化スズで被覆した硫酸バリウム粒子（商品名：パストランＰＣ１、三井金属鉱業（株）製）６０部、酸化チタン粒子（商品名：ＴＩＴＡＮＩＸ ＪＲ、テイカ（株）製）１５部、レゾール型フェノール樹脂（商品名：フェノライト Ｊ−３２５、大日本インキ化学工業（株）製、固形分７０質量％）４３部、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レシリコーン（株）製）０．０１５部、シリコーン樹脂（商品名：トスパール１２０、東芝シリコーン（株）製）３．６部、２−メトキシ−１−プロパノール ５０部、メタノール ５０部からなる溶液を２０時間、ボールミルで分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。
この導電層用塗布液を、支持体としてのアルミニウムシリンダー（直径２４ｍｍ）上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１４０℃で乾燥させることによって、膜厚が１５μｍの導電層を形成した。
次に、共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ（株）製）１０部およびメトキシメチル化６ナイロン樹脂（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、帝国化学（株）製）３０部を、メタノール４００部／ｎ−ブタノール２００部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。
この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって、膜厚が０．５μｍの下引き層を形成した。
次に、実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）１０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）５部、および、シクロヘキサノン２５０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、１時間分散処理し、これに酢酸エチル２５０部を加えて希釈することによって、電荷発生層用塗布液を調製した。
この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．１６μｍの電荷発生層を形成した。
次に、下記式（３）で示される化合物（電荷輸送物質）８部、および、ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ−２００、三菱ガス化学（株）製）１０部を、モノクロロベンゼン７０部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。
Figure 0006039368
この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１時間１１０℃で乾燥させることによって、膜厚が２３μｍの電荷輸送層を形成した。
このようにして、円筒状（ドラム状）の実施例２−１の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−２〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−２の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−３〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−３の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−４〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−４の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−５〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−５の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−６〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−６で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−６の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−７〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−７で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−７の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−８〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−８で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−８の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−９〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−９で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−９の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−１０〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−１０で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−１０の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−１１〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−１１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−１１の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−１２〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−１２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−１２の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−１３〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−１３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−１３の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−１４〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−１４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−１４の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−１５〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−１５で得られたブロモガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−１５の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−１６〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−１６で得られたヨードガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−１６の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−１７〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−１７で得られたヨードガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−１７の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−１８〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−１８で得られたヨードガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして実施例２−１８の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−１９〕
実施例２−２と同様にして支持体上に導電層、下引き層および電荷発生層を形成した。次に、下記式（４）で示される化合物（電荷輸送物質）１０部、および、ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ−４００、三菱ガス化学（株）製）１０部を、モノクロロベンゼン１００部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。
この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１５０℃で乾燥させることによって、膜厚が１５μｍの電荷輸送層を形成した。
このようにして、実施例２−１９の電子写真感光体を作製した。
Figure 0006039368
〔比較例２−１〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして比較例２−１の電子写真感光体を作製した。
〔比較例２−２〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして比較例２−２の電子写真感光体を作製した。
〔比較例２−３〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして比較例２−３の電子写真感光体を作製した。
〔比較例２−４〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして比較例２−４の電子写真感光体を作製した。
〔比較例２−５〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−５で得られた混合物に変更した以外は、実施例２−１と同様にして比較例２−５の電子写真感光体を作製した。
〔比較例２−６〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−６で得られた混合物に変更した以外は、実施例２−１と同様にして比較例２−６の電子写真感光体を作製した。
〔比較例２−７〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−７で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして比較例２−７の電子写真感光体を作製した。
〔比較例２−８〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−８で得られたブロモガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして比較例２−８の電子写真感光体を作製した。
〔比較例２−９〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−９で得られたヨードガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして比較例２−９の電子写真感光体を作製した。
〔比較例２−１０〕
比較例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（比較例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶）１０部を、比較例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶１０部と例示化合物（２）１部に変更した以外は、比較例２−１と同様にして比較例２−１０の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−１〜２−１９および比較例２−１〜２−１０の評価〕
実施例２−１〜２−１９および比較例２−１〜２−１０の電子写真感光体について、ゴースト画像評価を行った。
評価用の電子写真装置としては、日本ヒューレットパッカード（株）製のレーザービームプリンター（商品名：Ｃｏｌｏｒ Ｌａｓｅｒ Ｊｅｔ ＣＰ３５２５ｄｎ）を、以下に示す改造を施して用いた。すなわち、前露光は点灯せず、帯電条件と像露光量は可変で作動するようにした。また、シアン色用のプロセスカートリッジに作製した電子写真感光体を装着してシアンのプロセスカートリッジのステーションに取り付け、他の色用のプロセスカートリッジをプリンター本体に装着せずとも作動するようにした。
画像の出力に際しては、シアン色用のプロセスカートリッジのみを本体に取り付け、シアントナーのみによる単色画像を出力した。
まず、２３℃／５５％ＲＨの常温常湿環境下で、初期の暗部電位が−５００Ｖ、明部電位が−１００Ｖになるように帯電条件と像露光量を調整した。電位設定の際のドラム状電子写真感光体の表面電位の測定は、カートリッジを改造し、現像位置に電位プローブ（商品名：ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ−８、トレック・ジャパン（株）製）を装着し、円筒状の電子写真感光体の中央部の電位を表面電位計（商品名：ｍｏｄｅｌ３４４、トレック・ジャパン（株）製）を使用して測定した。
その後、同条件下でゴースト画像評価を行った。その後、１０００枚の通紙耐久試験を行い、耐久試験直後および耐久試験１５時間後でのゴースト画像評価を行った。常温常湿環境下における評価結果を表２に示す。
次に、電子写真感光体を評価用の電子写真装置とともに１５℃／１０％ＲＨの低温低湿環境下で３日間放置した後、ゴースト画像評価を行った。そして、同条件下で１０００枚の通紙耐久試験を行い、耐久試験直後および耐久試験１５時間後でのゴースト画像評価を行った。低温低湿環境下における評価結果を表２に合わせて示す。
なお、通紙耐久試験は、印字率１％でＥ文字画像をＡ４サイズの普通紙にシアン単色で印字する条件で行った。
また、ゴースト画像評価の方法は、以下のようにした。
ゴースト画像評価は、１枚目にベタ白画像を出力し、その後ゴーストチャートを４種各１枚の計４枚出力し、次に、ベタ黒画像を１枚出力した後に再度ゴーストチャートを４種各１枚の計４枚出力する、という順番で行い、計８枚のゴースト画像で評価した。ゴーストチャートは、プリント画像書き出し（紙上端１０ｍｍ）位置から３０ｍｍの範囲をべた白背景に２５ｍｍ四方のべた黒の正方形を等間隔、かつ、平行に４つ並べ、プリント画像書き出し位置から３０ｍｍ以降はハーフトーンの印字パターンを４種類出力し、ランク分けを行った。
４種類のゴーストチャートとは、プリント書き出し位置から３０ｍｍ以降のハーフトーンパターンのみ異なるチャートで、ハーフトーンは以下の４種類である。
（１）横＊１ドット、１スペースの印字（レーザー露光）パターン。
（２）横＊２ドット、２スペースの印字（レーザー露光）パターン。
（３）横＊２ドット、３スペースの印字（レーザー露光）パターン。
（４）桂馬パターンの印字（レーザー露光）パターン。（将棋の桂馬の動きのように６マスに２ドット印字するパターン）
＊：横とは、レーザースキャナーの走査方向（出力された用紙では水平方向）を指す。
ゴースト画像のランク分けは以下のように行った。なお、ランク４、５、６は、本発明の効果が十分に得られていないと判断した。
ランク１：いずれのゴーストチャートでもゴーストは見えない。
ランク２：特定のゴーストチャートでゴーストがうっすら見える。
ランク３：いずれのゴーストチャートでもゴーストがうっすら見える。
ランク４：特定のゴーストチャートでゴーストが見える。
ランク５：いずれのゴーストチャートでもゴーストが見える。
ランク６：特定のゴーストチャートでゴーストがはっきり見える。
Figure 0006039368
Figure 0006039368
１ 電子写真感光体
２ 軸
３ 帯電手段
４ 像露光光
５ 現像手段
６ 転写手段
７ 転写材
８ 像定着手段
９ クリーニング手段
１０ 前露光光
１１ プロセスカートリッジ
１２ 案内手段

Claims (22)

  1. 支持体および該支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該感光層が、下記式（１）で示されるアミン化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を含有することを特徴とする電子写真感光体。
    Figure 0006039368
     （上記式（１）中、Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アリールオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアシル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換基を有するアミノ基、または、置換もしくは無置換の環状アミノ基を示す。ただし、Ｒ１〜Ｒ１０の少なくとも１つは、置換もしくは無置換のアリール基で置換されたアミノ基、置換もしくは無置換のアルキル基で置換されたアミノ基、または、置換もしくは無置換の環状アミノ基を示す。Ｘ１は、カルボニル基、または、ジカルボニル基を示す。）
  2. 前記Ｒ１〜Ｒ１０の少なくとも１つが、置換もしくは無置換のアルキル基で置換されたアミノ基である請求項１に記載の電子写真感光体。
  3. 前記置換もしくは無置換のアルキル基で置換されたアミノ基における置換もしくは無置換のアルキル基が、アルコキシ基で置換されたアルキル基、アリール基で置換されたアルキル基、または、無置換のアルキル基である請求項２に記載の電子写真感光体。
  4. 前記置換もしくは無置換のアルキル基で置換されたアミノ基が、ジアルキルアミノ基である請求項２に記載の電子写真感光体。
  5. 前記ジアルキルアミノ基が、ジメチルアミノ基、または、ジエチルアミノ基である請求項４に記載の電子写真感光体。
  6. 前記Ｒ１〜Ｒ１０の少なくとも１つが、置換もしくは無置換の環状アミノ基である請求項１に記載の電子写真感光体。
  7. 前記置換もしくは無置換の環状アミノ基が、モルホリノ基、または、１−ピペリジノ基である請求項６に記載の電子写真感光体。
  8. 前記アミン化合物が、下記式（２）で示されるアミン化合物である請求項１に記載の電子写真感光体。
    Figure 0006039368
     （式（２）中、Ｅｔはエチル基を示す。）
  9. 前記ガリウムフタロシアニン結晶が、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
  10. 前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．４°および２８．３°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項９に記載の電子写真感光体。
  11. 前記ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．４°および２８．３°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、さらに２７．４°にピークを有する請求項１０に記載の電子写真感光体。
  12. 前記ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．４°、２７．４°および２８．３°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の２７．４°のピーク強度が７．４°のピーク強度に対して５％以上１００％以下である請求項１１に記載の電子写真感光体。
  13. 前記ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．４°、１６．６°、２１．８°、２５．５°および２８．３°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項９に記載の電子写真感光体。
  14. 前記ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．４°、１６．６°、２１．８°、２５．５°および２８．３°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、さらに２７．０°にピークを有する請求項１３に記載の電子写真感光体。
  15. 前記ガリウムフタロシアニン結晶が、配位子にハロゲン原子を有するガリウムフタロシアニン結晶である請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
  16. 前記配位子にハロゲン原子を有するガリウムフタロシアニン結晶が、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．４°、２７．１°および２８．４°にピークを有するブロモガリウムフタロシアニン結晶である請求項１５に記載の電子写真感光体。
  17. 前記配位子にハロゲン原子を有するガリウムフタロシアニン結晶が、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において２０．４°、２７．１°、２９．０°および３３．２°にピークを有するヨードガリウムフタロシアニン結晶である請求項１５に記載の電子写真感光体。
  18. 請求項１〜１７のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、該電子写真感光体の表面を帯電するための帯電手段、該電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーで現像してトナー像を形成するための現像手段、および、該トナー像が転写材に転写された後の該電子写真感光体の表面のトナーを除去するためのクリーニング手段からなる群より選ばれる少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
  19. 請求項１〜１７のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体の表面を帯電するための帯電手段、帯電された該電子写真感光体の表面に像露光光を照射して静電潜像を形成するための像露光手段、該電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーで現像してトナー像を形成するための現像手段、および、該電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を転写材に転写するための転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
  20. 下記式（１）で示されるアミン化合物を結晶内に含有することを特徴とするガリウムフタロシアニン結晶。
    Figure 0006039368
     （上記式（１）中、Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アリールオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアシル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、置換基を有するアミノ基、または、置換もしくは無置換の環状アミノ基を示す。ただし、Ｒ１〜Ｒ１０の少なくとも１つは、置換もしくは無置換のアリール基で置換されたアミノ基、置換もしくは無置換のアルキル基で置換されたアミノ基、または、置換もしくは無置換の環状アミノ基を示す。Ｘ１は、カルボニル基、または、ジカルボニル基を示す。）
  21. 前記ガリウムフタロシアニン結晶が、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．４°および２８．３°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項２０に記載のガリウムフタロシアニン結晶。
  22. 前記ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．４°および２８．３°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、さらに２７．４°にピークを有する請求項２１に記載のガリウムフタロシアニン結晶。
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