CN103959173A - 电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和镓酞菁晶体 - Google Patents

电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和镓酞菁晶体 Download PDF

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Abstract

提供一种电子照相感光构件、各自具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备，所述电子照相感光构件不仅在常温常湿环境下而且在作为特别严苛条件的低温低湿环境下可输出具有较少由于重影现象引起的图像缺陷的图像。所述电子照相感光构件包括支承体和形成于支承体上的感光层，其中所述感光层包括本身含有特定胺化合物的镓酞菁晶体。

Description

电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和镓酞菁晶体
技术领域
本发明涉及电子照相感光构件、各自具有该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备，以及镓酞菁晶体。
背景技术
通常用作图像曝光单元的半导体激光器的振荡波长目前为长波长如650至820nm。因此，对具有此类长波长的光具有高感光度的电子照相感光构件的开发已经进展。
酞菁颜料作为对具有在此长波长区域的波长的光具有高感光度的电荷产生物质是有效的。特别地，氧钛酞菁和镓酞菁具有优异的感光度特性，并且迄今为止已报道了其各种晶形。
使用酞菁颜料的电子照相感光构件具有优异的感光度特性。然而，所述电子照相感光构件涉及下列问题。所产生的光载流子容易残留在电子照相感光构件的感光层上，并容易用作一种存储器，从而引起电位变化如重影现象。
专利文献1报道了在酞菁颜料的酸溶(acid pasting)工艺时特定的有机电子受体的添加发挥增感效果。然而，该方法涉及下列担忧和问题。添加剂可能化学变化，从而难以将添加剂转化为期望的晶形。
另外，专利文献2报道下述。当颜料和特定的有机电子受体进行湿式粉碎处理时，有机电子受体在晶体转化的同时引入晶体的表面，因此改进了电子照相特性。
然而，通过该方法获得的酞菁晶体本身不包含有机电子受体，并且受体仅处于与晶体混合的状态或仅附着至其表面。因此，该方法与在电荷产生层用涂布液的制造时添加特定的有机电子受体的所谓分散时添加在构成和效果上相同。
另外，专利文献3公开了将二苯甲酮类化合物用于电子照相感光构件。该文献记载了使用二苯甲酮类化合物发挥对电荷产生物质的光氧化的防止效果和对残余电位增加的抑制效果。
然而，专利文献1至3中均没有公开用氨基取代的二苯甲酮类化合物。
文献列表
专利文献
专利文献1：日本专利申请特开2001-40237号
专利文献2：日本专利申请特开2006-72304号
专利文献3：日本专利申请特开H06-273953号
发明内容
发明要解决的问题
如上所述，已尝试对电子照相感光构件的各种改进。
然而，近年来已期望与图像品质的额外改进相关的在各种环境下由于重影现象引起的图像品质的劣化的减轻。
鉴于上述，本发明的目的为提供已解决了上述问题并且不仅在常温常湿环境下而且在作为特别严苛条件的低温低湿环境下可输出具有较少的由于重影现象引起的图像缺陷的图像的电子照相感光构件，和各自具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
另外，本发明的目的为提供本身含有特定的胺化合物的镓酞菁晶体。
用于解决问题的方案
本发明提供包括支承体和形成于该支承体上的感光层的电子照相感光构件，其中所述感光层包括本身含有由下式(1)表示的胺化合物的镓酞菁晶体：
在式(1)中：R1至R10各自独立地表示选自氢原子、卤原子、芳氧基羰基、取代或未取代的酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、具有取代基的氨基和取代或未取代的环氨基中的一种，条件是R1至R10中的至少之一表示选自用取代或未取代的芳基取代的氨基、用取代或未取代的烷基取代的氨基和取代或未取代的环氨基中的一种；和X1表示羰基和二羰基之一。
本发明还提供一种处理盒，其包括：上述电子照相感光构件；和选自由用于将电子照相感光构件的表面充电的充电单元、用于用调色剂将形成于电子照相感光构件的表面上的静电潜像显影的显影单元和用于除去在调色剂图像转印至转印材料后的电子照相感光构件的表面上的调色剂的清洁单元组成的组的至少一种单元，所述电子照相感光构件和所述至少一种单元一体化地支承，其中处理盒可拆卸地可安装至电子照相设备的主体。
本发明还提供一种电子照相设备，其包括：上述电子照相感光构件；用于将电子照相感光构件的表面充电的充电单元，用于用图像曝光光照射电子照相感光构件的带电表面来形成静电潜像的图像曝光单元；用于用调色剂将形成于电子照相感光构件的表面上的静电潜像显影的显影单元；和用于将形成于电子照相感光构件的表面上的调色剂图像转印至转印材料的转印单元。
本发明还提供镓酞菁晶体，其本身含有由下式(1)表示的胺化合物。
本发明还提供一种羟基镓酞菁晶体，其包括在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、27.4°和28.3°处的峰。
本发明还提供一种羟基镓酞菁晶体，其包括在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、16.6°、21.8°、25.5°和28.3°处的峰。
本发明还提供一种羟基镓酞菁晶体，其包括在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、16.6°、21.8°、25.5°、27.0°和28.3°处的峰。
本发明还提供一种溴镓酞菁晶体，其包括在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、27.1°和28.4°处的峰。
本发明还提供一种碘镓酞菁晶体，其包括在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为20.4°、27.1°、29.0°和33.2°处的峰。
发明的效果
根据本发明，提供不仅在常温常湿环境下而且在作为特别严苛条件的低温低湿环境下可输出具有较少的由于重影现象引起的图像缺陷的图像的电子照相感光构件，和各自具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
另外，根据本发明，提供具有作为电荷产生物质的优异特性的镓酞菁晶体。
参考附图，从下列示例性实施方案的描述，本发明的另外的特征将变得显而易见。
附图说明
图1为示出设置有具有本发明电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意性构造的实例的图。
图2A为实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案。
图2B为实施例1-1中使用的示例性化合物(2)的粉末X-射线衍射图案。
图3A为实施例1-3中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案。
图3B为实施例1-4中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案。
图4A为实施例1-5中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案。
图4B为实施例1-6中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案。
图4C为实施例1-7中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案。
图5A为实施例1-13中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案。
图5B为实施例1-14中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案。
图6为实施例1-15中获得的溴镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案。
图7A为实施例1-16中获得的碘镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案。
图7B为实施例1-17中获得的碘镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案。
图7C为实施例1-18中获得的碘镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案。
图8为比较例1-3中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案。
图9A为比较例1-5中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案。
图9B为比较例1-5中使用的2-吗啉代蒽醌的粉末X-射线衍射图案。
图10A为比较例1-6中获得的含有羟基镓酞菁晶体的混合物的粉末X-射线衍射图案。
图10B为比较例1-6中使用的蒽醌的粉末X-射线衍射图案。
图11A为比较例1-8中获得的溴镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案。
图11B为比较例1-9中获得的碘镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案。
具体实施方式
如上所述，本发明的电子照相感光构件为包括支承体和形成于支承体上的感光层的电子照相感光构件，其中所述感光层包括本身含有由下式(1)表示的胺化合物的镓酞菁晶体：
在式(1)中：R1至R10各自独立地表示选自氢原子、卤原子、芳氧基羰基、取代或未取代的酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、具有取代基的氨基和取代或未取代的环氨基中的一种，条件是R1至R10中的至少之一表示用取代或未取代的芳基取代的氨基、用取代或未取代的烷基取代的氨基和取代或未取代的环氨基；和X1表示羰基和二羰基之一。
另外，式(1)中R1至R10至少之一优选表示用取代或未取代的烷基取代的氨基。这些基团中，更优选在用取代或未取代的烷基取代的氨基中取代或未取代的烷基为用烷氧基取代的烷基、用芳基取代的烷基或未取代的烷基。
进一步，式(1)中R1至R10至少之一优选表示二烷基氨基。这些基团中，更优选二甲基氨基或二乙基氨基。
另外，式(1)中R1至R10至少之一优选表示取代或未取代的环氨基。这些基团中，更优选吗啉代基或1-哌啶子基。
进一步，在对由于重影现象引起的图像缺陷的抑制效果方面，特别优选的胺化合物为由下式(2)表示的胺化合物：
在式(2)中，Et表示乙基。
另外，式(1)中取代或未取代的酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的氨基、取代或未取代的芳基以及取代或未取代的环氨基可各自具有的取代基的实例包括：烷基如甲基、乙基、丙基和丁基；烷氧基如甲氧基和乙氧基；二烷基氨基如二甲基氨基和二乙基氨基；烷氧基羰基如甲氧基羰基和乙氧基羰基；芳基如苯基、萘基和联苯基；卤原子如氟原子、氯原子和溴原子；硝基；氰基；和卤代甲基。其中，芳基或烷氧基为优选的取代基。
下文中，描述包含在本发明镓酞菁晶体中的胺化合物的优选具体实例(示例性化合物)，然而，本发明不受限于此。
示例性化合物
示例性化合物(1)示例性化合物(2)示例性化合物(3)
示例性化合物(4)示例性化合物(5)示例性化合物(6)
示例性化合物(7)示例性化合物(8)示例性化合物(9)
示例性化合物(10)示例性化合物(11)示例性化合物(12)
示例性化合物(13)示例性化合物(14)示例性化合物(15)
示例性化合物(16)示例性化合物(17)示例性化合物(18)
示例性化合物(19)示例性化合物(20)示例性化合物(21)
示例性化合物(22)示例性化合物(23)示例性化合物(24)
在示例性化合物中，Me表示甲基，Et表示乙基，n-Pr表示丙基(正丙基)。
下面描述要用于合成本发明的胺化合物(其可作为商购产品获得)的方法的实例。
将氨基二苯甲酮用作原料，取代基可通过氨基二苯甲酮和卤化物之间的取代反应引至氨基。此类反应中，使用金属催化剂的氨基二苯甲酮和芳族卤化物之间的反应为可用于芳基取代的胺化合物合成的方法。另外，使用还原胺化的反应为可用于烷基取代的胺化合物合成的方法。
下文中，示出示例性化合物(24)的具体合成例。
下面示出的术语"份"意指"质量份"。另外，利用傅里叶变换红外分光光度计(商品名：FT/IR-420，由JASCO Corporation制)测量红外(IR)吸收光谱。另外，利用核磁共振设备(商品名：EX-400，由JEOL RESONANCE Inc.制)测量核磁共振(NMR)谱。
(合成例)
示例性化合物(24)的合成
将5.0份4,4'-二氨基二苯甲酮、25.7份碘甲苯、9.0份铜粉和9.8份碳酸钾添加至含有50份N,N-二甲基乙酰胺的三颈烧瓶，然后将混合物回流20小时。之后，将固体组分通过热过滤除去。溶剂通过减压下的蒸馏除去，然后残渣用硅胶柱(使用甲苯作为溶剂)纯化。由此，获得8.1份示例性化合物(24)。
下面描述通过测量获得的IR吸收谱和1H-NMR谱的特征峰。
IR(cm-1,KBr)：1646,1594,1508,1318,1277和1174
1H-NMR(ppm,CDCl3,40℃)：δ＝7.63(d,4H),7.11(d,8H),7.04(d,8H),6.93(d,4H)和2.33(s,12H)
构成本发明的本身含有由式(1)表示的胺化合物的镓酞菁晶体的镓酞菁的实例包括具有卤原子、羟基或烷氧基作为在其分子中的镓原子上的轴配体的镓酞菁。镓酞菁可在其酞菁环内具有取代基如卤原子。
此类镓酞菁晶体中，优选各自具有优异感光度的羟基镓酞菁晶体(其中镓原子具有羟基作为轴配体)、溴镓酞菁晶体(其中镓原子具有溴原子作为轴配体)或碘镓酞菁晶体(其中镓原子具有碘原子作为轴配体)，这是因为本发明有效地起作用。
另外，此类镓酞菁晶体中，优选下列晶体：
在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、27.4°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体；
在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、16.6°、21.8°、25.5°和28.3°的处具有峰的羟基镓酞菁晶体；
在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、27.1°和28.4°处具有峰的溴镓酞菁晶体；和
在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为20.4°、27.1°、29.0°和33.2°处具有峰的碘镓酞菁晶体。
此类各自在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、27.4°和28.3°处具有峰的镓酞菁晶体中，在对由于重影现象引起的图像缺陷的抑制效果方面，特别优选27.4°处的峰强度相对于7.4°处的峰强度为5％以上且100％以下的这样的羟基镓酞菁晶体。
术语"本身含有由式(1)表示的胺化合物的镓酞菁晶体"意指晶体本身引入由式(1)表示的胺化合物。描述本身含有由式(1)表示的胺化合物的镓酞菁晶体的生产方法。
本发明的本身含有由式(1)表示的胺化合物的镓酞菁晶体优选通过在使通过酸溶法处理的低结晶性镓酞菁进行湿式研磨处理以进行其晶体转化的工艺中添加由式(1)表示的胺化合物，随后进行用溶剂的研磨处理来获得。
这里要进行的研磨处理为，例如利用研磨设备如砂磨机和球磨机与分散剂如玻璃珠、钢珠和氧化铝球一起进行的处理。研磨时间优选约4至48小时。特别优选的方法如下所述。每4至8小时取样品并确认晶体的布拉格角。研磨处理中分散剂的用量优选以质量计为镓酞菁用量的10至50倍。另外，要使用的溶剂的实例包括：酰胺类溶剂如N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基甲酰胺、N-甲基乙酰胺和N-甲基丙酰胺；卤素类溶剂如氯仿；醚类溶剂如四氢呋喃；和亚砜类溶剂如二甲亚砜。溶剂的用量优选以质量计为镓酞菁用量的5至30倍。由式(1)表示的胺化合物的用量优选以质量计为镓酞菁用量的0.1至10倍。
本发明的镓酞菁晶体本身是否含有胺化合物通过分析所得镓酞菁晶体的热重(TG)测量、X-射线衍射测量和NMR测量的数据来确定。
例如，当将已添加要引入的化合物的体系和通过除了不添加该化合物以外的相同操作获得的镓酞菁晶体单独进行TG测量，并且在已添加要引入的化合物的体系中获得的镓酞菁晶体的TG测量结果可解释为仅通过以预定比例混合单独的测量结果所获得的结果时，该体系可解释为晶体和该化合物的混合物或解释为该化合物仅附着至晶体表面的产物。
另一方面，当在已添加要引入的化合物的体系中获得的镓酞菁晶体的TG测量结果为在比要引入的化合物的TG测量结果的情况更高的温度下发生重量减少时，可判断为要引入的化合物引入了晶体中。
另外，当该体系的X-射线衍射的结果可解释为仅通过以预定比例混合单独测量结果所获得的结果时，该体系可解释为晶体和该化合物的混合物或解释为该化合物仅附着至晶体表面的产物。
另一方面，当不存在要引入的化合物的X-射线衍射时或者当所得晶形变化时，可判断为要引入的化合物引入了晶体中。
另外，在充分进行利用能够溶解要引入的化合物的溶剂的研磨处理或研磨后的清洗处理的情况下，当在NMR测量中检测到要引入的化合物时，可判断为要引入的化合物引入了晶体中。
在下列条件下进行本发明的酞菁晶体的TG测量、X-射线衍射测量和NMR测量。
(TG测量)
所用测量设备：TG/DTA同时测量设备(商品名：TG/DTA220U)，由SeikoInstruments Inc.制
气氛：在氮气流下(300m2/min)
测量范围：35℃至600℃
升温速率：10℃/min
(粉末X-射线衍射测量)
所用测量设备：X-射线衍射仪RINT-TTRII，由Rigaku Corporation制
X-射线管球：Cu
管电压：50KV
管电流：300mA
扫描方法：2θ/θ扫描
扫描速率：4.0°/min
取样间隔：0.02°
初始角度(2θ)：5.0°
终止角度(2θ)：40.0°
附件：标准样品保持器
滤光器：未使用
入射单色光：使用
计数器单色仪：未使用
发散狭缝：开放
发散纵向限制狭缝：10.00mm
散射狭缝：开放
光接收狭缝：开放
平板单色仪：使用
计数器：闪烁计数器
(NMR测量)
所用测量设备：AVANCE III500，由BRUKER制
溶剂：氘代硫酸(D2SO4)
本发明的本身含有由式(1)表示的胺化合物的镓酞菁晶体在起到光导电体的功能方面优异并因而可应用于太阳能电池、传感器或开关元件等以及电子照相感光构件。
接下来，描述将本发明的本身含有由式(1)表示的胺化合物的镓酞菁晶体用作电子照相感光构件中的电荷产生物质的情况。
感光层分类为由含有电荷产生物质和电荷输送物质二者的单层形成的感光层(单层型感光层)，和通过层压包含电荷产生物质的电荷产生层和包含电荷输送物质的电荷输送层获得的感光层(层压型感光层)。应注意的是，电荷产生层可层压于电荷输送层上，反之亦然。
要用于本发明的支承体优选具有导电性的支承体(导电性支承体)。作为支承体，可使用例如铝、铝合金、铜、锌、不锈钢、钒、钼、铬、钛、镍、铟、金和铂。另外，可使用：具有通过真空气相沉积成形为膜的铝、铝合金、氧化铟、氧化锡或氧化铟-氧化锡合金的层的塑料(如聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、丙烯酸类树脂和聚氟乙烯)；通过用导电性颗粒(如铝颗粒、氧化钛颗粒、氧化锡颗粒、氧化锌颗粒、炭黑和银颗粒)和粘结剂树脂涂布塑料或上述支承体获得的支承体；通过用导电性颗粒浸渍塑料或纸获得的支承体；和包括导电性聚合物的塑料；等等。
本发明中，在支承体和感光层之间可设置具有阻挡功能和粘合功能的底涂层(有时称作“阻挡层”或“中间层”)。
作为底涂层用材料，可使用聚乙烯醇、聚氧乙烯、乙基纤维素、甲基纤维素、酪蛋白、聚酰胺(如尼龙6、尼龙66、尼龙610、共聚物尼龙和N-烷氧基甲基化尼龙)、聚氨酯、胶(glue)、氧化铝和明胶(gelatin)等。底涂层的厚度为0.1至10μm，优选0.5至5μm。
当形成单层型感光层时，其形成可通过下述进行：将由根据本发明的镓酞菁晶体制成的电荷产生物质和电荷输送物质混入粘结剂树脂溶液中；将混合液施涂至支承体上；和干燥所得涂膜。
当形成层压型感光层时，电荷产生层可通过下述形成：施涂通过将根据本发明的镓酞菁晶体分散于粘结剂树脂溶液中获得的电荷产生层用涂布液；和干燥所得涂膜。可选地，电荷产生层可通过气相沉积形成。
电荷输送层可通过下述形成：施涂通过将电荷输送物质和粘结剂树脂溶于溶剂中获得的电荷输送层用涂布液；和干燥所得涂膜。
电荷输送物质的实例包括三芳基胺类化合物、腙类化合物、茋类化合物、吡唑啉类化合物、噁唑类化合物、噻唑类化合物和三芳基甲烷类化合物。
要用于各层的粘结剂树脂的实例包括树脂如聚酯、丙烯酸类树脂、聚乙烯基咔唑、苯氧基树脂、聚碳酸酯、聚乙烯醇缩丁醛、聚苯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚砜、聚芳酯、偏二氯乙烯、丙烯腈共聚物和聚乙烯醇缩苯甲醛(polyvinyl benzal)。
施涂方法如浸涂法、喷涂法、旋涂法、珠涂法(bead coating method)、刮涂法和束涂法(beam coating method)可用作感光层的施涂方法。
当感光层为单层型时，其厚度优选5至40μm，更优选10至30μm。
当感光层为层压型时，电荷产生层的厚度优选0.01至10μm，更优选0.1至3μm。另外，电荷输送层的厚度优选5至40μm，更优选10至30μm。
当感光层为层压型时，电荷产生物质的含量优选20至90质量％，更优选50至80质量％，相对于电荷产生层的总质量。另外，电荷输送物质的含量优选20至80质量％，更优选30至70质量％，相对于电荷输送层的总质量。
当感光层为单层型时，电荷产生物质的含量优选3至30质量％，相对于感光层的总质量。另外，电荷输送物质的含量优选30至70质量％，相对于感光层的总质量。
当根据本发明的镓酞菁晶体用作电荷产生物质时，该物质可在使用前与任意其它电荷产生物质混合。在该情况下，镓酞菁晶体的含量优选50质量％以上，相对于所有电荷产生物质。
可根据需要在感光层上设置保护层。保护层可通过下述形成：将通过将树脂溶于有机溶剂中获得的保护层用涂布液施涂至感光层上；并干燥所得涂膜，所述树脂例如聚乙烯醇缩丁醛、聚酯、聚碳酸酯(如，聚碳酸酯Z和改性聚碳酸酯)、尼龙、聚酰亚胺、聚芳酯、聚氨酯、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丙烯酸类共聚物和苯乙烯-丙烯腈共聚物。
保护层的厚度优选0.05至20μm。
导电性颗粒或紫外线吸收剂等可引入保护层中。导电性颗粒的实例包括金属氧化物颗粒如氧化锡颗粒。
图1为说明设置有具有本发明电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意性构造的图。
圆筒状(鼓状)电子照相感光构件1以预定的圆周速度(处理速度)沿箭头所指方向绕轴2旋转驱动。
在旋转处理期间电子照相感光构件1的表面通过充电单元3充电至预定的正或负电位。接下来，电子照相感光构件1的带电表面用来自图像曝光单元(未示出)的图像曝光光4照射，然后形成对应于目标图像信息的静电潜像。图像曝光光4为，例如要从图像曝光单元如狭缝曝光和激光束扫描曝光输出的光，所述光具有根据目标图像信息的时间-序列电数字图像信号调制的强度。
用容纳于显影单元5中的调色剂将形成于电子照相感光构件1表面上的静电潜像显影(进行常规显影或反转显影)。由此，调色剂图像形成于电子照相感光构件1的表面上。形成于电子照相感光构件1的表面上的调色剂图像通过转印单元6转印至转印材料7上。此时，将与调色剂所具有的电荷极性相反的偏压从偏压电源(未示出)施加至转印单元6。另外，当转印材料7为纸时，转印材料7从供纸部(未示出)取出，然后与电子照相感光构件1的旋转同步供给至电子照相感光构件1与转印单元6之间的间隙中。
调色剂图像已从电子照相感光构件1转印至其上的转印材料7从电子照相感光构件1的表面分离，然后输送至图像定影单元8，其中转印材料进行用于定影调色剂图像的处理。由此，转印材料作为图像形成产物(打印件或复印件)打印出电子照相设备的外部。
在调色剂图像转印至转印材料7上后的电子照相感光构件1的表面通过清洁单元9进行附着物如调色剂(转印残余调色剂)的除去，从而清洁。近年来开发无清洁器体系，因而转印残余调色剂可直接利用显影装置等除去。另外，电子照相感光构件1的表面在重复用于图像形成之前通过来自预曝光单元(未示出)的预曝光光10进行中和处理。应注意的是，当充电单元3为使用充电辊等的接触式充电单元时，预曝光单元不必需需要。
本发明中，可采用下列构造。将如电子照相感光构件1、充电单元3、显影单元5和清洁单元9等组件中的多各组件容纳在容器中并一体化地支承，从而形成处理盒，然后处理盒能够可拆卸地可安装至电子照相设备的主体。例如可采用下列构造。选自充电单元3、显影单元5和清洁单元9的至少一种与电子照相感光构件1一体化地支承来提供盒，然后将该盒用作用导向单元12如电子照相设备的主体的轨道可拆卸地安装至电子照相设备的主体的处理盒11。
当电子照相设备为复印机或打印机时，图像曝光光4可为来自稿件的反射光或透射光。可选地，光可为通过根据从用传感器读取的原稿而转化的信号进行的例如利用激光束的扫描、LED阵列的驱动或液晶快门阵列的驱动而放射的光。
本发明的电子照相感光构件1还可广泛应用于如激光束打印机、CRT打印机、LED打印机、FAX、液晶打印机和激光制版等电子照相应用领域。
实施例
下文中，借助具体实施例更详细地描述本发明，条件是本发明不受限于这些实施例。应注意的是，实施例和比较例的电子照相感光构件中的任一种的各层的厚度由涡电流式厚度计(Fischerscope，由Fischer Instruments制)确定，或由其每单位面积的质量通过比重换算确定。
(实施例1-1)
将0.5份通过与日本专利申请特开2011-94101号中记载的合成例1之后的实施例1-1相同的处理获得的羟基镓酞菁、0.1份示例性化合物(2)(产品代码：B1275，由TOKYO CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制)和10份N,N-二甲基甲酰胺在室温下(23℃)与20份各自具有0.8mm直径的玻璃珠一起在球磨机中进行研磨处理40小时。用N,N-二甲基甲酰胺从分散液中取出镓酞菁晶体并过滤，然后用四氢呋喃充分洗涤过滤器上的残余物。将过滤残余物真空干燥，从而得到0.45份羟基镓酞菁晶体。图2A示出所得晶体的粉末X-射线衍射图案，图2B示出这里使用的示例性化合物(2)的粉末X-射线衍射图案。
另外，表1示出所得晶体和示例性化合物(2)的TG数据的摘录。如摘录中所示，在显示仅由示例性化合物(2)的蒸发引起的重量减少的200℃至360℃的范围内没有观察到重量减少量的增加，而在不低于360℃的范围内重量减少量增加，表明由式(1)表示的胺化合物(示例性化合物(2))引入实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体中。
另外，NMR测量证实，示例性化合物(2)以0.17％引入晶体中。
(实施例1-2)
除了在实施例1-1中，0.1份示例性化合物(2)改为0.5份示例性化合物(2)以外，0.45份羟基镓酞菁晶体通过与实施例1-1相同的处理获得。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案与图2A相同。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。如摘录中所示，在显示仅由示例性化合物(2)的蒸发引起的重量减少的200℃至360℃的范围内没有观察到重量减少量的增加，而在不低于360℃的范围内重量减少量增加，表明由式(1)表示的胺化合物(示例性化合物(2))引入实施例1-2中获得的羟基镓酞菁晶体中。
另外，NMR测量证实，示例性化合物(2)以0.30％引入晶体中。
(实施例1-3)
除了在实施例1-1中，0.1份示例性化合物(2)改为1.0份示例性化合物(2)以外，0.5份羟基镓酞菁晶体通过与实施例1-1相同的处理获得。图3A示出所得晶体的粉末X-射线衍射图案。27.4°处的峰强度相对于7.4°处的峰强度为12％。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。如摘录中所示，在显示仅由示例性化合物(2)的蒸发引起的重量减少的200℃至360℃的范围内没有观察到重量减少量的增加，而在不低于360℃的范围内重量减少量增加，表明由式(1)表示的胺化合物(示例性化合物(2))引入实施例1-3中获得的羟基镓酞菁晶体中。
另外，NMR测量证实，示例性化合物(2)以0.81％引入晶体中。
(实施例1-4)
除了在实施例1-1中，0.1份示例性化合物(2)改为2.0份示例性化合物(2)以外，0.5份羟基镓酞菁晶体通过与实施例1-1相同的处理获得。图3B示出所得晶体的粉末X-射线衍射图案。27.4°处的峰强度相对于7.4°处的峰强度为46％。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。如摘录中所示，在显示仅由示例性化合物(2)的蒸发引起的重量减少的200℃至360℃的范围内没有观察到重量减少量的增加，而在不低于360℃的范围内重量减少量增加，表明由式(1)表示的胺化合物(示例性化合物(2))引入实施例1-4中获得的羟基镓酞菁晶体中。
另外，NMR测量证实，示例性化合物(2)以2.13％引入晶体中。
(实施例1-5)
除了在实施例1-1中，0.1份示例性化合物(2)改为3.0份示例性化合物(2)以外，0.4份羟基镓酞菁晶体通过与实施例1-1相同的处理获得。图4A示出所得晶体的粉末X-射线衍射图案。27.4°处的峰强度相对于7.4°处的峰强度为49％。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。如摘录中所示，在显示仅由示例性化合物(2)的蒸发引起的重量减少的200℃至360℃的范围内没有观察到重量减少量的增加，而在不低于360℃的范围内重量减少量增加，表明由式(1)表示的胺化合物(示例性化合物(2))引入实施例1-5中获得的羟基镓酞菁晶体中。
另外，NMR测量证实，示例性化合物(2)以1.64％引入晶体中。
(实施例1-6)
除了在实施例1-1中，0.1份示例性化合物(2)改为4.0份示例性化合物(2)以外，0.36份羟基镓酞菁晶体通过与实施例1-1相同的处理获得。图4B示出所得晶体的粉末X-射线衍射图案。27.4°处的峰强度相对于7.4°处的峰强度为96％。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。如摘录中所示，在显示仅由示例性化合物(2)的蒸发引起的重量减少的200℃至360℃的范围内没有观察到重量减少量的增加，而在不低于360℃的范围内重量减少量增加，表明由式(1)表示的胺化合物(示例性化合物(2))引入实施例1-6中获得的羟基镓酞菁晶体中。
另外，NMR测量证实，示例性化合物(2)以1.63％引入晶体中。
(实施例1-7)
除了在实施例1-1中，0.1份示例性化合物(2)改为5.0份示例性化合物(2)以外，0.45份羟基镓酞菁晶体通过与实施例1-1相同的处理获得。图4C示出所得晶体的粉末X-射线衍射图案。27.4°处的峰强度相对于7.4°处的峰强度为56％。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。如摘录中所示，在显示仅由示例性化合物(2)的蒸发引起的重量减少的200℃至360℃的范围内没有观察到重量减少量的增加，而在不低于360℃的范围内重量减少量增加，表明由式(1)表示的胺化合物(示例性化合物(2))引入实施例1-7中获得的羟基镓酞菁晶体中。
另外，NMR测量证实，示例性化合物(2)以0.50％引入晶体中。
(实施例1-8)
除了在实施例1-1中，0.1份示例性化合物(2)改为1.0份示例性化合物(1)(产品代码：159400050，由Acros Organics制)以外，0.5份羟基镓酞菁晶体通过与实施例1-1相同的处理获得。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案与图2A相同。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。如摘录中所示，在比仅示例性化合物(1)的蒸发温度(200℃至305℃)高的不低于500℃的范围内重量减少量增加，表明由式(1)表示的胺化合物(示例性化合物(1))引入实施例1-8获得的羟基镓酞菁晶体。
另外，NMR测量证实，示例性化合物(1)以0.31％引入晶体中。
(实施例1-9)
除了在实施例1-1中，0.1份示例性化合物(2)改为2.0份示例性化合物(1)以外，0.45份羟基镓酞菁晶体通过与实施例1-1相同的处理获得。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案与图2A相同。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。如摘录中所示，在比仅示例性化合物(1)的蒸发温度(200℃至305℃)高的不低于305℃的范围内重量减少量增加，表明由式(1)表示的胺化合物(示例性化合物(1))引入实施例1-9获得的羟基镓酞菁晶体。
另外，NMR测量证实，示例性化合物(1)以0.82％引入晶体中。
(实施例1-10)
除了在实施例1-1中，0.1份示例性化合物(2)改为1.0份示例性化合物(3)(产品代码：B1212，由TOKYO CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制)以外，0.43份羟基镓酞菁晶体通过与实施例1-1相同的处理获得。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案与图2A相同。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。如摘录中所示，在比仅示例性化合物(3)的蒸发温度(250℃至390℃)高的不低于450℃的范围内重量减少量增加，表明由式(1)表示的胺化合物(示例性化合物(3))引入实施例1-10获得的羟基镓酞菁晶体。
另外，NMR测量证实，示例性化合物(3)以2.09％引入晶体中。
(实施例1-11)
除了在实施例1-1中，0.1份示例性化合物(2)改为1.0份示例性化合物(4)(产品代码：B1433，由TOKYO CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制)以外，0.5份羟基镓酞菁晶体通过与实施例1-1相同的处理获得。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案与图2A相同。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。如摘录中所示，在比仅示例性化合物(4)的蒸发温度(250℃至370℃)高的不低于450℃的范围内重量减少量增加，表明由式(1)表示的胺化合物(示例性化合物(4))引入实施例1-11获得的羟基镓酞菁晶体。
另外，NMR测量证实，示例性化合物(4)以0.28％引入晶体中。
(实施例1-12)
除了在实施例1-1中，0.1份示例性化合物(2)改为1.0份在上述合成例中获得的示例性化合物(24)以外，0.34份羟基镓酞菁晶体通过与实施例1-1相同的处理获得。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案与图2A相同。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。如摘录中所示，在比仅示例性化合物(24)的蒸发温度(330℃至465℃)高的不低于460℃的范围内重量减少量增加，表明由式(1)表示的胺化合物(示例性化合物(24))引入实施例1-12获得的羟基镓酞菁晶体。
另外，NMR测量证实，示例性化合物(24)以0.16％引入晶体中。
(实施例1-13)
将0.5份以与日本专利申请特开2011-94101号中记载的合成例1之后实施例1-1相同的处理获得的羟基镓酞菁、2份示例性化合物(2)(产品代码：B1275，由TOKYO CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制)和10份四氢呋喃与20份各自具有0.8mm直径的玻璃珠一起在室温(23℃)下在球磨机中进行研磨处理40小时。用四氢呋喃从分散液中取出镓酞菁晶体并过滤，然后用四氢呋喃充分洗涤过滤器上的残余物。将过滤残余物真空干燥，从而得到0.3份羟基镓酞菁晶体。图5A示出所得晶体的粉末X-射线衍射图案。27.0°处的峰强度相对于7.4°处的峰强度为26％。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。如摘录中所示，在显示仅由示例性化合物(2)的蒸发引起的重量减少的200℃至360℃的范围内没有观察到重量减少量的增加，而在不低于360℃的范围内重量减少量增加，表明由式(1)表示的胺化合物(示例性化合物(2))引入实施例1-13中获得的羟基镓酞菁晶体中。
另外，NMR测量证实，示例性化合物(2)以2.04％引入晶体中。
(实施例1-14)
除了在实施例1-13中，2份示例性化合物(2)改为3.0份示例性化合物(2)以外，0.5份羟基镓酞菁晶体通过与实施例1-13相同的处理获得。图5B示出所得晶体的粉末X-射线衍射图案。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。如摘录中所示，在显示仅由示例性化合物(2)的蒸发引起的重量减少的200℃至360℃的范围内没有观察到重量减少量的增加，而在不低于360℃的范围内重量减少量增加，表明由式(1)表示的胺化合物(示例性化合物(2))引入实施例1-14中获得的羟基镓酞菁晶体中。
另外，NMR测量证实，示例性化合物(2)以1.58％引入晶体中。
(实施例1-15)
将0.5份通过与日本专利申请特开H11-172143号中记载的实施例60相同的处理获得的溴镓酞菁、2份示例性化合物(2)(产品代码：B1275，由TOKYOCHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制)和10份N,N-二甲基甲酰胺与20份各自具有0.8mm直径的玻璃珠一起在室温(23℃)下在球磨机中进行研磨处理40小时。用N,N-二甲基甲酰胺从分散液中取出镓酞菁晶体并过滤，然后用四氢呋喃充分洗涤过滤器上的残余物。将过滤残余物真空干燥，从而得到0.36份溴镓酞菁晶体。图6示出所得晶体的粉末X-射线衍射图案。27.1°处的峰强度相对于7.4°处的峰强度为15％。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。如摘录中所示，在显示仅由示例性化合物(2)的蒸发引起的重量减少的200℃至360℃的范围内没有观察到重量减少量的增加，而在不低于500℃的范围内重量减少量增加，表明由式(1)表示的胺化合物(示例性化合物(2))引入实施例1-15中获得的溴镓酞菁晶体中。
另外，NMR测量证实，示例性化合物(2)以2.37％引入晶体中。
(实施例1-16)
将0.5份通过与日本专利申请特开H11-172143号记载的实施例1-14相同的处理获得的碘镓酞菁、1.0份示例性化合物(2)(产品代码：B1275，由TOKYOCHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制)和10份N,N-二甲基甲酰胺与20份各自具有0.8mm直径的玻璃珠一起在室温(23℃)下在球磨机中进行研磨处理40小时。用N,N-二甲基甲酰胺从分散液中取出镓酞菁晶体并过滤，然后用四氢呋喃充分洗涤过滤器上的残余物。将过滤残余物真空干燥，从而得到0.26份碘镓酞菁晶体。图7A示出所得晶体的粉末X-射线衍射图案。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。如摘录中所示，在显示仅由示例性化合物(2)的蒸发引起的重量减少的200℃至360℃的范围内没有观察到重量减少量的增加，而在不低于500℃的范围内重量减少量增加，表明由式(1)表示的胺化合物(示例性化合物(2))引入实施例1-16中获得的碘镓酞菁晶体中。
另外，NMR测量证实，示例性化合物(2)以0.39％引入晶体中。
(实施例1-17)
除了在实施例1-16中，1.0份示例性化合物(2)改为2.0份示例性化合物(2)以外，0.31份碘镓酞菁晶体通过与实施例1-16相同的处理获得。图7B示出所得晶体的粉末X-射线衍射图案。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。如摘录中所示，在显示仅由示例性化合物(2)的蒸发引起的重量减少的200℃至360℃的范围内没有观察到重量减少量的增加，而在不低于500℃的范围内重量减少量增加，表明由式(1)表示的胺化合物(示例性化合物(2))引入实施例1-17中获得的碘镓酞菁晶体中。
另外，NMR测量证实，示例性化合物(2)以0.11％引入晶体中。
(实施例1-18)
除了在实施例1-16中，1.0份示例性化合物(2)改为3.0份示例性化合物(2)以外，0.30份碘镓酞菁晶体通过与实施例1-16相同的处理获得。图7C示出所得晶体的粉末X-射线衍射图案。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。如摘录中所示，在显示仅由示例性化合物(2)的蒸发引起的重量减少的200℃至360℃的范围内没有观察到重量减少量的增加，而在不低于500℃的范围内重量减少量增加，表明由式(1)表示的胺化合物(示例性化合物(2))引入实施例1-18中获得的碘镓酞菁晶体中。
另外，NMR测量证实，示例性化合物(2)以0.19％引入晶体中。
(比较例1-1)
除了在实施例1-1中，不添加0.1份示例性化合物(2)以外，0.4份羟基镓酞菁晶体通过与实施例1-1相同的处理获得。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案与图2A相同
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。
(比较例1-2)
除了在实施例1-1中，将0.1份示例性化合物(2)改为1.0份4,4'-二甲氧基二苯甲酮以外，0.38份羟基镓酞菁晶体通过与实施例1-1相同的处理获得。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案与图2A相同。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。如摘录所示，在不小于450℃(为高于显示由4,4'-二甲氧基二苯甲酮的蒸发引起的重量减少的170℃至300℃的范围的温度)的范围内重量减少量增加，表明4,4'-二甲氧基二苯甲酮引入比较例1-2中获得的羟基镓酞菁晶体。
(比较例1-3)
除了在实施例1-1中，将0.1份示例性化合物(2)改为1.0份3,3'-二硝基二苯甲酮以外，0.4份羟基镓酞菁晶体通过与实施例1-1相同的处理获得。图8示出所得羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。如摘录所示，在不低于360℃(为高于显示由3,3'-二硝基二苯甲酮的蒸发引起的重量减少的220℃至330℃的范围的温度)的范围内重量减少量增加，表明3,3'-二硝基二苯甲酮引入比较例1-3中获得的羟基镓酞菁晶体。
(比较例1-4)
除了在实施例1-1中，将0.1份示例性化合物(2)改为1.0份二苯甲酮以外，0.14份羟基镓酞菁晶体通过与实施例1-1相同的处理获得。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案与图2A相同。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。如摘录所示，在不低于360℃(为高于显示由二苯甲酮的蒸发引起的重量减少的100℃至226℃的范围的温度)的范围内重量减少量增加，表明二苯甲酮引入比较例1-4中获得的羟基镓酞菁晶体。
(比较例1-5)
除了在实施例1-1中，将0.1份示例性化合物(2)改为1.0份2-吗啉代蒽醌以外，1.0份在CuKα特性X-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体和在CuKα特性X-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.0°、13.9°、17.1°、23.8°、25.1°和26.8°处具有峰的2-吗啉代蒽醌晶体的混合物通过与实施例1-1相同的处理获得。图9A示出所得混合物的粉末X-射线衍射图案，图9B示出此处所加2-吗啉代蒽醌的粉末X-射线衍射图案。
另外，表1示出所得混合物的TG数据的摘录。如摘录所示，在显示由2-吗啉代蒽醌的蒸发引起的重量减少的200℃至350℃的范围内观察到重量减少量的增加，但在更高温度下没有观察到重量减少量的增加。因此，可判断为所述混合物为2-吗啉代蒽醌未引入羟基镓酞菁晶体的单纯混合物。混合比"羟基镓酞菁:2-吗啉代蒽醌"可由TG数据计算为约4:6。
(比较例1-6)
除了在实施例1-1中，将0.1份示例性化合物(2)改为1.0份蒽醌以外，0.8份在CuKα特性X-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体和在CuKα特性X-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为11.5°、14.4°、23.1°、25.2°和26.5°处具有峰的蒽醌晶体的混合物通过与实施例1-1相同的处理获得。图10A示出所得混合物的粉末X-射线衍射图案，图10B示出这里所加蒽醌的粉末X-射线衍射图案。
另外，表1示出所得混合物的TG数据的摘录。如摘录所示，在显示由蒽醌的蒸发引起的重量减少的180℃至280℃的范围内观察到重量减少量的增加，但在更高温度下没有观察到重量减少量的增加。因此，可判断为所述混合物为蒽醌未引入羟基镓酞菁晶体的单纯混合物。混合比"羟基镓酞菁:蒽醌"可由TG数据计算为约4:6。
(比较例1-7)
除了在实施例1-13中，不添加2份示例性化合物(2)以外，0.25份羟基镓酞菁晶体通过与实施例1-13相同的处理获得。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图案与图2A相同。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。
(比较例1-8)
除了在实施例1-15中，不添加2份示例性化合物(2)以外，0.3份溴镓酞菁晶体通过与1-15相同的处理获得。图11A示出所得晶体的粉末X-射线衍射图案。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。
(比较例1-9)
除了在实施例1-16中，不添加1.0份示例性化合物(2)以外，0.2份碘镓酞菁晶体通过与1-16相同的处理获得。图11B示出所得晶体的粉末X-射线衍射图案。
另外，表1示出所得晶体的TG数据的摘录。
(实施例2-1)
将由60份涂布有氧化锡的硫酸钡颗粒(商品名：Passtran PC1，由MITSUIMINING&SMELTING CO.,LTD.制)、15份氧化钛颗粒(商品名：TITANIXJR，由TAYCA CORPORATION制)、43份甲阶酚醛树脂型酚醛树脂(商品名：Phenolite J-325，由DIC Corporation制，固成分：70质量％)、0.015份硅油(商品名：SH28PA，由Dow Corning Toray Co.,LTD.制)、3.6份硅酮树脂(商品名：Tospearl120，由Momentive Performance Materials Inc.制)、50份2-甲氧基-1-丙醇，和50份甲醇形成的溶液在球磨机中进行分散处理20小时。由此，制备导电层用涂布液。
将导电层用涂布液通过浸渍施涂至作为支承体的铝圆筒(具有24mm直径)上，然后将所得涂膜在140℃下干燥30分钟。由此，形成厚度15μm的导电层。
接下来，将10份共聚尼龙树脂(商品名：Amilan CM8000，由TorayIndustries，Inc.制)和30份甲氧基甲基化6-尼龙树脂(商品名：Toresin EF-30T，由Nagase ChemteX Corporation制)溶解在400份甲醇和200份正丁醇的混合溶剂中。由此，制备底涂层用涂布液。
将底涂层用涂布液通过浸渍施涂至导电层上，然后将所得涂膜干燥，由此，形成厚度0.5μm的底涂层。
接下来，将10份实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体(电荷产生物质)、5份聚乙烯醇缩丁醛(商品名：S-LEC BX-1，由SEKISUI CHEMICAL CO.,LTD.制)和250份环己酮装入使用各自具有1mm直径的玻璃珠的砂磨机中，然后进行分散处理1小时。处理产物用250份乙酸乙酯稀释。由此，制备电荷产生层用涂布液。
将电荷产生层用涂布液通过浸渍施涂至底涂层，然后将所得涂膜在100℃下干燥10分钟。由此，形成厚度0.16μm的电荷产生层。
接下来，将8份由下式(3)表示的化合物(电荷输送物质)和10份聚碳酸酯(商品名：Iupilon Z-200，由MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.制溶解在70份一氯苯中。由此，制备电荷输送层用涂布液。
将电荷输送层用涂布液通过浸渍施涂至电荷产生层上，然后将所得涂膜在110℃下干燥1小时。由此，形成厚度23μm的电荷输送层。
由此，制造实施例2-1的圆筒状(鼓状)电子照相感光构件。
(实施例2-2)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为实施例1-2中获得的羟基镓酞菁晶体以外，实施例2-2的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(实施例2-3)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为实施例1-3中获得的羟基镓酞菁晶体以外，实施例2-3的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(实施例2-4)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为实施例1-4中获得的羟基镓酞菁晶体以外，实施例2-4的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(实施例2-5)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为实施例1-5中获得的羟基镓酞菁晶体以外，实施例2-5的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(实施例2-6)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为实施例1-6中获得的羟基镓酞菁晶体以外，实施例2-6的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(实施例2-7)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为实施例1-7中获得的羟基镓酞菁晶体以外，实施例2-7的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(实施例2-8)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为实施例1-8中获得的羟基镓酞菁晶体以外，实施例2-8的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(实施例2-9)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为实施例1-9中获得的羟基镓酞菁晶体以外，实施例2-9的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(实施例2-10)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为实施例1-10中获得的羟基镓酞菁晶体以外，实施例2-10的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(实施例2-11)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为实施例1-11中获得的羟基镓酞菁晶体以外，实施例2-11的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(实施例2-12)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为实施例1-12中获得的羟基镓酞菁晶体以外，实施例2-12的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(实施例2-13)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为实施例1-13中获得的羟基镓酞菁晶体以外，实施例2-13的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(实施例2-14)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为实施例1-14中获得的羟基镓酞菁晶体以外，实施例2-14的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(实施例2-15)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为实施例1-15中获得的溴镓酞菁晶体以外，实施例2-15的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(实施例2-16)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为实施例1-16中获得的碘镓酞菁晶体以外，实施例2-16的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(实施例2-17)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为实施例1-17中获得的碘镓酞菁晶体以外，实施例2-17的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(实施例2-18)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为实施例1-18中获得的碘镓酞菁晶体以外，实施例2-18的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(实施例2-19)
将导电层、底涂层和电荷产生层与实施例2-2相同的方式形成于支承体上。接下来，将10份由下式(4)表示的化合物(电荷输送物质)和10份聚碳酸酯(商品名：Iupilon Z-400，由MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.制)溶解在100份一氯苯中。由此，制备电荷输送层用涂布液。
将电荷输送层用涂布液通过浸渍施涂至电荷产生层上，然后将所得涂膜在150℃下干燥30分钟。由此，形成厚度15μm的电荷输送层。
由此，制造实施例2-19的电子照相感光构件。
(比较例2-1)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为比较例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体以外，比较例2-1的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(比较例2-2)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为比较例1-2中获得的羟基镓酞菁晶体以外，比较例2-2的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(比较例2-3)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为比较例1-3中获得的羟基镓酞菁晶体以外，比较例2-3的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(比较例2-4)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为比较例1-4中获得的羟基镓酞菁晶体以外，比较例2-4的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(比较例2-5)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为比较例1-5中获得的混合物以外，比较例2-5的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(比较例2-6)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为比较例1-6中获得的混合物以外，比较例2-6的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(比较例2-7)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为比较例1-7中获得的羟基镓酞菁晶体以外，比较例2-7的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(比较例2-8)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为比较例1-8中获得的溴镓酞菁晶体以外，比较例2-8的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(比较例2-9)
除了在实施例2-1中，电荷产生层用涂布液的制备中使用的羟基镓酞菁晶体改为比较例1-9中获得的碘镓酞菁晶体以外，比较例2-9的电子照相感光构件以与实施例2-1相同的方式制造。
(比较例2-10)
除了在比较例2-1中，10份用于电荷产生层用涂布液制备的羟基镓酞菁晶体(比较例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体)改为10份比较例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体和1份示例性化合物(2)以外，比较例2-10的电子照相感光构件以与比较例2-1相同的方式制造。
(实施例2-1至2-19和比较例2-1至2-10的评价)
使实施例2-1至2-19和比较例2-1至2-10的电子照相感光构件进行重影图像评价。
用作评价用电子照相设备的是如下所述改造的由Hewlett-Packard Japan,LTD.制的激光束打印机(商品名：Color Laser Jet CP3525dn)。即，将打印机改造为在不打开预曝光的同时操作，并且充电条件和图像曝光值可变。另外，将打印机改造为当所制造的电子照相感光构件安装在青色调色剂用处理盒上且盒连接至青色处理盒用站(station)，并且任何其它颜色用处理盒不安装在打印机主体上时操作。
在图像输出时，仅青色用处理盒连接至主体并输出仅由青色调色剂形成的单色图像。
首先，在具有23℃的温度和55％RH的相对湿度的常温常湿环境下，充电条件和图像曝光值调整为初期的暗部电位和亮部电位分别为-500V和-100V。在电位设定时的鼓状电子照相感光构件的表面电位如下测量。改造盒，将电位探针(商品名：model6000B-8，由TREK JAPAN制)安装在显影位置，并用表面电位计(商品名：model344，由TREK JAPAN制)测量圆筒状电子照相感光构件的中央部的电位。
其后，在相同条件下进行重影图像评价。之后，进行1,000张的通纸耐久试验，并在耐久试验后即刻和耐久试验后15小时进行重影图像评价。表2示出常温常湿环境下的评价结果。
接下来，将电子照相感光构件在具有15℃的温度和10％RH的相对湿度的低温低湿环境下与评价用电子照相设备一起静置3天。其后，进行重影图像评价。然后，在相同条件下进行1,000张的通纸耐久试验，并在耐久试验后即刻和耐久试验后15小时进行重影图像评价。表2一起示出在低温低湿环境下的评价结果。
应注意的是，通纸耐久试验在仅用青色以1％的打印百分比使E字母图像打印在A4大小的普通纸上的条件下进行。
另外，重影图像评价方法如下所述。
用以下列顺序输出的总计8个重影图像进行重影图像评价。将实心白色图像输出在第一张上。其后，将四种重影图各自输出在一张上，即输出在总计四张上。接下来，将实心黑色图像输出在一张上。其后，将四种重影图各自输出在一张上，即再次输出在总计四张上。待分等级的重影图如下描述。在从打印图像开始位置(距纸上端10mm)至30mm的距离的实心白色背景中，以相等的间隔且彼此平行地配置四个一边为25mm的实心黑色正方形，并且在距打印图像开始位置的距离大于30mm的范围内，输出四种半色调打印图案。
四种重影图为仅在距打印图像开始位置的距离大于30mm的范围内半色调图案彼此不同的图，并且半色调图案为如下四种：
(1)每1个空格横向*打印1个点的打印(激光曝光)图案；
(2)每2个空格横向*打印2个点的打印(激光曝光)图案；
(3)每3个空格横向*打印2个点的打印(激光曝光)图案；和
(4)桂马(knight)图案(类似于日本象棋中桂马的移动，在6个正方形上打印2个点的图案)的打印(激光曝光)图案。
*：术语"横向"是指激光扫描的扫描方向(输出纸的水平方向)。
重影图像分为如下所述的等级。应注意的是，在各等级4、5和6下判断为未充分获得本发明的效果。
等级1：在各重影图中未观察到重影。
等级2：在特定重影图中稍微观察到重影。
等级3：在各重影图中稍微观察到重影。
等级4：在特定重影图中观察到重影。
等级5：在各重影图中观察到重影。
等级6：在特定重影图中清楚观察到重影。
表1
TG测量的结果
表2
重影图像评价的结果
尽管已参考示例性实施方案描述本发明，但应理解本发明不受限于所公开的示例性实施方案。以下权利要求的范围符合最宽泛的解释，从而包含所有的此类改进和等同结构及功能。
本申请要求2011年11月30日提交的日本专利申请2011-262020号和2012年11月6日提交的日本专利申请2012-244468号的权益，在此将其全部内容引入此处以作参考。

Claims (28)

1.一种电子照相感光构件，其包括：
支承体；和
形成于所述支承体上的感光层，
其中所述感光层包括本身含有由下式(1)表示的胺化合物的镓酞菁晶体：
在式(1)中：
R1至R10各自独立地表示选自氢原子、卤原子、芳氧基羰基、取代或未取代的酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、具有取代基的氨基和取代或未取代的环氨基中的一种，条件是R1至R10中的至少之一表示选自用取代或未取代的芳基取代的氨基、用取代或未取代的烷基取代的氨基和取代或未取代的环氨基中的一种；和
X1表示羰基和二羰基之一。
2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中R1至R10中的至少之一表示用取代或未取代的烷基取代的氨基。
3.根据权利要求2所述的电子照相感光构件，其中在所述用取代或未取代的烷基取代的氨基中所述取代或未取代的烷基包括选自用烷氧基取代的烷基、用芳基取代的烷基和未取代的烷基中的一种。
4.根据权利要求2所述的电子照相感光构件，其中所述用取代或未取代的烷基取代的氨基包括二烷基氨基。
5.根据权利要求4所述的电子照相感光构件，其中所述二烷基氨基包括二甲基氨基和二乙基氨基之一。
6.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中R1至R10中的至少之一表示取代或未取代的环氨基。
7.根据权利要求6所述的电子照相感光构件，其中所述取代或未取代的环氨基包括吗啉代基和1-哌啶子基之一。
8.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述胺化合物包括由下式(2)表示的胺化合物：
在式(2)中，Et表示乙基。
9.根据权利要求1至8任一项所述的电子照相感光构件，其中所述镓酞菁晶体包括羟基镓酞菁晶体。
10.根据权利要求9所述的电子照相感光构件，其中所述羟基镓酞菁晶体包括在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体。
11.根据权利要求10所述的电子照相感光构件，其中在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体进一步在27.4°处具有峰。
12.根据权利要求11所述的电子照相感光构件，其中在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、27.4°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体的27.4°处的峰强度相对于其7.4°处的峰强度为5％以上且100％以下。
13.根据权利要求9所述的电子照相感光构件，其中所述羟基镓酞菁晶体包括在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、16.6°、21.8°、25.5°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体。
14.根据权利要求13所述的电子照相感光构件，其中在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、16.6°、21.8°、25.5°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体进一步在27.0°处具有峰。
15.根据权利要求1至8任一项所述的电子照相感光构件，其中所述镓酞菁晶体包括具有卤原子作为配体的镓酞菁晶体。
16.根据权利要求15所述的电子照相感光构件，其中所述具有卤原子作为配体的镓酞菁晶体包括在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、27.1°和28.4°处具有峰的溴镓酞菁晶体。
17.根据权利要求15所述的电子照相感光构件，其中所述具有卤原子作为配体的镓酞菁晶体包括在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为20.4°、27.1°、29.0°和33.2°处具有峰的碘镓酞菁晶体。
18.一种处理盒，其包括：
根据权利要求1至17任一项所述的电子照相感光构件；和
选自由下述单元组成的组的至少一种单元：用于将所述电子照相感光构件的表面充电的充电单元，用于用调色剂将形成于所述电子照相感光构件的表面上的静电潜像显影的显影单元，和用于除去在调色剂图像转印至转印材料后的所述电子照相感光构件的表面上的所述调色剂的清洁单元，
所述电子照相感光构件和所述至少一种单元一体化地支承，
其中所述处理盒可拆卸地可安装至电子照相设备的主体。
19.一种电子照相设备，其包括：
根据权利要求1至17任一项所述的电子照相感光构件；
用于将所述电子照相感光构件的表面充电的充电单元，
用于用图像曝光光照射所述电子照相感光构件的带电表面来形成静电潜像的图像曝光单元；
用于用调色剂将形成于所述电子照相感光构件的表面上的所述静电潜像显影的显影单元；和
用于将形成于所述电子照相感光构件的表面上的调色剂图像转印至转印材料的转印单元。
20.一种镓酞菁晶体，其本身包括由下述(1)表示的胺化合物：
在式(1)中：
R1至R10各自独立地表示选自氢原子、卤原子、芳氧基羰基、取代或未取代的酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、具有取代基的氨基和取代或未取代的环氨基中的一种，条件是R1至R10中的至少之一表示用取代或未取代的芳基取代的氨基、用取代或未取代的烷基取代的氨基和取代或未取代的环氨基；和
X1表示羰基和二羰基之一。
21.根据权利要求20所述的镓酞菁晶体，其中所述镓酞菁晶体包括在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体。
22.根据权利要求21所述的镓酞菁晶体，其中在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体进一步在27.4°处具有峰。
23.一种羟基镓酞菁晶体，其包括在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、27.4°和28.3°处的峰。
24.根据权利要求23所述的羟基镓酞菁晶体，其中在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、27.4°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体的27.4°处的峰强度相对于其7.4°处的峰强度为5％以上且100％以下。
25.一种羟基镓酞菁晶体，其包括在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、16.6°、21.8°、25.5°和28.3°处的峰。
26.一种羟基镓酞菁晶体，其包括在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、16.6°、21.8°、25.5°、27.0°和28.3°处的峰。
27.一种溴镓酞菁晶体，其包括在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、27.1°和28.4°处的峰。
28.一种碘镓酞菁晶体，其包括在CuKαX-射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为20.4°、27.1°、29.0°和33.2°处的峰。
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JP (1) JP6039368B2 (zh)
KR (1) KR20140099282A (zh)
CN (1) CN103959173A (zh)
WO (1) WO2013081178A1 (zh)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6071439B2 (ja) * 2011-11-30 2017-02-01 キヤノン株式会社 フタロシアニン結晶の製造方法、および電子写真感光体の製造方法
JP5827612B2 (ja) * 2011-11-30 2015-12-02 キヤノン株式会社 ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法、及び該ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法を用いた電子写真感光体の製造方法
JP6004930B2 (ja) * 2012-12-14 2016-10-12 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP6061660B2 (ja) * 2012-12-14 2017-01-18 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2014134774A (ja) 2012-12-14 2014-07-24 Canon Inc 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、ガリウムフタロシアニン結晶
JP2015064562A (ja) * 2013-08-28 2015-04-09 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、フタロシアニン結晶
JP6150701B2 (ja) 2013-09-30 2017-06-21 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP6478750B2 (ja) 2014-04-30 2019-03-06 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置、ならびに、フタロシアニン結晶およびその製造方法
US20150346616A1 (en) 2014-06-03 2015-12-03 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, manufacturing method of electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus, and phthalocyanine crystal and manufacturing method of phthalocyanine crystal
WO2015189980A1 (ja) 2014-06-13 2015-12-17 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US9645516B2 (en) 2014-11-19 2017-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
JP2017010009A (ja) 2015-06-24 2017-01-12 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2017083537A (ja) 2015-10-23 2017-05-18 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
US10095137B2 (en) 2016-04-04 2018-10-09 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, method of producing electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic image forming apparatus
JP6978858B2 (ja) 2016-06-21 2021-12-08 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7269111B2 (ja) 2019-06-25 2023-05-08 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7305458B2 (ja) 2019-06-25 2023-07-10 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
US11126097B2 (en) 2019-06-25 2021-09-21 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP7353824B2 (ja) 2019-06-25 2023-10-02 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US11573499B2 (en) 2019-07-25 2023-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus
US11320754B2 (en) 2019-07-25 2022-05-03 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus
US11112719B2 (en) 2019-10-18 2021-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Process cartridge and electrophotographic apparatus capable of suppressing lateral running while maintaining satisfactory potential function
JP7337650B2 (ja) 2019-10-18 2023-09-04 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7337651B2 (ja) 2019-10-18 2023-09-04 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7483477B2 (ja) 2020-04-21 2024-05-15 キヤノン株式会社 電子写真感光ドラム、プロセスカートリッジおよび電子写真画像形成装置
JP7444691B2 (ja) 2020-04-21 2024-03-06 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP2023131675A (ja) 2022-03-09 2023-09-22 キヤノン株式会社 電子写真装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1222522A (zh) * 1997-09-12 1999-07-14 佳能株式会社 酞菁化合物,其制备方法以及使用该化合物的电子照相光敏性元件
JP2001040237A (ja) * 1999-07-28 2001-02-13 Kyocera Mita Corp フタロシアニン結晶及びその製造方法と、これを含有した電子写真感光体
US20070166634A1 (en) * 2006-01-13 2007-07-19 Xerox Corporation Photoreceptor with overcoat layer
CN101082785A (zh) * 2006-05-31 2007-12-05 佳能株式会社 调色剂、电摄影装置及成像处理盒
US20110076614A1 (en) * 2009-09-29 2011-03-31 Canon Kabushiki Kaisha Method of drying organic pigment, method of processing phthalocyanine pigment, and method of manufacturing electrophotographic photosensitive member

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE626529A (zh) * 1961-12-29
US4042388A (en) * 1972-03-15 1977-08-16 Canon Kabushiki Kaisha Process for the preparation of sensitized material for electrophotography
JPH0727227B2 (ja) 1988-10-05 1995-03-29 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体及び画像形成方法
JPH04254862A (ja) * 1991-01-30 1992-09-10 Canon Inc 電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリ
JPH05224439A (ja) * 1992-02-12 1993-09-03 Fuji Electric Co Ltd 電子写真用感光体
JPH06211758A (ja) * 1993-01-18 1994-08-02 Fuji Photo Film Co Ltd ベンゾフェノン誘導体
JPH06273953A (ja) 1993-03-19 1994-09-30 Ricoh Co Ltd 電子写真用感光体
JP3126889B2 (ja) * 1994-12-28 2001-01-22 キヤノン株式会社 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカ−トリッジ及び電子写真装置
JPH08220792A (ja) 1995-02-10 1996-08-30 Toyo Ink Mfg Co Ltd 光分解性電子写真用トナー
JP3810042B2 (ja) 1997-09-12 2006-08-16 キヤノン株式会社 フタロシアニン化合物、該化合物の製造方法及び該化合物を用いた電子写真感光体
US6248490B1 (en) 1998-12-01 2001-06-19 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP4581781B2 (ja) 2004-08-06 2010-11-17 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体及びその製造方法、プロセスカートリッジ並びに電子写真装置
JP2006243417A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Ricoh Co Ltd 画像形成装置及び画像形成方法
US20060286468A1 (en) 2005-06-16 2006-12-21 Xerox Corporation Hydroxygallium phthalocyanines
TW200809437A (en) * 2006-05-18 2008-02-16 Mitsubishi Chem Corp Electrographic photoreceptor, image forming apparatus, and electrographic cartridge
US20090004584A1 (en) 2007-06-27 2009-01-01 Xerox Corporation Hydroxygallium phthalocyanine processes and photoconductors thereof
US20090061340A1 (en) 2007-08-31 2009-03-05 Xerox Corporation Hydroxy benzophenone containing photoconductors
JP5734093B2 (ja) 2010-06-30 2015-06-10 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5827612B2 (ja) 2011-11-30 2015-12-02 キヤノン株式会社 ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法、及び該ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法を用いた電子写真感光体の製造方法
JP5993720B2 (ja) 2011-11-30 2016-09-14 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP6071439B2 (ja) 2011-11-30 2017-02-01 キヤノン株式会社 フタロシアニン結晶の製造方法、および電子写真感光体の製造方法
JP6188535B2 (ja) 2012-11-20 2017-08-30 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP6061660B2 (ja) 2012-12-14 2017-01-18 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP6004930B2 (ja) 2012-12-14 2016-10-12 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1222522A (zh) * 1997-09-12 1999-07-14 佳能株式会社 酞菁化合物,其制备方法以及使用该化合物的电子照相光敏性元件
JP2001040237A (ja) * 1999-07-28 2001-02-13 Kyocera Mita Corp フタロシアニン結晶及びその製造方法と、これを含有した電子写真感光体
US20070166634A1 (en) * 2006-01-13 2007-07-19 Xerox Corporation Photoreceptor with overcoat layer
CN101082785A (zh) * 2006-05-31 2007-12-05 佳能株式会社 调色剂、电摄影装置及成像处理盒
US20110076614A1 (en) * 2009-09-29 2011-03-31 Canon Kabushiki Kaisha Method of drying organic pigment, method of processing phthalocyanine pigment, and method of manufacturing electrophotographic photosensitive member

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140099282A (ko) 2014-08-11
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