CN103130813B - 镓酞菁晶体的生产方法和使用镓酞菁晶体的生产方法生产电子照相感光构件的方法 - Google Patents
镓酞菁晶体的生产方法和使用镓酞菁晶体的生产方法生产电子照相感光构件的方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及镓酞菁晶体的生产方法和使用镓酞菁晶体的生产方法生产电子照相感光构件的方法。提供电子照相感光构件的生产方法,所述电子照相感光构件具有改进的感光度和不仅在常温常湿环境下而且在作为特别苛刻的条件的低温低湿环境下均能够输出具有较少的由于重影现象引起的图像缺陷的图像。镓酞菁晶体的生产方法包括将添加至溶剂的镓酞菁和特定胺化合物进行研磨处理,从而进行镓酞菁的晶体变换。此外,将镓酞菁晶体用于电子照相感光构件的感光层中。
Description
技术领域
本发明涉及镓酞菁晶体的生产方法和使用该镓酞菁晶体的生产方法生产电子照相感光构件的方法。
背景技术
通常,酞菁类颜料除了其着色用用途以外,还作为在电子照相感光构件、太阳能电池或传感器等中使用的电子材料引起关注并且进行研究。
目前,经常用作电子照相感光构件用图像曝光单元的半导体激光器的振荡波长为长波长如650至820nm。因此,推进对此类长波长的光具有高感光度的电子照相感光构件的开发。
酞菁颜料作为对具有在此类长波长区域内波长的光具有高感光度的电荷产生物质是有效的。特别地,氧钛酞菁和镓酞菁具有优异的感光度特性,迄今已报道其各种晶形。
使用酞菁颜料的电子照相感光构件具有优异的感光度特性。然而,电子照相感光构件涉及以下问题。生成的光载流子易于残留在电子照相感光构件的感光层上和易于充当一种存储器从而引起电位波动如重影现象。
还发现以下。在镓酞菁各自在电子照相感光构件中使用的情况下,即使当镓酞菁的晶形相同时取决于生产方法如要使用的原料和溶剂以及生产条件如反应温度和负载比(loadingratio)的差异,也显著地发生电子照相感光构件电子照相特性的变化。特别地,所得电子照相感光构件的感光度和带电性显著地彼此不同。
日本专利申请特开2001-40237报道了在对酞菁颜料进行酸溶处理(acidpastingprocess)时特定有机电子受体的添加发挥敏化效果。然而,所述方法涉及以下关注和问题。添加剂可能化学变化,由此难以将添加剂变换成期望的晶形。
此外,日本专利申请特开2006-72304报道了以下。当颜料和特定有机电子受体进行湿式粉碎处理时,晶体变换的同时在晶体表面引入有机电子受体,因此改进电子照相特性。然而,即使在特定有机电子受体引入晶体表面的情况下,对于在其中生产电荷产生层用涂布液时添加相同有机电子受体的分散时的所谓添加的构成和效果也相同。
如上所述,对于电子照相感光构件已尝试各种改进。
与近年来打印速度的增加和打印图像品质的改进相关联,期望感光度的额外改进和由于重影现象引起的图像品质劣化的减轻。然而,由于以下窘境的存在,因此难以实现感光度的额外改进和图像品质的改进之间的相容性。当尝试改进感光度时,重影现象恶化。
发明内容
鉴于上述,本发明旨在提供作为能够解决所述问题的电荷产生物质的具有优异特性的镓酞菁晶体。
此外,本发明旨在提供电子照相感光构件的生产方法,所述电子照相感光构件具有额外改进的感光度和不仅在常温常湿环境下而且在作为特别苛刻的条件的低温低湿环境下均能够输出具有较少的由于重影现象引起的图像缺陷的图像。
本发明提供镓酞菁晶体的生产方法,所述方法包括将添加至溶剂的镓酞菁和由下式(1)表示的胺化合物进行研磨处理(millingtreatment),从而进行镓酞菁的晶体变换:
式(1)中:R1-R10各自独立地表示氢原子、卤素原子、芳氧基羰基、取代或未取代的酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、具有取代基的氨基和取代或未取代的环状氨基之一,条件是R1-R10中的至少之一表示用取代或未取代的芳基取代的氨基、用取代或未取代的烷基取代的氨基和取代或未取代的环状氨基之一;和X1表示羰基和二羰基之一。
本发明还提供电子照相感光构件的生产方法,所述电子照相感光构件包括支承体和在支承体上形成的感光层,感光层包含镓酞菁晶体,所述方法包括用通过上述生产方法获得的镓酞菁晶体生产感光层。
根据本发明,提供作为电荷产生物质的具有优异特性的镓酞菁晶体。
此外,根据本发明,提供电子照相感光构件的生产方法,所述电子照相感光构件具有额外改进的感光度和不仅在常温常湿环境下而且在作为特别苛刻的条件的低温低湿环境下均能够输出具有较少的由于重影现象引起的图像缺陷的图像。
参考附图,从以下示例性实施方案的描述中,本发明的进一步特征将变得显而易见。
附图说明
图1为说明设置有具有本发明电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意性构造实例的图。
图2为实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案。
图3为实施例1-3中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案。
图4为实施例1-7中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案。
图5为涉及电子照相感光构件的感光度和残余电位的评价的图。
具体实施方式
本发明镓酞菁晶体的生产方法包括将添加至溶剂的镓酞菁和由下式(1)表示的胺化合物进行研磨处理,从而进行镓酞菁的晶体变换:
式(1)中:
R1-R10各自独立地表示氢原子、卤素原子、芳氧基羰基、取代或未取代的酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、具有取代基的氨基和取代或未取代的环状氨基之一,条件是R1-R10中的至少之一表示用取代或未取代的芳基取代的氨基、用取代或未取代的烷基取代的氨基和取代或未取代的环状氨基之一;和
X1表示羰基和二羰基之一。
此外,式(1)的R1-R10中的至少之一优选表示用取代或未取代的烷基取代的氨基。这些基团中,更优选在用取代或未取代的烷基取代的氨基中取代或未取代的烷基为用烷氧基取代的烷基、用芳基取代的烷基或未取代的烷基。
此外,式(1)的R1-R10中的至少之一优选表示二烷氨基。这些基团中,更优选二甲氨基或二乙氨基。
此外,根据对于由于重影现象引起的图像缺陷的抑制效果特别优选的胺化合物为由下式(2)表示的胺化合物。
式(2)中,Et表示乙基。
此外,式(1)的R1-R10中的至少之一优选表示取代或未取代的环状氨基。这些基团中,更优选吗啉基或1-哌啶基。
此外,根据对于感光度的改进效果特别优选的胺化合物为由下式(3)表示的胺化合物。
下文中,描述本发明中要使用的胺化合物优选的具体实例(示例性化合物),然而,本发明不限于此。
示例性化合物
示例性化合物(1)示例性化合物(2)示例性化合物(3)
示例性化合物(4)示例性化合物(5)示例性化合物(6)
示例性化合物(7)示例性化合物(8)示例性化合物(9)
示例性化合物(10)示例性化合物(11)示例性化合物(12)
示例性化合物(13)示例性化合物(14)示例性化合物(15)
示例性化合物(16)示例性化合物(17)示例性化合物(18)
示例性化合物(19)示例性化合物(20)示例性化合物(21)
示例性化合物(22)示例性化合物(23)示例性化合物(24)
示例性化合物中,Me表示甲基、Et表示乙基和n-Pr表示丙基(正丙基)。
以下描述作为商购产品可获得的本发明中要使用的胺化合物的合成方法实例。
使用氨基二苯甲酮作为原料,可通过氨基二苯甲酮和卤化物之间的取代反应向氨基引入取代基。此类反应中,使用金属催化剂的氨基二苯甲酮和芳族卤化物之间的反应为可用于合成芳基取代的胺化合物的方法。此外,使用还原胺化的反应为可用于合成烷基取代的胺化合物的方法。
下文中,示出示例性化合物(24)的具体合成实例。
下述术语"份"意指"质量份"。此外,红外(IR)吸收光谱用傅立叶变换红外光谱仪(商品名:FT/IR-420,由JASCOCorporation制造)测量。此外,核磁共振(NMR)光谱用核磁共振设备(商品名:EX-400,由JEOLRESONANCEInc.制造)测量。
(合成例)
示例性化合物(24)的合成
向包含50份N,N-二甲基乙酰胺的三颈烧瓶添加5.0份4,4'-二氨基二苯甲酮、25.7份碘甲苯、9.0份铜粉和9.8份碳酸钾,然后将混合物回流20小时。此后,通过热过滤除去固体组分。通过减压下的蒸馏除去溶剂,然后将残渣用硅胶柱(使用甲苯作为溶剂)纯化。由此,获得8.1份示例性化合物(24)。
以下描述通过测量获得的IR吸收光谱和1H-NMR光谱的特征峰。
IR(cm-1,KBr):1646,1594,1508,1318,1277和1174
1H-NMR(ppm,CDCl3,40℃):δ=7.63(d,4H),7.11(d,8H),7.04(d,8H),6.93(d,4H)和2.33(s,12H)
在本发明的溶剂中与式(1)一起进行研磨处理的镓酞菁例如为,在其分子中具有作为镓原子处的轴向配体的卤素原子、羟基或烷氧基的镓酞菁。镓酞菁在其酞菁环中可以具有取代基如卤素原子。
此类镓酞菁中,优选各自具有优异感光度的羟基镓酞菁(其中镓原子具有羟基作为轴向配体)、溴镓酞菁(其中镓原子具有溴原子作为轴向配体)或碘镓酞菁(其中镓原子具有碘原子作为轴向配体)。
此外,优选通过酸溶法处理的低结晶性羟基镓酞菁,这是因为本发明有效地起作用。
此外,通过本发明生产方法要获得的镓酞菁晶体优选羟基镓酞菁晶体,这是因为羟基镓酞菁晶体具有作为电荷产生物质的优异特性。此类晶体中,特别优选在CuKαX射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体。
描述本发明中在溶剂中要进行的研磨处理工艺。
此处要进行的研磨处理例如为用研磨设备如砂磨机和球磨机与分散剂如玻璃珠、钢珠和氧化铝球一起进行的处理。研磨时间优选约4至60小时。特别优选的方法为如下所述。每隔4至8小时取样并且确定晶体的布拉格角。研磨处理中要使用的分散剂的量基于质量优选为镓酞菁使用量的10至50倍。
溶剂使用量基于质量优选为镓酞菁使用量的5至30倍。由式(1)表示的胺化合物的使用量基于质量优选为镓酞菁使用量的0.1至10倍。
此外,使用的溶剂实例包括:酰胺类溶剂如N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基甲酰胺、N-甲基乙酰胺、N-甲基丙酰胺和N-甲基-2-吡咯烷酮;卤素类溶剂如氯仿;醚类溶剂如四氢呋喃;和亚砜类溶剂如二甲亚砜。
这些中,根据本发明的效果优选选自酰胺类溶剂和亚砜类溶剂的至少一种。此外,选自N,N-二甲基甲酰胺和二甲亚砜溶剂的至少一种是特别优选的。
本发明中,通过本发明获得的镓酞菁晶体是否包含由式(1)表示的胺化合物本身通过分析所得镓酞菁晶体的X射线衍射测量和NMR测量的数据而确定。
本发明酞菁晶体的X射线衍射测量和NMR测量在以下条件下进行。
(粉末X射线衍射测量)
使用的测量设备:由RigakuCorporation制造的X射线衍射仪RINT-TTRII
X射线管球:Cu
管电压:50KV
管电流:300mA
扫描方法:2θ/θ扫描
扫描速度:4.0°/分钟
取样间隔:0.02°
起始角度(2θ):5.0°
终止角度(2θ):40.0°
附件:标准试样台
滤光器:未使用
入射单色(Incidentmonochrome):使用
计数器单色器:未使用
发散狭缝:打开
发散纵向限制狭缝:10.00mm
散射狭缝:打开
光接收狭缝:打开
平板单色器:使用
计数器:闪烁计数器
(NMR测量)
使用的测量设备:由BRUKER制造的AVANCEIII500
溶剂:氘代硫酸(D2SO4)
本发明中获得的镓酞菁晶体作为光导电体的功能是优异的,因此可适用于太阳能电池、传感器或开关元件等以及可适用于电子照相感光构件。
接着,描述应用本发明中获得的镓酞菁晶体作为电子照相感光构件中的电荷产生物质的情况。
将感光层分类为由包含电荷产生物质和电荷输送物质两者的单层形成的感光层(单层感光层),和通过将包含电荷产生物质的电荷产生层和包含电荷输送物质的电荷输送层层压获得的感光层(层压感光层)。应当注意,电荷产生层可以层压在电荷输送层上,反之亦然。
本发明中使用的支承体优选具有导电性的支承体(导电性支承体)。作为支承体,可以使用例如铝、铝合金、铜、锌、不锈钢、钒、钼、铬、钛、镍、铟、金和铂。此外,可以使用:具有通过真空气相沉积形成为膜的铝、铝合金、氧化铟、氧化锡或氧化铟-氧化锡合金的层的塑料(例如,聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、丙烯酸类树脂和聚氟乙烯);通过用导电性颗粒(例如,铝颗粒、氧化钛颗粒、氧化锡颗粒、氧化锌颗粒、炭黑和银颗粒)和粘结剂树脂涂布塑料或上述支承体获得的支承体;通过用导电性颗粒浸渍塑料或纸获得的支承体;以及包括导电性聚合物的塑料等。
本发明中,可以在支承体和感光层之间设置具有阻挡功能和粘合功能的底涂层(有时称作"阻挡层"或"中间层")。
作为底涂层用材料,可以使用聚乙烯醇、聚环氧乙烷、乙基纤维素、甲基纤维素、酪蛋白、聚酰胺(例如,尼龙6、尼龙66、尼龙610、共聚物尼龙和N-烷氧基甲基化尼龙)、聚氨酯、胶、氧化铝和明胶等。底涂层的厚度为0.1至10μm,优选0.5至5μm。
当形成单层感光层时,其形成可通过以下进行:将由根据本发明的镓酞菁晶体制成的电荷产生物质和电荷输送物质混合至粘结剂树脂溶液中;将混合液施涂至支承体上;将所得涂布膜干燥。
当形成层压感光层时,电荷产生层可通过以下形成:施涂通过将根据本发明的镓酞菁晶体分散在粘结剂树脂溶液中获得的电荷产生层用涂布液;干燥所得涂布膜。可选择地,可通过气相沉积形成电荷产生层。
电荷输送层可以通过以下形成:施涂通过将电荷输送物质和粘结剂树脂溶解在溶剂中获得的电荷输送层用涂布液;干燥所得涂布膜。
电荷输送物质的实例包括三芳基胺类化合物、腙类化合物、芪类化合物、吡唑啉类化合物、噁唑类化合物、噻唑类化合物和三芳基甲烷类化合物。
用于各层的粘结剂树脂实例包括树脂如聚酯、丙烯酸类树脂、聚乙烯基咔唑、苯氧基树脂、聚碳酸酯、聚乙烯醇缩丁醛、聚苯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚砜、多芳基化合物、偏二氯乙烯、丙烯腈共聚物和聚乙烯醇缩苯甲醛。
作为感光层的施涂方法,可使用施涂方法如浸涂法、喷涂法、旋涂法、珠涂法、刮涂法和束涂法。
当感光层为单层型时,其厚度优选5-40μm,更优选10-30μm。
当感光层为层压型时,电荷产生层的厚度优选0.01-10μm,更优选0.1-3μm。此外,电荷输送层的厚度优选5-40μm,更优选10-30μm。
当感光层为层压型时,电荷产生物质的含量优选20-90质量%,更优选50-80质量%,相对于电荷产生层的总质量。此外,电荷输送物质的含量优选20-80质量%,更优选30-70质量%,相对于电荷输送层的总质量。
当感光层为单层型时,电荷产生物质的含量优选3-30质量%,相对于感光层的总质量。此外,电荷输送物质的含量优选30-70质量%,相对于感光层的总质量。
当根据本发明的镓酞菁晶体用作电荷产生物质时,使用前可将所述物质与任何其它电荷产生物质混合。在这种情况下,镓酞菁晶体的含量优选50质量%以上,相对于全部电荷产生物质。
如果需要,可以在感光层上设置保护层。保护层可通过以下形成:将保护层用涂布液施涂至感光层上;干燥所得涂布膜,所述保护层用涂布液通过在有机溶剂中溶解树脂如聚乙烯醇缩丁醛、聚酯、聚碳酸酯(例如,聚碳酸酯Z和改性聚碳酸酯)、尼龙、聚酰亚胺、多芳基化合物、聚氨酯、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丙烯酸共聚物和苯乙烯-丙烯腈共聚物而获得。
保护层的厚度优选0.05-20μm。
可以将导电性颗粒或紫外线吸收剂等引入保护层中。导电性颗粒的实例包括金属氧化物颗粒如氧化锡颗粒。
图1为说明设置有具有本发明电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意性构造实例的图。
将圆筒状(鼓状)电子照相感光构件1围绕轴2沿着箭头所指方向以预定圆周速度(处理速度)旋转驱动。
将电子照相感光构件1的表面在旋转过程期间通过充电单元3充电至预定正或负电位。接着,将电子照相感光构件1的带电表面用来自图像曝光单元(未示出)的图像曝光光4照射,然后形成对应于目标图像信息的静电潜像。图像曝光光4例如为从图像曝光单元如狭缝曝光和激光束扫描曝光输出的光,所述光具有对应目标图像信息的时间序列电子数字图像信号而调制的强度。
将电子照相感光构件1表面上形成的静电潜像用显影单元5中存储的调色剂显影(进行常规显影或反转显影)。由此,在电子照相感光构件1表面上形成调色剂图像。将电子照相感光构件1表面上形成的调色剂图像通过转印单元6转印至转印材料7上。此时,从偏压电源(未示出)向转印单元6施加与调色剂具有的电荷极性相反的偏压。此外,当转印材料7为纸时,将转印材料7从纸张进给部(未示出)取出,然后与电子照相感光构件1的旋转同步进给至电子照相感光构件1和转印单元6之间的间隙。
将从电子照相感光构件1转印调色剂图像至其上的转印材料7从电子照相感光构件1表面分离,然后输送至图像定影单元8,其中将转印材料进行用于使调色剂图像定影的处理。由此,将转印材料作为图像形成物(打印件或复印件)打印出电子照相设备的外部。
将向转印材料7上转印调色剂图像后的电子照相感光构件1表面通过清洁单元9进行附着物如调色剂(转印残余调色剂)的除去,由此进行清洁。近年来已开发无清洁器系统,因此转印残余调色剂可直接用显影装置等除去。此外,在重复用于图像形成前,将电子照相感光构件1的表面通过来自预曝光单元(未示出)的预曝光光10进行中和处理(neutralizationtreatment)。应当注意,当充电单元3为使用充电辊等的接触充电单元时,无需预曝光单元。
本发明中,可采用以下构造。将组件如电子照相感光构件1、充电单元3、显影单元5和清洁单元9中的多个组件存储在容器中并且一体化支承以形成处理盒,然后处理盒可以可拆卸地安装至电子照相设备主体。例如,可采用以下构造。选自充电单元3、显影单元5和清洁单元9的至少一种与电子照相感光构件1一体化支承以提供盒,然后将所述盒用作用引导单元12如电子照相设备主体的轨道可拆卸地安装至电子照相设备主体的处理盒11。
当电子照相设备为复印机或打印机时,图像曝光光4可以为来自原稿的反射光或透射光。可选择地,所述光可以为通过例如根据从用传感器读取原稿而信号化的信号进行的用激光束扫描、LED阵列驱动或液晶快门阵列驱动而照射的光。
本发明的电子照相感光构件1还可广泛适用于电子照相如激光束打印机、CRT打印机、LED打印机、FAX、液晶打印机和激光制版的应用领域。
下文中,通过具体实施例更详细描述本发明,条件是本发明不限于这些实施例。应当注意,实施例和比较例任一种电子照相感光构件的各层的厚度用涡流式厚度计(Fischerscope,由FischerInstruments制造)测定,或者由其每单位面积的质量通过比重换算来确定。
(实施例1-1)
将0.5份通过与日本专利申请特开2011-94101中记载的在合成例1之后的实施例1-1相同的处理获得的羟基镓酞菁、1.0份示例性化合物(1)(产品代码:159400050,由AcrosOrganics制造)和10份N,N-二甲基甲酰胺与20份各自具有直径为0.8mm的玻璃珠一起在球磨机中在室温下(23℃)进行研磨处理40小时。用N,N-二甲基甲酰胺从分散液取出镓酞菁晶体并且过滤,然后将过滤器上的残渣用四氢呋喃充分洗涤。将滤渣真空干燥从而产生0.5份羟基镓酞菁晶体。图2示出所得晶体的粉末X射线衍射图案。
此外,NMR测量确定示例性化合物(1)以0.31%引入晶体中。
(实施例1-2)
除了实施例1-1中,1.0份示例性化合物(1)改变为2.0份示例性化合物(1)以外,通过与实施例1-1相同的处理获得0.45份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案与图2相同。
此外,NMR测量确定示例性化合物(1)以0.82%引入晶体中。
(实施例1-3)
除了实施例1-1中,10份N,N-二甲基甲酰胺改变为10份二甲亚砜以外,通过与实施例1-1相同的处理获得0.35份羟基镓酞菁晶体。图3示出所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案。
此外,NMR测量确定示例性化合物(1)以0.83%引入晶体中。
(实施例1-4)
除了实施例1-1中,10份N,N-二甲基甲酰胺改变为10份N-甲基-2-吡咯烷酮以外,通过与实施例1-1相同的处理获得0.42份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案与图3相同。
此外,NMR测量确定示例性化合物(1)以1.67%引入晶体中。
(实施例1-5)
除了实施例1-1中,1.0份示例性化合物(1)改变为0.5份示例性化合物(2)(产品代码:B0139,由TOKYOCHEMICALINDUSTRYCO.,LTD.制造)和研磨处理时间由40小时改变为55小时以外,通过与实施例1-1相同的处理获得0.46份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案与图3相同。
此外,NMR测量确定示例性化合物(2)以0.16%引入晶体中。
(实施例1-6)
除了实施例1-3中,1.0份示例性化合物(1)改变为0.5份示例性化合物(2)以外,通过与实施例1-3相同的处理获得0.37份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案与图2相同。
此外,NMR测量确定示例性化合物(2)以0.30%引入晶体中。
(实施例1-7)
除了实施例1-4中,1.0份示例性化合物(1)改变为0.5份示例性化合物(2)以外,通过与实施例1-4相同的处理获得0.46份羟基镓酞菁晶体。图4示出所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案。
此外,NMR测量确定示例性化合物(2)以0.49%引入晶体中。
(实施例1-8)
除了实施例1-1中,1.0份示例性化合物(1)改变为1.0份示例性化合物(3)(产品代码:B1212,由TOKYOCHEMICALINDUSTRYCO.,LTD.制造)以外,通过与实施例1-1相同的处理获得0.43份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案与图2相同。
此外,NMR测量确定示例性化合物(3)以2.09%引入晶体中。
(实施例1-9)
除了实施例1-1中,1.0份示例性化合物(1)改变为1.0份示例性化合物(4)(产品代码:B1433,由TOKYOCHEMICALINDUSTRYCO.,LTD.制造)以外,通过与实施例1-1相同的处理获得0.5份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案与图2相同。
此外,NMR测量确定示例性化合物(4)以0.28%引入晶体中。
(实施例1-10)
除了实施例1-1中,1.0份示例性化合物(1)改变为1.0份上述合成例中获得的示例性化合物(24)以外,通过与实施例1-1相同的处理获得0.34份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案与图2相同。
此外,NMR测量确定示例性化合物(24)以0.16%引入晶体中。
(比较例1-1)
除了实施例1-1中,不添加1.0份示例性化合物(1)以外,通过与实施例1-1相同的处理获得0.4份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案与图2相同。
(比较例1-2)
除了实施例1-1中,1.0份示例性化合物(1)改变为1.0份4,4'-二甲氧基二苯甲酮以外,通过与实施例1-1相同的处理获得0.38份羟基镓酞菁晶体。
(比较例1-3)
除了实施例1-1中,1.0份示例性化合物(1)改变为1.0份3,3'-二硝基二苯甲酮以外,通过与实施例1-1相同的处理获得0.4份羟基镓酞菁晶体。
(比较例1-4)
除了实施例1-1中,1.0份示例性化合物(1)改变为1.0份二苯甲酮以外,通过与实施例1-1相同的处理获得0.14份羟基镓酞菁晶体。
(比较例1-5)
除了实施例1-1中,1.0份示例性化合物(1)改变为1.0份蒽醌以外,通过与实施例1-1相同的处理获得羟基镓酞菁晶体和蒽醌晶体的混合物0.8份。
(比较例1-6)
除了实施例1-3中,不添加1.0份示例性化合物(1)以外,通过与实施例1-3相同的处理获得0.28份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案与图3相同。
(比较例1-7)
除了实施例1-4中,不添加1.0份示例性化合物(1)以外,通过与实施例1-4相同的处理获得0.39份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图案与图2相同。
(实施例2-1)
将由60份涂布有氧化锡的硫酸钡颗粒(商品名:PasstranPC1,由MITSUIMINING&SMELTINGCO.,LTD.制造)、15份氧化钛颗粒(商品名:TITANIXJR,由TAYCACORPORATION制造)、43份甲阶型酚醛树脂(商品名:PhenoliteJ-325,由DICCorporation制造,固成分:70质量%)、0.015份硅油(商品名:SH28PA,由DowCorningTorayCo.,Ltd.制造)、3.6份硅树脂(商品名:Tospearl120,由MomentivePerformanceMaterialsInc.制造)、50份2-甲氧基-1-丙醇和50份甲醇形成的溶液在球磨机中进行分散处理20小时。由此,制备导电层用涂布液。
将导电层用涂布液通过浸渍施涂至作为支承体的铝圆筒(直径为24mm)上,然后将所得涂布膜在140℃下干燥30分钟。由此,形成厚度为15μm的导电层。
接着,将10份共聚物尼龙树脂(商品名:AmilanCM8000,由TorayIndustries,Inc.制造)和30份甲氧基甲基化的6-尼龙树脂(商品名:ToresinEF-30T,由NagaseChemteXCorporation制造)溶解在400份甲醇和200份正丁醇的混合溶剂中。由此,制备底涂层用涂布液。
将底涂层用涂布液通过浸渍施涂至导电层上,然后干燥所得涂布膜。由此,形成厚度为0.5μm的底涂层。
接着,将10份实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体(电荷产生物质)、5份聚乙烯醇缩丁醛(商品名:S-LECBX-1,由SEKISUICHEMICALCO.,LTD.制造)和250份环己酮装入使用各自具有直径为1mm的玻璃珠的砂磨机中,然后进行分散处理1小时。将处理的产物用250份乙酸乙酯稀释。由此,制备电荷产生层用涂布液。
将电荷产生层用涂布液通过浸渍施涂至底涂层上,然后将所得涂布膜在100℃下干燥10分钟。由此,形成厚度为0.16μm的电荷产生层。
接着,将8份由下式(4)表示的化合物(电荷输送物质)和10份聚碳酸酯(商品名:IupilonZ-200,由MITSUBISHIGASCHEMICALCOMPANY,INC.制造)溶解在70份一氯苯中。由此,制备电荷输送层用涂布液。
将电荷输送层用涂布液通过浸渍施涂至电荷产生层上,然后将所得涂布膜在110℃下干燥1小时。由此,形成厚度为23μm的电荷输送层。
由此,生产实施例2-1的圆筒状(鼓状)电子照相感光构件。
(实施例2-2)
除了实施例2-1中,制备电荷产生层用涂布液时使用的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-2中获得的羟基镓酞菁晶体以外,以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-2的电子照相感光构件。
(实施例2-3)
除了实施例2-1中,制备电荷产生层用涂布液时使用的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-3中获得的羟基镓酞菁晶体以外,以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-3的电子照相感光构件。
(实施例2-4)
除了实施例2-1中,制备电荷产生层用涂布液时使用的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-4中获得的羟基镓酞菁晶体以外,以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-4的电子照相感光构件。
(实施例2-5)
除了实施例2-1中,制备电荷产生层用涂布液时使用的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-5中获得的羟基镓酞菁晶体以外,以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-5的电子照相感光构件。
(实施例2-6)
除了实施例2-1中,制备电荷产生层用涂布液时使用的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-6中获得的羟基镓酞菁晶体以外,以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-6的电子照相感光构件。
(实施例2-7)
除了实施例2-1中,制备电荷产生层用涂布液时使用的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-7中获得的羟基镓酞菁晶体以外,以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-7的电子照相感光构件。
(实施例2-8)
除了实施例2-1中,制备电荷产生层用涂布液时使用的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-8中获得的羟基镓酞菁晶体以外,以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-8的电子照相感光构件。
(实施例2-9)
除了实施例2-1中,制备电荷产生层用涂布液时使用的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-9中获得的羟基镓酞菁晶体以外,以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-9的电子照相感光构件。
(实施例2-10)
除了实施例2-1中,制备电荷产生层用涂布液时使用的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-10中获得的羟基镓酞菁晶体以外,以与实施例2-1相同的方式生产实施例2-10的电子照相感光构件。
(比较例2-1)
除了实施例2-1中,制备电荷产生层用涂布液时使用的羟基镓酞菁晶体改变为比较例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体以外,以与实施例2-1相同的方式生产比较例2-1的电子照相感光构件。
(比较例2-2)
除了实施例2-1中,制备电荷产生层用涂布液时使用的羟基镓酞菁晶体改变为比较例1-2中获得的羟基镓酞菁晶体以外,以与实施例2-1相同的方式生产比较例2-2的电子照相感光构件。
(比较例2-3)
除了实施例2-1中,制备电荷产生层用涂布液时使用的羟基镓酞菁晶体改变为比较例1-3中获得的羟基镓酞菁晶体以外,以与实施例2-1相同的方式生产比较例2-3的电子照相感光构件。
(比较例2-4)
除了实施例2-1中,制备电荷产生层用涂布液时使用的羟基镓酞菁晶体改变为比较例1-4中获得的羟基镓酞菁晶体以外,以与实施例2-1相同的方式生产比较例2-4的电子照相感光构件。
(比较例2-5)
除了实施例2-1中,制备电荷产生层用涂布液时使用的羟基镓酞菁晶体改变为比较例1-5中获得的混合物以外,以与实施例2-1相同的方式生产比较例2-5的电子照相感光构件。
(比较例2-6)
除了实施例2-1中,制备电荷产生层用涂布液时使用的羟基镓酞菁晶体改变为比较例1-6中获得的羟基镓酞菁晶体以外,以与实施例2-1相同的方式生产比较例2-6的电子照相感光构件。
(比较例2-7)
除了实施例2-1中,制备电荷产生层用涂布液时使用的羟基镓酞菁晶体改变为比较例1-7中获得的羟基镓酞菁晶体以外,以与实施例2-1相同的方式生产比较例2-7的电子照相感光构件。
(实施例2-1至2-10和比较例2-1至2-7的评价)
将实施例2-1至2-10和比较例2-1至2-7的电子照相感光构件进行感光度特性评价和重影图像评价。
(感光度特性评价)
如上所述生产电子照相感光构件的感光度特性用使用弯曲NESA玻璃的直接电压施加式电子照相感光构件测量设备测量。应当注意,测量序列为其中电子照相感光构件作为电容器的电容器模式的序列。测量如图5中所示进行。具体地,首先,为了除去电子照相感光构件的履历(hysteresis),用曝光光(图像曝光光)和预曝光光照射电子照相感光构件,10毫秒后,将预定施加电压(Va)施加至电子照相感光构件。接着,20毫秒后,测量其电位(Vd+Vc),测量后,将电子照相感光构件的电位接地。接着,测量由插入测量仪器的电容器分担的电位(Vc),将由这些结果确定的表面电位(Vd)定义为电子照相感光构件的电位。应当注意,当Vd达到-700V时的时间点后20毫秒,将电子照相感光构件使用通过用778-nm干涉滤光器分散卤素光获得的图像曝光波长为778nm的光照射100毫秒,395毫秒后,测量其表面电位。其感光度(Δ500)由当由于曝光(图像曝光)使表面电位达到-200V时的光量(cJ/m2)确定。此外,将用照度为1,600勒克斯的卤素光(预曝光光)照射100毫秒后的500毫秒后表面电位定义为残余电位。表1示出评价结果。
(重影图像评价)
用作评价用电子照相设备的是如下所述改造的由Hewlett-PackardJapan,Ltd.制造的激光束打印机(商品名:ColorLaserJetCP3525dn)。即,改造打印机从而在不开启预曝光的同时操作,并且充电条件和图像曝光量可变。此外,改造打印机从而当生产的电子照相感光构件安装在青色用处理盒上、所述盒安装至青色处理盒用台和任何其它颜色用处理盒没有安装在打印机主体上时操作。
图像输出时,仅青色用处理盒安装至主体和输出仅用青色调色剂形成的单色图像。
首先,在温度为23℃和相对湿度为55%RH的常温常湿环境下,调整充电条件和图像曝光量以致初始阶段的暗区电位和亮区电位分别为-500V和-100V。如下所述测量电位设定时鼓状电子照相感光构件的表面电位。将所述盒改造,在显影位置处安装电位探针(商品名:型号6000B-8,由TREKJAPAN制造),圆筒状电子照相感光构件中央部的电位用表面电位计(商品名:型号344,由TREKJAPAN制造)测量。
此后,在相同条件下进行重影图像评价。此后,进行1,000张通纸耐久试验,耐久试验后即刻和耐久试验后15小时进行重影图像评价。表2示出常温常湿环境下的评价结果。
接着,将电子照相感光构件与评价用电子照相设备一起在温度为15℃和相对湿度为10%RH的低温低湿环境下放置3天。此后,进行重影图像评价。然后,在相同条件下进行1,000张通纸耐久试验,耐久试验后即刻和耐久试验后15小时进行重影图像评价。表2一起示出低温低湿环境下的评价结果。
应当注意,通纸耐久试验在以打印百分比为1%仅用青色在A4大小普通纸上打印E字母图像的条件下进行。
此外,重影图像评价的方法如下所述。
重影图像评价用以以下次序输出的总计八张重影图像来进行。在第一张上输出实白图像。此后,在一张上各输出(即,在总计四张上输出)四种重影图表。接着,在一张上输出实黑图像。此后,在一张上各输出(即,再次在总计四张上输出)四种重影图表。分类出等级的重影图表如下所述。从打印图像起始位置(距离纸的上端10mm)至30mm距离的范围的实白背景中以同等间隔和彼此平行地布置四个一侧上的25mm实黑正方形,在距离打印图像起始位置大于30mm的范围内,输出四种半色调打印图案。
四种重影图表为仅在距离打印图像起始位置大于30mm的范围内的半色调图案彼此不同的图表,半色调图案为以下四种:
(1)其中每隔一个空格横向*打印一个点的打印(激光曝光)图案;
(2)其中每隔两个空格横向*打印两个点的打印(激光曝光)图案;
(3)其中每隔三个空格横向*打印两个点的打印(激光曝光)图案;和
(4)桂马图案的打印(激光曝光)图案(其中像日本象棋中的桂马移动在六个正方形上打印两个点的图案)。
*:术语"横向"是指激光扫描仪的扫描方向(输出纸时水平方向)。
将重影图像分类为如下所述的等级。应当注意,判断出在各等级4、5和6时未充分地获得本发明的效果。
等级1:在各重影图表中没有观察到重影。
等级2:在特定重影图表中稍微观察到重影。
等级3:在各重影图表中稍微观察到重影。
等级4:在特定重影图表中观察到重影。
等级5:在各重影图表中观察到重影。
等级6:在特定重影图表中明显观察到重影。
表1
感光度特性的评价结果
表2
重影图像的评价结果
虽然参考示例性实施方案描述了本发明,但是要理解的是,本发明不限于公开的示例性实施方案。以下权利要求的范围符合最宽泛的解释,从而涵盖全部该修改以及等同的结构和功能。
Claims (12)
1.一种镓酞菁晶体的生产方法,所述方法包括将添加至酰胺类溶剂或亚砜类溶剂的镓酞菁和由下式(1)表示的胺化合物制备成分散液,和
将所述分散液进行研磨处理,从而进行所述镓酞菁的晶体变换,
其中所述镓酞菁为通过酸溶法处理的羟基镓酞菁,和
其中式(1)中:
R1-R10各自独立地表示氢原子、卤素原子、具有取代基的氨基以及取代或未取代的环状氨基之一,条件是R1-R10中的至少之一表示用取代或未取代的芳基取代的氨基、用取代或未取代的烷基取代的氨基以及取代或未取代的环状氨基之一;和
X1表示羰基和二羰基之一。
2.根据权利要求1所述的镓酞菁晶体的生产方法,其中,R1-R10中的至少之一表示用取代或未取代的烷基取代的氨基。
3.根据权利要求2所述的镓酞菁晶体的生产方法,其中,在所述用取代或未取代的烷基取代的氨基中所述取代或未取代的烷基为用烷氧基取代的烷基、用芳基取代的烷基和未取代的烷基之一。
4.根据权利要求3所述的镓酞菁晶体的生产方法,其中,所述用取代或未取代的烷基取代的氨基为二烷氨基。
5.根据权利要求4所述的镓酞菁晶体的生产方法,其中,所述二烷氨基为二甲氨基和二乙氨基之一。
6.根据权利要求5所述的镓酞菁晶体的生产方法,其中,所述胺化合物为由下式(2)表示的胺化合物:
式(2)中,Et表示乙基。
7.根据权利要求1所述的镓酞菁晶体的生产方法,其中,R1-R10中的至少之一表示取代或未取代的环状氨基。
8.根据权利要求7所述的镓酞菁晶体的生产方法,其中,所述取代或未取代的环状氨基为吗啉基和1-哌啶基之一。
9.根据权利要求8所述的镓酞菁晶体的生产方法,其中,所述胺化合物为由下式(3)表示的胺化合物:
10.根据权利要求1所述的镓酞菁晶体的生产方法,其中,所述羟基镓酞菁晶体为在CuKαX射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体。
11.根据权利要求1所述的镓酞菁晶体的生产方法,其中,所述溶剂为选自由N,N-二甲基甲酰胺和二甲亚砜组成的组中的至少一种。
12.一种生产电子照相感光构件的方法,所述电子照相感光构件包括支承体和在所述支承体上形成的感光层,所述感光层包含镓酞菁晶体,所述方法包括生产包含通过根据权利要求1-9任一项所述的生产方法获得的镓酞菁晶体的感光层。
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