CN104854513A - 电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体 - Google Patents

电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体 Download PDF

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Abstract

电子照相感光构件的感光层包括酞菁晶体，在所述酞菁晶体内含有由下式（1）表示的化合物：

Description

电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体
技术领域
本发明涉及电子照相感光构件，各自具有该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备，并涉及酞菁晶体。
背景技术
因为通常用于电子照相感光构件的图像曝光装置的半导体激光具有在650至820nm的范围内的长振荡波长，所以对在该长波长范围内的光具有高灵敏度的电子照相感光构件目前正在开发。
酞菁颜料作为对在这种长波长区域的范围内的光具有高灵敏度的电荷产生物质是有效的。氧钛酞菁和镓酞菁特别具有优良的灵敏度性质，且至今已报道了各种晶型。
尽管使用酞菁颜料的电子照相感光构件具有优良的灵敏度性质，但是存在以下问题：生成的光载流子(photo-carrier)趋于残存在感光层上以用作存储器，容易引起电位变化如重影。
专利文献1公开了在酸溶法(acid pasting)期间，特定的有机电子受体向酞菁颜料的添加具有敏化效果(sensitizing effect)。然而，该方法具有添加剂(有机电子受体)可引起化学变化、和在一些情况下难以转变(transformation)为期望的晶型的问题。
专利文献2公开了颜料和特定的有机电子受体的湿式粉碎处理使得在颜料晶体的表面同时的晶体转变和有机电子受体引入，导致改进的电子照相性质。
专利文献3公开了包含极性有机溶剂的羟基镓酞菁晶体。随着转变溶剂如N,N-二甲氨基甲酰胺的使用，将极性有机溶剂引入晶体，以便生产具有优良的灵敏度性质的晶体。
引用列表
专利文献
专利文献1：日本专利申请特开2001-40237号公报
专利文献2：日本专利申请特开2006-72304号公报
专利文献1：日本专利申请特开平07-331107号公报
如上所述已进行各种尝试以改进电子照相感光构件。
近年来为了进一步改进高品质图像，期望在各种环境下防止归因于重影的图像劣化。根据专利文献2的方法中，有机电子受体未充分包含于所生产的酞菁晶体内部，呈简单的混合状态或附着至表面。因此需要改进。根据专利文献3的方法中，发现生成的光载流子趋于残存在感光层上以用作存储器，在一些情况下容易引起重影。
发明内容
发明要解决的问题
本发明的目的为提供不仅在常温常湿环境下，而且甚至在特别严厉条件的低温低湿环境下，能够输出具有归因于重影的图像缺陷少的图像的电子照相感光构件。本发明的另一目的为提供各自具有该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
本发明的又一目的为提供一种酞菁晶体，在所述酞菁晶体内含有特定的吗啉化合物。
用于解决问题的方案
本发明提供一种电子照相感光构件，其包括：支承体；和形成在支承体上的感光层；其中感光层包括酞菁晶体，在所述酞菁晶体内含有由下式(1)表示的化合物：
其中R1表示甲酰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或取代或未取代的杂环基团，条件是取代的芳基的取代基不为乙酰基或苯甲酰基。
本发明还提供可拆卸地安装至电子照相设备的主体的处理盒，其中处理盒一体化支承电子照相感光构件和选自由充电装置、显影装置、转印装置和清洁装置组成的组中的至少一种装置。
本发明还提供具有电子照相感光构件、充电装置、图像曝光装置、显影装置和转印装置的电子照相设备。
本发明还提供酞菁晶体，在所述酞菁晶体内含有由下式(1)表示的化合物。
其中R1表示甲酰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或取代或未取代的杂环基团，条件是取代的芳基的取代基不为乙酰基或苯甲酰基。
发明的效果
本发明可提供不仅在常温常湿环境下，而且甚至在特别严厉条件的低温低湿环境下，能够输出具有归因于重影的图像缺陷少的图像的电子照相感光构件。本发明还可提供各自具有该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
本发明还可提供作为电荷产生物质的具有优良性质的酞菁晶体。
附图说明
图1为设置有具有电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意图。
图2为实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图表。
图3为实施例1-3中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图表。
图4为实施例1-5中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图表。
图5为实施例1-10中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图表。
具体实施方式
如上所述，本发明的电子照相感光构件包括支承体和形成在支承体上的感光层，其中感光层包括酞菁晶体，在所述酞菁镜体内含有由下式(1)表示的化合物的：
式(1)中，R1表示甲酰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或取代或未取代的杂环基团，条件是取代的芳基的取代基不为乙酰基或苯甲酰基。
式(1)中R1可为甲酰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或取代或未取代的杂环基团。
取代的烷基的取代基的实例包括烷氧基、吗啉代烷氧基、二烷基氨基、烷氧羰基、取代或未取代的芳基、芳氧基、取代或未取代的杂环基团、卤素原子、氰基和吗啉代基。取代的芳基的取代基的实例包括烷基、烷氧基、二烷基氨基、烷氧羰基、卤素原子、硝基、氰基、甲酰基和吗啉代基。取代的杂环基团的取代基的实例包括烷基、烷氧基、二烷基氨基、烷氧羰基、卤素原子、硝基、氰基、甲酰基和吗啉代基。
更优选式(1)中R1为取代或未取代的烷基，且取代的烷基的取代基为烷氧基、吗啉代烷氧基、二烷基氨基、烷氧羰基、芳基、芳氧基、卤素原子、氰基、或吗啉代基。其中，特别优选甲基、乙基、或丙基。
更优选式(1)中R1为取代或未取代的苯基，且取代的苯基的取代基为烷基、卤素原子、氰基、或硝基。其中，特别优选未取代的苯基。
式(1)中烷基包括直链或支化的烷基。
式(1)中烯基的实例包括2-丙烯基、1-环己烯基和1-环戊烯基。
式(1)中芳基的实例包括苯基、萘基和联苯基。
式(1)中杂环基团的实例包括吡啶基、嘧啶基、咪唑基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、吖啶基、吩嗪基、咔唑基、吲哚基、喹喔啉基、噻唑基、噻二唑基(thiadiazolyl group)、噁唑基、呋咱基(furazanyl group)、苯并呋喃基、苯并氧硫杂环己二烯基(phenoxathiinyl group)、噻蒽基(thianthrenyl group)、噻吩基和呋喃基。
式(1)中取代的烷基的取代基的实例包括烷氧基如甲氧基，乙氧基和2-(吗啉代)-乙氧基；二烷基氨基如二甲氨基和二乙氨基；烷氧羰基如甲氧羰基和乙氧羰基；芳基如苯基，萘基，联苯基，硝基苯基，甲苯基，溴苯基，氰苯基，和可具有如卤素原子、硝基、氰基、甲酰基和烷氧基等取代基的甲氧苯基；杂环基团如吡啶基，嘧啶基，咪唑基，吡嗪基，哒嗪基，三嗪基，喹啉基，吖啶基，吩嗪基，咔唑基，吲哚基，喹喔啉基，噻唑基，噻二唑基，噁唑基，呋咱基，苯并呋喃基，苯并氧硫杂环己二烯基，噻蒽基，噻吩基，呋喃基，乙基吡啶基，氯代噻二唑基，和可具有如卤素原子、硝基、氰基、甲酰基和烷氧基等取代基的甲酰噁唑基(formyloxazolyl)；卤素原子如氟原子，氯原子和溴原子；氰基；和吗啉代基。
式(1)中取代的芳基的取代基的实例包括烷基如甲基，乙基和丙基；烷氧基如甲氧基和乙氧基；二烷基氨基如二甲氨基和二乙氨基；烷氧羰基如甲氧羰基和乙氧羰基；卤素原子如氟原子，氯原子和溴原子；硝基；氰基；和甲酰基。
式(1)中取代的杂环基团的取代基的实例包括烷基如甲基和乙基；烷氧基如甲氧基和乙氧基；二烷基氨基如二甲氨基和二乙氨基；卤素原子如氟原子，氯原子和溴原子；硝基；氰基；和甲酰基。
尽管以下描述包含于本发明的酞菁晶体内的由式(1)表示的化合物的优选具体实例(示例化合物)，但是本发明不限于此。
构成在晶体内包含本发明的由式(1)表示的化合物的酞菁晶体的酞菁的实例包括无金属酞菁和可具有轴向配体的金属酞菁，和可具有取代基的酞菁。特别优选虽然易于引起重影但具有优良的灵敏度的氧钛酞菁晶体和镓酞菁晶体，这是因为对本发明有效。
如上所述，构成在晶体内包含本发明的由式(1)表示的化合物的镓酞菁晶体的镓酞菁的实例包括其镓原子具有卤素原子、羟基或烷氧基的轴向配体的镓酞菁分子。酞菁环可具有取代基如卤素原子。
优选晶体内进一步包含N,N-二甲氨基甲酰胺的镓酞菁晶体。
镓酞菁晶体中，优选对本发明有效的具有优良的灵敏度的羟基镓酞菁晶体、溴代-镓酞菁晶体和碘代-镓酞菁晶体。特别优选羟基镓酞菁晶体。羟基镓酞菁晶体包括具有羟基作为轴向配体的镓原子。溴代-镓酞菁晶体包括具有溴原子作为轴向配体的镓原子。碘代-镓酞菁晶体包括具有碘原子作为轴向配体的镓原子。
羟基镓酞菁晶体中，特别地更优选在CuKα辐射的X-射线衍射中在布拉格角2θ为7.4°±0.3°和28.3°±0.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体，其具有归因于重影的图像缺陷的减少效果。
包含于酞菁晶体内的由式(1)表示的胺化合物的含量可为0.1质量％以上且3.0质量％以下。
在晶体内包含由式(1)表示的化合物的酞菁晶体中，将由式(1)表示的化合物引入晶体内。
晶体内包含由式(1)表示的化合物的酞菁晶体的制造方法如下。
通过将由酸溶法生产的酞菁和由式(1)表示的化合物与溶剂混合，并通过湿式研磨处理(wet milling treatment)转化为晶体，可获得晶体内包含由式(1)表示的化合物的酞菁晶体。
研磨处理为在研磨装置如砂磨机和球磨机中，使用分散材料如玻璃珠、钢珠和铝球的处理。研磨时间可为约10至60小时。特别优选的方法中，以5至10小时的间隔进行取样用于测量晶体的布拉格角。研磨处理中分散材料的量以质量计可为镓酞菁的量的10至50倍。所用溶剂的实例包括酰胺类溶剂如N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基甲酰胺、N-甲基乙酰胺、N-甲基丙酰胺和N-甲基-2-吡咯烷酮，卤素素溶剂如氯仿，醚类溶剂如四氢呋喃，亚砜类溶剂如二甲亚砜。溶剂的使用量以质量计可为酞菁的量的5至30倍。由式(1)表示的化合物的使用量以质量计可为酞菁的量的0.1至30倍。
本发明中，分析所得的酞菁晶体的NMR测量和热重量(TG)测量的测量数据以确定本发明的酞菁晶体是否在晶体内包含由式(1)表示的化合物。
例如，当用溶解由式(1)表示的化合物的溶剂进行研磨处理时或当研磨之后进行清洁时，进行所得酞菁晶体的NMR测量。当检测到由式(1)表示的化合物时，可确定由式(1)表示的化合物包含在晶体内。
另一方面，当由式(1)表示的化合物不溶于用于研磨处理的溶剂并且不溶于研磨之后的清洁溶剂时，进行所得酞菁晶体的NMR测量。当检测到由式(1)表示的化合物时，由以下方法进行判断。
将通过添加由式(1)表示的化合物而获得的酞菁晶体、除了不添加由式(1)表示的化合物以外按相同的方式制备的酞菁晶体、和单独的由式(1)表示的化合物各自独立地进行TG测量。当通过添加由式(1)表示的化合物而获得的酞菁晶体的TG测量结果可解释为将未添加由式(1)表示的化合物而制备的酞菁晶体与由式(1)表示的化合物的单独测量结果按预定比率的混合时，可确定为酞菁晶体与由式(1)表示的化合物形成简单混合物，或由式(1)表示的化合物附着至酞菁晶体的表面。
另一方面，当通过添加由式(1)表示的化合物而获得的酞菁晶体的TG测量结果示出，与未添加由式(1)表示的化合物而制备的酞菁晶体的TG测量的结果相比，在比单独的由式(1)表示的化合物的减重的结束温度高的温度下减重增加时，可判断由式(1)表示的化合物包含在晶体内。
在以下条件下进行本发明的酞菁晶体的TG测量，X-射线衍射分析，和NMR测量。
[TG测量]
测量仪器：Seiko Instruments Inc.制造的TG/DTA同时测量装置(商品名：TG/DTA 220U)
气氛：氮气流(300cm3/min)
测量范围：35℃至600℃
升温速度：10℃/min
[粉末X射线衍射分析]
测量仪器：Rigaku Corporation制造的X-射线衍射仪RINT-TTRII
X-射线管：Cu
X-射线管电压：50KV
X-射线管电流：300mA
扫描方法：2θ/θ扫描
扫描速度：4.0°/min
取样间隔：0.02°
起始角度(2θ)：5.0°
结束角度(2θ)：40.0°
附件：标准样品保持器
过滤器：未使用
入射单色(incident monochrome)：使用
计数单色仪：未使用
发散狭缝：开放
发散纵向限制狭缝：10.00mm
散射狭缝：开放
光接收狭缝：开放
平板单色仪：使用
计数器：闪烁计数器
[NMR测量]
测量仪器：Bruker制造的AVANCE III 500
溶剂：重氢硫酸盐(deuterium sulfate,D2SO4)
晶体内包含本发明的由式(1)表示的化合物的酞菁晶体具有作为光导材料的优良的功能，并且除电子照相感光构件以外，适用于太阳能电池、传感器、和开关装置等。
以下描述包含本发明的由式(1)表示的化合物的酞菁晶体作为电子照相感光构件的电荷产生物质的使用。
感光层包括：具有包含电荷产生物质和电荷输送物质的单层的单层型感光层；和具有包含电荷产生物质的电荷产生层和包含电荷输送物质的电荷输送层的层压结构的层压型感光层。电荷产生层和电荷输送层的层压顺序可颠倒。
具有导电性的支承体(导电性支承体)适合用于本发明。支承体可由例如，铝、铝合金、铜、锌、不锈钢、钒、钼、铬、钛、镍、铟、金或铂制成。可选地，支承体可由涂覆有铝、铝合金、氧化铟、氧化锡、或氧化铟-氧化锡合金的真空沉积层的塑料(例如，聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、丙烯酸类树脂和聚氟乙烯)；涂覆有导电性颗粒(例如，铝颗粒、氧化钛颗粒、氧化锡颗粒、氧化锌颗粒、炭黑和银颗粒)和粘结剂树脂的塑料或塑料支承体；用导电性颗粒浸渍的塑料或纸支承体；或包含导电性聚合物的塑料等制成。
本发明中，具有屏障功能(barrier function)和附着功能的底涂层(还称作阻挡层(barrier layer)或中间层)可设置在支承体与感光层之间。
底涂层可由原材料如聚乙烯醇、聚环氧乙烷、乙基纤维素、甲基纤维素、酪蛋白、聚酰胺(例如，尼龙6、尼龙66、尼龙610、共聚物尼龙、和N-烷氧基甲基化尼龙)、聚氨酯、胶、氧化铝、和明胶制成。底涂层具有0.1至10μm，优选0.5至5μm的膜厚。
可通过将本发明的酞菁晶体的电荷产生物质和电荷输送物质混合在粘结剂树脂溶液中，将混合液涂布至支承体，并干燥所产生的涂膜来形成单层型感光层。
可通过将本发明的酞菁晶体分散在粘结剂树脂溶液中以制备电荷产生层用涂布液，涂布该涂布液，并干燥所产生的涂膜来形成层压型感光层的电荷产生层。可选地，可通过气相沉积形成电荷产生层。
通过涂布电荷输送层用涂布液并干燥所产生的涂膜可形成电荷输送层。通过将电荷输送物质和粘结剂树脂溶解在溶剂中来获得电荷输送层用涂布液。
电荷输送物质的实例包括三芳胺类化合物，肼类化合物，茋类化合物，吡唑啉类化合物，噁唑类化合物，噻唑类化合物和三烯丙基甲烷类化合物。
用于各层的粘结剂树脂的实例包括如聚酯，丙烯酸类树脂，聚乙烯基咔唑，苯氧基树脂，聚碳酸酯，聚乙烯醇缩丁醛，聚苯乙烯，聚醋酸乙烯酯，聚砜，多芳基化合物，二氯乙烯，丙烯腈共聚物和聚苯亚甲基乙烯(polyvinylbenzal)。
形成感光层的涂布方法的实例包括浸涂法、喷涂法、旋涂法(spinnercoating)、珠涂法、刮涂法(blade coating)、和束涂法(beam coating)。
单层型感光层可具有5至40μm、更优选10至30μm的膜厚。
层压型感光层的电荷产生层可具有0.01至10μm、更优选0.1至3μm的膜厚。电荷输送层可具有5至40μm、更优选10至30μm的膜厚。
层压型感光层的电荷产生物质的含量可为相对于电荷产生层的总质量的20至90质量％，更优选50至80质量％。电荷输送物质的含量可为相对于电荷输送层的总质量的20至80质量％，更优选30至70质量％。
单层型感光层的电荷产生物质的含量可为相对于感光层的总质量的3至30质量％。电荷输送物质的含量可为相对于感光层的总质量的30至70质量％。
本发明的酞菁晶体可与其它电荷产生物质混合以用作电荷产生物质。在这种情况下，酞菁晶体的含量可为相对于总电荷产生物质的50质量％以上。
按需可在感光层上设置保护层。通过将树脂溶解在有机溶剂中而制备的保护层用涂布液涂布至感光层，并干燥所产生的涂膜可形成保护层。用于保护层的树脂的实例包括聚乙烯醇缩丁醛，聚酯，聚碳酸酯(例如，聚碳酸酯Z或改性聚碳酸酯)，尼龙，聚酰亚胺，多芳基化合物，聚氨酯，苯乙烯-丁二烯共聚物，苯乙烯-丙烯酸共聚物，和丙乙烯-丙烯腈共聚物。
保护层可具有0.05至20μm的膜厚。
保护层可包含导电性颗粒或紫外线吸收剂。导电性颗粒的实例包括金属氧化物颗粒如氧化锡颗粒。
图1为设置有具有本发明的电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意图。
以预定的圆周速度(处理速度)沿箭头方向围绕轴2旋转地驱动具有圆筒状(鼓状)的电子照相感光构件1。
旋转过程期间通过充电装置3将电子照相感光构件1的表面静电充电至预定的正电位或负电位。随后用来自图像曝光装置(图中未示出)的图像曝光光4照射电子照相感光构件1的充电表面，以便形成对应于目标图像信息的静电潜像。图像曝光光4为例如，由狭缝曝光或激光束扫描曝光用图像曝光装置输出、对应于目标图像信息的时间序列电子数字图像信号来调制强度的光。
形成在电子照相感光构件1的表面上的静电潜像用储存在显影装置5内的调色剂显影(正常显影或反转显影)，以使在电子照相感光构件1的表面上形成调色剂图像。通过转印装置6将形成在电子照相感光构件1的表面上的调色剂图像转印至转印材料7。在这种情况下，将与调色剂上保留的电荷极性相反的偏压从偏置电源(图中未示出)施加至转印装置6。当转印材料7纸从进纸部(paper feeding portion)(图中未示出)取出，并与电子照相感光构件1的旋转同步进给至电子照相感光构件1与转印装置6之间。
将具有从电子照相感光构件1转印的调色剂图像的转印材料7与电子照相感光构件1的表面分离，并输送至定影调色剂图像的图像定影装置8。由此从电子照相设备打印出图像形成物(打印件或复印件)。
调色剂图像转印至转印材料7之后，将电子照相感光构件1的表面用清洁装置9清洁以除去附着物(attached material)如调色剂(转印残余调色剂)。近年来已开发无清洁系统，转印后可直接由显影装置等除去调色剂。随后电子照相感光构件1的表面用来自预曝光装置(图中未示出)的预曝光光10中和，然后重复用于图像形成。对于具有充电辊的接触充电装置3，不一定需要预曝光装置。
本发明中，将包括电子照相感光构件1、充电装置3、显影装置5、和清洁装置9等的多个组分储存在容器内以一体化支承，从而形成处理盒。处理盒可配置为可与电子照相设备主体分开。例如，将选自由充电装置3、显影装置5、和清洁装置9组成的组中的至少一种与电子照相感光构件1一起一体化支承以形成盒。使用导向装置12如电子照相设备主体的轨道，该盒组成可与电子照相设备主体分开的处理盒11。
图像曝光光4可为来自或通过电子照相设备如复印机和打印机的原稿纸张的反射光或透射光。可选地，图像曝光光4可为由响应来自原稿读取传感器的信号的激光束的扫描、LED阵列(array)的驱动或液晶快门阵列的驱动所产生的辐射束。
本发明的电子照相感光构件1可广泛用于电子照相应用领域如激光束打印机、CRT打印机、LED打印机、FAX、液晶打印机、和激光雕刻(laserengraving)。
实施例
以下参考具体实施例更详细地描述本发明，然而，本发明不限于此。以下"份"意指"质量份"。实施例和比较例中的电子照相感光构件的各层的膜厚通过涡电流式膜厚仪(由Fischer Instruments K.K.制造的Fischerscope)来获得，或基于比重由单位面积质量换算。
[实施例1-1]
以与日本专利申请特开第2011-94101号公报中记载的合成例1和后续的实施例1-1相同的处理制备羟基镓酞菁。然后，将0.5份的羟基镓酞菁、0.5份的示例化合物(1)(产品代码：M0370，由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造)、和9.5份的N,N-二甲基甲酰胺与15份具有0.8mm直径的玻璃珠一起放入球磨机内以在室温下(23℃)研磨45小时。由使用N,N-二甲基甲酰胺的分散液生产羟基镓酞菁晶体。过滤时，用四氢呋喃充分清洁过滤器。将滤渣真空干燥以获得0.49份的羟基镓酞菁晶体。图2说明所生产的羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射图表。
通过NMR测量，确认基于质子比的转化，羟基镓酞菁晶体中包含0.38质量％的示例化合物(1)和2.04质量％的N,N-二甲基甲酰胺。因为示例化合物(1)为液体并且与N,N-二甲基甲酰胺相容，发现示例化合物(1)包含在羟基镓酞菁晶体内。
[实施例1-2]
除了实施例1-1中的0.5份的示例化合物(1)被0.8份的示例化合物(1)替换以外，通过与实施例1-1相同的处理获得0.50份的羟基镓酞菁晶体。所生产的晶体的粉末X-射线衍射图表与图2相同。
通过NMR测量，确认羟基镓酞菁晶体中包含0.49质量％的示例化合物(1)和2.13质量％的N,N-二甲基甲酰胺。
[实施例1-3]
除了实施例1-1中的0.5份的示例化合物(1)被1.0份的示例化合物(1)替换以外，通过与实施例1-1相同的处理获得0.30份的羟基镓酞菁晶体。图3说明生产的晶体的粉末X-射线衍射图表。
通过NMR测量，确认羟基镓酞菁晶体中包含0.56质量％的示例化合物(1)和2.04质量％的N,N-二甲基甲酰胺。
[实施例1-4]
除了实施例1-1中的0.5份的示例化合物(1)被0.2份的示例化合物(1)替换以外，通过与实施例1-1相同的处理获得0.44份的羟基镓酞菁晶体。生产的晶体的粉末X-射线衍射图表与图2相同。
通过NMR测量，确认羟基镓酞菁晶体中包含0.71质量％的示例化合物(1)和1.97质量％的N,N-二甲基甲酰胺。
[实施例1-5]
除了实施例1-1中的通过球磨机的研磨处理被通过油漆搅拌器(由ToyoSeiki Seisaku-Sho,Ltd.制造)的21小时研磨处理替换以外，通过与实施例1-1相同的处理获得0.45份的羟基镓酞菁晶体。图4说明生产的晶体的粉末X-射线衍射图表。
通过NMR测量，确认羟基镓酞菁晶体中包含0.61质量％的示例化合物(1)和1.57质量％的N,N-二甲基甲酰胺。
[实施例1-6]
除了实施例1-1中的N,N-二甲基甲酰胺被二甲亚砜替换以外，通过与实施例1-1相同的处理获得0.41份的羟基镓酞菁晶体。生产的晶体的粉末X-射线衍射图表与图3相同。
通过NMR测量，确认羟基镓酞菁晶体中包含0.48质量％的示例化合物(1)和2.07质量％的二甲亚砜。因为示例化合物(1)为液体并且与二甲亚砜相容，发现示例化合物(1)包含在羟基镓酞菁晶体内。
[实施例1-7]
除了实施例1-6中的0.5份的示例化合物(1)被1.0份的示例化合物(1)替换以外，通过与实施例1-6相同的处理获得0.43份的羟基镓酞菁晶体。生产的晶体的粉末X-射线衍射图表与图3相同。
通过NMR测量，确认羟基镓酞菁晶体中包含0.89质量％的示例化合物(1)和1.96质量％的二甲亚砜。
[实施例1-8]
除了实施例1-6中的0.5份的示例化合物(1)被2.0份的示例化合物(1)替换以外，通过与实施例1-6相同的处理获得0.44份的羟基镓酞菁晶体。生产的晶体的粉末X-射线衍射图表与图2相同。
通过NMR测量，确认羟基镓酞菁晶体中包含1.29质量％的示例化合物(1)和2.30质量％的二甲亚砜。
[实施例1-9]
除了实施例1-5中的N,N-二甲基甲酰胺被二甲亚砜替换以外，通过与实施例1-5相同的处理获得0.45份的羟基镓酞菁晶体。生产的晶体的粉末X-射线衍射图表与图4相同。
通过NMR测量，确认羟基镓酞菁晶体中包含0.60质量％的示例化合物(1)和1.73质量％的二甲亚砜。
[实施例1-10]
除了实施例1-1中的N,N-二甲基甲酰胺被N-甲基吡咯烷酮替换以外，通过与实施例1-1相同的处理获得0.47份的羟基镓酞菁晶体。图5说明生产的晶体的粉末X-射线衍射图表。
通过NMR测量，确认羟基镓酞菁晶体中包含0.38质量％的示例化合物(1)和4.46质量％的N-甲基吡咯烷酮。因为示例化合物(1)为液体并且与N-甲基吡咯烷酮相容，发现示例化合物(1)包含在羟基镓酞菁晶体内。
[实施例1-11]
除了实施例1-10中的0.5份的示例化合物(1)被1.0份的示例化合物(1)替换以外，通过与实施例1-10相同的处理获得0.44份的羟基镓酞菁晶体。生产的晶体的粉末X-射线衍射图表与图3相同。
通过NMR测量，确认羟基镓酞菁晶体中包含0.36质量％的示例化合物(1)和2.40质量％的N-甲基吡咯烷酮。
[实施例1-12]
除了实施例1-10中的0.5份的示例化合物(1)被2.0份的示例化合物(1)替换以外，通过与实施例1-10相同的处理获得0.45份的羟基镓酞菁晶体。生产的晶体的粉末X-射线衍射图表与图3相同。
通过NMR测量，确认羟基镓酞菁晶体中包含0.47质量％的示例化合物(1)和2.30质量％的N-甲基吡咯烷酮。
[实施例1-13]
除了实施例1-1中的0.5份的示例化合物(1)被1.0份的示例化合物(15)(产品代码：P0196，由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造)替换以外，通过与实施例1-1相同的处理获得0.34份的羟基镓酞菁晶体。生产的晶体的粉末X-射线衍射图表与图2相同。
通过NMR测量，确认羟基镓酞菁晶体中包含0.36质量％的示例化合物(15)和1.76质量％的N,N-二甲基甲酰胺。因为示例化合物(15)为可溶于N,N-二甲基甲酰胺的固体，发现示例化合物(15)包含在羟基镓酞菁晶体内。
[实施例1-14]
除了实施例1-13中的1.0份的示例化合物(15)被2.0份的示例化合物(15)替换以外，通过与实施例1-13相同的处理获得0.50份的羟基镓酞菁晶体。生产的晶体的粉末X-射线衍射图表与图2相同。
通过NMR测量，确认羟基镓酞菁晶体中包含0.54质量％的示例化合物(15)和2.13质量％的N,N-二甲基甲酰胺。
[实施例1-15]
除了实施例1-5中的0.5份的示例化合物(1)被1.0份的示例化合物(15)替换以外，通过与实施例1-5相同的处理获得0.47份的羟基镓酞菁晶体。生产的晶体的粉末X-射线衍射图表与图2相同。
通过NMR测量，确认羟基镓酞菁晶体中包含0.19质量％的示例化合物(15)和2.28质量％的N,N-二甲基甲酰胺。
[实施例1-16]
除了实施例1-13中的N,N-二甲基甲酰胺被四氢呋喃替换以外，通过与实施例1-13相同的处理获得0.35份的羟基镓酞菁晶体。生产的晶体的粉末X-射线衍射图表与图3相同。
通过NMR测量，确认羟基镓酞菁晶体中包含0.70质量％的示例化合物(15)和1.06质量％的四氢呋喃。尽管示例化合物(15)难溶于四氢呋喃，但是生产的晶体的TG测量结果示出在比示例化合物(15)的270℃沸点更高的360℃以上的温度下的减重增加。由此发现由式(1)表示的化合物(示例化合物(15))包含在实施例1-16中所生产的羟基镓酞菁晶体中。
[实施例1-17]
除了实施例1-1中的0.5份的示例化合物(1)被1.0份的示例化合物(17)(产品代码：T2215，由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造)替换以外，通过与实施例1-1相同的处理获得0.46份的羟基镓酞菁晶体。所生产的晶体的粉末X-射线衍射图表与图2相同。
通过NMR测量，确认羟基镓酞菁晶体中包含0.70质量％的示例化合物(17)和2.04质量％的N,N-二甲基甲酰胺。因为示例化合物(17)为可溶于N,N-二甲基甲酰胺的固体，发现示例化合物(17)包含在羟基镓酞菁晶体内。
[实施例1-18]
除了实施例1-1中的0.5份的示例化合物(1)被1.0份的示例化合物(2)(产品代码：E0145，由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造)替换以外，通过与实施例1-1相同的处理获得0.45份的羟基镓酞菁晶体。所生产的晶体的粉末X-射线衍射图表与图2相同。
通过NMR测量，确认羟基镓酞菁晶体中包含0.63质量％的示例化合物(2)和2.13质量％的N,N-二甲基甲酰胺。因为示例化合物(2)为液体并且与N,N-二甲基甲酰胺相容，发现示例化合物(2)包含在羟基镓酞菁晶体内。
[实施例1-19]
除了实施例1-1中的0.5份的示例化合物(1)被1.0份的示例化合物(20)(产品代码：P1646，由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造)替换以外，通过与实施例1-1相同的处理获得0.53份的羟基镓酞菁晶体。所生产的晶体的粉末X-射线衍射图表与图3相同。
通过NMR测量，确认羟基镓酞菁晶体中包含1.67质量％的示例化合物(20)和1.79质量％的N,N-二甲基甲酰胺。因为示例化合物(20)为可溶于N,N-二甲基甲酰胺的固体，发现示例化合物(20)包含在羟基镓酞菁晶体内。
[实施例1-20]
除了实施例1-1中的0.5份的示例化合物(1)被1.0份的示例化合物(9)(产品代码：B1784，由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造)替换以外，通过与实施例1-1相同的处理获得0.51份的羟基镓酞菁晶体。所生产的晶体的粉末X-射线衍射图表与图3相同。
通过NMR测量，确认羟基镓酞菁晶体中包含0.91质量％的示例化合物(9)和2.65质量％的N,N-二甲基甲酰胺。因为示例化合物(9)为可溶于N,N-二甲基甲酰胺的固体，发现示例化合物(9)包含在羟基镓酞菁晶体内。
[实施例1-21]
除了实施例1-1中的0.5份的示例化合物(1)被1.0份的示例化合物(22)(产品代码：F0157，由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造)替换以外，通过与实施例1-1相同的处理获得0.42份的羟基镓酞菁晶体。所生产的晶体的粉末X-射线衍射图表与图2相同。
通过NMR测量，确认羟基镓酞菁晶体中包含0.22质量％的示例化合物(22)和2.34质量％的N,N-二甲基甲酰胺。因为示例化合物(22)可溶于N,N-二甲基甲酰胺，发现示例化合物(22)包含在羟基镓酞菁晶体内。
[比较例1-1]
除了不添加实施例1-1中的0.5份的示例化合物(1)以外，通过与实施例1-1相同的处理获得0.4份的羟基镓酞菁晶体。所生产的羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射与图5相同。
[比较例1-2]
除了实施例1-1中的0.5份的示例化合物(1)被1.0份的2,2,6,6-四甲基哌啶替换以外，通过与实施例1-1相同的处理获得0.45份的羟基镓酞菁晶体。
[比较例1-3]
除了实施例1-1中的0.5份的示例化合物(1)被1.0份的N-乙基吡咯烷替换以外，通过与实施例1-1相同的处理获得0.45份的羟基镓酞菁晶体。
[比较例1-4]
除了实施例1-6中的0.5份的示例化合物(1)被0.5份的吗啉替换以外，通过与实施例1-6相同的处理获得0.40份的羟基镓酞菁晶体。
[实施例2-1]
首先，将由60份的涂覆有氧化锡的硫酸钡颗粒(商品名：Passtran PC1，由Mitsui Mining&Smelting Co.,Ltd.制造)，15份的氧化钛颗粒(商品名：TITANIX JR，由Tayca Corporation制造)，43份的甲阶型(resole-type)酚树脂(商品名：Phenolite J-325，由DIC Corporation制造，固成分：70质量％)，0.015份的硅油(商品名：SH28PA，由Dow Corning Toray Co.,Ltd.制造)，3.6份的硅酮树脂(商品名：Tospearl 120，由Momentive Performance Materials Inc.制造)，50份的2-甲氧基-1-丙醇，和50份的甲醇放入球磨机，并分散20小时以制备导电层用涂布液。
通过浸涂将导电层用涂布液涂布至作为支承体的铝圆筒(直径：24mm)，并在140℃下干燥所产生的涂膜30分钟以形成具有15μm膜厚的导电层。
随后将10份的共聚物尼龙树脂(商品名：Amilan CM8000，由TorayIndustries,Inc.制造)和30份的甲氧基甲基化6-尼龙树脂(methoxymethylated6-nylon resin)(商品名：Toresin EF-30T，由Nagase Chemtex Corporation制造)溶解在400份的甲醇和200份的正丁醇的混合溶剂中，以制备底涂层用涂布液。
通过浸涂将底涂层用涂布液涂布至导电层，并干燥所产生的涂膜以形成具有0.5μm膜厚的底涂层。
随后，将10份的实施例1-1中所生产的羟基镓酞菁晶体、5份的聚乙烯醇缩丁醛(商品名：S-LEC BX-1，由Sekisui Chemical Co.,Ltd.制造)、和250份的环己酮与具有1mm直径的玻璃珠放入砂磨机中分散处理4小时。将250份的乙酸乙酯添加至分散液以将其稀释，从而制备电荷产生层用。
通过浸涂将电荷产生层用涂布液涂布至底涂层。在100℃下干燥所产生的涂膜10分钟以形成具有0.16μm膜厚的电荷产生层。
随后，将8份的由下式(3)表示的化合物(电荷输送物质)和10份的聚碳酸酯(商品名：Iupilon Z-200，由Mitsubishi Engineering-Plastics Corporation制造)溶解在70份的一氯苯中以制备电荷输送层用涂布液。
通过浸涂将电荷输送层用涂布液涂布至电荷产生层。在110℃下干燥所产生的涂膜1小时以形成具有23μm膜厚的电荷输送层。
由此制造实施例2-1的圆筒状(鼓状)电子照相感光构件。
[实施例2-2至2-21]
除了实施例2-1中的制备电荷产生层用涂布液时的羟基镓酞菁晶体被实施例1-2至1-21中所生产的羟基镓酞菁晶体替换以外，按与实施例2-1相同的方式制成实施例2-2至2-21的电子照相感光构件。
[比较例2-1至2-4]
除了实施例2-1中的制备电荷产生层用涂布液时的羟基镓酞菁晶体被比较例1-1至1-4中所生产的羟基镓酞菁晶体替换以外，按与实施例2-1相同的方式制成比较例2-1至2-4的电子照相感光构件。
[实施例2-1至2-21和比较例2-1至2-4的电子照相感光构件的评价]
评价实施例2-1至2-21和比较例2-1至2-4的电子照相感光构件的重影图像。
将由Hewlett Packard Japan,Ltd制造的激光束打印机(商品名:Color LaserJet CP3525dn)改造用作评价用电子照相设备。作为改造的结果，预曝光光为不发光的且充电条件和图像曝光量为可变控制的。另外，将制造的电子照相感光构件安装在青色用处理盒并安装至青色用处理盒站(station)，使得在不将其它颜色用处理盒安装至激光束打印机主体时操作。
图像输出时，仅将青色用处理盒安装至主体以便单独使用青色调色剂来输出单色图像。
调整充电条件和图像曝光量以使在23℃/55％RH的常温常湿环境下的初始电位设定为暗部-500V和明部-100V。电位设定时的鼓状电子照相感光构件的表面电位的测量中，改造盒并将电位探针(商品名：型号6000B-8，由TrekJapan Co.,Ltd.制造)安装在显影位置。用表面电位计(商品名：型号344，由TrekJapan Co.,Ltd制造)测量圆筒状电子照相感光构件的中央的电位。
然后在相同条件下评价重影图像。随后，进行1000张的通纸耐久试验(durability test)，并在耐久试验后即刻和耐久试验后15小时评价重影图像。表1描述在常温常湿环境下的评价结果。
随后，将电子照相感光构件与评价用电子照相设备一起静置在15℃/10％RH的低温低湿环境下3天以评价重影图像。在相同条件下进行1000张的通纸耐久试验，并在耐久试验后即刻和耐久试验后15小时评价重影图像。表1还描述在低温低湿环境下的评价结果。
通纸耐久试验中，将文字E的图像用青色单色以1％的打印率形成在A4大小的普通纸上。
如下评价重影图像。
对按以下顺序连续输出的总计8张重影图像进行评价：在第一张输出实白图像，在总计4张上分别输出4种重影图表，在一张上输出实黑图像，并再一次在总计4张上分别输出4种重影图表。重影图像包括以等间隔且相互平行地排列在作为实白背景的距打印图像的起始位置(距纸上端10mm)的30mm-宽的区域内的25mm边长的4个实黑正方形。在距打印图像的起始位置低于30mm-宽的区域的范围内，打印4种半色调打印图案以分出等级。
4种重影图表为排列在距打印图像的起始位置低于30mm-宽的区域的范围内的图表，仅半色调图案不同。半色调图案包括以下4种：
(1)每1个空格(space)横向*打印1点的打印图案(激光曝光)；
(2)每2个空格横向*打印2点的打印图案(激光曝光)；
(3)每3个空格横向*打印2点的打印图案(激光曝光)；和
(4)“桂马(keima)”(类似于桂马跳跃)图案(在6个空格中打印2点的、类似于日本象棋中桂马跳跃方向的“桂马”移动的图案)的打印图案(激光曝光)。
*：横向意指激光扫描仪的扫描方向(输出纸的水平方向)。
如下将重影图像分等级。判断等级4、5和6中本发明的效果不充分。
等级1：任何重影图表中无重影可见。
等级2：特定的重影图表中隐约可见重影。
等级3：任何重影图表中隐约可见重影。
等级4：特定的重影图表中可见重影。
等级5：任何重影图表中可见重影。
等级6：特定的重影图表中明显可见重影。
表1：重影图像的评价结果
本申请要求2012年12月14日提交的日本专利申请No.2012-273732和2013年12月5日提交的日本专利申请No.2013-251798的优先权，其全部内容通过参考引入此处。

Claims (14)

1.一种电子照相感光构件，其包括：
支承体；和
形成在所述支承体上的感光层；
所述电子照相感光构件的特征在于，所述感光层包括酞菁晶体，在所述酞菁晶体内含有由下式(1)表示的化合物：
其中，
R1表示甲酰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或取代或未取代的杂环基团，条件是取代的芳基的取代基不为乙酰基或苯甲酰基。
2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中
式(1)中R1为甲酰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或取代或未取代的杂环基团；
取代的烷基的取代基为烷氧基、吗啉代烷氧基、二烷基氨基、烷氧羰基、取代或未取代的芳基、芳氧基、取代或未取代的杂环基团、卤素原子、氰基或吗啉代基；
取代的芳基的取代基为烷基、烷氧基、二烷基氨基、烷氧羰基、卤素原子、硝基、氰基、甲酰基或吗啉代基；和
取代的杂环基团的取代基为烷基、烷氧基、二烷基氨基、烷氧羰基、卤素原子、硝基、氰基、甲酰基或吗啉代基。
3.根据权利要求2所述的电子照相感光构件，其中
式(1)中R1为取代或未取代的烷基，和
取代的烷基的取代基为烷氧基、吗啉代烷氧基、二烷基氨基、烷氧羰基、芳基、芳氧基、卤素原子、氰基、或吗啉代基。
4.根据权利要求3所述的电子照相感光构件，其中式(1)中R1为甲基，乙基，或丙基。
5.根据权利要求2所述的电子照相感光构件，其中
式(1)中R1为取代或未取代的苯基，和
取代的苯基的取代基为烷基、卤素原子、氰基、或硝基。
6.根据权利要求5所述的电子照相感光构件，其中式(1)中R1为未取代的苯基。
7.根据权利要求1至6任一项所述的电子照相感光构件，其中所述酞菁晶体为镓酞菁晶体。
8.根据权利要求7所述的电子照相感光构件，其中所述镓酞菁晶体为在晶体内含有N,N-二甲基甲酰胺的镓酞菁晶体。
9.根据权利要求7或8所述的电子照相感光构件，其中所述镓酞菁晶体为羟基镓酞菁晶体。
10.根据权利要求9所述的电子照相感光构件，其中所述羟基镓酞菁晶体为在CuKα辐射的X-射线衍射中在布拉格角2θ为7.4°±0.3°和28.3°±0.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体。
11.根据权利要求1至10任一项所述的电子照相感光构件，其中所述酞菁晶体中由式(1)表示的所述化合物的含量为0.1质量％以上且3.0质量％以下。
12.一种可拆卸地安装至电子照相设备的主体的处理盒，其特征在于，所述处理盒一体化支承：
根据权利要求1至11任一项所述的电子照相感光构件；和
选自由充电装置、显影装置、转印装置和清洁装置组成的组中的至少一种装置。
13.一种电子照相设备，其特征在于，包括：
根据权利要求1至11任一项所述的电子照相感光构件；
充电装置、图像曝光装置、显影装置和转印装置。
14.一种酞菁晶体，其特征在于，在所述酞菁晶体内含有由下式(1)表示的化合物：
其中R1表示甲酰基、烯基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或取代或未取代的杂环基团，条件是取代的芳基的取代基不为乙酰基或苯甲酰基。
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