CN103869639A - 电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体 - Google Patents

电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体 Download PDF

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Abstract

本发明涉及电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体。电子照相感光构件包含支承体以及形成于该支承体上的电荷产生层和电荷输送层。所述电荷产生层包含特定胺化合物。

Description

电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体
技术领域
本发明涉及电子照相感光构件、各自具有电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备，并且涉及酞菁晶体。
背景技术
由于通常用于电子照相感光构件的图像曝光装置的半导体激光器具有650至820nm范围的长振荡波长，对长波长范围的光具有高感光度的电子照相感光构件目前处在开发阶段。最近，对短振荡波长的半导体激光器的光具有高感光度的电子照相感光构件也处于开发阶段以实现高分辨率图像。
已知偶氮颜料和酞菁颜料作为对长波长区至短波长区范围的光具有高感光度的电荷产生物质。
尽管使用偶氮颜料或酞菁颜料的电子照相感光构件具有优良的感光性，问题是产生的光载流子趋于残留在感光层充当存储器，在某些情况下容易导致电位变动如重影。
为了解决酞菁颜料的问题，将酞菁颜料与特定的偶氮颜料组合使用。
在日本专利申请特开第S59-30541号公报、日本专利申请特开第2007-138153号公报和日本专利申请特开第2009-301016号公报中描述了用于电子照相感光构件的苯乙酮化合物。
日本专利申请特开第S59-30541号公报中描述了用作酞菁气相沉积膜的吸收波长偏移化剂的乙酰化苯衍生物。
日本专利申请特开第2007-138153号公报中描述了通过使酞菁晶体前驱体与氟苯衍生物接触而制造的在使用CuKα放射线的X射线衍射中在布拉格角2θ为27.2°处具有主峰的氧钛酞菁晶体。根据其描述，由此制备的氧钛酞菁晶体具有改善的晶体稳定性和改善的感光度。
根据日本专利申请特开第2009-301016号公报，将α-氨基苯乙酮化合物作为聚合引发剂加入至感光构件的保护层以改善硬化性。
如上所述，为改善电子照相感光构件已进行各种尝试。近年来，为进一步改善高品质图像，期望防止各种环境中由于重影而导致的图像劣化。
发明内容
本发明的目的是解决上述问题并提供减少不仅在常温常湿环境下而且甚至在低温低湿环境下尤其是严苛条件下由于重影而导致的图像缺陷的电子照相感光构件。本发明的另外一个目的是提供各自具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。本发明的另一个目的是提供在晶体中包含特定胺化合物的酞菁晶体。
本发明提供电子照相感光构件，其包括：支承体；和形成于支承体上的电荷产生层和电荷输送层；其中所述电荷产生层包含电荷产生物质和下式(1)表示的胺化合物：
Figure BDA0000437576590000021
式(1)中，R1至R5各自独立地表示氢原子、卤原子、羟基、羧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、具有取代基的氨基，或者取代或未取代的环氨基。R1至R5的至少之一为用取代或未取代的芳基取代的氨基、用取代或未取代的烷基取代的氨基、或者取代或未取代的环氨基。
本发明还提供可拆卸地安装至电子照相设备的主体的处理盒，其中所述处理盒一体化地支承电子照相感光构件和选自由充电装置、显影装置、转印装置和清洁装置组成的组的至少一种装置。
本发明还提供具有电子照相感光构件与充电装置、图像曝光装置、显影装置和转印装置的电子照相设备。
本发明还提供在晶体中包含式(1)表示的化合物的酞菁晶体。
本发明可提供减少不仅在常温常湿环境下而且甚至在低温低湿环境下尤其是严苛条件下由于重影而导致的图像缺陷的电子照相感光构件。本发明还可提供各自具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。本发明还可提供作为电荷产生物质的具有优良特性的酞菁晶体。
参考附图，由以下示例性实施方案的说明，本发明的进一步特征变得显而易见。
附图说明
图1为设置有具有电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意图。
图2为实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。
图3为参考例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。
具体实施方式
现在将根据附图详细描述本发明的优选实施方案。
本发明的电子照相感光构件的电荷产生层中包含的胺化合物具有下式(1)表示的结构。
Figure BDA0000437576590000031
式(1)中，R1至R5各自独立地表示氢原子、卤原子、羟基、羧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、具有取代基的氨基、或者取代或未取代的环氨基。R1至R5的至少之一为用取代或未取代的芳基取代的氨基、用取代或未取代的烷基取代的氨基、或者取代或未取代的环氨基。
式(1)中R1至R5的至少之一可为用取代或未取代的烷基取代的氨基。更优选地，所述用取代或未取代的烷基取代的氨基特别地为二烷基氨基。
进一步优选地，所述二烷基氨基为二甲基氨基或二乙基氨基。
更优选地，胺化合物特别地为下式(2)表示的胺化合物。
Figure BDA0000437576590000041
式(2)中R6或R7各自独立地表示甲基或乙基。
式(1)中R1至R5的至少之一可为取代或未取代的环氨基。取代或未取代的环氨基的实例包含取代或未取代的哌嗪基，取代或未取代的吡咯烷基，取代或未取代的吡咯基，取代或未取代的三唑基，取代或未取代的咪唑基，取代或未取代的吡啶基，取代或未取代的吡嗪基，取代或未取代的嘧啶基，取代或未取代的三嗪基，取代或未取代的喹啉基，取代或未取代的二氢吲哚基，取代或未取代的吖啶基，取代或未取代的吗啉基(morpholinyl group)，取代或未取代的哌啶基，吗啉代基(morpholino group)，和取代或未取代的哌啶子基(piperidino group)。环氨基可为3至8-元环氨基。构成环的至少一个碳原子可用氧原子或氮原子等取代。特别优选为六元环氨基的吗啉代基或哌啶子基。
更优选地，胺化合物为下式(3)表示的胺化合物。
Figure BDA0000437576590000042
式(1)中取代的烷基、取代的烷氧基、取代的芳氧基、取代的氨基、取代的芳基和取代的环氨基各自的取代基的实例可包括烷基如甲基、乙基、丙基和丁基，芳烷基如苄基，烷氧基如甲氧基和乙氧基，二烷基氨基如二甲基氨基和二乙基氨基，烷氧基羰基如甲氧基羰基和乙氧基羰基，苯基，萘基，联苯基，硝基苯基，甲苯基，溴苯基，氰基苯基，甲氧基苯基，乙酰基苯基，硝基，氰基，甲酰基，烷氧基，乙酰基，卤原子如氟原子、氯原子和溴原子，羟基和卤甲基。特别地烷基为优选取代基。
本发明的电荷产生层可为包括在晶体中含式(1)表示的胺化合物的酞菁晶体的层。
包含于酞菁晶体中的式(1)中的R1至R5的优选取代基与包含于电荷产生层中的式(1)表示的胺化合物的优选取代基相同。
尽管以下描述包含于本发明的电子照相感光构件的电荷产生层中的胺化合物和包含于酞菁晶体中的胺化合物的具体实例(示例性化合物)，但是本发明不局限于此。
Figure BDA0000437576590000061
Figure BDA0000437576590000071
用于本发明的胺化合物可为商购可得的或可例如如下所述合成。
将氨基苯乙酮用作原料。取代基可通过氨基苯乙酮和卤化物之间的取代反应引入至氨基。在金属催化剂的存在下，氨基苯乙酮和芳族卤化物之间的反应对于合成用芳基取代的胺化合物特别有用。可选地，还原胺化反应对合成用烷基取代的胺化合物是有用的。
可选地，将卤代苯乙酮用作原料。氨基可通过卤代苯乙酮和胺之间的取代反应引入至卤素的位置。
以下描述示例性化合物(3)的具体的合成例。合成例中，“份”是指“质量份”。红外(IR)吸收光谱用傅里叶变换红外光谱仪(商品名：FT/IR-420，由Jasco Corporation制造)测定。核磁共振(NMR)光谱用核磁共振设备(商品名：R-90，由Hitachi，Ltd制造)测定。
[合成例1]
示例性化合物(3)的合成
在氮气流下，在包含1,500份甲苯的茄形烧瓶中，加入344份干燥碳酸铯、3.4份醋酸钯、13份(s)-BINAP(2,2'-双(二苯基膦基)-1,1'-联萘)、150份4'-溴代苯乙酮、100份吗啉。在100℃下加热并搅拌所述混合物15小时。冷却后，加入500份氯仿并用铺有硅藻土的过滤器过滤反应液。减压下蒸馏滤液中的溶剂。在硅胶柱(溶剂：甲苯/乙酸乙酯)中精制残渣以制得82份示例性化合物(3)的黄色晶体。
以下描述测定的IR吸收光谱和测定的1H-NMR谱的特征峰。
IR(cm-1，KBr)：2844，1661，1600，1244，1121，930，822
1H-NMR(ppm，CDCL3)：δ=7.88(d，2H)，6.86(d，2H)，3.8-3.9(m，4H)，3.2-3.4(m，4H)，2.52(s，3H)
包含于电荷产生层中的电荷产生物质可为酞菁颜料或偶氮颜料，这是因为具有高感光度。特别地，更优选酞菁颜料或酞菁晶体。
酞菁颜料或酞菁晶体的实例包括可含轴配位体或取代基的无金属酞菁和金属酞菁。酞菁颜料和酞菁晶体中，优选氧钛酞菁晶体和镓酞菁晶体，它们虽然容易导致重影但具有优良的感光度，对本发明是有效的。
镓酞菁晶体中，优选为用CuKα放射线的X射线衍射中在布拉格角2θ为7.4°±0.3°和28.2°±0.3°处具有峰的晶形的羟基镓酞菁晶体，用CuKα放射线的X射线衍射中在布拉格角2θ±0.2°为7.4°、16.6°、25.5°和28.3°处具有峰的晶形的氯镓酞菁晶体。氧钛酞菁晶体中，优选为在布拉格角2θ为27.2°±0.2°处具有峰的晶形的氧钛酞菁晶体。
特别地，优选为在布拉格角2θ为7.4°±0.3°和28.2°±0.3°处具有峰的晶形的羟基镓酞菁晶体。
特别地，更优选在布拉格角2θ±0.2°为7.3°，24.9°和28.1°处具有峰、在28.1°处具有最强峰的晶形的羟基镓酞菁晶体。此外，还优选为在布拉格角2θ±0.2°为7.5°、9.9°、16.3°、18.6°、25.1°和28.3°处具有峰的晶形的羟基镓酞菁晶体。
构成在晶体中包含式(1)表示的胺化合物的酞菁晶体的酞菁的实例包含可具有轴配位体的无金属酞菁和金属酞菁。酞菁可具有取代基。特别优选氧钛酞菁晶体和镓酞菁晶体，其虽然容易导致重影，但具有优良的感光度，对本发明是有效的。
如下所述，构成在晶体中包含式(1)表示的胺化合物的镓酞菁晶体的镓酞菁的实例包含镓原子具有卤原子、羟基或烷氧基轴配位体的镓酞菁分子。酞菁环可包含取代基如卤原子。
优选在晶体中进一步包含N,N-二甲基甲酰胺的镓酞菁晶体。
在镓酞菁晶体中，优选羟基镓酞菁晶体、溴镓酞菁晶体和碘镓酞菁晶体，它们具有优良的感光度，对本发明是有效的。特别地，优选羟基镓酞菁晶体。羟基镓酞菁晶体包含具有羟基轴配位体的镓原子。溴镓酞菁晶体包含具有溴原子轴配位体的镓原子。碘镓酞菁晶体包含具有碘原子轴配位体的镓原子。
羟基镓酞菁晶体中，特别地，更优选用CuKα放射线的X射线衍射中在布拉格角2θ为7.4°±0.3°和28.3°±0.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体，其具有减少由于重影所导致的图像缺陷的作用。
包含于酞菁晶体中的式(1)表示的胺化合物的含量可为0.05质量%以上且3.0质量%以下。
在晶体中包含式(1)表示的胺化合物的酞菁晶体中，将式(1)表示的胺化合物引入晶体中。
下面描述在晶体中包含式(1)表示的胺化合物的酞菁晶体的制造方法。在晶体中包含式(1)表示的胺化合物的酞菁晶体可通过将通过酸溶(acid pasting)制得的酞菁和式(1)表示的胺化合物与溶剂混合并通过湿式研磨法处理以转变成晶体来获得。
研磨处理为在研磨装置如砂磨机和球磨机中使用分散材料如玻璃珠、钢珠和氧化铝球的处理。研磨时间可为约10至60小时。特别优选方法中，以5至10小时的间隔进行取样以检查晶体的布拉格角。研磨处理中分散材料的量可为镓酞菁的10至50质量倍。使用的溶剂的实例包含酰胺系溶剂如N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基甲酰胺、N-甲基乙酰胺和N-甲基丙酰胺，卤素系溶剂如氯仿，醚系溶剂如四氢呋喃，亚砜系溶剂如二甲亚砜。使用的溶剂的量可为酞菁的5至30质量倍。所使用的式(1)表示的胺化合物的量可为酞菁的0.1至30质量倍。
本发明中，分析通过NMR测量和热重(TG)测量所得的酞菁晶体的测量数据以确定本发明的酞菁晶体是否在晶体中包含式(1)表示的胺化合物。
例如，当用溶剂溶解式(1)表示的胺化合物进行研磨处理时或当研磨后进行清洗时，进行所得的酞菁晶体的NMR测量。当从所得的酞菁晶体中检测到式(1)表示的化合物时，判断晶体中包含式(1)表示的胺化合物。
另一方面，当式(1)表示的胺化合物不溶于研磨处理中使用的溶剂且不溶于研磨后的清洗溶剂时，进行所得的酞菁晶体的NMR测量。当检测到式(1)表示的胺化合物时，通过以下方法进行判断。
单独进行通过加入式(1)表示的胺化合物而获得的酞菁晶体、除不加入式(1)表示的胺化合物之外以相同方式制备的酞菁晶体、和仅式(1)表示的胺化合物的各自的TG测量。当通过加入胺化合物而获得的酞菁晶体的TG测量结果解释为在不加入胺化合物下制备的酞菁晶体和胺化合物的单独测量结果的预定比例的混合时，判断为酞菁晶体和胺化合物形成简单混合物或胺化合物附着至酞菁晶体的表面。
另一方面，当通过加入胺化合物而获得的酞菁晶体的TG测量结果显示，与不加胺化合物而制备的酞菁晶体的TG测量结果相比，在温度高于仅胺化合物的重量减少完成的温度下，重量减少增加时，判断晶体中包含式(1)表示的胺化合物。
在以下条件下进行本发明的酞菁晶体的TG测量、X射线衍射分析和MR测量。
[TG测量]
测量仪器：同时TG/DTA测量装置(由Seiko Instruments Inc制造)。(商品名：TG/DTA220U)
氛围：氮气流(300cm3/min)
测量范围：35℃至600℃
温度上升速率：10℃/min
[粉末X射线衍射分析]
测量仪器：X射线衍射分析仪RINT-TTRII(由Rigaku Corporation制造)
X射线管：Cu
X射线管电压：50KV
X射线管电流：300mA
扫描方法：2θ/θ扫描
扫描速率：4.0°/min
采样间隔：0.02°
起始角度(2θ)：5.0°
停止角度(2θ)：40.0°
附件：标准样品台
滤波器：不使用
入射单色：使用
计数单色仪(counter monochrometer)：不使用
发散狭缝：开放
纵发散限制狭缝：10.00mm
散射狭缝：开放
光接收狭缝：开放
平板单色仪：使用
计数器：闪烁计数器
[NMR测量]
测量仪器：AVANCE III500(由Bruker制造)
溶剂：重硫酸(D2SO4)
晶体中包含本发明的式(1)表示的化合物的酞菁晶体作为光导电体具有优良的功能，并且除了可应用于电子照相感光构件外还应用于太阳能电池、传感器和开关装置等。
本发明的电子照相感光构件作为感光层包括含电荷产生物质的电荷产生层和含电荷输送物质的电荷输送层。虽然电荷产生层和电荷输送层的任一种可为上层(表面侧)，但是更优选电荷产生层为下层(支承体侧)。
适宜使用具有导电性的支承体(导电支承体)。导电支承体的实例包含由金属(合金)(如铝和不锈钢)制成的支承体和由表面涂布有导电性膜的金属、合金、塑料或纸制成的支承体。支承体的形状可为例如圆筒状或膜状。
具有阻挡作用和粘合作用的底涂层(也称作中间层)可配置于支承体和感光层(电荷输送层或电荷产生层)之间。
底涂层可通过在支承体或下述的导电层上施涂底涂层形成用涂布液并干燥制得的涂膜来形成。涂布液可通过在溶剂中溶解树脂来制备。树脂的实例包含聚乙烯醇、聚环氧乙烷、乙基纤维素、甲基纤维素、酪蛋白、聚酰胺、胶和明胶。底涂层可具有膜厚度为0.3至5.0μm。
导电层可配置于支承体和底涂层之间以覆盖支承体表面上的不规则和缺陷并减少干涉条纹。
导电层可通过在支承体上施涂导电层形成用涂布液且干燥并固化制得的涂膜来形成。导电层形成用涂布液可通过在溶剂中分散导电性颗粒(如炭黑、金属颗粒和金属氧化物颗粒)和粘结剂树脂来制备。导电层可具有的膜厚度为5至40μm，更优选地10至30μm。
电荷产生层可通过施涂电荷产生层形成用涂布液并干燥制得的涂膜来形成。电荷产生层形成用涂布液可通过在溶剂中分散胺化合物和电荷产生物质、或包含胺化合物的酞菁晶体，及粘结剂树脂来制备。电荷产生层可具有的膜厚度为0.05至1μm，更优选地0.1至0.3μm。
电荷产生层中的胺化合物的含量相对于电荷产生层的总质量可为0.05质量%以上且15质量%以下，更优选地0.1质量%以上且10质量%以下。电荷产生层中的胺化合物的含量相对于电荷产生物质可为0.1质量%以上且20质量%以下，更优选地0.3质量%以上且10质量%以下。
电荷产生层中的电荷产生物质的含量相对于电荷产生层的总质量可为30质量%以上且90质量%以下，更优选地50质量%以上且80质量%以下。
包含于电荷产生层中的胺化合物可为非结晶的或结晶的。可以组合使用两种以上的胺化合物。
用于电荷产生层的粘结剂树脂的实例包含聚酯、丙烯酸类树脂、苯氧基树脂、聚碳酸酯、聚乙烯醇缩丁醛、聚苯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚砜、聚芳酯、偏二氯乙烯、丙烯腈共聚物和聚乙烯醇缩苯甲醛(polyvinyl benzal)。特别优选聚乙烯醇缩丁醛和聚乙烯醇缩苯甲醛。
电荷输送层可通过施涂电荷输送层形成用涂布液并干燥制得的涂膜来形成。电荷输送层形成用涂布液可通过在溶剂中溶解电荷输送物质和粘结剂树脂来制备。
电荷输送层可具有的膜厚度为5至40μm，更优选地10至25μm。
电荷输送物质的含量相对于电荷输送层的总质量可为20质量%以上且80质量%以下，更优选地30质量%以上且60质量%以下。
电荷输送物质的实例包含三芳基胺化合物、腙化合物、芪化合物、吡唑啉化合物、噁唑化合物、噻唑化合物和三烯丙基甲烷化合物。特别地，优选三芳基胺化合物。
用于电荷输送层的粘结剂树脂的实例包含聚酯、丙烯酸类树脂、苯氧基树脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚砜、聚芳酯、偏二氯乙烯、丙烯腈共聚物。特别地，优选聚碳酸酯和聚芳酯。
用于形成各层的涂布液的施涂方法的实例包括浸渍涂布法(浸涂法)、喷涂法、旋涂法、珠涂法、刮涂法和束涂法。
可在感光层(电荷产生层或电荷输送层)上设置保护层以保护感光层。
保护层可通过在感光层上施涂通过在溶剂中溶解树脂来制备的保护层形成用涂布液并干燥和固化制得的涂膜来形成。所述涂膜可用加热、电子束或紫外线来固化。用于保护层的树脂的实例包含聚乙烯醇缩丁醛、聚酯、聚碳酸酯(如，聚碳酸酯Z和改性聚碳酸酯)、尼龙、聚酰亚胺、聚芳酯、聚氨酯、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丙烯酸共聚物和苯乙烯-丙烯腈共聚物。
保护层可具有的膜厚度为0.05至20μm。
保护层可包含导电性颗粒、紫外线吸收剂，或润滑性颗粒如含氟原子的树脂颗粒。导电性颗粒的实例包含金属氧化物颗粒如氧化锡颗粒。
图1为设置有具有本发明的电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意图。
具有圆筒状(鼓状)的电子照相感光构件1沿箭头方向以预定的圆周速度(处理速度)绕轴2旋转驱动。
旋转过程期间，用充电装置3使电子照相感光构件1的表面静电带电至正的或负的预定电位。随后，用来自图像曝光装置(图中未示出)的图像曝光光4照射电子照相感光构件1的表面以形成与目标图像信息相对应的静电潜像。图像曝光光4对应于从例如用于狭缝曝光或用扫描激光束曝光的图像曝光装置输出的目标图像信息的时间系列电数字图像信号而调制强度。
形成于电子照相感光构件1表面上的静电潜像用贮存于显影装置5中的调色剂显影(正规显影或反转显影)以在电子照相感光构件1的表面上形成调色剂图像。将形成于电子照相感光构件1的表面上的调色剂图像用转印装置6转印至转印材料7。在这种情况下，将具有与残留在调色剂上的电荷的极性相反极性的偏压从偏压电源施加至转印装置6(图中未示出)。以与电子照相感光构件1的旋转同步将纸的转印材料7从进纸部分(图中未示出)取出以供给至电子照相感光构件1和转印装置6之间。
将具有从电子照相感光构件1转印的调色剂图像的转印材料7从电子照相感光构件1的表面分离并输送至用于调色剂图像定影的图像定影装置8。由此从电子照相设备打印出图像形成物(打印件或复印件)。
调色剂图像转印至转印材料7后，电子照相感光构件1的表面用清洁装置9清洁以除去附着材料如调色剂(转印后残留的调色剂)。最近开发的无清洁器系统中，可用显影设备等在转印后直接除去调色剂。随后，用来自预曝光装置(图中未示出)的预曝光光10中和电子照相感光构件1的表面，然后重复用于图像形成。对于具有充电辊的接触充电装置3不必需要求预曝光装置。
选自由电子照相感光构件1、充电装置3、显影装置5和清洁装置9组成的组的多个组件可容纳于容器中并一体化地支承以形成可拆卸地安装至电子照相设备主体的处理盒。例如，将选自由充电装置3、显影装置5和清洁装置9组成的组的至少一种与电子照相感光构件1一起一体化地支承以形成盒。所述盒构成用引导装置12(如电子照相设备主体的导轨)可拆卸地安装至电子照相设备主体的处理盒11。
图像曝光光4可为来自电子照相设备(如复印机和打印机)的原稿的反射光束或透过电子照相设备(如复印机和打印机)的原稿的透射光束。可选地，图像曝光光4可为通过响应于来自原稿读取传感器的信号的激光束的扫描、LED阵列的驱动或液晶快门阵列的驱动产生的放射光束。
本发明的电子照相感光构件1可广泛的用于电子照相应用领域如激光束打印机、CRT打印机、LED打印机、FAX、液晶打印机和激光制版。
[实施例]
参照以下具体实施例进一步详细描述本发明，尽管本发明不局限于此。实施例和比较例中的电子照相感光构件的各层的膜厚度用涡流膜厚度计(Fischerscope，由Fischer Instrumens K.K.制造)或基于从每单位面积的质量换算的比重获得。
[实施例1-1]
羟基镓酞菁通过与日本专利申请特开2011-94101中描述的合成例1和随后的实施例1-1中相同的处理来制备。然后，将0.5份羟基镓酞菁、1.0份示例性化合物(1)(产品代码：D1575，由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.制造)，9.5份N,N-二甲基甲酰胺放入具有15份直径为0.8mm的玻璃珠的球磨机中以在室温(23℃)下研磨48小时。由用N,N-二甲基甲酰胺的分散液制得羟基镓酞菁晶体。过滤时，过滤器用四氢呋喃充分清洁。真空干燥滤渣以便获得0.5份羟基镓酞菁晶体。制得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图示于图2。
通过NMR测量，基于质子比率的换算确认：0.39质量%的示例性化合物(1)和1.83质量%的N,N-二甲基甲酰胺包含于羟基镓酞菁晶体中。由于示例性化合物(1)溶于N,N-二甲基甲酰胺，发现示例性化合物(1)包含于羟基镓酞菁晶体中。
[实施例1-2]
除用合成例1中制得的示例性化合物(3)代替实施例1-1中的示例性化合物(1)外，通过与实施例1-1中的相同的处理获得0.45份羟基镓酞菁晶体。制得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图与图2中的相同。
通过NMR测量，证实0.42质量%的示例性化合物(3)和1.83质量%的N,N-二甲基甲酰胺包含于羟基镓酞菁晶体中。由于示例性化合物(3)溶于N,N-二甲基甲酰胺，发现示例性化合物(3)包含于羟基镓酞菁晶体中。
[实施例1-3]
除用0.5份示例性化合物(3)代替实施例1-2中的1.0份示例性化合物(3)外，通过与实施例1-2中的相同的处理获得0.45份羟基镓酞菁晶体。制得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图与图2中的相同。
通过NMR测量，证实0.23质量%的示例性化合物(3)和1.89质量%的N,N-二甲基甲酰胺包含于羟基镓酞菁晶体中。
[参考例1-1]
除不添加实施例1-1中的1.0份示例性化合物(1)外，以与实施例1-1中的相同的处理来获得0.4份羟基镓酞菁晶体。制得的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图示于图3。
[实施例2-1]
首先，将60份涂布有氧化锡的硫酸钡颗粒(商品名：Passtran PC1，由MitsuiMining & Smelting Co.,Ltd.制造)、15份氧化钛颗粒(商品名：TITANIX JR，由Tayca Corporation制造)、43份甲阶型酚醛树脂(商品名：Phenolite J-325，由DIC Corporation制造，固成分：70质量%)、0.015份硅油(商品名：SH28PA，由Dow Corning Toray Co.,Ltd.制造)、3.6份硅酮树脂(商品名：Tospearl120，由Momentive Performance Materials Inc.制造)、50份2-甲氧基-1-丙醇，和50份甲醇放入球磨机中，并分散20小时以制备导电层形成用涂布液。
将导电层形成用涂布液用浸渍涂布施涂于作为支承体的铝圆筒(直径：24mm)上，将制得的涂膜在140℃下干燥30分钟以便形成具有膜厚度为15μm的导电层。
随后，将10份共聚尼龙树脂(商品名：Amilan CM8000，由Toray Industries，Inc.制造)和30份甲氧基甲基化的6-尼龙树脂(商品名：Tresin EF-30T，由NagaseChemtex Corporation制造)溶于400份甲醇和200份正丁醇的混合溶剂以制备底涂层形成用涂布液。
将底涂层形成用涂布液用浸渍涂布施涂于导电层，将制得的涂膜干燥以便形成具有膜厚度为0.5μm的底涂层。
随后，将10份在实施例1-1中制得的羟基镓酞菁晶体(电荷产生物质)、5份聚乙烯醇缩丁醛(商品名：S-LEC BX-1，由Sekisui Chemical Co.,Ltd.制造)，和250份环己酮放入具有直径为1mm的玻璃珠的砂磨机中以分散处理4小时。向分散液中，加入250份乙酸乙酯以稀释分散液，从而制备电荷产生层形成用涂布液。
将电荷产生层形成用涂布液用浸渍涂布施涂于底涂层。将制得的涂膜在100℃下干燥10分钟以形成具有膜厚度为0.16μm的电荷产生层。
随后，将8份下式(4)表示的化合物(电荷输送物质)和10份聚碳酸酯(商品名：Iupilon Z-200，由Mitsubishi Engineering-Plastics Corporation制造)溶于70份一氯苯以制备电荷输送层形成用涂布液。
Figure BDA0000437576590000181
将电荷输送层形成用涂布液通过浸渍涂布施涂于电荷产生层。将制得的涂膜在110℃下干燥1小时以形成具有膜厚度为23μm的电荷输送层。
由此制造圆筒状(鼓状)的实施例2-1的电子照相感光构件。
[实施例2-2]
除用实施例1-2中制得的羟基镓酞菁晶体代替实施例2-1中在制备电荷产生层形成用涂布液时的羟基镓酞菁晶体外，以与实施例2-1中的相同的方式制造实施例2-2中的电子照相感光构件。
[实施例2-3]
除用实施例1-3中制得的羟基镓酞菁晶体代替实施例2-1中在制备电荷产生层形成用涂布液时的羟基镓酞菁晶体外，以与实施例2-1中相同的方式制造实施例2-3中的电子照相感光构件。
[实施例2-4]
除将实施例2-1中的电荷产生层形成用涂布液的制备变成以下外，以与实施例2-1中相同的方式制造实施例2-4中的电子照相感光构件。
首先，将10份参考例1-1中制得的羟基镓酞菁晶体(电荷产生物质)、0.5份示例性化合物(1)、5份聚乙烯醇缩丁醛(商品名：S-LEC BX-1，由SekisuiChemical Co.,Ltd.制造)，和250份环己酮放入具有直径为1mm的玻璃珠的砂磨机中以分散处理4小时。然后，将250份乙酸乙酯加入至分散液用于稀释，以制备电荷产生层形成用涂布液。
[实施例2-5]
除用1.0份示例性化合物(1)代替实施例2-4中在制备电荷产生层形成用涂布液时的0.5份示例性化合物(1)外，以与实施例2-4中相同的方式制造实施例2-5中的电子照相感光构件。
[实施例2-6]
除用0.1份示例性化合物(3)代替实施例2-4中在制备电荷产生层形成用涂布液时的0.5份示例性化合物(1)外，以与实施例2-4中相同的方式制造实施例2-6中的电子照相感光构件。
[实施例2-7]
除用0.5份示例性化合物(3)代替实施例2-4中在制备电荷产生层形成用涂布液时的0.5份示例性化合物(1)外，以与实施例2-4中相同的方式制造实施例2-7中的电子照相感光构件。
[实施例2-8]
除用1.0份示例性化合物(3)代替实施例2-4中在制备电荷产生层形成用涂布液时的0.5份示例性化合物(1)外，以与实施例2-4中相同的方式制造实施例2-8中的电子照相感光构件。
[实施例2-9]
除用0.5份示例性化合物(6)代替实施例2-4中在制备电荷产生层形成用涂布液时的0.5份示例性化合物(1)外，以与实施例2-4中相同的方式制造实施例2-9中的电子照相感光构件。
[实施例2-10]
除用0.5份示例性化合物(8)代替实施例2-4中在制备电荷产生层形成用涂布液时的0.5份示例性化合物(1)外，以与实施例2-4中相同的方式制造实施例2-10中的电子照相感光构件。
[实施例2-11]
除用0.5份示例性化合物(9)(产品代码：D1446，由Tokyo Chemical IndustryCo.,Ltd.制造)代替实施例2-4中在制备电荷产生层形成用涂布液时的0.5份示例性化合物(1)外，以与实施例2-4中相同的方式制造实施例2-11中的电子照相感光构件。
[比较例2-1]
除用参考例1-1中制得的羟基镓酞菁晶体代替实施例2-1中在制备电荷产生层形成用涂布液时的羟基镓酞菁晶体外，以与实施例2-1中相同的方式制作比较例2-1中的电子照相感光构件。
[比较例2-2]
除用0.5份苯乙酮代替实施例2-4中在制备电荷产生层形成用涂布液时的0.5份示例性化合物(1)外，以与实施例2-4中相同的方式制造比较例2-2中的电子照相感光构件。
[比较例2-3]
除用0.5份2-(二甲基氨基)-1-(4-吗啉代苯基)-2-苄基-1-丁酮代替实施例2-4中在制备电荷产生层形成用涂布液时的0.5份示例性化合物(1)外，以与实施例2-4中的相同的方式制造比较例2-3中的电子照相感光构件。
[比较例2-4]
除用0.5份3-氯-4-氟苯乙酮代替实施例2-4中在制备电荷产生层形成用涂布液时的0.5份示例性化合物(1)外，以与实施例2-4中相同的方式制造比较例2-4中的电子照相感光构件。
[实施例2-1至2-11和比较例2-1至2-4中的电子照相感光构件的评价]
对实施例2-1至2-11和比较例2-1至2-4的电子照相感光构件的重影图像进行评价。
将由Hewlett Packard Japan,Ltd.制造的激光束打印机(商品名：Color LaserJet CP3525dn)改造以用作评价用的电子照相设备。作为改造的结果，预曝光光不发光且可变地控制充电条件和图像曝光量。此外，将制造的电子照相感光构件安装于青色用处理盒中并连接至青色用处理盒的位置，使得其可在不安装其它颜色用处理盒至激光束打印机主体的情况下进行操作。
输出图像时，仅将青色用处理盒安装至主体以仅使用青色调色剂输出单色图像。
调整充电条件和图像曝光量以在23℃/55%RH的常温常湿环境下将初始电位设置为暗区为-500V和亮区为-100V。在用于电位设置的鼓状电子照相感光构件的表面电位的测量中，改造盒并将电位探针(商品名：型号6000B-8，由Trek Japan Co.,Ltd.制造)安装于显影位置。用表面电位仪(商品名：型号344，由Trek Japan Co.,Ltd.制造)测定圆筒状的电子照相感光构件的中央部的电位。
然后在相同条件下评价重影图像。随后，进行1,000张的通纸耐久试验，评价耐久试验后即刻和15小时后的重影图像。在常温常湿环境下的评价结果描述于表1。
随后，将电子照相感光构件和评价用的电子照相设备一起在15℃/10%RH的低温低湿环境下静置3天以便评价重影图像。在相同的条件下，进行1,000张的通纸耐久试验，评价耐久试验后即刻和15小时后的重影图像。在低温低湿环境下的评价结果也描述于表1。
在通纸耐久试验中，1%打印率的文字E的图像以青色单色形成于A4大小的普通纸上。
重影图像评价如下。基于以下顺序连续输出的总计8张上的重影图像进行评价：在第一张上输出实心白色图像，在总计4张上分别输出4类重影图，在一张上输出实心黑色图像，并再次在总计4张上分别输出4类重影图。重影图包括：在作为实心白色背景的、距打印图像的起始位置(距纸的上端10mm)30mm宽度范围内，4个以等间隔平行排列的25mm边的实心黑色正方形图像。在距打印图像的起始位置30mm宽度范围以下的范围中，打印4类半色调打印图案以便分成等级。
4类重影图为排列在距打印图像的起始位置30mm宽度范围以下的范围中、仅半色调图案不同的图。半色调图案包括以下4类：
(1)沿横向*具有1点和1间隔的打印图案(激光曝光)；
(2)沿横向*具有2点和2间隔的打印图案(激光曝光)；
(3)沿横向*具有2点和3间隔的打印图案(激光曝光)；和
(4)“桂马”(与国际象棋棋盘中的马的跳跃相似)图案的打印图案(激光曝光)(像日本象棋中的“桂马”棋子类似于马跳跃方向相似的移动，具有在6个正方形中打印的2点的图案)。
*：横向是指激光扫描仪的扫描方向(输出纸张的水平方向)。
将重影图像分成以下等级。判断本发明的效果在等级4，5和6中是不充分的。
等级1：在任意重影图中看不见重影。
等级2：在特定重影图中模糊可见重影。
等级3：在任意重影图中模糊可见重影。
等级4：在特定重影图中可见重影。
等级5：在任意重影图中可见重影。
等级6：在特定重影图中清晰可见重影。
表1：重影图像的评价结果
Figure BDA0000437576590000221
虽然本发明已参照示例性实施方案进行描述，要理解本发明并不局限于公开的示例性实施方案。以下要求的范围给予宽泛的解释以便包含全部改进和等同结构和功能。

Claims (17)

1.一种电子照相感光构件，其包含：支承体；和形成于所述支承体上的电荷产生层和电荷输送层；
其中所述电荷产生层包含：电荷产生物质；和下式(1)表示的胺化合物；
Figure FDA0000437576580000011
其中，
R1至R5各自独立表示氢原子、卤原子、羟基、羧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、具有取代基的氨基、或者取代或未取代的环氨基；和
R1至R5的至少之一为用取代或未取代的芳基取代的氨基、用取代或未取代的烷基取代的氨基，或者取代或未取代的环氨基。
2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中R1至R5的至少之一为用取代或未取代的烷基取代的氨基。
3.根据权利要求2所述的电子照相感光构件，其中所述用取代或未取代的烷基取代的氨基为二烷基氨基。
4.根据权利要求3所述的电子照相感光构件，其中所述二烷基氨基为二甲基氨基或二乙基氨基。
5.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述胺化合物为下式(2)表示的胺化合物：
Figure FDA0000437576580000012
其中R6和R7各自独立地表示甲基或乙基。
6.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中R1至R5的至少之一为取代或未取代的环氨基。
7.根据权利要求6所述的电子照相感光构件，其中所述取代或未取代的环氨基为吗啉代基或哌啶子基。
8.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述胺化合物为下式(3)表示的胺化合物：
Figure FDA0000437576580000021
9.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述电荷产生层中的所述胺化合物的含量相对于所述电荷产生物质为0.1质量%以上且20质量%以下。
10.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述电荷产生物质为酞菁晶体。
11.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述电荷产生层为包括酞菁晶体的层，在所述酞菁晶体中含有式(1)表示的胺化合物。
12.根据权利要求11所述的电子照相感光构件，其中在所述酞菁晶体中的所述胺化合物的含量为0.05质量%以上且3.0质量%以下。
13.根据权利要求10或11所述的电子照相感光构件，其中所述酞菁晶体为镓酞菁晶体。
14.根据权利要求13所述的电子照相感光构件，其中所述镓酞菁晶体为在用CuKα放射线的X射线衍射中，在布拉格角2θ为7.4°±0.3°和28.2°±0.3°处具有峰的晶形的羟基镓酞菁晶体。
15.一种处理盒，其可拆卸地安装至电子照相设备的主体，其中所述处理盒一体化地支承：根据权利要求1至14任一项所述的电子照相感光构件；和选自由充电装置、显影装置、转印装置和清洁装置组成的组的至少一种装置。
16.一种电子照相设备，其包含：
根据权利要求1至14任一项所述的电子照相感光构件；与
充电装置、图像曝光装置、显影装置和转印装置。
17.一种酞菁晶体，在所述酞菁晶体中包含下式(1)表示的化合物：
Figure FDA0000437576580000031
其中
R1至R5各自独立表示氢原子、卤原子、羟基、羧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、具有取代基的氨基、或者取代或未取代的环氨基；和
R1至R5的至少之一为用取代或未取代的芳基取代的氨基、用取代或未取代的烷基取代的氨基，或者取代或未取代的环氨基。
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