KR101580711B1 - 전자사진 감광부재, 프로세스 카트리지 및 전자사진 장치 - Google Patents

전자사진 감광부재, 프로세스 카트리지 및 전자사진 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 저온 및 저습도 환경하에서도 고스트를 억제하는 전자사진 감광 부재 및 상기 전자사진 감광 부재를 갖는 전자사진 장치에 관한 것이다. 본 발명의 전자사진 감광 부재는 지지체, 상기 지지체상에 형성된 언더코트층, 및 상기 언더코트층 상에 형성되고 전하 발생 물질과 정공 수송 물질을 포함하는 감광층을 가지며, 여기서 상기 언더코트층은 특정의 아민 화합물을 포함한다.

Description

전자사진 감광부재, 프로세스 카트리지 및 전자사진 장치{ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER, PROCESS CARTRIDGE AND ELECTROPHOTOGRAPHIC APPARATUS}
본 발명은 전자사진 감광 부재, 및 상기 전자사진 감광 부재를 갖는 프로세스 카트리지 및 전자사진 장치에 관한 것이다.
최근, 유기 화합물인 전하 발생 물질 및 정공 수송 물질(전하 수송 물질)을 포함하는 감광층을 갖는 전자사진 감광 부재(유기 전자사진 감광 부재)가 전자사진 장치, 예컨대 복사기 및 레이저빔 프린터에 널리 사용되고 있다.
전하 발생 물질중에서, 프탈로시아닌 안료 및 아조 안료가 높은 감도를 갖는 전하 발생 물질로서 알려져 있다.
반면에, 프탈로시아닌 안료 또는 아조 안료를 사용한 전자사진 감광 부재에서, 발생되는 광전하(photocarrier)(정공 및 전자)의 양이 크므로, 정공 수송 물질에 의해 이동된 정공의 상대인 전자가 감광층(전하 발생층)에 잔류하는 경향이 있다. 그러므로, 프탈로시아닌 안료 또는 아조 안료를 사용하는 전자사진 감광 부재는 고스트(ghost)라 명명되는 현상이 일어나기 쉽다는 문제가 있다. 구체적으로, 예선회(pre-rotation)시에 광이 조사되는 영역에서만 높은 농도를 갖는 포지티브 고스트 및 예선회시에 광이 조사되는 영역에서만 낮은 농도를 갖는 네거티브 고스트가 출력 화상에서 관찰된다.
일본 특허 출원 공개 제 2002-091044호는 도전성 지지체와 감광층 사이에 제공된 언더코트(undercoat) 층에 전자 수송 유기 화합물 및 폴리아미드 수지를 포함시킴으로써 환경에 의한 노광 전위 및 잔류 전위의 변화를 감소시키는 기법을 개시하고 있다.
일본 특허 출원 공개 제 2007-148293호는 전하 발생층, 및 지지체와 전하 발생층 사이에 제공된 중간층에 전자 수송 물질을 포함시켜서 고스트를 억제하는 기법을 개시하고 있다.
일본 특허 출원 공개 제 H08-095278호는 감광층에 벤조페논 유도체를 포함시킴으로써 기체에 대한 내성을 증가시키고 감도 및 대전성의 열화를 억제하는 기법을 개시하고 있다.
일본 특허 출원 공개 제 S58-017450호는 벤조페논 유도체를 함유하는 층을 지지체와 감광층 사이에 제공함으로써 반복 사용후에 감도의 열화를 억제하는 기법을 개시하고 있다.
현재, 다양한 환경에서 고스트를 억제할 필요가 있는 실정이다. 고스트는 특히 다양한 환경중에서도 저온 및 저습도 환경하에 일어나기 쉽지만, 상기 기법들은 저온 및 저습도 환경하에서 고스트를 억제하는 효과 면에서 충분하지 못하다.
본 발명의 목적은 저온 및 저습도 환경에서도 고스트를 억제하는 전자사진 감광 부재, 및 상기 전자사진 감광 부재를 갖는 프로세스 카트리지 및 전자사진 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 지지체, 상기 지지체상에 형성된 언더코트층, 및 상기 언더코트층 상에 형성되고 전하 발생 물질과 정공 수송 물질을 포함하는 감광층을 가지며, 여기서 상기 언더코트층이 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함하는 것인 전자사진 감광 부재를 제공한다:
Figure 112012096233303-pat00001
상기 화학식 1에서, R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 카르복시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 아실기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 또는 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기이되, 단, R1 내지 R10중 하나 이상이 치환 또는 비치환된 아릴기로 치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 알킬기로 치환된 아미노기, 또는 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기를 나타내는 것을 조건으로 하며; X1은 카르보닐기 또는 디카르보닐기를 나타낸다.
또한, 본 발명은 전자사진 감광 부재 및 대전 유닛, 현상 유닛, 전사 유닛 및 클리닝 유닛으로 이루어진 군중에서 선택된 하나 이상의 유닛을 일체로 지지하고 전자사진 장치의 본체에 탈착가능하게 장착할 수 있는 프로세스 카트리지를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 전자사진 감광 부재, 및 대전 유닛, 화상 노광 유닛, 현상 유닛 및 전사 유닛을 갖는 전자사진 장치를 제공한다.
본 발명은 저온 및 저습도 환경에서도 고스트를 억제할 수 있는 전자사진 감광 부재, 및 상기 전자사진 감광 부재를 갖는 프로세스 카트리지 및 전자사진 장치를 제공한다.
본 발명의 다른 특징들은 첨부 도면을 참조하여 설명한 이하의 예시적인 실시양태의 설명을 통해 명확히 파악할 수 있을 것이다.
도 1은 전자사진 감광 부재의 층 구조의 일례를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 전자사진 감광 부재를 갖는 프로세스 카트리지를 구비한 전자사진 장치의 개요적인 구조의 한 실시예를 도시한 도면이다.
도 3은 고스트를 평가하기 위한 화상을 나타내는 도면이다.
이하에서는 첨부 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시양태들을 상세히 설명하고자 한다.
본 발명의 전자사진 감광 부재는 지지체, 상기 지지체상에 형성된 언더코트층(중간층 또는 배리어 층으로도 언급됨), 및 상기 언더코트층 상에 형성되고 전하 발생 물질과 정공 수송 물질을 포함하는 감광층을 갖는 전자사진 감광 부재이다. 본 발명에 있어서, 상기 언더코트층은 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함한다.
[화학식 1]
Figure 112012096233303-pat00002
상기 화학식 1에서, R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 카르복시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 아실기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 또는 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기이되, 단, R1 내지 R10중 하나 이상이 치환 또는 비치환된 아릴기로 치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 알킬기로 치환된 아미노기, 또는 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기를 나타내는 것을 조건으로 하며; X1은 카르보닐기 또는 디카르보닐기를 나타낸다.
화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 화학식 1에서 R1 내지 R10중 하나 이상이 치환 또는 비치환된 알킬기로 치환된 아미노기인 아민 화합물일 수 있다.
상기 치환 또는 비치환된 알킬기로 치환된 아미노기는, 알콕시기로 치환된 알킬기로 치환된 아미노기, 아릴기로 치환된 알킬기로 치환된 아미노기, 또는 비치환된 알킬기로 치환된 아미노기일 수 있다.
치환 또는 비치환된 알킬기로 치환된 아미노기는 디알킬아미노기일 수 있으며, 상기 디알킬아미노기는 디메틸아미노기 또는 디에틸아미노기일 수 있다.
화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 화학식 1에서 R1 내지 R10중 하나 이상이 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기인 아민 화합물일 수 있다.
상기 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기는 모르폴리노기 또는 1-피페리딜기일 수 있다.
화학식 1로 표시되는 아민 화합물은, 고스트를 억제하는 면에서 볼 때, 특히 하기 화학식 2 내지 4중 어느 하나로 표시되는 아민 화합물일 수 있다.
Figure 112012096233303-pat00003
Figure 112012096233303-pat00004
Figure 112012096233303-pat00005
상기 화학식 2 내지 4에서, R11, R13, R15, R17 및 R19는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴기를 나타낸다. R12, R14, R16, R18 및 R20은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴기를 나타낸다. 다른 예로서, R11 및 R12가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기를 형성할 수 있고, R13 및 R14가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기를 형성할 수 있으며, R15 및 R16이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기를 형성할 수 있고, R17 및 R18이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기를 형성할 수 있으며, R19 및 R20이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기를 형성할 수 있다.
화학식 2 내지 4중 어느 하나로 표시되는 아민 화합물은, 화학식 2 내지 4에서 R11 내지 R20이 각각 알콕시기로 치환된 알킬기, 아릴기로 치환된 알킬기 또는 비치환된 알킬기인 아민 화합물일 수 있다.
비치환된 알킬기는 메틸기 또는 에틸기일 수 있다.
화학식 2 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 아민 화합물은 R11 및 R12, R13 및 R14, R15 및 R16, R17 및 R18, 그리고 R19 및 R20이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기를 형성하는 아민 화합물일 수 있다.
치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기는 모르폴리노기 또는 1-피페리딜기일 수 있다.
화학식 1 내지 4 각각에서 치환 또는 비치환된 아실기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 아릴기 및 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기에 포함될 수 있는 치환기의 예로서는, 알킬기, 예컨대 메틸기, 에틸기, 프로필기 및 부틸기, 알콕시기, 예컨대 메톡시기 및 에톡시기, 디알킬아미노기, 예컨대 디메틸아미노기 및 디에틸아미노기, 알콕시카르보닐기, 예컨대 메톡시카르보닐기 및 에톡시카르보닐기, 아릴기, 예컨대 페닐기, 나프틸기 및 비페닐릴기, 할로겐 원자, 예컨대 플루오르 원자, 염소 원자 및 브롬 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기 및 할로메틸기를 들 수 있다. 이들 중에서, 상기 치환기는 아릴기 또는 알콕시기일 수 있다.
본 발명자들은 본 발명의 전자사진 감광 부재가 고스트 억제 효과면에서 탁월한 이유를 다음과 같이 고찰하였다.
즉, 본 발명의 전자사진 감광 부재의 언더코트층에 포함된 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 벤조페논 골격을 기본 골격으로 갖고, 치환 또는 비치환된 아릴기로 치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 알킬기로 치환된 아미노기, 또는 치한 또는 비치환된 시클릭 아미노기중 하나 이상을 갖는 아민 화합물이다. 따라서, 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 아미노기를 경유해서 치환기(치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기)를 갖거나, 시클릭 구조를 갖는 아미노기를 가지므로, 기본 골격인 벤조페논 골격의 전자 궤도 사이의 공간을 변형시키며, 이것이 전하 체류(retention) 특성에 바람직한 효과를 갖는 것으로 생각된다. 또한, 기본 골격인 벤조페논 골격이 예를 들면 역시 고스트 억제 효과면에서 유리한 것으로 생각되는 안트라퀴논 골격보다 더 큰 쌍극자 모멘트를 갖는다.
이하에서는 화학식 1로 표시되는 아민 화합물의 구체적인 실시예(실시예 화합물)들을 열거하지만, 본 발명이 이러한 실시예 화합물들에 제한되는 것은 결코 아니다.
실시예 화합물(1) 실시예 화합물 (2) 실시예 화합물(3)
Figure 112012096233303-pat00006
실시예 화합물(4) 실시예 화합물 (5) 실시예 화합물(6)
Figure 112012096233303-pat00007
실시예 화합물(7) 실시예 화합물 (8) 실시예 화합물(9)
Figure 112012096233303-pat00008
실시예 화합물(10) 실시예 화합물 (11) 실시예 화합물(12)
Figure 112012096233303-pat00009
실시예 화합물(13) 실시예 화합물 (14) 실시예 화합물(15)
Figure 112012096233303-pat00010
실시예 화합물(16) 실시예 화합물 (17) 실시예 화합물(18)
Figure 112012096233303-pat00011
실시예 화합물(19) 실시예 화합물 (20) 실시예 화합물(21)
Figure 112012096233303-pat00012
실시예 화합물(22) 실시예 화합물 (23) 실시예 화합물(24)
Figure 112012096233303-pat00013
실시예 화합물(25) 실시예 화합물 (26) 실시예 화합물(27)
Figure 112012096233303-pat00014
실시예 화합물(28) 실시예 화합물 (29) 실시예 화합물(30)
Figure 112012096233303-pat00015
실시예 화합물(31) 실시예 화합물 (32) 실시예 화합물(33)
Figure 112012096233303-pat00016
실시예 화합물(34) 실시예 화합물 (35) 실시예 화합물(36)
Figure 112012096233303-pat00017
실시예 화합물(37) 실시예 화합물 (38) 실시예 화합물(39)
Figure 112012096233303-pat00018
실시예 화합물(40) 실시예 화합물 (41) 실시예 화합물(42)
Figure 112012096233303-pat00019
실시예 화합물(43) 실시예 화합물 (44) 실시예 화합물(45)
Figure 112012096233303-pat00020
실시예 화합물(46) 실시예 화합물 (47) 실시예 화합물(48)
Figure 112012096233303-pat00021
실시예 화합물(49) 실시예 화합물 (50) 실시예 화합물(51)
Figure 112012096233303-pat00022
실시예 화합물(52) 실시예 화합물 (53) 실시예 화합물(54)
Figure 112012096233303-pat00023
실시예 화합물(55) 실시예 화합물 (56) 실시예 화합물(57)
Figure 112012096233303-pat00024
실시예 화합물(58) 실시예 화합물 (59) 실시예 화합물(60)
Figure 112012096233303-pat00025
실시예 화합물(61) 실시예 화합물 (62) 실시예 화합물(63)
Figure 112012096233303-pat00026
실시예 화합물(64) 실시예 화합물 (65) 실시예 화합물(66)
Figure 112012096233303-pat00027
실시예 화합물(67) 실시예 화합물 (68) 실시예 화합물(69)
Figure 112012096233303-pat00028
실시예 화합물(70) 실시예 화합물 (71) 실시예 화합물(72)
Figure 112012096233303-pat00029
실시예 화합물(73) 실시예 화합물 (74) 실시예 화합물(75)
Figure 112012096233303-pat00030
실시예 화합물(76) 실시예 화합물 (77) 실시예 화합물(78)
Figure 112012096233303-pat00031
실시예 화합물(79) 실시예 화합물 (80) 실시예 화합물(81)
Figure 112012096233303-pat00032
실시예 화합물(82) 실시예 화합물 (83) 실시예 화합물(84)
Figure 112012096233303-pat00033
실시예 화합물(85) 실시예 화합물 (86) 실시예 화합물(87)
Figure 112012096233303-pat00034
실시예 화합물(88) 실시예 화합물 (89) 실시예 화합물(90)
Figure 112012096233303-pat00035
실시예 화합물(91) 실시예 화합물 (92) 실시예 화합물(93)
Figure 112012096233303-pat00036
실시예 화합물(94) 실시예 화합물 (95) 실시예 화합물(96)
Figure 112012096233303-pat00037
실시예 화합물(97) 실시예 화합물 (98) 실시예 화합물(99)
Figure 112012096233303-pat00038
실시예 화합물(100) 실시예 화합물 (101) 실시예 화합물(102)
Figure 112012096233303-pat00039
실시예 화합물(103) 실시예 화합물 (104) 실시예 화합물(105)
Figure 112012096233303-pat00040
실시예 화합물(106) 실시예 화합물 (107) 실시예 화합물(108)
Figure 112012096233303-pat00041
실시예 화합물(109) 실시예 화합물 (110) 실시예 화합물(111)
Figure 112012096233303-pat00042
실시예 화합물에서, Me는 메틸기를 나타내고, Et는 에틸기를 나타내며, n-Pr은 n-프로필기를 나타낸다.
화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 시판 제품으로 이용할 수도 있고 다음과 같이 합성할 수도 있다.
아미노 벤조페논을 원료로 사용한다. 아미노벤조페논과 할라이드의 치환 반응에 의해서 치환기를 아미노기내로 도입할 수 있다. 특히, 금속 촉매를 사용한 아미노벤조페논과 방향족 할라이드의 반응은 아릴기로 치환된 아민 화합물을 합성하는데 유용한 방법이다. 또한, 환원성 아민화를 사용한 반응은 알킬기로 치환된 아민 화합물을 합성하는데 유용한 방법이다.
이하에서는 실시예 화합물(27)의 구체적인 합성예를 설명하고자 한다. 합성예에서 "부"는 "질량부"를 의미한다.
IR(적외선) 흡수 스펙트럼은 푸리에 변환 적외선 분광분석계(등록상표명: FT/IR-420, 자스코 코오포레이션 제조)에 의해 측정하였다. NMR(핵자기 공명) 스펙트럼은 핵자기 공명 장치(등록 상표: EX-400, 제올 리미티드 제조)에 의해 측정하였다.
(합성예: 실시예 화합물(27)의 합성)
N,N-디메틸아세트아미드 50부, 4,4'-디아미노벤조페논 5.0부, 요오도톨루엔 25.7부, 구리 분말 9.0부 및 탄산칼륨 9.8부를 3목 플라스크에 넣고 20 시간 동안 환류시킨 후에, 고형분을 고온 여과에 의해 제거하였다. 용매를 감압하에 증류 제거하고 잔류물을 실리카겔 컬럼(용매: 톨루엔)에 의해 정제하여, 실시예 화합물(27) 8.1부를 수득하였다.
이하에는 측정에 의해 얻은 IR 흡수 스펙트럼 및 1H-NMR 스펙트럼의 특성 피크를 제시하였다.
IR (cm-1, KBr): 1646, 1594, 1508, 1318, 1277, 1174
1H-NMR (ppm, CDCl3, 40℃): δ= 7.63 (d,4H), 7.11 (d,8H), 7.04 (d,8H), 6.93 (d,4H), 2.33 (s,12H)
전술한 바와 같이, 본 발명의 전자사진 감광 부재는 지지체, 상기 지지체상에 형성된 언더코트층, 및 상기 언더코트층 상에 형성된 감광층을 갖는 전자사진 감광 부재이다. 상기 감광층은 전하 발생 물질 및 정공 수송 물질이 단일층에 포함된 단일층 형태의 감광층이거나, 전하 발생 물질을 포함하는 전하 발생층 및 정공 수송 물질을 포함하는 정공 수송층이 적층되어 있는 적층형 감광층일 수 있다.
도 1은 전자사진 감광 부재의 층구조의 한 실시예를 도시한 도면이다. 도 1에서, 도면 부호 (101)은 지지체를 가리키고, 도면 부호 (102)는 언더코트층을 가리키며, 도면 부호 (103)은 전하 발생층을 가리키고, 도면 부호 (104)는 정공 수송층을 가리키며, 도면 부호 (105)는 감광층(적층형 감광층)을 가리킨다.
상기 지지체는 도전성을 갖는 지지체(도전성 지지체)일 수 있으며, 그 예로서는 금속(합금), 예컨대 알루미늄, 스테인레스 스틸 및 니켈로 제조된 지지체, 및 표면상에 구비된 도전성 필름을 갖는 금속, 플라스틱 또는 종이로 제조된 지지체를 들 수 있다. 지지체의 형태의 예로서는 원통형 및 필름형을 들 수 있다. 특히, 알루미늄으로 제조된 원통형 지지체가 기계적 강도, 전자사진 특성 및 비용 면에서 우수하다. 미가공 파이프를 그대로 지지체로서 사용하거나, 미가공 파이프의 표면을 물리적 처리, 예컨대 절단 및 호닝(honing), 양극산화 처리, 및/또는 산을 사용한 화학적 처리로 처리한 지지체를 지지체로서 사용할 수 있다. JIS B0601:2001에서 정의한 10점 평균 거칠기인 Rzjis 값이 0.8 ㎛ 이상인 표면 거칠기를 갖도록 미가공 파이프를 절단 및 호닝 처리함으로써 얻은 지지체는 탁월한 간섭 패턴 억제 기능을 갖는다.
필요에 따라, 상기 지지체와 언더코트층 사이에 도전성 층이 제공될 수 있다. 특히, 미가공 파이프를 그대로 지지체로서 사용할 경우에는, 미가공 파이프상에 도전층을 형성함으로써 간단한 방법에 의해 간섭 패턴 억제 기능을 제공할 수 있다. 따라서, 이와 같은 경우가 생산성 및 비용 면에서 매우 유용하다.
상기 도전층은 지지체상에 도전층용 코팅액을 도포한 후에 형성된 코팅 필름을 건조시킴으로써 형성될 수 있다. 도전층용 코팅액은 도전성 입자, 결합제 수지 및 용매를 분산 처리함으로써 제조될 수 있다. 도전성 입자의 예로서는, 산화주석 입자, 산화인듐 입자, 산화티타늄 입자, 황산바륨 입자 및 카본블랙을 들 수 있다. 결합제 수지로는 페놀 수지를 들 수 있다. 필요에 따라, 거칠기 부여 입자도 도전층용 코팅액에 첨가할 수 있다.
도전층의 두께는 간섭 억제 기능 및 지지체상의 결함 은폐(커버) 기능면에서 볼 때 5 내지 40 ㎛인 것이 바람직하고, 10 내지 30 ㎛인 것이 더욱 바람직하다.
언더코트층은 지지체 또는 도전층 상에 제공된다.
상기 언더코트층은 지지체 또는 도전층 상에, 상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물 및 수지를 용매에 용해시킴으로써 제조된 언더코트층용 코팅액을 도포한 후에, 형성된 코팅 필름을 건조시킴으로써 형성될 수 있다.
언더코트층에 유용한 수지의 예로서는, 아크릴 수지, 알릴 수지, 알키드 수지, 에틸셀룰로오스 수지, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에폭시 수지, 카세인 수지, 실리콘 수지, 젤라틴 수지, 페놀 수지, 부티랄 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 폴리아세탈 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리알릴에테르 수지, 폴리이미드 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리술폰 수지, 폴리비닐 알코올 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리프로필렌 수지, 우레아 수지, 아가로오스 수지 및 셀룰로오스 수지를 들 수 있다. 이들 중에서, 상기 수지는 배리어 기능 및 접착 기능 면에서 볼 때 폴리아미드 수지일 수 있다.
언더코트층용 코팅액에 유용한 용매의 예로서는, 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 테트랄린, 클로로벤젠, 디클로로메탄, 클로로포름, 트리클로로에틸렌, 테트라클로로에틸렌, 사염화탄소, 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 프로필 아세테이트, 메틸 포르메이트, 에틸 포르메이트, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 시클로헥산온, 디에틸 에테르, 디프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디옥산, 메틸알, 테트라히드로푸란, 물, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 메틸 셀로솔브, 메톡시프로판올, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드 및 디메틸술폭시드를 들 수 있다.
언더코트층의 저항값을 조절하여 전위 안정성을 증가시킬 목적으로, 상기 언더코트층은 금속 산화물 입자를 포함할 수 있다. 이러한 금속 산화물 입자의 예로서는 산화아연 입자 및 산화티타늄 입자를 들 수 있다.
언더코트층의 두께는 0.1 내지 30.0 ㎛일 수 있다.
언더코트층 중 상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물의 함량은 언더코트층의 총 질량을 기준으로 하여 0.05 질량% 이상 15 질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.1 질량% 이상 10 질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다.
언더코트층에 포함된 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 비정질 또는 결정질일 수 있다. 또한, 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 2 종 이상 혼합하여 사용할 수도 있다.
전하 발생 물질 및 정공 수송 물질을 포함하는 감광층이 언더코트층 상에 제공된다.
상기 전하 발생 물질은 높은 감도를 갖는 점에서 볼 때 프탈로시아닌 안료 또는 아조 안료인 것이 바람직하고, 특히 프탈로시아닌 안료인 것이 더욱 바람직하다.
프탈로시아닌 안료는 비금속 프탈로시아닌 및 금속 프탈로시아닌을 포함하고, 프탈로시아닌은 축상의 리간드 및/또는 치환기를 가질 수 있다. 프탈로시아닌 안료는 옥시티타늄 프탈로시아닌 또는 갈륨 프탈로시아닌일 수 있는데, 그 이유는 프탈로시아닌이 높은 감도를 갖는 반면에 고스트를 유발하는 경향이 있어서 본 발명의 효과를 누릴 수 있기 때문이다. 갈륨 프탈로시아닌은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 또는 클로로갈륨 프탈로시아닌일 수 있다.
프탈로시아닌 안료는 CuKα 특성분석 X선 회절에서 7.4°±0.3°및 28.2°±0.3°의 브래그(Bragg) 각도 2θ에 강한 피크를 갖는 결정 형태의 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정, CuKα 특성분석 X선 회절에서 7.4°, 16.6°, 25.5°및 28.3°의 브래그 각도 2θ±0.2°에 강한 피크를 갖는 결정 형태의 클로로갈륨 프탈로시아닌 결정, 또는 CuKα 특성분석 X선 회절에서 27.2°±0.2°의 브래그 각도 2θ에 강한 피크를 갖는 결정 형태의 옥시티타늄 프탈로시아닌 결정일 수 있다.
특히, 프탈로시아닌 안료는 CuKα 특성분석 X선 회절에서 7.3°, 24.9°및 28.1°의 브래그 각도 2θ±0.2°에 강한 피크를 갖고 CuKα 특성분석 X선 회절에서 28.1°의 브래그 각도에 가장 강한 피크를 갖는 결정 형태의 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정, 또는 CuKα 특성분석 X선 회절에서 7.5°, 9.9°, 16.3°, 18.6°, 25.1°및 28.3°의 브래그 각도 2θ±0.2°에 강한 피크를 갖는 결정 형태의 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정일 수 있다.
상기 감광층이 적층형 감광층인 경우에, 전하 발생층의 결합제 수지의 예로서는, 수지(절연 수지), 예컨대 폴리비닐 부티랄, 폴리아크릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 페녹시 수지, 폴리비닐 아세테이트, 아크릴 수지, 폴리아크릴아미드, 폴리비닐피리딘, 셀룰로오스계 수지, 우레탄 수지, 에폭시 수지, 아가로스 수지, 셀룰로오스 수지, 카세인, 폴리비닐 알코올 및 폴리비닐피롤리돈을 들 수 있다. 또한, 유기 광전도성 중합체, 예컨대 폴리-N-비닐카르바졸, 폴리비닐안트라센 및 폴리비닐피렌을 사용할 수도 있다.
전하 발생층용 코팅액에 유용한 용매의 예로서는, 톨루엔, 크실렌, 테트랄린, 클로로벤젠, 디클로로메탄, 클로로포름, 트리클로로에틸렌, 테트라클로로에틸렌, 사염화탄소, 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 프로필 아세테이트, 메틸 포르메이트, 에틸 포르메이트, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 시클로헥산온, 디에틸 에테르, 디프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디옥산, 메틸알, 테트라히드로푸란, 물, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 메틸 셀로솔브, 메톡시프로판올, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드 및 디메틸술폭시드를 들 수 있다.
전하 발생층은, 전하 발생 물질 및 필요에 따라 결합제 수지를 포함하는 전하 발생층용 코팅액을 코팅하고, 형성된 코팅 필름을 건조시킴으로써 형성될 수 있다.
전하 발생층용 코팅액은, 전하 발생 물질만을 용매에 첨가하고, 수득한 용액을 분산 처리한 다음, 결합제 수지를 첨가함으로써 제조되거나, 전하 발생 물질과 결합제 수지를 함께 용매에 첨가하고 수득한 용액을 분산 처리함으로써 제조될 수 있다.
전하 발생층의 두께는 0.05 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하일 수 있다.
전하 발생층 중의 전하 발생 물질의 함량은 전하 발생층의 총 질량을 기준으로 하여 30 질량% 이상 90 질량% 이하인 것이 바람직하고, 50 질량% 이상 80 질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다.
정공 수송 물질의 예로서는, 트리아릴아민 화합물, 히드라진 화합물, 스틸벤 화합물, 피라졸린 화합물, 옥사졸 화합물, 티아졸 화합물 및 트리알릴메탄 화합물을 들 수 있다.
감광층이 적층형 감광층인 경우에, 정공 수송층의 결합제 수지의 예로서는, 수지(절연 수지), 예컨대 폴리비닐 부티랄, 폴리아크릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 페녹시 수지, 폴리비닐 아세테이트, 아크릴 수지, 폴리아크릴아미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리비닐피리딘 수지, 셀룰로오스계 수지, 우레탄 수지, 에폭시 수지, 아가로스 수지, 셀룰로오스 수지, 카세인, 폴리비닐 알코올 및 폴리비닐피롤리돈을 들 수 있다. 또한, 유기 광전도성 중합체, 예컨대 폴리-N-비닐카르바졸, 폴리비닐안트라센 및 폴리비닐피렌을 사용할 수도 있다.
정공 수송층용 코팅액에 유용한 용매의 예로서는, 톨루엔, 크실렌, 테트랄린, 모노클로로벤젠, 디클로로메탄, 클로로포름, 트리클로로에틸렌, 테트라클로로에틸렌, 사염화탄소, 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 프로필 아세테이트, 메틸 포르메이트, 에틸 포르메이트, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 시클로헥산온, 디에틸 에테르, 디프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디옥산, 메틸알, 테트라히드로푸란, 물, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 메틸 셀로솔브, 메톡시프로판올, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드 및 디메틸술폭시드를 들 수 있다.
정공 수송층은, 정공 수송 물질 및 필요에 따라 결합제 수지를 용매에 용해시킴으로써 얻은 정공 수송층용 코팅액을 도포한 후에, 형성된 코팅 필름을 건조시킴으로써 형성될 수 있다.
정공 수송층의 두께는 5 ㎛ 이상 40 ㎛ 이하일 수 있다.
정공 수송 물질의 함량은 정공 수송층의 총 질량을 기준으로 하여 20 질량% 이상 80 질량% 이하인 것이 바람직하고, 30 질량% 이상 60 질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다.
상기 감광층도 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함할 수 있다. 감광층이 적층형 감광층인 경우에, 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 전하 발생층에 포함될 수 있다.
감광층(전하 발생층)에 포함된 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 비정질 또는 결정질일 수 있다. 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 2종 이상 혼합하여 사용할 수도 있다.
감광층(전하 발생층)이 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함하는 경우에, 감광층(전하 발생층)에 포함된 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 언더코트층에 포함된 화학식 1로 표시되는 아민 화합물과 동일한 구조를 가질 수 있다.
감광층을 보호할 목적으로, 감광층 상에 보호층이 제공될 수 있다.
상기 보호층은 수지, 예컨대 폴리비닐 부티랄, 폴리에스테르, 폴리카보네이트(폴리카보네이트 Z, 변형된 폴리카보네이트 등), 나일론, 폴리이미드, 폴리아릴레이트, 폴리우레탄, 스티렌-부타디엔 공중합체, 스티렌-아크릴산 공중합체 또는 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체를 용매에 용해시킴으로써 제조된 보호층용 코팅액을 감광층 상에 도포하고, 형성된 코팅 필름을 건조/경화시킴으로써 형성될 수 있다. 코팅 필름을 경화시키는 경우에, 가열, 전자빔 또는 자외선을 사용할 수 있다.
보호층의 두께는 0.05 내지 20 ㎛일 수 있다.
보호층은 도전성 입자, 자외선 흡수제 및 윤활제, 예컨대 플루오르 원자 함유 수지 입자도 포함할 수 있다. 도전성 입자의 예로서는 금속 산화물 입자, 예컨대 산화주석 입자를 들 수 있다.
각각의 층에 코팅액을 도포하는 방법으로는, 침지 코팅법(침지법), 분무 코팅법, 스핀 코팅법, 비이드(bead) 코팅법, 블레이드(blade) 코팅법 및 빔(beam) 코팅법을 들 수 있다.
도 2는 본 발명의 전자사진 감광 부재를 갖는 프로세스 카트리지를 구비한 전자사진 장치의 개요적인 구조의 일례를 도시한 도면이다.
도면 부호 (1)은 원통형(드럼형) 전자사진 감광 부재를 가리키고, 상기 부재는 소정의 원주 속도(처리 속도)하에 화살표 방향으로 축(2) 주위로 회전 구동된다.
전자사진 감광 부재(1)의 표면은 회전 과정에서 대전 유닛(3)에 의해 소정의 양 또는 음의 전위로 대전된다. 이어서, 전자사진 감광 부재(1)의 표면에 화상 노광 유닛(도시 생략)으로부터 유래한 화상 노광 광(4)을 조사하면, 표적 화상 정보에 해당하는 정전 잠상이 표면상에 형성된다. 상기 화상 노광 광(4)은 그 강도가 표적 화상 정보의 시계열 전기 디지털 화상 신호, 및 화상 노광 유닛, 예컨대 슬릿(slit) 노광 유닛 및 레이저 빔 스캐닝 노광 유닛으로부터의 출력에 대응하여 조절되는 광이다.
상기 전자사진 감광 부재(1)의 표면상에 형성된 정전 잠상을 현상 유닛(5)에 수용된 토너에 의해서 현상(순현상 또는 역현상)하면, 전자사진 감광 부재(1)의 표면상에 토너 화상이 형성된다. 전자사진 감광 부재(1)의 표면상에 형성된 토너 화상을 전사 유닛(6)에 의해서 전사재(7)로 전사한다. 이때, 토너가 보유한 하전에 대하여 반대의 극성을 갖는 바이어스 전압을 바이어스 공급원(도시 생략)으로부터 전사 유닛(6)에 가한다. 상기 전사재(7)가 종이인 경우에, 전사재(7)가 급지 유닛(도시 생략)으로부터 배출되어, 전자사진 감광 부재(1)의 회전과 동시에 전자사진 감광 부재(1)와 전사 유닛(6) 사이로 공급된다.
전자사진 감광 부재(1)로부터 상기 토너 화상이 전사된 전사재(7)를 전자사진 감광 부재(1)의 표면으로부터 분리시키고, 화상 정착 유닛(8)로 이송한 후에 토너 화상의 정착 처리를 실시하고, 전자사진 장치 외부로 화상 형성 제품(프린트, 복사)으로서 인쇄해낸다.
토너 화상이 전사재(7)로 전사된 후에 전자사진 감광 부재(1)의 표면을 접착된 물질, 예컨대 토너(전사 잔류 토너)를 클리닝 유닛(9)에 의해 제거함으로써 클리닝한다. 근래 클리너 시스템이 개발되고 있으며, 이러한 시스템을 적용하여 현상 장치 등에 의해 전사 잔류 토너를 직접 제거할 수도 있다. 또한, 전자사진 감광 부재(1)의 표면을 사전 노광 유닛(도시 생략)으로부터 유래한 사전 노광 광(10)에 의해 중화 처리한 후에 화상 형성에 반복 사용한다. 대전 유닛(3)이 대전 로울러를 사용하는 접촉형 대전 유닛인 경우에는, 사전 노광 유닛이 반드시 필요한 것은 아니다.
본 발명에서, 부품들, 예컨대 전자사진 감광 부재(1), 대전 유닛(3), 현상 유닛(5) 및 클리닝 유닛(9)으로부터 선택된 다수의 부품들을 용기에 수용해서 일체로 지지하여 프로세스 카트리지를 형성하며, 이와 같은 프로세스 카트리지를 전자사진 장치의 본체에 탈착 가능하게 장착될 수 있도록 구성할 수 있다. 이와 같은 구성은 예컨대 다음과 같다. 대전 유닛(3), 현상 유닛(5) 및 클리닝 유닛(9)으로부터 선택된 하나 이상의 부품을 전자사진 감광 부재(1)와 일체로 지지하여 카트리지를 형성한다. 상기 카트리지는 가이드 유닛(12), 예컨대 전자사진 장치의 본체내의 레일을 사용함으로써 전자사진 장치의 본체에 탈착가능하게 장착될 수 있는 프로세스 카트리지(11)로 형성될 수 있다.
상기 전자사진 장치가 복사기 또는 프린터인 경우에, 화상 노광 광(4)은 원고로부터 반사된 광 또는 투과된 광일 수 있다. 다른 예로서, 상기 화상 노광 광(4)은 원고를 센서에 의해 판독하고 신호화하고, 그 신호에 따라서 레이저 빔을 스캐닝함으로써, LED 어레이(array)를 구동함으로써, 또는 액정 셔터(shutter) 어레이를 구동함으로써 방출되는 광일 수 있다.
본 발명의 전자사진 감광 부재는 전자사진 용도 분야, 예컨대 레이저 빔 프린터, CRT 프린터, LED 프린터, 팩스, 액정 프린터 및 레이저 플레이트 제작에 널리 사용될 수 있다.
이어서, 구체적인 실시예에 의거하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 본 발명에 실시예에 제한되는 것은 아니다. 여기서, 각 실시예 및 비교예에서 전자사진 감광 부재의 각 층의 두께는 와전류(eddy current) 두께 측정기(피셔스코프(Fischerscope), 피셔 인스트루먼트 가부시키가이샤 제조)에 의해 측정하거나, 고유 중량으로서 환산한 단위 면적당 질량으로부터 계산할 수 있다. 실시예에서 "부"는 "질량부"를 의미한다.
(실시예 1)
직경이 24 mm이고 길이가 257 mm인 알루미늄 실린더를 지지체(원통형 지지체)로서 사용하였다.
이어서, 산화주석으로 피복된 황산바륨 입자(등록상표명: 패스트란(Pastlan) PC1, 미츠이 마이닝 앤드 스멜팅 컴패니, 리미티드 제조) 60 부, 산화티타늄 입자(등록상표명: 티타닉스(TITANIX) JR, 타이카 코오포레이션) 15부, 레졸형 페놀 수지(등록상표명: 페놀라이트(PHENOLITE) J-325, DIC 코오포레이션 제조, 고형분: 70 질량%) 43부, 실리콘 오일(등록상표명: SH28PA, 토레이 실리콘 컴패니, 리미티드 제조) 0.015 부, 실리콘 수지 입자(등록상표명: 토스펄(TOSPEARL) 120, 도시바 실리콘 컴패니, 리미티드 제조) 3.6 부, 2-메톡시-1-프로판올 50부 및 메탄올 50부를 볼밀에 넣고 20 시간 동안 분산 처리함으로써, 도전층용 코팅액을 제조하였다. 상기 도전층용 코팅액을 침지법에 의해 지지체상에 도포하고, 형성된 코팅 필름을 1 시간 동안 140℃에서 가열하고 경화시킴으로써, 두께가 20 ㎛인 도전층을 형성하였다.
이어서, 메탄올 320부/n-부탄올 160부의 혼합 용매에 N-메톡시메틸화 나일론 6(등록상표명: 토레신(Toresin) EF-30T, 나가세 켐텍스 코오포레이션 제조) 25부를 용해시킴으로써 형성된 용액(65℃에서 가열 및 용해)을 냉각시켰다. 이어서, 용액을 멤브레인 필터(등록상표명: FP-022, 소공 크기: 0.22 ㎛, 스미토모 일렉트릭 인더스트리즈 제조)에 의해 여과하고, 실시예 화합물(1)(제품 코드: 159400050, 아크로스 오가닉스 제조) 0.5부를 여과액에 첨가함으로써, 언더코트층용 코팅액을 제조하였다. 상기 언더코트층용 코팅액을 도전층 상에 침지법에 의해 도포하고, 형성된 코팅 필름을 100℃에서 10분 동안 건조시킴으로써, 두께가 0.45 ㎛인 언더코트층을 형성하였다.
이어서, CuKα 특성분석 X선 회절에서 7.3°, 24.9° 및 28.1°의 브래그 각도 2θ±0.2°에 강한 피크를 갖고 28.1°의 브래그 각도에 가장 강한 피크를 갖는 결정 형태의 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정(전하 발생 물질) 20부, 하기 화학식 5로 표시되는 칼릭사렌(calixarene) 화합물 0.2부,
Figure 112012096233303-pat00043
폴리비닐 부티랄(등록상표명: BX-1, 세키스이 케미칼 컴패니, 리미티드 제조) 10부 및 시클로헥산온 519부를 1mm 직경의 유리 비이드를 사용하는 샌드밀에 넣고, 4 시간 동안 분산 처리한 후에, 에틸 아세테이트 764부를 첨가함으로써, 전하 발생층용 코팅액을 제조하였다. 상기 전하 발생층용 코팅액을 언더코트층 상에 침지법에 의해 도포하고, 형성된 코팅 필름을 100℃에서 10분 동안 건조시킴으로써, 두께가 0.18 ㎛인 전하 발생층을 형성하였다.
이어서, 하기 화학식 6으로 표시되는 트리아릴아민 화합물(정공 수송 물질) 70부,
Figure 112012096233303-pat00044
하기 화학식 7로 표시되는 트리아릴아민 화합물(정공 수송 물질) 10부,
Figure 112012096233303-pat00045
및 폴리카보네이트(등록상표명: 유피론(Iupiron) Z-200, 미츠비시 엔지니어링-플라스틱스 코오포레이션 제조) 100부를 모노클로로벤젠 630부에 용해시킴으로써, 정공 수송층용 코팅액을 제조하였다. 상기 정공 수송층용 코팅액을 침지법에 의해 전하 발생층 상에 도포하고 형성된 코팅 필름을 120℃에서 1 시간 동안 건조시킴으로써, 두께가 19 ㎛인 정공 수송층을 형성하였다.
상기 도전층, 언더코트층, 전하 발생층 및 정공 수송층에 사용된 코팅 필름은 각각의 온도로 설정된 오븐을 사용해서 건조시켰다. 이하 동일하다.
전술한 바와 같이, 실시예 1의 원통형(드럼형) 전자사진 감광부재를 제조하였다.
(실시예 2)
언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)의 양을 실시예 1의 0.5부에서 0.005부로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 실시예 2의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(실시예 3)
언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)의 양을 실시예 1의 0.5부에서 0.05부로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 실시예 3의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(실시예 4)
언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)의 양을 실시예 1의 0.5부에서 1.25부로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 실시예 4의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(실시예 5)
언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)의 양을 실시예 1의 0.5부에서 2.5부로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 실시예 5의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(실시예 6)
언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)의 양을 실시예 1의 0.5부에서 5부로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 실시예 6의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(실시예 7)
언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)의 양을 실시예 1의 0.5부에서 0.25부로 변경하고, 실시예 1에서 전하 발생층용 코팅액의 제조 방법을 다음과 같이 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 실시예 7의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
CuKα 특성분석 X선 회절에서 7.3°, 24.9° 및 28.1°의 브래그 각도 2θ±0.2°에 강한 피크를 갖고 28.1°의 브래그 각도에 가장 강한 피크를 갖는 결정 형태의 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 20부(전하 발생 물질), 화학식 5로 표시되는 칼릭사렌 화합물 0.2부, 실시예 화합물(1)(제품 코드: 159400050, 아크로스 오가닉스 제조) 2부, 폴리비닐 부티랄(등록상표명: BX-1, 세키스이 케미칼 컴패니, 리미티드 제조) 10부 및 시클로헥산온 553부를 1 mm 직경의 유리 비이드를 사용하는 샌드밀에 넣고, 4 시간 동안 분산 처리한 후에, 에틸 아세테이트 815부를 첨가함으로써, 전하 발생층용 코팅액을 제조하였다.
(실시예 8)
언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1) 0.25부를 실시예 화합물(2)(제품 코드: B1275, 도쿄 케미칼 인더스트리 컴패니, 리미티드 제조) 0.025부로 변경하고, 실시예 7에서 전하 발생층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1) 2부를 실시예 화합물(2) 0.1부로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 7과 동일한 방식으로 실시예 8의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(실시예 9)
언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(2)의 양을 0.025부에서 0.05부로 변경하고, 실시예 8에서 전하 발생층용 코팅액을 제조하는데 실시예 화합물(2)를 사용하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 8과 동일한 방식으로 실시예 9의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(실시예 10)
실시예 8에서 언더코트층을 다음과 같이 형성하는 것을 제외하고는, 실시예 8과 동일한 방식으로 실시예 10의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
알키드 수지(등록상표명: 베콜라이트(Beckolite) M6401-50-S(고형분: 50%), DIC 코오포레이션 제조) 36부, 멜라민 수지(등록상표명: 수퍼베카민(Superbeckamine) L-121-60(고형분: 60%), DIC 코오포레이션 제조) 20부, 표면 처리된 루타일형 산화티타늄 입자(등록상표명:CR-EL, 평균 입자 크기: 0.25 ㎛, 이시하라 산교 가이샤 리미티드 제조) 120부, 실시예 화합물(2)(제품 코드: B1275, 도쿄 케미칼 인더스트리 컴패니, 리미티드 제조) 0.12부 및 2-부탄온 280부를 사용해서 언더코트층용 코팅액을 제조하였다. 상기 언더코트층용 코팅액을 도전층 상에 침지법에 의해 도포하고, 형성된 코팅 필름을 130℃에서 45분 동안 건조시킴으로써, 두께가 3 ㎛인 언더코트층을 형성하였다.
(실시예 11)
실시예 10에서 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(2)의 양을 0.12부에서 0.24부로 변경하고, 전하 발생층용 코팅액을 제조하는데 실시예 화합물(2)를 사용하지 않는 것을 제외하고는, 실시예 10과 동일한 방식으로 실시예 11의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(실시예 12)
직경이 30 mm이고 길이가 357.5 mm인 알루미늄 실린더를 지지체(원통형 지지체)로서 사용하였다.
이어서, 부티랄 수지(등록상표명: BM-1, 세키스이 케미칼 컴패니, 리미티드 제조) 56부, 보호된 이소시아네이트(등록상표명: 스미줄(Sumijule) 3175, 스미토모 바이엘 우레탄 컴패니, 리미티드) 56부, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란(실란 커플링제, 등록상표명: KBM602, 신에츠 케미칼 컴패니, 리미티드 제조)로 표면 처리된 산화아연 입자 300부, 실시예 화합물(2)(제품 코드: B1275, 도쿄 케미칼 인더스트리 컴패니, 리미티드) 3부, 2-부탄온 298부 및 n-부탄올 298부를 직경이 1 mm인 유리 비이드를 사용하는 샌드밀에 넣고 3.3 시간 동안 분산 처리하였다. 이어서, 실리콘 오일(등록상표명: SH28PA, 다우 코닝 토레이 실리콘 컴패니, 리미티드 제조) 0.04부 및 폴리메틸메타크릴레이트 수지(PMMA) 입자(등록상표명: SSX-102, 세키스이 플라스틱스 컴패니, 리미티드 제조, 평균 입자 크기: 2.5 ㎛)를 여기에 첨가함으로써, 언더코트층용 코팅액을 제조하였다. 상기 언더코트층용 코팅액을 지지체상에 침지법에 의해 도포하고, 형성된 코팅 필름을 160℃에서 30분 동안 건조시킴으로써, 두께가 16 ㎛인 언더코트층을 형성하였다.
이어서, 전하 발생층 및 정공 수송층을 실시예 8과 동일한 방식으로 형성함으로써, 실시예 12의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(실시예 13)
실시예 12에서 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(2)의 양을 3부에서 6부로 변경하고, 실시예 화합물(2)를 전하 발생층용 코팅액을 제조하는데 사용하지 않는 것을 제외하고는, 실시예 12와 동일한 방식으로 실시예 13의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(실시예 14)
실시예 7에서 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)의 양을 0.25부에서 0.125부로 변경하고, 실시예 7에서 전하 발생층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1) 2부를 실시예 화합물(2) 0.1부로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 7과 동일한 방식으로 실시예 14의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(실시예 15)
실시예 1에서 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)을 실시예 화합물(3)(제품 코드: B1212, 도쿄 케미칼 인더스트리 컴패니, 리미티드 제조)으로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 실시예 15의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(실시예 16)
실시예 1에서 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)을 실시예 화합물(4)(제품 코드: B1433, 도쿄 케미칼 인더스트리 컴패니, 리미티드 제조)로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 실시예 16의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(실시예 17)
실시예 7에서 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)을 실시예 화합물(5)(제품 코드: D2561, 도쿄 케미칼 인더스트리 컴패니, 리미티드 제조)로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 7과 동일한 방식으로 실시예 17의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(실시예 18)
실시예 1에서 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)을 실시예 화합물(9)로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 실시예 18의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(실시예 19)
실시예 1에서 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)을 실시예 화합물(12)로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 실시예 19의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(실시예 20)
실시예 1에서 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)을 실시예 화합물(14)로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 실시예 20의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(실시예 21)
실시예 7에서 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)을 실시예 화합물(18)로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 7과 동일한 방식으로 실시예 21의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(실시예 22)
실시예 1에서 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)을 실시예 화합물(27)로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 실시예 22의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(실시예 23)
실시예 1에서 전하 발생층을 다음과 같이 형성하는 것을 제외하고는, 실시예1과 같은 방식으로 실시예 23의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
CuKα 특성분석 X선 회절에서 9.0°, 14.2°, 23.9° 및 27.1°의 브래그 각도 2θ±0.2°에 강한 피크를 갖는 결정 형태의 옥시티타늄 프탈로시아닌 결정(전하 발생 물질) 20부, 폴리비닐 부티랄(등록상표명: BX-1, 세키스이 케미칼 컴패니, 리미티드 제조) 10부 및 시클로헥산온 519부를 1 mm 직경의 유리 비이드를 사용하는 샌드밀에 넣고, 4 시간 동안 분산 처리한 후에, 에틸 아세테이트 764부를 첨가함으로써, 전하 발생층용 코팅액을 제조하였다. 상기 전하 발생층용 코팅액을 언더코트층 상에 침지법에 의해 도포하고, 형성된 코팅 필름을 100℃에서 10분 동안 건조시킴으로써, 두께가 0.18 ㎛인 전하 발생층을 형성하였다.
(비교예 1)
실시예 1에서 실시예 화합물(1)을 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용하지 않는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 비교예 1의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(비교예 2)
실시예 1에서 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)을 하기 화학식 8로 표시되는 비스아조 안료로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 비교예 2의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
Figure 112012096233303-pat00046
(비교예 3)
실시예 1에서 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)을 하기 화학식 9로 표시되는 벤조페논 화합물(제품 코드: 378259, 시그마-알드리치 제조)로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 비교예 3의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
Figure 112012096233303-pat00047
(비교예 4)
실시예 7에서 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)을 하기 화학식 10으로 표시되는 화합물(제품 코드: B0483, 도쿄 케미칼 인더스트리 컴패니, 리미티드 제조)로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 7과 동일한 방식으로 비교예 4의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
Figure 112012096233303-pat00048
화학식 10에서, Me는 메틸기를 나타낸다.
(비교예 5)
실시예 1에서 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)을 하기 화학식 11로 표시되는 화합물로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 비교예 5의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
Figure 112012096233303-pat00049
화학식 11에서, Et는 에틸기를 나타낸다.
(비교예 6)
실시예 1에서 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)을 하기 화학식 12로 표시되는 화합물(제품 코드: 126217, 시그마-알드리치 제조)로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 비교예 6의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
Figure 112012096233303-pat00050
(비교예 7)
실시예 7에서 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(1)을 하기 화학식 13으로 표시되는 화합물로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 7과 동일한 방식으로 비교예 7의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
Figure 112012096233303-pat00051
화학식 13에서, Me는 메틸기를 나타낸다.
(비교예 8)
실시예 11에서 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(2)를 하기 화학식 14로 표시되는 벤조페논 화합물(제품 코드: D1688, 도쿄 케미칼 인더스트리 컴패니, 리미티드 제조)로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 11과 동일한 방식으로 비교예 8의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
Figure 112012096233303-pat00052
(비교예 9)
실시예 13에서 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용된 실시예 화합물(2)를 하기 화학식 15로 표시되는 벤조페논(제품 코드: B0083, 도쿄 케미칼 인더스트리 컴패니, 리미티드 제조)으로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 13과 동일한 방식으로 비교예 9의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
Figure 112012096233303-pat00053
(비교예 10)
실시예 11에서 실시예 화합물(2)를 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용하지 않는 것을 제외하고는, 실시예 11과 동일한 방식으로 비교예 10의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(비교예 11)
실시예 13에서 실시예 화합물(2)를 언더코트층용 코팅액을 제조하는데 사용하지 않는 것을 제외하고는, 실시예 13과 동일한 방식으로 비교예 11의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(비교예 12)
실시예 23에서 실시예 화합물 (1)을 언더코트층용 코팅액을 제조하는데, 그리고 전하 발생층용 코팅액을 제조하는데 사용하지 않는 것을 제외하고는, 실시예 23과 동일한 방식으로 비교예 12의 전자사진 감광 부재를 제조하였다.
(실시예 1 내지 23 및 비교예 1 내지 12의 평가)
실시예 1 내지 23 및 비교예 1 내지 12의 전자사진 감광 부재에서, 통상의 온도 및 통상의 습도 환경인 23℃/50% RH 조건하에, 그리고 저온 및 저습도 환경인 15℃/10% RH 조건하에 고스트 평가를 수행하였다.
평가에 사용되는 전자사진 장치로서, 휴렛 팩커드 디벨롭먼트 컴패니 L.P.에서 제조한 레이저빔 프린터(등록상표명: 컬러 레이저 제트(Color Laser Jet) CP3525dn)을 변형한 기계를 실시예 1 내지 11, 14 내지 23 및 비교예 1 내지 8, 10, 12의 전자사진 감광 부재에 대하여 사용하였다. 상기 레이저빔 프린터는 사전 노광 광이 켜지지 않도록 변형시켰으며, 변형된 기계는 가변적인 대전 조건 및 가변적인 레이저 노광량하에 작동하였고, 또한 제조된 전자사진 감광 부재를 시안색용 프로세스 카트리지에 부착하고, 그것을 시안색용 프로세스 카트리지 스테이션상에 장착하였으며, 다른 색상용 프로세스 카트리지들이 레이저빔 프린터의 본체에 부착되지 않았더라도 작동시켰다.
반면에, 캐논 가부시키가이샤에서 제조한 복사기(등록상표명: 이미지러너(imageRUNNER iR-ADV C5051)를 변형한 기계를 실시예 12와 13 및 비교예 9와 11의 전자사진 감광 부재에 대하여 사용하였다. 상기 복사기는 변형된 기계가 가변적인 대전 조건 및 가변적인 레이저 노광량하에 작동하도록 변형하였으며, 또한 제조된 전자사진 감광 부재를 시안색용 프로세스 카트리지에 부착하고, 그것을 시안색용 프로세스 카트리지 스테이션상에 장착하였으며, 다른 색상용 프로세스 카트리지들이 레이저빔 프린터의 주요 몸체에 부착되지 않았더라도 작동시켰다.
화상 출력시, 시안색용 프로세스 카트리지만을 레이저빔 프린터의 본체, 또는 복사기의 본체상에 장착하여 시안색 토너에 의해서만 단색 화상을 출력하였다.
각각의 전자사진 감광 부재의 표면 전위는, 실시예 1 내지 11, 14 내지 23 및 비교예 1 내지 8, 10, 12에 대해서는 초기 암부 전위가 -500V이고 명부 전위가 -150V가 되도록, 그리고 다른 한편으로 실시예 12와 13 및 비교예 9와 11에 대해서는 초기 암부 전위가 -600V이고 명부 전위가 -250V가 되도록 설정하였다. 전위 설정시, 각각의 전자사진 감광 부재의 표면 전위를, 프로세스 카트리지의 현상 위치에 부착된 전위 프로브(등록상표명: 모델 6000B-8, 트렉 저팬 가부시키가이샤 제조) 및 표면 전위계(등록상표명: 모델 344, 트렉 저팬 가부시키가이샤 제조)를 사용해서 측정하여, 전자사진 감광 부재의 종방향으로 중심 위치에서 전위를 측정하였다.
먼저, 고스트의 평가를 통상의 온도 및 통상의 습도 환경인 23℃/50% RH 조건하에 수행하였다. 이어서, 종이 1,000장을 통과시키는 내구성 테스트를 동일한 환경하에 수행하였으며, 내구성 테스트 직후에 고스트 평가를 수행하였다. 통상의 온도 및 통상의 습도 환경하의 평가 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
이어서, 전자사진 감광 부재를 저온 및 저습도 환경인 15℃/10% RH 조건하에서 평가하는데 사용되는 전자사진 장치와 함께 3일 동안 방치한 다음, 고스트 평가를 수행하였다. 이어서, 종이 1,000장을 통과시키는 내구성 테스트를 동일한 환경하에 수행하였으며, 내구성 테스트 직후에 고스트 평가를 수행하였다. 저온 및 저습도 환경하의 평가 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
이와 같이 종이를 통과시키는 내구성 테스트시에, 인쇄 백분율이 1%인 E-레터 화상을 시안색 단색으로 A4 크기의 일반 종이상에 형성하였다.
평가 기준은 다음과 같다.
고스트 평가용 화상은, 도 3에 도시된 바와 같이 화상의 헤드 부분상에 단색 흑색의 사각형 화상(301)을 출력한 후에 1-도트 케이마(1-dot KEIMA)(일본식 체스의 나이트)의 하프톤 화상(304)을 출력함으로써 형성하였다. 화상은 먼저, 제1 시트상에 단색 백색 화상을 출력하고, 이어서 연속적으로 5장에 고스트 평가용 화상을 출력한 다음, 1장에 단색 흑색 화상을 출력하고, 5장에 고스트 평가용 화상을 다시 출력하는 순서대로 출력하였으며, 이와 같이 총 10개의 고스트 평가용 화상을 평가하였다.
고스트의 평가는, 1-도트 케이마(일본식 체스의 나이트) 패턴의 화상 농도와 고스트 영역(고스트가 발생할 수 있는 영역)의 화상 농도 사이의 농도차를 분광 농도계(등록상표명: X-라이트(Rite) 504/508, X-라이트 인코오포레이티드 제조)에 의해 측정함으로써 수행하였다. 하나의 고스트 평가용 화상의 10개의 지점을 측정하고, 이와 같은 10개 지점의 평균치를 한 화상의 결과로서 정의하였다. 10개의 고스트 평가용 화상 전부를 동일한 측정 절차로 처리한 후에, 각각의 평균치를 구한 후에 각 실시예의 농도차로 정의하였다. 여기서, 농도차는 값이 작을수록 고스트 정도가 더 낮고 바람직하다는 것을 나타낸다. 표 1에서, "초기"는 1000장의 종이를 통상의 온도 및 통상의 습도 환경하에 또는 저온 및 저습도 환경하에 통과시키는 내구성 테스트를 수행하기 이전의 농도차를 의미하고, "내구성 테스트후"는 1000장의 종이를 통상의 온도 및 통상의 습도 환경하에 또는 저온 및 저습도 환경하에 통과시키는 내구성 테스트를 수행한 이후의 농도차를 의미한다.
농도차
통상의 온도 및 통상의 습도 환경하 저온 및 저습도 환경하
초기 내구성 테스트후 초기 내구성 테스트후
실시예 1 0.026 0.030 0.029 0.033
실시예 2 0.029 0.036 0.034 0.042
실시예 3 0.028 0.031 0.031 0.036
실시예 4 0.027 0.032 0.030 0.037
실시예 5 0.029 0.034 0.032 0.038
실시예 6 0.031 0.035 0.034 0.040
실시예 7 0.019 0.022 0.021 0.024
실시예 8 0.019 0.025 0.022 0.027
실시예 9 0.025 0.030 0.029 0.035
실시예 10 0.021 0.024 0.024 0.028
실시예 11 0.026 0.029 0.030 0.034
실시예 12 0.021 0.026 0.024 0.029
실시예 13 0.026 0.029 0.029 0.034
실시예 14 0.024 0.028 0.026 0.032
실시예 15 0.025 0.030 0.029 0.034
실시예 16 0.027 0.033 0.032 0.038
실시예 17 0.024 0.028 0.026 0.031
실시예 18 0.028 0.034 0.033 0.038
실시예 19 0.031 0.036 0.035 0.042
실시예 20 0.027 0.033 0.030 0.037
실시예 21 0.023 0.029 0.026 0.032
실시예 22 0.029 0.035 0.033 0.040
실시예 23 0.029 0.031 0.032 0.037
비교예 1 0.039 0.052 0.045 0.104
비교예 2 0.042 0.065 0.048 0.126
비교예 3 0.040 0.058 0.045 0.116
비교예 4 0.037 0.056 0.043 0.109
비교예 5 0.037 0.051 0.042 0.101
비교예 6 0.040 0.061 0.046 0.122
비교예 7 0.036 0.052 0.041 0.104
비교예 8 0.041 0.060 0.048 0.118
비교예 9 0.039 0.058 0.044 0.115
비교예 10 0.036 0.055 0.043 0.110
비교예 11 0.038 0.055 0.045 0.108
비교예 12 0.041 0.062 0.048 0.122
이상에서는 예시적인 실시양태에 의거하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시양태에 제한되지 않는다는 것을 알아야 한다. 따라서, 첨부된 특허청구의 범위는 모든 변형예 및 등가의 구조와 기능을 포함하도록 가장 넓게 해석해야 한다.

Claims (18)

  1. 지지체,
    상기 지지체상의 언더코트층,
    전하 발생 물질을 포함하는, 상기 언더코트층 상의 전하 발생층, 및
    정공 수송 물질을 포함하는, 상기 전하 발생층 상의 정공 수송층을 포함하고,
    여기서 상기 언더코트층이 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함하는 것인 전자사진 감광 부재:
    [화학식 1]
    Figure 112015084243629-pat00054

    상기 화학식 1에서, R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 카르복시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 아실기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 또는 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기이되, 단, R1 내지 R10중 하나 이상이 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기를 나타내고, 상기 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기가 모르폴리노기 또는 1-피페리딜기이며; X1은 카르보닐기 또는 디카르보닐기를 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물이 하기 화학식 2 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 아민 화합물인 전자사진 감광 부재:
    [화학식 2]
    Figure 112015084243629-pat00061

    [화학식 3]
    Figure 112015084243629-pat00062

    [화학식 4]
    Figure 112015084243629-pat00063

    상기 화학식 2 내지 4에서, R11 및 R12가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 모르폴리노기 또는 치환 또는 비치환된 1-피페리딜기를 형성하고, R13 및 R14가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 모르폴리노기 또는 치환 또는 비치환된 1-피페리딜기를 형성하며, R15 및 R16이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 모르폴리노기 또는 치환 또는 비치환된 1-피페리딜기를 형성하고, R17 및 R18이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 모르폴리노기 또는 치환 또는 비치환된 1-피페리딜기를 형성하며, R19 및 R20이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 모르폴리노기 또는 치환 또는 비치환된 1-피페리딜기를 형성한다.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전하 발생 물질이 히드록시갈륨 프탈로시아닌인 전자사진 감광 부재.
  4. 지지체,
    상기 지지체상의 언더코트층,
    전하 발생 물질을 포함하고 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함하는, 상기 언더코트층 상의 전하 발생층, 및
    정공 수송 물질을 포함하는, 상기 전하 발생층 상의 정공 수송층을 포함하고,
    여기서 상기 언더코트층이 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함하는 것인 전자사진 감광 부재:
    [화학식 1]
    Figure 112015084243629-pat00064

    상기 화학식 1에서, R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 카르복시기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 아실기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 또는 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기이되, 단, R1 내지 R10중 하나 이상이 치환 또는 비치환된 아릴기로 치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 알킬기로 치환된 아미노기, 또는 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기를 나타내고; X1은 카르보닐기 또는 디카르보닐기를 나타낸다.
  5. 제4항에 있어서, R1 내지 R10중 하나 이상이 치환 또는 비치환된 알킬기로 치환된 아미노기인 전자사진 감광 부재.
  6. 제5항에 있어서, 상기 치환 또는 비치환된 알킬기로 치환된 아미노기에서 치환 또는 비치환된 알킬기가 알콕시기로 치환된 알킬기, 아릴기로 치환된 알킬기 또는 비치환된 알킬기인 전자사진 감광 부재.
  7. 제5항에 있어서, 상기 치환 또는 비치환된 알킬기로 치환된 아미노기가 디알킬아미노기인 전자사진 감광 부재.
  8. 제7항에 있어서, 상기 디알킬아미노기가 디메틸아미노기 또는 디에틸아미노기인 전자사진 감광 부재.
  9. 제4항에 있어서, R1 내지 R10중 하나 이상이 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기인 전자사진 감광 부재.
  10. 제4항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물이 하기 화학식 2 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 아민 화합물인 전자사진 감광 부재:
    [화학식 2]
    Figure 112015084243629-pat00065

    [화학식 3]
    Figure 112015084243629-pat00066

    [화학식 4]
    Figure 112015084243629-pat00067

    상기 화학식 2 내지 4에서, R11, R13, R15, R17 및 R19는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴기를 나타내고; R12, R14, R16, R18 및 R20은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴기를 나타내거나, R11 및 R12가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기를 형성할 수 있고, R13 및 R14가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기를 형성할 수 있으며, R15 및 R16이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기를 형성할 수 있고, R17 및 R18이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기를 형성할 수 있으며, R19 및 R20이 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 시클릭 아미노기를 형성할 수 있다.
  11. 제10항에 있어서, R11 내지 R20이 각각 알콕시기로 치환된 알킬기, 아릴기로 치환된 알킬기 또는 비치환된 알킬기인 전자사진 감광 부재.
  12. 제11항에 있어서, R11 내지 R20이 각각 메틸기 또는 에틸기인 전자사진 감광 부재.
  13. 제4항에 있어서, 상기 언더코트층 중의 화학식 1로 표시되는 아민 화합물의 함량이 0.05 질량% 이상 15 질량% 이하인 전자사진 감광 부재.
  14. 삭제
  15. 제4항에 있어서, 상기 전하 발생 물질이 히드록시갈륨 프탈로시아닌인 전자사진 감광 부재.
  16. 제1항 내지 제13항 및 제15항 중 어느 한 항에서 정의한 전자사진 감광 부재, 및 대전 유닛, 현상 유닛, 전사 유닛 및 클리닝 유닛으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 유닛을 일체로 지지하며, 전자사진 장치의 본체에 탈착 가능하게 장착할 수 있는 프로세스 카트리지.
  17. 제1항 내지 제13항 및 제15항 중 어느 한 항에서 정의한 전자사진 감광 부재, 및 대전 유닛, 화상 노광 유닛, 현상 유닛 및 전사 유닛을 갖는 전자사진 장치.
  18. 삭제
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