JPS5817450A - 電子写真用感光体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は紫外線による劣化防止を目的とした電子写真用
感光体に関するものである。
感光体に関するものである。
更に詳しくいえば、導電性支持体上に紫外線吸収化合物
を含有する層を設け、その上層に電荷発生物質含有層と
電荷移動性物質含有層とを設けた電子写真用感光体に関
するものである。
を含有する層を設け、その上層に電荷発生物質含有層と
電荷移動性物質含有層とを設けた電子写真用感光体に関
するものである。
従来からの電子写真用感光体としては導電性支持体上に
(りセレン、セレン−テルル合金などの電荷発生物質を
真空蒸着して感光層を形成したもの。(2)酸化亜鉛、
硫化カドミウムなどの電荷発生物質を結合剤樹脂ととも
に塗布して感光層を形成したもの。(3)ポリ−N−ビ
ニルカルバゾールなどの有機光導電性物質と、2,4.
7−)ジニトロ−9−フルオレノンなどとの電荷移動錯
体を塗布して感光層を形成したものなどが知られており
、そのあるものは既に実用に供されている。
(りセレン、セレン−テルル合金などの電荷発生物質を
真空蒸着して感光層を形成したもの。(2)酸化亜鉛、
硫化カドミウムなどの電荷発生物質を結合剤樹脂ととも
に塗布して感光層を形成したもの。(3)ポリ−N−ビ
ニルカルバゾールなどの有機光導電性物質と、2,4.
7−)ジニトロ−9−フルオレノンなどとの電荷移動錯
体を塗布して感光層を形成したものなどが知られており
、そのあるものは既に実用に供されている。
しかしながら、感光体はそれが実用化されるものであっ
ても、それで充分満足されているとはいえず、より耐久
性の高いもの、より高感度のもの、より可撓性にすぐれ
ているものなど、性能の向上は勿論のこと、より低コス
トであること、より安全性の高いことなどが常に要求さ
れているのが実情である。
ても、それで充分満足されているとはいえず、より耐久
性の高いもの、より高感度のもの、より可撓性にすぐれ
ているものなど、性能の向上は勿論のこと、より低コス
トであること、より安全性の高いことなどが常に要求さ
れているのが実情である。
本発明の主な目的は充分実用に供し得る電子写真感光体
を提供するとともに、繰返し使用しても常に鮮明な複写
画像が得られる光劣化の少ない、多数枚複写に適した電
子写真感光体を提供することにある。
を提供するとともに、繰返し使用しても常に鮮明な複写
画像が得られる光劣化の少ない、多数枚複写に適した電
子写真感光体を提供することにある。
特に繰り返し使用を目的とした感光体において、電荷移
動物質が有機光導電体を用いる時、必然的に、光導′電
体が長時間紫外線領域の光の照射をうけ、その為に画像
濃度の低下、カブリの増大等の悪影響が出て(る。これ
らの悪影響防止を目的とし、本発明者等は、種々検討を
重ねた結果、導電性支持体上に紫外線吸収化合物を少な
くても1種を含有する層をもうけ、更にその上層に感光
層を積層することによってこれら悪影響が防止出来るこ
とを見い出した。又は導電性支持体上に紫外線吸収化合
物を少な(とも1種と電荷発生物質を少なくとも□1種
とを含有する層を設け、更にその上層に電荷移動物質を
含有する感光層を積層することによっても同様の効果が
得られることを見い出した。
動物質が有機光導電体を用いる時、必然的に、光導′電
体が長時間紫外線領域の光の照射をうけ、その為に画像
濃度の低下、カブリの増大等の悪影響が出て(る。これ
らの悪影響防止を目的とし、本発明者等は、種々検討を
重ねた結果、導電性支持体上に紫外線吸収化合物を少な
くても1種を含有する層をもうけ、更にその上層に感光
層を積層することによってこれら悪影響が防止出来るこ
とを見い出した。又は導電性支持体上に紫外線吸収化合
物を少な(とも1種と電荷発生物質を少なくとも□1種
とを含有する層を設け、更にその上層に電荷移動物質を
含有する感光層を積層することによっても同様の効果が
得られることを見い出した。
本発明はそれに基づいて完成されたものである。
本発明における紫外線吸収化合物は公知の化合物が使用
し得る。
し得る。
例えば特開昭51−36240号に示されているレゾル
シノール化合物のジエステル体、特開昭51−6954
4号に示されているベンゾオキサゾール化合物、ベンゾ
トリアゾール化合物、特開昭51−24589号に示さ
れている複素環ベンゾエート化合物、特開昭51−56
620号に示されている1−アミノ−4−シアノ−1,
8−ブタジェン化合物、特開昭51−63844号に示
されている多光色用複素環エステル組成物化合物、特開
昭51−68345号、特開昭51−63846号に示
されているベンゾトリアゾール化合物、特開昭51−7
1286号に示されているビス型ペンツトリアゾール化
・金物、特開昭49−54281号、特開昭49−61
068号、特開昭49−61069号、特開昭49−6
1070号、特開昭49−61071号、に示されてい
るトリアゾール化合物特開昭49−54351号に示さ
れている含リン系フェノール化合物、特開昭49−11
9879号、特開昭49−119880号に示されてい
るフェロセン化合物、特開昭49−74193号に示さ
れているベンゾフェノン化合物、特公昭49−3751
6号に示されているトリアゾール化合物、特公昭50−
15015号に示されているアミノ化ベンゾエート化合
物、特公昭5o−t6182号に示されているサリチル
酸エステル化合物、特開昭50−8844号に示されて
いるシアノアクリレート化合物、特開昭50−3515
9号、特開昭50−33986号に示されているウロカ
ニン酸エステル化合物、特開昭50−109952号、
特開昭50−158588号に示されているベンゾトリ
アゾール化合物、特開昭50−105741号に示され
ている環状ジホスファイト化合物、特公昭36−104
66号、特公昭42−26187号、特公昭44−29
620号、に示されているベンゾトリアゾール化合物、
特公昭44−22664号、特公昭44−29627号
に示されているチアゾリドン化合物、特公昭45−95
85号、特公昭45−9586号に示されているスチル
ベン化合物、特公昭45−27904号に示されている
ナフトチアゾール化合物、特公昭46−35042号に
示されているα−ピロン化合物、特公昭48−763号
、特公昭48−5496号、特公昭48−30493号
、特公昭49−26139号、に示されているベンゾト
リアゾール化合物、特公昭48−21288号、特公昭
48−27692号に示されているスチルベン化合物等
の特許により開示された化合物や、ジ−ソープ(白石カ
ルシウム)、スミソープ(住人化学)、チヌビン(日本
チバガイギー)、ハリソープ(播磨化成)等の市販紫外
線吸収剤である。これら紫外線吸収剤は単独で用いる事
も可能であるが、通常適当なマトリックス中で用いるの
が好ましい。これらマトリックスとしてアクリル樹脂、
ポリスチレン樹脂、スチレン−ブタジェン樹脂、スチレ
ン−アクリロニトリル樹脂、スチレン−n−ブチルメタ
クリレート樹脂、スチレン−メチルメタクリレート樹脂
、フェノール樹脂、アクリロニトリル−塩化ビニリデン
樹脂、塩ビー酢ピ樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ブチラール樹脂
、ポリスチレン樹脂、石油樹脂、ポリフェニレンオキサ
イド樹脂、アルコール可溶性ナイロン樹脂、カチオン型
導電性樹脂、ポバール等があげられ、これら樹脂は単独
もしくはそれぞれが目的に応じて併用してもよい。それ
らのマトリックス樹脂の中でも導電性支持体(特にアル
ミを導電性支持体として用いた感光体)との接着性、皮
膜性、紫外線吸収剤との相溶性等にお(・てアルコール
可溶性ナイロンは特に好まい・ものであった。また紫外
線吸収層中に電荷発生物質をカロえてもよい。特に電荷
発生物質を加えた系でヲマ紫外線吸収層を設けることに
よる感度低下現象を防止するどころか場合によっては感
度上昇現象も認められ好ましい結果を得た。
シノール化合物のジエステル体、特開昭51−6954
4号に示されているベンゾオキサゾール化合物、ベンゾ
トリアゾール化合物、特開昭51−24589号に示さ
れている複素環ベンゾエート化合物、特開昭51−56
620号に示されている1−アミノ−4−シアノ−1,
8−ブタジェン化合物、特開昭51−63844号に示
されている多光色用複素環エステル組成物化合物、特開
昭51−68345号、特開昭51−63846号に示
されているベンゾトリアゾール化合物、特開昭51−7
1286号に示されているビス型ペンツトリアゾール化
・金物、特開昭49−54281号、特開昭49−61
068号、特開昭49−61069号、特開昭49−6
1070号、特開昭49−61071号、に示されてい
るトリアゾール化合物特開昭49−54351号に示さ
れている含リン系フェノール化合物、特開昭49−11
9879号、特開昭49−119880号に示されてい
るフェロセン化合物、特開昭49−74193号に示さ
れているベンゾフェノン化合物、特公昭49−3751
6号に示されているトリアゾール化合物、特公昭50−
15015号に示されているアミノ化ベンゾエート化合
物、特公昭5o−t6182号に示されているサリチル
酸エステル化合物、特開昭50−8844号に示されて
いるシアノアクリレート化合物、特開昭50−3515
9号、特開昭50−33986号に示されているウロカ
ニン酸エステル化合物、特開昭50−109952号、
特開昭50−158588号に示されているベンゾトリ
アゾール化合物、特開昭50−105741号に示され
ている環状ジホスファイト化合物、特公昭36−104
66号、特公昭42−26187号、特公昭44−29
620号、に示されているベンゾトリアゾール化合物、
特公昭44−22664号、特公昭44−29627号
に示されているチアゾリドン化合物、特公昭45−95
85号、特公昭45−9586号に示されているスチル
ベン化合物、特公昭45−27904号に示されている
ナフトチアゾール化合物、特公昭46−35042号に
示されているα−ピロン化合物、特公昭48−763号
、特公昭48−5496号、特公昭48−30493号
、特公昭49−26139号、に示されているベンゾト
リアゾール化合物、特公昭48−21288号、特公昭
48−27692号に示されているスチルベン化合物等
の特許により開示された化合物や、ジ−ソープ(白石カ
ルシウム)、スミソープ(住人化学)、チヌビン(日本
チバガイギー)、ハリソープ(播磨化成)等の市販紫外
線吸収剤である。これら紫外線吸収剤は単独で用いる事
も可能であるが、通常適当なマトリックス中で用いるの
が好ましい。これらマトリックスとしてアクリル樹脂、
ポリスチレン樹脂、スチレン−ブタジェン樹脂、スチレ
ン−アクリロニトリル樹脂、スチレン−n−ブチルメタ
クリレート樹脂、スチレン−メチルメタクリレート樹脂
、フェノール樹脂、アクリロニトリル−塩化ビニリデン
樹脂、塩ビー酢ピ樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ブチラール樹脂
、ポリスチレン樹脂、石油樹脂、ポリフェニレンオキサ
イド樹脂、アルコール可溶性ナイロン樹脂、カチオン型
導電性樹脂、ポバール等があげられ、これら樹脂は単独
もしくはそれぞれが目的に応じて併用してもよい。それ
らのマトリックス樹脂の中でも導電性支持体(特にアル
ミを導電性支持体として用いた感光体)との接着性、皮
膜性、紫外線吸収剤との相溶性等にお(・てアルコール
可溶性ナイロンは特に好まい・ものであった。また紫外
線吸収層中に電荷発生物質をカロえてもよい。特に電荷
発生物質を加えた系でヲマ紫外線吸収層を設けることに
よる感度低下現象を防止するどころか場合によっては感
度上昇現象も認められ好ましい結果を得た。
次に紫外線吸収化合物を含有する層の膜厚レマ0.01
〜10μが適当であり、これ以上になると種々の電子写
真特性特に感度に悪影響をおよ(ヂす。
〜10μが適当であり、これ以上になると種々の電子写
真特性特に感度に悪影響をおよ(ヂす。
又これ以下になると感光体の光劣化を十分防止すること
は出来ない。
は出来ない。
特にこの紫外線吸収層を設けることにより感光体中の電
荷移動物質の光劣化防止に有効に働く。そして電荷移動
物質が次′に示す芳香族アミノ化合物の時その効果が顕
著である。更に41次に示す含窒素複素環化合物に対し
ても同様にその効果はかなり大きい。
荷移動物質の光劣化防止に有効に働く。そして電荷移動
物質が次′に示す芳香族アミノ化合物の時その効果が顕
著である。更に41次に示す含窒素複素環化合物に対し
ても同様にその効果はかなり大きい。
(芳香族アミノ化合物)
トリフェニルアミン、ジベンジルアニリン、ジフェニル
ベンジルアミン、ジー(p−クロロベンジル)アニリン
、ジー(β−ナフチル)ベンジルアミン、トリー(p−
トリル)アミン、N。
ベンジルアミン、ジー(p−クロロベンジル)アニリン
、ジー(β−ナフチル)ベンジルアミン、トリー(p−
トリル)アミン、N。
N、W、N’、−テ) ラヘンジルーp−7二二レンジ
アミン、N、N、N’、N’、−テトラ(p−クロロベ
ンジル)−p−フェニレンジアミン、N、N、N’N′
、−テトラメチル−p−フェニレンジアミン、N、N、
N’、N’、−テトラベンジル−m−フェニレンジアミ
ン、N 、 N 、 N’、 N’、−テトラメチルベ
ンジジン、N 、 N 、 N’、 N’、−テトラベ
ンジルベンジジン、N 、 N 、 N’、 N’、−
テトラフェニル−p−フェニレンジアミン、N 、 N
、 N’、 N’、−テトラフェニル−m−フェニレ
ンジアミン、1.1−ビス−(4−N、N−ジベンジル
アミノフェニル)−エタン、1.1−ビス−(4−N、
N−ジベンジルアミノフェニル)−プロパン、1.1−
ビス−(4−N、N−ジベンジルアミノフェニル)−ブ
タン、1.1!ビス−(47N、N−ジベンジルアミノ
フェニル)−2−メチルプロパン、2.2−ビス−(4
−N、N−ジベンジルアミノフェニル)−プロパン、2
,2−ビス−(4−N。
アミン、N、N、N’、N’、−テトラ(p−クロロベ
ンジル)−p−フェニレンジアミン、N、N、N’N′
、−テトラメチル−p−フェニレンジアミン、N、N、
N’、N’、−テトラベンジル−m−フェニレンジアミ
ン、N 、 N 、 N’、 N’、−テトラメチルベ
ンジジン、N 、 N 、 N’、 N’、−テトラベ
ンジルベンジジン、N 、 N 、 N’、 N’、−
テトラフェニル−p−フェニレンジアミン、N 、 N
、 N’、 N’、−テトラフェニル−m−フェニレ
ンジアミン、1.1−ビス−(4−N、N−ジベンジル
アミノフェニル)−エタン、1.1−ビス−(4−N、
N−ジベンジルアミノフェニル)−プロパン、1.1−
ビス−(4−N、N−ジベンジルアミノフェニル)−ブ
タン、1.1!ビス−(47N、N−ジベンジルアミノ
フェニル)−2−メチルプロパン、2.2−ビス−(4
−N、N−ジベンジルアミノフェニル)−プロパン、2
,2−ビス−(4−N。
N−ジベンジルアミノフェニル)−ブタン、1.1−ビ
ス(4−N、N−ジー(m−メチルベンジルアミノフェ
ニル))−7”ロパン、ビス−(4−N、N−ジベンジ
ルアミノフェニル)−メタン、ビス−(4−N、N−ジ
ー(p−クロロペンジルアミノフェニル)〕メタン、ビ
ス(4−N、N−ジメチルアミノ)−1,1,1−トI
Jフェニルエタン、4.41−ベンジリジン−ビス(N
、N−ジエチル−m−)ルイジン)、4/、 4#−ビ
ス(ジエチルアミノ)−2,6−ジクロロ−2,′2z
r−ジメチルトリフェニルメタン、4.4’−ビス(ジ
エチルアミノ−2,2′−ジメチル)ジフェニル−ナフ
チルメタン、4?4“−ビス(ジメチルアミノ)−2−
10ロー2’、2”−ジメチルトリフェニルメタン、ビ
ス(4−ジエチルアミノ) −1,1,1−トリツ&易
ルエタン、!!、11−8>7晶エル−λ4−ベンタジ
aI−轟リデンー4.4−ビス(N、N−ジエチル−m
−)ルイジν)(註:下記構造式)3.3−ジツ墨蟲ル
了すリジインー4.41−ビス(N。
ス(4−N、N−ジー(m−メチルベンジルアミノフェ
ニル))−7”ロパン、ビス−(4−N、N−ジベンジ
ルアミノフェニル)−メタン、ビス−(4−N、N−ジ
ー(p−クロロペンジルアミノフェニル)〕メタン、ビ
ス(4−N、N−ジメチルアミノ)−1,1,1−トI
Jフェニルエタン、4.41−ベンジリジン−ビス(N
、N−ジエチル−m−)ルイジン)、4/、 4#−ビ
ス(ジエチルアミノ)−2,6−ジクロロ−2,′2z
r−ジメチルトリフェニルメタン、4.4’−ビス(ジ
エチルアミノ−2,2′−ジメチル)ジフェニル−ナフ
チルメタン、4?4“−ビス(ジメチルアミノ)−2−
10ロー2’、2”−ジメチルトリフェニルメタン、ビ
ス(4−ジエチルアミノ) −1,1,1−トリツ&易
ルエタン、!!、11−8>7晶エル−λ4−ベンタジ
aI−轟リデンー4.4−ビス(N、N−ジエチル−m
−)ルイジν)(註:下記構造式)3.3−ジツ墨蟲ル
了すリジインー4.41−ビス(N。
N−ジエチル−鵬−トルイジン)(lN下記111造式
) ビス−(4−N、N−ジペンジルア櫂ノツ轟昌ル)エー
テル、ビス−(4−N、N−ジ1チルア電ノツ轟晶ル)
エーテル、ビス−(4−N、N−ジベンジルア々)7
m aaル)チオエーテル、2,2−ビス(ジーP−)
リルア々ノツェニル) フW 、e<ン、4.41−ビ
ス(ジーp−)リルデ電ノ)−1゜1.1−)す71品
ルエタン、4.4′−ビス(ジベンジルアミノフェニル
)テトッフJ&エルメタン、4、<4’−)リス(ジエ
チルアミフッ晶晶J&f)メタン、4−ジメチルア電ノ
、4;4−ビス(ジ墨チルア電))−41−ジメチル−
)11178エルメタン(註8下記構造式)など。
) ビス−(4−N、N−ジペンジルア櫂ノツ轟昌ル)エー
テル、ビス−(4−N、N−ジ1チルア電ノツ轟晶ル)
エーテル、ビス−(4−N、N−ジベンジルア々)7
m aaル)チオエーテル、2,2−ビス(ジーP−)
リルア々ノツェニル) フW 、e<ン、4.41−ビ
ス(ジーp−)リルデ電ノ)−1゜1.1−)す71品
ルエタン、4.4′−ビス(ジベンジルアミノフェニル
)テトッフJ&エルメタン、4、<4’−)リス(ジエ
チルアミフッ晶晶J&f)メタン、4−ジメチルア電ノ
、4;4−ビス(ジ墨チルア電))−41−ジメチル−
)11178エルメタン(註8下記構造式)など。
(含窒素複素皐化会物)
1.8.8−)リア&易ルーピッ゛ゾリン、l−フ轟易
j&−−3−(p−ジメチルア々ノスチリル)−s−(
p−pメチルア々ノフ墨轟ル)−ピ9ゾリン、L5−シ
フ晶エルー3−スチνルーピッ’/97,1.8−f)
フ轟エル−6−スチリルービツゾリン、1.3−シフ1
エル−6−(P−ジメチルア々ノフJL!ル)−ピラゾ
リν、L3−シフJ&1ルー5−7リルーピツゾリン、
等のピラゾリン−導体、3−(4−ジメチルアζノッ墨
エル)−!!、6−ジー(4#−メト11?シフ墨晶ル
)−1,2,4−)リアジン、3−(4’−ジメチルア
電ノフ晶蟲ル)−s、6−ジビリジkc2つ−も2.4
−)リアジン(註冨下記構造式)8−(4’−ジメチル
アき)7J11エル>−S、S−ジー(4#−メトキシ
71エル)−1,2,4−)リアジン、$−(4’−ジ
メチルアミ)7JLニル)−!S、6゛−ジー(4#−
メト命シフ凰蟲ル)−1,2゜4−トリアジン勢のIJ
、4−)リアジン靜導体、&4−シフJ&畠ルーキナゾ
リン、2−7&二ル−4−(4’−)リル)−キナゾリ
ン、2−フ墨エル−4−(4’−ジメチルアζ)7JL
ニル)−キナゾリン(註:下記構造式) %式% 4−ジッ畠二ルーー8−ベンゾキナゾリン等のキナゾリ
ン誘導体、2.5−ビス−〔4′−ジメチルアに)7轟
エル−(1’) )−1,3,4−オキナシアゾール、
λ6−ピスー〔4−ジェチルアζノツJLニル−(1’
))−1,3,4−オキナシアゾール、&5−ビスー(
4’−イソア電ルア々ノーッ畠1ルー(1’) )−1
,3,4−オキナシアゾール、λ5−ビスー〔4′−シ
フ曹−ベンテルア電ノアJ&ニル−(1’) )−1,
3,4−オキナシアゾール、2.S−ビス−〔4′−エ
チルア電ノーフ畠エル(1つ)−1,3,4−オキナシ
アゾール等のオキサジアゾール誘導体などがある。
j&−−3−(p−ジメチルア々ノスチリル)−s−(
p−pメチルア々ノフ墨轟ル)−ピ9ゾリン、L5−シ
フ晶エルー3−スチνルーピッ’/97,1.8−f)
フ轟エル−6−スチリルービツゾリン、1.3−シフ1
エル−6−(P−ジメチルア々ノフJL!ル)−ピラゾ
リν、L3−シフJ&1ルー5−7リルーピツゾリン、
等のピラゾリン−導体、3−(4−ジメチルアζノッ墨
エル)−!!、6−ジー(4#−メト11?シフ墨晶ル
)−1,2,4−)リアジン、3−(4’−ジメチルア
電ノフ晶蟲ル)−s、6−ジビリジkc2つ−も2.4
−)リアジン(註冨下記構造式)8−(4’−ジメチル
アき)7J11エル>−S、S−ジー(4#−メトキシ
71エル)−1,2,4−)リアジン、$−(4’−ジ
メチルアミ)7JLニル)−!S、6゛−ジー(4#−
メト命シフ凰蟲ル)−1,2゜4−トリアジン勢のIJ
、4−)リアジン靜導体、&4−シフJ&畠ルーキナゾ
リン、2−7&二ル−4−(4’−)リル)−キナゾリ
ン、2−フ墨エル−4−(4’−ジメチルアζ)7JL
ニル)−キナゾリン(註:下記構造式) %式% 4−ジッ畠二ルーー8−ベンゾキナゾリン等のキナゾリ
ン誘導体、2.5−ビス−〔4′−ジメチルアに)7轟
エル−(1’) )−1,3,4−オキナシアゾール、
λ6−ピスー〔4−ジェチルアζノツJLニル−(1’
))−1,3,4−オキナシアゾール、&5−ビスー(
4’−イソア電ルア々ノーッ畠1ルー(1’) )−1
,3,4−オキナシアゾール、λ5−ビスー〔4′−シ
フ曹−ベンテルア電ノアJ&ニル−(1’) )−1,
3,4−オキナシアゾール、2.S−ビス−〔4′−エ
チルア電ノーフ畠エル(1つ)−1,3,4−オキナシ
アゾール等のオキサジアゾール誘導体などがある。
ここで機能分離型電子写真感光体の感光機構について簡
単に述べると、照射光を電荷発生物質が吸収して光キャ
リヤーを形成し、次にこの光キャリヤーすなわち電子あ
φいは正孔の一方が電荷移動物質に注入されてこの電荷
移動物質層中を移動して表面電荷分布を形成する。
単に述べると、照射光を電荷発生物質が吸収して光キャ
リヤーを形成し、次にこの光キャリヤーすなわち電子あ
φいは正孔の一方が電荷移動物質に注入されてこの電荷
移動物質層中を移動して表面電荷分布を形成する。
次に本発明の特徴を、図面を参照して考察するとき容易
に説明がつく。゛ 図面において第1図は、特許請求の範囲の第1項に対応
するもめであり、第i図は□特許請求の範囲の第8項に
対応するものである。
に説明がつく。゛ 図面において第1図は、特許請求の範囲の第1項に対応
するもめであり、第i図は□特許請求の範囲の第8項に
対応するものである。
第1図及び第2図の導電性支持体4は通常は適当な導電
性材料及び支持体から成り立っている。単層の典形的な
導電体はアルミニウム、スチール、ニッケル、黄銅など
から成る。この支持体は硬くてもよいし、あるいは柔軟
であってもよ(、又その支持体の厚さは目的により任意
の厚さを取ることができる。基体、すなわち支持体は高
分子導電剤をオーバーコート又は含有させた紙ニアルミ
ニウム、ニッケル又はヨー化銅のような薄り導電性層が
被覆されているプラスチックフィルム二酸化クロム又は
酸化錫の薄い導電性膜で被覆されているガラスのような
複合構造から成り立つ′ている。
性材料及び支持体から成り立っている。単層の典形的な
導電体はアルミニウム、スチール、ニッケル、黄銅など
から成る。この支持体は硬くてもよいし、あるいは柔軟
であってもよ(、又その支持体の厚さは目的により任意
の厚さを取ることができる。基体、すなわち支持体は高
分子導電剤をオーバーコート又は含有させた紙ニアルミ
ニウム、ニッケル又はヨー化銅のような薄り導電性層が
被覆されているプラスチックフィルム二酸化クロム又は
酸化錫の薄い導電性膜で被覆されているガラスのような
複合構造から成り立つ′ている。
第1図の3の紫外線吸収化合物層は通常マトリックス樹
脂中で不規則に紫外線吸収化合物が分散され【いる。こ
こで用いるマトリックス樹脂は2の電荷発生物質層のマ
トリックス樹脂と同じであってもよく、また違っていて
もよい。
脂中で不規則に紫外線吸収化合物が分散され【いる。こ
こで用いるマトリックス樹脂は2の電荷発生物質層のマ
トリックス樹脂と同じであってもよく、また違っていて
もよい。
しかし総じていえることは皮膜性が強(及び導電性支持
体との接着性のよい樹脂がよく、更には余り電気絶縁性
の高(ない樹脂が好ましい。
体との接着性のよい樹脂がよく、更には余り電気絶縁性
の高(ない樹脂が好ましい。
これら樹脂についてはすでに述べた。これらマトリック
ス樹脂と紫外線吸収化合物の比率はマトリックス樹脂1
部に対して紫外線吸収化合物0.01−10 部が好ま
しい。
ス樹脂と紫外線吸収化合物の比率はマトリックス樹脂1
部に対して紫外線吸収化合物0.01−10 部が好ま
しい。
第1図の2の電荷発生物質層の化合物としてはセレン、
セレン−テルル合金、セレンーヒ素合金、硫化カドミウ
ム等の無機光導電性粒子:銅フタロシアニン、ペリノン
系顔料、アントラキノン系顔料、アゾ系顔料、ビスアゾ
系顔料、シアニン系顔料等の有機光導電性粒子が挙げら
れる。染料としては、例えばメチルバイオレット、ブリ
リアントグリーン、クリスタルバイオレット等のトリフ
ェニルメタン染料、メチレンブルーなどのチアジン染料
やピリジニウム塩、チアピリリウム塩、ベンゾピリリウ
ム塩等があげられる。電荷発生物質層のマトリックス樹
脂は3の紫外線吸収化合物層のマ) IJラックス脂で
例示したものがすべて適用可能であるが総じてポリエス
テル樹脂、ジアリルフタレート樹脂等比較的電気絶縁性
の高い樹脂の方が好ましい。
セレン−テルル合金、セレンーヒ素合金、硫化カドミウ
ム等の無機光導電性粒子:銅フタロシアニン、ペリノン
系顔料、アントラキノン系顔料、アゾ系顔料、ビスアゾ
系顔料、シアニン系顔料等の有機光導電性粒子が挙げら
れる。染料としては、例えばメチルバイオレット、ブリ
リアントグリーン、クリスタルバイオレット等のトリフ
ェニルメタン染料、メチレンブルーなどのチアジン染料
やピリジニウム塩、チアピリリウム塩、ベンゾピリリウ
ム塩等があげられる。電荷発生物質層のマトリックス樹
脂は3の紫外線吸収化合物層のマ) IJラックス脂で
例示したものがすべて適用可能であるが総じてポリエス
テル樹脂、ジアリルフタレート樹脂等比較的電気絶縁性
の高い樹脂の方が好ましい。
またその膜厚は0.1μ〜5μが適当である。
第2図の5は一層中に紫外線吸収化合物を電荷発生層に
加える事によって得られる感光層であるが、ここで用い
るマトリックス樹脂は電荷発生物質層で用いられるマ)
IJラックス脂と同じものが用いられる。紫外線吸収
化合物と電荷発生物質との割合は用いる電荷発生物質に
よって−がいには決められないが1 : 100〜1o
:1が適当である。またその膜厚は0.1μ〜5μが適
当である。
加える事によって得られる感光層であるが、ここで用い
るマトリックス樹脂は電荷発生物質層で用いられるマ)
IJラックス脂と同じものが用いられる。紫外線吸収
化合物と電荷発生物質との割合は用いる電荷発生物質に
よって−がいには決められないが1 : 100〜1o
:1が適当である。またその膜厚は0.1μ〜5μが適
当である。
最後に第1図、第2図の電荷移動物質層lは前述の芳香
族アミン化合物又は含窒素含有複素環化合物を少な(と
も1種を下記にあげるマトリックス樹脂中に分散溶融さ
すことによって得られる。通常ここで用いられるマトリ
ックス樹脂は高い電気絶縁性を有し、皮膜特性の良い樹
脂、例えばポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、
ボリアリレート樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂
等があげられる。必要により適当な可塑剤を電荷移動物
質層に加えてもよい。
族アミン化合物又は含窒素含有複素環化合物を少な(と
も1種を下記にあげるマトリックス樹脂中に分散溶融さ
すことによって得られる。通常ここで用いられるマトリ
ックス樹脂は高い電気絶縁性を有し、皮膜特性の良い樹
脂、例えばポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、
ボリアリレート樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂
等があげられる。必要により適当な可塑剤を電荷移動物
質層に加えてもよい。
電荷移動物質層中に占める電荷移動物質の割合は、感光
体の作製条件などを考慮すると10〜70重量%が適当
である。
体の作製条件などを考慮すると10〜70重量%が適当
である。
そしてその膜厚は5μ〜50μが適当である。
又第1図の1の層と2の層は完全に機能分離していな(
てもよく、その境界において一部がこん然一体となって
いてもよい。
てもよく、その境界において一部がこん然一体となって
いてもよい。
このようにして作製した本発明に係る感光体は、本発明
の意図する高感度性を失なう事なしに、帯電、露光の繰
り返しによる疲労が少ない秀れた感光体である。
の意図する高感度性を失なう事なしに、帯電、露光の繰
り返しによる疲労が少ない秀れた感光体である。
第1図及び第2図中の電荷移動層中に紫外線吸収化合物
を添加する方法も考えられるがこの場合紫外線吸収化合
物を加える事による電位の低下、感度の低下現象をひき
おこし好ましい方法ではなかった。
を添加する方法も考えられるがこの場合紫外線吸収化合
物を加える事による電位の低下、感度の低下現象をひき
おこし好ましい方法ではなかった。
以下に実施例を示す。なお文中、部とあるのはすべて重
量部である。
量部である。
実施例1゜
10μのアルミニウム貼り合せ膜厚75μのポリエチレ
ンテレフタレートフィルムにチヌビンーp(ベンゾトリ
アゾール系紫外線吸収剤、チパ・ガイギー社の商品)0
.3#とアルコール可溶性ナイロン樹脂(東し製、CM
−8,000)1 tをエタノール60−に溶解させ、
ドクタープレイド法により膜厚0.3μ鵡の紫外線吸収
層を設けた。この層の上に下記構造で示されるビスアゾ
化合物1tをポリエステル樹脂(東洋紡製パイロン−2
00)OStをテトッヒド四フラン10mK分散もしく
は溶解させ、ドクタープレイド法により積層塗布した。
ンテレフタレートフィルムにチヌビンーp(ベンゾトリ
アゾール系紫外線吸収剤、チパ・ガイギー社の商品)0
.3#とアルコール可溶性ナイロン樹脂(東し製、CM
−8,000)1 tをエタノール60−に溶解させ、
ドクタープレイド法により膜厚0.3μ鵡の紫外線吸収
層を設けた。この層の上に下記構造で示されるビスアゾ
化合物1tをポリエステル樹脂(東洋紡製パイロン−2
00)OStをテトッヒド四フラン10mK分散もしく
は溶解させ、ドクタープレイド法により積層塗布した。
膜厚はOBμmであった。
更にこの上に下記構造で示される芳香族ア々ン化合物S
et、ポリカーlネート樹脂3Dtをジクールエタン4
0dK溶解して積層塗布した。
et、ポリカーlネート樹脂3Dtをジクールエタン4
0dK溶解して積層塗布した。
60Cで10時間乾燥した後の膜厚は10sでありた。
また比較例として紫外線吸収層の設けていない感光体も
作製し、比較検討を行なりた。
作製し、比較検討を行なりた。
この2つの感光体を市販のペーパーアナ94f−(川口
電機製)を用いて一6KVf):ff■す放電を30秒
間施し文帯電せしめ、この時の表面電位Vs1kll定
し、引続き暗所で10秒間静置し【再び表面電位Weを
測定した後、タングテン光で表面照度1G11!を10
秒間照射してその時の電位なVsoとして求めた。次に
V・が34に減少するに要する露光量をIC8として求
めた。また同じ感光体につい【以上のよ5な→aの帯電
−露光−除電のサイクルを5oooa<り返し、!$0
00 B後の帯電位V@、’及び表面照度101wxD
タングステタングテン光照射後の電位v1・1及びV・
′がにに減少するに要する露光量鳶′)を測定して比較
検討した。
電機製)を用いて一6KVf):ff■す放電を30秒
間施し文帯電せしめ、この時の表面電位Vs1kll定
し、引続き暗所で10秒間静置し【再び表面電位Weを
測定した後、タングテン光で表面照度1G11!を10
秒間照射してその時の電位なVsoとして求めた。次に
V・が34に減少するに要する露光量をIC8として求
めた。また同じ感光体につい【以上のよ5な→aの帯電
−露光−除電のサイクルを5oooa<り返し、!$0
00 B後の帯電位V@、’及び表面照度101wxD
タングステタングテン光照射後の電位v1・1及びV・
′がにに減少するに要する露光量鳶′)を測定して比較
検討した。
その結果を次の表1に示した。
表 1
但し、A:紫外線吸収層を設けた感光体B:紫外゛線吸
収層を設けない感光体 この表の結果から紫外線吸収層を設けることにより若干
電子写真特性は悪(なる傾向があるが5000回帯電−
露光−除電を(り返した後の電子写真特性の低下を紫外
線吸収層を設けないものに比べて著しく防止しているこ
とがあきらかである。
収層を設けない感光体 この表の結果から紫外線吸収層を設けることにより若干
電子写真特性は悪(なる傾向があるが5000回帯電−
露光−除電を(り返した後の電子写真特性の低下を紫外
線吸収層を設けないものに比べて著しく防止しているこ
とがあきらかである。
実施例2
アルミニウムを真空蒸着した膜厚100μのポリエチレ
ンテレフタレートフィルム上に下記の構造で表わされる
チオピリリニウム塩色素O,Xt下記の表2で示される
紫外線吸収化合物10種を各々表3で示される量をブチ
ラール樹脂05tと1緒にメチルエチルケトン30yd
K溶解もしくは分散さし、これら溶液(分散液)を針金
の直径0.1uのスキージングドクターで塗布した。
ンテレフタレートフィルム上に下記の構造で表わされる
チオピリリニウム塩色素O,Xt下記の表2で示される
紫外線吸収化合物10種を各々表3で示される量をブチ
ラール樹脂05tと1緒にメチルエチルケトン30yd
K溶解もしくは分散さし、これら溶液(分散液)を針金
の直径0.1uのスキージングドクターで塗布した。
この紫外線吸収化合物含有電荷発生物質層の膜厚はほぼ
0.3〜0.4μの間におさまっていた。
0.3〜0.4μの間におさまっていた。
次に下記の構造で表わされるピラゾリン化合−S、Ot
ポリアクリレート樹脂3.0 # をジク一ルエタン
30sdiC溶解し、積層−布したe soCで10時
間、乾燥した後の膜厚は11μでありた。
ポリアクリレート樹脂3.0 # をジク一ルエタン
30sdiC溶解し、積層−布したe soCで10時
間、乾燥した後の膜厚は11μでありた。
このよ5Kt、、て作製した感光体を実m例1とまりた
く同様にし【繰り返し特性を調べた。
く同様にし【繰り返し特性を調べた。
尚表3の試料Na1丁は電荷発生層中には紫外線吸収化
合物ははいっていない。
合物ははいっていない。
これらの表の結果から紫外線吸収化合物を含有させた電
荷発生層からなる感光体は5000回繰り返し使用を行
なった後の電子写真特性の低下を紫外線吸収化合物を加
えない感光体に比べて著しべ防止していることがあきら
かである。
荷発生層からなる感光体は5000回繰り返し使用を行
なった後の電子写真特性の低下を紫外線吸収化合物を加
えない感光体に比べて著しべ防止していることがあきら
かである。
第1図、第2図は本発明の電子写真用感光体の例示断面
図を示す。図中 1・・・・・・電荷移動物質層 2・・・・・・電荷発生物質層 3・・・・・・紫外線吸収化合物層 4・・・・・・導電性支持体 5・・・・・・紫外線吸収化合物含有電荷発生物質層を
それぞれ示す。 jII図 手続補正書(自発) 昭和り7年6月22日 特許庁長官 島 1)春 樹 殿 2、発明の名称 電子写真用感光体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 4、代理人 居 所 〒100東京都千代田区丸の内三丁目4番2号
三菱製紙株式会社内 5、補正命令の日付 昭和 年 月 日 6、補正により増加する発明の数 なし(1) 明細
書の第18頁1行目。 「ペリノン系゛顔料」を 「ペリレン系顔料」に訂正。
図を示す。図中 1・・・・・・電荷移動物質層 2・・・・・・電荷発生物質層 3・・・・・・紫外線吸収化合物層 4・・・・・・導電性支持体 5・・・・・・紫外線吸収化合物含有電荷発生物質層を
それぞれ示す。 jII図 手続補正書(自発) 昭和り7年6月22日 特許庁長官 島 1)春 樹 殿 2、発明の名称 電子写真用感光体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 4、代理人 居 所 〒100東京都千代田区丸の内三丁目4番2号
三菱製紙株式会社内 5、補正命令の日付 昭和 年 月 日 6、補正により増加する発明の数 なし(1) 明細
書の第18頁1行目。 「ペリノン系゛顔料」を 「ペリレン系顔料」に訂正。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 導電性支持体上に紫外線吸収化合物を少なくとも
1種を含有する層を設け、更にその上層に電荷発生物質
含有層と電荷移動物質含有層とをそれぞれ設けた事を特
徴とする電子写真用感光体。 2 紫外線吸収化合物がベンゾフェノン誘導体化合物で
ある特許請求の範囲第1項記載の電子写真用感光体。 ふ 紫外線吸収化合物がベンゾトリアゾール誘導体化合
物である特許請求の範囲第1項記載の電子写真用感光体
O 表 紫外線吸収化合物がチアゾリドン誘導体化合物であ
る特許請求の範囲第1項記載の電子写真用感光体。 5、 紫外線吸収化合物がスチルベン誘導体化合物であ
る特許請求の範囲第1項記載の電子写真用感光体。 a 紫外線吸収化合物が2500〜4000A域の光を
吸収する化合物である特許請求の範囲第1項記載の電子
写真用感光体。 7 紫外線吸収化合物のマ) IJラックス脂としてア
ルコール可溶性ナイロンを用いる事を特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の電子写真用感光体。 a 導電性支持体上に紫外線吸収化合物を少なくとも1
種と電荷発生物質を少なくとも1種とを含有する層を設
け、更にその上層に電荷移動物質を含有する感光層を設
けた事を特徴とする電子写真用感光体。 9、 紫外線吸収化合物がベンゾフェノン誘導体化合物
である特許請求の範囲第8項記載の電子写真用感光体。 10、 紫外線吸収化合物がベンゾ) IJアゾール
誘導体化合物である特許請求の範囲第8項記載の電子写
真用感光体。 11 紫外線吸収化合物がチアゾリドン誘導体化合物
である特許請求の範囲第8項記載の電子写真用感光体。 12 紫外線吸収化合物がスチルベン誘導体化合物で
ある特許請求の範囲第8項記載の電子写真用感光体。 11 紫外線吸収化合物が2500〜4000A域の
光を吸収する化合物である特許請求の範囲第8項記載の
電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11621281A JPS5817450A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11621281A JPS5817450A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5817450A true JPS5817450A (ja) | 1983-02-01 |
Family
ID=14681608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11621281A Pending JPS5817450A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5817450A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0264553A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
EP2600201A1 (en) | 2011-11-30 | 2013-06-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
EP2600195A1 (en) | 2011-11-30 | 2013-06-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
EP2733539A1 (en) | 2012-11-20 | 2014-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
WO2014178258A1 (en) * | 2013-04-30 | 2014-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, method for manufacturing the same, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
JP2014211619A (ja) * | 2013-04-01 | 2014-11-13 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP11621281A patent/JPS5817450A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0264553A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
EP2600201A1 (en) | 2011-11-30 | 2013-06-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
EP2600195A1 (en) | 2011-11-30 | 2013-06-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US8841052B2 (en) | 2011-11-30 | 2014-09-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
US9535347B2 (en) | 2011-11-30 | 2017-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
US9778582B2 (en) | 2011-11-30 | 2017-10-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus incorporating an improved undercoat layer |
EP2733539A1 (en) | 2012-11-20 | 2014-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
JP2014211619A (ja) * | 2013-04-01 | 2014-11-13 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
WO2014178258A1 (en) * | 2013-04-30 | 2014-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, method for manufacturing the same, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
JP2014219430A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-20 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
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