JPH1135842A - クロロガリウムフタロシアニン結晶、その処理方法、およびそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】耐久性が高く、良好な電子写真特性を示し、結
着樹脂中での分散性に優れたクロロガリウムフタロシア
ニン結晶を得るための処理方法を提供する。また、電子
写真感光体の光感度を露光光源が必要とする光感度に合
わせることが可能なクロロガリウムフタロシアニン結晶
およびそれを用いた電子写真感光体を提供する。 【解決手段】合成により得たＩ型クロロガリウムフタロ
シアニン結晶を乾式粉砕処理し、次いで溶剤中で湿式粉
砕処理して結晶変換を行う。この場合、Ｉ型クロロガリ
ウムフタロシアニン結晶の溶剤残留量を５重量％以下の
範囲で制御して乾式粉砕処理を行うことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、クロロガリウムフ
タロシアニンの結晶変換方法、それによって得られたク
ロロガリウムフタロシアニン結晶、およびその結晶を感
光層中に含有する電子写真感光体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子写真感光体における光導電物質とし
ては、種々の無機系および有機系の光導電物質が知られ
ている。有機系の光導電物質は、それを電子写真感光体
に使用した場合、膜の透明性、良好な成膜性、可撓性を
有し、無公害である、コストが比較的低い等の利点を有
しているため、従来から種々のものが提案されている。
また、従来の有機光導電物質について、その感光波長領
域を近赤外線の半導体レーザの波長領域にまで伸ばすこ
とにより、レーザプリンタ、デジタル複写機、ＦＡＸ等
のデジタル記録用の感光体として使用する要求が高まっ
ており、半導体レーザ用の有機光導電物質として幾つか
のものが提案されている。特にフタロシアニン化合物
は、その結晶型と電子写真特性について多くの報告がな
されている。

【０００３】一般に、フタロシアニン化合物は、その製
造方法または処理方法の相違により、幾つかの結晶型に
分かれること、およびその結晶型が異なるとフタロシア
ニン化合物の光電変換特性に大きな影響を及ぼすことが
知られている。フタロシアニン化合物の結晶型について
は、例えば、無金属フタロシアニンについてみると、
α、β、ε、π、τ、Ｘ等の結晶型が知られ、また、ク
ロロガリウムフタロシアニンに関しても、その結晶型と
電子写真特性について多くの報告がなされている。例え
ば、特開平５−１９４５２３号公報および特開平５−９
８１８１号公報には、特定のブラッグ角度に回折ピーク
を有するクロロガリウムフタロシアニン結晶、およびそ
れを用いた電子写真感光体について記載されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
フタロシアニン化合物およびクロロガリウムフタロシア
ニン結晶を用いた電子写真感光体の光感度は、含有され
る光導電物質によってほぼ一義的に決まるため、露光光
源が必要とする光感度とは必ずしも一致せず、文字の太
りや細り、および解像度等において問題を起こす場合が
あり、高品質な画像を得るための感光体の設計に制約が
あった。感光体の光感度を変化させるには、感光体層中
の結着樹脂や有機溶剤を変える等の方法が知られている
が、結着樹脂および有機溶剤は、感光体の構成上使用で
きるものが限られているため、結着樹脂および有機溶剤
によって光感度を要求に応じて変えることは実際には困
難である。

【０００５】所望の感度に合わせる方法について、例え
ば特開平５−１７３３４５号公報には異なる結晶型を有
するフタロシアニンを混合し、その混合比を変化させて
感度を調節する方法、また、特開平８−６７８２９号公
報には中心金属の異なるフタロシアニン、例えば、チタ
ニルフタロシアニンとバナジルフタロシアニンを混合
し、感度を調節する方法が示されている。しかしなが
ら、これらの公報において示されている感光体は、繰り
返し使用した場合、電位変動が大きかったり、あるいは
環境により特性が大きく変化する等の問題があった。さ
らに複数のフタロシアニンを混合する場合には、フタロ
シアニンの製造工程が複雑化しコストアップとなるた
め、実際には満足できるものではなかった。そこで、様
々な感度への要望に答えられるように、光導電物質につ
いて感度制御因子を把握して感度を調整することが望ま
れている。

【０００６】本発明は、従来の技術における上記のよう
な問題点を解決するためになされたものである。すなわ
ち、本発明の目的は、耐久性が高く、良好な電子写真特
性を示し、結着樹脂中での分散性に優れたクロロガリウ
ムフタロシアニン結晶を得るための処理方法を提供する
ことにある。本発明の他の目的は、電子写真感光体の光
感度を露光光源が必要とする光感度に合わせることが可
能なクロロガリウムフタロシアニン結晶およびそれを用
いた電子写真感光体を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、合成によ
り得たＩ型クロロガリウムフタロシアニン結晶を乾式粉
砕処理した後、溶剤中で湿式粉砕処理するクロロガリウ
ムフタロシアニンの結晶変換方法において、Ｉ型クロロ
ガリウムフタロシアニン結晶中の不純物としての溶剤残
留量を制御することにより得られるクロロガリウムフタ
ロシアニン結晶が電子写真用光導電物質として非常に優
れた性能を発現することを確認し、本発明の上記目的が
達成されることを見出した。

【０００８】すなわち、本発明は、合成により得たＩ型
クロロガリウムフタロシアニン結晶を乾式粉砕処理し、
次いで溶剤中で湿式粉砕処理して結晶変換を行うクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶の処理方法において、乾式
処理に先だって、Ｉ型クロロガリウムフタロシアニン結
晶の溶剤残留量を５重量％以下の範囲に制御することを
特徴とする。

【０００９】本発明のクロロガリウムフタロシアニン結
晶は、上記の処理方法により得られたものであって、Ｃ
ｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±０．２
°）が、少なくとも７．４°、１６．６°、２５．５°
および２８．３°に強い回折ピークを有するものであ
る。本発明の電子写真感光体は、導電性基体上に、感光
層を設けたものであって、感光層が上記処理方法によっ
て得られた少なくとも７．４°、１６．６°、２５．５
°および２８．３°に強い回折ピークを有するクロロガ
リウムフタロシアニン結晶を含有することを特徴とす
る。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。まず、本発明に用いられるＩ型クロ
ロガリウムフタロシアニン結晶は、１，３−ジイミノイ
ソインドリンを三塩化ガリウムと有機溶剤中で加熱縮合
させることにより合成される。この際に使用する有機溶
剤としては、α−クロロナフタレン、β−クロロナフタ
レン、メトキシナフタレン、ジフェニルエタン、エチレ
ングリコール、ジアルキルエーテル、キノリン、スルホ
ラン、ジメチルスルホキシド、ジクロロベンゼン、ジク
ロロトルエン等の反応不活性な高沸点の溶剤が望まし
い。加熱縮合させる場合の反応温度は１３０〜２２０
℃、好ましくは１４０〜１８０℃の範囲が選択される。

【００１１】次に、上記の方法により合成されたＩ型ク
ロロガリウムフタロシアニン結晶は、精製水を用いて、
セラミックスフィルターまたは遠心濾過、またはソック
スレー抽出器により洗浄処理され、次いで乾燥させるこ
とによって、溶剤残留量が５重量％以下の値になるよう
に制御する。

【００１２】洗浄処理における精製水の使用量は、Ｉ型
クロロガリウムフタロシアニン結晶の２倍量〜５００倍
量、好ましくは５倍量〜２００倍量である。また、ソッ
クスレー抽出器による洗浄時間は、１〜２０時間、好ま
しくは４〜１０時間である。また、洗浄に用いる精製水
としては、純水、蒸留水、イオン交換水等の伝導度１
０．０μＳ／ｃｍ以下、好ましくは１．０μＳ／ｃｍ以
下のものがあげられる。Ｉ型クロロガリウムフタロシア
ニン結晶の洗浄後の乾燥条件は、４０℃以上で、かつ５
時間以上、好ましくは６０℃以上で、かつ２０時間以上
である。また、溶媒を効率良く除去するため、乾燥を減
圧下で行うのが好ましい。具体的には、４００Ｐａ以下
の減圧下で乾燥を行なうのが好ましい。

【００１３】上記の方法で得られたＩ型クロロガリウム
フタロシアニン結晶は、粉砕処理すると結晶変換が行わ
れ、高感度なクロロガリウムフタロシアニン結晶に変換
される。本発明における粉砕処理は、上記のＩ型クロロ
ガリウムフタロシアニン結晶を、乾式粉砕した後に湿式
粉砕処理を行うものである。乾式粉砕には、振動ミル、
自動乳鉢、サンドミル、ダイノーミル、スエコミル、コ
ボールミル、アトライター、遊星ボールミル、ボールミ
ル等の装置が使用される。乾式粉砕後のクロロガリウム
フタロシアニン結晶の平均粒径は、粉砕時間を調整し
て、０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下になる
ようにするのが好ましい。

【００１４】続いて、乾式粉砕されたクロロガリウムフ
タロシアニン結晶は、溶剤中で上記の粉砕装置を用いて
湿式粉砕処理を行う。それにより、ＣｕＫα特性Ｘ線に
対するブラッグ角度（２θ±０．２°）の少なくとも
７．４°、１６．６°、２５．５°および２８．３°に
強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン
結晶を得ることができる。

【００１５】上記の溶剤としては、トルエン、クロロベ
ンゼン等の芳香族系溶剤、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルアセトアミド、ヘキサメチルりん酸トリアミド、Ｎ
−メチルピロリドン等のアミド系溶剤、メタノール、エ
タノール、ｎ−ブタノール等の脂肪族アルコール系溶
剤、グリセリン、ポリエチレングリコール等の脂肪族多
価アルコール系溶剤、シクロヘキサノン、メチルエチル
ケトン等のケトン系溶剤、塩化メチレン等の脂肪族ハロ
ゲン化炭化水素系溶剤、テトラヒドロフラン等のエーテ
ル系溶剤または水等があげられる。クロロガリウムフタ
ロシアニン結晶と溶剤の使用割合には特に制限はない
が、両者の接触効率から１：５〜１：１００の範囲が好
ましい。

【００１６】本発明において、粉砕処理されるＩ型クロ
ロガリウムフタロシアニン結晶は、粉砕に先だって洗浄
して残存溶剤量を５重量％以下に設定することが必要で
ある。洗浄において、精製水使用量が少ないか、または
乾燥温度が低く乾燥時間が短い場合、粉砕機内でＩ型ク
ロロガリウムフタロシアニン結晶が凝集しやすくなり、
結晶を粉砕するべく剪断応力の一部が、凝集した結晶の
解砕に消費されるため、乾式粉砕工程での粉砕効率が低
下する。粉砕効率が低下すると結晶変換が不十分となり
感度が低下する。また、結晶変換により得られるＣｕＫ
α特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±０．２°）の
少なくとも７．４°、１６．６°、２５．５°および２
８．３°に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタ
ロシアニン結晶中に、Ｉ型クロロガリウムフタロシアニ
ン結晶が混在したり、粗大粒子が混在する場合もある。
なお、結晶変換が不十分であると、塗布液を作製したと
きの分散性が低下しやすくなり、黒ポチ、白ポチ等の画
質欠陥を生じたり、塗布液の経時安定性が悪化し、ポッ
トライフが短くなる等の不具合を生じる。これは、Ｉ型
クロロガリウムフタロシアニン結晶中に、不純物として
溶剤が多く残留しているためであり、特に残留溶剤量が
５重量％を越えると顕著になる。したがって、本発明に
おいては、残留溶剤量は５重量％以下でなければならな
い。

【００１７】一方、その範囲内では残留溶剤量を変化さ
せると、電子真感光体として優れた電気特性、画像品質
を保ちながら、感度のみを調整することが可能になる。
これは、粉砕効率の変化により結晶変換の変換率が変化
したことによるものと推測される。したがって、本発明
においては、残留溶剤量を５重量％以下の範囲で適宜設
定することにより、感度を調整することが可能である。

【００１８】次に、本発明の処理方法により得られるク
ロロガリウムフタロシアニン結晶を光導電材料として使
用する場合について説明する。本発明において、クロロ
ガリウムフタロシアニン結晶は、電子写真感光体の感光
層が単層構造のもの、あるいは電荷発生層と電荷輸送層
とに機能分離された積層構造のもの等の如何なるものに
も適用することができる。積層型感光体の場合には、導
電性基体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とが積
層された感光層が設けられるが、その積層の順序はいず
れが導電性基体側にあってもよい。

【００１９】導電性基体としては、従来から使用されて
いるものであれば、如何なるものを用いてもよい。ま
た、導電性基体の表面は、必要に応じて、画質に影響の
ない範囲で各種の処理を行うことができる。例えば、表
面の陽極酸化処理、液体ホーニング等による粗面化処
理、薬品処理、着色処理等を行うことができる。

【００２０】電荷発生層は、本発明の上記結晶変換によ
る方法によって得られたクロロガリウムフタロシアニン
結晶と適当な結着樹脂の溶剤溶液とより形成される。ま
た、電荷発生材料としては、クロロガリウムフタロシア
ニン結晶の外に、他の公知の電荷発生材料を併用しても
よい。さらに、結着樹脂としては公知のものを適宜使用
できる。電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、４０：１
〜１：４、好ましくは２０：１〜１：２である。電荷発
生材料の比率が高すぎる場合には、塗布液の安定性が低
下し、低すぎる場合には、感度が低下するので、上記の
範囲に設定することが好ましい。

【００２１】電荷発生材料の分散に使用される溶剤とし
ては、結着樹脂を溶解するものを適当に選択することが
できる。また、分散手段としてはサンドミル、コロイド
ミル、アトライター、ボールミル、ダイノーミル、高圧
ホモジナイザー、超音波分散機、コボールミル、ロール
ミル等の方法が利用できる。塗布方法としては、ブレー
ドコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、スプ
レーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコー
ティング法、カーテンコーティング法等の方法を用いる
ことができる。電荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ
の範囲、好ましくは０．０３〜２μｍの範囲である。

【００２２】電荷輸送層は、電荷輸送材料と結着樹脂よ
り構成されるもので、電荷輸送材料は公知のものが適宜
使用できる。結着樹脂に用いるものとしては、例えば、
ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスチレン、ポ
リエステル、スチレン−アクリロニトリル共重合体、ポ
リスルホン、ポリメタクリル酸エステル、スチレン−メ
タクリル酸エステル共重合体、ポリオレフィン等が挙げ
られる。電荷輸送材料と結着樹脂の配合比（重量）は、
５：１〜１：５、好ましくは３：１〜１：３である。電
荷輸送材料の比率が高すぎる場合には、電荷輸送層の機
械的強度が低下し、低すぎる場合には、感度が低下する
ので、上記の範囲に設定するのが好ましい。また、電荷
輸送材料が成膜性を有する場合には、上記結着樹脂を省
くこともできる。

【００２３】電荷輸送層は、上記電荷輸送材料と結着樹
脂とを適当な溶剤に溶解し、塗布することによって形成
されるが、これらの塗布方法としては、電荷発生層につ
いて述べたのと同様の方法を用いることができる。電荷
輸送層の膜厚は、５〜５０μｍの範囲、好ましくは１０
〜４０μｍの範囲になるように形成することが好まし
い。

【００２４】本発明の製造方法により得られる電子写真
感光体において、感光層が単層構造である場合には、感
光層はクロロガリウムフタロシアニン結晶および電荷輸
送材料が結着樹脂に分散された光導電層より形成され
る。この場合、電荷輸送材料としては、公知のものが適
宜使用でき、また、結着樹脂としては、上記したものと
同様なものを使用することができるから、感光層は上記
したいずれかの方法によって形成することができる。そ
の際、電荷輸送材料と成膜性樹脂との配合比（重量）
は、１：２０〜５：１に設定するのが好ましく、また、
クロロガリウムフタロシアニン結晶と電荷輸送材料との
配合比（重量）は、１：１０〜１０：１に設定するのが
好ましい。

【００２５】また、必要に応じて、感光層と導電性基体
の間に下引き層を設けてもよい。下引き層は、導電性基
体からの不必要な電荷の注入を阻止するために有効なも
のであり、電子写真感光体の帯電性を向上させる作用を
有している。さらに、感光層と導電性基体との接着性を
も向上させる作用を有している。

【００２６】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳しく説
明する。なお、「部」は「重量部」を意味する。 （Ｉ型クロロガリウムフタロシアニン結晶の合成例）
１，３−ジイミノイソインドリン３０部および三塩化ガ
リウム９．１部をジメチルスルホキシド２３０部中に入
れ、１６０℃において４時間反応させた後、生成物を濾
別し、続いてジメチルスルホキシド２８０部で洗浄し
て、湿ケーク３０部を得た。

【００２７】（溶剤残留量の調整例） 作製例１ 上記合成例で得られた湿ケーク３０部を、イオン交換水
１１２部を用いて、遠心ろ過により洗浄し、続いて、真
空乾燥機（商品名：ＤＰ６１型、ヤマト科学社製）を用
いて、１．３３Ｐａの減圧下で６０℃において２４時間
乾燥し、Ｉ型クロロガリウムフタロシアニン結晶２８部
を得た。溶剤残留量は１．８重量％であった。得られた
Ｉ型クロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折
図を図１に示す。

【００２８】作製例２ 上記合成例で得られた湿ケーク３０部を、イオン交換水
２８０部を用いて、遠心ろ過により洗浄し、続いて、真
空乾燥機（商品名：ＤＰ６１型、ヤマト科学社製）を用
いて、１．３３Ｐａの減圧下で６０℃において２４時間
乾燥し、Ｉ型クロロガリウムフタロシアニン結晶２８部
を得た。溶剤残留量は１．２重量％であった。得られた
Ｉ型クロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折
図は図１と同一のスペクトルを示した。

【００２９】作製例３ 上記合成例で得られた湿ケーク３０部を、イオン交換水
５６０部を用いて、遠心ろ過により洗浄し、続いて、真
空乾燥機（商品名：ＤＰ６１型、ヤマト科学社製）を用
いて、１．３３Ｐａの減圧下で６０℃において２４時間
乾燥し、Ｉ型クロロガリウムフタロシアニン結晶２８部
を得た。溶剤残留量は０．６重量％であった。得られた
Ｉ型クロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折
図は図１と同一のスペクトルを示した。

【００３０】作製例４ 上記合成例で得られた湿ケーク３０部を、イオン交換水
２８０部を用いて、遠心ろ過により洗浄し、続いて、真
空乾燥機（商品名：ＤＰ６１型、ヤマト科学社製）を用
いて、１．３３Ｐａの減圧下で８０℃において６時間乾
燥し、Ｉ型クロロガリウムフタロシアニン結晶２８部を
得た。溶剤残留量は０．７重量％であった。得られたＩ
型クロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図
は図１と同一のスペクトルを示した。

【００３１】作製例５ 上記合成例で得られた湿ケーク３０部を、イオン交換水
２８０部を用いて、遠心ろ過により洗浄し、続いて、真
空乾燥機（商品名：ＤＰ６１型、ヤマト科学社製）を用
いて、１．３３Ｐａの減圧下で８０℃において１２時間
乾燥し、Ｉ型クロロガリウムフタロシアニン結晶２８部
を得た。溶剤残留量は０．３重量％であった。得られた
Ｉ型クロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折
図は図１と同一のスペクトルを示した。

【００３２】作製例６ 上記合成例で得られた湿ケーク３０部をイオン交換水２
８０部を用いて、遠心ろ過により洗浄し、続いて、真空
乾燥機（商品名：ＤＰ６１型、ヤマト科学社製）を用い
て、１．３３Ｐａの減圧下で８０℃において２４時間乾
燥し、Ｉ型クロロガリウムフタロシアニン結晶２８部を
得た。溶剤残留量は０．１重量％であった。得られたＩ
型クロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図
は図１と同一のスペクトルを示した。

【００３３】比較作製例１ 上記合成例で得られた湿ケーク３０部を、イオン交換水
１１２部を用いて、遠心ろ過により洗浄し、続いて、真
空乾燥機（商品名：ＤＰ６１型、ヤマト科学社製）を用
いて、１．３３Ｐａの減圧下で３０℃において６時間乾
燥し、Ｉ型クロロガリウムフタロシアニン結晶２８部を
得た。溶剤残留量は５．２重量％であった。得られたＩ
型クロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図
は図１と同一のスペクトルを示した。

【００３４】比較作製例２ 上記合成例で得られた湿ケーク３０部を、真空乾燥機
（商品名：ＤＰ６１型、ヤマト科学社製）を用いて、
１．３３Ｐａの減圧下で６０℃において２４時間乾燥
し、Ｉ型クロロガリウムフタロシアニン結晶２８部を得
た。溶剤残留量は５．９重量％であった。得られたＩ型
クロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図は
図１と同一のスペクトルを示した。

【００３５】処理例１〜６ 作製例１〜６でそれぞれ得られたＩ型クロロガリウムフ
タロシアニン結晶５部を、１２ｍｍφのアルミナ製ビー
ズ５０部とともにアルミナ製ポットに入れた。これを振
動ミル（ＭＢ−１型、中央化工機社製）に装着し、１０
０時間乾式粉砕して、クロロガリウムフタロシアニン結
晶４．５部を得た。得られたクロロガリウムフタロシア
ニン結晶の粉末Ｘ線回折図は全て同一のスペクトルを示
した。このスペクトルを図２に示す。

【００３６】次いで、得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶１部とジメチルスルホキシド１２部を、５ｍ
ｍφのガラスビーズ１００部とともに、室温において２
４時間ボールミル処理を行って、湿式粉砕した。次い
で、イオン交換水で洗浄し、湿ケーキを乾燥してクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶０．９部を得た。得られた
クロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図は
全て同一のスペクトルを示した。このスペクトルを図３
に示す。

【００３７】比較処理例１および比較処理例２ 比較作製例１および比較作製例２でそれぞれ得られたＩ
型クロロガリウムフタロシアニン結晶５部を、１２ｍｍ
φのアルミナ製ビーズ５０部とともにアルミナ製ポット
に入れた。これを振動ミル（ＭＢ−１型、中央化工機社
製）に装着し、１００時間乾式粉砕して、クロロガリウ
ムフタロシアニン結晶４．５部を得た。得られたクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図はそれぞ
れ同一のスペクトルを示した。このスペクトルを図４に
示す。

【００３８】次いで、得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶１部とジメチルスルホキシド１２部を５ｍｍ
φのガラスビーズ１００部とともに、室温において２４
時間ボールミル処理を行って、湿式粉砕した。次いで、
イオン交換水で洗浄し、湿ケーキを乾燥してクロロガリ
ウムフタロシアニン結晶０．９部を得た。得られたクロ
ロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図はそれ
ぞれ同一のスペクトルを示した。このスペクトルを図５
に示す。なお、このスペクトルには、合成直後の顔料に
由来する２７．１°のピークが現れている。

【００３９】（電子写真感光体の作製例） 実施例１ まず、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＭ
−１、積水化学工業社製）８部をｎ−ブチルアルコール
１５２部に加え、撹拌溶解し、５重量％のポリビニルブ
チラール溶液を作製した。次に、トリブトキシジルコニ
ウム・アセチルアセトネートの５０％トルエン溶液（商
品名：ＺＣ５４０，松本交商社製）１００部、γ−アミ
ノプロピルトリエトキシシラン（商品名：Ａ１１００、
日本ユニカー社製）１０部およびｎ−ブチルアルコール
１３０部を混合した溶液を、前述のポリビニルブチラー
ル溶液中に加え、スターラーで撹拌し、下引き層形成用
の塗布液を作製した。この塗布液を４０φ×３１９ｍｍ
のアルミニウムパイプ上に浸漬塗布し、１５０℃におい
て１０分間加熱乾燥し、膜厚１．０μｍの下引き層を形
成した。

【００４０】一方、ポリビニルブチラール（商品名：エ
スレックＢＭ−Ｓ、積水化学工業社製）１部を予め、酢
酸ｎ−ブチル４９部に溶解した溶液に、処理例１で得た
クロロガリウムフタロシアニン結晶１部を加え、５時間
サンドミルで分散し、酢酸ｎ−ブチルで希釈し、固形分
濃度３．０重量％の電荷発生層形成用塗布液を調製し
た。得られた塗布液を上記した下引き層の上にリング塗
布機によって塗布し、１００℃において１０分間加熱乾
燥して、膜厚０．２０μｍの電荷発生層を形成した。な
お、分散後の上記クロロガリウムフタロシアニン結晶の
結晶型は、粉末Ｘ線回折によって分散前の結晶型と比較
して変化していないことを確認した。

【００４１】次に、得られた電荷発生層の上に電荷輸送
層を形成させた。即ち、Ｎ，Ｎ′−ビス−（ｐ−トリ
ル）−Ｎ，Ｎ′−ビス−（ｐ−エチルフェニル）−３，
３′−ジメチルベンジジン４部を電荷輸送材料とし、ポ
リカーボネートＺ樹脂６部と共に、モノクロロベンゼン
４０部に溶解させ、得られた溶液を浸漬塗布装置によっ
て上記電荷発生層上に塗布し、１１５℃で６０分加熱乾
燥して膜厚１８μｍの電荷輸送層を形成し、それにより
電子写真感光体を作製した。

【００４２】実施例２〜６ 実施例１において、電荷発生材料として使用する処理例
１で得たクロロガリウムフタロシアニン結晶に代えて、
処理例２〜６でそれぞれ作製したクロロガリウムフタロ
シアニン結晶を使用した以外は、実施例１と全て同様に
して電子写真感光体を作製した。

【００４３】比較例１および比較例２ 実施例１において、電荷発生材料として使用する処理例
１で得たクロロガリウムフタロシアニン結晶に代えて、
比較処理例１および比較処理例２でそれぞれ作製したク
ロロガリウムフタロシアニン結晶を使用した以外は、実
施例１と全て同様にして電子写真感光体を作製した。

【００４４】（評価）上記各実施例１〜６、比較例１お
よび比較例２で得られた電子写真感光体を評価するため
に、レーザプリンタ（ＸＰ−１１：富士ゼロックス社
製）を用いて、以下の測定を行った。この操作は、２０
℃、５０％ＲＨの環境下で、グリッド印加電圧−６００
Ｖのスコロトロン帯電器で帯電し（Ａ）、７８０ｎｍの
半導体レーザを用いて、１秒後に７．０ｍＪ／ｍ² の光
を照射して放電を行い（Ｂ）、更に、３秒後に５０ｍＪ
／ｍ² の赤色ＬＥＤ光を照射して除電を行う（Ｃ）とい
うプロセスによって、各部の電位を測定した。この場
合、（Ａ）の電位ＶH は高い程、感光体の受容電位が高
いために、コントラストを高くすることが可能であり、
（Ｂ）の電位ＶL は低い程高感度であり、（Ｃ）ＶRPの
電位は低い程残留電位が少なく、画像メモリーやカブリ
が少ない感光体であると評価することができる。また、
１００００回の繰り返し帯電・露光後の各部の電位の測
定も行った。さらに、これらの電子写真感光体をレーザ
ープリンタ（商品名：４１０８、富士ゼロックス社製）
に装着し、各種プリント画像について評価した。以上の
結果を下記表１に示す。また、Ｉ型クロロガリウムフタ
ロシアニン結晶中の溶剤残留量（重量％）と初期電位
（Ｖ）の関係を図６に示す。

【００４５】なお、表１には、各作製例および比較作製
例でのＩ型クロロガリウムフタロシアニン結晶（顔料）
と洗浄に使用したイオン交換水（精製水）との比率、乾
燥条件、およびＩ型クロロガリウムフタロシアニン結晶
中の溶剤残留量も記載した。溶剤残留量は、ガスクロマ
トグラフィー（ＨＰ６８９０ＧＣ Ｓｙｓｔｅｍ：Ｈｅ
ｗｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄ社製）を用いて測定した。

【表１】

【００４６】表１から明らかなように、実施例１〜６に
おいて作製された電子写真感光体は、本発明の処理方法
により得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶を感
光層に使用するものであり、高感度で良好な電子写真特
性を示し、また、画像品質も良好である。また、これら
は１００００回の繰り返し複写後の電気特性も安定して
いる。また、処理例１〜６において作製されたクロロガ
リウムフタロシアニン結晶は、感度ＶL が異なってお
り、このことから、洗浄条件での精製水の使用量、乾燥
条件（温度、時間）を調整することにより、溶剤残留量
が減少し、感度ＶL も低くなるので、感度が制御可能で
あることが分かる。一方、比較例１および比較例２にお
いて作製された電子写真感光体は、画像品質が不良であ
り、１００００回の繰り返し複写後の電気特性も不安定
であることが分かる。

【００４７】

【発明の効果】本発明の処理方法は、上記の構成を有す
るから、Ｉ型クロロガリウムフタロシアニン結晶中の不
純物としての溶剤残留量を５重量％以下の範囲で適宜設
定して結晶変換することにより、優れた電子写真特性を
示し、所望の光感度を有するクロロガリウムフタロシア
ニン結晶を得ることができる。そして、本発明のクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶を感光層に含有させた電子
写真感光体は、上記のように優れた電気特性、画像品質
を示すとともに、繰り返し安定性の良好な電子写真特性
を示すという優れた効果を有するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 Ｉ型クロロガリウムフタロシアニン結晶の粉
末Ｘ線回折図を示す。

【図２】 処理例１〜６の乾式粉砕処理後のクロロガリ
ウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。

【図３】 処理例１〜６で得られたクロロガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。

【図４】 比較処理例１および比較処理例２の乾式粉砕
処理後のクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線
回折図を示す。

【図５】 比較処理例１および比較処理例２で得られた
クロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を
示す。

【図６】 Ｉ型クロロガリウムフタロシアニン結晶中の
溶剤残留量と初期電位の関係を示すグラフである。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 合成により得たＩ型クロロガリウムフタ
   ロシアニン結晶を乾式粉砕処理し、次いで溶剤中で湿式
   粉砕処理して結晶変換を行うクロロガリウムフタロシア
   ニン結晶の処理方法において、乾式粉砕処理に先だっ
   て、Ｉ型クロロガリウムフタロシアニン結晶の溶剤残留
   量を５重量％以下の範囲に制御することを特徴とするク
   ロロガリウムフタロシアニン結晶の処理方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の処理方法により製造さ
   れたＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±
   ０．２°）が、少なくとも７．４°、１６．６°、２
   ５．５°および２８．３°に強い回折ピークを有するク
   ロロガリウムフタロシアニン結晶。
3. 【請求項３】 導電性基体上に、感光層を設けた電子写
   真感光体において、該感光層が請求項２記載のクロロガ
   リウムフタロシアニン結晶を含有することを特徴とする
   電子写真感光体。