JP3395484B2 - ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶とその製造方法、及びそれを用いる電子写真感光体 - Google Patents
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶とその製造方法、及びそれを用いる電子写真感光体Info
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- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
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- G03C1/005—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein
- G03C1/06—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein with non-macromolecular additives
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- G03C1/10—Organic substances
- G03C1/12—Methine and polymethine dyes
- G03C1/22—Methine and polymethine dyes with an even number of CH groups
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子写真特性の優れた
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶とその製造方
法、及びそれを感光層中に含有する電子写真感光体に関
する。
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶とその製造方
法、及びそれを感光層中に含有する電子写真感光体に関
する。
【０００２】
【従来の技術】電子写真感光体における光導電物質とし
ては、種々の無機系および有機系の光導電物質が知られ
ている。有機系の光導電物質は、それを電子写真感光体
に使用した場合、膜の透明性、良好な成膜性、可撓性を
有し、無公害である、コストが比較的低い等の利点を有
しているため、従来から種々のものが提案されている。
また、従来の有機光導電物質について、その感光波長領
域を近赤外線の半導体レーザーの長波長領域にまで伸ば
すことにより、レーザープリンター、デジタル複写機、
ＦＡＸ等のデジタル記録用の感光体として使用する要求
が高まっており、半導体レーザー用の有機光導電物質と
していくつかのものが提案されている。特に、有機光導
電物質として使用されるフタロシアニン化合物について
は、その結晶型と電子写真特性について多くの報告がな
されている。
ては、種々の無機系および有機系の光導電物質が知られ
ている。有機系の光導電物質は、それを電子写真感光体
に使用した場合、膜の透明性、良好な成膜性、可撓性を
有し、無公害である、コストが比較的低い等の利点を有
しているため、従来から種々のものが提案されている。
また、従来の有機光導電物質について、その感光波長領
域を近赤外線の半導体レーザーの長波長領域にまで伸ば
すことにより、レーザープリンター、デジタル複写機、
ＦＡＸ等のデジタル記録用の感光体として使用する要求
が高まっており、半導体レーザー用の有機光導電物質と
していくつかのものが提案されている。特に、有機光導
電物質として使用されるフタロシアニン化合物について
は、その結晶型と電子写真特性について多くの報告がな
されている。
【０００３】一般に、フタロシアニン化合物は、その製
造方法または処理方法の相違により、いくつかの結晶型
に分かれること、およびその結晶型が異なるとフタロシ
アニン化合物の光電変換特性に大きな影響を及ぼすこと
が知られている。フタロシアニン化合物の結晶型につい
ては、例えば、無金属フタロシアニンについてみると、
α、β、ε、π、τ、ｘ等の結晶型フタロシアニンが知
られているが、光感度の点で十分ではなく、繰り返し特
性や環境安定性も満足なものが得られていない。一方、
ガリウムフタロシアニンに関しても、その結晶型と電子
写真特性について多くの報告がなされており、特開平５
−２６３００７号公報および特開平７−５３８９２号公
報には、特定のブラッグ角度に回折ピークを有する高感
度なヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、およびそ
れを用いた電子写真感光体は光感度、繰り返し特性およ
び環境安定性が優れていることが記載されている。
造方法または処理方法の相違により、いくつかの結晶型
に分かれること、およびその結晶型が異なるとフタロシ
アニン化合物の光電変換特性に大きな影響を及ぼすこと
が知られている。フタロシアニン化合物の結晶型につい
ては、例えば、無金属フタロシアニンについてみると、
α、β、ε、π、τ、ｘ等の結晶型フタロシアニンが知
られているが、光感度の点で十分ではなく、繰り返し特
性や環境安定性も満足なものが得られていない。一方、
ガリウムフタロシアニンに関しても、その結晶型と電子
写真特性について多くの報告がなされており、特開平５
−２６３００７号公報および特開平７−５３８９２号公
報には、特定のブラッグ角度に回折ピークを有する高感
度なヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、およびそ
れを用いた電子写真感光体は光感度、繰り返し特性およ
び環境安定性が優れていることが記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、高光感度を
有するものほど暗減衰が増加する傾向があり、光感度特
性と暗減衰特性を両立させた結晶を得ることが難しく、
電子写真特性のバラツキが大きいという問題があり、さ
らにその改善が望まれていた。
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、高光感度を
有するものほど暗減衰が増加する傾向があり、光感度特
性と暗減衰特性を両立させた結晶を得ることが難しく、
電子写真特性のバラツキが大きいという問題があり、さ
らにその改善が望まれていた。
【０００５】本発明は、従来技術における上記のような
問題点を解消するためになされたものである。すなわ
ち、本発明の目的は、高光感度でありながら暗減衰の低
い、優れた電子写真特性を有するヒドロキシガリウムフ
タロシアニン結晶とその製造方法を提供することにあ
る。また、本発明の他の目的は、該ヒドロキシガリウム
フタロシアニン結晶を感光層に含有する電子写真感光体
を提供することにある。
問題点を解消するためになされたものである。すなわ
ち、本発明の目的は、高光感度でありながら暗減衰の低
い、優れた電子写真特性を有するヒドロキシガリウムフ
タロシアニン結晶とその製造方法を提供することにあ
る。また、本発明の他の目的は、該ヒドロキシガリウム
フタロシアニン結晶を感光層に含有する電子写真感光体
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、ヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶の電子写真特性について
鋭意研究を重ねた結果、ヒドロキシガリウムフタロシア
ニンを溶剤処理して結晶変換した後、特定の処理を行う
ことによって製造されるヒドロキシガリウムフタロシア
ニン結晶が良好な特性を示すことを見出した。特に、該
製造方法により得られたヒドロキシガリウムフタロシア
ニン結晶を特定量の蒸留水とともに煮沸した後、放置し
て得られる上澄み液のｐＨおよび電導度が、ある特定の
範囲内にある場合に、優れた電子写真特性を有するヒド
ロキシガリウムフタロシアニン結晶が得られることを確
認し、該ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を電子
写真感光体の感光層に含有させることにより、上記目的
を達成できることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
シガリウムフタロシアニン結晶の電子写真特性について
鋭意研究を重ねた結果、ヒドロキシガリウムフタロシア
ニンを溶剤処理して結晶変換した後、特定の処理を行う
ことによって製造されるヒドロキシガリウムフタロシア
ニン結晶が良好な特性を示すことを見出した。特に、該
製造方法により得られたヒドロキシガリウムフタロシア
ニン結晶を特定量の蒸留水とともに煮沸した後、放置し
て得られる上澄み液のｐＨおよび電導度が、ある特定の
範囲内にある場合に、優れた電子写真特性を有するヒド
ロキシガリウムフタロシアニン結晶が得られることを確
認し、該ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を電子
写真感光体の感光層に含有させることにより、上記目的
を達成できることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【０００７】本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２
θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１
６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°に
強い回折ピークを有し、かつ２８．３°に最大回折ピー
クを有するものであって、その製造方法は、ヒドロキシ
ガリウムフタロシアニンを溶剤処理して結晶変換した
後、電導度１０．０μＳ／ｃｍ以下の精製水により洗浄
することを特徴とする。また、本発明のヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン結晶は、上記製造方法によって得ら
れたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶５ｇを蒸留
水１００ｍｌとともに１時間煮沸した後、１昼夜放置し
た上澄み液のｐＨが３．０〜９．０の範囲にあること、
および、その上澄み液の電導度が３００μＳ／ｃｍ以下
であることを特徴とする。さらに、本発明の電子写真感
光体は、基体上に感光層を設けた電子写真感光体であっ
て、該感光層が上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶を含有することを特徴とする。
ン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２
θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１
６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°に
強い回折ピークを有し、かつ２８．３°に最大回折ピー
クを有するものであって、その製造方法は、ヒドロキシ
ガリウムフタロシアニンを溶剤処理して結晶変換した
後、電導度１０．０μＳ／ｃｍ以下の精製水により洗浄
することを特徴とする。また、本発明のヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン結晶は、上記製造方法によって得ら
れたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶５ｇを蒸留
水１００ｍｌとともに１時間煮沸した後、１昼夜放置し
た上澄み液のｐＨが３．０〜９．０の範囲にあること、
および、その上澄み液の電導度が３００μＳ／ｃｍ以下
であることを特徴とする。さらに、本発明の電子写真感
光体は、基体上に感光層を設けた電子写真感光体であっ
て、該感光層が上記ヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶を含有することを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。先ず、本発明のヒドロキシガリウム
フタロシアニン結晶の製造方法について説明する。本発
明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を製造する
には、原料クロロガリウムフタロシアニンとして、従来
公知の合成方法で得られるものが使用される。そのクロ
ロガリウムフタロシアニンを、酸もしくはアルカリ性溶
液中で加水分解するか、またはアシッドペースティング
処理することによりヒドロキシガリウムフタロシアニン
を合成する。次に、得られたヒドロキシガリウムフタロ
シアニンを溶剤処理した後、電導度１０．０μＳ／ｃｍ
以下の精製水により洗浄することによってヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶を得ることができる。
て詳細に説明する。先ず、本発明のヒドロキシガリウム
フタロシアニン結晶の製造方法について説明する。本発
明のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を製造する
には、原料クロロガリウムフタロシアニンとして、従来
公知の合成方法で得られるものが使用される。そのクロ
ロガリウムフタロシアニンを、酸もしくはアルカリ性溶
液中で加水分解するか、またはアシッドペースティング
処理することによりヒドロキシガリウムフタロシアニン
を合成する。次に、得られたヒドロキシガリウムフタロ
シアニンを溶剤処理した後、電導度１０．０μＳ／ｃｍ
以下の精製水により洗浄することによってヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶を得ることができる。
【０００９】また、本発明のヒドロキシガリウムフタロ
シアニン結晶は、ｏ−フタロジニトリルとガリウムトリ
メトオキシドをエチレングリコール中で加熱縮合させる
ことにより、ガリウムフタロシアニンを合成し、得られ
たガリウムフタロシアニンをアシッドペースティング処
理によってヒドロキシガリウムフタロシアニンとした
後、同様に溶剤処理し、次いで電導度１０．０μＳ／ｃ
ｍ以下の精製水による洗浄を行うことによって得ること
もできる。
シアニン結晶は、ｏ−フタロジニトリルとガリウムトリ
メトオキシドをエチレングリコール中で加熱縮合させる
ことにより、ガリウムフタロシアニンを合成し、得られ
たガリウムフタロシアニンをアシッドペースティング処
理によってヒドロキシガリウムフタロシアニンとした
後、同様に溶剤処理し、次いで電導度１０．０μＳ／ｃ
ｍ以下の精製水による洗浄を行うことによって得ること
もできる。
【００１０】上記溶剤処理に使用できる溶剤としては、
一般的な有機溶剤および無機系溶剤をあげることができ
るが、特に良好な特性を示す溶剤としては、アミド類
（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等）、エステル類
（酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−アミル等）、
ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン等）、ジメチルスルホキシド等があげられる。
一般的な有機溶剤および無機系溶剤をあげることができ
るが、特に良好な特性を示す溶剤としては、アミド類
（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等）、エステル類
（酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−アミル等）、
ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン等）、ジメチルスルホキシド等があげられる。
【００１１】この溶剤処理は、ヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン１部に対し、溶剤を１〜２００部、好ましく
は１０〜１００部の範囲で使用することが適当であり、
また、その処理温度としては、０〜１５０℃、好ましく
は１０〜１００℃の範囲が選択される。また、溶剤処理
は適当な容器中で放置または撹拌しながら行ってもよ
く、ボールミル、サンドミル、コボールミル、ホモジナ
イザー、超音波分散機、ダイノーミル、アトライター、
ニーダー等により湿式粉砕してもよい。
ロシアニン１部に対し、溶剤を１〜２００部、好ましく
は１０〜１００部の範囲で使用することが適当であり、
また、その処理温度としては、０〜１５０℃、好ましく
は１０〜１００℃の範囲が選択される。また、溶剤処理
は適当な容器中で放置または撹拌しながら行ってもよ
く、ボールミル、サンドミル、コボールミル、ホモジナ
イザー、超音波分散機、ダイノーミル、アトライター、
ニーダー等により湿式粉砕してもよい。
【００１２】上記した溶剤処理および精製水洗浄を行う
ことにより、結晶性が良好で、かつ粒径の整った、Ｃｕ
Ｋα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±０．２°）
の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１
８．６°、２５．１°および２８．３°に強い回折ピー
クを有し、かつ２８．３°に最大回折ピークを有するヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶が得られる。この
結晶の粉末Ｘ線回折スペクトルは、図４に示されるもの
である。
ことにより、結晶性が良好で、かつ粒径の整った、Ｃｕ
Ｋα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±０．２°）
の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１
８．６°、２５．１°および２８．３°に強い回折ピー
クを有し、かつ２８．３°に最大回折ピークを有するヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶が得られる。この
結晶の粉末Ｘ線回折スペクトルは、図４に示されるもの
である。
【００１３】本発明においては、上記溶剤処理の後に、
電導度１０．０μＳ／ｃｍ以下の精製水による洗浄を行
う。本発明の洗浄に用いる精製水としては、純水、蒸留
水、イオン交換水等で、好ましくは１．０μＳ／ｃｍ以
下のものが使用される。また、上記精製水のｐＨは、
５．０〜８．０、好ましくは６．０〜７．５の範囲のも
のが選択される。精製水による洗浄温度は、１〜１００
℃、好ましくは１０〜９０℃の範囲が選択される。ま
た、その洗浄方法としては、超音波洗浄、遠心濾過、セ
ラミックフィルター、加圧濾過、吸引濾過等が使用でき
るが、洗浄効率の点からセラミックフィルターを用いた
洗浄が好ましい。ヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶の洗浄に用いられる精製水量は、溶剤処理後のヒドロ
キシガリウムフタロシアニン結晶スラリー量の１〜２０
０倍、好ましくは５〜１００倍に設定される。上記溶剤
処理後の洗浄において、水道水および自然水等の精製水
以外の水、アルカリ水溶液および有機溶剤等は、ヒドロ
キシガリウムフタロシアニン結晶中のイオン性不純物の
除去効果が低いばかりでなく、洗浄剤に含有するイオン
性不純物によって結晶を汚染してしまう恐れがあるた
め、洗浄剤として使用することができない。
電導度１０．０μＳ／ｃｍ以下の精製水による洗浄を行
う。本発明の洗浄に用いる精製水としては、純水、蒸留
水、イオン交換水等で、好ましくは１．０μＳ／ｃｍ以
下のものが使用される。また、上記精製水のｐＨは、
５．０〜８．０、好ましくは６．０〜７．５の範囲のも
のが選択される。精製水による洗浄温度は、１〜１００
℃、好ましくは１０〜９０℃の範囲が選択される。ま
た、その洗浄方法としては、超音波洗浄、遠心濾過、セ
ラミックフィルター、加圧濾過、吸引濾過等が使用でき
るが、洗浄効率の点からセラミックフィルターを用いた
洗浄が好ましい。ヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶の洗浄に用いられる精製水量は、溶剤処理後のヒドロ
キシガリウムフタロシアニン結晶スラリー量の１〜２０
０倍、好ましくは５〜１００倍に設定される。上記溶剤
処理後の洗浄において、水道水および自然水等の精製水
以外の水、アルカリ水溶液および有機溶剤等は、ヒドロ
キシガリウムフタロシアニン結晶中のイオン性不純物の
除去効果が低いばかりでなく、洗浄剤に含有するイオン
性不純物によって結晶を汚染してしまう恐れがあるた
め、洗浄剤として使用することができない。
【００１４】本発明のヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン結晶は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶５ｇ
を蒸留水１００ｍｌとともに１時間煮沸した後、１昼夜
放置した上澄み液のｐＨが３．０〜９．０の範囲のもの
であり、好ましくは３．２〜８．５の範囲のものであ
る。このｐＨの測定法は、顔料のｐＨ測定法として標準
的な方法であり、ＪＩＳ Ｋ５１０１の２４．のＡ法に
あるように、煮沸せずに充分攪拌した後に１昼夜放置し
た上澄み液のｐＨを測定してもよい。そのｐＨが３．０
より低いとき、またはｐＨが９．０より高いときには、
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中のイオン性不
純物の影響を受けて、光感度の低下、暗減衰の増加、さ
らには分散不良等の品質悪化を引き起こすために不適当
である。また、本発明のヒドロキシガリウムフタロシア
ニン結晶は、上記上澄み液の電導度が３００μＳ／ｃｍ
以下のものであり、好ましくは２５０μＳ／ｃｍ以下と
なるように作製される。電導度が３００μＳ／ｃｍより
高いものは、暗減衰が増加することになる。
ン結晶は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶５ｇ
を蒸留水１００ｍｌとともに１時間煮沸した後、１昼夜
放置した上澄み液のｐＨが３．０〜９．０の範囲のもの
であり、好ましくは３．２〜８．５の範囲のものであ
る。このｐＨの測定法は、顔料のｐＨ測定法として標準
的な方法であり、ＪＩＳ Ｋ５１０１の２４．のＡ法に
あるように、煮沸せずに充分攪拌した後に１昼夜放置し
た上澄み液のｐＨを測定してもよい。そのｐＨが３．０
より低いとき、またはｐＨが９．０より高いときには、
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶中のイオン性不
純物の影響を受けて、光感度の低下、暗減衰の増加、さ
らには分散不良等の品質悪化を引き起こすために不適当
である。また、本発明のヒドロキシガリウムフタロシア
ニン結晶は、上記上澄み液の電導度が３００μＳ／ｃｍ
以下のものであり、好ましくは２５０μＳ／ｃｍ以下と
なるように作製される。電導度が３００μＳ／ｃｍより
高いものは、暗減衰が増加することになる。
【００１５】次に、本発明のヒドロキシガリウムフタロ
シアニン結晶を、電子写真感光体の光導電材料として使
用する場合について説明する。本発明で得られるヒドロ
キシガリウムフタロシアニン結晶は、電子写真感光体の
感光層が単層構造のもの、または電荷発生層と電荷輸送
層とに機能分離された積層構造のもの等の如何なるもの
にも適用することができる。
シアニン結晶を、電子写真感光体の光導電材料として使
用する場合について説明する。本発明で得られるヒドロ
キシガリウムフタロシアニン結晶は、電子写真感光体の
感光層が単層構造のもの、または電荷発生層と電荷輸送
層とに機能分離された積層構造のもの等の如何なるもの
にも適用することができる。
【００１６】導電性支持体としては、従来から使用され
ているものであれば、如何なるものを用いてもよい。ま
た、導電性支持体の表面は、必要に応じて、画質に影響
のない範囲で各種の処理を行うことができる。例えば、
表面の陽極酸化処理、液体ホーニング等による粗面化処
理、薬品処理、着色処理等を行うことができる。
ているものであれば、如何なるものを用いてもよい。ま
た、導電性支持体の表面は、必要に応じて、画質に影響
のない範囲で各種の処理を行うことができる。例えば、
表面の陽極酸化処理、液体ホーニング等による粗面化処
理、薬品処理、着色処理等を行うことができる。
【００１７】積層型感光体の場合には、導電性支持体上
に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とが積層された感
光層が設けられるが、その積層の順序はいずれが支持体
側に形成されていてもよい。電荷発生層は、本発明のヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶と適当な結着樹脂
溶液とから構成され、また、電荷発生材料としては、ヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶のほかに、他の公
知の電荷発生材料を併用してもよい。さらに、結着樹脂
としては、公知のものを適宜使用することができる。電
荷発生材料と結着樹脂の配合比は、４０：１〜１：４で
あり、好ましくは２０：１〜１：２である。電荷発生材
料の比率が高すぎる場合には、塗布溶液の安定性が低下
し、低すぎる場合には、光感度が低下するので、上記の
範囲に設定することが好ましい。
に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とが積層された感
光層が設けられるが、その積層の順序はいずれが支持体
側に形成されていてもよい。電荷発生層は、本発明のヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶と適当な結着樹脂
溶液とから構成され、また、電荷発生材料としては、ヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶のほかに、他の公
知の電荷発生材料を併用してもよい。さらに、結着樹脂
としては、公知のものを適宜使用することができる。電
荷発生材料と結着樹脂の配合比は、４０：１〜１：４で
あり、好ましくは２０：１〜１：２である。電荷発生材
料の比率が高すぎる場合には、塗布溶液の安定性が低下
し、低すぎる場合には、光感度が低下するので、上記の
範囲に設定することが好ましい。
【００１８】電荷発生材料の分散に使用される溶剤とし
ては、結着樹脂を溶解するものから適宜選択することが
できる。また、その分散手段としては、サンドミル、コ
ロイドミル、アトライター、ボールミル、ダイノーミ
ル、高圧ホモジナイザー、超音波分散機、コボールミ
ル、ロールミル等の方法が利用できる。さらにその塗布
方法としては、ブレードコーティング法、ワイヤーバー
コーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーテ
ィング法、ビードコーティング法、カーテンコーティン
グ法等の方法を用いることができる。電荷発生層の膜厚
は、０．０１〜５μｍの範囲、好ましくは０．０３〜２
μｍの範囲である。
ては、結着樹脂を溶解するものから適宜選択することが
できる。また、その分散手段としては、サンドミル、コ
ロイドミル、アトライター、ボールミル、ダイノーミ
ル、高圧ホモジナイザー、超音波分散機、コボールミ
ル、ロールミル等の方法が利用できる。さらにその塗布
方法としては、ブレードコーティング法、ワイヤーバー
コーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーテ
ィング法、ビードコーティング法、カーテンコーティン
グ法等の方法を用いることができる。電荷発生層の膜厚
は、０．０１〜５μｍの範囲、好ましくは０．０３〜２
μｍの範囲である。
【００１９】電荷輸送層は、電荷輸送材料と成膜性樹脂
とから構成され、その電荷輸送材料としては公知のもの
が適宜使用できる。成膜性樹脂に用いるものとしては、
例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスチ
レン、ポリエステル、スチレン−アクリロニトリル共重
合体、ポリスルホン、ポリメタクリル酸エステル、スチ
レン−メタクリル酸エステル共重合体、ポリオレフィン
等があげられる。電荷輸送材料と成膜性樹脂の配合比
（重量）は、５：１〜１：５、好ましくは３：１〜１：
３である。電荷輸送材料の比率が高すぎる場合には、電
荷輸送層の機械的強度が低下し、一方、低すぎる場合に
は、光感度が低下するので、上記の範囲に設定するのが
好ましい。また、使用する電荷輸送材料が成膜性を有す
る場合には、上記成膜性樹脂を省くこともできる。電荷
輸送層は、上記電荷輸送材料と成膜性樹脂とを適当な溶
剤に溶解し、塗布することによって形成されるが、これ
らの塗布方法としては、上述した電荷発生層の形成と同
様の方法が用いられる。電荷輸送層の膜厚は、５〜５０
μｍの範囲、好ましくは１０〜４０μｍの範囲になるよ
うに形成することが好ましい。
とから構成され、その電荷輸送材料としては公知のもの
が適宜使用できる。成膜性樹脂に用いるものとしては、
例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスチ
レン、ポリエステル、スチレン−アクリロニトリル共重
合体、ポリスルホン、ポリメタクリル酸エステル、スチ
レン−メタクリル酸エステル共重合体、ポリオレフィン
等があげられる。電荷輸送材料と成膜性樹脂の配合比
（重量）は、５：１〜１：５、好ましくは３：１〜１：
３である。電荷輸送材料の比率が高すぎる場合には、電
荷輸送層の機械的強度が低下し、一方、低すぎる場合に
は、光感度が低下するので、上記の範囲に設定するのが
好ましい。また、使用する電荷輸送材料が成膜性を有す
る場合には、上記成膜性樹脂を省くこともできる。電荷
輸送層は、上記電荷輸送材料と成膜性樹脂とを適当な溶
剤に溶解し、塗布することによって形成されるが、これ
らの塗布方法としては、上述した電荷発生層の形成と同
様の方法が用いられる。電荷輸送層の膜厚は、５〜５０
μｍの範囲、好ましくは１０〜４０μｍの範囲になるよ
うに形成することが好ましい。
【００２０】本発明の電子写真感光体において、感光層
が単層構造である場合には、感光層はヒドロキシガリウ
ムフタロシアニン結晶および電荷輸送材料が成膜性樹脂
に分散された光導電層として形成される。この場合、電
荷輸送材料としては、公知のものが適宜使用でき、ま
た、成膜性樹脂としては、上記したものと同様なものを
使用することができるから、感光層は上記したいずれか
の方法によって形成することができる。その際、電荷輸
送材料と成膜性樹脂との配合比（重量）は、１：２０〜
５：１に設定することが好ましく、また、ヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶と電荷輸送材料との配合比
（重量）は、１：１０〜１０：１に設定することが好ま
しい。
が単層構造である場合には、感光層はヒドロキシガリウ
ムフタロシアニン結晶および電荷輸送材料が成膜性樹脂
に分散された光導電層として形成される。この場合、電
荷輸送材料としては、公知のものが適宜使用でき、ま
た、成膜性樹脂としては、上記したものと同様なものを
使用することができるから、感光層は上記したいずれか
の方法によって形成することができる。その際、電荷輸
送材料と成膜性樹脂との配合比（重量）は、１：２０〜
５：１に設定することが好ましく、また、ヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶と電荷輸送材料との配合比
（重量）は、１：１０〜１０：１に設定することが好ま
しい。
【００２１】また、本発明の電子写真感光体は、必要に
応じて、感光層と基体の間に下引き層を設けてもよい。
下引き層は、基体からの不必要な電荷の注入を阻止する
ために有効なものであり、感光体の帯電性を向上させる
作用、および感光層と基体との接着性をも向上させる作
用を有している。さらに、本発明の電子写真感光体に
は、耐刷性を向上させるために、感光層の上に保護層を
設けてもよい。
応じて、感光層と基体の間に下引き層を設けてもよい。
下引き層は、基体からの不必要な電荷の注入を阻止する
ために有効なものであり、感光体の帯電性を向上させる
作用、および感光層と基体との接着性をも向上させる作
用を有している。さらに、本発明の電子写真感光体に
は、耐刷性を向上させるために、感光層の上に保護層を
設けてもよい。
【００２２】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。なお、以下の各例において、「部」は「重量
部」を意味する。 合成例１（クロロガリウムフタロシアニンの合成） １，３−ジイミノイソインドリン３０部、三塩化ガリウ
ム９．１部をキノリン２３０部中に入れ、２００℃にお
いて４時間反応させた後、得られた生成物を濾別し、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及びメタノールで洗浄
し、次いで、湿ケーキを乾燥することによりクロロガリ
ウムフタロシアニンの結晶２８部を得た。得られたクロ
ロガリウムフタロシアニンの粉末Ｘ線回折図を図１に示
す。
説明する。なお、以下の各例において、「部」は「重量
部」を意味する。 合成例１（クロロガリウムフタロシアニンの合成） １，３−ジイミノイソインドリン３０部、三塩化ガリウ
ム９．１部をキノリン２３０部中に入れ、２００℃にお
いて４時間反応させた後、得られた生成物を濾別し、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及びメタノールで洗浄
し、次いで、湿ケーキを乾燥することによりクロロガリ
ウムフタロシアニンの結晶２８部を得た。得られたクロ
ロガリウムフタロシアニンの粉末Ｘ線回折図を図１に示
す。
【００２３】合成例２（原料ヒドロキシガリウムフタロ
シアニンの合成） 合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン３部
を濃硫酸９０部に溶解させた溶液を、２５％アンモニア
水１８０部と蒸留水６０部の混合溶液に滴下して結晶を
析出させ、析出したヒドロキシガリウムフタロシアニン
を蒸留水で十分に洗浄し、乾燥することによりヒドロキ
シガリウムフタロシアニン２．６部を得た。得られたヒ
ドロキシガリウムフタロシアニンの粉末Ｘ線回折図を図
２に示す。
シアニンの合成） 合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン３部
を濃硫酸９０部に溶解させた溶液を、２５％アンモニア
水１８０部と蒸留水６０部の混合溶液に滴下して結晶を
析出させ、析出したヒドロキシガリウムフタロシアニン
を蒸留水で十分に洗浄し、乾燥することによりヒドロキ
シガリウムフタロシアニン２．６部を得た。得られたヒ
ドロキシガリウムフタロシアニンの粉末Ｘ線回折図を図
２に示す。
【００２４】合成例３（原料ヒドロキシガリウムフタロ
シアニンの合成） ｏ−フタロジニトリル３１．８部、ガリウムトリメトキ
シド１０．０部、エチレングリコール１５０部を、窒素
雰囲気下、２００℃において２４時間撹拌することによ
りガリウムフタロシアニン２５．１部を得た。得られた
ガリウムフタロシアニン３部を濃硫酸６０部に溶解し、
２時間撹拌した後、この溶液を２５％アンモニア水１８
０部と蒸留水６０部の混合溶液に滴下して結晶を析出さ
せ、析出したヒドロキシガリウムフタロシアニンを蒸留
水で十分に洗浄し、乾燥することによりヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン２．６部を得た。得られたヒドロキ
シガリウムフタロシアニンの粉末Ｘ線回折図を図３に示
す。
シアニンの合成） ｏ−フタロジニトリル３１．８部、ガリウムトリメトキ
シド１０．０部、エチレングリコール１５０部を、窒素
雰囲気下、２００℃において２４時間撹拌することによ
りガリウムフタロシアニン２５．１部を得た。得られた
ガリウムフタロシアニン３部を濃硫酸６０部に溶解し、
２時間撹拌した後、この溶液を２５％アンモニア水１８
０部と蒸留水６０部の混合溶液に滴下して結晶を析出さ
せ、析出したヒドロキシガリウムフタロシアニンを蒸留
水で十分に洗浄し、乾燥することによりヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン２．６部を得た。得られたヒドロキ
シガリウムフタロシアニンの粉末Ｘ線回折図を図３に示
す。
【００２５】作製例１
合成例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン
２部をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３８部とともに、
ボールミルで２４時間湿式粉砕処理を行った。次いで、
湿式粉砕後のヒドロキシガリウムフタロシアニンスラリ
ー４０部と、その２０倍のイオン交換水８００部とを使
用し、セラミックフィルター（商品名：ＵＦ巻セラミッ
クフィルター、日本ガイシ社製）を用いて洗浄し、真空
乾燥機を用いて６０℃で４８時間乾燥することによりヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶１．９部を得た。
なお、その洗浄に用いたイオン交換水は、電導度が０．
１μＳ／ｃｍ、またｐＨが７．０のものであり、その洗
浄時の液温は３０℃であった。得られたヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を、図４に示
す。また、このヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶
５ｇを蒸留水１００ｍｌとともに１時間煮沸した後、１
昼夜放置した上澄み液のｐＨおよび電導度を測定した結
果、ｐＨは５．１、電導度は９５μＳ／ｃｍであった。
２部をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３８部とともに、
ボールミルで２４時間湿式粉砕処理を行った。次いで、
湿式粉砕後のヒドロキシガリウムフタロシアニンスラリ
ー４０部と、その２０倍のイオン交換水８００部とを使
用し、セラミックフィルター（商品名：ＵＦ巻セラミッ
クフィルター、日本ガイシ社製）を用いて洗浄し、真空
乾燥機を用いて６０℃で４８時間乾燥することによりヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶１．９部を得た。
なお、その洗浄に用いたイオン交換水は、電導度が０．
１μＳ／ｃｍ、またｐＨが７．０のものであり、その洗
浄時の液温は３０℃であった。得られたヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を、図４に示
す。また、このヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶
５ｇを蒸留水１００ｍｌとともに１時間煮沸した後、１
昼夜放置した上澄み液のｐＨおよび電導度を測定した結
果、ｐＨは５．１、電導度は９５μＳ／ｃｍであった。
【００２６】作製例２
作製例１において、洗浄に用いるイオン交換水を８００
部から２００部（ヒドロキシガリウムフタロシアニンス
ラリーの５倍）に代えたこと以外は、作製例１とすべて
同様にしてヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を作
製した。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶の粉末Ｘ線回折図は、図４と同一のスペクトルを示
し、また、作製例１と同様にして得た上澄み液のｐＨは
３．２、電導度は２７６μＳ／ｃｍであった。
部から２００部（ヒドロキシガリウムフタロシアニンス
ラリーの５倍）に代えたこと以外は、作製例１とすべて
同様にしてヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を作
製した。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶の粉末Ｘ線回折図は、図４と同一のスペクトルを示
し、また、作製例１と同様にして得た上澄み液のｐＨは
３．２、電導度は２７６μＳ／ｃｍであった。
【００２７】作製例３
作製例１において、洗浄に用いるイオン交換水を８００
部から６０００部（ヒドロキシガリウムフタロシアニン
スラリーの１５０倍）に代えたこと以外は、作製例１と
すべて同様にしてヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶を作製した。得られたヒドロキシガリウムフタロシア
ニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、図４と同一のスペクトル
を示し、また、作製例１と同様にして得た上澄み液のｐ
Ｈは６．２、電導度は４８μＳ／ｃｍであった。
部から６０００部（ヒドロキシガリウムフタロシアニン
スラリーの１５０倍）に代えたこと以外は、作製例１と
すべて同様にしてヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶を作製した。得られたヒドロキシガリウムフタロシア
ニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、図４と同一のスペクトル
を示し、また、作製例１と同様にして得た上澄み液のｐ
Ｈは６．２、電導度は４８μＳ／ｃｍであった。
【００２８】作製例４
合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン
２部をジメチルスルホキシド３８部とともに、ボールミ
ルで２４時間湿式粉砕処理を行った。次いで、湿式粉砕
後のヒドロキシガリウムフタロシアニンスラリー４０部
と、その１０倍の蒸留水４００部とを８０℃に加熱し
て、セラミックフィルターを用いて洗浄し、真空乾燥機
を用いて６０℃で４８時間乾燥してヒドロキシガリウム
フタロシアニン結晶１．９倍を得た。この洗浄に用いた
蒸留水の電導度は０．０１μＳ／ｃｍであった。得られ
たヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回
折図は、図４と同一のスペクトルを示し、また、作製例
１と同様にして得た上澄み液のｐＨは７．４、電導度は
２６μＳ／ｃｍであった。
２部をジメチルスルホキシド３８部とともに、ボールミ
ルで２４時間湿式粉砕処理を行った。次いで、湿式粉砕
後のヒドロキシガリウムフタロシアニンスラリー４０部
と、その１０倍の蒸留水４００部とを８０℃に加熱し
て、セラミックフィルターを用いて洗浄し、真空乾燥機
を用いて６０℃で４８時間乾燥してヒドロキシガリウム
フタロシアニン結晶１．９倍を得た。この洗浄に用いた
蒸留水の電導度は０．０１μＳ／ｃｍであった。得られ
たヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回
折図は、図４と同一のスペクトルを示し、また、作製例
１と同様にして得た上澄み液のｐＨは７．４、電導度は
２６μＳ／ｃｍであった。
【００２９】作製例５
作製例４において、蒸留水１２０部で洗浄を行う前に、
５％アンモニア水８０部で洗浄したこと以外は、作製例
４とすべて同様にしてヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン結晶を作製した。得られたヒドロキシガリウムフタロ
シアニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、図４と同一のスペク
トルを示し、また、作製例１と同様にして得た上澄み液
のｐＨは８．８、電導度は１９１μＳ／ｃｍであった。
５％アンモニア水８０部で洗浄したこと以外は、作製例
４とすべて同様にしてヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン結晶を作製した。得られたヒドロキシガリウムフタロ
シアニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、図４と同一のスペク
トルを示し、また、作製例１と同様にして得た上澄み液
のｐＨは８．８、電導度は１９１μＳ／ｃｍであった。
【００３０】比較作製例１
作製例１において洗浄に用いるイオン交換水に代えて酢
酸ｎ−ブチル８００部を使用したこと以外は、作製例１
とすべて同様にしてヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶を作製した。得られたヒドロキシガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、図４と同一のスペクト
ルを示し、また、作製例１と同様にして得た上澄み液の
ｐＨは２．９、電導度は３２９μＳ／ｃｍであった。
酸ｎ−ブチル８００部を使用したこと以外は、作製例１
とすべて同様にしてヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶を作製した。得られたヒドロキシガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、図４と同一のスペクト
ルを示し、また、作製例１と同様にして得た上澄み液の
ｐＨは２．９、電導度は３２９μＳ／ｃｍであった。
【００３１】比較作製例２
作製例１において、洗浄に用いるイオン交換水に代えて
０．１％水酸化ナトリウム水溶液１２０部を使用したこ
と以外は、作製例１とすべて同様にしてヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン結晶を作製した。得られたヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、図
４と同一のスペクトルを示し、また、作製例１と同様に
して得た上澄み液のｐＨは９．２、電導度は３７２μＳ
／ｃｍであった。
０．１％水酸化ナトリウム水溶液１２０部を使用したこ
と以外は、作製例１とすべて同様にしてヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン結晶を作製した。得られたヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、図
４と同一のスペクトルを示し、また、作製例１と同様に
して得た上澄み液のｐＨは９．２、電導度は３７２μＳ
／ｃｍであった。
【００３２】比較作製例３
作製例４において、洗浄に用いる蒸留水に代えてジメチ
ルスルホキシド４００部を使用したこと以外は、作製例
４とすべて同様にしてヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン結晶を作製した。得られたヒドロキシガリウムフタロ
シアニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、図４と同一のスペク
トルを示し、また、作製例１と同様にして得た上澄み液
のｐＨは２．５、電導度は４５７μＳ／ｃｍであった。
ルスルホキシド４００部を使用したこと以外は、作製例
４とすべて同様にしてヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン結晶を作製した。得られたヒドロキシガリウムフタロ
シアニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、図４と同一のスペク
トルを示し、また、作製例１と同様にして得た上澄み液
のｐＨは２．５、電導度は４５７μＳ／ｃｍであった。
【００３３】比較作製例４
作製例４において、洗浄に用いる蒸留水に代えてｎ−ブ
チルアルコール４００部を使用したこと以外は、作製例
４とすべて同様にしてヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン結晶を作製した。得られたヒドロキシガリウムフタロ
シアニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、図４と同一のスペク
トルを示し、また、作製例１と同様にして得た上澄み液
のｐＨは３．１、電導度は３２１μＳ／ｃｍであった。
チルアルコール４００部を使用したこと以外は、作製例
４とすべて同様にしてヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン結晶を作製した。得られたヒドロキシガリウムフタロ
シアニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、図４と同一のスペク
トルを示し、また、作製例１と同様にして得た上澄み液
のｐＨは３．１、電導度は３２１μＳ／ｃｍであった。
【００３４】実施例１
先ず、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＭ
−１、積水化学工業社製）８部をｎ−ブチルアルコール
１５２部に加え、撹拌溶解し、５重量％のポリビニルブ
チラール溶液を作製した。次に、トリブトキシジルコニ
ウム・アセチルアセトネートの５０％トルエン溶液（商
品名：ＺＣ５４０、松本交商社製）１００部、γ−アミ
ノプロピルトリエトキシシラン（商品名：Ａ１１００、
日本ユニカー社製）１０部およびｎ−ブチルアルコール
１３０部を混合した溶液を、上記のポリビニルブチラー
ル溶液中に加えて後、スターラーで撹拌し、下引き層形
成用の塗布液を作製した。この塗布液を４０φ×３１９
ｍｍのアルミニウムパイプ上に浸漬塗布し、１５０℃に
おいて１０分間加熱乾燥し、厚さ１．０μｍの下引き層
を形成した。
−１、積水化学工業社製）８部をｎ−ブチルアルコール
１５２部に加え、撹拌溶解し、５重量％のポリビニルブ
チラール溶液を作製した。次に、トリブトキシジルコニ
ウム・アセチルアセトネートの５０％トルエン溶液（商
品名：ＺＣ５４０、松本交商社製）１００部、γ−アミ
ノプロピルトリエトキシシラン（商品名：Ａ１１００、
日本ユニカー社製）１０部およびｎ−ブチルアルコール
１３０部を混合した溶液を、上記のポリビニルブチラー
ル溶液中に加えて後、スターラーで撹拌し、下引き層形
成用の塗布液を作製した。この塗布液を４０φ×３１９
ｍｍのアルミニウムパイプ上に浸漬塗布し、１５０℃に
おいて１０分間加熱乾燥し、厚さ１．０μｍの下引き層
を形成した。
【００３５】一方、ポリビニルブチラール（商品名：エ
スレックＢＭ−Ｓ、積水化学工業社製）３部を予め、酢
酸ｎ−ブチル１００部に溶解した溶液に、作製例１で得
たヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶１部を加え
て、５時間サンドミルで分散し、次いで、酢酸ｎ−ブチ
ルで希釈し、固形分濃度３．０重量％の電荷発生層形成
用塗布液を調整した。得られた塗布液を、上記した下引
き層の上にリング塗布機によって塗布し、１００℃にお
いて１０分間加熱乾燥し、厚さ０．２０μｍの電荷発生
層を形成した。また、分散後の上記ヒドロキシガリウム
フタロシアニン結晶の結晶型をＸ線回折によって調べた
ところ、分散前の結晶型と同一であり、全く変化してい
ないことを確認した。
スレックＢＭ−Ｓ、積水化学工業社製）３部を予め、酢
酸ｎ−ブチル１００部に溶解した溶液に、作製例１で得
たヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶１部を加え
て、５時間サンドミルで分散し、次いで、酢酸ｎ−ブチ
ルで希釈し、固形分濃度３．０重量％の電荷発生層形成
用塗布液を調整した。得られた塗布液を、上記した下引
き層の上にリング塗布機によって塗布し、１００℃にお
いて１０分間加熱乾燥し、厚さ０．２０μｍの電荷発生
層を形成した。また、分散後の上記ヒドロキシガリウム
フタロシアニン結晶の結晶型をＸ線回折によって調べた
ところ、分散前の結晶型と同一であり、全く変化してい
ないことを確認した。
【００３６】次に、得られた電荷発生層の上に電荷輸送
層を形成させた。すなわち、Ｎ，Ｎ′−ビス−（ｐ−ト
リル）−Ｎ，Ｎ′−ビス−（ｐ−エチルフェニル）−
３，３′−ジメチルベンジジン４部を電荷輸送材料と
し、ポリカーボネートＺ樹脂６部と共に、モノクロロベ
ンゼン４０部に溶解させた溶液を浸漬塗布装置によって
上記電荷発生層上に塗布し、１１５℃で６０分間加熱乾
燥し、厚さ１８μｍの電荷輸送層を形成させることによ
り、電子写真感光体を作製した。
層を形成させた。すなわち、Ｎ，Ｎ′−ビス−（ｐ−ト
リル）−Ｎ，Ｎ′−ビス−（ｐ−エチルフェニル）−
３，３′−ジメチルベンジジン４部を電荷輸送材料と
し、ポリカーボネートＺ樹脂６部と共に、モノクロロベ
ンゼン４０部に溶解させた溶液を浸漬塗布装置によって
上記電荷発生層上に塗布し、１１５℃で６０分間加熱乾
燥し、厚さ１８μｍの電荷輸送層を形成させることによ
り、電子写真感光体を作製した。
【００３７】実施例２
電荷発生材料として、実施例１で使用しているヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶に代えて、作製例２で得
られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を使用し
た以外は、実施例１とすべて同様にして電子写真感光体
を作製した。 実施例３ 電荷発生材料として、実施例１で使用しているヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶に代えて、作製例３で得
られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を使用し
た以外は、実施例１とすべて同様にして電子写真感光体
を作製した。
シガリウムフタロシアニン結晶に代えて、作製例２で得
られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を使用し
た以外は、実施例１とすべて同様にして電子写真感光体
を作製した。 実施例３ 電荷発生材料として、実施例１で使用しているヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶に代えて、作製例３で得
られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を使用し
た以外は、実施例１とすべて同様にして電子写真感光体
を作製した。
【００３８】実施例４
電荷発生材料として、実施例１で使用しているヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶に代えて、作製例４で得
られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を使用し
た以外は、実施例１とすべて同様にして電子写真感光体
を作製した。 実施例５ 電荷発生材料として、実施例１で使用しているヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶に代えて、作製例５で得
られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を使用し
た以外は、実施例１とすべて同様にして電子写真感光体
を作製した。
シガリウムフタロシアニン結晶に代えて、作製例４で得
られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を使用し
た以外は、実施例１とすべて同様にして電子写真感光体
を作製した。 実施例５ 電荷発生材料として、実施例１で使用しているヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶に代えて、作製例５で得
られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を使用し
た以外は、実施例１とすべて同様にして電子写真感光体
を作製した。
【００３９】比較例１
電荷発生材料として、実施例１で使用しているヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶に代えて、比較作製例１
で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を使
用した以外は、実施例１とすべて同様にして電子写真感
光体を作製した。 比較例２ 電荷発生材料として、実施例１で使用しているヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶に代えて、比較作製例２
で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を使
用した以外は、実施例１とすべて同様にして電子写真感
光体を作製した。
シガリウムフタロシアニン結晶に代えて、比較作製例１
で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を使
用した以外は、実施例１とすべて同様にして電子写真感
光体を作製した。 比較例２ 電荷発生材料として、実施例１で使用しているヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶に代えて、比較作製例２
で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を使
用した以外は、実施例１とすべて同様にして電子写真感
光体を作製した。
【００４０】比較例３
電荷発生材料として、実施例１で使用しているヒドロキ
シガリウムフタロシアニン結晶に代えて、比較作製例３
で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を使
用した以外は、実施例１とすべて同様にして電子写真感
光体を作製した。 比較例４ 電荷発生材料として、実施例１で使用するヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶に代えて、比較作製例４で得
られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を使用し
た以外は、実施例１とすべて同様にして電子写真感光体
を作製した。
シガリウムフタロシアニン結晶に代えて、比較作製例３
で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を使
用した以外は、実施例１とすべて同様にして電子写真感
光体を作製した。 比較例４ 電荷発生材料として、実施例１で使用するヒドロキシガ
リウムフタロシアニン結晶に代えて、比較作製例４で得
られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を使用し
た以外は、実施例１とすべて同様にして電子写真感光体
を作製した。
【００４１】上記各実施例および比較例で得られた電子
写真感光体を評価するために、レーザープリンター（Ｘ
Ｐ−１１：富士ゼロックス社製）を用いて、以下の測定
を行った。この操作は、２０℃，５０％ＲＨの環境下
で、グリッド印加電圧−６００Ｖのスコロトロン帯電器
を用いて帯電し（Ａ）、７８０ｎｍの半導体レーザーを
用いて、１秒後に７．０ｍＪ／ｍ2 の光を照射して放電
を行い（Ｂ）、さらに、３秒後に５０ｍＪ／ｍ2 の赤色
ＬＥＤ光を照射して除電を行う（Ｃ）というプロセスに
よって、各部の電位を測定した。
写真感光体を評価するために、レーザープリンター（Ｘ
Ｐ−１１：富士ゼロックス社製）を用いて、以下の測定
を行った。この操作は、２０℃，５０％ＲＨの環境下
で、グリッド印加電圧−６００Ｖのスコロトロン帯電器
を用いて帯電し（Ａ）、７８０ｎｍの半導体レーザーを
用いて、１秒後に７．０ｍＪ／ｍ2 の光を照射して放電
を行い（Ｂ）、さらに、３秒後に５０ｍＪ／ｍ2 の赤色
ＬＥＤ光を照射して除電を行う（Ｃ）というプロセスに
よって、各部の電位を測定した。
【００４２】この場合、（Ａ）の電位ＶH は高い程、感
光体の受容電位が高いために、コントラストを高くする
ことが可能であり、（Ｂ）の電位ＶL は低い程高光感度
であり、（Ｃ）ＶRPの電位は低い程残留電位が少なく、
画像メモリーやカブリが少ない感光体であると評価する
ことができる。上記の測定を１０℃１５％ＲＨおよび３
０℃８５％ＲＨの環境下で行い、それぞれの環境におけ
る各電位の変動を調べ、環境安定性を測定した。また、
１０，０００回の繰返し帯電・露光後の各部の電位の測
定も行った。さらに、グリッド印加電圧−６００Ｖのス
コロトロン帯電器で帯電した直後の電位（ＶO ) と１秒
後の電位（Ｖ1 ）を測定し、暗減衰（ＶO −Ｖ1 ）を求
めた。また、これらの電子写真感光体については、レー
ザープリンタ（ＦＸ４１０８：富士ゼロックス社製）を
用いて、３０℃，８５％ＲＨの環境下で複写することに
より、画質の評価を行った。これらの結果を表１に示
す。
光体の受容電位が高いために、コントラストを高くする
ことが可能であり、（Ｂ）の電位ＶL は低い程高光感度
であり、（Ｃ）ＶRPの電位は低い程残留電位が少なく、
画像メモリーやカブリが少ない感光体であると評価する
ことができる。上記の測定を１０℃１５％ＲＨおよび３
０℃８５％ＲＨの環境下で行い、それぞれの環境におけ
る各電位の変動を調べ、環境安定性を測定した。また、
１０，０００回の繰返し帯電・露光後の各部の電位の測
定も行った。さらに、グリッド印加電圧−６００Ｖのス
コロトロン帯電器で帯電した直後の電位（ＶO ) と１秒
後の電位（Ｖ1 ）を測定し、暗減衰（ＶO −Ｖ1 ）を求
めた。また、これらの電子写真感光体については、レー
ザープリンタ（ＦＸ４１０８：富士ゼロックス社製）を
用いて、３０℃，８５％ＲＨの環境下で複写することに
より、画質の評価を行った。これらの結果を表１に示
す。
【００４３】
【表１】
【００４４】表１に示される測定結果によれば、本発明
のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を感光層に含
有させた電子写真感光体は、良好な帯電性、高い光感度
および低い残留電位を有するものであり、また、黒点や
濃度ムラ等の画像欠陥のない良好な画質の画像が得られ
ることを示している。
のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を感光層に含
有させた電子写真感光体は、良好な帯電性、高い光感度
および低い残留電位を有するものであり、また、黒点や
濃度ムラ等の画像欠陥のない良好な画質の画像が得られ
ることを示している。
【００４５】
【発明の効果】本発明の製造方法で得られるヒドロキシ
ガリウムフタロシアニン結晶は、高い光感度を示しなが
ら、暗減衰が低いという優れた電子写真特性を有するも
のであるから、このヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶を感光層に含有させた電子写真感光体は、高光感度
であり、良好な暗減衰特性を有し、繰り返し特性、環境
安定性の良好な電子写真特性を示し、分散性に優れ、画
像欠陥のない優れた画質特性を有するものである。
ガリウムフタロシアニン結晶は、高い光感度を示しなが
ら、暗減衰が低いという優れた電子写真特性を有するも
のであるから、このヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶を感光層に含有させた電子写真感光体は、高光感度
であり、良好な暗減衰特性を有し、繰り返し特性、環境
安定性の良好な電子写真特性を示し、分散性に優れ、画
像欠陥のない優れた画質特性を有するものである。
【図１】 合成例１で得られたクロロガリウムフタロシ
アニンの粉末Ｘ線回折図を示す。
アニンの粉末Ｘ線回折図を示す。
【図２】 合成例２で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニンの粉末Ｘ線回折図を示す。
ロシアニンの粉末Ｘ線回折図を示す。
【図３】 合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニンの粉末Ｘ線回折図を示す。
ロシアニンの粉末Ｘ線回折図を示す。
【図４】 作製例１で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平８−259835（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−100134（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−279591（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−73304（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−53892（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−263007（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−1923（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C09B 67/50
C09B 47/00
G03G 5/06
Claims (3)
- 【請求項１】 ヒドロキシガリウムフタロシアニンを溶
剤処理することにより結晶変換した後、電導度１０．０
μＳ／ｃｍ以下の精製水により洗浄することを特徴とす
る、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±
０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．
３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°に強い
回折ピークを有し、かつ２８．３°に最大回折ピークを
有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の製造方法によって得られ
るヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が、この結晶
５ｇを蒸留水１００ｍｌとともに１時間煮沸した後、１
昼夜放置した上澄み液のｐＨが３．０〜９．０の範囲で
あること、および、前記上澄み液の電導度が３００μＳ
／ｃｍ以下であることを特徴とするヒドロキシガリウム
フタロシアニン結晶。 - 【請求項３】 基体上に感光層を設けた電子写真感光体
において、該感光層が請求項２記載のヒドロキシガリウ
ムフタロシアニン結晶を含有することを特徴とする電子
写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26525395A JP3395484B2 (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶とその製造方法、及びそれを用いる電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26525395A JP3395484B2 (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶とその製造方法、及びそれを用いる電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09111148A JPH09111148A (ja) | 1997-04-28 |
| JP3395484B2 true JP3395484B2 (ja) | 2003-04-14 |
Family
ID=17414668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26525395A Expired - Fee Related JP3395484B2 (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶とその製造方法、及びそれを用いる電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3395484B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6447967B2 (en) | 2000-01-31 | 2002-09-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Phthalocyanine crystal, production process therefor, and electrophotographic photosensitive member, process cartridge and apparatus using the crystal |
-
1995
- 1995-10-13 JP JP26525395A patent/JP3395484B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09111148A (ja) | 1997-04-28 |
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