JPH07102183A - ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶、その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents
ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶、その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体Info
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- JPH07102183A JPH07102183A JP5267775A JP26777593A JPH07102183A JP H07102183 A JPH07102183 A JP H07102183A JP 5267775 A JP5267775 A JP 5267775A JP 26777593 A JP26777593 A JP 26777593A JP H07102183 A JPH07102183 A JP H07102183A
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- C09B67/0026—Crystal modifications; Special X-ray patterns of phthalocyanine pigments
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- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高感度で良好な電子写真特性を示し、結着樹
脂中での分散性に優れたハロゲン化ガリウムフタロシア
ニン、およびその製造方法を提供し、また、感度特性、
電位保持性および画質特性が優れた電子写真感光体を提
供する。 【構成】 結晶の一部がヒドロキシガリウムフタロシア
ニンに変化したハロゲン化ガリウムフタロシアニン結
晶。この結晶は、ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結
晶を水と接触させ、ハロゲン化ガリウムフタロシアニン
結晶の一部をヒドロキシガリウムフタロシアニンに変化
させることによって製造することができる。本発明の電
子写真感光体は、導電性支持体上に少なくとも、電荷発
生層および電荷輸送層を順次積層してなるものであっ
て、電荷発生層に上記の結晶の一部がヒドロキシガリウ
ムフタロシアニンに変化したハロゲン化ガリウムフタロ
シアニン結晶が含まれる。
脂中での分散性に優れたハロゲン化ガリウムフタロシア
ニン、およびその製造方法を提供し、また、感度特性、
電位保持性および画質特性が優れた電子写真感光体を提
供する。 【構成】 結晶の一部がヒドロキシガリウムフタロシア
ニンに変化したハロゲン化ガリウムフタロシアニン結
晶。この結晶は、ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結
晶を水と接触させ、ハロゲン化ガリウムフタロシアニン
結晶の一部をヒドロキシガリウムフタロシアニンに変化
させることによって製造することができる。本発明の電
子写真感光体は、導電性支持体上に少なくとも、電荷発
生層および電荷輸送層を順次積層してなるものであっ
て、電荷発生層に上記の結晶の一部がヒドロキシガリウ
ムフタロシアニンに変化したハロゲン化ガリウムフタロ
シアニン結晶が含まれる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハロゲン化ガリウムフ
タロシアニン結晶、その製造方法、およびそれを電荷発
生材料として用いた電子写真感光体に関するものであ
る。
タロシアニン結晶、その製造方法、およびそれを電荷発
生材料として用いた電子写真感光体に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子写真感光体における光導電材
料としては、種々の無機系および有機系の光導電材料が
知られている。有機系の光導電材料は、それを電子写真
に使用した場合、膜の透明性、良好な成膜性、可撓性を
有し、コストが安くなる等の利点がある。有機系光導電
材料を使用する場合、感光体の感度および耐久性を改善
するために、電荷発生層と電荷輸送層とに機能分離され
た積層型電子写真感光体が提案されている。近年、従来
提案された有機光導電材料の感光波長域を、近赤外線の
半導体レーザーの波長（７８０〜８３０ｎｍ）にまで伸
ばし、レーザープリンター等のデジタル記録用の感光体
として使用することの要求が高まっており、この観点か
ら、スクエアリリウム化合物（特開昭４９−１０５５３
６号および同５８−２１４１６号公報）、トリフェニル
アミン系トリスアゾ化合物（特開昭６１−１５１６５９
号公報）、フタロシアニン化合物（特開昭４８−３４１
８９号および同５７−１４８７４号公報）等が、半導体
レーザー用の光導電材料として提案されている。半導体
レーザー用の感光材料として、有機光導電材料を使用す
る場合、まず、感光波長域が長波長まで伸びているこ
と、次に、形成される感光体の感度および耐久性がよい
こと等が要求される。前記の有機光導電材料は、これら
の諸条件を十分に満足するものではない。
料としては、種々の無機系および有機系の光導電材料が
知られている。有機系の光導電材料は、それを電子写真
に使用した場合、膜の透明性、良好な成膜性、可撓性を
有し、コストが安くなる等の利点がある。有機系光導電
材料を使用する場合、感光体の感度および耐久性を改善
するために、電荷発生層と電荷輸送層とに機能分離され
た積層型電子写真感光体が提案されている。近年、従来
提案された有機光導電材料の感光波長域を、近赤外線の
半導体レーザーの波長（７８０〜８３０ｎｍ）にまで伸
ばし、レーザープリンター等のデジタル記録用の感光体
として使用することの要求が高まっており、この観点か
ら、スクエアリリウム化合物（特開昭４９−１０５５３
６号および同５８−２１４１６号公報）、トリフェニル
アミン系トリスアゾ化合物（特開昭６１−１５１６５９
号公報）、フタロシアニン化合物（特開昭４８−３４１
８９号および同５７−１４８７４号公報）等が、半導体
レーザー用の光導電材料として提案されている。半導体
レーザー用の感光材料として、有機光導電材料を使用す
る場合、まず、感光波長域が長波長まで伸びているこ
と、次に、形成される感光体の感度および耐久性がよい
こと等が要求される。前記の有機光導電材料は、これら
の諸条件を十分に満足するものではない。
【０００３】これらの欠点を克服するために、前記の有
機光導電材料について、精力的に研究、開発が試みられ
ており、特に、フタロシアニン化合物については多くの
報告がなされている。一般に、フタロシアニン化合物
は、製造方法、処理方法の違いにより多数の結晶型を示
すこと、そしてこの結晶型の違いは、フタロシアニン化
合物の光電変換特性に大きな影響を及ぼすことが知られ
ている。フタロシアニン化合物の結晶型については、例
えば、銅フタロシアニンについてみると、安定系のβ型
以外に、α、ε、π、ｘ、ρ、γ、δ等の結晶型が知ら
れており、これらの結晶型は、機械的歪力、硫酸処理、
有機溶剤処理および熱処理等により、相互に転移が可能
であることが知られている（例えば、米国特許第２７７
０６２９号、同第３１６０６３５号、同第３７０８２９
２号および同第３３５７９８９号明細書）。また、無金
属フタロシアニンについては、α、β、γ、τおよびｘ
等の結晶型が知られており、そして、特公昭４４−１４
１０６号公報、特公昭４９−４３３８号公報および特開
平４−２２７７６８号公報には、ｘ型フタロシアニンが
記載され、他の結晶型の無金属フタロシアニンに比べて
良好な電子写真特性を有し、結着樹脂中での分散性にも
優れていることが開示されている。しかしながら、この
ｘ型フタロシアニンは、感度の点で未だ不十分である。
一方、特開平５−９８１８１号公報には、いくつかの高
感度のハロゲン化ガリウムフタロシアニンの新規結晶型
が提案されている。
機光導電材料について、精力的に研究、開発が試みられ
ており、特に、フタロシアニン化合物については多くの
報告がなされている。一般に、フタロシアニン化合物
は、製造方法、処理方法の違いにより多数の結晶型を示
すこと、そしてこの結晶型の違いは、フタロシアニン化
合物の光電変換特性に大きな影響を及ぼすことが知られ
ている。フタロシアニン化合物の結晶型については、例
えば、銅フタロシアニンについてみると、安定系のβ型
以外に、α、ε、π、ｘ、ρ、γ、δ等の結晶型が知ら
れており、これらの結晶型は、機械的歪力、硫酸処理、
有機溶剤処理および熱処理等により、相互に転移が可能
であることが知られている（例えば、米国特許第２７７
０６２９号、同第３１６０６３５号、同第３７０８２９
２号および同第３３５７９８９号明細書）。また、無金
属フタロシアニンについては、α、β、γ、τおよびｘ
等の結晶型が知られており、そして、特公昭４４−１４
１０６号公報、特公昭４９−４３３８号公報および特開
平４−２２７７６８号公報には、ｘ型フタロシアニンが
記載され、他の結晶型の無金属フタロシアニンに比べて
良好な電子写真特性を有し、結着樹脂中での分散性にも
優れていることが開示されている。しかしながら、この
ｘ型フタロシアニンは、感度の点で未だ不十分である。
一方、特開平５−９８１８１号公報には、いくつかの高
感度のハロゲン化ガリウムフタロシアニンの新規結晶型
が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しょうとする課題】しかしながら、上記の
ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶は、結着樹脂中
での分散性が必ずしも十分とはいえず、分散液の安定性
に問題があり、画質上もカブリや黒点等の欠陥を生じや
すいため、さらなる改善が望まれていた。一方、一般的
な顔料の分散性の改善方法として、シランカップリング
剤やチタネートカップリング剤等の添加剤による顔料表
面の改質や、プラズマＣＶＤによる顔料表面処理等があ
るが、前者は感度の低下や残留電位の上昇を引き起こ
し、後者は工程が複雑化し、コストが増大するため、実
用的でなかった。本発明は、上記のような従来の技術に
おける問題点に鑑みてなされたものである。すなわち、
本発明の目的は、高感度で良好な電子写真特性を示し、
結着樹脂中での分散性に優れたハロゲン化ガリウムフタ
ロシアニン、およびその製造方法を提供することにあ
る。本発明の他の目的は、感度特性、電位保持性および
画質特性が優れた電子写真感光体を提供することにあ
る。
ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶は、結着樹脂中
での分散性が必ずしも十分とはいえず、分散液の安定性
に問題があり、画質上もカブリや黒点等の欠陥を生じや
すいため、さらなる改善が望まれていた。一方、一般的
な顔料の分散性の改善方法として、シランカップリング
剤やチタネートカップリング剤等の添加剤による顔料表
面の改質や、プラズマＣＶＤによる顔料表面処理等があ
るが、前者は感度の低下や残留電位の上昇を引き起こ
し、後者は工程が複雑化し、コストが増大するため、実
用的でなかった。本発明は、上記のような従来の技術に
おける問題点に鑑みてなされたものである。すなわち、
本発明の目的は、高感度で良好な電子写真特性を示し、
結着樹脂中での分散性に優れたハロゲン化ガリウムフタ
ロシアニン、およびその製造方法を提供することにあ
る。本発明の他の目的は、感度特性、電位保持性および
画質特性が優れた電子写真感光体を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、鋭意研究
を重ねた結果、ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶
の一部をヒドロキシガリウムフタロシアニンに変化させ
た顔料を電荷発生材料として使用することにより、本発
明の上記の目的が達成されることを見出し、本発明を完
成するに至った。本発明のハロゲン化ガリウムフタロシ
アニン結晶は、結晶の一部がヒドロキシガリウムフタロ
シアニンに変化したことを特徴とする。本発明のハロゲ
ン化ガリウムフタロシアニン結晶（以下、変性ハロゲン
化ガリウムフタロシアニン結晶という。）は、ハロゲン
化ガリウムフタロシアニンの結晶を水と接触させ、その
結晶の一部をヒドロキシガリウムフタロシアニンに変化
させることによって製造することができる。本発明の電
子写真感光体は、導電性支持体上に少なくとも、電荷発
生層および電荷輸送層を順次積層してなるものであっ
て、その電荷発生層が、結晶の一部がヒドロキシガリウ
ムフタロシアニンに変化したハロゲン化ガリウムフタロ
シアニン結晶を含むことを特徴とする。
を重ねた結果、ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶
の一部をヒドロキシガリウムフタロシアニンに変化させ
た顔料を電荷発生材料として使用することにより、本発
明の上記の目的が達成されることを見出し、本発明を完
成するに至った。本発明のハロゲン化ガリウムフタロシ
アニン結晶は、結晶の一部がヒドロキシガリウムフタロ
シアニンに変化したことを特徴とする。本発明のハロゲ
ン化ガリウムフタロシアニン結晶（以下、変性ハロゲン
化ガリウムフタロシアニン結晶という。）は、ハロゲン
化ガリウムフタロシアニンの結晶を水と接触させ、その
結晶の一部をヒドロキシガリウムフタロシアニンに変化
させることによって製造することができる。本発明の電
子写真感光体は、導電性支持体上に少なくとも、電荷発
生層および電荷輸送層を順次積層してなるものであっ
て、その電荷発生層が、結晶の一部がヒドロキシガリウ
ムフタロシアニンに変化したハロゲン化ガリウムフタロ
シアニン結晶を含むことを特徴とする。
【０００６】以下、本発明について詳細に説明する。ま
ず、本発明の変性ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結
晶について説明する。変性ハロゲン化ガリウムフタロシ
アニン結晶は、結晶の一部がヒドロキシガリウムフタロ
シアニンに変化しているものであって、ＣｕＫα特性Ｘ
線に対するブラッグ角度（２θ±０．２°）の（１）少
なくとも、１１．０°、１３．５°および２７．１°に
強い回折ピークを有する結晶、（２）７．４°、１６．
６°、２５．５°および２８．３°に強い回折ピークを
有する結晶、（３）少なくとも、６．８°、１７．３
°、２３．６°および２６．９°に強い回折ピークを有
する結晶、（４）少なくとも、８．７〜９．２°、１
７．６°、２７．４°および２８．８°に強い回折ピー
クを有する結晶のいずれか、またはこれらの混合結晶よ
りなる。なお、本発明において、ヒドロキシガリウムフ
タロシアニンに変化する「結晶の一部」とは、変性ハロ
ゲン化ガリウムフタロシアニン結晶の元素分析値におけ
るハロゲン含有率が、ハロゲン化ガリウムフタロシアニ
ンのハロゲン含有率の理論値に対して、１０〜９９．９
％、好ましくは５０〜９９％、さらに好ましくは８０〜
９５％の範囲にあることを意味する。
ず、本発明の変性ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結
晶について説明する。変性ハロゲン化ガリウムフタロシ
アニン結晶は、結晶の一部がヒドロキシガリウムフタロ
シアニンに変化しているものであって、ＣｕＫα特性Ｘ
線に対するブラッグ角度（２θ±０．２°）の（１）少
なくとも、１１．０°、１３．５°および２７．１°に
強い回折ピークを有する結晶、（２）７．４°、１６．
６°、２５．５°および２８．３°に強い回折ピークを
有する結晶、（３）少なくとも、６．８°、１７．３
°、２３．６°および２６．９°に強い回折ピークを有
する結晶、（４）少なくとも、８．７〜９．２°、１
７．６°、２７．４°および２８．８°に強い回折ピー
クを有する結晶のいずれか、またはこれらの混合結晶よ
りなる。なお、本発明において、ヒドロキシガリウムフ
タロシアニンに変化する「結晶の一部」とは、変性ハロ
ゲン化ガリウムフタロシアニン結晶の元素分析値におけ
るハロゲン含有率が、ハロゲン化ガリウムフタロシアニ
ンのハロゲン含有率の理論値に対して、１０〜９９．９
％、好ましくは５０〜９９％、さらに好ましくは８０〜
９５％の範囲にあることを意味する。
【０００７】これらの変性ハロゲン化ガリウムフタロシ
アニン結晶の製造を、例えばクロロガリウムフタロシア
ニンの場合を例にとって説明すると、まず、１，３−ジ
イミノイソインドリンと三塩化ガリウムをキノリン中で
縮合することによってクロロガリウムフタロシアニン結
晶を合成する。得られたクロロガリウムフタロシアニン
結晶は、次いで、水中で撹拌、振とう、分散等の処理を
施す。それによって上記（１）の結晶型を有するクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶が得られる。なお、この際
使用する水としては、脱イオン水または蒸留水が好まし
い。
アニン結晶の製造を、例えばクロロガリウムフタロシア
ニンの場合を例にとって説明すると、まず、１，３−ジ
イミノイソインドリンと三塩化ガリウムをキノリン中で
縮合することによってクロロガリウムフタロシアニン結
晶を合成する。得られたクロロガリウムフタロシアニン
結晶は、次いで、水中で撹拌、振とう、分散等の処理を
施す。それによって上記（１）の結晶型を有するクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶が得られる。なお、この際
使用する水としては、脱イオン水または蒸留水が好まし
い。
【０００８】また、上記（２）〜（４）の結晶型を有す
るクロロガリウムフタロシアニン結晶は次のようにして
得るのが好ましい。すなわち、上記合成によって得られ
たクロロガリウムフタロシアニン結晶を、まず結晶変換
して、所望の結晶型に変換した後、水処理を行う。すな
わち、合成によって得られた上記クロロガリウムフタロ
シアニン結晶を、振動ミル、自動乳鉢、サンドミル、ア
トライター、ボールミル等の粉砕装置を用いて乾式粉砕
した後、上記（２）の結晶型の場合は、ベンジルアルコ
ール、イソプロピルアルコール、シクロヘキサノン、ト
ルエン、ジメチルスルホキシド、酢酸ブチル等の適当な
溶剤中で、上記粉砕装置を用いて湿式粉砕すればよく、
上記（３）の結晶型の場合は、塩化メチレン、クロロホ
ルム、四塩化炭素、１，１，１−トリクロロエタン、
１，１，２−トリクロロエチレン等のハロゲン化溶剤中
で湿式粉砕すればよく、また、上記（４）の結晶型の場
合は、メタノールまたはエタノール中で湿式粉砕すれば
よい。これら結晶変換した上記（２）〜（４）の結晶型
を有するクロロガリウムフタロシアニン結晶は、上記
（１）の結晶型の場合と同様に、水中で撹拌、振とう、
分散等の処理を行い、目的の結晶型を有するクロロガリ
ウムフタロシアニン結晶が得られる。なお、上記（２）
〜（４）の結晶型を有するクロロガリウムフタロシアニ
ン結晶は、上記のように水による処理を行って得られた
（１）の結晶型を有するクロロガリウムフタロシアニン
結晶を、上記したと同様の溶剤により湿式処理を行って
結晶変換を行い、目的の結晶型を有するクロロガリウム
フタロシアニン結晶とすることによって得てもよい。ま
た、水中での撹拌処理を乾式粉砕後に行うこともでき
る。また、加熱しながら沸騰水中での撹拌処理を行って
もよく、また、水を溶媒として湿式処理してもよい。
るクロロガリウムフタロシアニン結晶は次のようにして
得るのが好ましい。すなわち、上記合成によって得られ
たクロロガリウムフタロシアニン結晶を、まず結晶変換
して、所望の結晶型に変換した後、水処理を行う。すな
わち、合成によって得られた上記クロロガリウムフタロ
シアニン結晶を、振動ミル、自動乳鉢、サンドミル、ア
トライター、ボールミル等の粉砕装置を用いて乾式粉砕
した後、上記（２）の結晶型の場合は、ベンジルアルコ
ール、イソプロピルアルコール、シクロヘキサノン、ト
ルエン、ジメチルスルホキシド、酢酸ブチル等の適当な
溶剤中で、上記粉砕装置を用いて湿式粉砕すればよく、
上記（３）の結晶型の場合は、塩化メチレン、クロロホ
ルム、四塩化炭素、１，１，１−トリクロロエタン、
１，１，２−トリクロロエチレン等のハロゲン化溶剤中
で湿式粉砕すればよく、また、上記（４）の結晶型の場
合は、メタノールまたはエタノール中で湿式粉砕すれば
よい。これら結晶変換した上記（２）〜（４）の結晶型
を有するクロロガリウムフタロシアニン結晶は、上記
（１）の結晶型の場合と同様に、水中で撹拌、振とう、
分散等の処理を行い、目的の結晶型を有するクロロガリ
ウムフタロシアニン結晶が得られる。なお、上記（２）
〜（４）の結晶型を有するクロロガリウムフタロシアニ
ン結晶は、上記のように水による処理を行って得られた
（１）の結晶型を有するクロロガリウムフタロシアニン
結晶を、上記したと同様の溶剤により湿式処理を行って
結晶変換を行い、目的の結晶型を有するクロロガリウム
フタロシアニン結晶とすることによって得てもよい。ま
た、水中での撹拌処理を乾式粉砕後に行うこともでき
る。また、加熱しながら沸騰水中での撹拌処理を行って
もよく、また、水を溶媒として湿式処理してもよい。
【０００９】ハロゲン化ガリウムフタロシアニンの結晶
を水と接触させて処理することにより、結晶の一部がヒ
ドロキシガリウムフタロシアニンに変化する理由は、ハ
ロゲン化ガリウムフタロシアニンが加水分解しやすいこ
とによる。すなわち、水中で撹拌することによって、水
と接触した結晶表面が容易に水と反応して、ヒドロキシ
ガリウムフタロシアニンに変化する。このとき、顔料バ
ルクは水と接触しないため、ハロゲン化ガリウムフタロ
シアニンの状態を維持している。結晶の一部をヒドロキ
シガリウムフタロシアニンに変化させることにより、ハ
ロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶の高感度な特性を
保持したまま、結着樹脂中での分散性の悪さが改善され
る。
を水と接触させて処理することにより、結晶の一部がヒ
ドロキシガリウムフタロシアニンに変化する理由は、ハ
ロゲン化ガリウムフタロシアニンが加水分解しやすいこ
とによる。すなわち、水中で撹拌することによって、水
と接触した結晶表面が容易に水と反応して、ヒドロキシ
ガリウムフタロシアニンに変化する。このとき、顔料バ
ルクは水と接触しないため、ハロゲン化ガリウムフタロ
シアニンの状態を維持している。結晶の一部をヒドロキ
シガリウムフタロシアニンに変化させることにより、ハ
ロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶の高感度な特性を
保持したまま、結着樹脂中での分散性の悪さが改善され
る。
【００１０】ハロゲン化ガリウムフタロシアニンの静電
気的な極性は著しく負に偏っており、結着樹脂や溶剤の
極性との調和がとれないため、ハロゲン化ガリウムフタ
ロシアニン結晶が凝集しやすく、分散性を悪化させてい
ると考えられる。そこで結晶の一部をヒドロキシガリウ
ムフタロシアニンに変化させることにより、極性が弱ま
り、結着樹脂や溶剤との静電気的な調和がとれ、ハロゲ
ン化ガリウムフタロシアニン結晶の凝集が起こりにくく
なり、その結果、分散性が改善される。また、水との接
触処理は、それによって分散性を悪化するハロゲン化ガ
リウムフタロシアニン結晶中のイオン性不純物が除去さ
れるため、分散性の改善に効果を有している。
気的な極性は著しく負に偏っており、結着樹脂や溶剤の
極性との調和がとれないため、ハロゲン化ガリウムフタ
ロシアニン結晶が凝集しやすく、分散性を悪化させてい
ると考えられる。そこで結晶の一部をヒドロキシガリウ
ムフタロシアニンに変化させることにより、極性が弱ま
り、結着樹脂や溶剤との静電気的な調和がとれ、ハロゲ
ン化ガリウムフタロシアニン結晶の凝集が起こりにくく
なり、その結果、分散性が改善される。また、水との接
触処理は、それによって分散性を悪化するハロゲン化ガ
リウムフタロシアニン結晶中のイオン性不純物が除去さ
れるため、分散性の改善に効果を有している。
【００１１】次に、上記の変性ハロゲン化ガリウムフタ
ロシアニン結晶を用いた本発明の電子写真感光体につい
て説明する。本発明の電子写真感光体において、導電性
支持体としては、電子写真感光体において使用されるも
のであれば、如何なるものでも使用することができる。
また、必要に応じて、導電性支持体の表面は、画質に影
響のない範囲で各種の処理を行うことができる。例え
ば、表面の陽極酸化処理、液体ホーニング等による粗面
化処理、薬品処理、着色処理等を行うことができる。
ロシアニン結晶を用いた本発明の電子写真感光体につい
て説明する。本発明の電子写真感光体において、導電性
支持体としては、電子写真感光体において使用されるも
のであれば、如何なるものでも使用することができる。
また、必要に応じて、導電性支持体の表面は、画質に影
響のない範囲で各種の処理を行うことができる。例え
ば、表面の陽極酸化処理、液体ホーニング等による粗面
化処理、薬品処理、着色処理等を行うことができる。
【００１２】導電性支持体上には、少なくとも電荷発生
層と電荷輸送層とが積層された感光層が設けられるが、
その積層の順序はいずれが導電性支持体側にあってもよ
い。本発明において、電荷発生層は、上記した変性ハロ
ゲン化ガリウムフタロシアニン結晶が適当な結着樹脂中
に分散されて構成される。この場合、結着樹脂は存在し
なくてもよい。また、変性ハロゲン化ガリウムフタロシ
アニン結晶は公知の他の電荷発生材料と併用して含有さ
せてもよい。結着樹脂としては、公知のものならば如何
なるものでも使用することができる。例えば、ポリカー
ボネート、ポリスチレン、ポリエステル、メタクリル酸
エステル重合体、ポリビニルブチラール、ポリビニルホ
ルマール、酢酸ビニル重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル
共重合体、セルロースエステル、セルロースエーテル、
ポリブタジエン、ポリウレタン、エポキシ樹脂等があげ
られる。
層と電荷輸送層とが積層された感光層が設けられるが、
その積層の順序はいずれが導電性支持体側にあってもよ
い。本発明において、電荷発生層は、上記した変性ハロ
ゲン化ガリウムフタロシアニン結晶が適当な結着樹脂中
に分散されて構成される。この場合、結着樹脂は存在し
なくてもよい。また、変性ハロゲン化ガリウムフタロシ
アニン結晶は公知の他の電荷発生材料と併用して含有さ
せてもよい。結着樹脂としては、公知のものならば如何
なるものでも使用することができる。例えば、ポリカー
ボネート、ポリスチレン、ポリエステル、メタクリル酸
エステル重合体、ポリビニルブチラール、ポリビニルホ
ルマール、酢酸ビニル重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル
共重合体、セルロースエステル、セルロースエーテル、
ポリブタジエン、ポリウレタン、エポキシ樹脂等があげ
られる。
【００１３】電荷発生材料と結着樹脂の配合比（重量）
は、４０：１〜１：４、好ましくは２０：１〜１：２で
ある。電荷発生材料の比率が高すぎる場合には塗布液の
安定性が低下し、低すぎる場合は感度が低下するので、
上記の範囲に設定するのが好ましい。塗布液を作製する
ために使用する溶剤としては、メタノール、エタノー
ル、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、、メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチル
ケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、
ｎ−酢酸ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、塩
化メチレン、クロロホルム、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、クロロベンゼン、ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルアセトアミド等の有機溶剤、或いはこれらの混合溶剤
をあげることができる。分散手段としては、サンドミ
ル、コロイドミル、アトライター、ボールミル、ダイノ
ミル、コボールミル、ロールミル等の手段が利用でき
る。塗布方法としては、ブレードコーティング法、ワイ
ヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸
漬コーテイング法、ビードコーティング法、カーテンコ
ーティング法等の方法を用いることができる。電荷発生
層の膜厚は、０．０１〜５μｍ、好ましくは０．０３〜
２μｍの範囲が適当である。
は、４０：１〜１：４、好ましくは２０：１〜１：２で
ある。電荷発生材料の比率が高すぎる場合には塗布液の
安定性が低下し、低すぎる場合は感度が低下するので、
上記の範囲に設定するのが好ましい。塗布液を作製する
ために使用する溶剤としては、メタノール、エタノー
ル、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、、メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチル
ケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、
ｎ−酢酸ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、塩
化メチレン、クロロホルム、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、クロロベンゼン、ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルアセトアミド等の有機溶剤、或いはこれらの混合溶剤
をあげることができる。分散手段としては、サンドミ
ル、コロイドミル、アトライター、ボールミル、ダイノ
ミル、コボールミル、ロールミル等の手段が利用でき
る。塗布方法としては、ブレードコーティング法、ワイ
ヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸
漬コーテイング法、ビードコーティング法、カーテンコ
ーティング法等の方法を用いることができる。電荷発生
層の膜厚は、０．０１〜５μｍ、好ましくは０．０３〜
２μｍの範囲が適当である。
【００１４】電荷輸送層は、電荷輸送材料と成膜性樹脂
より構成されるものであって、電荷輸送材料層として
は、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス−（ｍ−ト
リル）ベンジジン、４−ジエチルアミノベンズアルデヒ
ド−２，２−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−（２，２−ジ
フェニルビニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン等、公
知のものであれば如何なるものでも使用することができ
る。成膜性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、
ポリアリレート、ポリスチレン、ポリエステル、スチレ
ン−アクリロニトリル共重合体、ポリスルホン、ポリメ
タクリル酸エステル、スチレン−メタクリル酸エステル
共重合体、ポリオレフィン等があげられる。これらの中
でも、耐久性の点でポリカーボネートが好適である。電
荷輸送材料と成膜性樹脂の配合比（重量）は、５：１〜
１：５、好ましくは３：１〜１：３である。電荷輸送材
料の比率が高すぎる場合には電荷輸送層の機械的強度が
低下し、低すぎる場合には感度が低下するので、上記の
範囲に設定するのが好ましい。また、電荷輸送材料が成
膜性を有する場合には、上記成膜性樹脂を省くこともで
きる。電荷輸送層は、上記電荷輸送材料と成膜性樹脂と
を適当な溶剤に溶解し、塗布することによって形成する
が、膜厚は５〜５０μｍ、好ましくは１０〜４０μｍの
範囲に設定される。塗布は、上記電荷発生層において記
載したいずれかの方法によって行うことができる。
より構成されるものであって、電荷輸送材料層として
は、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス−（ｍ−ト
リル）ベンジジン、４−ジエチルアミノベンズアルデヒ
ド−２，２−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−（２，２−ジ
フェニルビニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン等、公
知のものであれば如何なるものでも使用することができ
る。成膜性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、
ポリアリレート、ポリスチレン、ポリエステル、スチレ
ン−アクリロニトリル共重合体、ポリスルホン、ポリメ
タクリル酸エステル、スチレン−メタクリル酸エステル
共重合体、ポリオレフィン等があげられる。これらの中
でも、耐久性の点でポリカーボネートが好適である。電
荷輸送材料と成膜性樹脂の配合比（重量）は、５：１〜
１：５、好ましくは３：１〜１：３である。電荷輸送材
料の比率が高すぎる場合には電荷輸送層の機械的強度が
低下し、低すぎる場合には感度が低下するので、上記の
範囲に設定するのが好ましい。また、電荷輸送材料が成
膜性を有する場合には、上記成膜性樹脂を省くこともで
きる。電荷輸送層は、上記電荷輸送材料と成膜性樹脂と
を適当な溶剤に溶解し、塗布することによって形成する
が、膜厚は５〜５０μｍ、好ましくは１０〜４０μｍの
範囲に設定される。塗布は、上記電荷発生層において記
載したいずれかの方法によって行うことができる。
【００１５】本発明の電子写真感光体は、必要に応じ
て、感光層と導電性支持体との間に下引き層を設けても
よい。下引き層は、導電性気体からの不必要な電荷の注
入を阻止するために有効であり、感光体の帯電性を高く
する作用がある。さらに、感光層と導電性支持体との接
着性を向上させる作用もある。下引き層を構成する材料
としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリド
ン、ポリビニルピリジン、セルロースエーテル類、セル
ロースエステル類、ポリアミド、ポリウレタン、カゼイ
ン、ゼラチン、ポリグルタミン酸、澱粉、スターチアセ
テート、アミノスターチ、ポリアクリル酸、ポリアクリ
ルアミド等があげられる。また、上記樹脂の代わりに、
ジルコニウムキレート化合物、ジルコニウムアルコキシ
ド等の有機ジルコニウム化合物とシランカップリング剤
を用いることもできる。有機ジルコニウム化合物の代表
的なものとしては、ジルコニウムテトラブトキシド、ジ
ルコニウムテトラアセチルアセトネート、ジルコニウム
ジプロポキシジアセチルアセトネート、トリブトキシジ
ルコニウムアセチルアセトネート等があげられる。
て、感光層と導電性支持体との間に下引き層を設けても
よい。下引き層は、導電性気体からの不必要な電荷の注
入を阻止するために有効であり、感光体の帯電性を高く
する作用がある。さらに、感光層と導電性支持体との接
着性を向上させる作用もある。下引き層を構成する材料
としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリド
ン、ポリビニルピリジン、セルロースエーテル類、セル
ロースエステル類、ポリアミド、ポリウレタン、カゼイ
ン、ゼラチン、ポリグルタミン酸、澱粉、スターチアセ
テート、アミノスターチ、ポリアクリル酸、ポリアクリ
ルアミド等があげられる。また、上記樹脂の代わりに、
ジルコニウムキレート化合物、ジルコニウムアルコキシ
ド等の有機ジルコニウム化合物とシランカップリング剤
を用いることもできる。有機ジルコニウム化合物の代表
的なものとしては、ジルコニウムテトラブトキシド、ジ
ルコニウムテトラアセチルアセトネート、ジルコニウム
ジプロポキシジアセチルアセトネート、トリブトキシジ
ルコニウムアセチルアセトネート等があげられる。
【００１６】シランカップリング剤としては、ビニルト
リクロルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルト
リエトキシシラン、ビニルトリス−２−メトキシエトキ
シシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシ
プロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリ
エトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−２−アミノエチルプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−
ウレイドプロピルトリエトキシシラン、β−３，４−エ
ポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン等をあ
げることができる。有機ジルコニウム化合物とシランカ
ップリング剤との混合割合は、Ｚｒ／Ｓｉのモル比が、
１／１〜５／１の範囲にあることが好ましい。Ｚｒの割
合が上記の範囲よりも大きくなると、電荷発生層を塗布
する際のヌレ性が劣化し、ムラのある塗膜が形成され
る。また、Ｓｉの割合が上記の範囲よりも大きくなる
と、残留電位が増大するので好ましくない。
リクロルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルト
リエトキシシラン、ビニルトリス−２−メトキシエトキ
シシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシ
プロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリ
エトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−２−アミノエチルプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−
ウレイドプロピルトリエトキシシラン、β−３，４−エ
ポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン等をあ
げることができる。有機ジルコニウム化合物とシランカ
ップリング剤との混合割合は、Ｚｒ／Ｓｉのモル比が、
１／１〜５／１の範囲にあることが好ましい。Ｚｒの割
合が上記の範囲よりも大きくなると、電荷発生層を塗布
する際のヌレ性が劣化し、ムラのある塗膜が形成され
る。また、Ｓｉの割合が上記の範囲よりも大きくなる
と、残留電位が増大するので好ましくない。
【００１７】一方、有機ジルコニウム化合物とシランカ
ップリング剤と結着樹脂との混合物を使用することもで
きる。このときの結着樹脂としては、前述のものを用い
ることができる。結着樹脂の有機ジルコニウム化合物と
シランカップリング剤に対する混合割合は、必要に応じ
て設定され、下引き層の膜厚を厚くしたい場合は、結着
樹脂の含有量を多くし、下引き層の膜厚を薄くしたい場
合は少なくすればよい。さらにまた、下引き層として、
微粒子無機粉体を上記結着樹脂と混合、分散した溶液を
塗布、乾燥させて形成したものを設けてもよい。微粒子
無機粉体としては、酸化チタン、酸化アンチモン、酸化
錫、酸化亜鉛、酸化アルミナ、酸化インジウム、酸化マ
グネシウム、シリカ、三酸化モリブデン、酸化第２銅等
が使用される。
ップリング剤と結着樹脂との混合物を使用することもで
きる。このときの結着樹脂としては、前述のものを用い
ることができる。結着樹脂の有機ジルコニウム化合物と
シランカップリング剤に対する混合割合は、必要に応じ
て設定され、下引き層の膜厚を厚くしたい場合は、結着
樹脂の含有量を多くし、下引き層の膜厚を薄くしたい場
合は少なくすればよい。さらにまた、下引き層として、
微粒子無機粉体を上記結着樹脂と混合、分散した溶液を
塗布、乾燥させて形成したものを設けてもよい。微粒子
無機粉体としては、酸化チタン、酸化アンチモン、酸化
錫、酸化亜鉛、酸化アルミナ、酸化インジウム、酸化マ
グネシウム、シリカ、三酸化モリブデン、酸化第２銅等
が使用される。
【００１８】本発明において、下引き層の膜厚は、一般
に０．０１〜５μｍ、好ましくは０．０５〜２μｍに設
定される。下引き層を形成するためには、塗布液を調製
することが必要になるが、エタノール、メタノール、プ
ロパノール、ブタノール等のアルコール類、アセトン、
メチルエチルケトン等のケトン類、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素類、酢酸エチル、セロソルブアセテ
ート等のエステル類を単独または混合して使用すること
ができる。塗布液を塗布する際には、例えば、浸漬コー
ティング法、スプレーコーティング法、ブレードコーテ
ィング法、スピンナーコーティング法、ビードコーティ
ング法、カーテンコーティング法等のコーティング法を
用いることができ、乾燥は１０〜２００℃、好ましくは
３０〜１８０℃の範囲の温度で、５分〜６時間、好まし
くは、１０分〜２時間の範囲で送風乾燥機により、また
は静止乾燥下で行うことができる。さらに、本発明の電
子写真感光体は、耐刷性を改善するために、感光層の上
に保護層を設けてもよい。本発明の電子写真感光体は、
電子写真複写機に効果的に使用されるが、さらにレーザ
ービームプリンター、ＬＥＤプリンター、ＣＲＴプリン
ター、マイクロフィルムリーダー、普通紙ファクシミ
リ、電子写真製版システム等に適用可能である。
に０．０１〜５μｍ、好ましくは０．０５〜２μｍに設
定される。下引き層を形成するためには、塗布液を調製
することが必要になるが、エタノール、メタノール、プ
ロパノール、ブタノール等のアルコール類、アセトン、
メチルエチルケトン等のケトン類、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素類、酢酸エチル、セロソルブアセテ
ート等のエステル類を単独または混合して使用すること
ができる。塗布液を塗布する際には、例えば、浸漬コー
ティング法、スプレーコーティング法、ブレードコーテ
ィング法、スピンナーコーティング法、ビードコーティ
ング法、カーテンコーティング法等のコーティング法を
用いることができ、乾燥は１０〜２００℃、好ましくは
３０〜１８０℃の範囲の温度で、５分〜６時間、好まし
くは、１０分〜２時間の範囲で送風乾燥機により、また
は静止乾燥下で行うことができる。さらに、本発明の電
子写真感光体は、耐刷性を改善するために、感光層の上
に保護層を設けてもよい。本発明の電子写真感光体は、
電子写真複写機に効果的に使用されるが、さらにレーザ
ービームプリンター、ＬＥＤプリンター、ＣＲＴプリン
ター、マイクロフィルムリーダー、普通紙ファクシミ
リ、電子写真製版システム等に適用可能である。
【００１９】
【実施例】次に、実施例によって本発明をさらに詳しく
説明する。なお、実施例において、「部」は「重量部」
を意味する。 合成例１ １，３−ジイミノイソインドリン３０部、３塩化ガリウ
ム９．１部をキノリン２３０部中に入れ、２００℃にお
いて３時間反応させた後、生成物を濾別し、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミドおよびメタノールで洗浄し、次いで
湿ケーキを乾燥した後、クロロガリウムフタロシアニン
結晶２８部を得た。得られたクロロガリウムフタロシア
ニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図１に示す。また、元素分
析値は、次の通りであった。なお、括弧内の値は、塩素
含有率における理論値％に対する実測値％の百分率
（％）を示す。 Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 理論値％ ６２．２２ ２．６１ １８．１４ ５．７４ 実測値％ ６２．１８ ２．６７ １８．０８ ５．７５（１００％）
説明する。なお、実施例において、「部」は「重量部」
を意味する。 合成例１ １，３−ジイミノイソインドリン３０部、３塩化ガリウ
ム９．１部をキノリン２３０部中に入れ、２００℃にお
いて３時間反応させた後、生成物を濾別し、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミドおよびメタノールで洗浄し、次いで
湿ケーキを乾燥した後、クロロガリウムフタロシアニン
結晶２８部を得た。得られたクロロガリウムフタロシア
ニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図１に示す。また、元素分
析値は、次の通りであった。なお、括弧内の値は、塩素
含有率における理論値％に対する実測値％の百分率
（％）を示す。 Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 理論値％ ６２．２２ ２．６１ １８．１４ ５．７４ 実測値％ ６２．１８ ２．６７ １８．０８ ５．７５（１００％）
【００２０】合成例２ 合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
３部を、自動乳鉢（Ｌａｂ Ｍｉｌｌ ＵＴ−２１型、
ヤマト科学社製）で３時間粉砕した。得られたクロロガ
リウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図２に示
す。
３部を、自動乳鉢（Ｌａｂ Ｍｉｌｌ ＵＴ−２１型、
ヤマト科学社製）で３時間粉砕した。得られたクロロガ
リウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図２に示
す。
【００２１】合成例３ 合成例２で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
０．５部を、１ｍｍφのガラスビーズ６０部と共にベン
ジルアルコール２０部中で、室温にて２４時間ボールミ
リングした後、濾別し、酢酸エチル１００部で洗浄し、
クロロガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られたク
ロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図
３に示す。 合成例４ 合成例２で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
３部を、１ｍｍφのガラスビーズ６０部と共に塩化メチ
レン２０部中で、室温にて２４時間ボールミリングした
後、濾別し、酢酸エチル１００部で洗浄し、クロロガリ
ウムフタロシアニン結晶を得た。得られたクロロガリウ
ムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図４に示す。 合成例５ 合成例２で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
３部を、１ｍｍφのガラスビーズ６０部と共にメタノー
ル２０部中で、室温にて２４時間ボールミリングした
後、濾別し、メタノール１００部で洗浄し、クロロガリ
ウムフタロシアニン結晶を得た。得られたクロロガリウ
ムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図５に示す。
０．５部を、１ｍｍφのガラスビーズ６０部と共にベン
ジルアルコール２０部中で、室温にて２４時間ボールミ
リングした後、濾別し、酢酸エチル１００部で洗浄し、
クロロガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られたク
ロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図
３に示す。 合成例４ 合成例２で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
３部を、１ｍｍφのガラスビーズ６０部と共に塩化メチ
レン２０部中で、室温にて２４時間ボールミリングした
後、濾別し、酢酸エチル１００部で洗浄し、クロロガリ
ウムフタロシアニン結晶を得た。得られたクロロガリウ
ムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図４に示す。 合成例５ 合成例２で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
３部を、１ｍｍφのガラスビーズ６０部と共にメタノー
ル２０部中で、室温にて２４時間ボールミリングした
後、濾別し、メタノール１００部で洗浄し、クロロガリ
ウムフタロシアニン結晶を得た。得られたクロロガリウ
ムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を図５に示す。
【００２２】実施例１ 合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
５部を、脱イオン水（ｐＨ：７．４）１００部と共に、
室温において２４時間撹拌した。このとき、上澄み液の
ｐＨ値をｐＨメーターで測定したところ、３．５を示し
た。その後、これを濾別し、結晶の一部がヒドロキシガ
リウムフタロシアニンに変化したクロロガリウムフタロ
シアニン結晶を得た。得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、図１と同一のスペクト
ルを示した。また、元素分析値は、次の通りであった。 Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 理論値％ ６２．２２ ２．６１ １８．１４ ５．７４ 実測値％ ６１．９８ ２．７２ １８．１０ ５．３１（９３％） 元素分析値より、塩素の含有率が低下しており、明らか
にクロロガリウムフタロシアニン結晶の加水分解が起こ
ったことが確認できた。また、上澄み液のｐＨ値から、
加水分解により生じた塩化水素の影響で酸性に変化した
ことが分かった。
５部を、脱イオン水（ｐＨ：７．４）１００部と共に、
室温において２４時間撹拌した。このとき、上澄み液の
ｐＨ値をｐＨメーターで測定したところ、３．５を示し
た。その後、これを濾別し、結晶の一部がヒドロキシガ
リウムフタロシアニンに変化したクロロガリウムフタロ
シアニン結晶を得た。得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、図１と同一のスペクト
ルを示した。また、元素分析値は、次の通りであった。 Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 理論値％ ６２．２２ ２．６１ １８．１４ ５．７４ 実測値％ ６１．９８ ２．７２ １８．１０ ５．３１（９３％） 元素分析値より、塩素の含有率が低下しており、明らか
にクロロガリウムフタロシアニン結晶の加水分解が起こ
ったことが確認できた。また、上澄み液のｐＨ値から、
加水分解により生じた塩化水素の影響で酸性に変化した
ことが分かった。
【００２３】実施例２ 合成例２で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
０．５部を、脱イオン水２０部と共に、１００℃で２時
間加熱撹拌した。このとき、上澄み液のｐＨ値をｐＨメ
ーターで測定したところ、３．９を示した。その後、こ
れを濾別し、結晶の一部がヒドロキシガリウムフタロシ
アニンに変化したクロロガリウムフタロシアニン結晶を
得た。得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉
末Ｘ線回折図は、図２と同一のスペクトルを示した。ま
た、元素分析値は、次の通りであった。 Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 理論値％ ６２．２２ ２．６１ １８．１４ ５．７４ 実測値％ ６２．０８ ２．７５ １８．０９ ５．２３（９１％）
０．５部を、脱イオン水２０部と共に、１００℃で２時
間加熱撹拌した。このとき、上澄み液のｐＨ値をｐＨメ
ーターで測定したところ、３．９を示した。その後、こ
れを濾別し、結晶の一部がヒドロキシガリウムフタロシ
アニンに変化したクロロガリウムフタロシアニン結晶を
得た。得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉
末Ｘ線回折図は、図２と同一のスペクトルを示した。ま
た、元素分析値は、次の通りであった。 Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 理論値％ ６２．２２ ２．６１ １８．１４ ５．７４ 実測値％ ６２．０８ ２．７５ １８．０９ ５．２３（９１％）
【００２４】実施例３ 合成例３で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
０．５部を、蒸留水２５部と共に、１００℃で２時間加
熱撹拌した。このとき、上澄み液のｐＨ値をｐＨメータ
ーで測定したところ、４．４を示した。その後、これを
濾別し、結晶の一部がヒドロキシガリウムフタロシアニ
ンに変化したクロロガリウムフタロシアニン結晶を得
た。得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末
Ｘ線回折図は、図３と同一のスペクトルを示した。ま
た、元素分析値は、次の通りであった。 Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 理論値％ ６２．２２ ２．６１ １８．１４ ５．７４ 実測値％ ６２．１８ ２．７０ １８．０６ ５．１５（９０％）
０．５部を、蒸留水２５部と共に、１００℃で２時間加
熱撹拌した。このとき、上澄み液のｐＨ値をｐＨメータ
ーで測定したところ、４．４を示した。その後、これを
濾別し、結晶の一部がヒドロキシガリウムフタロシアニ
ンに変化したクロロガリウムフタロシアニン結晶を得
た。得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末
Ｘ線回折図は、図３と同一のスペクトルを示した。ま
た、元素分析値は、次の通りであった。 Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 理論値％ ６２．２２ ２．６１ １８．１４ ５．７４ 実測値％ ６２．１８ ２．７０ １８．０６ ５．１５（９０％）
【００２５】実施例４ 合成例４で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
３部を、２ｍｍφのガラスビーズ６０部と共に脱イオン
水２０部中で室温において２４時間ボールミリングし
た。このとき、上澄み液のｐＨ値をｐＨメーターで測定
したところ、３．４を示した。その後、これを濾別し、
脱イオン水１０部で洗浄し、結晶の一部がヒドロキシガ
リウムフタロシアニンに変化したクロロガリウムフタロ
シアニン結晶を得た。得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、図４と同一のスペクト
ルを示した。また、元素分析値は、次の通りであった。 Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 理論値％ ６２．２２ ２．６１ １８．１４ ５．７４ 実測値％ ６２．１１ ２．６９ １８．０６ ５．１０（８９％）
３部を、２ｍｍφのガラスビーズ６０部と共に脱イオン
水２０部中で室温において２４時間ボールミリングし
た。このとき、上澄み液のｐＨ値をｐＨメーターで測定
したところ、３．４を示した。その後、これを濾別し、
脱イオン水１０部で洗浄し、結晶の一部がヒドロキシガ
リウムフタロシアニンに変化したクロロガリウムフタロ
シアニン結晶を得た。得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折図は、図４と同一のスペクト
ルを示した。また、元素分析値は、次の通りであった。 Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 理論値％ ６２．２２ ２．６１ １８．１４ ５．７４ 実測値％ ６２．１１ ２．６９ １８．０６ ５．１０（８９％）
【００２６】実施例５ 合成例５で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
０．５部を、蒸留水２０部と共に、室温で４８時間加熱
撹拌した。このとき、上澄み液のｐＨ値をｐＨメーター
で測定したところ、４．２を示した。その後、これを濾
別し、結晶の一部がヒドロキシガリウムフタロシアニン
に変化したクロロガリウムフタロシアニン結晶を得た。
得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線
回折図は、図５と同一のスペクトルを示した。また、元
素分析値は、次の通りであった。 Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 理論値％ ６２．２２ ２．６１ １８．１４ ５．７４ 実測値％ ６２．１４ ２．６５ １７．９９ ５．１７（９０％）
０．５部を、蒸留水２０部と共に、室温で４８時間加熱
撹拌した。このとき、上澄み液のｐＨ値をｐＨメーター
で測定したところ、４．２を示した。その後、これを濾
別し、結晶の一部がヒドロキシガリウムフタロシアニン
に変化したクロロガリウムフタロシアニン結晶を得た。
得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線
回折図は、図５と同一のスペクトルを示した。また、元
素分析値は、次の通りであった。 Ｃ Ｈ Ｎ Ｃｌ 理論値％ ６２．２２ ２．６１ １８．１４ ５．７４ 実測値％ ６２．１４ ２．６５ １７．９９ ５．１７（９０％）
【００２７】実施例６ まず、特開平２−８７１５４号公報に記載されているア
ルミニウムパイプの湿式ホーニング処理を、次のように
して行った。４０ｍｍφ×３１９ｍｍの鏡面アルミニウ
ムパイプを用意し、液体ホーニング装置を用いて、研磨
剤（グリーンデシックＧＣ＃４００、昭和電工社製）１
０ｋｇを水４０リットルに懸濁させ、それをポンプで６
リットル／分の流量でガンに送液し、吹き付け速度６０
ｍｍ／分、空気圧０．８５ｋｇｆ／ｃｍ2 で吹き付け、
アルミニウムパイプを１００ｒｐｍで回転させながら、
軸方向に移動させ、湿式ホーニング処理を行った。この
ときの中心線平均粗さＲａは０．１５μｍであった。次
に、ポリビニルブチラール（エスレックＢＭ−１、積水
化学工業社製）８部をｎ−ブチルアルコール１５２部に
加え、撹拌溶解し、５重量％のポリビニルブチラール溶
液を作製した。次に、トリブトキシジルコニウム・アセ
チルアセトネートの５０％トルエン溶液（ＺＣ５４０、
松本交商社製）１００部、γ−アミノプロピルトリエト
キシシラン（Ａ１１１０、日本ユニカー社製）１０部お
よびｎ−ブチルアルコール１３０部を混合した溶液を、
上記のポリビニルブチラール溶液中に加え、撹拌機で撹
拌し、下引き層形成用の塗布液を作製した。この塗布液
をアルミニウムパイプ上に浸漬塗布し、１６５℃におい
て１５分間加熱乾燥し、膜厚１．５μｍの下引き層を形
成した。
ルミニウムパイプの湿式ホーニング処理を、次のように
して行った。４０ｍｍφ×３１９ｍｍの鏡面アルミニウ
ムパイプを用意し、液体ホーニング装置を用いて、研磨
剤（グリーンデシックＧＣ＃４００、昭和電工社製）１
０ｋｇを水４０リットルに懸濁させ、それをポンプで６
リットル／分の流量でガンに送液し、吹き付け速度６０
ｍｍ／分、空気圧０．８５ｋｇｆ／ｃｍ2 で吹き付け、
アルミニウムパイプを１００ｒｐｍで回転させながら、
軸方向に移動させ、湿式ホーニング処理を行った。この
ときの中心線平均粗さＲａは０．１５μｍであった。次
に、ポリビニルブチラール（エスレックＢＭ−１、積水
化学工業社製）８部をｎ−ブチルアルコール１５２部に
加え、撹拌溶解し、５重量％のポリビニルブチラール溶
液を作製した。次に、トリブトキシジルコニウム・アセ
チルアセトネートの５０％トルエン溶液（ＺＣ５４０、
松本交商社製）１００部、γ−アミノプロピルトリエト
キシシラン（Ａ１１１０、日本ユニカー社製）１０部お
よびｎ−ブチルアルコール１３０部を混合した溶液を、
上記のポリビニルブチラール溶液中に加え、撹拌機で撹
拌し、下引き層形成用の塗布液を作製した。この塗布液
をアルミニウムパイプ上に浸漬塗布し、１６５℃におい
て１５分間加熱乾燥し、膜厚１．５μｍの下引き層を形
成した。
【００２８】一方、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹
脂（ＶＭＣＨ、ユニオンカーバイド社製）３部を、予め
ｎ−ブチルアルコール１００部に溶解した溶液に、実施
例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶１部
を加え、２４時間サンドミルで分散し、ｎ−ブチルアル
コールで希釈し、固形分濃度３．０重量％の電荷発生層
形成用塗布液を調製した。得られた塗布液を、前記下引
き層の上にリング塗布機により塗布し、１００℃におい
て１０分間加熱乾燥して、膜厚０．２０μｍの電荷発生
層を形成した。また、分散後の前記クロロガリウムフタ
ロシアニン結晶の結晶型をＸ線回折によって調べたとこ
ろ、分散前の結晶型と同一であり、全く変化していない
ことを確認した。次に、形成された電荷発生層の上に電
荷輸送層を形成した。すなわち、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１′
−ビフェニル］−４，４′−ジアミン４部を電荷輸送材
料とし、ポリカーボネートＺ樹脂（粘度平均分子量３
９，０００）６部と共に、モノクロロベンゼン４０部に
溶解した。得られた塗布液を、浸漬塗布装置によって前
記電荷発生層上に塗布し、１００℃で６０分間加熱乾燥
して、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成し、電子写真感
光体を作製した。
脂（ＶＭＣＨ、ユニオンカーバイド社製）３部を、予め
ｎ−ブチルアルコール１００部に溶解した溶液に、実施
例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶１部
を加え、２４時間サンドミルで分散し、ｎ−ブチルアル
コールで希釈し、固形分濃度３．０重量％の電荷発生層
形成用塗布液を調製した。得られた塗布液を、前記下引
き層の上にリング塗布機により塗布し、１００℃におい
て１０分間加熱乾燥して、膜厚０．２０μｍの電荷発生
層を形成した。また、分散後の前記クロロガリウムフタ
ロシアニン結晶の結晶型をＸ線回折によって調べたとこ
ろ、分散前の結晶型と同一であり、全く変化していない
ことを確認した。次に、形成された電荷発生層の上に電
荷輸送層を形成した。すなわち、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１′
−ビフェニル］−４，４′−ジアミン４部を電荷輸送材
料とし、ポリカーボネートＺ樹脂（粘度平均分子量３
９，０００）６部と共に、モノクロロベンゼン４０部に
溶解した。得られた塗布液を、浸漬塗布装置によって前
記電荷発生層上に塗布し、１００℃で６０分間加熱乾燥
して、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成し、電子写真感
光体を作製した。
【００２９】実施例７ 電荷発生材料として、実施例１に代えて実施例２で得ら
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶を使用した以外
は、実施例６と全く同様にして電子写真感光体を作製し
た。 実施例８ 電荷発生材料として、実施例１に代えて実施例３で得ら
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶を使用した以外
は、実施例６と全く同様にして電子写真感光体を作製し
た。 実施例９ 電荷発生材料として、実施例１に代えて実施例４で得ら
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶を使用した以外
は、実施例６と全く同様にして電子写真感光体を作製し
た。 実施例１０ 電荷発生材料として、実施例１に代えて実施例５で得ら
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶を使用した以外
は、実施例６と全く同様にして電子写真感光体を作製し
た。
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶を使用した以外
は、実施例６と全く同様にして電子写真感光体を作製し
た。 実施例８ 電荷発生材料として、実施例１に代えて実施例３で得ら
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶を使用した以外
は、実施例６と全く同様にして電子写真感光体を作製し
た。 実施例９ 電荷発生材料として、実施例１に代えて実施例４で得ら
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶を使用した以外
は、実施例６と全く同様にして電子写真感光体を作製し
た。 実施例１０ 電荷発生材料として、実施例１に代えて実施例５で得ら
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶を使用した以外
は、実施例６と全く同様にして電子写真感光体を作製し
た。
【００３０】比較例１ 電荷発生材料として、実施例１に代えて合成例１で得ら
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶を使用した以外
は、実施例６と全く同様にして電子写真感光体を作製し
た。 比較例２ 電荷発生材料として、実施例１に代えて合成例２で得ら
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶を使用した以外
は、実施例６と全く同様にして電子写真感光体を作製し
た。 比較例３ 電荷発生材料として、実施例１に代えて合成例３で得ら
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶を使用した以外
は、実施例６と全く同様にして電子写真感光体を作製し
た。 比較例４ 電荷発生材料として、実施例１に代えて合成例４で得ら
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶を使用した以外
は、実施例６と全く同様にして電子写真感光体を作製し
た。 比較例５ 電荷発生材料として、実施例１に代えて合成例５で得ら
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶を使用した以外
は、実施例６と全く同様にして電子写真感光体を作製し
た。
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶を使用した以外
は、実施例６と全く同様にして電子写真感光体を作製し
た。 比較例２ 電荷発生材料として、実施例１に代えて合成例２で得ら
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶を使用した以外
は、実施例６と全く同様にして電子写真感光体を作製し
た。 比較例３ 電荷発生材料として、実施例１に代えて合成例３で得ら
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶を使用した以外
は、実施例６と全く同様にして電子写真感光体を作製し
た。 比較例４ 電荷発生材料として、実施例１に代えて合成例４で得ら
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶を使用した以外
は、実施例６と全く同様にして電子写真感光体を作製し
た。 比較例５ 電荷発生材料として、実施例１に代えて合成例５で得ら
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶を使用した以外
は、実施例６と全く同様にして電子写真感光体を作製し
た。
【００３１】これらの電子写真感光体に対して、レーザ
ープリンター改造スキャナー（ＸＰ−１５改造機、富士
ゼロックス社製）を用いて、２０℃、５０％ＲＨの環境
下で、グリッド印加電圧−６００Ｖのスコロトロン帯電
器で帯電し（Ａ）、７８０ｎｍの半導体レーザーを用い
て、１秒後に１２．０エルグ／ｃｍ2 の光を照射して放
電を行い（Ｂ）、さらに３秒後に５０エルグ／ｃｍ2 の
赤色ＬＥＤ光を照射して除電を行う（Ｃ）というプロセ
スによって、各部の電位を測定した。評価において、
（Ａ）の電位ＶH が高い程、感光体の受容電位が高いの
で、コントラストを高くとることができ、（Ｂ）の電位
ＶL が低い程、高感度であり、（Ｃ）の電位ＶRPが低い
程、残留電位が少なく、画像メモリーやカブリが少ない
感光体ということができる。また、５０００回繰り返し
帯電、露光後の各部の電位の測定も行った。さらに、こ
れらの電子写真感光体に対して、レーザープリンター
（ＸＰ−１１、富士ゼロックス社製）を用いて、３０
℃、８５％ＲＨの環境下で画質の評価を行った。それら
の結果を表１に示す。
ープリンター改造スキャナー（ＸＰ−１５改造機、富士
ゼロックス社製）を用いて、２０℃、５０％ＲＨの環境
下で、グリッド印加電圧−６００Ｖのスコロトロン帯電
器で帯電し（Ａ）、７８０ｎｍの半導体レーザーを用い
て、１秒後に１２．０エルグ／ｃｍ2 の光を照射して放
電を行い（Ｂ）、さらに３秒後に５０エルグ／ｃｍ2 の
赤色ＬＥＤ光を照射して除電を行う（Ｃ）というプロセ
スによって、各部の電位を測定した。評価において、
（Ａ）の電位ＶH が高い程、感光体の受容電位が高いの
で、コントラストを高くとることができ、（Ｂ）の電位
ＶL が低い程、高感度であり、（Ｃ）の電位ＶRPが低い
程、残留電位が少なく、画像メモリーやカブリが少ない
感光体ということができる。また、５０００回繰り返し
帯電、露光後の各部の電位の測定も行った。さらに、こ
れらの電子写真感光体に対して、レーザープリンター
（ＸＰ−１１、富士ゼロックス社製）を用いて、３０
℃、８５％ＲＨの環境下で画質の評価を行った。それら
の結果を表１に示す。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【発明の効果】本発明の変性ハロゲン化ガリウムフタロ
シアニンは、結晶の一部がヒドロキシガリウムフタロシ
アニンに変化したものであるから、これを電荷発生材料
として電荷発生層に含有させた電子写真感光体は、高感
度で良好な電子写真特性を示し、カブリや黒点のない優
れた画質特性を有するものとなる。また、本発明の変性
ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法は、
工程が簡単なため、複雑な設備を必要とせず、コストの
低減がはかられ、良好な特性を有する変性ハロゲン化ガ
リウムフタロシアニン結晶を安定して得ることができ
る。
シアニンは、結晶の一部がヒドロキシガリウムフタロシ
アニンに変化したものであるから、これを電荷発生材料
として電荷発生層に含有させた電子写真感光体は、高感
度で良好な電子写真特性を示し、カブリや黒点のない優
れた画質特性を有するものとなる。また、本発明の変性
ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法は、
工程が簡単なため、複雑な設備を必要とせず、コストの
低減がはかられ、良好な特性を有する変性ハロゲン化ガ
リウムフタロシアニン結晶を安定して得ることができ
る。
【図１】 合成例１で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折スペクトル図である。
アニン結晶の粉末Ｘ線回折スペクトル図である。
【図２】 合成例２で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折スペクトル図である。
アニン結晶の粉末Ｘ線回折スペクトル図である。
【図３】 合成例３で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折スペクトル図である。
アニン結晶の粉末Ｘ線回折スペクトル図である。
【図４】 合成例４で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折スペクトル図である。
アニン結晶の粉末Ｘ線回折スペクトル図である。
【図５】 合成例５で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末Ｘ線回折スペクトル図である。
アニン結晶の粉末Ｘ線回折スペクトル図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 徳好 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社内 (72)発明者 諏訪部 正明 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社内 (72)発明者 滝本 整 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 結晶の一部がヒドロキシガリウムフタロ
シアニンに変化したことを特徴とするハロゲン化ガリウ
ムフタロシアニン結晶。 - 【請求項２】 ハロゲン化ガリウムフタロシアニンの結
晶を水と接触させ、結晶の一部をヒドロキシガリウムフ
タロシアニンに変化させることを特徴とするハロゲン化
ガリウムフタロシアニン結晶の製造方法。 - 【請求項３】 導電性支持体上に少なくとも、電荷発生
層および電荷輸送層を順次積層してなる電子写真感光体
において、電荷発生層が、結晶の一部がヒドロキシガリ
ウムフタロシアニンに変化したハロゲン化ガリウムフタ
ロシアニン結晶を含むことを特徴とする電子写真感光
体。 - 【請求項４】 ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶
が、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±
０．２°）の少なくとも、１１．０°、１３．５°およ
び２７．１°に強い回折ピークを有することを特徴とす
る請求項３記載の電子写真感光体。 - 【請求項５】 ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶
が、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±
０．２°）の少なくとも、７．４°、１６．６°、２
５．５°および２８．３°に強い回折ピークを有するこ
とを特徴とする請求項３記載の電子写真感光体。 - 【請求項６】 ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶
が、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±
０．２°）の少なくとも、６．８°、１７．３°、２
３．６°および２６．９°に強い回折ピークを有するこ
とを特徴とする請求項３記載の電子写真感光体。 - 【請求項７】 ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶
が、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角度（２θ±
０．２°）の少なくとも、８．７〜９．２°、１７．６
°、２７．４°および２８．８°に強い回折ピークを有
することを特徴とする請求項３記載の電子写真感光体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5267775A JPH07102183A (ja) | 1993-10-01 | 1993-10-01 | ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶、その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体 |
| US08/315,858 US5510217A (en) | 1993-01-01 | 1994-09-30 | Gallium phthalocyanine halide crystals, method for preparing the same and electrophotographic photoreceptor using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5267775A JPH07102183A (ja) | 1993-10-01 | 1993-10-01 | ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶、その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07102183A true JPH07102183A (ja) | 1995-04-18 |
Family
ID=17449413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5267775A Pending JPH07102183A (ja) | 1993-01-01 | 1993-10-01 | ハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶、その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5510217A (ja) |
| JP (1) | JPH07102183A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08120190A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-05-14 | Fuji Xerox Co Ltd | クロロガリウムフタロシアニン結晶の製造方法 |
| US5725667A (en) * | 1996-03-01 | 1998-03-10 | Xerox Corporation | Dip coating apparatus having a single coating vessel |
| US5720815A (en) * | 1996-03-01 | 1998-02-24 | Xerox Corporation | Dip coating apparatus having solution displacement apparatus |
| US7335452B2 (en) * | 2004-11-18 | 2008-02-26 | Xerox Corporation | Substrate with plywood suppression |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3123185B2 (ja) * | 1991-04-22 | 2001-01-09 | 富士ゼロックス株式会社 | クロロガリウムフタロシアニンの新規な結晶、その新規な結晶よりなる光導電材料及びそれを用いた電子写真感光体 |
| US5358813A (en) * | 1902-01-13 | 1994-10-25 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Crystals of chlorogallium phthalocyanine and method of preparing them |
| US2770629A (en) * | 1952-01-08 | 1956-11-13 | American Cyanamid Co | Preparation of phthalocyanine pigments |
| US3160635A (en) * | 1960-08-09 | 1964-12-08 | Koege Kemisk Vaerk | Delta copper phthalocyanine pigment and its preparation |
| US3357989A (en) * | 1965-10-29 | 1967-12-12 | Xerox Corp | Metal free phthalocyanine in the new x-form |
| US3708292A (en) * | 1971-05-21 | 1973-01-02 | Xerox Corp | Pi-form metal phthalocyanine |
| JPS5638624B2 (ja) * | 1971-09-09 | 1981-09-08 | ||
| JPS5140382B2 (ja) * | 1972-05-02 | 1976-11-02 | ||
| US3824099A (en) * | 1973-01-15 | 1974-07-16 | Ibm | Sensitive electrophotographic plates |
| JPS57148745A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lamination type electrophotographic receptor |
| JPS5821416A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Daicel Chem Ind Ltd | 新規コ−テイング用樹脂の製造法 |
| JPH07117760B2 (ja) * | 1984-12-26 | 1995-12-18 | 株式会社リコー | 電子写真感光体 |
| JP2668985B2 (ja) * | 1988-09-26 | 1997-10-27 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体 |
| US5100752A (en) * | 1990-05-07 | 1992-03-31 | Xerox Corporation | Processes for the preparation of phthalocyanines for electrophotography |
-
1993
- 1993-10-01 JP JP5267775A patent/JPH07102183A/ja active Pending
-
1994
- 1994-09-30 US US08/315,858 patent/US5510217A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5510217A (en) | 1996-04-23 |
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