JP2502404B2 - オキシチタニウムフタロシアニン，その製造方法，それを用いた電子写真感光体，該電子写真感光体を有する装置ユニットおよび電子写真装置 - Google Patents
オキシチタニウムフタロシアニン，その製造方法，それを用いた電子写真感光体，該電子写真感光体を有する装置ユニットおよび電子写真装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規な結晶性を有するオキシチタニウムフ
タロシアニン、その製造方法、それを用いた電子写真感
光体、該電子写真感光体を有する装置ユニットおよび電
子写真装置に関する。
タロシアニン、その製造方法、それを用いた電子写真感
光体、該電子写真感光体を有する装置ユニットおよび電
子写真装置に関する。
従来、フタロシアニン系顔料は着色用途の他、電子写
真感光体、太陽電池、センサーなどに用いられる電子材
料として注目され、検討されている。
真感光体、太陽電池、センサーなどに用いられる電子材
料として注目され、検討されている。
また、近年、端末用プリンターとして従来のインパク
ト型のプリンターにかわり、電子写真技術を応用したノ
ンインパクト型のプリンターが広く普及してきている。
これらは主としてレーザー光を光源とするレーザービー
ムプリンターであり、その光源としては、コスト、装置
の大きさ等の点から半導体レーザーが用いられる。
ト型のプリンターにかわり、電子写真技術を応用したノ
ンインパクト型のプリンターが広く普及してきている。
これらは主としてレーザー光を光源とするレーザービー
ムプリンターであり、その光源としては、コスト、装置
の大きさ等の点から半導体レーザーが用いられる。
現在、主として用いられている半導体レーザーはその
発振波長が790±20nmと長波長のため、これらの長波長
の光に十分な感度を有する電子写真感光体の開発が進め
られてきた。
発振波長が790±20nmと長波長のため、これらの長波長
の光に十分な感度を有する電子写真感光体の開発が進め
られてきた。
電子写真感光体の感度は電荷発生材料の種類によって
変わるものであり、長波長光に対して感度を有する電荷
発生材料として、近年アルミクロロフタロシアニン、ク
ロロインジウムフタロシアニン、オキシバナジルフタロ
シアニン、クロロガリウムフタロシアニン、マグネシウ
ムフタロシアニン、オキシチタニウムフタロシアニンな
どの金属フタロシアニンあるいは無金属フタロシアニン
などについての研究が多くなされている。
変わるものであり、長波長光に対して感度を有する電荷
発生材料として、近年アルミクロロフタロシアニン、ク
ロロインジウムフタロシアニン、オキシバナジルフタロ
シアニン、クロロガリウムフタロシアニン、マグネシウ
ムフタロシアニン、オキシチタニウムフタロシアニンな
どの金属フタロシアニンあるいは無金属フタロシアニン
などについての研究が多くなされている。
このうち多くのフタロシアニン化合物では様々な結晶
形の存在が知られており、例えば無金属フタロシアニン
ではα型，β型，γ型，δ型，ε型,x型，τ型などがあ
り、銅フタロシアニンではα型，β型，γ型，δ型，ε
型,x型などが一般に知られている。
形の存在が知られており、例えば無金属フタロシアニン
ではα型，β型，γ型，δ型，ε型,x型，τ型などがあ
り、銅フタロシアニンではα型，β型，γ型，δ型，ε
型,x型などが一般に知られている。
また、これらの結晶形の違いが電子写真特性（感度、
耐久時の電位安定性等）及び塗料化した場合の塗料特性
にも大きな影響を与えることも一般に知られている。
耐久時の電位安定性等）及び塗料化した場合の塗料特性
にも大きな影響を与えることも一般に知られている。
特に長波長の光に対して高感度を有するオキシチタニ
ウムフタロシアニンに関しても無金属フタロシアニンや
銅フタロシアニンなどと同様に多くの結晶形が知られて
いる。例えば、特開昭59−49544号公報（USP4,444,86
1）、特開昭59−166959号公報、特開昭61−239248号公
報（USP4,728,592）、特開昭62−67094号公報（USP4,66
4,997）、特開昭63−366号公報、特開昭63−116158号公
報、特開昭63−198067号公報および特開昭64−17066号
公報に各々結晶形の異なるオキシチタニウムフタロシア
ニンが報告されている。
ウムフタロシアニンに関しても無金属フタロシアニンや
銅フタロシアニンなどと同様に多くの結晶形が知られて
いる。例えば、特開昭59−49544号公報（USP4,444,86
1）、特開昭59−166959号公報、特開昭61−239248号公
報（USP4,728,592）、特開昭62−67094号公報（USP4,66
4,997）、特開昭63−366号公報、特開昭63−116158号公
報、特開昭63−198067号公報および特開昭64−17066号
公報に各々結晶形の異なるオキシチタニウムフタロシア
ニンが報告されている。
本発明の目的は、新規な結晶形のオキシチタニウムフ
タロシアニンおよびその製造方法を提供することにあ
る。
タロシアニンおよびその製造方法を提供することにあ
る。
また、本発明の目的は、溶剤安定性に優れた結晶形の
オキシチタニウムフタロシアニンおよびその製造方法を
提供することにある。
オキシチタニウムフタロシアニンおよびその製造方法を
提供することにある。
また、本発明の目的は、長波長の光線に対して極めて
高い光感度を有する電子写真感光体を提供することにあ
る。
高い光感度を有する電子写真感光体を提供することにあ
る。
また、本発明の目的は、繰り返し耐久を行った場合
に、電位の安定性が極めて良く、良好な画像を保持する
電子写真感光体を提供することにある。
に、電位の安定性が極めて良く、良好な画像を保持する
電子写真感光体を提供することにある。
さらに、本発明の目的は、可視光線を長時間照射した
場合でも光に対するメモリーのない電子写真感光体を提
供することにある。
場合でも光に対するメモリーのない電子写真感光体を提
供することにある。
さらに、本発明の目的は、上述の電子写真感光体を有
する装置ユニットおよび電子写真装置を提供することに
ある。
する装置ユニットおよび電子写真装置を提供することに
ある。
本発明者らはオキシチタニウムフタロシアニンについ
て研究の結果、Ｘ線回折スペクトルが従来公知のいずれ
のものとも異なる新規な結晶形を見い出し、さらにこの
結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを用いた電子
写真感光体が優れた電子写真特性を示すことを見出し
た。
て研究の結果、Ｘ線回折スペクトルが従来公知のいずれ
のものとも異なる新規な結晶形を見い出し、さらにこの
結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを用いた電子
写真感光体が優れた電子写真特性を示すことを見出し
た。
すなわち、本発明は、CuKαのＸ線回折におけるブラ
ッグ角２θ±0.2゜の9.0゜、14.2゜、23.9゜および27.1
゜に強いピークを有するオキシチタニウムフタロシアニ
ンである。
ッグ角２θ±0.2゜の9.0゜、14.2゜、23.9゜および27.1
゜に強いピークを有するオキシチタニウムフタロシアニ
ンである。
また、本発明は、非晶質オキシチタニウムフタロシア
ニンをメタノール中で懸濁攪拌処理することによって得
られるオキシチタニウムフタロシアニンに、さらにエー
テル系溶剤、モノテルペン系炭化水素溶剤および流動パ
ラフィンからなる群より選ばれた溶剤でミリング処理を
行うことを特徴とするCuKαのＸ線回折におけるブラッ
グ角２θ±0.2゜の9.0゜、14.2゜、23.9゜および27.1゜
に強いピークを有するオキシチタニウムフタロシアニン
の製造方法である。
ニンをメタノール中で懸濁攪拌処理することによって得
られるオキシチタニウムフタロシアニンに、さらにエー
テル系溶剤、モノテルペン系炭化水素溶剤および流動パ
ラフィンからなる群より選ばれた溶剤でミリング処理を
行うことを特徴とするCuKαのＸ線回折におけるブラッ
グ角２θ±0.2゜の9.0゜、14.2゜、23.9゜および27.1゜
に強いピークを有するオキシチタニウムフタロシアニン
の製造方法である。
また、本発明は、導電性支持体上に感光層を有する電
子写真感光体において、感光層はCuKαのＸ線回折にお
けるブラッグ角２θ±0.2゜の9.0゜、14.2゜、23.9゜お
よび27.1゜に強いピークを有するオキシチタニウムフタ
ロシアニンを含有することを特徴とする電子写真感光体
である。
子写真感光体において、感光層はCuKαのＸ線回折にお
けるブラッグ角２θ±0.2゜の9.0゜、14.2゜、23.9゜お
よび27.1゜に強いピークを有するオキシチタニウムフタ
ロシアニンを含有することを特徴とする電子写真感光体
である。
また、本発明は、帯電手段、現像手段およびクリーニ
ング手段の少なくともひとつを、導電性支持体上に感光
層を有する電子写真感光体であって、感光層はCuKαの
Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±0.2゜の9.0゜、14.2
゜、23.9゜および27.1゜に強いピークを有するオキシチ
タニウムフタロシアニンを含有する電子写真感光体とと
もに一体に支持してユニットを形成し、装置本体に着脱
自在のユニットであることを特徴とする装置ユニットで
ある。
ング手段の少なくともひとつを、導電性支持体上に感光
層を有する電子写真感光体であって、感光層はCuKαの
Ｘ線回折におけるブラッグ角２θ±0.2゜の9.0゜、14.2
゜、23.9゜および27.1゜に強いピークを有するオキシチ
タニウムフタロシアニンを含有する電子写真感光体とと
もに一体に支持してユニットを形成し、装置本体に着脱
自在のユニットであることを特徴とする装置ユニットで
ある。
さらに、本発明は、電子写真感光体、静電潜像形成手
段、形成した静電潜像を現像する手段および現像した像
を転写材に転写する手段を有する電子写真装置におい
て、電子写真感光体が導電性支持体上に感光層を有する
電子写真感光体であって、感光層はCuKαのＸ線回折に
おけるブラッグ角２θ±0.2゜の9.0゜、14.2゜、23.9゜
および27.1゜に強いピークを有するオキシチタニウムフ
タロシアニンを含有する電子写真感光体であることを特
徴とする電子写真装置である。
段、形成した静電潜像を現像する手段および現像した像
を転写材に転写する手段を有する電子写真装置におい
て、電子写真感光体が導電性支持体上に感光層を有する
電子写真感光体であって、感光層はCuKαのＸ線回折に
おけるブラッグ角２θ±0.2゜の9.0゜、14.2゜、23.9゜
および27.1゜に強いピークを有するオキシチタニウムフ
タロシアニンを含有する電子写真感光体であることを特
徴とする電子写真装置である。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明におけるオキシチタニウムフタロシアニンのＸ
線回折パターンは、第１図，第２図および第３図に示す
ようにブラツグ角（２θ±0.2゜）の9.0゜,14.2゜,23.9
゜および27.1゜の位置に強いピークを示す。上記ピーク
はピーク強度の強い上位４点をとったものであり、主要
なピークとなっている。
線回折パターンは、第１図，第２図および第３図に示す
ようにブラツグ角（２θ±0.2゜）の9.0゜,14.2゜,23.9
゜および27.1゜の位置に強いピークを示す。上記ピーク
はピーク強度の強い上位４点をとったものであり、主要
なピークとなっている。
第１図，第２図および第３図のＸ線回折図において特
徴的なことは、上記４点のピークのうち、27.1゜のピー
クが１番強く、9.0゜のピークが２番目に強い。また、
上記４点より弱いピークが13.3゜および17.9゜の位置に
ある。また10.5゜〜13.0゜、14.8゜〜17.4゜および18.2
゜〜23.2゜の範囲には明瞭なピークは見られない。
徴的なことは、上記４点のピークのうち、27.1゜のピー
クが１番強く、9.0゜のピークが２番目に強い。また、
上記４点より弱いピークが13.3゜および17.9゜の位置に
ある。また10.5゜〜13.0゜、14.8゜〜17.4゜および18.2
゜〜23.2゜の範囲には明瞭なピークは見られない。
なお、本発明においてＸ線回折のピーク形状は、製造
時における条件の相違によってまた測定条件等によって
僅かではあるが異なり、例えば各ピークの先端部はスプ
リツトする場合もありうる。第１図の場合には、8.9゜
のピークの山は9.4゜付近に、また14.2゜のピークの山
は14.1゜付近に別のスプリツトしたピークが見られる。
時における条件の相違によってまた測定条件等によって
僅かではあるが異なり、例えば各ピークの先端部はスプ
リツトする場合もありうる。第１図の場合には、8.9゜
のピークの山は9.4゜付近に、また14.2゜のピークの山
は14.1゜付近に別のスプリツトしたピークが見られる。
ここでオキシチタニウムフタロシアニンの構造は で表わされる。
ただし、X1,X2,X3,X4はClまたはBrを表わしn,m,l,kは
０〜４の整数である。
０〜４の整数である。
本発明の結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンの
製造方法の例を挙げる。
製造方法の例を挙げる。
まず、四塩化チタンとオルトフタロジニトリルをα−
クロロナフタレン中で反応させ、ジクロロチタニウムフ
タロシアニンを得る。これをα−クロロナフタレン、ト
リクロロベンゼン、ジクロロベンゼン、Ｎ−メチルピロ
リドン、N,N−ジメチルホルムアミド等の溶剤で洗浄
し、次いでメタノール、エタノール等の溶剤で洗浄した
のち、熱水により加水分解してオキシチタニウムフタロ
シアニン結晶を得る。こうして得られた結晶は種々の結
晶形の混合物であることが多い。本発明では、この混合
物をアシツドペーシテイング法により処理して非晶質の
オキシチタニウムフタロシアニンに一旦変換しておく。
クロロナフタレン中で反応させ、ジクロロチタニウムフ
タロシアニンを得る。これをα−クロロナフタレン、ト
リクロロベンゼン、ジクロロベンゼン、Ｎ−メチルピロ
リドン、N,N−ジメチルホルムアミド等の溶剤で洗浄
し、次いでメタノール、エタノール等の溶剤で洗浄した
のち、熱水により加水分解してオキシチタニウムフタロ
シアニン結晶を得る。こうして得られた結晶は種々の結
晶形の混合物であることが多い。本発明では、この混合
物をアシツドペーシテイング法により処理して非晶質の
オキシチタニウムフタロシアニンに一旦変換しておく。
得られた非晶質オキシチタニウムフタロシアニンに室
温、加熱あるいは煮沸下で30分以上、好ましくは１時間
以上のメタノール処理を施したのち、限圧乾燥し、さら
にｎ−プロピルエーテル、ｎ−ブチルエーテル、iso−
ブチルエーテル、sec−ブチルエーテル、ｎ−アミルエ
ーテル、ｎ−ブチルメチルエーテル、ｎ−ブチルエチル
エーテル、エチレングリコール、ｎ−ブチルエーテル等
のエーテル系溶剤またはテルピノレン、ピネン等のモノ
テルペン系炭化水素溶剤や流動パラフインなどの溶剤を
分散媒として用いて５時間以上、好ましくは10時間以上
のミリング処理を行うことによって本発明の結晶形のオ
キシチタニウムフタロシアニンが得られる。
温、加熱あるいは煮沸下で30分以上、好ましくは１時間
以上のメタノール処理を施したのち、限圧乾燥し、さら
にｎ−プロピルエーテル、ｎ−ブチルエーテル、iso−
ブチルエーテル、sec−ブチルエーテル、ｎ−アミルエ
ーテル、ｎ−ブチルメチルエーテル、ｎ−ブチルエチル
エーテル、エチレングリコール、ｎ−ブチルエーテル等
のエーテル系溶剤またはテルピノレン、ピネン等のモノ
テルペン系炭化水素溶剤や流動パラフインなどの溶剤を
分散媒として用いて５時間以上、好ましくは10時間以上
のミリング処理を行うことによって本発明の結晶形のオ
キシチタニウムフタロシアニンが得られる。
なお、ここでメタノール処理とは、例えばメタノール
中におけるオキシチタニウムフタロシアニンの懸濁攪拌
処理をいう。また、ミリング処理とは、例えばガラスビ
ーズ、スチールビーズ、アルミナボール等の分散メデイ
アとともにサンドミル、ボールミル等のミリング装置を
用いて行う処理をいう。
中におけるオキシチタニウムフタロシアニンの懸濁攪拌
処理をいう。また、ミリング処理とは、例えばガラスビ
ーズ、スチールビーズ、アルミナボール等の分散メデイ
アとともにサンドミル、ボールミル等のミリング装置を
用いて行う処理をいう。
このようにして得られる前記オキシチタニウムフタロ
シアニン結晶は、例えば光導電体としての機能に優れ、
電子写真感光体，太陽電池，センサ，スイツチング素子
等の電子材料などに適用することができる。
シアニン結晶は、例えば光導電体としての機能に優れ、
電子写真感光体，太陽電池，センサ，スイツチング素子
等の電子材料などに適用することができる。
以下、本発明のオキシチタニウムフタロシアニン結晶
を電子写真感光体における電荷発生材料として適用する
場合の例を説明する。
を電子写真感光体における電荷発生材料として適用する
場合の例を説明する。
まず、電子写真感光体の代表的な層構成を第４図およ
び第５図に示す。
び第５図に示す。
第４図は感光層１が単一層からなり、感光層１が電荷
発生材料２と電荷輸送材料（不図示）を同時に含有して
いる例を示す。
発生材料２と電荷輸送材料（不図示）を同時に含有して
いる例を示す。
なお、３は導電性支持体である。
第５図は感光層１が電荷発生材料２を含有する電荷発
生層４と、電荷輸送材料（不図示）を含有する電荷輸送
層５の積層構造である例を示す。
生層４と、電荷輸送材料（不図示）を含有する電荷輸送
層５の積層構造である例を示す。
なお、第５図の電荷発生層４と電荷輸送層５の積層関
係は逆であっても良い。
係は逆であっても良い。
電子写真感光体を製造する場合、導電性支持体３とし
ては導電性を有するものであれば良く、アルミニウム、
ステンレスなどの金属、あるいは導電層を設けた金属、
プラスチツク、紙などがあげられ、形状としては円筒状
又はフイルム状等があげられる。
ては導電性を有するものであれば良く、アルミニウム、
ステンレスなどの金属、あるいは導電層を設けた金属、
プラスチツク、紙などがあげられ、形状としては円筒状
又はフイルム状等があげられる。
また、導電性支持体３と感光層１の間にはバリヤー機
能と接着機能を持つ下引層を設けることもできる。
能と接着機能を持つ下引層を設けることもできる。
下引層の材料としては、ポリビニルアルコール、ポリ
エチレンオキシド、エチルセルロース、メチルセルロー
ス、カゼイン、ポリアミド、ニカワ、ゼラチンなどが用
いられる。
エチレンオキシド、エチルセルロース、メチルセルロー
ス、カゼイン、ポリアミド、ニカワ、ゼラチンなどが用
いられる。
これらは適当な溶剤に溶解して導電性支持体上に塗布
される。その膜厚は0.2〜3.0μｍである。
される。その膜厚は0.2〜3.0μｍである。
第４図に示すような単一層からなる感光層を形成する
場合、本発明のオキシチタニウムフタロシアニン結晶の
電荷発生材料と電荷輸送材料を適当なバインダー樹脂溶
液中に混合し塗布乾燥することにより得られる。
場合、本発明のオキシチタニウムフタロシアニン結晶の
電荷発生材料と電荷輸送材料を適当なバインダー樹脂溶
液中に混合し塗布乾燥することにより得られる。
第５図に示すような積層構造から成る感光層の電荷発
生層の形成方法としては本発明のオキシチタニウムフタ
ロシアニン電荷発生材料を適当なバインダー樹脂溶液と
ともに分散し塗布・乾燥する方法が挙げられる。
生層の形成方法としては本発明のオキシチタニウムフタ
ロシアニン電荷発生材料を適当なバインダー樹脂溶液と
ともに分散し塗布・乾燥する方法が挙げられる。
ここで用いられるバインダー樹脂としては、例えば、
ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルカルバゾ
ール樹脂、フエノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポ
リビニルブチラール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニ
ルアセテート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリアリレート
樹脂、塩化ビニリデン・アクリロニトリル共重合体樹脂
などが主として用いられる。
ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルカルバゾ
ール樹脂、フエノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポ
リビニルブチラール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニ
ルアセテート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリアリレート
樹脂、塩化ビニリデン・アクリロニトリル共重合体樹脂
などが主として用いられる。
電荷輸送層は主として電荷輸送材料とバインダー樹脂
とを溶剤中に溶解させた塗料を塗工乾燥して形成する。
とを溶剤中に溶解させた塗料を塗工乾燥して形成する。
用いられる電荷輸送材料としては各種のトリアリール
アミン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチルベン系化
合物、ピラゾリン系化合物、オキサゾール系化合物、チ
アゾール系化合物、トリアリンメタン系化合物などが挙
げられる。
アミン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチルベン系化
合物、ピラゾリン系化合物、オキサゾール系化合物、チ
アゾール系化合物、トリアリンメタン系化合物などが挙
げられる。
また、バインダー樹脂としては上述したものを用いる
ことができる。
ことができる。
これらの感光層の塗布方法としては、デイツピング
法、スプレーコーテイング法、スピンナーコーテイング
法、ビードコーテイング法、ブレードコーテイング法、
ビームコーテイング法などを用いることができる。
法、スプレーコーテイング法、スピンナーコーテイング
法、ビードコーテイング法、ブレードコーテイング法、
ビームコーテイング法などを用いることができる。
感光層が単一層の場合、膜厚は５〜40μｍ、好ましく
は10〜30μｍが適当である。
は10〜30μｍが適当である。
また感光層が積層構造の場合、電荷発生層の膜厚は0.
01〜10μｍ、好ましくは0.05〜５μｍの範囲であり、電
荷輸送量の膜厚は５〜40μｍ、好ましくは10〜30μｍの
範囲である。
01〜10μｍ、好ましくは0.05〜５μｍの範囲であり、電
荷輸送量の膜厚は５〜40μｍ、好ましくは10〜30μｍの
範囲である。
更にこれらの感光層を外部の衝撃から保護するために
感光層の表面に薄い保護層を設けても良い。
感光層の表面に薄い保護層を設けても良い。
なお本発明のオキシチタニウムフタロシアニン結晶を
電荷発生材料として用いる場合、その目的に応じて他の
電荷発生材料と混合して用いることも可能である。
電荷発生材料として用いる場合、その目的に応じて他の
電荷発生材料と混合して用いることも可能である。
本発明の電子写真感光体は、レーザービームプリンタ
ー、LEDプリンター、CRTプリンターなどのプリンターの
みならず、通常の電子写真複写機やその他電子写真応用
分野に広く適用することができる。
ー、LEDプリンター、CRTプリンターなどのプリンターの
みならず、通常の電子写真複写機やその他電子写真応用
分野に広く適用することができる。
第20図に本発明の電子写真感光体を用いた一般的な転
写式電子写真装置の概略構成例を示す。
写式電子写真装置の概略構成例を示す。
図において、１は像担持体としてのドラム型感光体で
あり、軸1aを中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動
される。該感光体１はその回転過程で帯電手段２により
その周面に正または負の所定電位の均一帯電を受け、次
いで露光部３にて不図示の像露光手段により光像露光Ｌ
（スリツト露光・レーザービーム走査露光など）を受け
る。これにより感光体周面に露光像に対応した静電潜像
が順次形成されていく。
あり、軸1aを中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動
される。該感光体１はその回転過程で帯電手段２により
その周面に正または負の所定電位の均一帯電を受け、次
いで露光部３にて不図示の像露光手段により光像露光Ｌ
（スリツト露光・レーザービーム走査露光など）を受け
る。これにより感光体周面に露光像に対応した静電潜像
が順次形成されていく。
その静電潜像はついで現像手段４でトナー現像され、
そのトナー現像像が転写手段５により不図示の給紙部か
ら感光体１と転写手段５との間に感光体１の回転と同期
取りされて給送された転写材Ｐ転写されていく。
そのトナー現像像が転写手段５により不図示の給紙部か
ら感光体１と転写手段５との間に感光体１の回転と同期
取りされて給送された転写材Ｐ転写されていく。
像転写を受けた転写材Ｐは感光体面から分離されて像
定着手段８へ導入されて像定着を受けて複写物（コピ
ー）として機外へプリントアウトされる。
定着手段８へ導入されて像定着を受けて複写物（コピ
ー）として機外へプリントアウトされる。
像転写後の感光体１の表面はクリーニング手段６にて
転写残りトナーの除去を受けて清浄面化され、更に前露
光手段７により除電処理されて繰り返して像形成に使用
される。
転写残りトナーの除去を受けて清浄面化され、更に前露
光手段７により除電処理されて繰り返して像形成に使用
される。
感光体１の均一帯電手段２としてはコロナ帯電装置が
一般に広く使用されている。また転写手段５もコロナ転
写手段が一般に広く使用されている。電子写真装置とし
て、上述の感光体や現像手段、クリーニング手段などの
構成要素のうち、複数のものを装置ユニツトとして一体
に結合して構成し、このユニツトを装置本体に対して着
脱自在に構成しても良い。例えば、帯電手段、現像手段
およびクリーニング手段の少なくとも１つを感光体とと
もに一体に支持してユニツトを形成し、装置本体に着脱
自在の単一ユニツトとし、装置本体のレールなどの案内
手段を用いて着脱自在の構成にしても良い。このとき、
上記の装置ユニツトのほうに帯電手段および／または現
像手段を伴って構成しても良い。
一般に広く使用されている。また転写手段５もコロナ転
写手段が一般に広く使用されている。電子写真装置とし
て、上述の感光体や現像手段、クリーニング手段などの
構成要素のうち、複数のものを装置ユニツトとして一体
に結合して構成し、このユニツトを装置本体に対して着
脱自在に構成しても良い。例えば、帯電手段、現像手段
およびクリーニング手段の少なくとも１つを感光体とと
もに一体に支持してユニツトを形成し、装置本体に着脱
自在の単一ユニツトとし、装置本体のレールなどの案内
手段を用いて着脱自在の構成にしても良い。このとき、
上記の装置ユニツトのほうに帯電手段および／または現
像手段を伴って構成しても良い。
光像露光Ｌは、電子写真装置を複写機やプリンターと
して使用する場合には、原稿からの反射光や透過光、あ
るいは原稿を読取り信号化し、この信号によりレーザー
ビームの走査、LEDアレイの駆動、または液晶シヤツタ
ーアレイの駆動などにより行われる。
して使用する場合には、原稿からの反射光や透過光、あ
るいは原稿を読取り信号化し、この信号によりレーザー
ビームの走査、LEDアレイの駆動、または液晶シヤツタ
ーアレイの駆動などにより行われる。
フアクシミリのプリンターとして使用する場合には、
光像露光Ｌは受信データをプリントするための露光にな
る。第21図はこの場合の一例をブロツク図で示したもの
である。
光像露光Ｌは受信データをプリントするための露光にな
る。第21図はこの場合の一例をブロツク図で示したもの
である。
コントローラ11は画像読取部10とプリンター19を制御
する。コントローラ11の全体はCPU17により制御されて
いる。画像読取部からの読取りデータは、送信回路13を
通して相手局に送信される。相手局から受けたデータは
受信回路12を通してプリンター19に送られる。画像メモ
リには所定の画像データが記憶される。プリンタコント
ローラ18はプリンター19を制御している。14は電話であ
る。
する。コントローラ11の全体はCPU17により制御されて
いる。画像読取部からの読取りデータは、送信回路13を
通して相手局に送信される。相手局から受けたデータは
受信回路12を通してプリンター19に送られる。画像メモ
リには所定の画像データが記憶される。プリンタコント
ローラ18はプリンター19を制御している。14は電話であ
る。
回線15から受信された画像（回線を介して接続された
リモート端末からの画像情報）は、受信回路12で復調さ
れた後、CPU17は画像情報の復号処理を行い、順次画像
メモリ16に格納される。そして、少なくとも１ページの
画像がメモリ16に格納されると、そのページの画像記録
を行う。CPU17は、メモリ16より１ページの画像情報を
読み出しプリンターコントローラ18に復号化された１ペ
ージの画像情報を送出する。プリンタコントローラ18
は、CPU17からの１ページの画像情報を受取るとそのペ
ージの画像情報記録を行うべく、プリンタ19を制御す
る。
リモート端末からの画像情報）は、受信回路12で復調さ
れた後、CPU17は画像情報の復号処理を行い、順次画像
メモリ16に格納される。そして、少なくとも１ページの
画像がメモリ16に格納されると、そのページの画像記録
を行う。CPU17は、メモリ16より１ページの画像情報を
読み出しプリンターコントローラ18に復号化された１ペ
ージの画像情報を送出する。プリンタコントローラ18
は、CPU17からの１ページの画像情報を受取るとそのペ
ージの画像情報記録を行うべく、プリンタ19を制御す
る。
尚、CPU17は、プリンタ19による記録中に、次のペー
ジの受信を行っている。
ジの受信を行っている。
以上の様に、画像の受信と記録が行われる。
次に本発明のオキシチタニウムフタロシアニン結晶の
製造例を示す。
製造例を示す。
〔製造例１〕 α−クロルナフタレン100g中、ｏ−フタロジニトリル
5.0g、四塩化チタン2.0gを200℃にて３時間加熱攪拌し
たのち、50℃まで冷却して析出した結晶を濾別、ジクロ
ロチタニウムフタロシアニンのペーストを得た。次にこ
れを100℃に加熱したN,N′−ジメチルホルムアミド100m
lで攪拌下洗浄、次いで60℃のメタノール100mlで２回洗
浄を繰り返し、濾別した。更に、この得られたペースト
を脱イオン水100ml中80℃で１時間攪拌、濾別して青色
のオキシチタニウムフタロシアニン結晶を得た。収量4.
3g。
5.0g、四塩化チタン2.0gを200℃にて３時間加熱攪拌し
たのち、50℃まで冷却して析出した結晶を濾別、ジクロ
ロチタニウムフタロシアニンのペーストを得た。次にこ
れを100℃に加熱したN,N′−ジメチルホルムアミド100m
lで攪拌下洗浄、次いで60℃のメタノール100mlで２回洗
浄を繰り返し、濾別した。更に、この得られたペースト
を脱イオン水100ml中80℃で１時間攪拌、濾別して青色
のオキシチタニウムフタロシアニン結晶を得た。収量4.
3g。
この化合物の元素分析値は以下の通りであった。
元素分析値（C32H16N8OTi） Ｃ Ｈ Ｎ Cl 計算値（％） 66.68 2.80 19.44 0.00 実測値（％） 66.50 2.99 19.42 0.47 次にこの結晶を濃硫酸150gに溶解させ、20℃の脱イオ
ン水1500ml中に攪拌下で滴下して再析出させて濾過し十
分に水洗した後、非晶質のオキシチタニウムフタロシア
ニンを得た。この非晶質オキシチタニウムフタロシアニ
ンのＸ線回折図を第６図に示す。このようにして得られ
た非晶質のオキシチタニウムフタロシアニン4.0gをメタ
ノール100ml中室温（22℃）下、８時間懸濁攪拌処理
し、濾別、減圧乾燥して低結晶性のオキシチタニウムフ
タロシアニンを得た。このＸ線回折図を第７図に示す。
次に、このオキシチタニウムフタロシアニン2.0gにｎ−
ブチルエーテル40mlを加え、1mmφのガラスビーズと共
にミリング処理を室温（22℃）下20時間行った。
ン水1500ml中に攪拌下で滴下して再析出させて濾過し十
分に水洗した後、非晶質のオキシチタニウムフタロシア
ニンを得た。この非晶質オキシチタニウムフタロシアニ
ンのＸ線回折図を第６図に示す。このようにして得られ
た非晶質のオキシチタニウムフタロシアニン4.0gをメタ
ノール100ml中室温（22℃）下、８時間懸濁攪拌処理
し、濾別、減圧乾燥して低結晶性のオキシチタニウムフ
タロシアニンを得た。このＸ線回折図を第７図に示す。
次に、このオキシチタニウムフタロシアニン2.0gにｎ−
ブチルエーテル40mlを加え、1mmφのガラスビーズと共
にミリング処理を室温（22℃）下20時間行った。
この分散液より固形分を取り出し、メタノール、次い
で水で十分に洗浄、乾燥して本発明の新規な結晶のオキ
シチタニウムフタロシアニンを得た。収量1.8g。このオ
キシチタニウムフタロシアニンのＸ線回折図を第１図に
示す。また、この結晶のKBrペレツトを作成し、赤外吸
収スペクトルを測定した結果を第８図に示す。また、こ
の結晶をｎ−ブチルエーテル中に分散した分散液で測定
したUV吸収スペクトルの結晶を第９図に示す。
で水で十分に洗浄、乾燥して本発明の新規な結晶のオキ
シチタニウムフタロシアニンを得た。収量1.8g。このオ
キシチタニウムフタロシアニンのＸ線回折図を第１図に
示す。また、この結晶のKBrペレツトを作成し、赤外吸
収スペクトルを測定した結果を第８図に示す。また、こ
の結晶をｎ−ブチルエーテル中に分散した分散液で測定
したUV吸収スペクトルの結晶を第９図に示す。
〔製造例２〕 製造例１と同様の方法で得られたメタノール処理した
オキシチタニウムフタロシアニン2.0gにピネン50mlを加
え、1mmφのガラスビーズと共にミリング処理を室温（2
2℃）下、20時間行った。この分散液より固形分を取り
出し、メタノール、次いで水で十分に洗浄、乾燥して本
発明の新規なオキシチタニウムフタロシアニンを得た。
収量1.8g。このオキシチタニウムフタロシアニンのＸ線
回折図を第３図に示す。
オキシチタニウムフタロシアニン2.0gにピネン50mlを加
え、1mmφのガラスビーズと共にミリング処理を室温（2
2℃）下、20時間行った。この分散液より固形分を取り
出し、メタノール、次いで水で十分に洗浄、乾燥して本
発明の新規なオキシチタニウムフタロシアニンを得た。
収量1.8g。このオキシチタニウムフタロシアニンのＸ線
回折図を第３図に示す。
〔製造例３〕 製造例１と同様の方法で得られた非晶質のオキシチタ
ニウムフタロシアニン4.0gにメタノール100mlを加え、
懸濁攪拌下、30時間煮沸処理した後、濾過、減圧乾燥
し、オキシチタニウムフタロシアニン結晶を得た。収量
3.6g。このオキシチタニウムフタロシアニンのＸ線回折
図を第10図に示す。次に、このオキシチタニウムフタロ
シアニン2.0gにエチレングリコールｎ−ブチルエーテル
60mlを加え、1mmφのガラスビーズと共にミリング処理
を室温（22℃）下15時間行った。この分散液より固形分
を取り出し、メタノール、次いで水で十分に洗浄、乾燥
して本発明の新規なオキシチタニウムフタロシアニンを
得た。収量1.8g。このオキシチタニウムフタロシアニン
のＸ線回折図を第３図に示す。
ニウムフタロシアニン4.0gにメタノール100mlを加え、
懸濁攪拌下、30時間煮沸処理した後、濾過、減圧乾燥
し、オキシチタニウムフタロシアニン結晶を得た。収量
3.6g。このオキシチタニウムフタロシアニンのＸ線回折
図を第10図に示す。次に、このオキシチタニウムフタロ
シアニン2.0gにエチレングリコールｎ−ブチルエーテル
60mlを加え、1mmφのガラスビーズと共にミリング処理
を室温（22℃）下15時間行った。この分散液より固形分
を取り出し、メタノール、次いで水で十分に洗浄、乾燥
して本発明の新規なオキシチタニウムフタロシアニンを
得た。収量1.8g。このオキシチタニウムフタロシアニン
のＸ線回折図を第３図に示す。
〔比較製造例１〕 特開昭61−239248号公報（USP4,728,592）に開示され
ている製造例に従って、いわゆるα型とよばれている結
晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを得た。
ている製造例に従って、いわゆるα型とよばれている結
晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを得た。
このＸ線回折図を第11図に示す。
〔比較製造例２〕 特開昭62−67094号公報（USP4,664,997）に開示され
ている製造例に従って、いわゆるＡ型とよばれている結
晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを得た。
ている製造例に従って、いわゆるＡ型とよばれている結
晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを得た。
このＸ線回折図を第12図に示す。
〔比較製造例３〕 特開昭64−17066号公報に開示されている製造例に従
って、特開昭64−17066号公報と同じ結晶形を持つオキ
シチタニウムフタロシアニンを得た。
って、特開昭64−17066号公報と同じ結晶形を持つオキ
シチタニウムフタロシアニンを得た。
このＸ線回折図を第13図に示す。
なお、本発明におけるＸ線回折図の測定はCuKα線を
用いて次の条件により行った。
用いて次の条件により行った。
使用測定機：理学電器製Ｘ線回折装置 RAD−Ａシステム Ｘ線管球:Cu 管電圧:50kV 管電流:40mA スキヤン方法:2θ／θスキヤン スキヤン速度:2deg./min サンプリング間隔:0.020deg. スタート角度（２θ）:3deg. ストツプ角度（２θ）:40deg. ダイバージエンススリツト:0.5deg. スキヤツタリングスリツト:0.5deg. レシービングスリツト:0.3mm 湾曲モノクロメーター使用 以下、本発明の結晶形のオキシチタニウムフタロシア
ニンを電子写真感光体に適用した場合の実施例を示す。
なお、部は重量部を示す。
ニンを電子写真感光体に適用した場合の実施例を示す。
なお、部は重量部を示す。
〔実施例１〕 10％の酸化アンチモンを含有する酸化スズで被覆した
酸化チタン粉体50部、レゾール型フエノール樹脂25部、
メチルセロソルブ20部、メタノール５部およびシリコー
ンオイル（ポリジメチルシロキサンポリオキシアルキレ
ン共重合体、平均分子量3000）0.002部をφ1mmガラスビ
ーズを用いたサンドミル装置で２時間分散して導電層用
塗料を調製した。
酸化チタン粉体50部、レゾール型フエノール樹脂25部、
メチルセロソルブ20部、メタノール５部およびシリコー
ンオイル（ポリジメチルシロキサンポリオキシアルキレ
ン共重合体、平均分子量3000）0.002部をφ1mmガラスビ
ーズを用いたサンドミル装置で２時間分散して導電層用
塗料を調製した。
アルミニウムシリンダー（φ30mm×260mm）上に、上
記塗料を浸漬塗布し、140℃で30分間乾燥させ、膜厚20
μｍの導電層を形成した。
記塗料を浸漬塗布し、140℃で30分間乾燥させ、膜厚20
μｍの導電層を形成した。
この上に６−66−610−12四元系ポリアミド共重合体
樹脂５部をメタノール70部とブタノール25部の混合溶媒
に溶解した溶液をデイツピング法で塗布乾燥して１μｍ
厚の下引き層を設けた。
樹脂５部をメタノール70部とブタノール25部の混合溶媒
に溶解した溶液をデイツピング法で塗布乾燥して１μｍ
厚の下引き層を設けた。
次に、本発明の製造例１で得られた結晶形のオキシチ
タニウムフタロシアニン４部とポリビニルブチラール樹
脂２部をシクロヘキサノン100部に添加し1mmφのガラス
ビーズを用いたサンドミルで１時間分散し、これに100
部のメチルエチルケトンを加えて希釈し、これを下引き
層上に塗布した後、80℃で10分間乾燥して、膜厚0.15μ
ｍの電荷発生層を形成した。
タニウムフタロシアニン４部とポリビニルブチラール樹
脂２部をシクロヘキサノン100部に添加し1mmφのガラス
ビーズを用いたサンドミルで１時間分散し、これに100
部のメチルエチルケトンを加えて希釈し、これを下引き
層上に塗布した後、80℃で10分間乾燥して、膜厚0.15μ
ｍの電荷発生層を形成した。
次に下記構造式 で示される電荷輸送材料10部とビスフエノールＺ型ポリ
カーボネート樹脂10部をモノクロルベンゼン60部に溶解
した溶液を作成し、電荷発生層上にデイツピング法によ
り塗布した。これを110℃の温度で１時間乾燥して20μ
ｍ厚の電荷輸送層を形成し電子写真感光体を製造した。
カーボネート樹脂10部をモノクロルベンゼン60部に溶解
した溶液を作成し、電荷発生層上にデイツピング法によ
り塗布した。これを110℃の温度で１時間乾燥して20μ
ｍ厚の電荷輸送層を形成し電子写真感光体を製造した。
〔比較例１〕 比較製造例１で得られたα型のオキシチタニウムフタ
ロシアニンを用いた他は実施例１と同様にして電子写真
感光体を製造した。
ロシアニンを用いた他は実施例１と同様にして電子写真
感光体を製造した。
〔比較例２〕 比較製造例２で得られたＡ型のオキシチタニウムフタ
ロシアニンを用いた他は実施例１と同様にして電子写真
感光体を製造した。
ロシアニンを用いた他は実施例１と同様にして電子写真
感光体を製造した。
〔比較例３〕 比較製造例３で得られた特開昭64−17066号公報と同
じ結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを用いた他
は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造した。
じ結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンを用いた他
は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造した。
これらの実施例１及び比較例1,2,3の電子写真感光体
をレーザービームプリンター（商品名:LBP−SX:キヤノ
ン製）に設置し、暗部電位が−700（Ｖ）になるように
帯電設定し、これに波長802nmのレーザー光を照射して
−700（Ｖ）の電位を−150（Ｖ）まで下げるのに必要な
光量を測定し感度とした。
をレーザービームプリンター（商品名:LBP−SX:キヤノ
ン製）に設置し、暗部電位が−700（Ｖ）になるように
帯電設定し、これに波長802nmのレーザー光を照射して
−700（Ｖ）の電位を−150（Ｖ）まで下げるのに必要な
光量を測定し感度とした。
その結果を第１表に示す。
また、製造例２および製造例３で得られた結晶形のオ
キシチタニウムフタロシアニンをそれぞれ用いて実施例
１と同様にして電子写真感光体を製造し、感度測定を行
ったところ、実施例１と同様に高感度特性が得られた。
キシチタニウムフタロシアニンをそれぞれ用いて実施例
１と同様にして電子写真感光体を製造し、感度測定を行
ったところ、実施例１と同様に高感度特性が得られた。
次にこれら４種類の感光体を、暗部電位−700
（Ｖ）、明部電位−150（Ｖ）に設定した状態で連続400
0枚の通紙耐久試験を行って耐久後の暗部、明部の電位
の測定及び画像の評価を行った。
（Ｖ）、明部電位−150（Ｖ）に設定した状態で連続400
0枚の通紙耐久試験を行って耐久後の暗部、明部の電位
の測定及び画像の評価を行った。
通紙耐久による暗部電位変動の状態を第14図に、暗部
電位と明部電位とのコントラスト電位の変動の状態を第
15図に示す。
電位と明部電位とのコントラスト電位の変動の状態を第
15図に示す。
第14図および第15図の結果から明らかなように、実施
例１においては耐久後においても初期と同等の良好な画
像が得られたが、比較例1,2,3においては白地部分にお
いて地カブリを起こしており、とくに比較例３において
は著しかった。
例１においては耐久後においても初期と同等の良好な画
像が得られたが、比較例1,2,3においては白地部分にお
いて地カブリを起こしており、とくに比較例３において
は著しかった。
また比較例1,2,3については地カブリを除くために濃
度調節レバーにより調節したところ黒地部分の濃度が不
十分となった。
度調節レバーにより調節したところ黒地部分の濃度が不
十分となった。
次に実施例１及び比較例1,2,3と同じ感光体を各１本
用意し、それぞれの感光体の一部分に1500ルツクスの白
色光を30分間照射した後、前記レーザービームプリンタ
ーに設置し、白色光を照射しない部分の暗部電位を−70
0（Ｖ）に設定した場合の照射部分との差を測定した。
結果を第２表に示す。
用意し、それぞれの感光体の一部分に1500ルツクスの白
色光を30分間照射した後、前記レーザービームプリンタ
ーに設置し、白色光を照射しない部分の暗部電位を−70
0（Ｖ）に設定した場合の照射部分との差を測定した。
結果を第２表に示す。
また、製造例２および製造例３で得られた結晶形のオ
キシチタニウムフタロシアニンをそれぞれ用いて実施例
１と同様にして製造した電子写真感光体についてもこの
測定を行ったところ、実施例１の感光体と同様に良好な
光メモリー特性が得られた。
キシチタニウムフタロシアニンをそれぞれ用いて実施例
１と同様にして製造した電子写真感光体についてもこの
測定を行ったところ、実施例１の感光体と同様に良好な
光メモリー特性が得られた。
なお、第16図に実施例１の電子写真感光体において分
光感度の最大値を100とした場合の分光感度の分布を示
す。
光感度の最大値を100とした場合の分光感度の分布を示
す。
このように、本発明の結晶形のオキシチタニウムフタ
ロシアニンを用いた電子写真感光体は770〜810nm付近の
長波長領域において安定した高感度特性を発現するもの
である。
ロシアニンを用いた電子写真感光体は770〜810nm付近の
長波長領域において安定した高感度特性を発現するもの
である。
また、実施例１における本発明の結晶形のオキシチタ
ニウムフタロシアニンを分散含有した電荷発生層塗工液
から１カ月後にオキシチタニウムフタロシアニンの結晶
を回収してＸ線回折測定を行ったところ回折パターンに
変化は認められず、結晶形がそのまま維持されているこ
とを確認した。したがって、本発明の結晶形のオキシチ
タニウムフタロシアニンは液安定性に優れていることが
判明した。
ニウムフタロシアニンを分散含有した電荷発生層塗工液
から１カ月後にオキシチタニウムフタロシアニンの結晶
を回収してＸ線回折測定を行ったところ回折パターンに
変化は認められず、結晶形がそのまま維持されているこ
とを確認した。したがって、本発明の結晶形のオキシチ
タニウムフタロシアニンは液安定性に優れていることが
判明した。
更に、電子写真感光体の一部をメチルエチルケトンを
満たしたビーカーの中にゆっくりと浸し、そのまま１分
間放置した。次に感光体をゆっくりと引き上げ、洗ビン
によりメチルエチルケトンを吹き掛けて丁寧に表面を洗
浄し、１時間乾燥することにより、電荷輸送層を取り除
き、電荷発生層が一部表面に露出した電子写真感光体を
得た。この感光体の電荷発生層部分をアルミニウムシリ
ンダーごと切り取って電荷発生層のＸ線回折測定を下記
の条件で行った。
満たしたビーカーの中にゆっくりと浸し、そのまま１分
間放置した。次に感光体をゆっくりと引き上げ、洗ビン
によりメチルエチルケトンを吹き掛けて丁寧に表面を洗
浄し、１時間乾燥することにより、電荷輸送層を取り除
き、電荷発生層が一部表面に露出した電子写真感光体を
得た。この感光体の電荷発生層部分をアルミニウムシリ
ンダーごと切り取って電荷発生層のＸ線回折測定を下記
の条件で行った。
使用測定機：マツク・サイエンス社製 全自動Ｘ線回折装置MXP18 Ｘ線管球:Cu 管電圧:40kV 管電流:300mA Ｘ線入射角（θ）:1deg. スキヤンスピード:4deg./min. スキヤン方法:2θスキヤン サンプリング間隔:0.020deg. スタート角度（２θ）:5deg. ストツプ角度（２θ）:35deg. ダイバージエンス・スリツト:0.28mm スキヤツタリング・スリツト:3.2mm レシービング・スリツト:3.2mm 平板モノクロメーター使用 この様にして得られた電荷発生層のＸ線回折図を第17
図に示す。
図に示す。
アルミニウムシリンダーのみについても同様にＸ線回
折測定を行い（第18図）、第17図の結果から差し引いて
得られた結果に対し、バツクグラウンド除去を行い、更
にスムージング処理を行った結果を第19図に示す。この
図からも本発明のオキシチタニウムフタロシアニンの結
晶形の特徴であるブラツグ角２θ±0.2が9.0゜,14.2゜,
23.9゜および27.1゜の強いピークが確認できる。
折測定を行い（第18図）、第17図の結果から差し引いて
得られた結果に対し、バツクグラウンド除去を行い、更
にスムージング処理を行った結果を第19図に示す。この
図からも本発明のオキシチタニウムフタロシアニンの結
晶形の特徴であるブラツグ角２θ±0.2が9.0゜,14.2゜,
23.9゜および27.1゜の強いピークが確認できる。
〔実施例２〕 実施例１において、電荷発生層のバインダー樹脂とし
てビスフエノールＺ型ポリカーボネート樹脂を用いたほ
かは実施例１と同様にして電子写真感光体を製造した。
てビスフエノールＺ型ポリカーボネート樹脂を用いたほ
かは実施例１と同様にして電子写真感光体を製造した。
〔実施例３〕 電荷輸送材料として下記構造式 で示される化合物を用いた他は実施例１と同様にして電
子写真感光体を製造した。
子写真感光体を製造した。
〔実施例４〕 電荷輸送材料として下記構造式 で示される化合物を用いた他は実施例１と同様にして電
子写真感光体を製造した。
子写真感光体を製造した。
実施例2,3,4について実施例１と同様にレーザービー
ムプリンターで表面電位を−700（Ｖ）から−150（Ｖ）
に変化させるのに要する光量を測定し感度とした。その
結果を第３表に示す。
ムプリンターで表面電位を−700（Ｖ）から−150（Ｖ）
に変化させるのに要する光量を測定し感度とした。その
結果を第３表に示す。
〔実施例５〕 厚さ50μｍのアルミニウムシート基体上に実施例１と
同様の下引層をバーコートにより形成し、さらにこの上
に実施例１と同様の電荷輸送層を20μｍ厚に形成した。
同様の下引層をバーコートにより形成し、さらにこの上
に実施例１と同様の電荷輸送層を20μｍ厚に形成した。
次にビスフエノールＺ型ポリカーボネート５部をシク
ロヘキサノン68部に溶解し、この溶液に製造例１で得ら
れたＸ線回折パターンを示すオキシチタニウムフタロシ
アニン３部を混合し、サンドミルにて１時間分散を行っ
た後、ビスフエノールＺ型ポリカーボネート５部と実施
例１で使用した電荷輸送材料10部を溶解し、さらにテト
ラヒドロフラン40部、ジクロルメタン40部を加えて希釈
して分散塗料を得た。この塗料をスプレー塗布法にて電
荷輸送層上に塗布して乾燥して６μｍ厚の電荷発生層を
形成し、電子写真感光体を製造した。
ロヘキサノン68部に溶解し、この溶液に製造例１で得ら
れたＸ線回折パターンを示すオキシチタニウムフタロシ
アニン３部を混合し、サンドミルにて１時間分散を行っ
た後、ビスフエノールＺ型ポリカーボネート５部と実施
例１で使用した電荷輸送材料10部を溶解し、さらにテト
ラヒドロフラン40部、ジクロルメタン40部を加えて希釈
して分散塗料を得た。この塗料をスプレー塗布法にて電
荷輸送層上に塗布して乾燥して６μｍ厚の電荷発生層を
形成し、電子写真感光体を製造した。
〔比較例４〕 電荷発生材料として比較製造例１で得られたα型オキ
シチタニウムフタロシアニンを用いた他は実施例５と同
様にして電子写真感光体を製造した。
シチタニウムフタロシアニンを用いた他は実施例５と同
様にして電子写真感光体を製造した。
〔比較例５〕 電荷発生材料として比較製造例２で得られたＡ型オキ
シチタニウムフタロシアニンを用いた他は実施例５と同
様にして電子写真感光体を製造した。
シチタニウムフタロシアニンを用いた他は実施例５と同
様にして電子写真感光体を製造した。
〔比較例６〕 電荷発生材料として比較製造例３で得られた特開昭64
−17066号と同じ結晶形のオキシチタニウムフタロシア
ニンを用いた他は実施例５と同様にして電子写真感光体
を製造した。
−17066号と同じ結晶形のオキシチタニウムフタロシア
ニンを用いた他は実施例５と同様にして電子写真感光体
を製造した。
こうして得られた実施例５及び比較例4,5,6の電子写
真感光体を静電試験装置（EPA−8100:川口電機製）を用
いて評価した。
真感光体を静電試験装置（EPA−8100:川口電機製）を用
いて評価した。
評価は初めに正のコロナ帯電により表面電位が700
（Ｖ）となるように設定し、次にモノクロメーターによ
り分離した802nmの単色光により露光して表面電位が200
（Ｖ）まで下がるときの光量を測定し感度とした。その
結果を第４表に示す。
（Ｖ）となるように設定し、次にモノクロメーターによ
り分離した802nmの単色光により露光して表面電位が200
（Ｖ）まで下がるときの光量を測定し感度とした。その
結果を第４表に示す。
〔本発明の効果〕 以上のように、本発明の結晶形のオキシチタニウムフ
タロシアニンは新規であり、その有用性は明らかであ
る。また、この新規な結晶形のオキシチタニウムフタロ
シアニンを電荷発生材料として用いた電子写真感光体
は、長波長の光線に対して極めて高い感度を示し、かつ
連続使用においても帯電能の低下などの電位変動がな
く、電位安定性に優れ、さらに白色光に対する光メモリ
ー特性も良好である。
タロシアニンは新規であり、その有用性は明らかであ
る。また、この新規な結晶形のオキシチタニウムフタロ
シアニンを電荷発生材料として用いた電子写真感光体
は、長波長の光線に対して極めて高い感度を示し、かつ
連続使用においても帯電能の低下などの電位変動がな
く、電位安定性に優れ、さらに白色光に対する光メモリ
ー特性も良好である。
第１図、第２図および第３図は製造例で得られた本発明
の結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンのＸ線回折
図、 第４図および第５図は電子写真感光体の層構成の模式的
断面図、 第６図は非晶質オキシチタニウムフタロシアニンのＸ線
回折図、 第７図はメタノール処理して得られた低結晶性のオキシ
チタニウムフタロシアニンのＸ線回折図、 第８図は本発明の結晶形のオキシチタニウムフタロシア
ニンの赤外吸収スペクトル図（KBr法）、 第９図は本発明の結晶形のオキシチタニウムフタロシア
ニンのUV吸収スペクトル図、 第10図は本発明の製造例におけるメタノール処理によっ
て得られた結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンの
Ｘ線回折図、 第11図、第12図および第13図は比較製造例で得られたオ
キシチタニウムフタロシアニンのＸ線回折図、 第14図は実施例で得られた通紙耐久による暗部電位変動
の状態を表わした図、 第15図は実施例で得られた通紙耐久によるコントラスト
電位変動の状態を表わした図、 第16図は実施例１の電子写真感光体の分光感度を表わし
た図、 第17図は実施例１の電子写真感光体の電荷発生層のＸ線
回折図、 第18図はアルミニウムシリンダーのＸ線回折図、 第19図は実施例１の電子写真感光体の電荷発生層のＸ線
回折の結果にバツクグラウンド除去およびスムージング
処理を施した後のＸ線回折図、 第20図は本発明の電子写真感光体を用いた電子写真装置
の構成例を示す図、 第21図は本発明の電子写真感光体を用いた電子写真装置
をプリンターとして使用したフアクシミリのブロツク図
である。
の結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンのＸ線回折
図、 第４図および第５図は電子写真感光体の層構成の模式的
断面図、 第６図は非晶質オキシチタニウムフタロシアニンのＸ線
回折図、 第７図はメタノール処理して得られた低結晶性のオキシ
チタニウムフタロシアニンのＸ線回折図、 第８図は本発明の結晶形のオキシチタニウムフタロシア
ニンの赤外吸収スペクトル図（KBr法）、 第９図は本発明の結晶形のオキシチタニウムフタロシア
ニンのUV吸収スペクトル図、 第10図は本発明の製造例におけるメタノール処理によっ
て得られた結晶形のオキシチタニウムフタロシアニンの
Ｘ線回折図、 第11図、第12図および第13図は比較製造例で得られたオ
キシチタニウムフタロシアニンのＸ線回折図、 第14図は実施例で得られた通紙耐久による暗部電位変動
の状態を表わした図、 第15図は実施例で得られた通紙耐久によるコントラスト
電位変動の状態を表わした図、 第16図は実施例１の電子写真感光体の分光感度を表わし
た図、 第17図は実施例１の電子写真感光体の電荷発生層のＸ線
回折図、 第18図はアルミニウムシリンダーのＸ線回折図、 第19図は実施例１の電子写真感光体の電荷発生層のＸ線
回折の結果にバツクグラウンド除去およびスムージング
処理を施した後のＸ線回折図、 第20図は本発明の電子写真感光体を用いた電子写真装置
の構成例を示す図、 第21図は本発明の電子写真感光体を用いた電子写真装置
をプリンターとして使用したフアクシミリのブロツク図
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山▲崎▼ 至 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−289658（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−215867（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】CuKαのＸ線回折におけるブラッグ角２θ
±0.2゜の9.0゜、14.2゜、23.9゜および27.1゜に強いピ
ークを有するオキシチタニウムフタロシアニン。 - 【請求項２】非晶質オキシチタニウムフタロシアニンを
メタノール中で懸濁攪拌処理することによって得られる
オキシチタニウムフタロシアニンに、さらにエーテル系
溶剤、モノテルペン系炭化水素溶剤および流動パラフィ
ンからなる群より選ばれた溶剤でミリング処理を行うこ
とを特徴とするCuKαのＸ選回折におけるブラッグ角２
θ±0.2゜の9.0゜、14.2゜、23.9゜および27.1゜に強い
ピークを有するオキシチタニウムフタロシアニンの製造
方法。 - 【請求項３】導電性支持体上に感光層を有する電子写真
感光体において、感光層はCuKαのＸ線回折におけるブ
ラッグ角２θ±0.2゜の9.0゜、14.2゜、23.9゜および2
7.1゜に強いピークを有するオキシチタニウムフタロシ
アニンを含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 【請求項４】帯電手段、現像手段およびクリーニング手
段の少なくともひとつを、導電性支持体上に感光層を有
する電子写真感光体であって、感光層はCuKαのＸ線回
折におけるブラッグ角２θ±0.2゜の9.0゜、14.2゜、2
3.9゜および27.1゜に強いピークを有するオキシチタニ
ウムフタロシアニンを含有する電子写真感光体とともに
一体に支持してユニットを形成し、装置本体に着脱自在
のユニットであることを特徴とする装置ユニット。 - 【請求項５】電子写真感光体、静電潜像形成手段、形成
した静電潜像を現像する手段および現像した像を転写材
に転写する手段を有する電子写真装置において、電子写
真感光体が導電性支持体上に感光層を有する電子写真感
光体であって、感光層はCuKαのＸ線回折におけるブラ
ッグ角２θ±0.2゜の9.0゜、14.2゜、23.9゜および27.1
゜に強いピークを有するオキシチタニウムフタロシアニ
ンを含有する電子写真感光体であることを特徴とする電
子写真装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18920089 | 1989-07-21 | ||
| JP1-189200 | 1989-07-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03128973A JPH03128973A (ja) | 1991-05-31 |
| JP2502404B2 true JP2502404B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=16237196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2192671A Expired - Lifetime JP2502404B2 (ja) | 1989-07-21 | 1990-07-20 | オキシチタニウムフタロシアニン，その製造方法，それを用いた電子写真感光体，該電子写真感光体を有する装置ユニットおよび電子写真装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5132197A (ja) |
| EP (1) | EP0409737B1 (ja) |
| JP (1) | JP2502404B2 (ja) |
| KR (1) | KR940007962B1 (ja) |
| CN (2) | CN1040009C (ja) |
| DE (1) | DE69006961T2 (ja) |
| HK (1) | HK31996A (ja) |
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