KR101017442B1 - 폴리비닐아세탈 수지, 전자 사진 감광체, 공정 카트리지 및전자 사진 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 특정 반복 구조 단위를 갖는 폴리비닐아세탈 수지, 상기 폴리비닐아세탈 수지를 이용한 전자 사진 감광체, 및 상기 전자 사진 감광체를 갖는 공정 카트리지 및 전자 사진 장치에 관한 것이다.
전자 사진 감광체, 공정 카트리지, 전자 사진 장치, 폴리비닐아세탈 수지, 갈륨프탈로시아닌 결정

Description

폴리비닐아세탈 수지, 전자 사진 감광체, 공정 카트리지 및 전자 사진 장치 {Polyvinyl Acetal Resin, Electrophotographic Photosensitive Member, Process Cartridge, and Electrophotographic Apparatus}
본 발명은 폴리비닐아세탈 수지, 폴리비닐아세탈 수지를 함유하는 전자 사진 감광체, 및 상기 전자 사진 감광체를 갖는 공정 카트리지 및 전자 사진 장치에 관한 것이다.
최근에 유기 재료를 이용한 전자 사진 감광체(유기 전자 사진 감광체)는 수많은 전자 사진 장치(복사기나 프린터 등)에 탑재되어 있고, 사용되는 재료의 연구 개발도 열심히 행해졌다.
특히 프탈로시아닌 안료나 아조 안료를 비롯한 전하 발생 물질의 연구 개발은 열심히 행해졌고, 감도나 내구성의 향상을 목표로 한 신규 화합물, 또는 안료의 신규 결정형에 관한 다양한 제안이 이루어졌다.
이에 대하여 감광층용 결착 수지, 특히 적층형 감광층의 전하 발생층용 결착 수지에 관한 연구 개발은 그다지 활발하지는 않은 것이 현실이다.
그와 같은 현실에 있어서, 예를 들면 특허 문헌 1 또는 2에는 감도 향상이나 잔류 전위 저하의 효과가 있는 수지로서, 폴리비닐벤잘 유도체가 개시되었다. 또 한, 특허 문헌 3에는 폴리비닐아세탈 유도체가 개시되었다.
그러나, 실제로는 도공성이나 전하 발생 물질의 분산성을 고려하여, 폴리비닐부티랄 등의 시판품이 사용된 예가 대부분이고, 전하 발생 물질의 특성을 충분히 발휘시키고 있다고는 할 수 없었다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 (소)62-030254호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 (평)05-045899호 공보
[특허 문헌 3] 일본 특허 공개 (소)62-095537호 공보
<발명의 개시>
본 발명의 목적은 전하 발생 물질의 특성(전자 사진 특성)을 충분히 발휘시킴과 동시에, 그것과는 상반된다고 알려져 있는 도공성이나 전하 발생 물질의 분산성도 우수한 수지를 제공하는 것에 있다. 또한, 본 발명의 목적은 그와 같은 수지를 이용한 전자 사진 감광체, 및 상기 전자 사진 감광체를 갖는 공정 카트리지 및 전자 사진 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 폴리비닐아세탈 수지이다.
Figure 112008048413743-pct00001
(식 중, X11은 치환 또는 비치환된 에틸렌기, 치환 또는 비치환된 프로필렌기, 또는 치환 또는 비치환된 부틸렌기를 나타낸다. R11, R12, R13 및 R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기 또는 메톡시기를 나타낸다. Ar11 및 Ar12는 각각 독립적으로 전자 공여성 치환기를 1개 이상 갖는 페닐기를 나타낸다.)
또한, 본 발명은 지지체 및 상기 지지체 상에 설치된 감광층을 갖는 전자 사진 감광체에 있어서, 상기 감광층이 상기 폴리비닐아세탈 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체이다.
또한, 본 발명은 상기 전자 사진 감광체와, 대전 수단, 현상 수단, 전사 수단 및 클리닝 수단으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1개 이상의 수단을 일체로 지지하고, 전자 사진 장치 본체에 착탈이 자유로운 공정 카트리지이다.
또한, 본 발명은 상기 전자 사진 감광체, 대전 수단, 노광 수단, 현상 수단 및 전사 수단을 갖는 전자 사진 장치이다.
본 발명의 폴리비닐아세탈 수지를 이용한 감광층용 도포액(전하 발생층용 도 포액)은 전하 발생 물질의 분산성이 양호하고, 도공성도 우수하다. 또한, 이 폴리비닐아세탈 수지를 이용한 전자 사진 감광체는 전하 발생 물질의 특성이 충분히 발휘되어 감도가 높고, 반복 사용시의 전위 안정성이 높은 전자 사진 감광체이다. 또한, 이 전자 사진 감광체는 사용 환경의 차이나 탑재되는 공정 카트리지 및 전자 사진 장치의 사양차에 대해서도 안정한 특성을 발휘할 수 있다.
도 1은 본 발명의 전자 사진 감광체를 갖는 전자 사진 장치의 개략 구성의 일례를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 전자 사진 감광체를 갖는 공정 카트리지를 구비한 전자 사진 장치의 개략 구성의 일례를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 전자 사진 감광체를 갖는 공정 카트리지를 구비한 전자 사진 장치의 개략 구성의 일례를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 전자 사진 감광체를 갖는 공정 카트리지를 구비한 전자 사진 장치의 개략 구성의 일례를 나타낸 도면이다.
도 5는 전자 사진 감광체의 감도 및 잔류 전위의 평가에 관한 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 전자 사진 감광체
1a 축
2 대전 수단
3 노광부
4 현상 수단
5 코로나 전사 수단
6 클리닝 수단
7 전노광 수단
8 정착 수단
9 전사재
10 접촉 대전 부재
12 안내 수단
20 용기
21 용기
22 용기
23 접촉 대전 부재
L 레이저 광
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
이하에 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.
폴리비닐아세탈 수지 중에서도 부틸알데히드와 폴리비닐알코올로부터 합성되는 부티랄 수지는 잘 알려져 있었지만, 본 발명의 폴리비닐아세탈 수지는 알킬기 대신에 전자 공여성 치환 트리아릴아민 골격을 도입한다.
이러한 수지를 감광층(전하 발생층)의 결착 수지로서 이용함으로써 전하 발생 물질의 분산성을 향상시킬 수 있다. 본 발명자들은 또한 전하 발생 물질로 여기한 캐리어의 분극, 층 중의 전하 수송성, 또는 전하 수송층 및/또는 바탕(base)층(지지체와 감광층 사이의 층)에의 캐리어 주입성도 향상시킬 수 있다고 생각하였다. 그 결과로서, 전자 사진 감광체의 감도는 높아지고, 캐리어의 체류는 억제되며, 광메모리는 감소되고, 반복 사용시의 전위 안정성 및 환경 특성은 개선되는 것으로 본 발명자들은 추찰하였다.
본 발명의 폴리비닐아세탈 수지는 통상적인 부티랄 수지와 동일한 방법으로 합성하는 것이 가능하다. 즉, 폴리비닐알코올과 전자 공여성 치환 트리아릴아민 골격을 갖는 알데히드를, 예를 들면 에탄올과 톨루엔의 혼합 용제 중에서 염산이나 황산 등의 산의 존재하에 20 내지 70 ℃에서 반응시킴으로써 합성할 수 있다.
본 발명의 폴리비닐아세탈 수지의 중량 평균 분자량은 10,000 내지 500,000의 범위에 있는 것이 바람직하고, 30,000 내지 100,000의 범위에 있는 것이 보다 바람직하다. 분자량이 너무 작으면 전하 발생 물질의 분산 안정성이나 층의 성막성이 불충분해지는 경우가 있다. 분자량이 너무 크면 합성시의 핸들링에 문제가 생기기 쉽고, 또한 전하 발생 물질 분산시의 수지의 점도가 높아지기 때문에 분산 불량을 야기하는 경우도 있다.
또한, 본 발명의 폴리비닐아세탈 수지의 아세탈화도는 30 몰％ 이상인 것이 바람직하고, 50 내지 85 몰％인 것이 보다 바람직하다. 아세탈화도가 너무 낮으면 용제에 대한 수지의 용해성이 너무 저하되는 경우가 있고, 또한 전자 공여성 치환 트리아릴아민 골격의 수가 적어지기 때문에 본 발명의 효과가 충분히 얻어지지 않는 경우가 있다. 한편, 아세탈화도가 85 몰％보다 높은 아세탈화도를 갖는 수지는 합성하기가 어렵다.
또한, 본 발명에 있어서는 원료인 폴리비닐알코올에서 유래하는 잔존 아세트산비닐 성분의 함유율은 낮을수록 바람직하다. 원료인 폴리비닐알코올로서는, 비누화도가 85 ％ 이상인 것을 원료로서 사용하는 것이 바람직하다. 비누화도가 85 ％보다 낮으면 아세탈화도가 낮아지기 쉽다.
전자 공여성 치환기로서는 메틸기, 에틸기 및 프로필기 등의 알킬기, 메톡시기 및 에톡시기 등의 알콕시기, 페닐기, 페녹시기, 및 벤질기 등을 들 수 있다.
본 발명의 폴리비닐아세탈 수지를 전자 사진 감광체의 감광층(전하 발생층)에 이용할 때, 본 발명의 폴리비닐아세탈 수지와 함께 다른 수지를 혼합하여 이용할 수도 있다. 그의 혼합 비율은 수지 전체 질량에 대하여 본 발명의 폴리비닐아세탈 수지가 50 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 70 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다.
이하에, 본 발명의 폴리비닐아세탈 수지의 구체예(예시 수지(1) 내지 (13))를 예시한다. 이하의 X11, R11, R12, R13, R14, Ar11 및 Ar12는 상기 화학식 1의 X11, R11, R12, R13, R14, Ar11 및 Ar12이다.
Figure 112008048413743-pct00002
상기 화학식 1에 있어서, X11은 에틸렌기(비치환된 에틸렌기)인 것이 바람직하다. 또한, R11, R12, R13 및 R14는 전부 수소 원자인 것이 바람직하다. 또한, Ar11 및 Ar12가 가지고 있는 상기 전자 공여성 치환기는 알킬기인 것이 바람직하고, 그 중에서도 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다.
본 발명의 전자 사진 감광체의 감광층으로서는, 전하 발생 물질 및 전하 수송 물질을 단일층에 함유시킨 단층형 감광층일 수도 있고, 전하 발생 물질을 함유하는 전하 발생층 및 전하 수송 물질을 함유하는 전하 수송층을 갖는 적층형 감광층일 수도 있다. 전자 사진 특성의 관점에서는 적층형 감광층이 바람직하다. 또한, 적층형 감광층 중에서도 지지체측으로부터 전하 발생층, 전하 수송층의 순서대로 적층한 순층형 감광층이 보다 바람직하다.
감광층을 적층형 감광층으로 하는 경우, 전하 발생층은 본 발명의 폴리비닐아세탈 수지를 용제에 용해시키고, 이것에 전하 발생 물질을 첨가하고 상기 전하 발생 물질을 분산시켜 얻어지는 전하 발생층용 도포액을 도포하고, 이것을 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 전하 발생 물질의 분산시에는, 샌드 밀이나 볼 밀 등의 미디어형 분산기 또는 액충돌형 분산기 등의 분산기를 사용할 수 있다.
전하 발생 물질로서는, 예를 들면 모노아조, 비스아조 및 트리스아조 등의 아조 안료, 금속 프탈로시아닌 및 비금속 프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 안료, 인디고 및 티오인디고 등의 인디고 안료, 페릴렌산 무수물 및 페릴렌산이미드 등의 페릴렌 안료, 안트라퀴논 및 피렌퀴논 등의 다환 퀴논계 안료, 스쿠아릴륨 염료, 피릴륨염, 티오피릴륨염, 트리페닐메탄 염료 등을 들 수 있다. 이들 전하 발생 물질은 단독으로 이용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.
상기 전하 발생 물질 중에서 CuKα 특성 X선 회절에서의 브래그(Bragg)각 7.4°± 0.3° 및 28.2°± 0.3°에 강한 피크를 갖는 갈륨프탈로시아닌 결정은, 본 발명의 폴리비닐아세탈 수지와 조합할 때 분산 안정성이나 도공성이 우수하여 바람직하다. 또한, 이 갈륨프탈로시아닌 결정과 본 발명의 폴리비닐아세탈 수지를 조합함으로써 증감 효과나, 저습에서 반복 사용하였을 때의 명부(light) 전위의 상승을 억제하는 효과도 얻어진다.
또한, 상기 전하 발생 물질 중에서 CuKα 특성 X선 회절에서의 브래그각 27.2°± 0.3°에 강한 피크를 갖는 옥시티타늄프탈로시아닌 결정도, 본 발명의 폴리비닐아세탈 수지와 조합하였을 때 분산 안정성이나 도공성이 우수하여 바람직하다. 또한, 이 옥시티타늄프탈로시아닌 결정과 본 발명의 폴리비닐아세탈 수지를 조합함으로써 초기의 증감 효과 및 잔류 전위를 저하시키는 효과, 및 반복 사용하였을 때의 명부 전위의 저하(폴링(falling) 현상)를 억제하는 효과도 얻어진다.
또한, 상기 전하 발생 물질 중에서 하기 화학식 2로 표시되는 아조 화합물도 본 발명의 폴리비닐아세탈 수지와 조합하였을 때 분산 안정성이나 도공성이 우수하여 바람직하다.
Figure 112008048413743-pct00003
(식 중, Ar21 및 Ar22는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기를 나타낸다. X21은 비닐렌기 또는 p-페닐렌기를 나타낸다. n은 0 또는 1을 나타낸다.)
또한, 이러한 아조 화합물과 본 발명의 폴리비닐아세탈 수지를 조합함으로써 대전능이나 감도가 향상되는 효과, 및 광 메모리가 개선되어 반복 사용하였을 때의 전위 안정성이 높다고 하는 효과도 얻어진다.
감광층을 적층형 감광층으로 하는 경우, 전하 발생층 중의 전하 발생 물질과 본 발명의 폴리비닐아세탈 수지와의 비율은 질량비(전하 발생 물질:폴리비닐아세탈 수지)로 5:1 내지 1:2인 것이 바람직하고, 3:1 내지 1:1인 것이 보다 바람직하다. 폴리비닐아세탈 수지가 너무 적으면 본 발명의 효과가 충분히 얻어지지 않는 경우가 있고, 전하 발생 물질이 너무 적으면 전하 발생 기능이 충분히 얻어지지 않는 경우가 있다.
또한, 전하 발생층의 막 두께는 5 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.05 내지 1 ㎛인 것이 보다 바람직하다.
감광층을 적층형 감광층으로 하는 경우, 전하 수송층은 전하 수송 물질과 결착 수지를 용제에 용해시켜 얻어지는 전하 수송층용 도포액을 도포하고, 이것을 건조시킴으로써 형성할 수 있다.
전하 수송 물질로서는, 예를 들면 트리아릴아민 화합물, 히드라존 화합물, 스틸벤 화합물, 피라졸린 화합물, 옥사졸 화합물, 티아졸 화합물 및 트리알릴메탄 화합물 등을 들 수 있다.
또한, 전하 수송층용 결착 수지로서는, 예를 들면 폴리에스테르 수지, 아크릴 수지, 폴리비닐카르바졸 수지, 페녹시 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리비닐아세테이트 수지, 폴리술폰 수지, 폴리아릴레이트 수지 및 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체 수지 등을 들 수 있다.
또한, 전하 수송층의 막 두께는 5 내지 40 ㎛인 것이 바람직하고, 10 내지 30 ㎛인 것이 보다 바람직하다.
감광층을 단층형 감광층으로 하는 경우, 감광층은 상술한 바와 같은 전하 발생 물질 및 전하 수송 물질 및 본 발명의 폴리비닐아세탈 수지를 함유하는 용액을 도포하고, 이것을 건조시킴으로써 형성할 수 있다.
단층형 감광층의 막 두께는 5 내지 40 ㎛인 것이 바람직하고, 15 내지 30 ㎛인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 전자 사진 감광체에 이용되는 지지체로서는, 도전성을 갖는 것(도전성 지지체)일 수 있고, 그의 재료로서는, 예를 들면 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 아연, 스테인레스강, 바나듐, 몰리브덴, 크롬, 티탄, 니켈, 인듐, 금 및 백금 등을 들 수 있다. 또한, 이러한 금속 또는 합금을 플라스틱(예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 아크릴 수지 등) 상에 진공 증착법에 의해서 피복 형성한 지지체일 수도 있다. 또한, 도전성 입자(예를 들면, 카본 블랙 및 은 입자 등)를 결착 수지와 함께 플라스틱, 금속 또는 합금의 기체 상에 피복하여 이루어지는 지지체일 수도 있다. 또한, 도전성 입자를 플라스틱이나 종이에 함침시켜 이루어지는 지지체일 수도 있다. 지지체의 형상으로서는, 예를 들면 드럼형, 시트형 및 벨트형 등을 들 수 있지만, 적용되는 전자 사진 장치에 가장 적합한 형상으로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 전자 사진 감광체에 있어서는 지지체와 감광층 사이에, 배리어 기능이나 접착 기능 등의 기능을 갖는 언더코팅층(중간층)을 설치할 수도 있다. 언 더코팅층은, 예를 들면 카제인, 폴리비닐알코올, 니트로셀룰로오스, 폴리아미드(나일론 6, 나일론 66, 나일론 610, 공중합 나일론, 알콕시메틸화 나일론 등), 폴리우레탄 및 산화알루미늄 등에 의해서 형성할 수 있다.
언더코팅층의 막 두께는 5 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.3 내지 2 ㎛인 것이 보다 바람직하다.
또한, 감광층 상에는, 감광층을 보호하고, 전자 사진 감광체의 내구성을 향상시키는 것을 목적으로서 보호층을 설치할 수도 있다.
보호층은, 예를 들면 폴리비닐부티랄, 폴리에스테르, 폴리카르보네이트(폴리카르보네이트 Z, 변성 폴리카르보네이트 등), 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아릴레이트, 폴리우레탄, 스티렌-부타디엔 공중합체, 스티렌-아크릴산 공중합체 및 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체 등의 수지를 용제에 용해시켜 얻어지는 보호층용 도포액을 감광층 상에 도포하고, 이것을 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 또한, 보호층용 도포액을 감광층 상에 도포하고, 이것을 가열하거나 또는 이것에 전자선 또는 자외선 등을 조사하여 경화시킴으로써 형성할 수도 있다.
보호층의 막 두께는 0.1 내지 10 ㎛인 것이 바람직하다.
또한, 보호층 중에는, 도전성 입자나 자외선 흡수제나 불소 원자 함유 수지 입자 등의 윤활성 입자 등을 함유시킬 수도 있다. 도전성 입자로서는, 예를 들면 산화주석, 실리카 등의 금속 산화물 입자가 바람직하다.
본 발명의 전자 사진 감광체는 전자 사진 방식의 복사기, 레이저 빔 프린터, CRT 프린터, 전자 사진식 제판 시스템 등에 널리 적용하는 것이 가능하다.
다음에, 본 발명의 전자 사진 감광체를 갖는 전자 사진 장치에 대하여 설명한다.
도 1에 본 발명의 전자 사진 장치의 개략 구성의 일례를 나타낸다.
도 1에 있어서, 부호 1은 본 발명의 드럼형 전자 사진 감광체이고, 축 (1a)를 중심으로 화살표 방향으로 소정의 주속도로 회전 구동한다. 전자 사진 감광체 (1)은 그의 회전 과정에서 대전 수단 (2)에 의해서 그 주위면을 포지티브 또는 네가티브의 소정 전위로 대전된다. 이어서, 노광부 (3)에서, 도시되지 않는 노광 수단에 의해 노광광 (L)(레이저 빔 주사 노광 등)을 받는다. 이에 따라, 전자 사진 감광체 주위면에 노광상에 대응한 정전 잠상이 차례로 형성되어 간다. 그 정전 잠상은 이어서 현상 수단 (4)로 토너상으로서 현상되고, 그 토너상이 코로나 방식의 전사 수단(코로나 전사 수단) (5)에 의해 도시되지 않은 급지부에서 전자 사진 감광체 (1)과 전사 수단 (5) 사이에 전자 사진 감광체 (1)의 회전과 함께 급송된 전사재 (9)의 면에 차례로 전사되어 간다. 토너상의 전사를 받은 전사재 (9)는 전자 사진 감광체 주위면으로부터 분리되어 정착 수단 (8)에 도입되어 상 정착되고 복사물(복사)로서 전자 사진 장치 기기 밖으로 프린트 아웃된다. 토너상 전사 후의 전자 사진 감광체 (1) 주위면은 클리닝 수단 (6)에 의해 전사 잔류 토너가 제거되어 청정면화되고, 전(前)노광 수단 (7)에 의해 제전 처리가 이루어져 반복하여 상 형성에 사용된다.
또한, 도 2에 예시하는 바와 같이, 전자 사진 감광체와, 대전 수단, 현상 수단, 전사 수단 및 클리닝 수단으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1개 이상의 수단 을 일체로 지지하고, 전자 사진 장치 본체에 착탈이 자유롭게 한 공정 카트리지를 구성할 수도 있다.
도 2에 나타내는 공정 카트리지는 전자 사진 감광체 (1), 대전 수단 (2) 및 현상 수단 (4)를 용기 (20)에 수납하여 공정 카트리지로 하고, 이 공정 카트리지는 레일 등의 안내 수단 (12)에 의해 전자 사진 장치 본체에 대하여 착탈이 자유롭게 구성되어 있다. 클리닝 수단 (6)은 용기 (20) 내에 배치할 수도 배치하지 않을 수도 있다.
본 발명의 공정 카트리지 및 전자 사진 장치의 다른 형태를 도 3에 나타낸다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 공정 카트리지 및 전자 사진 장치는, 대전 수단으로서 접촉 대전 부재 (10)을 이용하여 전압 인가된 접촉 대전 부재 (10)을 전자 사진 감광체 (1)에 접촉시킴으로써 전자 사진 감광체 (1)의 대전을 행할 수도 있다(이 대전 방법을, 이하 「접촉 대전」이라 함). 도 3에 나타내는 장치에서는, 전자 사진 감광체 (1) 상의 토너상도 전사용 접촉 대전 부재 (23)에 의해 전사재 (9)에 전사된다. 즉, 전압 인가된 전사용 접촉 대전 부재 (23)을 전사재 (9)에 접촉시킴으로써 전자 사진 감광체 (1) 상의 토너상을 전사재 (9)에 전사시킨다.
또한, 공정 카트리지 및 전자 사진 장치는, 도 4에 나타낸 바와 같이 전자 사진 감광체 (1) 및 접촉 대전 부재 (10)을 제1 용기 (21)에 수납하여 제1 공정 카트리지로 하고, 현상 수단 (4)를 제2 용기 (22)에 수납하여 제2 공정 카트리지로 한 구성으로 할 수도 있다.
노광광 (L)은, 전자 사진 장치를 복사기나 프린터로서 사용하는 경우, 원고 로부터의 반사광이나 투과광을 이용할 수도 있고, 원고를 판독하여 신호화하고, 이 신호에 따라서 주사되는 레이저 빔을 이용할 수도 있다. 또한, 발광 다이오드 어레이의 구동 또는 액정 셔터 어레이의 구동 등을 채용할 수도 있다.
이하, 실시예를 이용하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 예 중에서의 「부」는 「질량부」를 나타낸다.
IR(적외 분광법)의 측정은 FT/IR-420(닛본 분꼬(주) 제조)를 이용하여 행하였다.
결정형의 X선 회절 측정은 CuKα선을 이용하여 다음 조건에서 행한 것이다.
사용 측정기: 맥ㆍ사이언스사 제조, 전자동 X선 회절 장치 MXP18
X선 관구: Cu
관 전압: 50 kV
관 전류: 300 mA
스캔 방법: 2θ/θ 스캔
스캔 속도: 2 deg./분
샘플링 간격: 0.020 deg.
스타트 각도(2θ): 5 deg.
스톱 각도(2θ): 40 deg.
디버젼스 슬릿: 0.5 deg.
스캐터링 슬릿: 0.5 deg.
리시빙 슬릿: 0.3 deg.
만곡 모노크로미터 사용
(합성예 1)
<예시 수지(1)의 합성>
폴리비닐알코올(상품명: 포발(POVAL) 1400, 키시다 가가꾸(주) 제조) 3 부 및 하기 구조식으로 표시되는 알데히드 화합물
Figure 112008048413743-pct00004
54 부를, 톨루엔 25 부 및 에탄올 25 부 중에서 교반하고, 진한 염산 0.2 부를 적하한 후, 50 ℃로 승온시켜 5 시간 가열 교반을 행하였다. 반응물을 수산화나트륨 0.4 부를 용해시킨 메탄올 1,000 부에 교반하에 적하하고, 석출물을 여과 분리하였다. 여과지에 얻어진 여과물을 톨루엔 100 부 및 아세톤 100 부에 용해시키고, 불용분을 주름(fluted) 여과지에 의해 제거한 후, 메탄올 2,000 부에 교반하에 적하하고, 석출물을 여과 분리하였다. 얻어진 여과물을 재차 톨루엔/아세톤=1/1의 혼합 용액 180 부에 용해시킨 후, 메탄올 2,000 부에 교반하에 적하하고, 석출물을 여과 분리하여 예시 수지(1)을 7.4 부 얻었다. 얻어진 수지의 IR의 데이터를 이하에 나타낸다.
Figure 112008048413743-pct00005
(합성예 2)
<예시 수지(3)의 합성>
폴리비닐알코올(상품명: 포발 1400, 키시다 가가꾸(주) 제조) 1.8 부 및 하기 구조식으로 표시되는 알데히드 화합물
Figure 112008048413743-pct00006
34 부를, 톨루엔 25 부 및 에탄올 25 부 중에서 교반하고, 진한 염산 0.2 부를 적하한 후, 50 ℃로 승온시켜 5 시간 가열 교반을 행하였다. 반응물을 수산화나트륨 0.3 부를 용해시킨 메탄올 1,000 부에 교반하에 적하하고, 석출물을 여과 분리하였다. 여과지에 얻어진 여과물을 톨루엔 90 부 및 아세톤 90 부에 용해시키고, 불용분을 주름 여과지에 의해 제거 후, 메탄올 2,000 부에 교반하에 적하하고, 석출물을 여과 분리하였다. 여과지에 얻어진 여과물을 재차 톨루엔 50 부 및 아세톤 30 부에 용해시킨 후, 메탄올 2,000 부에 교반하에 적하하고, 석출물을 여과 분리하여 예시 수지(3)을 1.6 부 얻었다. 얻어진 수지의 IR의 데이터를 이하에 나타낸다.
Figure 112008048413743-pct00007
(합성예 3)
<예시 수지(7)의 합성>
폴리비닐알코올(상품명: 포발 1400, 키시다 가가꾸(주) 제조) 1.7 부 및 하기 구조식으로 표시되는 알데히드 화합물
Figure 112008048413743-pct00008
33 부를, 톨루엔 25 부 및 에탄올 25 부 중에서 교반하고, 진한 염산 0.2 부를 적하한 후, 50 ℃로 승온시켜 8 시간 가열 교반을 행하였다. 반응물을 수산화나트륨 0.3 부를 용해시킨 메탄올 1,000 부에 교반하에 적하하고, 석출물을 여과 분리하였다. 여과지에 얻어진 여과물을 톨루엔 100 부 및 아세톤 100 부에 용해시키고, 불용분을 주름 여과지에 의해 제거 후, 메탄올 2,000 부에 교반하에 적하하고, 석출물을 여과 분리하였다. 여과지에 얻어진 여과물을 재차 톨루엔 80 부 및 아세톤 80 부에 용해시킨 후, 메탄올 2,000 부에 교반하에 적하하고, 석출물을 여과 분리하여 예시 수지(7)를 4.4 부 얻었다. 얻어진 수지의 IR의 데이터를 이하에 나타낸다.
Figure 112008048413743-pct00009
(합성예 4)
<예시 수지(10)의 합성>
폴리비닐알코올(상품명: 포발 1400, 키시다 가가꾸(주) 제조) 3.4 부 및 하기 구조식으로 표시되는 알데히드 화합물
Figure 112008048413743-pct00010
70 부를, 톨루엔 80 부 및 에탄올 80 부 중에서 교반하고, 진한 염산 0.2 부를 적하한 후, 50 ℃로 승온시켜 6 시간 가열 교반을 행하였다. 반응물을 수산화나트륨 0.3 부를 용해시킨 메탄올 1,500 부에 교반하에 적하하고, 석출물을 여과 분리하였다. 여과지에 얻어진 여과물을 톨루엔 150 부 및 아세톤 150 부에 용해시키고, 불용분을 셀라이트 여과에 의해 제거한 후, 메탄올 2,000 부에 교반하에 적하하고, 석출물을 여과 분리하였다. 여과지에 얻어진 여과물을 재차 톨루엔 100 부 및 아세톤 100 부에 용해시킨 후, 메탄올 2,000 부에 교반하에 적하하고, 석출물을 여과 분리하여 예시 수지(10)를 2.5 부 얻었다. 얻어진 수지의 IR의 데이터를 이하에 나타낸다.
Figure 112008048413743-pct00011
(비교 합성예 1)
<비교 수지(A)의 합성>
폴리비닐알코올(상품명: 포발 1400, 키시다 가가꾸(주) 제조) 2.7 부 및 하 기 구조식으로 표시되는 알데히드 화합물
Figure 112008048413743-pct00012
46 부를, 톨루엔 35 부 및 에탄올 35 부 중에서 교반하고, 진한 염산 0.4 부를 적하한 후, 50 ℃로 승온시켜 6 시간 가열 교반을 행하였다. 반응물을 수산화나트륨 0.4 부를 용해시킨 메탄올 1000 부에 교반하에 적하하고, 석출물을 여과 분리하였다. 여과지에 얻어진 여과물을 톨루엔 50 부 및 아세톤 50 부에 용해시키고, 불용분을 주름 여과지에 의해 제거한 후, 메탄올 2,000 부에 교반하에 적하하고, 석출물을 여과 분리하였다. 여과지에 얻어진 여과물을 재차 톨루엔 50 부 및 아세톤 50 부에 용해시킨 후, 메탄올 2,000 부에 교반하에 적하하고, 석출물을 여과 분리하여 하기 구조식으로 표시되는 반복 구조 단위
Figure 112008048413743-pct00013
를 갖는 폴리비닐아세탈 수지인 비교 수지(A)를 1.0 부 얻었다. 얻어진 수지의 IR 의 데이터를 이하에 나타낸다.
Figure 112008048413743-pct00014
(비교 합성예 2)
<비교 수지(B)의 합성>
폴리비닐알코올(상품명: 포발 1400, 키시다 가가꾸(주) 제조) 4.4 부, 하기 구조식으로 표시되는 알데히드 화합물
Figure 112008048413743-pct00015
75 부를, 톨루엔 100 부 및 에탄올 100 부 중에서 교반하고, 진한 염산 0.3 부를 적하한 후, 50 ℃로 승온시켜 7 시간 가열 교반을 행하였다. 반응물을 수산화나트륨 0.3 부를 용해시킨 메탄올 1,000 부에 교반하에 적하하고, 석출물을 여과 분리하였다. 여과지에 얻어진 여과물을 톨루엔 150 부 및 아세톤 150 부에 용해시키고, 불용분을 셀라이트 여과에 의해 제거 후, 메탄올 2,000 부에 교반하에 적하하고, 석출물을 여과 분리하였다. 여과지에 얻어진 여과물을 재차 톨루엔 200 부 및 아세톤 100 부에 용해시킨 후, 메탄올 2,000 부에 교반하에 적하하고, 석출물을 여과 분리하여 하기 구조식으로 표시되는 반복 구조 단위
Figure 112008048413743-pct00016
를 갖는 폴리비닐아세탈 수지인 비교 수지(B)를 9.1 부 얻었다. 얻어진 수지의 IR의 데이터를 이하에 나타낸다.
Figure 112008048413743-pct00017
(실시예 1)
직경 30 mm, 길이 357.5 mm의 알루미늄 실린더를 지지체로 하였다.
이 지지체 상에, 이하의 재료로 구성되는 도포액을 지지체 상에 침지 도포하고, 이것을 30 분간 140 ℃에서 건조시킴으로써 막 두께가 18 ㎛인 도전층(간섭 무늬 방지층)을 형성하였다.
도전성 안료: SnO2 코팅 처리 황산바륨 10 부
저항 조절용 안료: 산화티탄 2 부
결착 수지: 페놀 수지 6 부
레벨링제: 실리콘 오일 0.001 부
용제: 메탄올, 메톡시프로판올 0.2/0.8 15 부
다음에, N-메톡시메틸화 나일론 1 부 및 공중합 나일론 3 부를 메탄올 60 부 및 n-부탄올 30 부의 혼합 용매에 용해시켜 언더코팅층(중간층)용 도포액을 제조하였다.
이 언더코팅층(중간층)용 도포액을 도전층 상에 침지 도포하고, 이것을 10 분간 100 ℃에서 건조시킴으로써 막 두께가 0.6 ㎛인 언더코팅층(중간층)을 형성하였다.
다음에, CuKα 특성 X선 회절의 브래그각 2θ± 0.2°의 7.5° 및 28.3°에 강한 피크를 갖는 히드록시갈륨프탈로시아닌 결정(전하 발생 물질) 10 부, 합성예 1에서 얻어진 예시 수지(1) 5 부 및 시클로헥사논 200 부를, 직경 0.8 mm의 유리 비드를 이용한 샌드 밀 장치에서 6 시간 분산시킨 후, 시클로헥사논 170 부 및 아세트산에틸 380 부를 첨가하여 전하 발생층용 도포액을 제조하였다.
이 전하 발생층용 도포액을 언더코팅층(중간층) 상에 침지 도포하고, 이것을 10 분간 80 ℃에서 건조시킴으로써 막 두께가 0.18 ㎛인 전하 발생층을 형성하였다.
다음에, 하기 구조식(CTM-1)으로 표시되는 화합물(전하 수송 물질)
Figure 112008048413743-pct00018
10 부, 및 폴리카르보네이트 수지(상품명: 루피론(Lupilon) Z-200, 미쯔비시 엔지니어링 플라스틱(주) 제조) 10 부를 모노클로로벤젠 90 부 및 디클로로메탄 20 부 의 혼합 용매 중에 용해시킴으로써 전하 수송층용 도포액을 제조하였다.
이 전하 수송층용 도포액을 전하 발생층 상에 침지 도포하고, 이것을 60 분간 110 ℃에서 건조시킴으로써 막 두께가 20 ㎛인 전하 수송층을 형성하였다.
이와 같이, 전자 사진 감광체 1을 제조하였다.
(광 감도 특성 평가)
전자 사진 감광체 1의 광 감도 특성을, 만곡 NESA 유리를 이용한 직접 전압 인가 방식의 전자 사진 감광체 측정 장치를 이용하여 측정하였다. 측정 시퀀스에 대해서는 전자 사진 감광체를 컨덴서라 간주하고, 컨덴서 모델의 시퀀스로 하였다.
이 측정은 도 5에 나타낸 바와 같이 진행된다.
구체적으로는, 우선 전자 사진 감광체의 이력을 제거하기 위해서 노광광(상 노광광) 및 전노광광을 전자 사진 감광체에 조사하고, 10 밀리초 후에 소정의 인가 전압(Va)을 전자 사진 감광체에 인가한다. 다음에, 20 밀리초 후에 전위(Vd+Vc)를 측정하고, 측정 후에 전자 사진 감광체의 전위를 접지로 떨어뜨린다. 다음에, 계측기에 삽입되어 있는 컨덴서의 분담 전위(Vc)를 측정하고, 이들 결과로부터 구한 표면 전위(Vd)를 전자 사진 감광체의 전위로 하였다.
또한, 표면 전위(Vd)가 -700 V가 된 20 밀리초 후, 할로겐 광을 파장 403 nm의 간섭 필터로 분광한 (상 노광 파장) 광을 100 밀리초간 조사하고, 395 밀리초 후에 표면 전위를 측정한다. 광 감도(Δ500)는 표면 전위(Vd)가 노광(상 노광)에 의해 -200 V가 될 때의 광량(cJ/m2)으로부터 구하였다. 또한, 1,600 Lux의 할로겐 광(전노광광)을 100 밀리초 조사 후의 500 밀리초 후의 표면 전위를 잔류 전위로 하였다.
(광 메모리성 평가)
전자 사진 감광체의 암부 전위(VD)를 -700 V, 파장 403 nm의 간섭 필터로 분광한 빛에서의 명부 전위(VL)를 -200 V로 설정하였다. 다음에, 전자 사진 감광체의 일부에 1,500 Lux의 형광등 빛을 5 분 조사하고, 3 분간 암소에서 방치하였다. 그 후, 재차 전자 사진 감광체의 암부 전위(VD) 및 명부 전위(VL)를 측정하고, 광 메모리로서 비조사부와 조사부의 VD차(ΔVDPM) 및 비조사부와 조사부의 VL차(ΔVLPM)를 측정하였다.
(도공성 평가)
실시예 및 비교예에서 각각 제조한 전하 발생층용 도포액의 도공성 평가는 도공면의 외관을 육안에 의해 평가하였다.
(분산 안정성 평가)
실시예 및 비교예에서 각각 제조한 초기 전하 발생층용 도포액 중의 전하 발생 물질의 입경을 원심 침강식 입도 분포 측정 장치 CAPA-700((주)호리바 세이사꾸쇼 제조)에 의해 측정하였다. 그 후, 정치 보관으로 3 개월 후의 분산 상태를 육안으로 평가 및 전하 발생 물질의 입경을 동일하게 측정하여 평가하였다.
이상의 결과를 표 1에 나타낸다.
(실기 평가)
전자 사진 감광체 (1)을 캐논(주) 제조 복사기 GP-40의 개조기(광원을 405 nm의 반도체 레이저(블루 레이저)로 변경하고, 전노광을 할로겐 램프로 변경함)를 이용하여 내구 전위 특성을 평가하였다. 전위 측정은, 복사기 본체로부터 현상기 유닛을 제거하고, 대신에 전위 측정용 프로브를 현상 위치에 고정시킴으로써 행하였다. 그 때, 전사 유닛은 전자 사진 감광체에 비접촉으로 하고, 또한 종이는 비통지(非通紙)로 하였다.
23 ℃/50 ％RH의 상온 상습 환경(N/N)하에서 암부 전위(VD)가 -700 V, 명부 전위(VL)가 -200 V가 되도록 대전 설정 및 상 노광량을 조정하였다. 또한, 전노광은 -700 V의 표면 전위를 -200 V로 감쇠시키는 할로겐 광량의 2배 광량이 되도록 전노광량을 조정하였다. 그 후, 연속 2,000 회전의 VL 내구(전체 화면 흑 화상 모드에서의 내구 시험)를 행하고, 2,000 회전째의 명부 전위를 측정하였다. 초기와 2,000 회전째의 VL차를 「2,000회 내구 후 변동값」으로 하였다.
또한, 전자 사진 감광체 (1)을 평가기와 함께 23 ℃/5 ％RH의 상온 저습 환경(N/L)하에서 3 일간 방치하였다. 그 후, 동일한 환경(N/L)하에서 암부 전위(VD)가 -700 V, 명부 전위(VL)가 -200 V가 되도록 대전 설정 및 상 노광량을 조정하였다. 또한, 전노광은 -700 V의 표면 전위를 -200 V로 감쇠시키는 할로겐 광량의 2배 광량이 되도록 전노광량을 조정하였다. 그 후, 연속 2,000 회전의 VL 내구를 행하고, 2,000 회전째의 명부 전위를 측정하였다. 초기와 2,000 회전째의 VL차를 「2,000회 내구 후 변동값」으로 하였다.
또한, 전자 사진 감광체 (1)을 평가기와 함께 30 ℃/80 ％RH의 고온 고습 환경(H/H)하에서 3 일간 방치하였다. 그 후, 동일한 환경(H/H)하에서 암부 전위(VD) 를 -700 V, 명부 전위(VL)가 -200 V가 되도록 대전 설정 및 상 노광량을 조정하였다. 또한, 전노광은 -700 V의 표면 전위를 -200 V로 감쇠시키는 할로겐 광량의 2배 광량이 되도록 전노광량을 조정하였다. 그 후, 연속 2,000 회전의 VL 내구를 행하고, 2,000 회전째의 명부 전위를 측정하였다. 초기와 2,000 회전째의 VL차를 「2,000회 내구 후 변동값」으로 하였다.
이상의 결과를 표 2에 나타낸다.
(실시예 2)
실시예 1에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 합성예 2에서 얻어진 예시 수지(3)으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 전자 사진 감광체 2를 제조하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(실시예 3)
실시예 1에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 합성예 3에서 얻어진 예시 수지(7)로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 전자 사진 감광체 3을 제조하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(실시예 4)
실시예 1에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 합성예 4에서 얻어진 예시 수지(10)으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 전자 사진 감광체 4를 제조하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(실시예 11)
실시예 1에 있어서 전하 발생층에 이용한 CuKα 특성 X선 회절의 브래그각 2θ±0.2°의 7.5° 및 28.3°에 강한 피크를 갖는 히드록시갈륨프탈로시아닌 결정을 CuKα 특성 X선 회절의 브래그각 2θ±0.2°의 9.0° 및 27.1°에 강한 피크를 갖는 옥시티타늄프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 전자 사진 감광체 11을 제조하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(실시예 21)
실시예 1과 동일하게 하여 지지체(알루미늄 실린더) 상에 도전층(간섭 무늬 방지층) 및 언더코팅층(중간층)을 형성하였다.
다음에, 하기 구조식(CGM-1)로 표시되는 아조 화합물(전하 발생 물질)
Figure 112008048413743-pct00019
10 부 및 시클로헥사논 200 부를, 직경 0.8 mm의 유리 비드 300 부를 이용한 샌드 밀 장치에서 20 시간 분산시킨 후, 합성예 1에서 얻어진 예시 수지(1) 5 부를 시클로헥사논 50 부에 용해시킨 용액을 첨가하였다. 또한, 이것을 상기 샌드 밀 장치에서 3 시간 더 분산시킨 후, 시클로헥사논 150 부 및 2-부타논 350 부를 첨가하여 전하 발생층용 도포액을 제조하였다.
이 전하 발생층용 도포액을 언더코팅층(중간층) 상에 침지 도포하고, 이것을 10 분간 80 ℃에서 건조시킴으로써 막 두께가 0.20 ㎛인 전하 발생층을 형성하였다.
다음에, 실시예 1과 동일하게 하여 전하 발생층 상에 전하 수송층을 형성하였다.
이와 같이 하여 전자 사진 감광체 21을 제조하였다.
얻어진 전자 사진 감광체 21을 실시예 1과 동일하게 하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(실시예 22)
실시예 21에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 합성예 2에서 얻어진 예시 수지(3)으로 변경한 것 이외에는, 실시예 21과 동일하게 하여 전자 사진 감광체 22를 제조하고, 실시예 1과 동일하게 하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(실시예 23)
실시예 21에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 합성예 3에서 얻어진 예시 수지(7)로 변경한 것 이외에는, 실시예 21과 동일하게 하여 전자 사진 감광체 23을 제조하고, 실시예 1과 동일하게 하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(실시예 24)
실시예 21에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 합성예 4에서 얻어진 예시 수지(10)으로 변경한 것 이외에는, 실시예 21과 동일하게 하여 전자 사진 감광체 24를 제조하고, 실시예 1과 동일하게 하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(실시예 31)
실시예 21에 있어서 전하 발생층에 이용한 상기 구조식(CGM-1)로 표시되는 아조 화합물을, 하기 구조식(CGM-2)로 표시되는 아조 화합물, 하기 구조식(CGM-3)으로 표시되는 아조 화합물, 하기 구조식(CGM-4)로 표시되는 아조 화합물 및 하기 구조식(CGM-5)로 표시되는 아조 화합물의 4종 혼합물로 변경한 것 이외에는, 실시예 21과 동일하게 하여 전자 사진 감광체 31을 제조하고, 실시예 1과 동일하게 하여 평가하였다.
Figure 112008048413743-pct00020
Figure 112008048413743-pct00021
(실시예 32)
실시예 31에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 합성예 2에서 얻어진 예시 수지(3)으로 변경한 것 이외에는, 실시예 31과 동일하게 하여 전자 사진 감광체 32를 제조하고, 실시예 1과 동일하게 하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(실시예 33)
실시예 31에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 합성예 3에서 얻어진 예시 수지(7)로 변경한 것 이외에는, 실시예 31과 동일하게 하여 전자 사진 감광체 33을 제조하고, 실시예 1과 동일하게 하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(실시예 34)
실시예 31에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 합성예 4에서 얻어진 예시 수지(10)으로 변경한 것 이외에는, 실시예 31과 동일하게 하여 전자 사진 감광체 34를 제조하고, 실시예 1과 동일하게 하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(비교예 1)
실시예 1에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 폴리비닐부티랄 수지(상품명: 에스렉(S-REC) BX-1, 세끼스이 가가꾸 고교(주) 제조)로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 비교 전자 사진 감광체 1을 제조하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(비교예 2)
실시예 1에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 비교 합성예 1에서 얻어진 비교 수지(A)로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 비교 전자 사진 감광체 2를 제조하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(비교예 3)
실시예 1에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 비교 합성예 2에서 얻어진 비교 수지(B)로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 비교 전자 사진 감광체 3을 제조하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(비교예 4)
실시예 1에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 하기 구조식으로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 비교 수지(C)로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 비교 전자 사진 감광체 4를 제조하여 평가하였다.
Figure 112008048413743-pct00022
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(비교예 5)
실시예 1에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 하기 구조식으로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 비교 수지(D)로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 비교 전자 사진 감광체 5를 제조하여 평가하였다.
Figure 112008048413743-pct00023
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(비교예 11)
실시예 11에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 폴리비닐부티랄 수지(상품명: 에스렉 BX-1, 세끼스이 가가꾸 고교(주) 제조)로 변경한 것 이외에는, 실시예 11과 동일하게 하여 비교 전자 사진 감광체 11을 제조하고, 실시예 1과 동일하게 하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(비교예 21)
실시예 21에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 폴리비닐부티랄 수지(상품명: 에스렉 BX-1, 세끼스이 가가꾸 고교(주) 제조)로 변경한 것 이외에는, 실시예 21과 동일하게 하여 비교 전자 사진 감광체 21을 제조하고, 실시예 1과 동일하게 하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(비교예 22)
실시예 21에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 비교 합성예 1에 서 얻어진 비교 수지(A)로 변경한 것 이외에는, 실시예 21과 동일하게 하여 비교 전자 사진 감광체 22를 제조하고, 실시예 1과 동일하게 하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(비교예 23)
실시예 21에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 비교 합성예 2에서 얻어진 비교 수지(B)로 변경한 것 이외에는, 실시예 21과 동일하게 하여 비교 전자 사진 감광체 23을 제조하고, 실시예 1과 동일하게 하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(비교예 24)
실시예 21에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 상기 비교 수지(C)로 변경한 것 이외에는, 실시예 21과 동일하게 하여 비교 전자 사진 감광체 24를 제조하고, 실시예 1과 동일하게 하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(비교예 25)
실시예 21에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 상기 비교 수지(D)로 변경한 것 이외에는, 실시예 21과 동일하게 하여 비교 전자 사진 감광체 25를 제조하고, 실시예 1과 동일하게 하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(비교예 31)
실시예 31에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 폴리비닐부티랄 수지(상품명: 에스렉 BX-1, 세끼스이 가가꾸 고교(주) 제조)로 변경한 것 이외에는, 실시예 31과 동일하게 하여 비교 전자 사진 감광체 31을 제조하고, 실시예 1과 동일하게 하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(비교예 32)
실시예 31에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 비교 합성예 2에서 얻어진 비교 수지(B)로 변경한 것 이외에는, 실시예 31과 동일하게 하여 비교 전자 사진 감광체 32를 제조하고, 실시예 1과 동일하게 하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(비교예 33)
실시예 31에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 상기 비교 수지(C)로 변경한 것 이외에는, 실시예 31과 동일하게 하여 비교 전자 사진 감광체 33을 제조하고, 실시예 1과 동일하게 하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
(비교예 34)
실시예 31에 있어서 전하 발생층에 이용한 예시 수지(1)을 상기 비교 수지(D)로 변경한 것 이외에는, 실시예 31과 동일하게 하여 비교 전자 사진 감광체 34를 제조하고, 실시예 1과 동일하게 하여 평가하였다.
결과를 표 1 및 2에 나타낸다.
Figure 112008048413743-pct00024
Figure 112008048413743-pct00025
표 2 중의 「2000회 내구 후 변동값」의 부호가 +인 경우에는 명부 전위가 상승한 것을 의미하고, -인 경우에는 명부 전위가 저하된 것을 의미한다. 예를 들면, 비교예 34의 N/L의 경우, 연속 2000 회전의 VL 내구 후, 명부 전위는 -200-(-35)=-165[V]이다.
본 발명은 예시적인 실시 형태를 참조로 하여 기재되지만, 개시된 예시적인 실시 형태에 한정되지 않는 것으로 이해해야 한다. 이하 청구의 범위의 범주는 이러한 모든 변형 및 등가의 구조 및 기능을 포함하도록 최대한 넓게 해석되어야 한다.
본 출원서는 2005년 12월 7일 출원된 일본 특허 출원 제2005-353490호로부터의 우선권을 주장하며, 그 내용을 인용하여 본 출원의 일부로 한다.

Claims (10)

  1. 지지체 및 상기 지지체 상에 설치된 감광층을 가지며, 상기 감광층이 전하 발생 물질을 함유하는 전하 발생층 및 전하 수송 물질을 함유하는 전하 수송층을 갖는 적층형 감광층을 포함하고, 상기 전하 발생층이 하기 화학식 1로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 폴리비닐아세탈 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체.
    <화학식 1>
    Figure 112010059263819-pct00026
    (식 중, X11은 에틸렌기를 나타내고, R11, R12, R13 및 R14는 수소 원자를 나타내며, Ar11 및 Ar12는 각각 독립적으로 1개 이상의 메틸기 또는 메톡시기로 치환된 페닐기를 나타낸다.)
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 감광층이 CuKα 특성 X선 회절에서의 브래그(Bragg)각 7.4°± 0.3° 및 28.2°± 0.3°에 강한 피크를 갖는 갈륨프탈로시아닌 결정을 함유하는 전자 사진 감광체.
  5. 제1항에 있어서, 상기 감광층이 CuKα 특성 X선 회절에서의 브래그각 27.2°± 0.3°에 강한 피크를 갖는 옥시티타늄프탈로시아닌 결정을 함유하는 전자 사진 감광체.
  6. 제1항에 있어서, 상기 감광층이 하기 화학식 2로 표시되는 아조 화합물을 함유하는 전자 사진 감광체.
    <화학식 2>
    Figure 112010059263819-pct00027
    (식 중, Ar21 및 Ar22는 각각 독립적으로 요오드 원자 또는 트리플루오로메틸기로 치환된 페닐기를 나타내고, X21은 비닐렌기 또는 p-페닐렌기를 나타내며, n은 0 또는 1을 나타낸다.)
  7. 제1항 및 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 전자 사진 감광체와, 대전 수단, 현상 수단, 전사 수단 및 클리닝 수단으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1개 이상의 수단을 일체로 지지하고, 전자 사진 장치 본체에 착탈이 자유로운 공정 카트리지.
  8. 제1항 및 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 전자 사진 감광체, 대전 수단, 노광 수단, 현상 수단 및 전사 수단을 갖는 전자 사진 장치.
  9. 삭제
  10. 삭제
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