JP3097289B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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Description
【０００１】
【産業上に利用分野】本発明は、導電性支持体上に感光
層を有する電子写真感光体に関するものである。さらに
詳しくは、電荷発生材料および電荷輸送材料として、特
定の化合物を含有する電子写真感光体に関するものであ
る。
層を有する電子写真感光体に関するものである。さらに
詳しくは、電荷発生材料および電荷輸送材料として、特
定の化合物を含有する電子写真感光体に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】フタロシアニンは、塗料、印刷インキ、
触媒或いは電子材料として有用な材料であり、特に近年
は、電子写真感光材料、光記録用材料および光電変換材
料として広範に検討がなされている。一般に、フタロシ
アニン化合物は、製造方法、処理方法の違いにより、多
数の結晶型を示すことが知られており、この結晶型の違
いは、フタロシアニンの光電変換特性に大きな影響を及
ぼすことが知られている。フタロシアニン化合物の結晶
型については、例えば、銅フタロシアニンについてみる
と、安定系のβ型以外に、α、π、ｘ、ρ、γ、δ等の
結晶型が知られている。銅フタロシアニン以外について
も、メタルフリーフタロシアニン、ヒドロキシガリウム
フタロシアニン、クロルアルミニウムフタロシアニン、
クロルインジウムフタロシアニン等について、種々の結
晶型のものを電子写真感光体に用いることが提案されて
いる。また、本発明者等は、種々のフタロシアニンの結
晶型と電子写真特性との関係について検討を行い、ヒド
ロキシガリウムフタロシアニンについて５種の結晶型を
見出し、特開平３−１２２８１４号公報において、それ
らが電子写真感光材料として優れていることを開示し
た。その他、ヒドロキシガリウムフタロシアニンについ
ては、特開平１−２２１４５９号公報に、アシッドペー
スティング法によって得られるものが示されている。
触媒或いは電子材料として有用な材料であり、特に近年
は、電子写真感光材料、光記録用材料および光電変換材
料として広範に検討がなされている。一般に、フタロシ
アニン化合物は、製造方法、処理方法の違いにより、多
数の結晶型を示すことが知られており、この結晶型の違
いは、フタロシアニンの光電変換特性に大きな影響を及
ぼすことが知られている。フタロシアニン化合物の結晶
型については、例えば、銅フタロシアニンについてみる
と、安定系のβ型以外に、α、π、ｘ、ρ、γ、δ等の
結晶型が知られている。銅フタロシアニン以外について
も、メタルフリーフタロシアニン、ヒドロキシガリウム
フタロシアニン、クロルアルミニウムフタロシアニン、
クロルインジウムフタロシアニン等について、種々の結
晶型のものを電子写真感光体に用いることが提案されて
いる。また、本発明者等は、種々のフタロシアニンの結
晶型と電子写真特性との関係について検討を行い、ヒド
ロキシガリウムフタロシアニンについて５種の結晶型を
見出し、特開平３−１２２８１４号公報において、それ
らが電子写真感光材料として優れていることを開示し
た。その他、ヒドロキシガリウムフタロシアニンについ
ては、特開平１−２２１４５９号公報に、アシッドペー
スティング法によって得られるものが示されている。
【０００３】他方、電子写真感光体において、電荷輸送
材料についても従来から種々のものが提案されており、
例えば、特開昭５１−９３２２４号、特開平３−１５８
８６２号、同３−１９２２６２号、同３−２００７５０
号、同３−２０３７３９号同３−２０８０５７号公報に
は、後記する一般式（Ｉ）で示されるトリアリールアミ
ン化合物が記載され、特開昭５５−５９４８３号、同５
７−１９５２５４号、特開平２−１７８６６８号、同２
−１９０８６２号、同３−１０１７３９号、同３−１２
７７６５号公報には、後記する一般式（II）で示される
トリアリールアミン化合物が記載され、特開昭５８−１
９８４２５、同５９−２１６８５３号、同６０−９８４
３７号、同６１−３２０６２号、同６３−２２５６６０
号公報には、後記する一般式（III ）で示されるスチル
ベン化合物が記載され、また、特開昭６３−３１４５５
４号、特開平１−２７９２５３号公報には、後記する一
般式（IV）で示されるエチレン誘導体が記載され、それ
ら化合物の合成法も知られている。
材料についても従来から種々のものが提案されており、
例えば、特開昭５１−９３２２４号、特開平３−１５８
８６２号、同３−１９２２６２号、同３−２００７５０
号、同３−２０３７３９号同３−２０８０５７号公報に
は、後記する一般式（Ｉ）で示されるトリアリールアミ
ン化合物が記載され、特開昭５５−５９４８３号、同５
７−１９５２５４号、特開平２−１７８６６８号、同２
−１９０８６２号、同３−１０１７３９号、同３−１２
７７６５号公報には、後記する一般式（II）で示される
トリアリールアミン化合物が記載され、特開昭５８−１
９８４２５、同５９−２１６８５３号、同６０−９８４
３７号、同６１−３２０６２号、同６３−２２５６６０
号公報には、後記する一般式（III ）で示されるスチル
ベン化合物が記載され、また、特開昭６３−３１４５５
４号、特開平１−２７９２５３号公報には、後記する一
般式（IV）で示されるエチレン誘導体が記載され、それ
ら化合物の合成法も知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、電子写真感
光体において、高感度かつ繰り返し安定性に優れた電子
写真特性を得るためには、１）電荷発生材料が吸収した
光に対して効率よく電荷を発生すること、２）発生した
電荷が電荷発生材料から電荷輸送材料にスムーズに注入
されること、３）化学的、光化学的に安定であること、
４）電荷輸送材料に注入した電荷が電荷輸送層中を高速
で移動できること、等が必要とされる。つまり、１），
３）および４）の条件を満たすような効率よく電荷を発
生する電荷発生材料や、電荷を高速で移動できる電荷輸
送材料が各々存在しても、２）の条件を満足するような
電荷発生材料と電荷輸送材料の組合せでなければ、高感
度、かつ繰り返し安定性に優れた電子写真感光特性を得
ることはできない。また、電子写真感光体を実用化する
ためには、上記の条件を満足するものであって、感度、
受容電位、電位保持性、電位安定性、残留電位、分光特
性等の電子写真特性、耐磨耗性等の機械的耐久性、熱、
光、放電生成物等に対する化学的安定性など、全ての点
において満足される材料を選択しなければならない。し
かしながら、これら全ての点を満足するような材料の組
合せを選択することは非常に困難なことであり、従来提
案されている電荷発生材料および電荷輸送材料の組合せ
について、上記条件を十分満足するものは得られていな
い。本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたもの
であって、その目的は、特定の電荷発生材料と、特定の
電荷輸送材料を用いて、半導体レーザー用の近赤外光に
対し、非常に高感度で、画質に優れ、かつ繰り返し安定
性に優れた電子写真感光体を提供することにある。
光体において、高感度かつ繰り返し安定性に優れた電子
写真特性を得るためには、１）電荷発生材料が吸収した
光に対して効率よく電荷を発生すること、２）発生した
電荷が電荷発生材料から電荷輸送材料にスムーズに注入
されること、３）化学的、光化学的に安定であること、
４）電荷輸送材料に注入した電荷が電荷輸送層中を高速
で移動できること、等が必要とされる。つまり、１），
３）および４）の条件を満たすような効率よく電荷を発
生する電荷発生材料や、電荷を高速で移動できる電荷輸
送材料が各々存在しても、２）の条件を満足するような
電荷発生材料と電荷輸送材料の組合せでなければ、高感
度、かつ繰り返し安定性に優れた電子写真感光特性を得
ることはできない。また、電子写真感光体を実用化する
ためには、上記の条件を満足するものであって、感度、
受容電位、電位保持性、電位安定性、残留電位、分光特
性等の電子写真特性、耐磨耗性等の機械的耐久性、熱、
光、放電生成物等に対する化学的安定性など、全ての点
において満足される材料を選択しなければならない。し
かしながら、これら全ての点を満足するような材料の組
合せを選択することは非常に困難なことであり、従来提
案されている電荷発生材料および電荷輸送材料の組合せ
について、上記条件を十分満足するものは得られていな
い。本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたもの
であって、その目的は、特定の電荷発生材料と、特定の
電荷輸送材料を用いて、半導体レーザー用の近赤外光に
対し、非常に高感度で、画質に優れ、かつ繰り返し安定
性に優れた電子写真感光体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、導電性支持体
上に感光層を有する電子写真感光体において、感光層が
電荷発生材料として、ヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン結晶を用い、電荷輸送材料として、下記一般式
（Ｉ）、（II）、（III ）または（IV）で示される化合
物を用いることを特徴とする。
上に感光層を有する電子写真感光体において、感光層が
電荷発生材料として、ヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン結晶を用い、電荷輸送材料として、下記一般式
（Ｉ）、（II）、（III ）または（IV）で示される化合
物を用いることを特徴とする。
【化５】 （式中、Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ水素原子、アルキ
ル基またはアリール基を表わし、Ｘは−（Ｃ（ＣＨ3 ）
2 −、−（ＣＨ2 ）ｍ−（ただし、ｍは１〜５の整
数）、−（ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）ｍ（ただしｍは、１〜５の
整数）、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ（ＣＨ2 ）2 −、−Ｃ
Ｏ（ＣＨ2 ）3 −、シクロベンジリデン基またはシクロ
ヘキシリデン基を表わす。）
ル基またはアリール基を表わし、Ｘは−（Ｃ（ＣＨ3 ）
2 −、−（ＣＨ2 ）ｍ−（ただし、ｍは１〜５の整
数）、−（ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）ｍ（ただしｍは、１〜５の
整数）、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ（ＣＨ2 ）2 −、−Ｃ
Ｏ（ＣＨ2 ）3 −、シクロベンジリデン基またはシクロ
ヘキシリデン基を表わす。）
【化６】 （式中、Ｒ3 、Ｒ4 およびＲ5 は、それぞれ水素原子、
アルキル基、置換または未置換のアリール基またはアラ
ルキル基を表わす。）
アルキル基、置換または未置換のアリール基またはアラ
ルキル基を表わす。）
【化７】 （式中、Ｒ6 およびＲ7 は、それぞれ水素原子、ハロゲ
ン原子、アルキル基、置換または未置換のアリール基を
表わし、Ｒ8 およびＲ9 は、それぞれ水素原子、アルキ
ル基、置換または未置換のアリール基を表わすか、また
はＲ8 とＲ9 が結合して縮合炭素環を形成する原子団を
表わす。）
ン原子、アルキル基、置換または未置換のアリール基を
表わし、Ｒ8 およびＲ9 は、それぞれ水素原子、アルキ
ル基、置換または未置換のアリール基を表わすか、また
はＲ8 とＲ9 が結合して縮合炭素環を形成する原子団を
表わす。）
【化８】 （Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12およびＲ13は、それぞれ水素原子、
アルキル基、置換アミノ基またはアリール基を表わし、
ｎは０または１である。）
アルキル基、置換アミノ基またはアリール基を表わし、
ｎは０または１である。）
【０００６】本発明におけるヒドロキシガリウムフタロ
シアニン結晶としては、Ｘ線回折スペクトルにおいて、 １）ブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．７°，１
６．５°，２５．１°および２６．６°に強い回折ピー
クを有する結晶型、 ２）ブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．９°，１
６．５°，２４．４°および２７．６°に強い回折ピー
クを有する結晶型、 ３）ブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．０°，７．
５°，１０．５°，１１．７°，１２．７°，１７．３
°，１８．１°，２４．５°，２６．２°および２７．
１°に強い回折ピークを有する結晶型、 ４）ブラッグ角度（２θ±０．２°）が７．５°，９．
９°，１２．５°，１６．３°，１８．６°，２５．１
°および２８．３°に強い回折ピークを有する結晶型、
および ５）ブラッグ角度（２θ±０．２°）の６．８°，１
２．８°，１５．８°および２６．０°に強い回折ピー
クを有する結晶型が好ましいものとして使用される。
シアニン結晶としては、Ｘ線回折スペクトルにおいて、 １）ブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．７°，１
６．５°，２５．１°および２６．６°に強い回折ピー
クを有する結晶型、 ２）ブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．９°，１
６．５°，２４．４°および２７．６°に強い回折ピー
クを有する結晶型、 ３）ブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．０°，７．
５°，１０．５°，１１．７°，１２．７°，１７．３
°，１８．１°，２４．５°，２６．２°および２７．
１°に強い回折ピークを有する結晶型、 ４）ブラッグ角度（２θ±０．２°）が７．５°，９．
９°，１２．５°，１６．３°，１８．６°，２５．１
°および２８．３°に強い回折ピークを有する結晶型、
および ５）ブラッグ角度（２θ±０．２°）の６．８°，１
２．８°，１５．８°および２６．０°に強い回折ピー
クを有する結晶型が好ましいものとして使用される。
【０００７】以下、本発明の電子写真感光体を構成する
各層について詳細に説明する。図９ないし図１４は、本
発明の電子写真感光体の模式的断面図である。図９〜図
１２は、感光層が積層構造の場合を示すものであって、
導電性支持体３上に電荷発生層１が設けられ、その上に
電荷輸送層２が設けられている。図１０においては、さ
らに導電性支持体３上に下引き層４が設けられており、
また図１１においては、表面に保護層５が設けられてい
る。また、図１２においては、下引き層４と保護層５の
両者が設けられている。図１３および図１４は、感光層
が単層構成の場合を示すものであって、導電性支持体３
上に光導電層６が設けられており、図１４においては、
さらに下引き層４が設けられている。
各層について詳細に説明する。図９ないし図１４は、本
発明の電子写真感光体の模式的断面図である。図９〜図
１２は、感光層が積層構造の場合を示すものであって、
導電性支持体３上に電荷発生層１が設けられ、その上に
電荷輸送層２が設けられている。図１０においては、さ
らに導電性支持体３上に下引き層４が設けられており、
また図１１においては、表面に保護層５が設けられてい
る。また、図１２においては、下引き層４と保護層５の
両者が設けられている。図１３および図１４は、感光層
が単層構成の場合を示すものであって、導電性支持体３
上に光導電層６が設けられており、図１４においては、
さらに下引き層４が設けられている。
【０００８】以下においては、感光層が積層構造の場合
について主として説明する。導電性支持体としては、ア
ルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼等の金属
類、およびアルミニウム、チタニウム、ニッケル、クロ
ム、ステンレス鋼、金、バナジウム、酸化錫、酸化イン
ジウム、ＩＴＯ等の薄膜を設けたプラスチックフィルム
等或いは導電性付与剤を塗布、または含浸させた紙、お
よびプラスチックフィルムがあげられる。これらの導電
性支持体は、ドラム状、シート状、プレート状等、適宜
の形状のものとして使用されるが、それらに限定される
ものではない。さらに必要に応じて、導電性支持体の表
面は、画質に影響のない範囲で各種の処理を行うことが
できる。例えば、表面の酸化処理や薬品処理、および着
色処理等、または砂目立て等の乱反射処理等を行うこと
ができる。また、導電性支持体と電荷発生層の間にさら
に下引き層を設けてもよい。この下引き層は、感光層の
帯電時において、導電性支持体から感光層への電荷の注
入を阻止するとともに、感光層を導電性支持体に対し
て、一体的に接着保持させる接着層としての作用、或い
は場合によっては導電性支持体の光の反射防止作用等を
示す。この下引き層に用いる結着樹脂は、ポリエチレン
樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル
樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレ
タン樹脂、ポリイミド樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリ
ビニルアセタール樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、ポリビニルアルコール樹脂、水溶性ポリエステル樹
脂、ニトロセルロース、カゼイン、ゼラチン、ポリグル
タミン酸、澱粉、スターチアセテート、アミノ澱粉、ポ
リアクリル酸、ポリアクリルアミド、ジルコニウムキレ
ート化合物、チタニルキレート化合物、チタニルアルコ
キシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリ
ング剤等の公知の材料を用いることができる。また、下
引き層の厚みは、０．０１〜１０μｍ、好ましくは０．
０５〜２μｍの範囲が適当である。
について主として説明する。導電性支持体としては、ア
ルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼等の金属
類、およびアルミニウム、チタニウム、ニッケル、クロ
ム、ステンレス鋼、金、バナジウム、酸化錫、酸化イン
ジウム、ＩＴＯ等の薄膜を設けたプラスチックフィルム
等或いは導電性付与剤を塗布、または含浸させた紙、お
よびプラスチックフィルムがあげられる。これらの導電
性支持体は、ドラム状、シート状、プレート状等、適宜
の形状のものとして使用されるが、それらに限定される
ものではない。さらに必要に応じて、導電性支持体の表
面は、画質に影響のない範囲で各種の処理を行うことが
できる。例えば、表面の酸化処理や薬品処理、および着
色処理等、または砂目立て等の乱反射処理等を行うこと
ができる。また、導電性支持体と電荷発生層の間にさら
に下引き層を設けてもよい。この下引き層は、感光層の
帯電時において、導電性支持体から感光層への電荷の注
入を阻止するとともに、感光層を導電性支持体に対し
て、一体的に接着保持させる接着層としての作用、或い
は場合によっては導電性支持体の光の反射防止作用等を
示す。この下引き層に用いる結着樹脂は、ポリエチレン
樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル
樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレ
タン樹脂、ポリイミド樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリ
ビニルアセタール樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、ポリビニルアルコール樹脂、水溶性ポリエステル樹
脂、ニトロセルロース、カゼイン、ゼラチン、ポリグル
タミン酸、澱粉、スターチアセテート、アミノ澱粉、ポ
リアクリル酸、ポリアクリルアミド、ジルコニウムキレ
ート化合物、チタニルキレート化合物、チタニルアルコ
キシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリ
ング剤等の公知の材料を用いることができる。また、下
引き層の厚みは、０．０１〜１０μｍ、好ましくは０．
０５〜２μｍの範囲が適当である。
【０００９】電荷発生層は、電荷発生材料を結着樹脂に
分散させてなるものであり、電荷発生材料としては、ヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶が使用されるが、
上記した結晶型、すなわち、Ｘ線回折スペクトルにおい
て、１）ブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．７°，
１６．５°，２５．１°および２６．６°に強い回折ピ
ークを有するもの、２）ブラッグ角度（２θ±０．２
°）の７．９°，１６．５°，２４．４°および２７．
６°に強い回折ピークを有するもの、３）ブラッグ角度
（２θ±０．２°）の７．０°，７．５°，１０．５
°，１１．７°，１２．７°，１７．３°，１８．１
°，２４．５°，２６．２°および２７．１°に強い回
折ピークを有するもの、４）ブラッグ角度（２θ±０．
２°）が７．５°，９．９°，１２．５°，１６．３
°，１８．６°，２５．１°および２８．３°に強い回
折ピークを有するもの、および５）ブラッグ角度（２θ
±０．２°）の６．８°，１２．８°，１５．８°およ
び２６．０°に強い回折ピークを有するものが好ましく
使用される。
分散させてなるものであり、電荷発生材料としては、ヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶が使用されるが、
上記した結晶型、すなわち、Ｘ線回折スペクトルにおい
て、１）ブラッグ角度（２θ±０．２°）の７．７°，
１６．５°，２５．１°および２６．６°に強い回折ピ
ークを有するもの、２）ブラッグ角度（２θ±０．２
°）の７．９°，１６．５°，２４．４°および２７．
６°に強い回折ピークを有するもの、３）ブラッグ角度
（２θ±０．２°）の７．０°，７．５°，１０．５
°，１１．７°，１２．７°，１７．３°，１８．１
°，２４．５°，２６．２°および２７．１°に強い回
折ピークを有するもの、４）ブラッグ角度（２θ±０．
２°）が７．５°，９．９°，１２．５°，１６．３
°，１８．６°，２５．１°および２８．３°に強い回
折ピークを有するもの、および５）ブラッグ角度（２θ
±０．２°）の６．８°，１２．８°，１５．８°およ
び２６．０°に強い回折ピークを有するものが好ましく
使用される。
【００１０】これらのものは、公知の方法で製造される
クロロガリウムフタロシアニン結晶を、酸またはアルカ
リ性溶液中で加水分解するか、またはアシッドペーステ
ィング処理を行ってヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶を合成し、直接溶剤処理を行うか、或いは、合成に
よって得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶
を溶剤と共に、ボールミル、乳鉢、サンドミル、ニーダ
ー等を用いて湿式粉砕処理を行うか、溶剤を用いずに乾
式粉砕処理を行った後に溶剤処理することによって製造
することができる。上記の処理において溶剤が使用され
る場合、溶剤としては、アミド類（ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−メチルピロリドン等）、エステル類（酢酸エチ
ル、酢酸ブチル等）、ケトン類（アセトン、メチルエチ
ルケトン等）、さらには数種の混合系、水とこれら有機
溶剤の混合系等があげられる。これらの溶剤は、ヒドロ
キシガリウムフタロシアニン１部に対して、１〜２００
部、好ましくは１０〜１００部の範囲で用いる。処理温
度は、０〜１５０℃、好ましくは室温〜１００℃の範囲
である。また、粉砕の際に、食塩、ぼう硝等の磨砕助剤
を用いることもできる。磨砕助剤は、ヒドロキシガリウ
ムフタロシアニンに対して０．５〜２０倍、好ましくは
１〜１０倍の量用いる。
クロロガリウムフタロシアニン結晶を、酸またはアルカ
リ性溶液中で加水分解するか、またはアシッドペーステ
ィング処理を行ってヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶を合成し、直接溶剤処理を行うか、或いは、合成に
よって得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶
を溶剤と共に、ボールミル、乳鉢、サンドミル、ニーダ
ー等を用いて湿式粉砕処理を行うか、溶剤を用いずに乾
式粉砕処理を行った後に溶剤処理することによって製造
することができる。上記の処理において溶剤が使用され
る場合、溶剤としては、アミド類（ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−メチルピロリドン等）、エステル類（酢酸エチ
ル、酢酸ブチル等）、ケトン類（アセトン、メチルエチ
ルケトン等）、さらには数種の混合系、水とこれら有機
溶剤の混合系等があげられる。これらの溶剤は、ヒドロ
キシガリウムフタロシアニン１部に対して、１〜２００
部、好ましくは１０〜１００部の範囲で用いる。処理温
度は、０〜１５０℃、好ましくは室温〜１００℃の範囲
である。また、粉砕の際に、食塩、ぼう硝等の磨砕助剤
を用いることもできる。磨砕助剤は、ヒドロキシガリウ
ムフタロシアニンに対して０．５〜２０倍、好ましくは
１〜１０倍の量用いる。
【００１１】結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から
選択することができる。また、ポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン等
の有機光導電性ポリマーから選択することもできる。好
ましい結着樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂、
ポリアリレート樹脂（ビスフェノールＡとフタル酸の重
縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹
脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミ
ド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウ
レタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアル
コール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等の絶縁性樹脂
をあげることができるが、これらに限定されるものでは
ない。これらの結着樹脂は、単独或いは２種以上混合し
て用いることができる。本発明において、ヒドロキシガ
リウムフタロシアニンと結着樹脂との配合比（重量比）
は、１０：１〜１：１０の範囲が好ましい。また、上記
の成分を用いて分散させる方法としては、ボールミル分
散法、アトライター分散法、サンドミル分散法等、通常
使用される方法が採用できるが、分散に際しては、前記
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の結晶型が変化
しないような条件を用いることが必要である。さらにこ
の分散の際、粒子を０．５μｍ以下、好ましくは０．３
μｍ以下、さらに好ましくは０．１５μｍ以下の粒子サ
イズにすることが有効である。また、これら分散に用い
る溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパ
ノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチル
セロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブ
チル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロ
ライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等の
有機溶剤があげられ、これらは単独或いは２種以上混合
して用いることができる。電荷発生層には、さらに公知
のアクセプターを加えることができ、それにより感度、
安定性を増大させることができる。アクセプターとして
は、例えば、ＴＮＦ、ＴｅＮＦ、ＴＣＮＥ、ベンゾキノ
ン、クロラニルなどが使用できる。電荷発生層の膜厚
は、一般的には０．１〜５μｍ、好ましくは０．２〜
２．０μｍが適当である。また、電荷発生層を設ける際
に用いる塗布方法としては、ブレードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング
法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エア
ーナイフコーティング法、カーテンコーティング法等の
通常の方法を用いることができる。
選択することができる。また、ポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン等
の有機光導電性ポリマーから選択することもできる。好
ましい結着樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂、
ポリアリレート樹脂（ビスフェノールＡとフタル酸の重
縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹
脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミ
ド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウ
レタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアル
コール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等の絶縁性樹脂
をあげることができるが、これらに限定されるものでは
ない。これらの結着樹脂は、単独或いは２種以上混合し
て用いることができる。本発明において、ヒドロキシガ
リウムフタロシアニンと結着樹脂との配合比（重量比）
は、１０：１〜１：１０の範囲が好ましい。また、上記
の成分を用いて分散させる方法としては、ボールミル分
散法、アトライター分散法、サンドミル分散法等、通常
使用される方法が採用できるが、分散に際しては、前記
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の結晶型が変化
しないような条件を用いることが必要である。さらにこ
の分散の際、粒子を０．５μｍ以下、好ましくは０．３
μｍ以下、さらに好ましくは０．１５μｍ以下の粒子サ
イズにすることが有効である。また、これら分散に用い
る溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパ
ノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチル
セロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブ
チル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロ
ライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等の
有機溶剤があげられ、これらは単独或いは２種以上混合
して用いることができる。電荷発生層には、さらに公知
のアクセプターを加えることができ、それにより感度、
安定性を増大させることができる。アクセプターとして
は、例えば、ＴＮＦ、ＴｅＮＦ、ＴＣＮＥ、ベンゾキノ
ン、クロラニルなどが使用できる。電荷発生層の膜厚
は、一般的には０．１〜５μｍ、好ましくは０．２〜
２．０μｍが適当である。また、電荷発生層を設ける際
に用いる塗布方法としては、ブレードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング
法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エア
ーナイフコーティング法、カーテンコーティング法等の
通常の方法を用いることができる。
【００１２】電荷輸送層は、電荷輸送材料を適当な結着
樹脂中に含有させて形成される。電荷輸送材料として
は、前記一般式（Ｉ）〜（IV）で示される化合物が使用
される。それらの具体例を以下の表１〜表１１に示す。
樹脂中に含有させて形成される。電荷輸送材料として
は、前記一般式（Ｉ）〜（IV）で示される化合物が使用
される。それらの具体例を以下の表１〜表１１に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【表２】
【００１５】
【表３】
【００１６】
【表４】
【００１７】
【表５】
【００１８】
【表６】
【００１９】
【表７】
【００２０】
【表８】
【００２１】
【表９】
【００２２】
【表１０】
【００２３】
【表１１】
【００２４】電荷輸送層において用いる結着樹脂として
は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタク
リル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩
化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセ
テート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニ
リデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸
ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイ
ン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッ
ド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン
−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等、
公知の樹脂を用いることができるが、これらに限定され
るものではない。これらの結着樹脂のなかでも、下記構
造式（Ｖ）〜（IX）で示される単量体単位よりなるポリ
カーボネート樹脂、およびそれら単量体単位を形成する
単量体の共重合によって得られるポリカーボネート樹脂
が好ましく、その場合、相溶性がよく均一な塗膜が得ら
れ、特に良好な特性が示される。
は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタク
リル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩
化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセ
テート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニ
リデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸
ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイ
ン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッ
ド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン
−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等、
公知の樹脂を用いることができるが、これらに限定され
るものではない。これらの結着樹脂のなかでも、下記構
造式（Ｖ）〜（IX）で示される単量体単位よりなるポリ
カーボネート樹脂、およびそれら単量体単位を形成する
単量体の共重合によって得られるポリカーボネート樹脂
が好ましく、その場合、相溶性がよく均一な塗膜が得ら
れ、特に良好な特性が示される。
【００２５】
【化９】
【００２６】上記の結着樹脂は、単独或いは２種以上混
合して用いることができる。電荷輸送材料と結着樹脂と
の配合比（重量比）は、１０：１〜１：５の範囲が好ま
しい。電荷輸送層を形成する際に用いる溶剤としては、
ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳
香族炭化水素類、アセトン、２−ブタノン等のケトン
類、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハ
ロゲン化脂肪族炭化水素類、テトラヒドロフラン、エチ
ルエーテル等の環状または直鎖状のエーテル類等、通常
使用される有機溶剤があげられ、これらは単独或いは２
種以上混合して用いることができる。電荷輸送層の膜厚
は一般には、５〜５０μｍ、好ましくは１０〜３０μｍ
の範囲に設定される。電荷輸送層を形成する際の塗布方
法としては、ブレードコーティング法、マイヤーバーコ
ーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティ
ング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティ
ング法、カーテンコーティング法等、塗布に際して通常
使用方法を用いることができる。電荷輸送層の上には、
必要に応じて保護層を設けてもよい。保護層は、感光層
の帯電時における電荷輸送層の化学的変質を防止すると
共に、感光層の機械的強度を改善する作用を示す。
合して用いることができる。電荷輸送材料と結着樹脂と
の配合比（重量比）は、１０：１〜１：５の範囲が好ま
しい。電荷輸送層を形成する際に用いる溶剤としては、
ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳
香族炭化水素類、アセトン、２−ブタノン等のケトン
類、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハ
ロゲン化脂肪族炭化水素類、テトラヒドロフラン、エチ
ルエーテル等の環状または直鎖状のエーテル類等、通常
使用される有機溶剤があげられ、これらは単独或いは２
種以上混合して用いることができる。電荷輸送層の膜厚
は一般には、５〜５０μｍ、好ましくは１０〜３０μｍ
の範囲に設定される。電荷輸送層を形成する際の塗布方
法としては、ブレードコーティング法、マイヤーバーコ
ーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティ
ング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティ
ング法、カーテンコーティング法等、塗布に際して通常
使用方法を用いることができる。電荷輸送層の上には、
必要に応じて保護層を設けてもよい。保護層は、感光層
の帯電時における電荷輸送層の化学的変質を防止すると
共に、感光層の機械的強度を改善する作用を示す。
【００２７】保護層は、導電性材料を適当な結着樹脂中
に含有させて形成される。導電性材料としては、Ｎ，
Ｎ′−ジメチルフェロセン等のメタロセン化合物、Ｎ，
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニ
ル）−［１．１′−ビフェニル］−４，４′−ジアミン
等の芳香族アミン化合物、酸化アンチモン、酸化錫、酸
化チタン、酸化インジウム、酸化錫−酸化アンチモン等
の金属酸化物等の材料を用いることができるが、これら
に限定されるものではない。また、この保護層に用いら
れる結着樹脂としては、ポリアミド樹脂、ポリウレタン
樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルケトン樹脂、ポ
リスチレン樹脂、ポリアクリルアミド樹脂等公知の樹脂
をあげられる。保護層は、その電気抵抗が１０9 〜１０
14Ω・ｃｍとなるように構成するのが好ましい。電気抵
抗が１０14Ω・ｃｍよりも高くなると、残留電位が上昇
し、カブリの多い複写物が形成されるようになり、また
１０9 Ω・ｃｍよりも低くなると画像のボケ、解像力の
低下が生じてしまう。また、保護層は、像露光に用いら
れる光の透過を実質上妨げないように構成しなければな
らない。保護層の膜厚は、０．５〜２０μｍ、好ましく
は、１〜１０μｍの範囲である。
に含有させて形成される。導電性材料としては、Ｎ，
Ｎ′−ジメチルフェロセン等のメタロセン化合物、Ｎ，
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニ
ル）−［１．１′−ビフェニル］−４，４′−ジアミン
等の芳香族アミン化合物、酸化アンチモン、酸化錫、酸
化チタン、酸化インジウム、酸化錫−酸化アンチモン等
の金属酸化物等の材料を用いることができるが、これら
に限定されるものではない。また、この保護層に用いら
れる結着樹脂としては、ポリアミド樹脂、ポリウレタン
樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリケトン樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルケトン樹脂、ポ
リスチレン樹脂、ポリアクリルアミド樹脂等公知の樹脂
をあげられる。保護層は、その電気抵抗が１０9 〜１０
14Ω・ｃｍとなるように構成するのが好ましい。電気抵
抗が１０14Ω・ｃｍよりも高くなると、残留電位が上昇
し、カブリの多い複写物が形成されるようになり、また
１０9 Ω・ｃｍよりも低くなると画像のボケ、解像力の
低下が生じてしまう。また、保護層は、像露光に用いら
れる光の透過を実質上妨げないように構成しなければな
らない。保護層の膜厚は、０．５〜２０μｍ、好ましく
は、１〜１０μｍの範囲である。
【００２８】
【実施例】以下、本発明を実施例によって説明する。 合成例１（ヒドロキシガリウムフタロシアニンの合成） １，３−ジイミノイソインドリン３０部、３塩化ガリウ
ム９．１部を、キノリン２３０部中に入れ、２００℃に
おいて３時間反応させた後、生成物を濾別し、アセト
ン、メタノールで洗浄し、次いで、湿ケーキを乾燥した
後、クロロガリウムフタロシアニン結晶２８部を得た。
得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶３部を、濃
硫酸６０部に０℃で溶解した後、得られた溶液を５℃の
蒸溜水４５０部に滴下し、結晶を再析出させた。蒸溜
水、希アンモニア水等で洗浄した後、乾燥して２．５部
のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。その
粉末Ｘ線回折図を図１に示す。この結晶を自動乳鉢にて
５．５時間粉砕し、非晶質のヒドロキシガリウムフタロ
シアニンを得た。その粉末Ｘ線回折図を図２に示す。
ム９．１部を、キノリン２３０部中に入れ、２００℃に
おいて３時間反応させた後、生成物を濾別し、アセト
ン、メタノールで洗浄し、次いで、湿ケーキを乾燥した
後、クロロガリウムフタロシアニン結晶２８部を得た。
得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶３部を、濃
硫酸６０部に０℃で溶解した後、得られた溶液を５℃の
蒸溜水４５０部に滴下し、結晶を再析出させた。蒸溜
水、希アンモニア水等で洗浄した後、乾燥して２．５部
のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。その
粉末Ｘ線回折図を図１に示す。この結晶を自動乳鉢にて
５．５時間粉砕し、非晶質のヒドロキシガリウムフタロ
シアニンを得た。その粉末Ｘ線回折図を図２に示す。
【００２９】合成例２〜５ 合成例１で得られた図１の粉末Ｘ線回折図を示すヒドロ
キシガリウムフタロシアニン結晶または図２の粉末Ｘ線
回折図を示すヒドロキシガリウムフタロシアニンの０．
５部と、下記表１２に示す溶剤１５部とを、直径１ｍｍ
のガラスビーズ３０部と共に、２４時間ミリングした
後、結晶を分離した。メタノールで洗浄した後、乾燥し
て、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。そ
の粉末Ｘ線回折図を図３〜図６に示す。参考データとし
て、合成例５で得られたヒドロキシガリウムフタロシア
ニン結晶の赤外吸収スペクトルを図７に示す。またその
元素分析値を表１３に示す。
キシガリウムフタロシアニン結晶または図２の粉末Ｘ線
回折図を示すヒドロキシガリウムフタロシアニンの０．
５部と、下記表１２に示す溶剤１５部とを、直径１ｍｍ
のガラスビーズ３０部と共に、２４時間ミリングした
後、結晶を分離した。メタノールで洗浄した後、乾燥し
て、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。そ
の粉末Ｘ線回折図を図３〜図６に示す。参考データとし
て、合成例５で得られたヒドロキシガリウムフタロシア
ニン結晶の赤外吸収スペクトルを図７に示す。またその
元素分析値を表１３に示す。
【００３０】
【表１２】
【００３１】
【表１３】
【００３２】合成例６ 合成例１で得られた図１の粉末Ｘ線回折図を示すヒドロ
キシガリウムフタロシアニン結晶０．５部をエチレング
リコール５部に加え、１００℃で７時間攪拌した後、結
晶を分離した。メタノールで洗浄した後、乾燥して、ヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。その粉末
Ｘ線回折図を図８に示す。
キシガリウムフタロシアニン結晶０．５部をエチレング
リコール５部に加え、１００℃で７時間攪拌した後、結
晶を分離した。メタノールで洗浄した後、乾燥して、ヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶を得た。その粉末
Ｘ線回折図を図８に示す。
【００３３】実施例１ アルミニウム基板上に、ジルコニウム化合物（商品名：
オルガチックスＺＣ５４０，マツモト製薬社製）１０部
およびシラン化合物（商品名：Ａ１１１０、日本ユニカ
−社製）１部と、ｉ−プロパノール４０部およびブタノ
ール２０部とからなる溶液を、浸漬コーティング法で塗
布し、１５０℃において１０分間加熱乾燥して、膜厚
０．５μｍの下引き層を形成した。次に、合成例５で得
られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶１部を、
ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−
Ｓ、積水化学社製）１部および酢酸ｎ−ブチル１００部
と混合し、ガラスビーズとともにペイントシェーカーで
１時間処理して分散した後、得られた塗布液を上記下引
き層に浸漬コーティング法で塗布し、１００℃において
１０分間加熱乾燥し、膜厚０．１５μｍの電荷発生層を
形成した。また、分散後の前記ヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の結晶型は、Ｘ線回折によって分散前の
結晶型と比較して変化していないことを確認した。次
に、前記例示化合物Ｉ−３ ２部と、前記例示構造式
（VII ）で示される単量体単位よりなるポリカーボネー
ト樹脂３部を、モノクロロベンゼン２９部に溶解し、得
られた塗布液を、電荷発生層が形成されたアルミニウム
基板上に浸漬コーティング法で塗布し、１２０℃におい
て１時間加熱乾燥し、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成
した。このようにして得られた電子写真用感光体の電子
写真特性を、静電複写試験装置（エレクトロスタティッ
クアナライザーＥＰＡ−８１００、川口電気社製）を用
いて評価した。すなわち、常温常湿（２０℃、４０％Ｒ
Ｈ）の環境下、−６ＫＶのコロナ放電を行い、帯電させ
た後、タングステンランプの光をモノクロメーターを用
いて８００ｎｍの単色光にし、感光体表面上で１μＷ／
ｃｍ2 になるように調整し、照射した。そしてその表面
電位Ｖ0 （ボルト）、半減露光量Ｅ1/2（erg/cm2 ）を
測定し、その１０ルックスの白色光を１秒間照射し、残
留電位ＶRP（ボルト）を測定した。さらに上記の帯電、
露光を１０００回繰り返した後のＶ0 、Ｅ1/2 およびＶ
RPを測定した。そしてそれらの変動量をΔＶ0 、ΔＥ1/
2およびΔＶRPで表わした。それらの結果を表１４に示
す。
オルガチックスＺＣ５４０，マツモト製薬社製）１０部
およびシラン化合物（商品名：Ａ１１１０、日本ユニカ
−社製）１部と、ｉ−プロパノール４０部およびブタノ
ール２０部とからなる溶液を、浸漬コーティング法で塗
布し、１５０℃において１０分間加熱乾燥して、膜厚
０．５μｍの下引き層を形成した。次に、合成例５で得
られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶１部を、
ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−
Ｓ、積水化学社製）１部および酢酸ｎ−ブチル１００部
と混合し、ガラスビーズとともにペイントシェーカーで
１時間処理して分散した後、得られた塗布液を上記下引
き層に浸漬コーティング法で塗布し、１００℃において
１０分間加熱乾燥し、膜厚０．１５μｍの電荷発生層を
形成した。また、分散後の前記ヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の結晶型は、Ｘ線回折によって分散前の
結晶型と比較して変化していないことを確認した。次
に、前記例示化合物Ｉ−３ ２部と、前記例示構造式
（VII ）で示される単量体単位よりなるポリカーボネー
ト樹脂３部を、モノクロロベンゼン２９部に溶解し、得
られた塗布液を、電荷発生層が形成されたアルミニウム
基板上に浸漬コーティング法で塗布し、１２０℃におい
て１時間加熱乾燥し、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成
した。このようにして得られた電子写真用感光体の電子
写真特性を、静電複写試験装置（エレクトロスタティッ
クアナライザーＥＰＡ−８１００、川口電気社製）を用
いて評価した。すなわち、常温常湿（２０℃、４０％Ｒ
Ｈ）の環境下、−６ＫＶのコロナ放電を行い、帯電させ
た後、タングステンランプの光をモノクロメーターを用
いて８００ｎｍの単色光にし、感光体表面上で１μＷ／
ｃｍ2 になるように調整し、照射した。そしてその表面
電位Ｖ0 （ボルト）、半減露光量Ｅ1/2（erg/cm2 ）を
測定し、その１０ルックスの白色光を１秒間照射し、残
留電位ＶRP（ボルト）を測定した。さらに上記の帯電、
露光を１０００回繰り返した後のＶ0 、Ｅ1/2 およびＶ
RPを測定した。そしてそれらの変動量をΔＶ0 、ΔＥ1/
2およびΔＶRPで表わした。それらの結果を表１４に示
す。
【００３４】実施例２〜２１ 実施例１における電荷輸送材料である例示化合物Ｉ−３
の代わりに、表１４〜表１５に示される電荷輸送材料を
用いた以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体
を作製し、同様の測定を行った。それらの結果を表１４
および表１５に示す。
の代わりに、表１４〜表１５に示される電荷輸送材料を
用いた以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体
を作製し、同様の測定を行った。それらの結果を表１４
および表１５に示す。
【００３５】比較例１ 実施例１における電荷輸送材料の代わりに、下記構造式
（Ｘ）で示される化合物を用いた以外は、実施例１と同
様にして、電子写真感光体を作製し、同様の測定を行っ
た。それらの結果を表１５に示す。
（Ｘ）で示される化合物を用いた以外は、実施例１と同
様にして、電子写真感光体を作製し、同様の測定を行っ
た。それらの結果を表１５に示す。
【化１０】
【００３６】比較例２ 実施例１における電荷輸送材料の代わりに、下記構造式
（XI）で示される化合物を用いた以外は、実施例１と同
様にして、電子写真感光体を作製し、同様の測定を行っ
た。それらの結果を表１５に示す。
（XI）で示される化合物を用いた以外は、実施例１と同
様にして、電子写真感光体を作製し、同様の測定を行っ
た。それらの結果を表１５に示す。
【化１１】
【００３７】比較例３ 実施例１において、電荷輸送材料としてポリビニルカル
バゾールを単独で用いた以外は、実施例１と同様にし
て、電子写真感光体を作製し、同様の測定を行った。そ
れらの結果を表１５に示す。
バゾールを単独で用いた以外は、実施例１と同様にし
て、電子写真感光体を作製し、同様の測定を行った。そ
れらの結果を表１５に示す。
【００３８】比較例４ 実施例１におけるヒドロキシガリウムフタロシアニン結
晶の代わりに、ｘ型メタルフリーフタロシアニン（ｘ−
Ｈ2 Ｐｃ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、電
子写真感光体を作製し、同様の測定を行った。それらの
結果を表１５に示す。 比較例５ 実施例１０におけるヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶の代わりに、ｘ型メタルフリーフタロシアニン（ｘ
−Ｈ2 Ｐｃ）を用いた以外は、実施例１０と同様にし
て、電子写真感光体を作製し、同様の測定を行った。そ
れらの結果を表１５に示す。 比較例６ 実施例１４におけるヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶の代わりに、ｘ型メタルフリーフタロシアニン（ｘ
−Ｈ2 Ｐｃ）を用いた以外は、実施例１４と同様にし
て、電子写真感光体を作製し、同様の測定を行った。そ
れらの結果を表１５に示す。 比較例７ 実施例１９におけるヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶の代わりに、ｘ型メタルフリーフタロシアニン（ｘ
−Ｈ2 Ｐｃ）を用いた以外は、実施例１９と同様にし
て、電子写真感光体を作製し、同様の測定を行った。そ
れらの結果を表１５に示す。
晶の代わりに、ｘ型メタルフリーフタロシアニン（ｘ−
Ｈ2 Ｐｃ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、電
子写真感光体を作製し、同様の測定を行った。それらの
結果を表１５に示す。 比較例５ 実施例１０におけるヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶の代わりに、ｘ型メタルフリーフタロシアニン（ｘ
−Ｈ2 Ｐｃ）を用いた以外は、実施例１０と同様にし
て、電子写真感光体を作製し、同様の測定を行った。そ
れらの結果を表１５に示す。 比較例６ 実施例１４におけるヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶の代わりに、ｘ型メタルフリーフタロシアニン（ｘ
−Ｈ2 Ｐｃ）を用いた以外は、実施例１４と同様にし
て、電子写真感光体を作製し、同様の測定を行った。そ
れらの結果を表１５に示す。 比較例７ 実施例１９におけるヒドロキシガリウムフタロシアニン
結晶の代わりに、ｘ型メタルフリーフタロシアニン（ｘ
−Ｈ2 Ｐｃ）を用いた以外は、実施例１９と同様にし
て、電子写真感光体を作製し、同様の測定を行った。そ
れらの結果を表１５に示す。
【００３９】
【表１４】
【００４０】
【表１５】
【００４１】
【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、電荷発生材
料および電荷輸送材料として、上記特定の組み合わせを
用いたことにより、上記実施例および比較例の比較から
も明らかなように、半導体レーザー用の近赤外光に対
し、非常に高感度で、画質に優れ、かつ繰り返し安定性
に優れている。
料および電荷輸送材料として、上記特定の組み合わせを
用いたことにより、上記実施例および比較例の比較から
も明らかなように、半導体レーザー用の近赤外光に対
し、非常に高感度で、画質に優れ、かつ繰り返し安定性
に優れている。
【図１】 合成例１で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
【図２】 合成例１で得られた非晶質ヒドロキシガリウ
ムフタロシアニンの粉末Ｘ線回折図を示す。
ムフタロシアニンの粉末Ｘ線回折図を示す。
【図３】 合成例２で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
【図４】 合成例３で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
【図５】 合成例４で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
【図６】 合成例５で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
【図７】 合成例５で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の赤外吸収スペクトル図を示す。
ロシアニン結晶の赤外吸収スペクトル図を示す。
【図８】 合成例６で得られたヒドロキシガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
ロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折図を示す。
【図９】 本発明の電子写真感光体の一例の模式的断面
図を示す。
図を示す。
【図１０】 本発明の電子写真感光体の一例の模式的断
面図を示す。
面図を示す。
【図１１】 本発明の電子写真感光体の一例の模式的断
面図を示す。
面図を示す。
【図１２】 本発明の電子写真感光体の一例の模式的断
面図を示す。
面図を示す。
【図１３】 本発明の電子写真感光体の一例の模式的断
面図を示す。
面図を示す。
【図１４】 本発明の電子写真感光体の一例の模式的断
面図を示す。
面図を示す。
１…電荷発生層、２…電荷輸送層、３…導電性支持体、
４…下引き層、５…保護層、６…光導電層。
４…下引き層、５…保護層、６…光導電層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山崎 一夫 神奈川県足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松事業所内 (72)発明者 小島 文夫 神奈川県足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松事業所内 (72)発明者 西川 雅之 神奈川県足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松事業所内 (72)発明者 五十嵐 良作 神奈川県足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松事業所内 (72)発明者 真下 清和 神奈川県足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松事業所内 (56)参考文献 特開 平４−351673（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−35463（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−221459（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−148745（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−263007（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03G 5/06 371 G03G 5/06 312 G03G 5/06 313 C09B 47/00 ＣＡＳ（ＳＴＮ)
Claims (6)
- 【請求項１】 導電性支持体上に感光層を有する電子写
真感光体において、該感光層が電荷発生材料として、ヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン結晶を用い、電荷輸送
材料として、下記一般式（Ｉ）、（II）、（III ）また
は（IV）で示される化合物を用いることを特徴とする電
子写真感光体。 【化１】 （式中、Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ水素原子、アルキ
ル基またはアリール基を表わし、Ｘは−（Ｃ（ＣＨ3 ）
2 −、−（ＣＨ2 ）ｍ−（ただし、ｍは１〜５の整
数）、−（ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）ｍ（ただしｍは、１〜５の
整数）、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ（ＣＨ2 ）2 −、−Ｃ
Ｏ（ＣＨ2 ）3 −、シクロベンジリデン基またはシクロ
ヘキシリデン基を表わす。） 【化２】 （式中、Ｒ3 、Ｒ4 およびＲ5 は、それぞれ水素原子、
アルキル基、置換または未置換のアリール基、またはア
ラルキル基を表わす。） 【化３】 （式中、Ｒ6 およびＲ7 は、それぞれ水素原子、ハロゲ
ン原子、アルキル基、置換または未置換のアリール基を
表わし、Ｒ8 およびＲ9 は、それぞれ水素原子、アルキ
ル基、置換または未置換のアリール基を表わすか、また
はＲ8 とＲ9 が結合して縮合炭素環を形成する原子団を
表わす。） 【化４】 （Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12およびＲ13は、それぞれ水素原子、
アルキル基、置換アミノ基またはアリール基を表わし、
ｎは０または１である。） - 【請求項２】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶
が、Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ
±０．２°）の７．７°，１６．５°，２５．１°およ
び２６．６°に強い回折ピークを有する結晶型であるこ
とを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体。 - 【請求項３】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶
が、Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ
±０．２°）の７．９°，１６．５°，２４．４°およ
び２７．６°に強い回折ピークを有する結晶型であるこ
とを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体。 - 【請求項４】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶
が、Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ
±０．２°）の７．０°，７．５°，１０．５°，１
１．７°，１２．７°，１７．３°，１８．１°，２
４．５°，２６．２°および２７．１°に強い回折ピー
クを有する結晶型であることを特徴とする請求項１記載
の電子写真感光体。 - 【請求項５】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶
が、Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ
±０．２°）の７．５°，９．９°，１２．５°，１
６．３°，１８．６°，２５．１°および２８．３°に
強い回折ピークを有する結晶型であることを特徴とする
請求項１記載の電子写真感光体。 - 【請求項６】 ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶
が、Ｘ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ
±０．２°）の６．８°，１２．８°，１５．８°およ
び２６．０°に強い回折ピークを有する結晶型であるこ
とを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体。
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04083032A JP3097289B2 (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 電子写真感光体 |
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| JP04083032A Expired - Fee Related JP3097289B2 (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 電子写真感光体 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1992
- 1992-03-06 JP JP04083032A patent/JP3097289B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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