KR20140099282A - 전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지, 전자 사진 장치 및 갈륨 프탈로시아닌 결정 - Google Patents

전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지, 전자 사진 장치 및 갈륨 프탈로시아닌 결정 Download PDF

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마사타카 가와하라
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다케시 무라카미
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Abstract

상온, 상습 환경 하에서 뿐만 아니라 특히 혹독한 조건으로서 저온 저습 환경 하에서 고스트 현상에 의한 더 적은 화상 결함을 갖는 화상을 출력할 수 있는, 전자 사진 감광체, 각각 전자 사진 감광체를 갖는 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치를 제공한다. 전자 사진 감광체는 지지체 및 지지체 상에 형성되는 감광층을 포함하고, 감광층은 결정 내에 특정 아민 화합물을 함유하는 갈륨 프탈로시아닌 결정을 포함한다.

Description

전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지, 전자 사진 장치 및 갈륨 프탈로시아닌 결정{ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER, PROCESS CARTRIDGE, ELECTROPHOTOGRAPHIC APPARATUS, AND GALLIUM PHTHALOCYANINE CRYSTAL}
본 발명은, 전자 사진 감광체, 각각 전자 사진 감광체를 갖는 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치 및 갈륨 프탈로시아닌 결정에 관한 것이다.
현재, 화상 노광 유닛으로서 자주 사용되어 온 반도체 레이저의 발진 파장은 장파장, 예컨대 650 내지 820 nm이다. 따라서, 이러한 장파장을 갖는 광에 대해 높은 감도를 갖는 전자 사진 감광체의 개발이 진전되어 왔다.
프탈로시아닌 안료는 이러한 장-파장 영역의 파장을 갖는 광에 대한 높은 감도를 갖는 전하-발생 물질로서 효과적이다. 특히, 옥시티타늄 프탈로시아닌 및 갈륨 프탈로시아닌은 뛰어난 감도 특성을 가지고, 그의 다양한 결정형이 지금까지 보고되어 왔다.
프탈로시아닌 안료를 사용하는 전자 사진 감광체는 뛰어난 감도 특성을 갖는다. 그러나, 전자 사진 감광체는 다음의 문제를 포함한다. 발생된 포토캐리어가 전자 사진 감광체의 감광층 상에 잔존하기 쉽고 일종의 메모리로서 기능하여 전위 변화, 예컨대 고스트 현상을 야기하기 쉽다.
특허문헌 1은 프탈로시아닌 안료에 대한 산 페이스팅 공정시에 특정 유기 전자 억셉터의 첨가가 증감 효과를 초래한다는 것을 보고한다. 그러나, 이 접근은 다음의 우려 및 문제를 포함한다. 첨가제가 화학적으로 변할 수 있고, 그에 의해 첨가제를 원하는 결정형으로 변환시키는 것이 어렵게 된다.
또한, 특허문헌 2는 다음을 보고한다. 안료 및 특정 유기 전자 억셉터를 습식 분쇄 처리할 때, 유기 전자 억셉터는 결정 변환과 동시에 결정의 표면에 혼입되고, 따라서 전자 사진 특성이 개선된다.
그러나, 이 접근에 의해 얻은 프탈로시아닌 결정은 그 내에 유기 전자 억셉터를 함유하지 않고, 억셉터는 단지 결정과 혼합된 상태일 뿐이거나 단지 그의 표면에 부착될 뿐이다. 따라서, 이 접근은 구성 및 효과에 있어, 전하-발생층용 코팅액을 제조할 때 특정 유기 전자 억셉터가 첨가되는 분산시의 소위 첨가와 동일하다.
또한, 특허문헌 3은 벤조페논 화합물을 전자 사진 감광체에 사용하는 것을 개시하고 있다. 이 문헌은 벤조페논 화합물의 사용이 전하-발생 물질의 광산화에 대한 효과를 방지하고 잔류 전위의 상승에 대한 효과를 억제하는 것을 초래한다는 것을 설명한다.
그러나, 특허문헌 1 내지 3 중 어느 것도 아미노기로 치환된 벤조페논 화합물을 개시하고 있지 않다.
일본 특허 출원 공개공보 제2001-40237호 일본 특허 출원 공개공보 제2006-72304호 일본 특허 출원 공개공보 제H06-273953호
상술한 바와 같이, 전자 사진 감광체에 대하여 다양한 개선이 시도되어 왔다.
그러나 최근 몇 년간 화질에서의 추가적 개선과 관련하여 다양한 환경 하의 고스트 현상에 의한 화질 열화의 경감이 요구되어 왔다.
상기를 고려하여, 본 발명은 과제를 해결하고, 상온, 상습 환경 하에서 뿐만 아니라 특히 혹독한 조건으로서 저온, 저습 환경 하에서 고스트 현상에 의한 더 적은 화상 결함을 갖는 화상을 출력할 수 있는, 전자 사진 감광체, 각각 전자 사진 감광체를 갖는 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치를 제공하는 것에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 특정 아민 화합물을 결정 내에 함유하는 갈륨 프탈로시아닌 결정을 제공하는 것에 관한 것이다.
본 발명은, 지지체 및 지지체 상에 형성된 감광층을 포함하는 전자 사진 감광체를 제공하고, 감광층은 하기 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물을 결정 내에 함유하는 갈륨 프탈로시아닌 결정을 포함한다:
Figure pct00001
화학식 (1)에서, R1 내지 R10은 수소 원자, 할로겐 원자, 아릴옥시카르보닐기, 치환된 또는 비치환된 아실기, 치환된 또는 비치환된 알킬기, 치환된 또는 비치환된 알콕시기, 치환된 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환기를 갖는 아미노기, 및 치환된 또는 비치환된 시클릭 아미노기 중 하나를 각각 독립적으로 나타내고, 단, R1 내지 R10 중 하나 이상은 치환된 또는 비치환된 아릴기로 치환된 아미노기, 치환된 또는 비치환된 알킬기로 치환된 아미노기 및 치환된 또는 비치환된 시클릭 아미노기 중 하나를 나타내고; X1은 카르보닐기 및 디카르보닐기 중 하나를 나타낸다.
또한 본 발명은 전술한 전자 사진 감광체; 및 전자 사진 감광체의 표면을 대전하기 위한 대전 유닛, 전자 사진 감광체의 표면 상에 형성된 정전 잠상을 토너로 현상하여 토너 화상을 형성하기 위한 현상 유닛, 및 토너 화상을 전사 재료 상으로 전사한 후 전자 사진 감광체의 표면 상의 토너를 제거하기 위한 클리닝 유닛으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 유닛을 포함하는 프로세스 카트리지를 제공하고, 전자 사진 감광체 및 하나 이상의 유닛은 일체로 지지되고, 프로세스 카트리지는 전자 사진 장치의 주요 본체에 착탈식으로 장착가능하다.
또한 본 발명은 전술한 전자 사진 감광체; 전자 사진 감광체의 표면을 대전하기 위한 대전 유닛; 대전된 전자 사진 감광체의 표면에 화상 노광 광을 조사해서 정전 잠상을 형성하기 위한 화상 노광 유닛; 전자 사진 감광체의 표면 상에 형성된 정전 잠상을 토너로 현상해서 토너 화상을 형성하기 위한 현상 유닛; 및 전자 사진 감광체의 표면 상에 형성된 토너 화상을 전사 재료 상으로 전사하기 위한 전사 유닛을 포함하는, 전자 사진 장치를 제공한다.
또한 본 발명은 하기 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물을 결정 내에 포함하는, 갈륨 프탈로시아닌 결정을 제공한다.
Figure pct00002
또한 본 발명은 CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ±0.2 °에 있어 7.4 °, 27.4 ° 및 28.3 °에 피크를 포함하는, 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 제공한다.
또한 본 발명은 CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 °, 16.6 °, 21.8 °, 25.5 ° 및 28.3 °에 피크를 포함하는, 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 제공한다.
또한 본 발명은 CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 °, 16.6 °, 21.8 °, 25.5 °, 27.0 ° 및 28.3 °에 피크를 포함하는, 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 제공한다.
또한 본 발명은 CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 °, 27.1 ° 및 28.4 °에 피크를 포함하는, 브로모갈륨 프탈로시아닌 결정을 제공한다.
또한 본 발명은 CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 20.4 °, 27.1 °, 29.0 ° 및 33.2 °에 피크를 포함하는, 아이오도갈륨 프탈로시아닌 결정을 제공한다.
본 발명에 따르면, 상온, 상습 환경 하에서 뿐만 아니라 특히 혹독한 조건으로서 저온, 저습 환경 하에서 고스트 현상에 의한 더 적은 화상 결함을 갖는 화상을 출력할 수 있는, 전자 사진 감광체 및 각각 전자 사진 감광체를 갖는 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치가 제공된다.
또한, 본 발명에 따르면, 전하-발생 물질로서 뛰어난 특성을 갖는 갈륨 프탈로시아닌 결정이 제공된다.
본 발명의 추가적 특징은 다음의 예시적 실시양태의 설명과 첨부한 도면에 대한 참조로부터 분명해질 것이다.
도 1은 본 발명의 전자 사진 감광체를 갖는 프로세스 카트리지를 갖춘 전자 사진 장치의 개략적인 구성의 일 실시예를 도시하는 도.
도 2a는 실시예 1-1에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴.
도 2b는 실시예 1-1에서 사용된 예시적인 화합물 (2)의 분말 X-선 회절 패턴.
도 3a는 실시예 1-3에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴.
도 3b는 실시예 1-4에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴.
도 4a는 실시예 1-5에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴.
도 4b는 실시예 1-6에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴.
도 4c는 실시예 1-7에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴.
도 5a는 실시예 1-13에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴.
도 5b는 실시예 1-14에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴.
도 6은 실시예 1-15에서 얻은 브로모갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴.
도 7a는 실시예 1-16에서 얻은 아이오도갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴.
도 7b는 실시예 1-17에서 얻은 아이오도갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴.
도 7c는 실시예 1-18에서 얻은 아이오도갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴.
도 8은 비교예 1-3에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴.
도 9a는 비교예 1-5에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 함유하는 혼합물의 분말 X-선 회절 패턴.
도 9b는 비교예 1-5에서 사용된 2-모르폴리노안트라퀴논의 분말 X-선 회절 패턴.
도 10a는 비교예 1-6에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 함유하는 혼합물의 분말 X-선 회절 패턴.
도 10b는 비교예 1-6에서 사용된 안트라퀴논의 분말 X-선 회절 패턴.
도 11a는 비교예 1-8에서 얻은 브로모갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴.
도 11b는 비교예 1-9에서 얻은 아이오도갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴.
전술한 바와 같이, 본 발명의 전자 사진 감광체는 지지체 및 지지체 상에 형성된 감광층을 포함하는, 전자 사진 감광체이고, 감광층은 하기 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물을 결정 내에 함유하는 갈륨 프탈로시아닌 결정을 포함한다:
Figure pct00003
화학식 (1)에서, R1 내지 R10은 수소 원자, 할로겐 원자, 아릴옥시카르보닐기, 치환된 또는 비치환된 아실기, 치환된 또는 비치환된 알킬기, 치환된 또는 비치환된 알콕시기, 치환된 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환기를 갖는 아미노기, 및 치환된 또는 비치환된 시클릭 아미노기 중 하나를 각각 독립적으로 나타내고, 단, R1 내지 R10 중 하나 이상은 치환된 또는 비치환된 아릴기로 치환된 아미노기, 치환된 또는 비치환된 알킬기로 치환된 아미노기 및 치환된 또는 비치환된 시클릭 아미노기 중 하나를 나타내고; X1은 카르보닐기 및 디카르보닐기 중 하나를 나타낸다.
또한, 화학식 (1)에서 R1 내지 R10 중 하나 이상은 바람직하게 치환된 또는 비치환된 알킬기로 치환된 아미노기를 나타낸다. 이러한 기 중에서, 치환된 또는 비치환된 알킬기로 치환된 아미노기 내의 치환된 또는 비치환된 알킬기가, 알콕시기로 치환된 알킬기, 아릴기로 치환된 알킬기 또는 비치환된 알킬기인 것이 보다 바람직하다.
또한, 화학식 (1)에서 R1 내지 R10 중 하나 이상은 바람직하게 디알킬아미노기를 나타낸다. 이러한 기 중에서, 디메틸아미노기 또는 디에틸아미노기가 보다 바람직하다.
또한, 화학식 (1)에서 R1 내지 R10 중 하나 이상은 바람직하게 치환된 또는 비치환된 시클릭 아미노기를 나타낸다. 이러한 기 중에서, 모르폴리노기 또는 1-피페리디노기가 보다 바람직하다.
또한, 고스트 현상에 의한 화상 결함을 억제하는 효과의 면에서 특히 바람직한 아민 화합물은 하기 화학식 (2)으로 나타내어지는 아민 화합물이다:
Figure pct00004
화학식 (2)에서, Et는 에틸기를 나타낸다.
또한, 화학식 (1)에서 치환된 또는 비치환된 아실기, 치환된 또는 비치환된 알킬기, 치환된 또는 비치환된 알콕시기, 치환된 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환된 또는 비치환된 아미노기, 치환된 또는 비치환된 아릴기, 및 치환된 또는 비치환된 시클릭 아미노기가 각각 가질 수 있는 치환기의 예는, 알킬기, 예컨대 메틸기, 에틸기, 프로필기, 및 부틸기; 알콕시기, 예컨대 메톡시기 및 에톡시기; 디알킬아미노기, 예컨대 디메틸아미노기 및 디에틸아미노기; 알콕시카르보닐기, 예컨대 메톡시카르보닐기 및 에톡시카르보닐기; 아릴기, 예컨대 페닐기, 나프틸기, 및 비페닐일기; 할로겐 원자, 예컨대 플루오린 원자, 염소 원자 및 브로민 원자; 니트로기; 시아노기; 및 할로메틸기를 포함한다. 이들 중에서, 아릴기 또는 알콕시기가 바람직한 치환기이다.
이하에, 본 발명의 갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 함유되는 아민 화합물의 바람직한 특정 실시예(예시적인 화합물)를 설명하지만, 본 발명은 그에 한정되지 않는다.
예시적인 화합물
Figure pct00005
예시적인 화합물에서, Me는 메틸기를 나타내고, Et는 에틸기를 나타내고, n-Pr는 프로필기(n-프로필기)를 나타낸다.
본 발명에서 사용될, 상용 제품으로서 입수가능한, 아민 화합물을 합성하는 방법의 예를 이하에서 설명한다.
원료로서 아미노벤조페논을 사용하고, 아미노벤조페논과 할로겐화물의 치환 반응에 의해 치환기를 아미노기로 도입할 수 있다. 이러한 반응 중에서, 금속 촉매를 사용한 아미노벤조페논과 방향족 할로겐화물 간의 반응이, 아릴기-치환된 아민 화합물의 합성에 유용한 방법이다. 또한, 환원성 아미노화를 사용한 반응이, 알킬기-치환된 아민 화합물의 합성에 유용한 방법이다.
이하에, 예시적인 화합물 (24)의 특정 합성 실시예를 나타낸다.
이하에 나타낸 용어 "부(들)"은 "질량부(들)"을 의미한다. 또한, 적외선(IR) 흡수 스펙트럼은 푸리에 변환 적외선 분광광도계(상표명: FT/IR-420, 자스코 코포레이션(JASCO Corporation) 제조)로 측정했다. 또한, 핵자기 공명(NMR) 스펙트럼은 핵자기 공명 장치(상표명: EX-400, 제올 레조난스 인크.(JEOL RESONANCE Inc.) 제조)로 측정했다.
(합성 실시예)
예시적인 화합물 (24)의 합성
N,N-디메틸아세트아미드 50 부를 넣은 3-구 플라스크에, 4,4'-디아미노벤조페논 5.0 부, 아이오도톨루엔 25.7 부, 구리 분말 9.0 부 및 탄산 칼륨 9.8 부를 첨가했고, 이어 20 시간 동안 혼합물을 환류했다. 그 후, 고온 여과로 고형 성분을 제거했다. 감압 하의 증류로 용매를 제거했고, 이어 찌꺼기를 실리카 겔 컬럼(용매로 톨루엔을 사용)에서 정제했다. 이렇게 하여, 예시적인 화합물 (24) 8.1 부를 얻었다.
이하에, 측정으로 얻은 IR 흡수 스펙트럼 및 1H-NMR 스펙트럼의 특성 피크를 나타낸다.
Figure pct00006
본 발명의 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물을 결정 내에 함유하는 갈륨 프탈로시아닌 결정을 구성하는 갈륨 프탈로시아닌의 예는 그의 분자 내 갈륨 원자에 축 리간드로서 할로겐 원자, 히드록시기 또는 알콕시기를 갖는 갈륨 프탈로시아닌을 포함한다. 갈륨 프탈로시아닌은 그의 프탈로시아닌 고리에 치환기, 예컨대 할로겐 원자를 가질 수 있다.
이러한 갈륨 프탈로시아닌 결정 중에서, 각각 뛰어난 감도를 갖는 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정(갈륨 원자가 축 리간드로서 히드록시기를 가짐), 브로모갈륨 프탈로시아닌 결정(갈륨 원자가 축 리간드로서 브로민 원자를 가짐), 또는 아이오도갈륨 프탈로시아닌 결정(갈륨 원자가 축 리간드로서 아이오딘 원자를 가짐)이, 본 발명이 효과적으로 작용하기 때문에 바람직하다.
또한, 이러한 갈륨 프탈로시아닌 결정 중에서, 다음의 결정이 바람직하다:
CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 °, 27.4 ° 및 28.3 °에 피크를 갖는 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정;
CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 °, 16.6 °, 21.8 °, 25.5 ° 및 28.3 °에 피크를 갖는 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정;
CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 °, 27.1 ° 및 28.4 °에 피크를 갖는 브로모갈륨 프탈로시아닌 결정;
CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 20.4 °, 27.1 °, 29.0 ° 및 33.2 °에 피크를 갖는 아이오도갈륨 프탈로시아닌 결정.
각각 CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 각각 7.4 °, 27.4 ° 및 28.3 °에 피크를 갖는 이러한 갈륨 프탈로시아닌 결정 중에서, 27.4 °에서의 피크 강도가 7.4 °에서의 피크 강도에 대하여 5 % 이상 내지 100 % 이하인 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정이, 고스트 현상에 의한 화상 결함을 억제하는 효과의 면에서 특히 바람직하다.
용어 "화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물을 결정 내에 함유하는 갈륨 프탈로시아닌 결정"은, 결정이 그 안에 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물을 혼입하는 것을 의미한다. 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물을 결정 내에 함유하는 갈륨 프탈로시아닌 결정의 제조 방법을 설명한다.
본 발명의 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물을 결정 내에 함유하는 갈륨 프탈로시아닌 결정은, 바람직하게는 산 페이스팅 방법에 의해 처리한 저-결정성 갈륨 프탈로시아닌을 습식 밀링 처리하여 그의 결정 변환을 수행하는 공정에서, 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물을 첨가하고, 이어 용매로 밀링 처리하는 것에 의해 얻어진다.
여기에서 수행하는 밀링 처리는 예를 들면, 분산제, 예컨대 유리 비즈, 스틸 비즈, 및 알루미나 볼과 함께 밀링 장치, 예컨대 샌드 밀 및 볼 밀로 수행하는 처리이다. 밀링 시간은 바람직하게는 약 4 내지 48 시간이다. 특히 바람직한 방법은 후술하는 바와 같다. 매 4 내지 8 시간마다 샘플을 취하고 결정의 브래그 각을 확인한다. 밀링 처리에 사용되는 분산제의 양은 바람직하게는 질량 기준으로 갈륨 프탈로시아닌의 그것의 10 내지 50 배이다. 또한, 사용하는 용매의 예는 아미드계 용매, 예컨대 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, 및 N-메틸프로피오아미드; 할로겐계 용매, 예컨대 클로로포름; 에테르계 용매, 예컨대 테트라히드로푸란; 및 술폭시드계 용매, 예컨대 디메틸 술폭시드를 포함한다. 용매의 사용량은 바람직하게 질량 기준으로 갈륨 프탈로시아닌의 5 내지 30 배이다. 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물의 사용량은 바람직하게 질량 기준으로 갈륨 프탈로시아닌의 0.1 내지 10 배이다.
본 발명의 갈륨 프탈로시아닌 결정이 아민 화합물을 그 안에 함유하고 있는지 여부는 그로부터 얻은 갈륨 프탈로시아닌 결정의 열중량(TG) 측정, X-선 회절 측정, 및 NMR 측정에 대한 데이타를 분석함으로써 결정했다.
예를 들면, 혼입시키려는 화합물을 첨가한 계 및 화합물을 첨가하지 않는 것을 제외하고는 동일한 제조에 의해 얻은 갈륨 프탈로시아닌 결정을 개별적으로 TG 측정하고, 혼입시키려는 화합물을 첨가한 계에서 얻은 갈륨 프탈로시아닌 결정의 TG 측정 결과를 단지 개별적 측정 결과를 소정의 비율로 혼합함으로써 얻은 결과로 해석할 수 있다면, 계는 결정과 화합물의 혼합물로 또는 결정의 표면에 화합물이 단지 부착하는 생성물로 해석할 수 있다.
한편, 혼입시키려는 화합물을 첨가한 계에서 얻은 갈륨 프탈로시아닌 결정의 TG 측정 결과가, 혼입시키려는 화합물의 TG 측정의 결과의 경우에서보다 더 높은 온도에서 중량 감소가 발생하는 것이면, 혼입시키려는 화합물이 결정 내로 혼입되었다고 판단할 수 있다.
또한, 계의 X-선 회절 결과를 단지 개별적 측정 결과를 소정의 비율로 혼합함으로써 얻은 결과로 해석할 수 있다면, 계는 결정과 화합물의 혼합물로 또는 결정의 표면에 화합물이 단지 부착하고 있는 생성물로 해석할 수 있다.
한편, 혼입시키려는 화합물의 X-선 회절이 존재하지 않을 경우 또는 그로부터 얻은 결정형이 변할 경우, 혼입시키려는 화합물이 결정 내로 혼입된다고 판단할 수 있다.
또한, 혼입시키려는 화합물을 용해할 수 있는 용매로 밀링 처리 또는 밀링 후의 세척 공정을 충분히 수행한 경우, NMR 측정에서 혼입시키려는 화합물이 검출되면, 혼입시키려는 화합물이 결정 내로 혼입된다고 판단할 수 있다.
본 발명의 프탈로시아닌 결정의 TG 측정, X-선 회절 측정 및 NMR 측정은 다음의 조건 하에 수행되었다.
(TG 측정)
사용한 측정 장치: 세이코 인스트러먼츠 인크.(Seiko Instruments Inc.)가 제조한 TG/DTA 동시 측정 장치(상표명: TG/DTA220U)
분위기: 질소 기류 하 (300 m2/분)
측정 범위: 35 ℃ 내지 600 ℃
온도 증가 속도: 10 ℃/분
(분말 X-선 회절 측정)
사용한 측정 장치: 리가쿠 코포레이션(Rigaku Corporation)이 제조한 X-선 회절분석기 RINT-TTRII
X-선 튜브 전구: Cu
튜브 전압: 50 KV
튜브 전류: 300 mA
주사 방법: 2θ/θ 주사
주사 속도: 4.0 °/분
샘플링 간격: 0.02 °
시작 각(2θ): 5.0 °
종결 각(2θ): 40.0 °
부착: 표준 샘플 홀더
필터: 사용하지 않음
입사 모노크롬(Incident monochrome): 사용함
카운터 모노크로마토(Counter monochromator): 사용하지 않음
발산 슬릿: 개방
발산 종방향 제한 슬릿: 10.00 mm
스캐터링 슬릿: 개방
광-수용 슬릿: 개방
플랫(flat) 모노크로마토: 사용함
카운터: 신틸레이션 카운터(scintillation counter)
(NMR 측정)
사용한 측정 장치: 브루커(BRUKER)가 제조한 아반스(AVANCE) III 500
용매: 중수소로 치환된 황산(D2SO4)
본 발명의 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물을 결정 내에 함유하는 갈륨 프탈로시아닌 결정은 광도전체로서의 기능이 뛰어나고, 따라서 태양 전지, 센서, 스위칭 소자 등에, 뿐만 아니라 전자 사진 감광체에 적용할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물을 결정 내에 함유하는 갈륨 프탈로시아닌 결정을 전자 사진 감광체 내의 전하-발생 물질로서 적용하는 경우를 설명한다.
감광층은 전하-발생 물질 및 전하-수송 물질 모두를 함유하는 단층으로 형성된 감광층(단층 감광층), 및 전하-발생 물질을 함유하는 전하-발생층과 전하-수송 물질을 함유하는 전하-수송층을 적층하여 얻은 감광층(적층 감광층)으로 분류된다. 전하-발생층이 전하-수송층 상에 적층될 수 있고 그 역일 수도 있다는 것을 숙지해야 한다.
본 발명에서 사용할 수 있는 지지체는 바람직하게 전기-전도성을 갖는 지지체(전기-전도성 지지체)이다. 지지체로서, 예를 들면, 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 아연, 스텐레스, 바나듐, 몰리브데넘, 크로뮴, 티타늄, 니켈, 인듐, 금 및 백금을 사용할 수 있다. 또한, 진공 기상 증착에 의해 필름으로 형성된 알루미늄, 알루미늄 합금, 산화 인듐, 산화 주석 및 산화 인듐-산화 주석 합금의 층을 갖는 플라스틱(예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 염화 폴리비닐, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 아크릴 수지, 및 폴리플루오로에틸렌); 플라스틱 또는 상술한 지지체를 전기-전도성 입자(예를 들면, 알루미늄 입자, 산화 티타늄 입자, 산화 주석 입자, 산화 아연 입자, 카본 블랙 및 은 입자) 및 결합제 수지로 코팅함으로써 얻은 지지체; 전기-전도성 입자를 플라스틱 또는 종이에 함침시킴으로써 얻은 지지체; 전기-전도성 폴리머를 포함하는 플라스틱; 등을 사용할 수 있다.
본 발명에서, 지지체 및 감광층의 사이에 차단 기능 및 접착 기능을 갖는 언더코트층(때로 "차단층" 또는 "중간층"으로서 칭함)이 제공될 수 있다.
언더코트층을 위한 재료로서, 폴리비닐 알코올, 산화 폴리에틸렌, 에틸 셀룰로스, 메틸 셀룰로스, 카제인, 폴리아미드(예를 들면, 나일론 6, 나일론 66, 나일론 610, 공중합체 나일론 및 N-알콕시메틸화 나일론), 폴리우레탄, 아교, 산화 알루미늄, 젤라틴 등이 사용될 수 있다. 언더코트층의 두께는 0.1 내지 10 μm, 바람직하게는 0.5 내지 5 μm이다.
단층 감광층을 형성할 경우, 본 발명에 따른 갈륨 프탈로시아닌 결정으로 만들어진 전하-발생 물질과 전하-수송 물질을 결합제 수지 용액에 혼합하고; 혼합된 액체를 지지체 위로 도포하고; 그로부터 얻은 도포된 막을 건조시키는 것에 의해 그 형성을 수행할 수 있다.
적층 감광층을 형성할 경우, 전하-발생층은, 본 발명에 따른 갈륨 프탈로시아닌 결정을 결합제 수지 용액 내에 분산시켜 얻은 전하-발생층용 코팅액을 도포하고; 그로부터 얻은 도포된 막을 건조시키는 것에 의해 형성할 수 있다. 대안으로서, 기상 증착에 의해 전하-발생층을 형성할 수 있다.
전하-수송층은, 전하-수송 물질 및 결합제 수지를 용매에 용해시켜 얻은 전하-수송층용 코팅액을 도포하고; 그로부터 얻은 도포된 막을 건조시키는 것에 의해 형성할 수 있다.
전하-수송 물질의 예는 트리아릴아민계 화합물, 히드라존계 화합물, 스틸벤계 화합물, 피라졸린계 화합물, 옥사졸계 화합물, 티아졸계 화합물 및 트리아릴메탄계 화합물을 포함한다.
각 층에 사용되는 결합 수지의 예는 수지, 예컨대 폴리에스테르, 아크릴 수지, 폴리비닐카르바졸, 페녹시 수지, 폴리카르보네이트, 폴리비닐 부티랄, 폴리스티렌, 폴리비닐 아세테이트, 폴리술폰, 폴리아릴레이트, 염화 비닐리덴, 아크릴로니트릴 공중합체, 및 폴리비닐 벤잘을 포함한다.
도포 방법, 예컨대 침적법, 분사 코팅법, 스피너 코팅법, 비드 코팅법, 블레이드 코팅법, 및 빔 코팅법을 감광층 도포 방법으로서 사용할 수 있다.
감광층이 단층형의 것일 경우, 그의 두께는 바람직하게는 5 내지 40 μm, 보다 바람직하게는 10 내지 30 μm이다.
감광층이 적층형의 것일 경우, 전하-발생층의 두께는 바람직하게는 0.01 내지 10 μm이고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 3 μm이다. 또한, 전하-수송층의 두께는 바람직하게는 5 내지 40 μm, 더 바람직하게는 10 내지 30 μm이다.
감광층이 적층형일 경우, 전하-발생 물질의 함유량은, 전하-발생층의 총 질량에 대하여 바람직하게는 20 내지 90 질량%이고, 보다 바람직하게는 50 내지 80 질량%이다. 또한, 전하-수송 물질의 함유량은, 전하-수송층의 총 질량에 대하여 바람직하게는 20 내지 80 질량%, 보다 바람직하게는 30 내지 70 질량%이다.
감광층이 단층형일 경우, 전하-발생 물질의 함유량은, 감광층의 총 질량에 대하여 바람직하게는 3 내지 30 질량%이다. 또한, 전하-수송 물질의 함유량은, 감광층의 총 질량에 대하여 바람직하게는 30 내지 70 질량%이다.
본 발명에 따른 갈륨 프탈로시아닌 결정을 전하-발생 물질로서 사용할 경우, 사용 전에 물질을 임의의 다른 전하-발생 물질과 혼합할 수 있다. 이 경우, 갈륨 프탈로시아닌 결정의 함유량은, 모든 전하-발생 물질에 대하여 바람직하게는 50 질량% 이상이다.
필요에 따라, 보호층이 감광층 상에 제공될 수 있다. 수지, 예컨대 폴리비닐 부티랄, 폴리에스테르, 폴리카르보네이트(예를 들면, 폴리카르보네이트 Z 및 개질된 폴리카르보네이트), 나일론, 폴리이미드, 폴리아릴레이트, 폴리우레탄, 스티렌-부타디엔 공중합체, 스티렌-아크릴산 공중합체, 및 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체를 유기 용매에 용해시킴으로써 얻은, 보호층용 코팅액을 감광층 상에 도포하고; 그로부터 얻은 도포된 필름을 건조함에 의해 보호층을 형성할 수 있다.
보호층의 두께는 바람직하게는 0.05 내지 20 μm이다.
전기-전도성 입자, UV 흡수제 등을 보호층 내로 혼입시킬 수 있다. 전기-전도성 입자의 예는 금속 산화물 입자, 예컨대 산화 주석 입자를 포함한다.
도 1은, 본 발명의 전자 사진 감광체를 갖는 프로세스 카트리지를 갖춘 전자 사진 장치의 개략적인 구성의 예를 도시하는 도이다.
원통(드럼-모양)의 전자 사진 감광체(1)가 화살표로 나타낸 방향으로 소정의 주속도(프로세스 속도)에서 축(2)을 중심으로 회전 구동된다.
전자 사진 감광체(1)의 표면은, 회전 과정 중에 대전 유닛(3)에 의해 소정의 양 또는 음 전위로 대전된다. 그 다음에, 대전된 전자 사진 감광체(1)의 표면은 화상 노광 유닛(도시되지 않음)으로부터 화상 노광 광(4)이 조사되어, 이어 목표 화상 정보에 해당하는 정전 잠상이 형성된다. 화상 노광 광(4)은, 예를 들면, 화상 노광 유닛, 예컨대 슬릿 노광 및 레이저 빔 주사 노광으로부터 출력되는 광이고, 광은 목표 화상 정보의 시계열 전기 디지털 화상 신호에 대응해서 변조된 강도를 갖는다.
전자 사진 감광체(1)의 표면 상에 형성된 정전 잠상은 현상 유닛(5) 내에 저장된 토너로 현상된다(정규 현상 또는 반전 현상됨). 따라서, 전자 사진 감광체(1)의 표면 상에 토너 화상이 형성된다. 전자 사진 감광체(1)의 표면 상에 형성된 토너 화상은 전사 유닛(6)에 의해 전사 재료(7) 상으로 전사된다. 이 때, 바이어스 전원(도시되지 않음)으로부터 전사 유닛(6)으로, 토너가 보유하는 전하와는 반대 극성의 바이어스 전압이 인가된다. 또한, 전사 재료(7)가 종이일 경우, 전사 재료(7)는 시트-공급부(도시되지 않음)로부터 꺼내지고, 이어 전자 사진 감광체(1)의 회전에 동기하여 전자 사진 감광체(1)와 전사 유닛(6) 사이의 간격 안으로 공급된다.
그 위에 전자 사진 감광체(1)로부터 토너 화상이 전사된 전사 재료(7)는 전자 사진 감광체(1)의 표면에서 분리되고, 이어 전사 재료가 토너 화상을 정착하기 위한 처리를 받는 화상 정착 유닛(8)으로 이송된다. 따라서, 전사 재료는 화상-형성된 제품(프린트 또는 카피)으로서 전자 사진 장치의 외부로 프린트 아웃된다.
전사 재료(7) 상으로 토너 화상을 전사한 후의 전자 사진 감광체(1)의 표면은 클리닝 유닛(9)에 의해, 부착된 물질, 예컨대 토너(전사 잔여 토너)가 제거되고, 그에 의해 클리닝된다. 최근 몇 년간 세척기가 없는 시스템이 개발되고 따라서 전자 잔여 토너가 현상 장비 등으로 직접 제거될 수 있다. 또한, 전자 사진 감광체(1)의 표면은, 화상 형성에 반복적으로 사용되기 전, 전-노광 유닛(도시되지 않음)으로부터의 전-노광 광(10)에 의해 중화 처리된다. 대전 유닛(3)이 대전 롤러 등을 사용한 접촉 대전 유닛일 경우, 전-노광 유닛은 반드시 필요하지 않다는 것을 숙지해야 한다.
본 발명에서, 다음의 구성을 채용할 수 있다. 성분, 예컨대 전자 사진 감광체(1), 대전 유닛(3), 현상 유닛(5) 및 클리닝 유닛(9) 중의 다수의 성분이 용기 내에 저장되고, 일체로 지지되어 프로세스 카트리지를 형성하고, 이어 프로세스 카트리지를 전자 사진 장치의 주요 본체에 착탈식으로 장착가능할 수 있다. 예를 들면, 다음의 구성을 채용할 수 있다. 대전 유닛(3), 현상 유닛(5) 및 클리닝 유닛(9)으로부터 선택되는 하나 이상이 전자 사진 감광체(1)로 일체로 지지되어 카트리지를 제공하고, 이어 카트리지를, 안내 유닛(12), 예컨대 전자 사진 장치의 주요 본체의 레일로 전자 사진 장치의 주요 본체에 착탈식으로 장착가능한 프로세스 카트리지(11)로서 사용한다.
전자 사진 장치가 복사기나 프린터일 경우에, 화상 노광 광(4)은 원고로부터의 반사된 광 또는 투과된 광일 수 있다. 대안으로서, 광은 센서로 읽혀진 원고로부터 돌아온 신호에 따라 수행되는, 예를 들어, 레이저 빔의 주사, LED 어레이의 구동 또는 액정 셔터 어레이의 구동에 의해 방사되는 광일 수 있다.
본 발명의 전자 사진 감광체(1)는 또한 전자 사진 응용 분야, 예컨대 레이저 빔 프린터, CRT 프린터, LED 프린터, 팩스, 액정 프린터, 레이저 제판에 폭넓게 적용가능하다.
실시예
이하에, 특정 실시예로서 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고, 단, 본 발명은 이 실시예들에 한정되지 않는다. 실시예 및 비교예의 임의의 한 전자 사진 감광체의 각층의 두께는 과전류 두께 측정기(피셔 인스트러먼츠(Fischer Instruments)가 제조한 피셔스코프(Fischerscope))로 측정했거나, 또는 단위 면적당 그의 질량으로부터 비중 환산에 의해 결정되었다.
(실시예 1-1)
일본 특허 출원 공개공보 제2011-94101호에 설명된 합성 실시예 1에 이어 실시예 1-1의 그것과 동일한 처리로 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 0.5 부, 예시적인 화합물 (2)(제품 코드: B1275, 도쿄 케미칼 인더스트리 코., 엘티디.(TOKYO CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD.) 제조) 0.1 부, 및 N,N-디메틸포름아미드 10 부를, 각각 직경 0.8 mm를 갖는 유리 비즈 20 부와 함께 볼 밀에서, 실온(23 ℃)에서 40 시간 동안 밀링 처리를 했다. 분산액과 N,N-디메틸포름아미드에서 갈륨 프탈로시아닌 결정을 꺼내어 여과하고, 이어 필터 상의 찌꺼기를 테트라히드로푸란으로 충분히 세척했다. 필터 찌꺼기를 진공-건조하여 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 0.45 부를 얻어냈다. 도 2a는 그로부터 얻은 결정의 분말 X-선 회절 패턴을 나타내고 도 2b는 여기에서 사용한 예시적인 화합물 (2)의 분말 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
또한, 그로부터 얻은 결정 및 예시적인 화합물 (2)의 TG 데이타의 발췌를 표 1에서 나타낸다. 발췌에서 나타난 바와 같이, 예시적인 화합물 (2) 단독의 증발에 의한 중량 감소를 나타내는 200 ℃ 내지 360 ℃의 범위에서 중량 감소량의 증가가 관찰되지 않지만 360 ℃ 이상의 범위에서 중량 감소량이 증가하고, 이는 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물(예시적인 화합물 (2))이 실시예 1-1에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
또한, NMR 측정은 예시적인 화합물 (2)이 결정 내에 0.17 %로 혼입되어 있다는 것을 확인해 주었다.
(실시예 1-2)
실시예 1-1에서, 예시적인 화합물 (2) 0.1 부를 예시적인 화합물 (2) 0.5 부로 변경한 것 외에는 실시예 1-1의 그것과 동일한 처리에 의해 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 0.45 부를 얻었다. 그로부터 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴은 도 2a와 동일했다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다. 발췌에 나타낸 바와 같이, 예시적인 화합물 (2) 단독의 증발에 의한 중량 감소를 나타내는 200 ℃ 내지 360 ℃의 범위에서 중량 감소량의 증가가 관찰되지 않지만, 360 ℃ 이상의 범위에서 중량 감소량이 증가하고, 이는 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물(예시적인 화합물 (2))이 실시예 1-2에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
또한, NMR 측정은 예시적인 화합물 (2)이 결정 내에 0.30 %로 혼입되어 있다는 것을 확인해 주었다.
(실시예 1-3)
실시예 1-1에서, 예시적인 화합물 (2) 0.1 부를 예시적인 화합물 (2) 1.0 부로 변경한 것 외에는, 실시예 1-1의 그것과 동일한 처리에 의해 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 0.5 부를 얻었다. 도 3a가 그로부터 얻은 결정의 분말 X-선 회절 패턴을 나타낸다. 27.4 °의 피크 강도가 7.4 °의 피크 강도에 대하여 12 %였다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다. 발췌에서 나타낸 바와 같이, 예시적인 화합물 (2) 단독의 증발에 의한 중량 감소를 나타내는 200 ℃ 내지 360 ℃의 범위에서 중량 감소량의 증가가 관찰되지 않지만, 360 ℃ 이상의 범위에서 중량 감소량이 증가하고, 이는 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물(예시적인 화합물 (2))이 실시예 1-3에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
또한, NMR 측정은 예시적인 화합물 (2)이 결정 내에 0.81 %로 혼입되어 있다는 것을 확인해 주었다.
(실시예 1-4)
실시예 1-1에서, 예시적인 화합물 (2) 0.1 부를 예시적인 화합물 (2) 2.0 부로 변경한 것 외에는, 실시예 1-1의 그것과 동일한 처리에 의해 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 0.5 부를 얻었다. 도 3b가 그로부터 얻은 결정의 분말 X-선 회절 패턴을 나타낸다. 27.4 °의 피크 강도가 7.4 °의 피크 강도에 대하여 46 %였다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다. 발췌에서 나타낸 바와 같이, 예시적인 화합물 (2) 단독의 증발에 의한 중량 감소를 나타내는 200 ℃ 내지 360 ℃의 범위에서 중량 감소량의 증가가 관찰되지 않지만, 360 ℃ 이상의 범위에서 중량 감소량이 증가하고, 이는 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물(예시적인 화합물 (2))이 실시예 1-4에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
또한, NMR 측정은 예시적인 화합물 (2)이 결정 내에 2.13 %로 혼입되어 있다는 것을 확인해 주었다.
(실시예 1-5)
실시예 1-1에서, 예시적인 화합물 (2) 0.1 부를 예시적인 화합물 (2) 3.0 부로 변경한 것 외에는, 실시예 1-1의 그것과 동일한 처리에 의해 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 0.4 부를 얻었다. 도 4b가 그로부터 얻은 결정의 분말 X-선 회절 패턴을 나타낸다. 27.4 °의 피크 강도가 7.4 °의 피크 강도에 대하여 49 %였다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다. 발췌에서 나타낸 바와 같이, 예시적인 화합물 (2) 단독의 증발에 의한 중량 감소를 나타내는 200 ℃ 내지 360 ℃의 범위에서 중량 감소량의 증가가 관찰되지 않지만, 360 ℃ 이상의 범위에서 중량 감소량이 증가하고, 이는 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물(예시적인 화합물 (2))이 실시예 1-5에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
또한, NMR 측정은 예시적인 화합물 (2)이 결정 내에 1.64 %로 혼입되어 있다는 것을 확인해 주었다.
(실시예 1-6)
실시예 1-1에서, 예시적인 화합물 (2) 0.1 부를 예시적인 화합물 (2) 4.0 부로 변경한 것 외에는, 실시예 1-1의 그것과 동일한 처리에 의해 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 0.36 부를 얻었다. 도 4b가 그로부터 얻은 결정의 분말 X-선 회절 패턴을 나타낸다. 27.4 °의 피크 강도가 7.4 °의 피크 강도에 대하여 96 %였다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다. 발췌에서 나타낸 바와 같이, 예시적인 화합물 (2) 단독의 증발에 의한 중량 감소를 나타내는 200 ℃ 내지 360 ℃의 범위에서 중량 감소량의 증가가 관찰되지 않지만, 360 ℃ 이상의 범위에서 중량 감소량이 증가하고, 이는 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물(예시적인 화합물 (2))이 실시예 1-6에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
또한, NMR 측정은 예시적인 화합물 (2)이 결정 내에 1.63 %로 혼입되어 있다는 것을 확인해 주었다.
(실시예 1-7)
실시예 1-1에서, 예시적인 화합물 (2) 0.1 부를 예시적인 화합물 (2) 5.0 부로 변경한 것 외에는, 실시예 1-1의 그것과 동일한 처리에 의해 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 0.45 부를 얻었다. 도 4c가 그로부터 얻은 결정의 분말 X-선 회절 패턴을 나타낸다. 27.4 °의 피크 강도가 7.4 °의 피크 강도에 대하여 56 %였다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다. 발췌에서 나타낸 바와 같이, 예시적인 화합물 (2) 단독의 증발에 의한 중량 감소를 나타내는 200 ℃ 내지 360 ℃의 범위에서 중량 감소량의 증가가 관찰되지 않지만, 360 ℃ 이상의 범위에서 중량 감소량이 증가하고, 이는 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물(예시적인 화합물 (2))이 실시예 1-7에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
또한, NMR 측정은 예시적인 화합물 (2)이 결정 내에 0.50 %로 혼입되어 있다는 것을 확인해 주었다.
(실시예 1-8)
실시예 1-1에서, 예시적인 화합물 (2) 0.1 부를 예시적인 화합물 (1)(제품 코드: 159400050, 아크로스 오가닉스(Acros Organics) 제조) 1.0 부로 변경한 것 외에는, 실시예 1-1의 그것과 동일한 처리에 의해 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 0.5 부를 얻었다. 그로부터 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴은 도 2a와 동일했다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다. 발췌에서 나타낸 바와 같이, 예시적인 화합물 (1) 단독의 증발 온도(200 ℃ 내지 305 ℃)보다 높은, 500 ℃ 이상의 범위에서의 중량 감소량이 증가하고, 이는 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물(예시적인 화합물 (1))이 실시예 1-8에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
또한, NMR 측정은 예시적인 화합물 (1)이 결정 내에 0.31 %로 혼입되어 있다는 것을 확인해 주었다.
(실시예 1-9)
실시예 1-1에서, 예시적인 화합물 (2) 0.1 부를 예시적인 화합물 (1) 2.0 부로 변경한 것 외에는, 실시예 1-1의 그것과 동일한 처리에 의해 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 0.45 부를 얻었다. 그로부터 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴은 도 2a와 동일했다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다. 발췌에서 나타낸 바와 같이, 예시적인 화합물 (1) 단독의 증발 온도(200 ℃ 내지 305 ℃)보다 높은, 305 ℃ 이상의 범위에서의 중량 감소량이 증가하고, 이는 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물(예시적인 화합물 (1))이 실시예 1-9에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
또한, NMR 측정은 예시적인 화합물 (1)이 결정 내에 0.82 %로 혼입되어 있다는 것을 확인해 주었다.
(실시예 1-10)
실시예 1-1에서, 예시적인 화합물 (2) 0.1 부를 예시적인 화합물 (3)(제품 코드: B1212, 도쿄 케미칼 인더스트리 코., 엘티디. 제조) 1.0 부로 변경한 것 외에는, 실시예 1-1의 그것과 동일한 처리에 의해 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 0.43 부를 얻었다. 그로부터 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴은 도 2a와 동일했다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다. 발췌에서 나타낸 바와 같이, 예시적인 화합물 (3) 단독의 증발 온도(250 ℃ 내지 390 ℃)보다 높은, 450 ℃ 이상의 범위에서의 중량 감소량이 증가하고, 이는 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물(예시적인 화합물 (3))이 실시예 1-10에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
또한, NMR 측정은 예시적인 화합물 (3)이 결정 내에 2.09 %로 혼입되어 있다는 것을 확인해 주었다.
(실시예 1-11)
실시예 1-1에서, 예시적인 화합물 (2) 0.1 부를 예시적인 화합물 (4)(제품 코드: B1433, 도쿄 케미칼 인더스트리 코., 엘티디. 제조) 1.0 부로 변경한 것 외에는, 실시예 1-1의 그것과 동일한 처리에 의해 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 0.5 부를 얻었다. 그로부터 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴은 도 2a와 동일했다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다. 발췌에서 나타낸 바와 같이, 예시적인 화합물 (4) 단독의 증발 온도(250 ℃ 내지 370 ℃)보다 높은, 450 ℃ 이상의 범위에서의 중량 감소량이 증가하고, 이는 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물(예시적인 화합물 (4))이 실시예 1-11에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
또한, NMR 측정은 예시적인 화합물 (4)이 결정 내에 0.28 %로 혼입되어 있다는 것을 확인해 주었다.
(실시예 1-12)
실시예 1-1에서, 예시적인 화합물 (2) 0.1 부를 예시적인 화합물 (24) 1.0 부로 변경한 것 외에는, 실시예 1-1의 그것과 동일한 처리에 의해 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 0.34 부를 얻었다. 그로부터 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴은 도 2a와 동일했다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다. 발췌에서 나타낸 바와 같이, 예시적인 화합물 (24) 단독의 증발 온도(330 ℃ 내지 460 ℃)보다 높은, 460 ℃ 이상의 범위에서의 중량 감소량이 증가하고, 이는 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물(예시적인 화합물 (24))이 실시예 1-12에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
또한, NMR 측정은 예시적인 화합물 (24)이 결정 내에 0.16 %로 혼입되어 있다는 것을 확인해 주었다.
(실시예 1-13)
일본 특허 출원 공개공보 제2011-94101호에 설명된 합성 실시예 1에 이어 실시예 1-1의 그것과 동일한 처리로 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 0.5 부, 예시적인 화합물 (2)(제품 코드: B1275, 도쿄 케미칼 인더스트리 코., 엘티디. 제조) 2 부, 및 테트라히드로푸란 10 부를, 각각 직경 0.8 mm를 갖는 유리 비즈 20 부와 함께 볼 밀에서, 실온(23 ℃)에서 40 시간 동안 밀링 처리를 했다. 분산액과 테트라히드로푸란에서 갈륨 프탈로시아닌 결정을 꺼내어 여과하고, 이어 필터 상의 찌꺼기를 테트라히드로푸란으로 충분히 세척했다. 필터 찌꺼기를 진공-건조하여 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 0.3 부를 얻어냈다. 도 5a는 그로부터 얻은 결정의 분말 X-선 회절 패턴을 나타낸다. 27.0 °의 피크 강도가 7.4 °의 피크 강도에 대하여 26 %였다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에서 나타낸다. 발췌에서 나타난 바와 같이, 예시적인 화합물 (2) 단독의 증발에 의한 중량 감소를 나타내는 200 ℃ 내지 360 ℃의 범위에서 중량 감소량의 증가가 관찰되지 않지만 360 ℃ 이상의 범위에서 중량 감소량이 증가하고, 이는 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물(예시적인 화합물 (2))이 실시예 1-13에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
또한, NMR 측정은 예시적인 화합물 (2)이 결정 내에 2.04 %로 혼입되어 있다는 것을 확인해 주었다.
(실시예 1-14)
실시예 1-13에서, 예시적인 화합물 (2) 2 부를 예시적인 화합물 (2) 3.0 부로 변경한 것 외에는 실시예 1-13의 그것과 동일한 처리에 의해 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 0.5 부를 얻었다. 도 5b는 그로부터 얻은 결정의 분말 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다. 발췌에 나타낸 바와 같이, 예시적인 화합물 (2) 단독의 증발에 의한 중량 감소를 나타내는 200 ℃ 내지 360 ℃의 범위에서 중량 감소량의 증가가 관찰되지 않지만, 360 ℃ 이상의 범위에서 중량 감소량이 증가하고, 이는 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물(예시적인 화합물 (2))이 실시예 1-14에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
또한, NMR 측정은 예시적인 화합물 (2)이 결정 내에 1.58 %로 혼입되어 있다는 것을 확인해 주었다.
(실시예 1-15)
일본 특허 출원 공개공보 제H11-172143호에 설명된 실시예 60의 그것과 동일한 처리로 얻은 브로모갈륨 프탈로시아닌 0.5 부, 예시적인 화합물 (2)(제품 코드: B1275, 도쿄 케미칼 인더스트리 코., 엘티디. 제조) 2 부, 및 N,N-디메틸포름아미드 10 부를, 각각 직경 0.8 mm를 갖는 유리 비즈 20 부와 함께 볼 밀에서, 실온(23 ℃)에서 40 시간 동안 밀링 처리를 했다. 분산액과 N,N-디메틸포름아미드에서 갈륨 프탈로시아닌 결정을 꺼내어 여과하고, 이어 필터 상의 찌꺼기를 테트라히드로푸란으로 충분히 세척했다. 필터 찌꺼기를 진공-건조하여 브로모갈륨 프탈로시아닌 결정 0.36 부를 얻어냈다. 도 6은 그로부터 얻은 결정의 분말 X-선 회절 패턴을 나타낸다. 27.1 °의 피크 강도가 7.4 °의 피크 강도에 대하여 15 %였다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에서 나타낸다. 발췌에서 나타난 바와 같이, 예시적인 화합물 (2) 단독의 증발에 의한 중량 감소를 나타내는 200 ℃ 내지 360 ℃의 범위에서 중량 감소량의 증가가 관찰되지 않지만 500 ℃ 이상의 범위에서 중량 감소량이 증가하고, 이는 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물(예시적인 화합물 (2))이 실시예 1-15에서 얻은 브로모갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
또한, NMR 측정은 예시적인 화합물 (2)이 결정 내에 2.37 %로 혼입되어 있다는 것을 확인해 주었다.
(실시예 1-16)
일본 특허 출원 공개공보 제H11-172143호에 설명된 실시예 1-14의 그것과 동일한 처리로 얻은 아이오도갈륨 프탈로시아닌 0.5 부, 예시적인 화합물 (2)(제품 코드: B1275, 도쿄 케미칼 인더스트리 코., 엘티디. 제조) 1.0 부, 및 N,N-디메틸포름아미드 10 부를, 각각 직경 0.8 mm를 갖는 유리 비즈 20 부와 함께 볼 밀에서, 실온(23 ℃)에서 40 시간 동안 밀링 처리를 했다. 분산액과 N,N-디메틸포름아미드에서 갈륨 프탈로시아닌 결정을 꺼내어 여과하고, 이어 필터 상의 찌꺼기를 테트라히드로푸란으로 충분히 세척했다. 필터 찌꺼기를 진공-건조하여 아이오도갈륨 프탈로시아닌 결정 0.26 부를 얻어냈다. 도 7a는 그로부터 얻은 결정의 분말 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에서 나타낸다. 발췌에서 나타난 바와 같이, 예시적인 화합물 (2) 단독의 증발에 의한 중량 감소를 나타내는 200 ℃ 내지 360 ℃의 범위에서 중량 감소량의 증가가 관찰되지 않지만 500 ℃ 이상의 범위에서 중량 감소량이 증가하고, 이는 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물(예시적인 화합물 (2))이 실시예 1-16에서 얻은 아이오도갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
또한, NMR 측정은 예시적인 화합물 (2)이 결정 내에 0.39 %로 혼입되어 있다는 것을 확인해 주었다.
(실시예 1-17)
실시예 1-16에서, 예시적인 화합물 (2) 1.0 부를 예시적인 화합물 (2) 2.0 부로 변경한 것 외에는 실시예 1-16의 그것과 동일한 처리에 의해 아이오도갈륨 프탈로시아닌 결정 0.31 부를 얻었다. 도 7b는 그로부터 얻은 결정의 분말 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다. 발췌에 나타낸 바와 같이, 예시적인 화합물 (2) 단독의 증발에 의한 중량 감소를 나타내는 200 ℃ 내지 360 ℃의 범위에서 중량 감소량의 증가가 관찰되지 않지만, 500 ℃ 이상의 범위에서 중량 감소량이 증가하고, 이는 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물(예시적인 화합물 (2))이 실시예 1-17에서 얻은 아이오도갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
또한, NMR 측정은 예시적인 화합물 (2)이 결정 내에 0.11 %로 혼입되어 있다는 것을 확인해 주었다.
(실시예 1-18)
실시예 1-16에서, 예시적인 화합물 (2) 1.0 부를 예시적인 화합물 (2) 3.0 부로 변경한 것 외에는 실시예 1-16의 그것과 동일한 처리에 의해 아이오도갈륨 프탈로시아닌 결정 0.30 부를 얻었다. 도 7c는 그로부터 얻은 결정의 분말 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다. 발췌에 나타낸 바와 같이, 예시적인 화합물 (2) 단독의 증발에 의한 중량 감소를 나타내는 200 ℃ 내지 360 ℃의 범위에서 중량 감소량의 증가가 관찰되지 않지만, 500 ℃ 이상의 범위에서 중량 감소량이 증가하고, 이는 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물(예시적인 화합물 (2))이 실시예 1-18에서 얻은 아이오도갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
또한, NMR 측정은 예시적인 화합물 (2)이 결정 내에 0.19 %로 혼입되어 있다는 것을 확인해 주었다.
(비교예 1-1)
실시예 1-1에서, 예시적인 화합물 (2) 0.1 부를 첨가하지 않은 것 외에는 실시예 1-1의 그것과 동일한 처리에 의해 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 0.4 부를 얻었다. 그로부터 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴은 도 2a와 동일했다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다.
(비교예 1-2)
실시예 1-1에서, 예시적인 화합물 (2) 0.1 부를 4,4'-디메톡시벤조페논 1.0 부로 변경한 것 외에는 실시예 1-1의 그것과 동일한 처리에 의해 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 0.38 부를 얻었다. 그로부터 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴은 도 2a와 동일했다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다. 발췌에서 나타낸 바와 같이, 4,4'-디메톡시벤조페논의 증발에 의한 중량 감소를 나타내는 170 ℃ 내지 300 ℃의 범위보다 높은 온도인, 450 ℃ 이상의 범위에서의 중량 감소량이 증가하고, 이는 4,4'-디메톡시벤조페논이 비교예 1-2에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
(비교예 1-3)
실시예 1-1에서, 예시적인 화합물 (2) 0.1 부를 3,3'-디니트로벤조페논 1.0 부로 변경한 것 외에는 실시예 1-1의 그것과 동일한 처리에 의해 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 0.4 부를 얻었다. 도 8은 그로부터 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다. 발췌에서 나타낸 바와 같이, 3,3'-디니트로벤조페논의 증발에 의한 중량 감소를 나타내는 220 ℃ 내지 330 ℃의 범위보다 높은 온도인, 360 ℃ 이상의 범위에서의 중량 감소량이 증가하고, 이는 3,3'-디니트로벤조페논이 비교예 1-3에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
(비교예 1-4)
실시예 1-1에서, 예시적인 화합물 (2) 0.1 부를 벤조페논 1.0 부로 변경한 것 외에는 실시예 1-1의 그것과 동일한 처리에 의해 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 0.14 부를 얻었다. 그로부터 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절 패턴은 도 2a와 동일했다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다. 발췌에서 나타낸 바와 같이, 벤조페논의 증발에 의한 중량 감소를 나타내는 100 ℃ 내지 226 ℃의 범위보다 높은 온도인, 360 ℃ 이상의 범위에서의 중량 감소량이 증가하고, 이는 벤조페논이 비교예 1-4에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되어 있다는 것을 나타낸다.
(비교예 1-5)
실시예 1-1에서, 예시적인 화합물 (2) 0.1 부를 2-모르폴리노안트라퀴논 1.0 부로 변경한 것 외에는 실시예 1-1의 그것과 동일한 처리에 의해, CuKα 특성 X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 ° 및 28.3 °에 피크를 갖는 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정과 CuKα 특성 X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.0 °, 13.9 °, 17.1 °, 23.8 °, 25.1 ° 및 26.8 °에 피크를 갖는 2-모르폴리노안트라퀴논 결정의 혼합물 1.0 부를 얻었다. 도 9a는 그로부터 얻은 혼합물의 분말 X-선 회절 패턴을 나타내고 도 9b는 여기에 첨가한 2-모르폴리노안트라퀴논의 분말 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
또한, 그로부터 얻은 혼합물의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다. 발췌에서 나타낸 바와 같이, 2-모르폴리노안트라퀴논의 증발에 의한 중량 감소를 나타내는 200 ℃ 내지 350 ℃의 범위에서 중량 감소량의 증가가 관찰되지만, 더 높은 온도에서는 중량 감소량의 증가가 관찰되지 않았다. 따라서, 혼합물은, 2-모르폴리노안트라퀴논이 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되지 않은 단순한 혼합물이라고 판단할 수 있다. TG 데이타로부터, 혼합 비율 "히드록시갈륨 프탈로시아닌:2-모르폴리노안트라퀴논"은 약 4:6으로 계산될 수 있다.
(비교예 1-6)
실시예 1-1에서, 예시적인 화합물 (2) 0.1 부를 안트라퀴논 1.0 부로 변경한 것 외에는 실시예 1-1의 그것과 동일한 처리에 의해, CuKα 특성 X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 ° 및 28.3 °에 피크를 갖는 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정과 CuKα 특성 X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 11.5 °, 14.4 °, 23.1 °, 25.2 ° 및 26.5 °에 피크를 갖는 안트라퀴논 결정의 혼합물 0.8 부를 얻었다. 도 10a는 그로부터 얻은 혼합물의 분말 X-선 회절 패턴을 나타내고 도 10b는 여기에 첨가한 안트라퀴논의 분말 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
또한, 그로부터 얻은 혼합물의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다. 발췌에서 나타낸 바와 같이, 안트라퀴논의 증발에 의한 중량 감소를 나타내는 180 ℃ 내지 280 ℃의 범위에서 중량 감소량의 증가가 관찰되지만, 더 높은 온도에서는 중량 감소량의 증가가 관찰되지 않았다. 따라서, 혼합물은, 안트라퀴논이 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 내에 혼입되지 않은 단순한 혼합물이라고 판단할 수 있다. TG 데이타로부터, 혼합 비율 "히드록시갈륨 프탈로시아닌:안트라퀴논"은 약 4:6으로 계산될 수 있다.
(비교예 1-7)
실시예 1-13에서, 예시적인 화합물 (2) 2 부를 첨가하지 않은 것 외에는 실시예 1-13의 그것과 동일하게 처리하여 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 0.25 부를 얻었다. 그로부터 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 분말 X-선 회절은 도 2 a와 동일했다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다.
(비교예 1-8)
실시예 1-15에서, 예시적인 화합물 (2) 2 부를 첨가하지 않은 것 외에는 실시예 1-15의 그것과 동일하게 처리하여 브로모갈륨 프탈로시아닌 결정 0.3 부를 얻었다. 도 11a는 그로부터 얻은 결정의 분말 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다.
(비교예 1-9)
실시예 1-16에서, 예시적인 화합물 (2) 1.0 부를 첨가하지 않은 것 외에는 실시예 1-16의 그것과 동일하게 처리하여 아이오도갈륨 프탈로시아닌 결정 0.2 부를 얻었다. 도 11b는 그로부터 얻은 결정의 분말 X-선 회절 패턴을 나타낸다.
또한, 그로부터 얻은 결정의 TG 데이타의 발췌를 표 1에 나타냈다.
(실시예 2-1)
산화 주석으로 코팅한 황산 바륨 입자(상표명: 파스트란(Passtran) PC1, 미쓰이 마이닝 앤드 스멜팅 코., 엘티디.(MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.) 제조) 60 부, 산화 티타늄 입자(상표명: 티타닉스(TITANIX) JR, 타이카 코포레이션(TAYCA CORPORATION) 제조) 15 부, 레졸-형 페놀 수지(상표명: 페놀라이트(Phenolite) J-325, 디아이씨 코포레이션(DIC Corporation) 제조, 고체 함유량 70 질량%) 43 부, 실리콘 오일(상표명: SH28PA, 다우 코닝 토레이 코., 엘티디.(Dow Corning Toray Co., Ltd.) 제조) 0.015 부, 실리콘 수지(상표명: 토스펄(Tospearl) 120, 모멘티브 퍼포먼스 머티리얼즈 인크.(Momentive Performance Materials Inc.) 제조) 3.6 부, 2-메톡시-1-프로판올 50 부, 및 메탄올 50 부로 만들어진 용액을 20 시간 동안 볼 밀에서 분산 처리했다. 이렇게 하여, 전기-전도층용 코팅액을 제조했다.
전기-전도층용 코팅액을 지지체로서 알루미늄 실린더(직경 24 mm) 상에 침지함으로써 도포하고, 이어 그로부터 얻은 도포된 막을 30 분간 140 ℃로 건조시켰다. 이렇게 하여, 15 μm의 두께를 갖는 전기-전도층을 형성했다.
그 다음에, 공중합 나일론 수지(상표명: 아밀란(Amilan) CM8000, 토레이 인더스트리즈, 인크.(Toray Industries, Inc.) 제조) 10 부 및 메톡시메틸화 6-나일론 수지(상표명: 토레진(Toresin) EF-30T, 나가세 켐텍스 코포레이션(Nagase ChemteX Corporation) 제조) 30 부를 메탄올 400 부와 n-부탄올 200 부의 혼합된 용매에 용해시켰다. 이렇게 하여, 언더코트층용 코팅액을 제조했다.
언더코트층용 코팅액을 전기-전도층 위로 침지함으로써 도포하고, 이어 그로부터 얻은 도포된 막을 건조시켰다. 이렇게 하여, 0.5 μm의 두께를 갖는 언더코트층을 형성했다.
그 다음에, 실시예 1-1에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정(전하-발생 물질) 10 부, 폴리비닐 부티랄(상표명: S-LEC BX-1, 세키쓰이 케미칼 코., 엘티디.(SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.) 제조) 5 부, 및 시클로헥사논 250 부를, 각각 직경 1 mm를 갖는 유리 비즈를 사용한 샌드 밀 내로 로딩하고, 이어 1 시간 동안 분산 처리하였다. 처리된 생성물을 에틸 아세테이트 250 부로 희석했다. 이렇게 하여, 전하-발생층용 코팅액을 제조했다.
전하-발생층용 코팅액을 언더코트층 위로 침지함으로써 도포하고, 이어 그로부터 얻은 도포된 막을 10 분간 100 ℃로 건조했다. 이렇게 하여, 0.16 μm의 두께를 갖는 전하-발생층을 형성했다.
그 다음에, 하기 화학식 (3)으로 나타내어지는 화합물(전하-수송 물질) 8 부, 및 폴리카르보네이트(상표명: 유피론(Iupilon) Z-200, 미쓰비시 가스 케미칼 콤파니, 인크.(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조) 10 부를, 모노클로로벤젠 70 부에 용해시켰다. 이렇게 하여, 전하-수송층용 코팅액을 제조했다.
Figure pct00007
전하-수송층용 코팅액을 전하-발생층 위로 침지함으로써 도포하고, 이어 그로부터 얻은 도포된 막을 1 시간 동안 110 ℃로 건조시켰다. 이렇게 하여, 23 μm의 두께를 갖는 전하-수송층을 형성했다.
이렇게 하여, 실시예 2-1의 원통(드럼-모양)의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(실시예 2-2)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 실시예 1-2에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 실시예 2-2의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(실시예 2-3)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 실시예 1-3에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 실시예 2-3의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(실시예 2-4)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 실시예 1-4에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 실시예 2-4의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(실시예 2-5)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 실시예 1-5에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 실시예 2-5의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(실시예 2-6)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 실시예 1-6에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 실시예 2-6의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(실시예 2-7)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 실시예 1-7에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 실시예 2-7의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(실시예 2-8)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 실시예 1-8에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 실시예 2-8의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(실시예 2-9)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 실시예 1-9에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 실시예 2-9의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(실시예 2-10)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 실시예 1-10에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 실시예 2-10의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(실시예 2-11)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 실시예 1-11에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 실시예 2-11의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(실시예 2-12)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 실시예 1-12에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 실시예 2-12의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(실시예 2-13)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 실시예 1-13에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 실시예 2-13의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(실시예 2-14)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 실시예 1-14에서 얻은 히록드시갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 실시예 2-14의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(실시예 2-15)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 실시예 1-15에서 얻은 브로모갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 실시예 2-15의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(실시예 2-16)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 실시예 1-16에서 얻은 아이오도갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 실시예 2-16의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(실시예 2-17)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 실시예 1-17에서 얻은 아이오도갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 실시예 2-17의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(실시예 2-18)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 실시예 1-18에서 얻은 아이오도갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 실시예 2-18의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(실시예 2-19)
실시예 2-2에서와 동일한 방식으로 지지체 상에 전기-전도층, 언더코트층 및 전하-발생층을 형성했다. 그 다음에, 하기 화학식 (4)로 나타내어지는 화합물(전하-수송 물질) 10 부, 및 폴리카르보네이트(상표명: 유피론 Z-400, 미쓰비시 가스 케미칼 콤파니, 인크. 제조) 10 부를, 모노클로로벤젠 100 부에 용해시켰다. 이렇게 하여, 전하-수송층용 코팅액을 제조했다.
전하-수송층용 코팅액을 전하-발생층 위로 침지함으로써 도포하고, 이어 그로부터 얻은 도포된 막을 30 분간 150 ℃로 건조시켰다. 이렇게 하여, 15 μm의 두께를 갖는 전하-수송층을 형성했다.
이렇게 하여, 실시예 2-19의 전자 사진 감광체를 제작했다.
Figure pct00008
(비교예 2-1)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 비교예 1-1에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 비교예 2-1의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(비교예 2-2)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 비교예 1-2에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 비교예 2-2의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(비교예 2-3)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 비교예 1-3에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 비교예 2-3의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(비교예 2-4)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 비교예 1-4에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 비교예 2-4의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(비교예 2-5)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 비교예 1-5에서 얻은 혼합물로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 비교예 2-5의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(비교예 2-6)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 비교예 1-6에서 얻은 혼합물로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 비교예 2-6의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(비교예 2-7)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 비교예 1-7에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 비교예 2-7의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(비교예 2-8)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 비교예 1-8에서 얻은 브로모갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 비교예 2-8의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(비교예 2-9)
실시예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 비교예 1-9에서 얻은 아이오도갈륨 프탈로시아닌 결정으로 변경한 것 외에는, 실시예 2-1에서와 동일한 방식으로 비교예 2-9의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(비교예 2-10)
비교예 2-1에서, 전하-발생층용 코팅액의 제조에서 사용한 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정(비교예 1-1에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정) 10 부를, 비교예 1-1에서 얻은 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 10 부 및 예시적인 화합물 (2) 1 부로 변경한 것 외에는, 비교예 2-1에서와 동일한 방식으로 비교예 2-10의 전자 사진 감광체를 제작했다.
(실시예 2-1 내지 2-19 및 비교예 2-1 내지 2-10의 평가)
실시예 2-1 내지 2-19 및 비교예 2-1 내지 2-10의 전자 사진 감광체에 대해서 고스트 화상 평가를 했다.
평가용의 전자 사진 장치로서, 휴렛-팩커드 재팬, 엘티디.(Hewlett-Packard Japan, Ltd.)가 제조한 레이저 빔 프린터(상표명: 칼라 레이저 젯(Color Laser Jet) CP3525dn)을 후술하는 바와 같이 개조하여 사용했다. 다시 말해, 전-노광은 끄고, 대전 조건 및 화상 노광 값은 가변하여 작동하도록 개조했다. 또한, 청록색용 프로세스 카트리지 상에 제작한 전자 사진 감광체를 장착하고 청록색 프로세스 카트리지용 스테이션에 카트리지를 부착하고, 임의의 다른 색용 프로세스 카트리지를 프린터의 주요 본체 상에 장착하지 않고 작동하도록 개조했다.
화상의 출력시에, 단지 청록색용 프로세스 카트리지만을 주요 본체에 부착하고 청록색 토너 단독으로 형성된 단색 화상을 출력했다.
우선, 23 ℃의 온도 및 55 %RH의 상대 습도를 갖는 상온, 상습 환경 하에서, 초기 단계의 암부 전위 및 명부 전위가 각각 -500 V 및 -100 V가 되도록 대전 조건 및 화상 노광 값을 조정했다. 전위 설정시에 드럼-모양 전자 사진 감광체의 표면 전위를 후술하는 바와 같이 측정했다. 카트리지를 개조하고, 현상 위치에 전위 탐침(상표명: 모델 6000B-8, 트레크 재팬(TREK JAPAN) 제조)을 장착하고, 원통의 전자 사진 감광체의 중심부의 전위를 표면 전위계(상표명: 모델 344, 트레크 재팬 제조)로 측정했다.
그 후, 동일 조건 하에서 고스트 화상 평가를 수행했다. 그 후, 1,000장-시트-통과 내구성 시험을 수행하고, 내구성 시험 직후 및 내구성 시험 15 시간 후에 고스트 화상 평가를 수행했다. 상온, 상습 환경 하의 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
그 다음에, 전자 사진 감광체를 평가용 전자 사진 장치와 함께 15 ℃의 온도 및 10 %RH의 상대 습도 하에서 3 일간 방치했다. 그 후, 고스트 화상 평가를 수행했다. 이어, 동일 조건 하에서 1,000장-시트-통과 내구성 시험을 수행했고, 내구성 시험 직후 및 내구성 시험 15 시간 후에 고스트 화상 평가를 수행했다. 저온, 저습 환경 하의 평가 결과를 표 2에 함께 나타낸다.
시트-통과 내구성 시험은 인쇄 백분율 1 ％에서 E-문자 화상을 A4-크기의 일반 용지 상에 청록색 단독으로 인쇄하는 조건 하에서 수행하였음을 숙지해야 한다.
또한, 고스트 화상 평가의 방법은 후술하는 바와 같다.
총 8 개의 고스트 화상 출력을 다음의 순서로 하여 고스트 화상 평가를 수행하였다. 순수한 백색 화상을 제1 시트 상에 출력하였다. 그 후, 4 종류의 고스트 차트를 하나의 시트 상에 각각, 즉, 총 4 장의 시트를 출력하였다. 다음으로, 순수한 흑색 화상을 하나의 시트 상에 출력하였다. 그 후, 4 종류의 고스트 차트를 하나의 시트 상에 각각, 즉, 총 4 장의 시트에 다시 출력하였다. 순위로 분류되는 고스트 차트는 후술하는 바와 같다. 한 면이 25 mm인 4 개의 순수한 흑색 정사각형을 인쇄 화상 출발 위치(종이의 상단으로부터 10 mm)로부터 30 mm 거리 범위의 순수한 백색 배경 내에서 동일한 간격으로 서로 평행하게 배열하였고, 인쇄 화상 출발 위치로부터 30 mm를 초과하여 떨어진 범위에서는 4 종류의 하프톤(halftone) 인쇄 패턴을 출력하였다.
4 종류의 고스트 차트는 프린트 화상 출발 위치로부터 30 mm를 초과하여 떨어진 범위에서 하프톤 패턴만 서로 상이한 차트이고, 하프톤 패턴은 다음의 4 종류이다:
(1) 한 점이 한 공간마다 횡방향으로(laterally)* 인쇄된 인쇄(레이저 노광) 패턴;
(2) 두 점이 두 공간마다 횡방향으로* 인쇄된 인쇄(레이저 노광) 패턴;
(3) 두 점이 세 공간마다 횡방향으로* 인쇄된 인쇄(레이저 노광) 패턴; 및
(4) 나이트(knight) 패턴(일본 체스에서 나이트의 움직임과 같이 6 개의 정사각형 상에 두 점을 인쇄하는 패턴)의 인쇄(레이저 노광) 패턴.
*: 용어 "횡방향으로"는 레이저 스캐너의 주사 방향(출력 종이에서는 수평 방향)을 칭한다.
고스트 화상은 후술하는 바와 같은 순위로 분류된다. 순위 4, 5 및 6 각각에서 본 발명의 효과를 충분히 얻을 수 없다고 판단했다는 것을 숙지해야 한다.
순위 1: 각 고스트 차트에서 고스트가 관찰되지 않는다.
순위 2: 특정 고스트 차트에서 고스트가 약간 관찰된다.
순위 3: 각 고스트 차트에서 고스트가 약간 관찰된다.
순위 4: 특정 고스트 차트에서 고스트가 관찰된다.
순위 5: 각 고스트 차트에서 고스트가 관찰된다.
순위 6: 특정 고스트 차트에서 고스트가 명확하게 관찰된다.
[표 1]
TG 측정 결과
Figure pct00009
[표 2]
고스트 화상 평가 결과
Figure pct00010
본 발명은 예시적 실시양태를 참고로 설명되지만, 본 발명은 개시된 예시적 실시양태에 한정되지 않음을 이해해야 한다. 다음의 특허청구범위의 범위는 이러한 변형 및 등가의 구조 및 기능을 모두 포함하도록 가장 넓은 해석을 부여한다.
본 출원은 2011년 11월 30일에 출원된, 일본 특허 출원 제2011-262020호 및 2012년 11월 6일에 출원된, 일본 특허 출원 제2012-244468호를 우선권 주장하며, 이로써 본원에 그의 전체가 참조로 포함된다.

Claims (28)

  1. 지지체; 및
    상기 지지체 상에 형성된 감광층을 포함하고,
    상기 감광층은, 화학식 (1)으로 나타내어지는 아민 화합물을 결정 내에 함유하는 갈륨 프탈로시아닌 결정을 포함하는, 전자 사진 감광체.
    Figure pct00011

    화학식 (1)에서,
    R1 내지 R10은 수소 원자, 할로겐 원자, 아릴옥시카르보닐기, 치환된 또는 비치환된 아실기, 치환된 또는 비치환된 알킬기, 치환된 또는 비치환된 알콕시기, 치환된 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환기를 갖는 아미노기, 및 치환된 또는 비치환된 시클릭 아미노기 중 하나를 각각 독립적으로 나타내고, 단, R1 내지 R10 중 하나 이상은 치환된 또는 비치환된 아릴기로 치환된 아미노기, 치환된 또는 비치환된 알킬기로 치환된 아미노기, 및 치환된 또는 비치환된 시클릭 아미노기 중 하나를 나타내고;
    X1은 카르보닐기 및 디카르보닐기 중 하나를 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, R1 내지 R10 중 하나 이상이 치환된 또는 비치환된 알킬기로 치환된 아미노기를 나타내는, 전자 사진 감광체.
  3. 제2항에 있어서, 치환된 또는 비치환된 알킬기로 치환된 아미노기에서, 치환된 또는 비치환된 알킬기가, 알콕시기로 치환된 알킬기, 아릴기로 치환된 알킬기, 및 비치환된 알킬기 중 하나를 포함하는, 전자 사진 감광체.
  4. 제2항에 있어서, 치환된 또는 비치환된 알킬기로 치환된 아미노기가 디알킬아미노기를 포함하는, 전자 사진 감광체.
  5. 제4항에 있어서, 디알킬아미노기가 디메틸아미노기 및 디에틸아미노기 중 하나를 포함하는, 전자 사진 감광체.
  6. 제1항에 있어서, R1 내지 R10 중 하나 이상이 치환된 또는 비치환된 시클릭 아미노기를 나타내는, 전자 사진 감광체.
  7. 제6항에 있어서, 치환된 또는 비치환된 시클릭 아미노기가 모르폴리노기 및 1-피페리디노기 중 하나를 포함하는, 전자 사진 감광체.
  8. 제1항에 있어서, 아민 화합물이 화학식 (2)으로 나타내어지는 아민 화합물을 포함하는, 전자 사진 감광체.
    Figure pct00012

    화학식 (2)에서, Et는 에틸기를 나타낸다.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 갈륨 프탈로시아닌 결정이 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 포함하는, 전자 사진 감광체.
  10. 제9항에 있어서, 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정이 CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 ° 및 28.3 °에 피크를 갖는 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 포함하는, 전자 사진 감광체.
  11. 제10항에 있어서, CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 ° 및 28.3 °에 피크를 갖는 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정이, 27.4 °에 피크를 더 갖는, 전자 사진 감광체.
  12. 제11항에 있어서, CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 °, 27.4 ° 및 28.3 °에 피크를 갖는 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정의 27.4 °의 피크 강도가 그의 7.4 °의 피크 강도에 대하여 5 % 이상 내지 100 % 이하인, 전자 사진 감광체.
  13. 제9항에 있어서, 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정이 CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 °, 16.6 °, 21.8 °, 25.5 ° 및 28.3 °에 피크를 갖는 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 포함하는, 전자 사진 감광체.
  14. 제13항에 있어서, CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 °, 16.6 °, 21.8 °, 25.5 ° 및 28.3 °에 피크를 갖는 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정이 27.0 °에 피크를 더 갖는, 전자 사진 감광체.
  15. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 갈륨 프탈로시아닌 결정이 리간드로서 할로겐 원자를 갖는 갈륨 프탈로시아닌 결정을 포함하는, 전자 사진 감광체.
  16. 제15항에 있어서, 리간드로서 할로겐 원자를 갖는 갈륨 프탈로시아닌 결정이, CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 °, 27.1 ° 및 28.4 °에 피크를 갖는 브로모갈륨 프탈로시아닌 결정을 포함하는, 전자 사진 감광체.
  17. 제15항에 있어서, 리간드로서 할로겐 원자를 갖는 갈륨 프탈로시아닌 결정이, CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 20.4 °, 27.1 °, 29.0 ° 및 33.2 °에 피크를 갖는 아이오도갈륨 프탈로시아닌 결정을 포함하는, 전자 사진 감광체.
  18. 프로세스 카트리지이며,
    제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 기재된 전자 사진 감광체; 및
    상기 전자 사진 감광체의 표면을 대전하기 위한 대전 유닛,
    상기 전자 사진 감광체의 표면 상에 형성된 정전 잠상을 토너로 현상하여 토너 화상을 형성하기 위한 현상 유닛, 및
    상기 토너 화상을 전사 재료로 전사한 후 상기 전자 사진 감광체의 표면 상의 토너를 제거하기 위한 클리닝 유닛
    으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 유닛
    을 포함하고,
    상기 전자 사진 감광체 및 하나 이상의 유닛이 일체로 지지되고,
    상기 프로세스 카트리지가 전자 사진 장치의 본체에 착탈식으로 장착가능한, 프로세스 카트리지.
  19. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 기재된 전자 사진 감광체;
    상기 전자 사진 감광체의 표면을 대전하기 위한 대전 유닛;
    대전된 상기 전자 사진 감광체의 표면을 화상 노광 광으로 조사하여 정전 잠상을 형성하기 위한 화상 노광 유닛;
    상기 전자 사진 감광체의 표면 상에 형성된 정전 잠상을 토너로 현상하여 토너 화상을 형성하기 위한 현상 유닛; 및
    상기 전자 사진 감광체의 표면 상에 형성된 토너 화상을 전사 재료로 전사하기 위한 전사 유닛
    을 포함하는, 전자 사진 장치.
  20. 화학식 (1)로 나타내어지는 아민 화합물을 결정 내에 포함하는, 갈륨 프탈로시아닌 결정.
    Figure pct00013

    화학식 (1)에서,
    R1 내지 R10은 수소 원자, 할로겐 원자, 아릴옥시카르보닐기, 치환된 또는 비치환된 아실기, 치환된 또는 비치환된 알킬기, 치환된 또는 비치환된 알콕시기, 치환된 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환기를 갖는 아미노기, 및 치환된 또는 비치환된 시클릭 아미노기 중 하나를 각각 독립적으로 나타내고, 단, R1 내지 R10 중 하나 이상은 치환된 또는 비치환된 아릴기로 치환된 아미노기, 치환된 또는 비치환된 알킬기로 치환된 아미노기, 및 치환된 또는 비치환된 시클릭 아미노기 중 하나를 나타내고;
    X1은 카르보닐기 및 디카르보닐기 중 하나를 나타낸다.
  21. 제20항에 있어서, 갈륨 프탈로시아닌 결정이, CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 ° 및 28.3 °에 피크를 갖는 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정을 포함하는, 갈륨 프탈로시아닌 결정.
  22. 제21항에 있어서, CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 ° 및 28.3 °에 피크를 갖는 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정이, 27.4 °에 피크를 더 갖는, 갈륨 프탈로시아닌 결정.
  23. CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 °, 27.4 ° 및 28.3 °에 피크를 포함하는, 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정.
  24. 제23항에 있어서, CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 °, 27.4 ° 및 28.3 °에 피크를 갖는 갈륨 프탈로시아닌 결정의 27.4 °의 피크 강도가 그의 7.4 °의 피크 강도에 대하여 5 % 이상 내지 100 % 이하인, 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정.
  25. CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 °, 16.6 °, 21.8 °, 25.5 ° 및 28.3 °에 피크를 포함하는, 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정.
  26. CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 °, 16.6 °, 21.8 °, 25.5 °, 27.0 ° 및 28.3 °에 피크를 포함하는, 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정.
  27. CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 7.4 °, 27.1 ° 및 28.4 °에 피크를 포함하는, 브로모갈륨 프탈로시아닌 결정.
  28. CuKα X-선 회절에서 브래그 각 2θ± 0.2 °에 있어 20.4 °, 27.1 °, 29.0 ° 및 33.2 °에 피크를 포함하는, 아이오도갈륨 프탈로시아닌 결정.
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