JPS61151659A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は半導体レーザープリンター用、カラー複写機用
、高速複写機用等に好適な電子写真感光体に関する。

従来技術 近年、有機光導電材料を感光層の主成分とした有機感光
体の開発が盛んに行なわれているが１特に感光層を電荷
発生材料を主成分とする電荷発生層と電荷輸送材料を主
成分とする電荷輸送層とに分けた機能分離型有機感光体
の研究、開発が多く行なわれて来ている。

機能分離盤の感光体に２ける電荷発生材料として多くの
化合物が提案されている０例えば。

特会昭４４−１６４７４号公報にはモノアゾ顔料を用イ
タ４ノ２＞！、＊ＦＭ昭４７−３７５４３　号公報には
ジスアゾ顔料を用いたものが、特開昭５３−１３２３４
７号公報にはトリスアゾ顔料を用いたものが知られてい
る。

しかしこれらの化合物を用いた場合にも。

（１）、実用上問題がなくても、高速複写機用としては
感度が低い。

（２）、可視域全般にわたって吸収がない九め、カラー
複写機用としては不適当である。

（３）、半導体レーザー光源を用いる電子写真方式プリ
ンター用の感光体としては極めて感度が低い。

等の欠点を有している。

しかもこれらの化合物を用いた感光体は残留電位、＜シ
返し使用時の安定性等の特性において必ずしも満足する
ものではない。

以上のような欠点の改善法の１つとして特開昭５７−１
９５７６７号会報に記載されるトリスアゾ顔料は可視域
全般および半導体レーザー光の波長域にわたって吸収を
持ち、上記欠点（２）および／又は（３）に対して有効
である。またこのトリスアゾ顔料に特定のキャリア輸送
材料を組合せると１例えば特開昭５７−１９１６２４１
　　号公報％特開昭５７−１９６２４２号公報、特開昭
５７−１９１６２４３　号公報、特開ｌｉｄ　５７−１
９６２４４号公報、特開昭５７−１９１６２４５　　号
公報、特開昭５７−１９６２４６号公報、特開昭５７−
１９１６２４７　　号公報、特開昭５７−１９６２４８
号公報、特開昭５７−１９１６２４９　号公報に記載さ
れるように感光体の残留電位、くり返し使用時の安定性
等の改善に有効となる。

目　　　的 本発明の目的は特定のＸ線回折値及び結晶形態を有する
特定のトリスアゾ顔料を用いるだけで、カラー複写機用
及び半導体レーザープリンター用としては勿論、高速複
写機用としてもきわめて高感度で、しかも残留電位、く
９返し使用時の安定性等の改善に有効な電子写真感光体
を提供することである。

構成 本発明の電子写真感光体は４戒性支持体上に電荷発生層
及び電荷輸送層を順次設けた電子写真感光体において、
電荷発生材料として、Ｃｕ−にα線による粉末Ｘ線回折
パターンで少くとも２θ＝６Ｌ８°〜７．３°、２θ＝
１６°及び２θ＝２４．５°〜２６°に回折ピーク含有
する下記構造式の非晶質トリスアゾ顔料を用いたことを
特徴とするものである。

機能分１１１ｍ有機感光体における電荷発生材料として
有機顔料を用い九場合に非晶形も含めて顔料の結晶形態
によって感光体の電子写真特性、特に感度は大きな影響
を受けるという問題がある０例えば特開昭５６−１１６
０３８号公報には。

結晶性のジスアゾ顔料が非晶形のそれと比較して、約５
倍の感度を有していることが記載されている。また特開
昭５９−８１６４７号公報には、非晶形ジスアゾ瀬料が
結晶形のそれより高感度であることが記載されている。

このように個々の有機顔料の結晶形態が感光体の感度に
及ぼす影響は予想できないので個々の有機顔料に対して
調べる必要がある。また有機顔料の結晶形態がどの様な
場合にどの様に現われるかも予想できないので、これも
個々の有機顔料に対して調べる必要がある。

一方、有機顔料の結晶形態は通常、粉末Ｘ線回折法で測
定される。Ｘ線管の対陰極として鋼を用い、フィルター
としてニッケルを使用すｎば、Ｃｕ−にαｗｉＡ（１，
５４１８Ａ　）が取り出せる。

本発明者らの研究によれば、前記式のトリスアゾ顔料は
粉末Ｘ線回折法（理学亀気株式会社製ガイガーフレック
スＤ−６Ｃ使用）に従ってＣｕ−にα線で管電流３０Ｋ
Ｖ、走査速度毎分２°。

時定数１秒で測定したところ、少くとも２θ＝６．８°
〜７．３°に鋭いピークと、２θ＝１６°　および２θ
＝　２４．５°〜２６’に比較的ゆるやかなピークｔＶ
する回折パターンを示す場・合に１本発明の目的すべて
ｔ−満足する感光体ができること金兄い出した。このよ
うなＸＪ回回折上ターン（以下、α型回折パターンとい
う。）において２θ＝３５°に２ける回折強度ｔ−基臨
にした時の２０＝３．８°〜４．４°又は２θ＝７．６
°〜８４°又は２θ＝９°の回折ピーク強度の２倍以上
であると、感光体の電子写真特性に更に好ましい結果を
与えることが判明した。

本発明に係るトリスアゾ顔料自体〔以下、化合物（Ｉ）
という、〕は特開昭５７−１９５７６７号公報に記載の
方法によシ容易に合成することができる。・ α型の回折パターンを有する化合物（１）ｔ−得るには
下記のようないくつかの方法がある。

（１）化合物（１）を良溶媒（例えばエチレンジアミン
）に溶解した後、（４）群の貧溶媒により再沈殿させて
得る方法、れだし、（ＢＪ群の貧溶媒より再沈殿を行な
うと、α屋以外の回折パターンを示すようになる。

〔貧溶媒（Ａ）〕ジクロルエタン、ジクロルメタン、ジ
メチルホルムアミド、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢ばブ
チル、ジオキサン、ピリジン、ｎ−７”チルアミン、シ
クロヘキサン、メチルシクロヘキサンジエチルエーテル
などの溶媒群。

〔貧溶媒（Ｂ）〕テトラヒドロフラノ、ベンゼン。

トルエン、クロルベンゼン、メｆｉ／−ル、エタ／−ル
、ｎ−ｆロバノール、イソプロノセノール、エチルセロ
ソルブなどの溶媒群。

なお、上記溶媒が各貧溶媒群のすべてではないことはい
うまでもない。しかしどのような溶媒を用いた場合に化
合物（１）が、どのような回折パターンを示すか推察で
きるものではないので、各々の場合について実験的に調
べる必要がある。

良溶媒としてはエチレンジアミン、濃硫は等が挙げらｎ
るが、熱ニトロベンゼンも良溶媒として使用することが
できる。

（２）　　化合物（Ｉ）　１ｃ例えばボールミル、アト
ライター中で剪断力を与えながら溶剤処理する方法。

この場合、上記（Ａ）群の溶媒処理を行った場合、化合
物（Ｉ）は、α型Ｘ線回折パターンを示す傾向にあり、
一方、上記（Ｂ）群で溶媒処理した場合は、化合物（１
）は、α微以外のＸｄ回折ノターンを示す傾向がある。

しかし、どれだけの剪断力を加えたときに、どのような
Ｘ線回折ノ４ターンを示すようになるかは、実際にＸ線
回折測定を行なって調べる必要がある。

本発明の電荷発生層にはこのようなトリスアゾ顔料の他
、必要に応じて結着剤を併用することができる。このよ
うな結着剤としてはポリアミド、ボリウレタ／、４リエ
ステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート
などの縮合樹脂やポリビニルブチラール、ポリビニルケ
トン、ポリスチレン、ポ１７−Ｎ−ビニルカルバゾール
、ポリアクリルアミドなどのビニルＸ合体等が挙げられ
るが、絶縁性で接着性のある樹脂は全て使用できる。

なお電荷発生層中のα型回折パターンを有する化合物（
１）の割合は１０ｇ１１％以上、好ましくは４０重量５
以上が適当である。

一方１本発明の電荷輸送層は従来と同様、電荷輸送材料
及び前述のような結着剤を主成分として構成される。

電荷輸送材料としては高分子のものではポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、ハロゲン化ホリーＮ−ビニルカルバソ
ール、ポリビニルピレン、ポリビニルインドロキノキサ
リン、ポリビニルジベンソチオ７エン、ポリビニルアン
トラセ／、ポリビニルアクリジンなどのビニル重合体や
ピレンへホルムアルデヒド樹脂、ブロムピレンへホルム
アルデヒド樹脂、エチルカルバゾール〜ホルムアルデヒ
ド樹脂、クロロエチルカルバゾール−ホルムアルデヒド
樹脂などの縮合樹脂が。

また低分子（単量体）のものではフルオレノン。

２−ニトロ−９−フルオレノン、２，７−シニトロー９
−フルオレノン、２，４．７−）りニトロ−９−フルオ
レノン、２，４，５．７−テト２ニトロ−９−フルオレ
ノン、４Ｈ−・インデノ（ｔ、ｚ−ｂ〕チオ７エンー４
−オン、２−二ドロー４Ｈ−インデノ（１，ｚ−ｂ）チ
オフェン−４−オン、２，６．８−）ジニトロ−４）Ｉ
−インデノ（１，ｚ−ｂ〕チオフェン−４−オン、８ｄ
−インデノ（２，１−ｂ）チオフェン−８−オン、２−
ニトロ−８１’ｌ−インデノ〔２゜１−ｂ〕チオ７エン
ー８−オン、２−ブロム−６，８−ジニトロ−４Ｅ−イ
ンデノ（１，ｚ−ｂ〕チオフェア、６．８−ジニトロ−
４Ｈ−インデノ（ｌ、ｚ−ｂ〕チオフェン、２−ニトロ
ジベンゾチオ７エン、２．８−ジニトロジペンゾチオフ
ェン、３−ニトロ−ジベンゾチオフェン−５−オキサイ
ド、３，７−シニトロージペンゾテオ７エンー５−オキ
サイド、１，３．７−トリニトロージペンゾチオフエ７
−５，５−ジオキサイド、３−ニトロ−ジベンゾチオフ
ェン−５，５−ジオキサイド％　３．ｒ−ジニトロ−ジ
ベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイド、４−ジシア
ノメチレン−４１（−インデノ［ｌ。

２−ｂ］チオフェン、６．８−ジニトロ−４−ジシアノ
メチレン−４■−インデノ（２，２−ｂ〕チオフェン、
１，３，７．９　−テトラニトロベンゾ〔Ｃ〕シンノリ
ン−５−オキサイド、２゜４、ｌＯ−トリニトロベンゾ
Ｃ，）シンノリ／−６−オキサイド、２，４．８−）ジ
ニトロベンゾ〔ｃ〕シンノリン−６−オΦサイド、２゜
４　、８−　ト’）ニドロチオキサントン、２，４゜７
−　）　ジニトロ−９，１０−フエナンスレンキノン、
１．４−す７トΦノ／べ／ゾ（，１アンスラセン−７，
１２−ジオ／、２，４，７−）ジニトロ−９−ジシアノ
メチレンフルオレン、テトラクロル無水フタル酸％　１
−ブロムピレン、１−メチルピレン、１−エチルピレン
、１−アセチルピレン、カルバゾール、Ｎ−エチルカル
バゾール、Ｎ−β−クロロエテルカルバゾール、Ｎ−β
−ヒドロキシエチルカルバゾール、２−フェニルインド
ール、２−フェニルナフタレン、２．５−ビス（４−ジ
エチルアミノ７エエル）−１，３，４−オキサジアゾー
ル、２，５−ビス（４・ジエチルアミノフェニル）”１
＊３ｙ４−トリアゾール、１−フェニル−３−（４−ジ
エチルアミノスチリル）−５−（４−ジエチルアミノフ
ェニル）ピラゾリン、２−フェニル−４−（４−ジエチ
ルアミノフェニル）−５−フェニルオキサゾール、トリ
フェニルアミン。

トリス（４−ジエチルアミノフェール）メタン。

８．６−ビス（ジベンジルアミノ）−９−エチルカルバ
ゾール、　４　、４’−ビス（ジベンジルアミノ）ジフ
ェニルメタン、　４　、４’−ビス（ジベンジルアミノ
）ジフェニルエーテル％１．ｌ−ビス（４−ジベンジル
アミノフェニル）フロ／臂／、２−（ａ−ナフチル）−
５−（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オ
キサジアゾール、２−スチリル−５−（３−Ｎ−エチル
カルバゾリル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−
（４−メトキシフェニル）−５−（３−Ｎ−エチルカル
バゾリル）−１，３，４−オキサジアゾール％２−（４
−ジエチルアミノフェニル）−５−（３−Ｎ−エチルカ
ル、＜　／　１フル）−１，３，４−オキサジアゾール
、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン、
９−（４−ジメチルアミノスチリル）アントラセン、ａ
−（９−ア二トリル）−β−（３−Ｎ−エチルカルバゾ
リル）エチレン、５−メチル−２−（４−ジエチルアミ
ノステリル）ベンゾオキサゾール、９−（４−ジメチル
アミノベンジリデン）フルオレン、Ｎ−エチル−３−（
９働フルオレニリテン）カルバゾール、２，６−ビス（
４−ジエチルアミノステリル）ピリジン、メチルフェニ
ルヒドラゾノ−３−メチリデン−９−エチルカルバゾー
ル、メチルフェニルヒドラゾノ−４−メチリデン−Ｎ、
Ｎ−ジエチルアニリン、４−Ｎ、Ｎ−−／フェニルアミ
ノステルペン、α−フェニル−４−Ｎ、Ｎ−ジエチルア
ミノスチリペンなどが挙けられる。これらの電荷輸送材
料は単１または２ａｉ以上混合して使用とれる。

なお電荷輸送層中の電荷輸送材料の割合は１０〜９５重
量％、好ましくは３０〜９０重量％か過当である。

本発明の感光体において導電性支持体とじてはアルきニ
ウム等の金属板又は金属箔、アルばニウムなどの金属を
蒸着したプ２スチツクフイルム、或いは導電処理を施し
た紙等が使用される。

本発明の有機感光体を作るには基本的にはα型Ｘ線回折
Ａターンを示す化合物（１）を結着剤溶液中に分散し、
この分散液を導電性支持体上に塗布乾燥して電荷発生層
を形成した後、その上に電荷輸送材料及び結着剤を溶解
した溶液ｔ−塗布乾燥して電荷輸送層を形成すればよい
のであるがｓｌ’ａａ荷発生層音発生層る前に、前記分
″＆液中の化合物（１）が所望のαｅｘｔｓ回折パター
ンを示すかどうか予め確認しておく必要がある。これは
前述のように分散液の溶媒によって回折ノターンが変化
する可能性があるからである。なおこうして形成される
電荷発生層及び電荷輸送層の厚さは夫々５μｍ以下（好
ましくは２μｍ以下）、３〜５０μｓ（好ましくは５〜
２５μｍ）が適当である。

以下に本発明を実施例によって説明する。

実施例１ 化合物（１）ｔ−エチレンジアミ／に溶解し、大量のジ
メチルホルムアミドに投入し、生じた沈殿をＦ取してα
皿Ｘ線回折Ａターンを示す化合物（Ｉ）　ｔ−得た。こ
のように溶媒処理してなる化合物（Ｉ）２０を量ＩＳと
、シクロヘキサノン３００重量部にブチラール樹脂（覆
水化学（（転）社製エスレツクＢＬ−１）２０重量部を
溶解した液とをボールミルで２４時間１分散混合して分
散液を得た。この分散液を、アルミニウム導電層を有す
る一すエステルフイルム基体上に乾燥膜厚が０．２μ諺
になるよう塗布乾燥して・電荷発生層を形成した。

その上に電荷輸送材料として下記構造式で示されるＮ−
メチル−Ｎ−フェニルＬドツゾノー３−メチリデン−９
ｅエチルカルバゾールち− １０重量部とばりカーボネート（帝人化成（イ）社製パ
ンライ）Ｋ−１３００）　１０重量部とをナト２ヒドロ
フ２フ８０重量部に溶解した溶液を乾燥膜厚が２０μｍ
になるように塗布乾燥して電荷輸送層を形成し、本発明
の電子写真感光体を作成した。

なお前記溶媒処理した化合物ＣＩ）ｔ−シクロヘキサノ
ン分散液よプ遠心分離法で回収し、粉末Ｘ線回折法で測
定したところ、第１図に示す結果を得た。従ってこの化
合物（１）は本発明のα聾Ｘ線回折／櫂ターンを満足す
る非晶質であることがわかる。

次にこうして作成した感光体について、静電複写紙試駿
装置（（（転）川口電機製作新製、ｓｐ４２　ａｍ）を
用いて、−６ＫＶの：２０ナ放電を２０秒間行なって負
に帯電せしめた後、２０秒間暗所に放置し、その時の表
面電位ＶＰ６（マｏｌｔ）を測定し１次いでタングステ
ン２ンゾによってその表面が照度２Ｇルツクスになるよ
うに光を照射し１表面電位がＶｐｏのＨになるまでの時
間（ｓａ＝　）を求め、露光量Ｅ％（ｌｕｘ・式）を算
出した。また露光３０秒後の表面電位ｖＢ　　も測定し
た。

以上の測定結果ならびに１０回くり返し測定後の結果を
下表に示す。

次に各波長におゆる感度ｔ−調べるため、以下の測定を
行なった。まず感光体を暗所でコロナ放電によシ帯電し
、ついで、その上にモノクロメータ−を用いて分光した
ｌμＷ／ｃｉｔの単色光を照射した。

次にその表面電位がＨに減衰するまでの時間（（６））
ｔ−求め（この時暗減衰による表、面電位の減衰分は補
正した）、更に露光量（ｐＷ−ｔｍｌａｌ　）を求めて
光減衰速度（ｖｏｌｔ−ａｒｌ・μｗ−’・ｓｅｅ″″
ｉ）を算出した。

この分光感度の結果ｔ−第２図に示す。

以上の結果よシ本実施例の感光体は高感度かつ、可視２
よび半導体レーザー波長域に感度を有し、また、くシ返
し疲労性にすぐれていることがわかる。

比較例１ 実施例１と同じ方法で溶剤処理してなる化合物（１）ｚ
ｏ重一部と、テトラヒドロ７ラン３００重量部にブチラ
ール１ｔｊｌｉ’（積水化学＠）社製ｘスｖｙ／ＢＬ−
１）２０重量部を溶解した液とｔボールミルで２４時間
１分散混合して分散液を得た。この分散液をアルミニウ
ム導電層を有するポリエステルフィルム基体上に乾燥膜
厚が０，２μ風になるよう塗布乾燥して電荷発生層を形
成した。

その上に実施例１と同じ方法でキャリア輸送層を設げた
。

なお前記溶剤処理した化合物（Ｉ）ｔ−ナト２ヒドロフ
２フ分散液より遠心分離法で回収し、粉末Ｘ線回折法で
測定したところ第３図に示す結果を得た。この図よシ、
本比較例の感光体に用いた化合物（Ｉ）は明らかにα梨
回折ノセターンとは異なる回折を示していることがわか
る。

上記感光体の特性を実施例１と同じ方法で測定したとこ
ろ、下表および第４図の結果を得た。

以上の比較例より、α型とは異なる回折を有する化合物
（１）はα型の化合物（Ｉ）を用いた本発明の感光体と
比較して電子写真特性が劣ることが明らかである。

実施例２ 実施例１と同じ方法で溶剤処理してなる化合物（１）ｚ
ｏｔ量部と、シクロヘキサノン２００重量部にブチラー
ル樹脂（積水化学（株）社製エスレツクＢＬ−１）２０
重量部を溶解した液とをボールミルで２４時間、分散混
合して、分散液を得た。

これにテトラヒドロ７ラン２００！量部をゆつくシ加え
、″、１荷発生層の塗膜乾燥速度が速くなるよう１分散
液をＦＡ整した。この分散液をアルミニウム導電層を有
するポリエステルフィルム基体上に乾燥膜厚が０．２μ
風になるよう塗布乾燥して電荷発生層を形成した。

その上に実施例１と同じ方法で電荷輸送層を設けた。

なお前記浴剤処理した化合物（１）をシタ日へキサノン
／テトラヒドロンラフ混合溶媒分散液より遠心分離で回
収し、粉末Ｘ線回折法で測定したところ、第１図と全く
同じ回折Ａターンを示した。すなわち、本実施例におい
てはテトラヒドロ７ランを用いたにも拘わらず比較例１
のような結晶変質を生じていないことがわかる。

上記感光体の特性を下表に示す、なお分光感度は実施例
１（第２図）とほとんど同じ曲ｍを示した。

実施例３ 実施例１と同じ方法で溶媒処理してなる化合物（１）２
０重量部と、ジオキサン３００重量部にブチラール樹脂
（積水化学（株）社製エスレツクＢＭ−８）２０重量部
を溶解した液とをボールミルで２４時間１分散混合して
分散液を得た。

この分散液を、アルミニウム導電層を有する一すエステ
ルフイルム基体上に乾燥膜厚が０．２踊になるよう塗布
乾燥して電荷発生層を形成した。

その上に、電荷輸送材料として下記構造式でｌＯＺ量部
とポリカーボネート（量大化成（（転）社製パンライト
に−１３００）　１０重量部とをテトラヒドロ７ラン８
０重量部に溶解したｔＩ液を乾燥膜厚が２０μｍになる
ように塗布乾燥して電荷輸送層を形成し１本発明の電子
写真感光体を作成した。

なお前記溶媒処理した化合物（１）をジオキサン分散液
よル遠心分離法で回収し、粉末Ｘ線回折法で測定したと
ころ、第５図に示す結果を得九。

この化合物中は、本発明のＸ線回折パターンを満足する
非晶質であることがわかる。

上記感光体の特性を下記に示す、これよシ本感光体は可
視域および半導体レーザー波長域に。

高感度を有し、またくシ返しの疲労時性にすぐｎでいる
ことがわかる。

７８０ｎｍの光減衰速度＝　１０５０　ｖｏｌｔ−ｃｆ
ｆｌ／μＷ’ｓｅｃ比較例２ 実施例１と同じ方法で溶媒処理してなる化合物（Ｉ）２
０重量部と、トルエン３００重童部にブチ２−ル樹脂（
積木化学（２）社製エスレックＢＭ−８）２０重量部を
溶解し九液とをボールミルで２４時間１分散混合して分
散液を得た。

この分散液を、アルミニウム導電層を有するポリエステ
ルフィルム基体上に乾燥膜厚が０．２μｍになるよう塗
布乾燥して電荷発生層を形成した。

その上に実施例３と同じ方法で電荷輸送層を設は九。

なお前記溶媒処理した化合物（１）ｆ：）ルエ／分散液
よシ遠心分離法で回収し、粉末Ｘ線回折法で測定したと
ころ、第６図に示す結果を得た。

この図より本比較例の感光体に用いた化合物（１）は明
らかにα型回折パターンとは異なる回折を示しているこ
とがわかる。

上記感光体の特性を下記に示す。本比較例の感光体は実
施例３のそれよシ劣っていることがわかる。

７８　Ｇ　ａｍの光減衰速度ｘ　１８０　ｖｏｌｔｍ／
　／＃−５ｅｅ笑施例４ 実実施１と同じ方法で溶媒処理してなる化合物（１３２
０］ｉ量部と、メチルシクロヘキサン３００重量部とを
２４時間分散混合して分散液を得た・次に厚さ０．２１
１１のアルミニウム基板上に可溶性ナイロン（東しく自
）製アミランＣＭ　−８０００）のエタノール溶液ｔ−
塗布乾燥して乾燥膜厚０．５μｍの中間層を設げた後、
その上に上記分散液を乾燥膜厚が０．２μｍになるよう
塗布乾燥して電荷発生層を形成した。

その上に、！荷輸送材料として下記構造式で示さｎる化
合物 １０重量部とポリカーボネート（量大化成（株）社Ｉｆ
！　／Ｊ　７ライトに−１３００）１０ムｉｓと’ｋｆ
トラヒト四フラフラン８０′ｉ孟 乾燥膜厚が２０／ｊ真になるように塗布乾燥して電荷輸
送層を形成し１本発明の′−電子写真感光体作成した。

な２前記溶媒処理した化合物（１）　ｋメチルシクロヘ
キサン分散液よシ遠心分離法で面状し，粉末ｘ＋１６を
回折法で測定したところ，第７図に示す結果を得た。従
ってこの化合物（１）は本発明のα型Ｘ線回折パターン
を満足する非晶質であることがわかる。

上記感光体の特性を下記に示す。これよυ不感光体は可
視域および半導体レーザー波長域に高感度を有し、また
くシ返しの疲労特性にすぐれていることがわかる。

７８０ｎｍの光減衰速度＝　９６０　　ｖｏｌｔ　−ｄ
ｔ／　ＩＩＷ−ｓｅｅ効果 本発明のように電荷発生材料として特定のＸ線回折パタ
ーンを有する非晶質の特定のトリスアゾ顔料を用いるこ
とによシ、可視領域および半導体レーザーの波長域にわ
たって高感度、且つくシ返し疲労特性にすぐｆ’Ｌ７’
（機能分ｍ型の電子写真感光体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例１及び２で用いた電荷発生層形成液中の
トリスアゾ顔料のＸ線回折パターン（本発明に属するＸ
線回折パターン）、第２図は実施例１及び２で作成した
感光体の分光感度曲線図、第３図及び第６図は夫々比較
例１及び２で用いた電荷発生層形成液中のトリスアゾ顔
料のＸ線回折パターン（本発明とは異なるＸ−回折パタ
ーン）、第４図は比較例１で作成した感光体の分光感度
曲線図、第５図及び第７図は夫々、実施例３及び４で用
いた電荷発生層形成液中のトリスアゾ顔料のＸ線回折パ
ターン（本発明に属するＸ線回折パターン）である。 回貧傾剖 仮長（ｎｍ） 回奪頷舅 回お購翅 回貧濯翼 ＠覧−ＩＩ−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性支持体上に電荷発生層及び電荷輸送層を順次
   設けた電子写真感光体において、電荷発生層の電荷発生
   材料として、Ｃｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折パターン
   で少くとも２θ＝６．８°〜７．３°、２θ＝１６°及
   び２θ＝２４．５°〜２６°に回折ピークを有する下記
   構造式の非晶質トリスアゾ顔料を用いたことを特徴とす
   る電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼